CN1998096A - 超薄电介质及其在有机场效应晶体管中的应用 - Google Patents
超薄电介质及其在有机场效应晶体管中的应用 Download PDFInfo
- Publication number
- CN1998096A CN1998096A CNA2005800227476A CN200580022747A CN1998096A CN 1998096 A CN1998096 A CN 1998096A CN A2005800227476 A CNA2005800227476 A CN A2005800227476A CN 200580022747 A CN200580022747 A CN 200580022747A CN 1998096 A CN1998096 A CN 1998096A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- field effect
- effect tube
- organic field
- grid
- organic
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 230000005669 field effect Effects 0.000 title claims abstract description 57
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 36
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims abstract description 33
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 24
- 125000001931 aliphatic group Chemical group 0.000 claims abstract description 18
- 150000002894 organic compounds Chemical class 0.000 claims abstract description 16
- 125000005647 linker group Chemical group 0.000 claims abstract description 15
- 239000002356 single layer Substances 0.000 claims abstract description 6
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 5
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 22
- 238000004873 anchoring Methods 0.000 claims description 20
- 239000002094 self assembled monolayer Substances 0.000 claims description 19
- 239000013545 self-assembled monolayer Substances 0.000 claims description 19
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 15
- YTPLMLYBLZKORZ-UHFFFAOYSA-N Thiophene Chemical compound C=1C=CSC=1 YTPLMLYBLZKORZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 14
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 14
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 13
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 12
- 239000010936 titanium Substances 0.000 claims description 10
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 9
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 claims description 7
- 230000008021 deposition Effects 0.000 claims description 7
- 239000010931 gold Substances 0.000 claims description 7
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 229930192474 thiophene Natural products 0.000 claims description 7
- JUJWROOIHBZHMG-UHFFFAOYSA-N Pyridine Chemical compound C1=CC=NC=C1 JUJWROOIHBZHMG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N Titanium nitride Chemical compound [Ti]#N NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 229910001925 ruthenium oxide Inorganic materials 0.000 claims description 6
- WOCIAKWEIIZHES-UHFFFAOYSA-N ruthenium(iv) oxide Chemical compound O=[Ru]=O WOCIAKWEIIZHES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 239000002904 solvent Substances 0.000 claims description 6
- 229910052717 sulfur Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims description 6
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Natural products CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims description 5
- SLIUAWYAILUBJU-UHFFFAOYSA-N pentacene Chemical compound C1=CC=CC2=CC3=CC4=CC5=CC=CC=C5C=C4C=C3C=C21 SLIUAWYAILUBJU-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- MZLGASXMSKOWSE-UHFFFAOYSA-N tantalum nitride Chemical compound [Ta]#N MZLGASXMSKOWSE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- IVHJCRXBQPGLOV-UHFFFAOYSA-N azanylidynetungsten Chemical compound [W]#N IVHJCRXBQPGLOV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- -1 carbon tungsten nitride Chemical class 0.000 claims description 4
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims description 4
