CN203192416U - 一种基于FPGA实现多片Nandflash存储及读取的装置 - Google Patents

Abstract

本实用新型公开了一种基于FPGA实现多片NandFlash存储及读取的装置，其中该装置包括：Nandflash存储器组，包含多片Nandflash芯片组成的存储器阵列，用于存储FPGA输出给Nandflash的ADC采样数据；Nandflash存储及读取功能选择器，用于对所述Nandflash存储器组进行读数据、写数据、擦除和读取ID信息。采用本实用新型的技术方案，使得管脚数量成倍提升，相当于在物理层上对数据传输的带宽进行扩展，这样速率可以得到很大的提高，而且只在物理层上扩展，减小了FPGA程序开发的难度。

Description

一种基于FPGA实现多片Nandflash存储及读取的装置

技术领域

本发明涉及模数转换存储技术和基于FPGA开发设计领域，尤其涉及采用物理性能稳定的Nandflash芯片来设立可靠的可扩展存储机制的技术。

背景技术

一般存储器控制结构如图1所示：存储器与FPGA的接口主要分为地址线、数据线和控制线，这种方式的好处是可操作性强，读写的时候只要FPGA给出地址，就能对存储器进行精确的控制。

但在更多的具体应用中，如声纳系统数据采集中，则希望存储器能准确、稳定的录入数据，而且当声纳系统运行结束后可以回放数据。所以要选择非易失性存储器。

非易失性存储器是指关掉供电后，所存储的数据不会消失，可分为两大类产品，即ROM和Flash memory。现在ROM一般只EEPROM（电可擦可编程只读存储器）。EEPROM的优势在于，它很便于经常擦写操作，性能优异，能以较小的单位（例如以字节）擦除或写入。而Nandflash只能进行，以较大区块为单位的擦除或写入，虽然操作没有EEPROM灵活，但是闪存的成本远较可以字节为单位写入的EEPROM来的低。

而且在声纳平台工作期间持续的存储AD的数据，并不需要精确的以字节擦除或写入，以及闪存在成本上的极大优势，所以本设计使用Nandflash作为存储芯片。

现有的方案由于存储器件物理性质不稳定，容易发生存储错误，存储控制器很多选用DSP、单片机、ARM等，存储方式不灵活，管脚有限，不能随意的分配管脚数量扩大带宽；现有的方法很难针对本系统的多通道数据存储设计高速存储方案；下面详细列出现有方法的主要缺点：

(1)采用一般的存储介质，想要同时满足存储容量和稳定的物理性质比较困难；本设计的ADC板是应用在运动平台上，在运动的过程中会发生震荡等不稳定因素，如果物理性质不稳定，数据会错误或者丢失，所以本设计选择Nandflash芯片；

(2)现有的解决方案一般不能做到容量很大，本提案的设计方法使用多片Nandflash，扩大了存储容量，足够用来存储平台运行时间内的ADC数据。

(3)对于多通道的AD数据采集系统，数据带宽要求很大，用单片存储芯片，或者传统的存储设计方法难以解决；本设计使用多片Nandflash，因为存储芯片的数量和数据传输的带宽成正比，所以多片的结构可以提高数据传输的带宽。

发明内容

本发明就是为了克服老旧方案的这些局限性，创新性地使用多片Nandflash存储芯片，很大地提高容量，物理性质稳定；存储控制设计具有针对性，只需要给出起始地址和区块大小即可对Nandflash进行读写操作。

具体而言，本发明提出了一种基于FPGA实现多片NandFlash存储及读取的装置，其中该装置包括：

Nandflash存储器组，包含多片Nandflash芯片组成的存储器阵列，用于存储FPGA输出给Nandflash的ADC采样数据；

Nandflash存储及读取功能选择器，用于对所述Nandflash存储器组进行读数据、写数据、擦除和读取ID信息。

根据本发明另一个方面，其中所述Nandflash存储器组包括FPGA与Nandflash存储器组的硬件连接，用于为Nandflash存储及读取功能选择器2控制Nandflash提供通信；IO线及控制线的硬件连接，其中所述IO线用于FPGA访问Nandflash存储器组时，给出数据和地址信息；所述控制线用于FPGA访问Nandflash存储器组时，给出复位、读写命令的控制信号。

