CN1991540A - 液晶显示面板及其制造方法 - Google Patents

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Abstract

一种液晶显示面板，在该液晶显示面板中由彼此交叉的栅线和数据线限定的像素单元以矩阵形状排列，其中每个像素单元都包括位于栅线和数据线交叉处的薄膜晶体管、与薄膜晶体管连接的像素电极、和与薄膜晶体管的栅极重叠从而与栅极形成寄生电容器的突出部，该突出部与像素电极连接，其中液晶显示面板每个像素单元中的每个突出部都具有根据液晶显示面板中像素单元的位置而确定的面积。

Description

液晶显示面板及其制造方法
本申请要求2005年12月27日提交的韩国专利申请第P2005-0130758号的优先权，在此结合其全部内容作为参考。
技术领域
本发明涉及一种显示器件，尤其涉及一种液晶显示面板及其制造方法。尽管本发明适于较宽范围的应用，但其特别适于提高图像质量。
背景技术
一般地，液晶显示器件通过使用电场控制液晶的光透射率，从而显示图像。液晶显示器件包括含有以矩阵形式设置的液晶单元的液晶显示面板和用于驱动液晶显示面板的驱动电路。液晶显示面板包括：彼此面对的薄膜晶体管阵列基板和彩色滤色片基板，在两个基板之间用于保持固定盒间隙的衬垫料、和填充进盒间隙之间的液晶。
薄膜晶体管阵列基板包括：栅线和数据线、在栅线和数据线的每个交点处作为开关元件的薄膜晶体管、在每个液晶单元中与薄膜晶体管相连的像素电极、和定向膜。栅线和数据线分别通过栅焊盘和数据焊盘接收来自驱动电路的信号。薄膜晶体管响应于施加给栅线的扫描信号向像素电极提供由数据线提供的像素电压信号。
彩色滤色片阵列基板包括：分别为每个液晶单元设置的彩色滤色片；用于分隔开彩色滤色片并反射外部光的黑色矩阵；用于将参考电压共同地供给液晶单元的公共电极；和定向膜。
分别制造薄膜晶体管阵列基板和彩色滤色片阵列基板，然后粘结在一起。在薄膜晶体管阵列基板与彩色滤色片阵列基板之间的盒间隙中注入液晶，然后密封盒间隙，由此制成液晶显示面板。
图1所示为现有技术的薄膜晶体管阵列基板的平面图，以及图2所示为图1中所示的沿线I-I’提取的薄膜晶体管阵列基板的截面图。图1和2中所示的薄膜晶体管阵列基板包括在下基板42上形成的彼此交叉其间具有栅绝缘膜44的栅线2和数据线4、与栅线2和数据线4连接的薄膜晶体管6(之后称作’TFT’)、和在通过栅线2和数据线4确定的像素区域中与TFT6连接的像素电极18。并且，TFT阵列基板包括与一部分像素电极18和前级栅线2重叠的存储电容器20，所述前级栅线2是相邻像素单元的栅线。
TFT6包括与栅线2连接的栅极8、与数据线4连接的源极10、与像素电极18连接的漏极12、和与栅极8重叠并在源极10和漏极12之间形成沟道的有源层14。数据线4、源极10和漏极12与有源层14重叠。在数据线4和源极10中每个与有源层14之间形成欧姆接触层48，从而在数据线4和源极10的每一个与有源层14之间形成欧姆接触。TFT6响应于供给到栅线2的栅信号切换供给到像素电极18的来自栅线4的像素电压信号。
像素电极18通过贯穿钝化膜50的接触孔16与TFT6的漏极12相连。带有像素电压的像素电极18与彩色滤色片阵列基板(没有示出)上的公共电极产生电位差。电位差使位于TFT阵列基板与彩色滤色片阵列基板之间的液晶分子在介电各向异性的作用下旋转，并通过像素电极和彩色滤色片阵列基板透射来自光源的光。
通过像素电极18与前级栅线2重叠来形成存储电容器20。栅绝缘膜44和钝化膜50位于栅线2和像素电极18之间。存储电容器20将像素电极18上的像素电压一直保持到施加下一像素电压。
图3A到3D所示为制造图2中所示薄膜晶体管阵列基板的方法的截面图。首先，在通过诸如溅射的沉积方法在下基板42上形成栅金属层后，通过光刻工序和蚀刻工序将栅金属层构图，从而形成具有栅线2和栅极8的栅图案，如图3A中所示。