- 125000005842 heteroatom Chemical group 0.000 claims description 4
- 150000002430 hydrocarbons Chemical group 0.000 claims description 4
- SIWVEOZUMHYXCS-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoyttriooxy)yttrium Chemical compound O=[Y]O[Y]=O SIWVEOZUMHYXCS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 4
- 229910052712 strontium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- CIOAGBVUUVVLOB-UHFFFAOYSA-N strontium atom Chemical compound [Sr] CIOAGBVUUVVLOB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 claims description 4
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- XGZGDYQRJKMWNM-UHFFFAOYSA-N tantalum tungsten Chemical compound [Ta][W][Ta] XGZGDYQRJKMWNM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- MAKDTFFYCIMFQP-UHFFFAOYSA-N titanium tungsten Chemical compound [Ti].[W] MAKDTFFYCIMFQP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 claims description 4
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 claims description 3
- FZWLAAWBMGSTSO-UHFFFAOYSA-N Thiazole Chemical compound C1=CSC=N1 FZWLAAWBMGSTSO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- UGACIEPFGXRWCH-UHFFFAOYSA-N [Si].[Ti] Chemical compound [Si].[Ti] UGACIEPFGXRWCH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 239000004411 aluminium Substances 0.000 claims description 3
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 150000003851 azoles Chemical class 0.000 claims description 3
- 150000002240 furans Chemical class 0.000 claims description 3
- 125000001072 heteroaryl group Chemical group 0.000 claims description 3
- 150000002460 imidazoles Chemical class 0.000 claims description 3
- 125000001997 phenyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(*)C([H])=C1[H] 0.000 claims description 3
- UMJSCPRVCHMLSP-UHFFFAOYSA-N pyridine Natural products COC1=CC=CN=C1 UMJSCPRVCHMLSP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 150000003233 pyrroles Chemical class 0.000 claims description 3
- 238000001338 self-assembly Methods 0.000 claims description 3
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 claims description 3
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- XDTMQSROBMDMFD-UHFFFAOYSA-N Cyclohexane Chemical compound C1CCCCC1 XDTMQSROBMDMFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 claims description 2
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N Tetrahydrofuran Chemical compound C1CCOC1 WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 238000005411 Van der Waals force Methods 0.000 claims description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 2
- DZVCFNFOPIZQKX-LTHRDKTGSA-M merocyanine Chemical compound [Na+].O=C1N(CCCC)C(=O)N(CCCC)C(=O)C1=C\C=C\C=C/1N(CCCS([O-])(=O)=O)C2=CC=CC=C2O\1 DZVCFNFOPIZQKX-LTHRDKTGSA-M 0.000 claims description 2
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- IEQIEDJGQAUEQZ-UHFFFAOYSA-N phthalocyanine Chemical compound N1C(N=C2C3=CC=CC=C3C(N=C3C4=CC=CC=C4C(=N4)N3)=N2)=C(C=CC=C2)C2=C1N=C1C2=CC=CC=C2C4=N1 IEQIEDJGQAUEQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000004332 silver Substances 0.000 claims description 2
- 238000000059 patterning Methods 0.000 claims 2
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 claims 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 claims 1
- 239000000178 monomer Substances 0.000 claims 1
- 239000002798 polar solvent Substances 0.000 claims 1
- 125000003944 tolyl group Chemical group 0.000 claims 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 8
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 8