根据本发明另一个方面，其中所述Nandflash存储器组进一步包括：

FPGA与Nandflash存储器组的IO连接，用于FPGA访问Nandflash存储器组时，给出数据和地址信息。

FPGA与Nandflash存储器组连接的控制线，用于FPGA访问Nandflash存储器组时，给出复位、读写命令的控制信号。

Nandflash存储器阵列，包括8片Nandflash存储芯片，用于存储FPGA输出给Nandflash的ADC采样数据。

根据本发明另一个方面，其中Nandflash存储及读取功能选择器进一步用于：

等待外部启动命令及参数设定，用于待机，等待外部信号给出的命令，从而决定Nandflash存储及读取功能选择器进入哪一项操作；读取Nandflash存储器组的ID信息及检测Nandflash存储器组是否正常工作；读取Nandflash存储器组的数据，用于读取Nandflash存储器组中的数据，并通过外部FIFO2缓存，将读取的数据通过LVDS信号线传给DSP板；向Nandflash存储器组写入数据，将外部FIFO1中缓存的ADC采样数据存储到Nandflash存储器组中；擦除Nandflash存储器组中的数据。

根据本发明另一个方面，其中可以通过设置可扩展式多组Nandflash存储器组架构和可扩展式多组Nandflash存储及读取功能选择器来对该装置进行扩展，其中，可扩展式多组Nandflash存储器组架构是多组Nandflash存储器并行扩展而成，多组Nandflash存储及读取功能选择器由多组Nandflash存储及读取功能选择器并行扩展而成。

本发明提出的多片Nandflash存储芯片，容量有很大的提升，物理性质稳定；存储控制设计具有针对性，只需要给出起始地址和区块大小即可对Nandflash进行读写操作。多片设计使得管脚数量成倍提升，相当于在物理层上对数据传输的带宽进行扩展，这样速率可以得到很大的提高，而且只在物理层上扩展，减小了FPGA程序开发的难度。

附图说明

下面结合附图及具体实施例对本发明再作进一步详细的说明：

附图1所示为现有技术中的存储器控制结构示意图；

附图2所示为本发明所提出的Nandflash存储装置基本结构示意图；

附图3所示为本发明所提出的Nandflash容量结构图示意图；

附图4所示为本发明所提出的Nandflash存储器组整体结构示意图；

附图5所示为本发明所提出的Nandflash存储及读取功能选择器；

附图6所示为本发明所提出的可扩展式多组Nandflash存储器结构示意图。

具体实施方式

为了使本发明的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本发明进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本发明，并不用于限定本发明。

下面结合附图，对本发明作详细的阐述，本发明详细结构如图二：

参见图2，Nandflash存储及读取功能选择器2和Nandflash存储器组1是本发明的核心部分，需要介绍。

具体结构说明如下：

1.Nandflash存储器组，这部分是Nandflash存储器组，包括FPGA与Nandflash存储器组的硬件连接，包括IO线及控制线的硬件连接，用于为Nandflash存储及读取功能选择器2控制Nandflash提供硬件连接。IO线用于FPGA访问Nandflash存储器组时，给出数据和地址信息；控制线用于FPGA访问Nandflash存储器组时，给出复位、读写等命令的控制信号；多片Nandflash芯片组成的存储器阵列，用于存储FPGA输出给Nandflash的ADC采样数据。

