CN203481280U - 一种oled器件的封装结构 - Google Patents

Abstract

本实用新型涉及封装技术领域，公开了一种OLED器件的封装结构，包括相对设置的上基板和下基板、OLED器件、以及对上基板和下基板的周边进行密封的玻璃挡墙；上基板和下基板相对的两个面相抵，下基板具有一个开口朝向上基板的凹陷部，OLED器件位于凹陷部内；上基板具有开口朝向下基板的第一环形槽，下基板具有与第一环形槽相对、且开口朝向上基板的第二环形槽，玻璃挡墙的上部限位于第一环形槽，玻璃挡墙的下部限位于第二环形槽。玻璃挡墙与上基板之间以及下基板之间的粘附力较大，而且，玻璃挡墙完全被上基板和下基板包覆，不易受到外力作用。本实用新型提供的OLED器件的封装结构封装稳定性较高，OLED器件的使用寿命较长。

Description

一种OLED器件的封装结构

技术领域

本实用新型涉及封装技术领域，特别涉及一种OLED器件的封装结构。

背景技术

OLED器件是指有机半导体材料和发光材料在电场驱动下通过载流子注入和复合导致发光的电致发光器件。OLED器件具有较多的优点，在显示领域有着光明的前景。OLED器件对水汽和氧气非常敏感，渗透进入OLED器件内部的水汽和氧气是影响OLED器件寿命的主要因素；因此，OLED器件多采用封装结构进行封装，以对氧气和水汽的起到阻隔作用。

激光玻璃封装（Frit encapsulation）是OLED器件的一种封装方式，主要应用到中小尺寸OLED器件的封装上。

如图1所示，图1为现有技术中采用激光玻璃封装的OLED器件封装结构的结构示意图。激光玻璃封装结构具有相对设置的上基板03和下基板02，上基板03和下基板02的周边通过玻璃挡墙04密封支撑，OLED器件01位于上基板03、下基板02以及玻璃挡墙04形成的容腔05内，且容腔05中填充有氮气。

上述OLED器件的封装结构中，玻璃挡墙04采用激光束移动加热玻璃料熔化形成，玻璃挡墙04虽然能够对水汽和氧气具有良好的阻隔性能，但是，现有技术中，玻璃挡墙04与上基板03以及下基板02之间的粘附力不足，并且玻璃挡墙04在受外力时容易破碎，进而导致容腔05外的氧气和水汽渗透到OLED器件中，降低OLED器件的使用寿命。

因此现有技术中的OLED封装结构的封装稳定性较差，进而导致OLED器件的使用寿命较低。

实用新型内容

本实用新型提供了一种OLED器件的封装结构，该OLED器件的封装结构的封装稳定性较高，OLED器件的使用寿命较长。

为达到上述目的，本实用新型提供以下技术方案：

一种OLED器件的封装结构，包括相对设置的上基板和下基板、OLED器件、以及对所述上基板和下基板的周边进行密封的玻璃挡墙；所述上基板和所述下基板相对的两个面相抵，所述下基板具有一个开口朝向所述上基板的凹陷部，所述OLED器件位于所述凹陷部内；所述上基板具有开口朝向下基板的第一环形槽，所述下基板具有与所述第一环形槽相对、且开口朝向所述上基板的第二环形槽，所述玻璃挡墙的上部限位于所述第一环形槽，所述玻璃挡墙的下部限位于所述第二环形槽。

上述OLED器件的封装结构中，上基板和下基板相对设置，且上基板和下基板相对的两个面相抵，而OLED器件位于下基板具有的开口朝向上基板的凹陷部内，用于密封上基板和下基板周边的玻璃挡墙上部限位于上基板具有的第一环形槽内，玻璃挡墙的下部限位于下基板具有的第二环形槽内；玻璃挡墙与上基板之间的接触面积包括第一环形槽的槽底和侧壁，玻璃挡墙与下基板之间的接触面积包括第二环形槽的槽底和侧壁，且由于上基板和下基板相对的两个面相抵、且第一环形槽和第二环形槽相对设置，玻璃挡墙完全被上基板和下基板包覆；因此，玻璃挡墙与上基板之间的粘附力较大，且玻璃挡墙与下基板之间的粘附力较大，而且，玻璃挡墙完全被上基板和下基板包覆，不易受到外力作用。