- PYJJCSYBSYXGQQ-UHFFFAOYSA-N trichloro(octadecyl)silane Chemical compound CCCCCCCCCCCCCCCCCC[Si](Cl)(Cl)Cl PYJJCSYBSYXGQQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- YMWUJEATGCHHMB-UHFFFAOYSA-N Dichloromethane Chemical compound ClCCl YMWUJEATGCHHMB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000009471 action Effects 0.000 description 3
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 3
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 3
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 3
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 3
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 3
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 125000004429 atom Chemical group 0.000 description 2
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 230000008859 change Effects 0.000 description 2
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 2
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 2
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 2
- 238000012856 packing Methods 0.000 description 2
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 2
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 2
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 2
- ZDHXKXAHOVTTAH-UHFFFAOYSA-N trichlorosilane Chemical compound Cl[SiH](Cl)Cl ZDHXKXAHOVTTAH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000005052 trichlorosilane Substances 0.000 description 2
- 229910018516 Al—O Inorganic materials 0.000 description 1
- JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N AsGa Chemical compound [As]#[Ga] JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920000144 PEDOT:PSS Polymers 0.000 description 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000005864 Sulphur Substances 0.000 description 1
- 150000001335 aliphatic alkanes Chemical class 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 239000000010 aprotic solvent Substances 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 1
- 125000004122 cyclic group Chemical group 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 description 1
- 125000001033 ether group Chemical group 0.000 description 1
- 238000013467 fragmentation Methods 0.000 description 1
- 238000006062 fragmentation reaction Methods 0.000 description 1
- 125000002887 hydroxy group Chemical group [H]O* 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 1
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 1
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 1
- 230000003993 interaction Effects 0.000 description 1
- XZWYZXLIPXDOLR-UHFFFAOYSA-N metformin Chemical compound CN(C)C(=N)NC(N)=N XZWYZXLIPXDOLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229920000767 polyaniline Polymers 0.000 description 1
- 229920006254 polymer film Polymers 0.000 description 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 1
- 150000003254 radicals Chemical class 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 238000002791 soaking Methods 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
- H10K71/10—Deposition of organic active material
- H10K71/191—Deposition of organic active material characterised by provisions for the orientation or alignment of the layer to be deposited
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K10/00—Organic devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching; Organic capacitors or resistors having potential barriers
- H10K10/40—Organic transistors
- H10K10/46—Field-effect transistors, e.g. organic thin-film transistors [OTFT]
- H10K10/462—Insulated gate field-effect transistors [IGFETs]
- H10K10/464—Lateral top-gate IGFETs comprising only a single gate