2.Nandflash存储及读取功能选择器，用于对Nandflash存储器组1进行读数据、写数据、擦除和读取ID信息，具体方法实现是由FPGA编程控制。

为了保证数据可靠性，本设计采用可扩展式的多组nandlflash控制器，每组都各包括一个Nandflash存储器组1和Nandflash存储及读取功能选择器2。

Nandflash的数据和地址接口使用相同的IO（图2中“Nandflash的IO”），每片Nandflash存储器只有8个IO，还有5个控制线（图2中“CTRL”）。Nandflash功能选择就靠这5个控制线，这5个控制线决定IO写入或读出的是数据信息、地址信息或芯片信息。下面列出异步接口功能选择表：

注：L代表LOW，低电平；

H代表HIGH，高电平；

X代表L或是H都可以；

NANDFLASH介绍

通过上表中的控制方式就可以实现对Nandflash存储芯片的操作了。操作主要分为擦除、写入和读取三种操作，这三种操作都是以大区块进行的，每次进行操作的最小单位是4KByte。

一片Nandflash中有多个层，每个层中有2048个块，每个块中有128页，每个页中有4K+224字节。为了开发方便，这里只用了4K的整数倍字节。通过多级的分化，Nandflash的容量可以达到很大，我们每片使用2G字节的存储容量，总共是16G字节的存储容量。

1.Nandflash存储器组

图4是Nandflash存储器组的整体结构图，用于为Nandflash存储及读取功能选择器2控制Nandflash提供硬件连接，包括FPGA与Nandflash存储器组的IO连接101，FPGA与Nandflash存储器组连接的控制线102，Nandflash存储器阵列103。图中显示的数据\地址总线（IO）和控制线是由FPGA的IO直接输出的；图中201的是IO，每片Nandflash都有8个独立的IO；202的是控制线，是所有Nandflash芯片共用的。控制线202总共有CE#、CLE、ALE、WE#、RE#，具体功能已经在上表中介绍过了。

具体结构说明如下：

101.FPGA与Nandflash存储器组的IO连接101，属于1结构的一部分，用于FPGA访问Nandflash存储器组时，给出数据和地址信息。

102.FPGA与Nandflash存储器组连接的控制线102，用于FPGA访问Nandflash存储器组时，给出复位、读写等命令的控制信号。

103.Nandflash存储器阵列103，此部分包括8片Nandflash存储芯片，用于存储FPGA输出给Nandflash的ADC采样数据。

2.Nandflash存储及读取功能选择器

此部分是Nandflash存储及读取功能选择器2，用于对Nandflash存储器组1进行读数据、写数据、擦除和读取ID信息，具体方法实现是由FPGA编程控制。Nandflash存储及读取功能选择器2的实现方法如图5所示：

具体内容如下：

201.等待外部启动命令及参数设定201，用于待机，等待外部信号给出的命令，从而决定Nandflash存储及读取功能选择器进入哪一项操作。

202.FPGA读取Nandflash存储器组的ID信息202，用于检测Nandflash存储器组是否正常工作，此方法通过FPGA与Nandflash存储器组连接的控制线102，给Nandflash发命令信号，从而读取Nandflash存储器组中的ID信息。

203.FPGA读取Nandflash存储器组的数据203，用于读取Nandflash存储器组中的数据，并通过FIFO2缓存，将读取的数据通过LVDS信号线传给DSP板。

204.FPGA向Nandflash存储器组写入数据204，用于将FIFO1中缓存的ADC采样数据存储到Nandflash存储器组中。

205.擦除Nandflash存储器组中的数据205，用于擦除Nandflash存储器组中的数据，此方法通过FPGA与Nandflash存储器组连接的控制线102，给Nandflash发命令信号，从而擦除Nandflash存储器组中的全部数据。

Nandflash存储及读取功能选择器2，工作流程说明：

硬件系统工作起来后，状态机首先停在等待外部启动命令及参数设定201状态，并不断检测启动命令，如果没有读写或擦除的命令，状态机会保持在这个状态。

如果要想对Nandflash进行操作，外部信号首先要设定参数，然后给出命令。设定的参数包括：起始地址、区块范围；4个不同的启动命令包括：读取ID信息、读取数据、写入数据、擦除数据。