所以，本实用新型提供的OLED器件的封装结构封装稳定性较高，OLED器件的使用寿命较长。

优选地，当然，为了进一步延长OLED器件的使用寿命，所述OLED器件朝向所述上基板的一侧设有密封层，所述密封层与所述下基板的凹陷部周边密封配合，将所述OLED器件密封于所述凹陷部底部。密封层可以进一步对氧气和水汽进行阻挡，进而能够延长OLED器件的使用寿命。

优选地，所述凹陷部的侧壁具有阶梯型结构，所述凹陷部的侧壁具有的阶梯面与所述凹陷部的底面平行，所述OLED器件设置于所述凹陷部底面，所述密封层朝向所述凹陷部底面的一面与所述凹陷部内的阶梯面密封配合，且所述密封层的上表面与所述下基板的上表面平齐。

优选地，所述密封层为由至少一层封装薄膜形成的密封层。

优选地，所述密封层包括多层有机薄膜、或者多层无机薄膜、或者多层交替叠加的有机薄膜和无机薄膜。

优选地，所述有机薄膜为由聚酰亚胺、聚脲、聚酰胺酸、聚丙烯酸、聚酯、聚乙烯、或聚丙烯制备的有机薄膜；

所述无机薄膜为由SiOx、SiNx、SiCxNy、SiOxNy、AlOx、SnO2、AlN、MgF2、CaF2、In2O3、或ITO制备的无机薄膜。

优选地，所述密封层为由树脂材料形成的密封层。

优选地，所述密封层包括干燥层和位于所述干燥层与所述上基板之间的填充层。

优选地，所述填充层为硅油、树脂、或者液晶形成的透明填充层。

优选地，所述凹陷部具有两层阶梯面，所述干燥层与一个所述阶梯面密封配合，所述填充层与另一个所述阶梯面密封配合。

优选地，所述第一环形槽的横截面的形状为弧形、三角形、矩形、或者梯形；

所述第二环形槽的横截面的形状为弧形、三角形、矩形、或者梯形。

优选地，所述上基板和下基板为玻璃基板。

附图说明

图1为现有技术中采用激光玻璃封装的OLED器件封装结构的结构示意图；

图2为本实用新型实施例提供的OLED器件的封装结构的一种结构示意图；

图3为本实用新型实施例提供的OLED器件的封装结构中上基板和下基板的一种配合结构示意图；

图4为本实用新型实施例提供的OLED器件的封装结构中上基板和下基板的另一种配合结构示意图；

图5为本实用新型实施例提供的OLED器件的封装结构中密封层包括多层封装薄膜时的结构示意图；

图6为本实用新型实施例提供的OLED器件的封装结构中密封层包括干燥层和填充层时的一种结构示意图；

图7为本实用新型实施例提供的OLED器件的封装结构中第一环形槽和第二环形槽的横截面为矩形时的结构示意图；

图8为本实用新型实施例提供的OLED器件的封装结构中第一环形槽和第二环形槽的横截面为梯形时的结构示意图；

图9为本实用新型实施例提供的OLED器件的封装结构中下基板具有的凹陷部具有两个阶梯面时的一种结构示意图。

具体实施方式

下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。

请参考图2、图3以及图4，其中，图2为本实用新型实施例提供的OLED器件的封装结构的一种结构示意图；图3为本实用新型实施例提供的OLED器件的封装结构中上基板和下基板的一种配合结构示意图；图4为本实用新型实施例提供的OLED器件的封装结构中上基板和下基板的另一种配合结构示意图。

本实用新型实施例提供的有机电致发光器件（OLED器件）的封装结构，如图2所示，包括相对设置的上基板3和下基板2、OLED器件1、以及对上基板3和下基板2的周边进行密封的玻璃挡墙4；上基板3和下基板2相对的两个面相抵，下基板2具有一个开口朝向上基板3的凹陷部21，OLED器件1位于凹陷部21内；上基板3具有开口朝向下基板2的第一环形槽31，下基板2具有与第一环形槽31相对、且开口朝向上基板3的第二环形槽41，玻璃挡墙4的上部限位于第一环形槽31，玻璃挡墙4的下部限位于第二环形槽41。