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K10/00—Organic devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching; Organic capacitors or resistors having potential barriers
- H10K10/40—Organic transistors
- H10K10/46—Field-effect transistors, e.g. organic thin-film transistors [OTFT]
- H10K10/462—Insulated gate field-effect transistors [IGFETs]
- H10K10/466—Lateral bottom-gate IGFETs comprising only a single gate
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K10/00—Organic devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching; Organic capacitors or resistors having potential barriers
- H10K10/40—Organic transistors
- H10K10/46—Field-effect transistors, e.g. organic thin-film transistors [OTFT]
- H10K10/462—Insulated gate field-effect transistors [IGFETs]
- H10K10/468—Insulated gate field-effect transistors [IGFETs] characterised by the gate dielectrics
- H10K10/471—Insulated gate field-effect transistors [IGFETs] characterised by the gate dielectrics the gate dielectric comprising only organic materials
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K10/00—Organic devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching; Organic capacitors or resistors having potential barriers
- H10K10/40—Organic transistors
- H10K10/46—Field-effect transistors, e.g. organic thin-film transistors [OTFT]
- H10K10/462—Insulated gate field-effect transistors [IGFETs]
- H10K10/468—Insulated gate field-effect transistors [IGFETs] characterised by the gate dielectrics
- H10K10/474—Insulated gate field-effect transistors [IGFETs] characterised by the gate dielectrics the gate dielectric comprising a multilayered structure
- H10K10/476—Insulated gate field-effect transistors [IGFETs] characterised by the gate dielectrics the gate dielectric comprising a multilayered structure comprising at least one organic layer and at least one inorganic layer
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Thin Film Transistor (AREA)
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
- Formation Of Insulating Films (AREA)
Abstract
本发明涉及一种有机场效应晶体管，它具有基材、源极、漏极和栅极，还具有有机半导体材料，由具有锚固基团、连接基团、头基和脂族定向基团的有机化合物的自组装单分子层获得的介电层(栅极介质)设置在栅极与有机半导体材料之间，其中上述锚固基团、连接基团、头基和脂族定向基团按所述顺序彼此结合在一起。
Description
高品质的超薄介电层对于许多应用来说都极为重要。特别是要在大面积柔性基材上实现廉价的以低供电电压运行的电子设备就需要利用这种层来构造晶体管、电容器等等。
有机场效应晶体管有许多应用。例如，有机场效应晶体管适合用作有源矩阵屏中的像素控制元件。这种屏通常是用基于非晶或多晶硅层的场效应晶体管制造的。制造基于非晶或多晶硅层的高品质晶体管所必需的通常高于250℃的温度要求使用刚性并易碎的玻璃或石英基材。由于制造基于有机半导体的晶体管时温度相对较低，通常不到200℃，所以有机晶体管使得可以使用与玻璃或石英基材相比具有许多优点的便宜、柔性、透明、不会破碎的聚合物膜来制造有源矩阵屏。
有机场效应晶体管的另一应用领域是制造非常便宜的如被用于例如主动标记和识别商品和货物的集成电路。这些所谓的转发器通常使用基于单晶硅的集成电路制造，这会导致在建造与连接技术中花费巨大。基于有机晶体管的转发器的制造将会使成本显著降低并会促进转发器技术有一个世界性的突破。在这种情况下，为了使基于有机场效应晶体管的产品成功地商业化，所述晶体管必须以最低的可能供电电压运行。为此，供电电压不应高于约2V-5V。
图1中大略显示了现有技术的有机场效应晶体管的构造。此时，可靠调节晶体管通道中的载流子密度所需的最小栅源电压与栅介质的厚度成线性关系；栅介质越厚，所需的栅-源电压越大。因此，必须开发尽可能薄的栅介质，并且其除了可以具有充分优良的电绝缘之外，还要实现有机半导体层的最佳分子取向和由此半导体中的高载流子迁移率。非常适用于此目的的是那些能在栅极上形成电绝缘的分子自组装单层(SAM)的分子。
现有技术
德国专利申请DE 10328810和DE 10328811描述了充当绝缘体层并可被用于例如有机场效应晶体管的分子即所谓的T-SAM(″顶联自组装单分子层″)的制备和使用。其中所述的分子结构特别适用于在带有天然氧化硅层的硅基片上形成单分子层。
当使用其它栅材料例如在玻璃或柔性聚合物基材上构造集成电路时所优选的铝和钛时，由于天然氧化物层的形成，它们同样是适用于形成DE 10328810和DE 10328811中所述化合物分子制成的单分子层的基材，与使用硅作栅极材料时相比具有上述专利申请中所述T-SAM绝缘物层以及并五苯、并四苯和低聚噻吩的有机场效应晶体管表现较差的电特性。DE 102004009600.7也记述了用于场效应晶体管的SAM。
发明目的
本发明的目的在于提供可以充当基于有机半导体的场效应晶体管中使用的单分子电介质的新类型化合物。本发明的另一目的在于提供具有性能改善的介电层的有机场效应晶体管。本发明的又一目的在于提出可用于制造场效应晶体管的材料。
这些目的已经根据独立权利要求1、20、21和29的主题得以实现。
因此独立权利要求1的主题是一种场效应晶体管，它包括基材、源极、漏极和栅极，还包括有机半导体材料，设置在栅极上的由具有脂族定向基团、头基、连接基团和锚固基团的化合物的自组装单分子层形成的介电层(栅介质)，其中上述脂族定向基团、头基、连接基团和锚固基团按所述顺序彼此结合在一起。