通过诸如等离子体增强型化学气相沉积(PECVD)的沉积方法在形成有栅图案的下基板上形成栅绝缘膜44。在形成有栅绝缘膜44的下基板42上连续形成非晶硅层、n+非晶硅层和源/漏金属层。通过利用衍射掩模的光刻工序和蚀刻工序形成包含欧姆接触层48和有源层14的半导体图案45，和在半导体图案45上的包括数据线4、源极10、漏极12的源/漏图案4/10/12，如图3B中所示。另一方面，可通过使用单独的掩模工序与源/漏图案单独形成半导体图案45。
通过诸如PECVD的沉积方法在包括半导体图案45和源/漏图案4/10/12的下基板42表面上形成钝化膜50。在形成钝化膜50之后通过光刻和蚀刻工序将钝化膜50构图，由此形成接触孔16，如图3C中所示。接触孔16形成为贯穿钝化膜50从而暴露出漏极12。
通过诸如溅射的沉积方法在钝化膜50的整个表面上形成透明电极材料。然后通过光刻和蚀刻工序将透明电极材料构图，从而形成像素电极18，如图3D中所示。像素电极18通过接触孔16与漏极12电性连接。此外，像素电极18形成为与前级栅线2重叠，并且二者之间具有栅绝缘层44和钝化膜50，由此形成存储电容器20。
图4是表示依照公共电压和施加给液晶显示面板的电压的位置的压降的波形图。在TFT阵列基板中，如图4中所示，给TFT6的栅极8供给大于阈值电压的栅电压Vg，给源极10供给数据电压Vd。此外，给位于TN模式液晶显示面板中彩色滤色片阵列基板上或IPS模式液晶显示面板中TFT阵列基板上的公共电极供给DC公共电压Vcom。因此，在TFT6的源极10与漏极12之间形成了沟道，并通过TFT的源极10和漏极12给存储电容器20充入数据电压Vd。
供给公共电极的公共电压Vcom的大小根据由于各像素远离公共电压供给器产生的线电阻增加而减小。因而，在施加给靠近公共电压供给器的像素单元的有效公共电压值(A)与施加给位于远离公共电压供给器的位置中的像素单元的有效公共电压值(B)之间产生了电压差(d)。例如，TN模式液晶显示面板中的公共电压从液晶显示面板外部的导体供给给跨过彩色滤色片阵列基板整个表面形成的公共电极，从而随着从液晶显示面板外部行进到液晶显示面板中心，有效公共电压值变小。由于公共电压的不一致性，在液晶显示面板160中每个位置都产生了像差，这就产生了残留图像和/或闪烁。
发明内容
因此，本发明涉及一种液晶显示面板及其制造方法，其基本克服了由于现有技术的限制和缺点导致的一个或多个问题。
本发明的一个目的是提供一种液晶显示面板及其制造方法，其通过使残留置图像最小而提高图像质量。
本发明的一个目的是提供一种液晶显示面板及其制造方法，其通过使闪烁最小而提高图像质量。
在下面的描述中阐明了本发明的其它特征和优点，一部分从描述变得显而易见，或通过实践本发明可以领会到。通过在所写说明书及其权利要求以及附图中特别指出的结构可实现和获得本发明的这些和其它的优点。
为了获得这些和其它的优点并依照本发明的目的，如这里具体和广义描述的，一种液晶显示面板，在该液晶显示面板中由彼此交叉的栅线和数据线限定的像素单元以矩阵形状排列，其中每个像素单元都包括位于栅线和数据线交叉处的薄膜晶体管、与薄膜晶体管连接的像素电极、和与薄膜晶体管的栅极重叠从而与栅极形成寄生电容器并与像素电极连接的突出部，其中液晶显示面板每个像素单元中的每个突出部都具有根据液晶显示面板中像素单元的位置而确定的面积。
在另一个方面中，一种制造液晶显示面板的方法，所述液晶显示面板具有以矩阵形状排列的多个像素单元，其中形成每个像素单元都包括：在基板上形成包括栅线和与栅线接触的栅极的栅图案；形成与栅线重叠且二者之间具有以其间具有栅绝缘膜的半导体图案、与栅线交叉的数据线、位于半导体图案上方的源极、和面对源极的漏极、形成具有暴露出漏极的接触孔的钝化膜；和形成通过接触孔与漏极接触的像素电极、在栅线上的突出部，所述突出部与栅线之间具有所述栅绝缘膜和钝化膜，从而形成寄生电容器，所述突出部与像素电极相连。
在另一个方面中，一种液晶显示面板，在该液晶显示面板中由彼此交叉设置的栅线和数据线限定的像素单元以矩阵形状排列，其中每个像素单元都包括：位于栅线和数据线交叉处的薄膜晶体管，该薄膜晶体管具有栅极、漏极和源极，与薄膜晶体管连接的像素电极，和从像素电极突出与栅极形成寄生电容器的突出部，该突出部直接位于薄膜晶体管和前级像素电极之间。