上述OLED器件的封装结构中，上基板3和下基板2相对设置，且上基板3和下基板2相对的两个面相抵，而OLED器件1位于下基板2具有的开口朝向上基板的凹陷部21内。用于密封上基板3和下基板2周边的玻璃挡墙4上部限位于上基板3具有的第一环形槽31内，玻璃挡墙4的下部限位于下基板2具有的第二环形槽41内；玻璃挡墙4与上基板3之间的接触面积包括第一环形槽31的槽底和侧壁，玻璃挡墙4与下基板2之间的接触面积包括第二环形槽41的槽底和侧壁，且由于上基板3和下基板2相对的两个面相抵、且第一环形槽31和第二环形槽41相对设置，玻璃挡墙4完全被上基板3和下基板2包覆；因此，玻璃挡墙4与上基板3之间的粘附力较大，且玻璃挡墙4与下基板2之间的粘附力较大，而且，玻璃挡墙4完全被上基板3和下基板2包覆，不易受到外力作用破损。

所以，本实用新型提供的OLED器件的封装结构封装稳定性较高，封装后的整个OLED器件使用寿命较长。

请继续参考图2，一种优选实施方式中，为了进一步延长OLED器件1的使用寿命，本实施例提供的OLED器件的封装结构中，OLED器件1朝向上基板3的一侧设有密封层5，密封层5与下基板2的凹陷部21周边密封配合，将OLED器件1密封于凹陷部21底部。密封层5可以进一步对氧气和水汽进行阻挡，减少氧气和水汽对OLED器件1的影响，进而能够延长OLED器件1的使用寿命。

请继续参考图2图3以及图4，一种优选实施方式中，本实施例提供的OLED封装结构中，如图2所示，下基板2具有的凹陷部21的侧壁具有阶梯型结构，凹陷部21的侧壁具有的阶梯面211与凹陷部21的底面平行，且OLED器件1设置于凹陷部21的底面，密封层5朝向凹陷部21的底面一面的周边与凹陷部21中的阶梯面211密封配合，且密封层5的上表面与下基板2的上表面平齐。如图2所示，密封层5的下表面与凹陷部21内具有的阶梯面211密封配合，进而可以将OLED器件1密封在凹陷部21的底部。

请参考图5，一种可选实施方式中，上述密封层5可以为由至少一层封装薄膜形成的密封层。

在上述实施方式的基础上，上述密封层5可以由一层封装薄膜形成，还可以由多层封装薄膜形成，当上述密封层5由多层封装薄膜形成时，上述密封层5可以包括多层有机薄膜、或者包括多层无机薄膜、或者包括多层交替叠加的有机薄膜和无机薄膜。

具体地，上述有机薄膜可以为由聚酰亚胺、聚脲、聚酰胺酸、聚丙烯酸、聚酯、聚乙烯、或聚丙烯制备的有机薄膜；上述无机薄膜可以为由SiOx、SiNx、SiCxNy、SiOxNy、AlOx、SnO2、AlN、MgF2、CaF2、In2O3、或ITO制备的无机薄膜。

请继续参考图2，一种优选实施方式中，上述密封层5还可以为由树脂材料形成的密封层。

当然，请参考图6，一种优选实施方式中，上述密封层5还可以包括干燥层52和位于干燥层52与上基板3之间的填充层51。干燥层52的设置可以更好地防止水汽进入OLED器件中。

优选地，上述填充层51可以为由硅油、树脂、或者液晶形成的透明填充层。透明填充层能进一步阻隔水汽和氧气进入OLED器件中。请参考图4和图9，在上述实施方式的基础上，一种优选实施方式中，下基板2的凹陷部21的侧壁具有两层阶梯面，分别为阶梯面211和阶梯面212，其中，干燥层52与阶梯面211密封配合，填充层51与阶梯面212密封配合。干燥层52与阶梯面211之间形成一层密封，填充层52与阶梯面212之间形成另一层密封，即，OLED器件1与下基板2的上表面之间形成两层密封结构，进一步提高了密封层5对OLED器件1的密封隔离作用。当然，下基板2的凹陷部21的侧壁也可以具有多层阶梯面，形成行多层密封结构，具体可以根据实际封装需要设置。优选地，如图6所示，上述上基板3具有的第一环形槽31的横截面的形状可以为弧形；