根据本发明所述的材料通过改变的分子结构解决了具有金属栅/T-SAM/半导体/金属接触点结构或具有金属栅/T-SAM/金属接触点/半导体结构的有机场效应晶体管与所述T-SAM分子(例如18-苯氧基十八烷基三氯硅烷，分子式为C6H5O(CH2)18SiCl3)相比电特性较差的问题。现有技术的T-SAM的结构如图2a所示。
本发明所述T-SAM层的主要结构单元是与头基结合在一起的脂族定向基团。
特别适合作为脂族定向基团的是通式为-(CH2)n-的较短正烷烃链，其中n代表2-10的整数。n为偶数时的链尤其适合。脂族定向基团可以被二价杂原子如O或S取代。脂族定向基团直接或者通过桥原子与头基相结合。
头基可以是所有能够一方面确定分子取向，另一方面有助于借助相互作用例如偶极-偶极、CT相互作用、ΠΠ相互作用或范德华力稳定自组装层的基团。
适合的头基原则上包括有助于通过与相邻的自组装单分子层的分子形成∏∏相互作用而稳定所述层的所有芳族或杂芳族基团。
根据本发明，特别适合的头基为具有一和两个环体系的芳族或杂芳族基团，因为它们的空间延伸最能满足密排单分子层的空间要求。特别适合的基团为例如苯基、噻吩、呋喃、吡咯、唑、噻唑、咪唑和吡啶。在这种情况下，这些分子结构单元的低聚物只要能彼此尽可能彼此线性地结合在一起以确保在表面上的致密堆积就同样适用。向相应连接基团的连接可以通过桥原子例如O或S实现或者直接实现，合成可及性决定着优选的方案。
连接基团优选地包括通式为-(CH2)m-的正烷烃链，其中m优选地在2到26之间。m尤其优选地为偶数。正烷基链也可以被二价杂原子例如O或S取代。由此通式为[(-CH2-CH2-X)z]的直链同样可行，其中X代表O或S，z是2到10之间的数。根据本发明，烷烃或聚(硫)醚链可以还包含不饱和键或具有取代基。
锚固基团可以根据电极材料的不同而变化，其选择满足可以在锚固基团与栅极表面之间产生相互作用。例如，如果电极包含Si、Al、Ti、TaN、TiN或WN或者具有上述金属或所述金属的合金制成的带有与锚固基团接触的天然氧化物层或用目标方法制造的氧化物层的层，则锚固基团可以具有选自R-SiCl3、R-SiCl2-烷基、R-SiCl(烷基)2、R-Si(OR1)3、R-Si(OR1)2烷基或R-SiOR1(烷基)2的基团。
如果该电极具有一个与锚固基团直接接触的含羟基例如Al-OxOH或TiO-xOH结构的层，则锚固基团也可以具有具体选自R-SiCl3、R-SiCl2-烷基、R-SiCl(烷基)2、R-Si(OR1)3、RSi(OR1)2烷基或RSiOR1(烷基)2的基团。
如果该电极具有一个含有与锚固基团直接接触的Si-H基的层，则锚固基团可以选自例如R-CHO或R-CH＝CH2，它在光(hv)的作用下结合到相应的基材上。
如果该电极由金构成或具有与锚固基团接触的金层，则锚固基团可以为R-SH、R-SAc、R-S-S-R1或R-SO2H。
在以上例子中，R代表如上所述的连接基团，R1代表烷基，它也可以被例如杂原子取代。
介电层的厚度与根据本发明的形成自组装单分子层的分子的长度大致相当。在一个特别优选的实施方案中，介电层厚度为约1-约10nm，优选地约2-约5nm。栅极的适合材料原则上是含有一个面对自组装单分子层的层并与根据本发明的化合物的锚固基团相互作用的所有材料。
栅极的优选材料为铝(Al)、钛(Ti)、氮化钛(TiN)、钽(Ta)、氮化钽(TaN)、钨(W)、钛-钨(TiW)、钽-钨(TaW)、氮化钨(WN)、碳氮化钨(WCN)、氧化铱(IrO)、氧化钌(RuO)、氧化锶钌(SrRuO)或所述层和/或材料的组合。适当时，栅极另外还具有由硅(Si)、氮化钛硅(TiNSi)(titanium nitride silicon)、氧氮化硅(SiON)、氧化硅(SiO)、碳化硅(SiC)或碳氮化硅(SiCN)制成的层。
源极和漏极的材料对于元件的功能来说并非关键。原则上，所有导电的金属、其制剂或聚合物都适用。例如可以为以下材料：金(Au)、银(Ag)、铜(Cu)、钛(Ti)、氮化钛(TiN)、钽(Ta)、氮化钽(TaN)、钨(W)、钛-钨(TiW)、钽-钨(TaW)、氮化钨(WN)、碳氮化钨(WCN)、氧化铱、氧化钌、氧化锶钌、铂、钯、砷化镓等等。源极和/或漏极也可以另外具有由Si、TiNSi、SiON、SiO、SiC或SiCN制成的层。适合的聚合物接触材料的例子为PEDOT∶PSS(Baytron)或聚苯胺。
在一个特定实施方案中，基于有机半导体的半导体材料选自″小分子″。
术语″小分子″应当理解为不是聚合物的所有有机半导体材料。
在一个优选实施方案中，有机半导体选自由并五苯、并四苯、低聚噻吩、酞菁和部花青构成的″小分子″组。
因此可以使用在层内的空间取向及其在电介质上的最佳排列都非常重要的所有有机半导体分子。
场效应晶体管的供电电压特别取决于设置在栅极上的介电层(栅介质)的厚度。因此，根据本发明的场效应晶体管可以在不到5伏，特别是不到3伏，即在1-3伏的供电电压下工作。
根据本发明的场效应晶体管特别适用于所谓的″低成本″电子设备领域，和特别是适用于具有低供电电压的有机场效应晶体管。
本发明的一个方面提供一种制造场效应晶体管的方法。
在根据本发明的方法中，提供基于无机或有机材料的基材，在其上沉积栅极。然后使栅极与根据本发明的化合物接触，以获得设置在该栅极上的根据本发明的化合物的自组装单分子层。如上所述，栅极表面具有可以使根据本发明的化合物的锚固基团与栅极表面相互作用的特性。然后可以对如此获得的根据本发明的化合物的自组装单分子层施加进一步的制造步骤。为此，在根据本发明的方法中所提供的下一步骤为沉积和图案化源极和漏极并随后沉积半导体材料。
在本发明的一个实施方案中，可以通过将上面设置了栅极的基材浸入具有根据本发明所述有机化合物的溶液中来使有机化合物与栅极材料接触。
适合的溶剂特别是极性的非质子溶剂，例如甲苯、四氢呋喃或环己烷。
有机化合物自组装单分子层的密度和沉积持续时间可以通过浸泡基材的有机化合物溶液浓度来改变。有机化合物在10-4-0.1mol％范围内的溶液浓度特别适合于制造致密层。通过将基材(带有确定的第一电极)浸入所准备的溶液来沉积SAM。在将基材浸入有机化合物溶液之后，可以随后进行一个使用纯工艺溶剂的漂洗步骤。然后，合适的话，可以用易挥发溶剂例如丙酮或二氯甲烷冲洗基材并最后干燥。所述干燥可以例如在加热炉中或在保护气体下的加热板上进行。
也可以通过向栅极上气相沉积有机化合物来使有机化合物与栅极接触。
因此可以在带加热的密闭反应器中沉积有机化合物。在装入带有规定栅极的基材之后将反应器内部抽空，并通入惰性气体例如氩气或氮气以除去残余氧。然后确立工作压力和工作温度，它们主要取决于有机自由基。特别优选约10-6-400mbar的压力和约80-200℃的温度。理想的工艺条件取决于有机化合物的挥发性。根据工艺条件不同，涂覆时间通常在3min到24h之间。
示例性实施方案
下面将参考附图对本发明进行更详细地说明。
在附图中：
图1显示了现有技术的场效应晶体管的结构；
图2a显示了用于形成场效应晶体管中的自组装单分子层的现有技术的化合物；
图2b显示了可被用于形成场效应晶体管中的自组装单分子层的根据本发明的化合物的示意图；
图3显示了根据本发明的场效应晶体管的电压特性曲线；
图4显示了根据本发明的场效应晶体管的导通特性曲线。
图1所示的场效应晶体管结构已经在开头部分描述过。
根据本发明的化合物(图2b)与根据现有技术的化合物(图2a)的对比表明根据本发明的化合物具有额外的结构单元即脂族定向基团。
所述脂族定向基团对于改进有机场效应晶体管的电特性的作用方式可从十八烷基三氯硅烷(OTS)在SiO2表面上的作用方式类推。该作用方式在例如D.J.Gundlach等人的Organic Field Effect Transistors-Proceedings of SPIE，vol.4466(2001)5464和K.Klauk等人的J.Appl.Phys.92(2002)5259-5263中有记述。
在这种情况下，自组装单分子层的脂族″表面″的存在看来似乎会以某种方式影响影响有机半导体(并五苯、六噻吩)的生长，以致于所形成的半导体晶畴更大并具有更高的分子序度。层结构中的这种更高序度通常会导致载流子迁移率的增大、更高的亚阀值斜率和更低的阀值电压。
当应用于根据本发明的材料时这意味着脂族定向基团起OTS在SiO2上的功能，绝缘性能主要由分子的其余部分即由锚固基团、连接基团和头基决定。这些材料的优点在于要调整所有这些期望特性只需沉积一种分子。根据本发明所述材料的总结构使得在其合成时各个组分的选择有很高的灵活性。从而，与专利申请DE 10328810和DE10328811中所述的化合物相比根据本发明的材料除了改善的功能之外量也显著增多。根据本发明的材料特别适用于制造有机场效应晶体管和基于它的带金属栅极的集成电路。脂族定向基团的引入改善了有机场效应晶体管的电特性并使得有机场效应晶体管可完全集成化以形成集成电路。