当进行完操作后，状态机回停到待机状态，等待下一次启动。

3.可扩展式多组Nandflash存储方案

以上介绍的是nandlflash控制器的具体结构，此种结构设计有非常好的扩展特性，本发明按照以上介绍的结构和方法进行并行扩展，实现了可扩展式多组Nandflash存储方案。

具体结构说明如下：

301.可扩展式多组Nandflash存储器组架构301，此架构是由多组Nandflash存储器组1并行扩展而成。

302.可扩展式多组Nandflash存储及读取功能选择器302，此架构是由多组Nandflash存储及读取功能选择器2并行扩展而成。

现有的方案由于存储器件由于物理性质不稳定，容易发生存储错误，存储控制器很多选用DSP、单片机、ARM等，存储方式不灵活，管脚有限，不能随意的分配管脚数量扩大带宽；现有的方法很难针对本系统的多通道数据存储设计高速存储方案；

本申请提案使用多片Nandflash存储芯片，容量有很大的提升，物理性质稳定；存储控制设计具有针对性，只需要给出起始地址和区块大小即可对Nandflash进行读写操作。

多片设计使得管脚数量成倍提升，相当于在物理层上对数据传输的带宽进行扩展，这样速率可以得到很大的提高，而且只在物理层上扩展，减小了FPGA程序开发的难度。

综上所述，虽然本发明已以优选实施例披露如上，然而其并非用以限定本发明。本发明所属技术领域的普通技术人员，在不脱离本发明的精神和范围内，可作各种变动与修饰。因此，本发明的保护范围当视所附的权利要求所界定的范围为准。

Claims (5)

1.一种基于FPGA实现多片NandFlash存储及读取的装置，其中该装置包括： 

Nandflash存储器组，包含多片Nandflash芯片组成的存储器阵列，用于存储FPGA输出给Nandflash的ADC采样数据； 

Nandflash存储及读取功能选择器，用于对所述Nandflash存储器组进行读数据、写数据、擦除和读取ID信息。 

2.如权利要求1所述的装置，其中所述Nandflash存储器组包括FPGA与Nandflash存储器组的硬件连接，用于为Nandflash存储及读取功能选择器（2）控制Nandflash提供通信；IO线及控制线的硬件连接，其中所述IO线用于FPGA访问Nandflash存储器组时，给出数据和地址信息；所述控制线用于FPGA访问Nandflash存储器组时，给出复位、读写命令的控制信号。 

3.如权利要求1所述的装置，其中所述Nandflash存储器组进一步包括： 

FPGA与Nandflash存储器组的IO连接，用于FPGA访问Nandflash存储器组时，给出数据和地址信息； 

FPGA与Nandflash存储器组连接的控制线，用于FPGA访问Nandflash存储器组时，给出复位、读写命令的控制信号；

Nandflash存储器阵列，包括8片Nandflash存储芯片，用于存储FPGA输出给Nandflash的ADC采样数据。 

4.如权利要求1所述的装置，其中Nandflash存储及读取功能选择器进一步用于： 

等待外部启动命令及参数设定，用于待机，等待外部信号给出的命令，从而决定Nandflash存储及读取功能选择器进入哪一项操作；读取Nandflash存储器组的ID信息及检测Nandflash存储器组是否正常工作；读取Nandflash存储器组的数据，用于读取Nandflash存储器组中的数据，并通过外部FIFO2缓存，将读取的数据通过LVDS信号线传给DSP板；向Nandflash存储器组写入数据，将外部FIFO1中缓存的ADC采样数据存储到Nandflash存储器组中；擦除Nandflash存储器组中的数据。 

5.如权利要求1-4中任一权利要求所述的装置，其中可以通过设置可扩展式多组Nandflash存储器组架构和可扩展式多组Nandflash存储及读取功能选择器来对 该装置进行扩展，其中，可扩展式多组Nandflash存储器组架构是多组Nandflash存储器并行扩展而成，多组Nandflash存储及读取功能选择器由多组Nandflash存储及读取功能选择器并行扩展而成。 

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