或者，上述上基板3具有的第一环形槽31的横截面的形状还可以为三角形；

或者，如图7所示，上述上基板3具有的第一环形槽31的横截面的形状还可以为矩形；

或者，如图8所示，上述上基板3具有的第一环形槽31的横截面的形状还可以为梯形；

同理，如图6所示，上述下基板2具有的第二环形槽41的横截面的形状可以为弧形；

或者，上述下基板2具有的第二环形槽41的横截面的形状还可以为三角形；

或者，如图7所示，上述下基板2具有的第二环形槽41的横截面的形状还可以为矩形；

或者，如图8所示，上述下基板2具有的第二环形槽41的横截面的形状还可以为梯形。

当然，在便于实现加工和保证玻璃挡墙4与上基板3以及下基板2之间粘附力的基础上，上述上基板3具有的第一环形槽31的横截面的形状以及上述下基板2具有的第二环形槽41的横截面的形状还可以有其他选择，这里不再一一举例。

上述技术方案中提供的上基板3和下基板2可以为玻璃基板，以提高玻璃挡墙4与上基板3以及下基板2之间的粘附力。

需要说明的是，本实用新型各实施方式所述的密封层5是透明的，不会对OLED器件的出光效率造成影响。

显然，本领域的技术人员可以对本实用新型实施例进行各种改动和变型而不脱离本实用新型的精神和范围。这样，倘若本实用新型的这些修改和变型属于本实用新型权利要求及其等同技术的范围之内，则本实用新型也意图包含这些改动和变型在内。

Claims (12)

1.一种OLED器件的封装结构，包括相对设置的上基板和下基板、OLED器件、以及对所述上基板和下基板的周边进行密封的玻璃挡墙；其特征在于，所述上基板和所述下基板相对的两个面相抵，所述下基板具有一个开口朝向所述上基板的凹陷部，所述OLED器件位于所述凹陷部内；所述上基板具有开口朝向下基板的第一环形槽，所述下基板具有与所述第一环形槽相对、且开口朝向所述上基板的第二环形槽，所述玻璃挡墙的上部限位于所述第一环形槽，所述玻璃挡墙的下部限位于所述第二环形槽。

2.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述OLED器件朝向所述上基板的一侧设有密封层，所述密封层与所述下基板的凹陷部周边密封配合，将所述OLED器件密封于所述凹陷部底部。

3.根据权利要求2所述的封装结构，其特征在于，所述凹陷部的侧壁具有阶梯型结构，所述凹陷部的侧壁具有的阶梯面与所述凹陷部的底面平行，所述OLED器件设置于所述凹陷部底面，所述密封层朝向所述凹陷部底面的一面与所述凹陷部内的阶梯面密封配合，且所述密封层的上表面与所述下基板的上表面平齐。

4.根据权利要求3所述的封装结构，其特征在于，所述密封层为由至少一层封装薄膜形成的密封层。

5.根据权利要求4所述的封装结构，其特征在于，所述密封层包括多层有机薄膜、或者多层无机薄膜、或者多层交替叠加的有机薄膜和无机薄膜。

6.根据权利要求5所述的封装结构，其特征在于，所述有机薄膜为由聚酰亚胺、聚脲、聚酰胺酸、聚丙烯酸、聚酯、聚乙烯、或聚丙烯制备的有机薄膜；

所述无机薄膜为由SiOx、SiNx、SiCxNy、SiOxNy、AlOx、SnO2、AlN、MgF2、CaF2、In2O3、或ITO制备的无机薄膜。

7.根据权利要求3所述的封装结构，其特征在于，所述密封层为由树脂材料形成的密封层。

8.根据权利要求3所述的封装结构，其特征在于，所述密封层包括干燥层和位于所述干燥层与所述上基板之间的填充层。

9.根据权利要求8所述的封装结构，其特征在于，所述填充层为硅油、树脂、或者液晶形成的透明填充层。

10.根据权利要求8所述的封装结构，其特征在于，所述凹陷部的侧壁具有两层阶梯面，所述干燥层与一个所述阶梯面密封配合，所述填充层与另一个所述阶梯面密封配合。

11.根据权利要求1～10任一项所述的封装结构，其特征在于，所述第一环形槽的横截面的形状为弧形、三角形、矩形、或者梯形；

所述第二环形槽的横截面的形状为弧形、三角形、矩形、或者梯形。

12.根据权利要求1～10任一项所述的封装结构，其特征在于，所述上基板和下基板为玻璃基板。

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