根据本发明的场效应晶体管的电子特性如图3和图4所示。该有机场效应晶体管通过在硅栅极上沉积18-(4-己基苯氧基十八烷基)三氯硅烷获得。18-(4-己基苯氧基十八烷基)三氯硅烷自组装单分子层的厚度为约2.8nm。源极和/或漏极接点由金制造且半导体材料为并五苯。
Claims (29)
1.一种有机场效应晶体管，它包括基材、源极、漏极和栅极以及有机半导体材料，设置在栅极与有机半导体材料之间的是介电层(栅极介质)，该介电层包含由具有锚固基团、连接基团、头基和脂族定向基团的有机化合物构成的自组装单分子层，其中所述锚固基团、连接基团、头基和脂族定向基团按所述顺序彼此结合在一起。
2.根据权利要求1所述的有机场效应晶体管，其中脂族定向基团选自通式为-(CH2)n-的短正烷烃链，其中n代表2-10的整数。
3.根据权利要求2所述的有机场效应晶体管，其中n是2-10的偶数。
4.根据前面任何一项权利要求所述的有机场效应晶体管，其中头基一方面确定构成自组装单分子层的分子的取向，另一方面有助于借助相互作用例如偶极-偶极、CT相互作用、∏∏相互作用或借助范德华力稳定自组装单分子层。
5.根据权利要求4所述的有机场效应晶体管，其中头基选自芳族或杂芳族。
6.根据权利要求5所述的有机场效应晶体管，其中头基选自苯基、噻吩、呋喃、吡咯、唑、噻唑、咪唑和吡啶。
7.根据权利要求6所述的有机场效应晶体管，其中头基是以下单体的低聚物：苯基、噻吩、呋喃、吡咯、唑、噻唑、咪唑和吡啶。
8. 根据前面任何一项权利要求所述的有机场效应晶体管，其中连接基团选自通式为-(CH2)m-的正烷烃链，其中m优选地代表从2到26的数。
9.根据权利要求8所述的有机场效应晶体管，其中m代表2-26的偶数。
10.根据权利要求8所述的有机场效应晶体管，其中连接基团含有至少一个选自O和S的杂原子。
11.根据权利要求10所述的有机场效应晶体管，其中连接基团符合通式[(-CH2-CH2-X)z]，其中X代表O或S，z表示2到10之间的整数。
12.根据前面任何一项权利要求所述的有机场效应晶体管，其中锚固基团选自R-SiCl3、R-SiCl2-烷基、R-SiCl(烷基)2、R-Si(OR1)3、R-Si(OR1)2烷基、R-SiOR1(烷基)2、R-CHO(hu)、R-CH＝CH2(hu)、R-SH、R-SAc、R-S-S-R1或R-SO2H。
13.根据前面任何一项权利要求所述的有机场效应晶体管，其中介电层厚度为约2-约10nm，优选地约2-约5nm。
14.根据前面任何一项权利要求所述的有机场效应晶体管，其中栅极在表面上具有金属氧化物层。
15.根据前面任何一项权利要求所述的有机场效应晶体管，其中栅极选自铝(Al)、钛(Ti)、硅(Si)、氮化钛(TiN)、钽(Ta)、氮化钽(TaN)、钨(W)、钛-钨(TiW)、钽-钨(TaW)、氮化钨(WN)、碳氮化钨(WCN)、氧化铱、氧化钌、氧化锶钌或上述材料的组合，适当时，另外提供一个由硅、氮化钛硅、氧氮化硅、氧化硅、碳化硅或碳氮化硅制成的层
16.根据前面任何一项权利要求所述的有机场效应晶体管，其中源极和漏极彼此独立选自金(Au)、银(Ag)、铜(Cu)、钛(Ti)、氮化钛(TiN)、钽(Ta)、氮化钽(TaN)、钨(W)、钛-钨(TiW)、钽-钨(TaW)、氮化钨(WN)、碳氮化钨(WCN)、氧化铱(IrO)、氧化钌(RuO)、氧化锶钌(SrRuO)、铂(Pt)、钯(Pd)、砷化镓或所述材料的组合，并且适当时，另外提供由硅(Si)、氮化钛硅(TiNSi)、氧氮化硅(SiON)、氧化硅(SiO)、碳化硅(SiC)或碳氮化硅(SiCN)制成的层。
17.根据前面任何一项权利要求所述的有机场效应晶体管，其中有机半导体材料选自“小分子”。
18.根据权利要求17所述的有机场效应晶体管，其中所述半导体材料选自并五苯、并四苯、低聚噻吩、酞菁和部花青。
19.根据前面任何一项权利要求所述的有机场效应晶体管，其中它工作在不到5伏，优选不到3伏的供电电压下。
20.一种制造有机场效应晶体管的方法，包括以下步骤：
-提供基材；
-沉积栅极；
-使栅极与具有锚固基团、连接基团、头基和脂族定向基团的化合物接触，以获得自组装在该栅极上的有机化合物单分子层；
-沉积有机半导体材料；
-沉积源极和漏极并且必要的话对它们进行图案化。
21.一种制造有机场效应晶体管的方法，包括以下步骤：
-提供基材；
-沉积栅极；
-使栅极与具有锚固基团、连接基团、头基和脂族定向基团的化合物接触，以获得自组装在该栅极上的有机化合物单分子层；
-沉积源极和漏极并且必要的话对它们进行图案化；
-沉积有机半导体材料。
22.根据权利要求20或21所述的方法，其中在使栅极与化合物接触的步骤中，所述化合物存在于溶剂中。
23.根据权利要求22所述的方法，其中所述溶剂为非质子极性溶剂。
24.根据权利要求23所述的方法，其中所述溶剂选自甲苯、四氢呋喃和环己烷。
25.根据权利要求20-21中任何一项所述的方法，其中有机化合物浓度在约10-4-约0.1mol％范围内。
26.根据权利要求20或21所述的方法，其中在使栅极与化合物接触的步骤中，所述化合物被气相沉积在栅极上。
27.根据权利要求26所述的方法，其中在向栅极上气相沉积有机化合物过程中的压力在约10-6-400mbar的范围内。
28.根据权利要求26或27所述的方法，其中在向栅极上气相沉积有机化合物过程中的温度在约80-约200℃的范围内。
29.根据权利要求1-19中任何一项所述的有机化合物在制造有机场效应晶体管中的应用。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE102004022603A DE102004022603A1 (de) | 2004-05-07 | 2004-05-07 | Ultradünne Dielektrika und deren Anwendung in organischen Feldeffekt-Transistoren |
| DE102004022603.2 | 2004-05-07 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN1998096A true CN1998096A (zh) | 2007-07-11 |
Family
ID=35320915
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CNA2005800227476A Pending CN1998096A (zh) | 2004-05-07 | 2005-05-04 | 超薄电介质及其在有机场效应晶体管中的应用 |
Country Status (7)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US20080290337A1 (zh) |
| EP (1) | EP1743389A2 (zh) |
| JP (1) | JP2007536748A (zh) |
| KR (1) | KR100836981B1 (zh) |
| CN (1) | CN1998096A (zh) |
| DE (1) | DE102004022603A1 (zh) |
| WO (1) | WO2005109538A2 (zh) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN101799628A (zh) * | 2009-02-11 | 2010-08-11 | 三星电子株式会社 | 表面改性剂、叠层结构体和其制法及包括其的晶体管 |
| CN101925559A (zh) * | 2007-11-29 | 2010-12-22 | 康宁股份有限公司 | 用来结合耐火陶瓷和金属的方法 |
| CN103718318A (zh) * | 2011-07-22 | 2014-04-09 | 原子能与替代能源委员会 | 自组装层在检查有机晶体管的阈值电压中的用途 |
Families Citing this family (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP5036256B2 (ja) * | 2006-09-12 | 2012-09-26 | 株式会社リコー | 有機無機複合材料 |
| DE102007027473A1 (de) | 2007-06-14 | 2008-12-18 | Manroland Ag | Drucktechnisch hergestellte funktionale Komponenten |
| DE102007029836A1 (de) | 2007-06-28 | 2009-01-02 | Siemens Ag | Zusatz für Kühlwasserkreisläufe in Kraftwerken sowie Verfahren zum Korrisionsschutz in Kühlwasserkreisläufen von Kraftwerken |
| DE102007029837A1 (de) | 2007-06-28 | 2009-01-02 | Siemens Ag | Zusatz für ein Reinigungs- und/oder Pflegemittel zur Verwendung in Haushaltsgeräten sowie derartiges Reinigungs- und/oder Pflegemittel |
| KR100878449B1 (ko) * | 2007-08-08 | 2009-01-19 | 한국화학연구원 | 유기절연체의 신규 표면 처리 방법 및 이를 적용한유기박막트랜지스터 |
| DE102008006374B4 (de) * | 2007-09-27 | 2018-12-06 | Osram Oled Gmbh | Elektrisches organisches Bauelement und Verfahren zu seiner Herstellung |
| DE102007046444A1 (de) * | 2007-09-28 | 2009-04-02 | Siemens Ag | Organischer Photodetektor mit reduziertem Dunkelstrom |
| JP5022950B2 (ja) * | 2008-03-07 | 2012-09-12 | 株式会社日立製作所 | 有機薄膜トランジスタおよびその製造方法 |
| US8114787B2 (en) | 2009-02-19 | 2012-02-14 | Empire Technology Development Llc | Integrated circuit nanowires |
| JP4923120B2 (ja) | 2009-03-17 | 2012-04-25 | 株式会社東芝 | 粒子および近接場光導波路 |
| DE102009023350A1 (de) | 2009-05-29 | 2010-12-02 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Elektronisches Bauelement und Verfahren zur Herstellung eines elektronischen Bauelements |
| JP5717490B2 (ja) | 2011-03-24 | 2015-05-13 | 株式会社東芝 | 有機分子メモリ |
| US9899317B1 (en) | 2016-09-29 | 2018-02-20 | International Business Machines Corporation | Nitridization for semiconductor structures |
Family Cites Families (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0766990B2 (ja) * | 1988-07-15 | 1995-07-19 | 松下電器産業株式会社 | 有機デバイスおよびその製造方法 |
| US5349089A (en) * | 1989-07-07 | 1994-09-20 | National Starch And Chemical Investment Holding Corporation | Reagent for preparing polycationic polysaccharides |
| US5981970A (en) * | 1997-03-25 | 1999-11-09 | International Business Machines Corporation | Thin-film field-effect transistor with organic semiconductor requiring low operating voltages |
| NO312867B1 (no) * | 1999-06-30 | 2002-07-08 | Penn State Res Found | Anordning til elektrisk kontaktering eller isolering av organiske eller uorganiske halvledere, samt fremgangsmåte til densfremstilling |
| JP2001244467A (ja) * | 2000-02-28 | 2001-09-07 | Hitachi Ltd | コプラナー型半導体装置とそれを用いた表示装置および製法 |
| US6433359B1 (en) * | 2001-09-06 | 2002-08-13 | 3M Innovative Properties Company | Surface modifying layers for organic thin film transistors |
| US6870181B2 (en) * | 2002-07-02 | 2005-03-22 | Motorola, Inc. | Organic contact-enhancing layer for organic field effect transistors |
| US7285440B2 (en) * | 2002-11-25 | 2007-10-23 | International Business Machines Corporation | Organic underlayers that improve the performance of organic semiconductors |
| US7132678B2 (en) * | 2003-03-21 | 2006-11-07 | International Business Machines Corporation | Electronic device including a self-assembled monolayer, and a method of fabricating the same |
| JP2005079560A (ja) * | 2003-09-04 | 2005-03-24 | Hitachi Ltd | 薄膜トランジスタ，表示装置、およびその製造方法 |
| JP2005158765A (ja) * | 2003-11-20 | 2005-06-16 | Canon Inc | 電界効果型有機トランジスタおよびその製造方法 |
| DE102004009600B4 (de) * | 2004-02-27 | 2008-04-03 | Qimonda Ag | Selbstorganisierende organische Dielektrikumsschichten auf der Basis von Phosphonsäure-Derivaten |
-
2004
- 2004-05-07 DE DE102004022603A patent/DE102004022603A1/de not_active Ceased
-
2005
- 2005-05-04 WO PCT/DE2005/000847 patent/WO2005109538A2/de active Application Filing
- 2005-05-04 JP JP2007511852A patent/JP2007536748A/ja active Pending
- 2005-05-04 CN CNA2005800227476A patent/CN1998096A/zh active Pending
- 2005-05-04 EP EP05753846A patent/EP1743389A2/de not_active Withdrawn
- 2005-05-04 KR KR1020067023280A patent/KR100836981B1/ko not_active IP Right Cessation
- 2005-11-17 US US11/568,791 patent/US20080290337A1/en not_active Abandoned
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN101925559A (zh) * | 2007-11-29 | 2010-12-22 | 康宁股份有限公司 | 用来结合耐火陶瓷和金属的方法 |
| CN101925559B (zh) * | 2007-11-29 | 2013-06-05 | 康宁股份有限公司 | 用来结合耐火陶瓷和金属的方法 |
| CN101799628A (zh) * | 2009-02-11 | 2010-08-11 | 三星电子株式会社 | 表面改性剂、叠层结构体和其制法及包括其的晶体管 |
| CN101799628B (zh) * | 2009-02-11 | 2014-02-12 | 三星电子株式会社 | 表面改性剂、叠层结构体和其制法及包括其的晶体管 |
| CN103730575A (zh) * | 2009-02-11 | 2014-04-16 | 三星电子株式会社 | 表面改性剂、叠层结构体和其制法及包括其的晶体管 |
| CN103730575B (zh) * | 2009-02-11 | 2016-04-20 | 三星电子株式会社 | 表面改性剂、叠层结构体和其制法及包括其的晶体管 |
| CN103718318A (zh) * | 2011-07-22 | 2014-04-09 | 原子能与替代能源委员会 | 自组装层在检查有机晶体管的阈值电压中的用途 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| WO2005109538A2 (de) | 2005-11-17 |
| DE102004022603A9 (de) | 2007-03-08 |
| EP1743389A2 (de) | 2007-01-17 |
| KR100836981B1 (ko) | 2008-06-10 |
| KR20070015565A (ko) | 2007-02-05 |
| US20080290337A1 (en) | 2008-11-27 |
| WO2005109538A3 (de) | 2006-09-08 |
| DE102004022603A1 (de) | 2005-12-15 |
| JP2007536748A (ja) | 2007-12-13 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN1998096A (zh) | 超薄电介质及其在有机场效应晶体管中的应用 | |
| Halik et al. | Relationship between molecular structure and electrical performance of oligothiophene organic thin film transistors | |
| Drolet et al. | 2, 7‐carbazolenevinylene‐based oligomer thin‐film transistors: high mobility through structural ordering | |
| US20050189536A1 (en) | Self-assembly organic dielectric layers based on phosphonic acid derivatives | |
| KR100878989B1 (ko) | 유기 반도체 장치들 | |
| US7521710B2 (en) | Organic thin film transistor | |
| KR101474934B1 (ko) | 이중 층의 전극들을 가진 유기 박막 트랜지스터 | |
| US7692029B2 (en) | Star-shaped oligothiophene-arylene derivatives and organic thin film transistors using the same | |
| CN101884108B (zh) | 有机半导体装置 | |
| US20060081839A1 (en) | Oligothiophene-arylene derivatives and organic thin film transistors using the same | |
| JP2010500745A (ja) | 空気安定性のｎチャネルの有機半導体としてのペリレンジイミド誘導体の使用 | |
| JP2008538653A (ja) | 薄膜トランジスタのための半導体材料 | |
| Dholakia et al. | Monolayer to multilayer nanostructural growth transition in n-type oligothiophenes on Au (111) and implications for organic field-effect transistor performance | |
| JP2000068523A (ja) | 薄膜トランジスタ | |
| JPH08191162A (ja) | 電界効果トランジスタ | |
| US20140361305A1 (en) | Thin-film device, method of manufacturing the same, and method of manufacturing image display apparatus | |
| CN100452472C (zh) | 有机场效晶体管及其制备方法 | |
| TW201120045A (en) | Anthanthrene based compound and semiconductor device | |
| Lim et al. | Nanoscale thin-film morphologies and field-effect transistor behavior of oligothiophene derivatives | |
| JP2002198539A (ja) | 有機無機混成半導体を用いた薄膜電界効果トランジスタ構造およびその製作方法 | |
| EP2131400A1 (en) | Organic field effect transistor | |
| US7309876B2 (en) | Organic semiconductor having polymeric and nonpolymeric constituents | |
| JP5031584B2 (ja) | 有機薄膜トランジスタ | |
| JP2006303007A (ja) | 電界効果型トランジスタ | |
| WO2006038459A1 (ja) | 有機薄膜トランジスタ材料、有機薄膜トランジスタ、電界効果トランジスタ及びスイッチング素子 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| AD01 | Patent right deemed abandoned |
Effective date of abandoning: 20070711 |
|
| C20 | Patent right or utility model deemed to be abandoned or is abandoned |