应当理解，前面概括性的描述和下面的详细描述都是示意性的和说明性的，意在提供如权利要求所述的本发明进一步的解释。
附图说明
包括在说明书并且用于提供对本发明进一步理解并构成该说明书一部分的附图图解了本发明的实施方式，并与说明书一起用于解释本发明的原理。在附图中：
图1所示为现有技术液晶显示面板的一部分薄膜晶体管阵列基板的平面图；
图2所示为图1中所示的沿线I-I’提取的薄膜晶体管阵列基板的截面图；
图3A到3D所示为图2中所示薄膜晶体管阵列基板的制造方法的截面图；
图4所示为依照公共电压和施加给液晶显示面板的电压位置的压降的波形图；
图5所示为依照本发明实施方式的液晶显示器件的框图；
图6所示为对应于图5中一个像素单元的薄膜晶体管阵列基板的平面图；
图7所示为图6中所示的沿线II-II’和III-III’提取的薄膜晶体管阵列基板的截面图；
图8所示为根据像素单元的位置的突出部的面积的图；
图9所示为根据像素单元位置的最佳公共电压的变化的试验数据；
图10所示为依照本发明实施方式各位置中通过突出优化后的公共电压的特性的图；以及
图11A到11D是所示为图7中所示薄膜晶体管阵列基板的制造方法的截面图。
具体实施方式
现在将详细描述本发明的优选实施方式，在附图中示出了其实施例。
图5是表示依照本发明实施方式的液晶显示器件的框图。如图5中所示，液晶显示器件包括：具有以矩阵形状设置的m条数据线D1到Dm和n条栅线G1到Gn的液晶显示面板；用于向液晶显示面板160的数据线Dl到Dm供给数据电压的数据驱动器162；用于给栅线G1到Gn供给栅电压的栅驱动器164；用于控制数据驱动器162和栅驱动器164的时序控制器168。数据驱动器162将数字视频信号转换成模拟视频数据电压并响应于来自时序控制器168的控制信号将模拟视频数据电压供给数据线D1到Dm。栅驱动器164响应于来自时序控制器168的控制信号顺序给栅线G1到Gn供给与模拟视频数据电压同步的栅电压Vgh，从而选择被供给模拟视频数据电压的液晶显示面板160的水平线。时序控制器168通过使用垂直/水平同步信号和时钟信号产生用于控制栅驱动器164，数据驱动器162的控制信号。
液晶显示面板160包括彼此面对且在其间具有液晶的薄膜晶体管阵列基板和彩色滤色片阵列基板。液晶显示面板160的每个像素单元(P)都包括：液晶单元Clc；形成在数据线D1到Dm之一和栅线G1到Gn之一的交点处的TFT106；和用于存储供给液晶单元Clc的电压的存储电容器Cst。
图6所示为对应于图5中一个像素单元的薄膜晶体管阵列基板的平面图，并且图7所示为图6中所示的沿线II-II’和III-III’提取的薄膜晶体管阵列基板的截面图。为了解释方便，在图6和7中只显示并描述了一个像素单元，其能实现红色，绿色中之一颜色。图6和7中所示的薄膜晶体管阵列基板包括：形成在下基板142上的栅线102和数据线104且二者之间具有栅绝缘层144；形成在栅线102和数据线104交点处的TFT106；在由栅线102和数据线104确定的像素单元中的像素电极118；通过一部分像素电极118与前级栅线102重叠而形成的存储电容器120，所述前级栅线102是相邻像素单元的栅线；和从像素电极118突出的与TFT106的栅极108形成寄生电容器并直接设置在TFT106和前级像素电极118之间的突出部135，所述前级像素电极118是相邻像素单元的像素电极。
TFT106包括：与栅线102连接的栅极108；与数据线104连接的源极110；与像素电极118连接的漏极112；和与栅极108重叠并在源极110和漏极112之间形成沟道的有源层114。有源层114与数据线104、源极110和漏极112重叠。有源层114的沟道在源极110和漏极112之间。在数据线104和源极110的每一个与有源层114之间形成有欧姆接触层148，从而在数据线104和源极110的每一个与有源层114之间形成欧姆接触。这里，源极110和漏极112之间的沟道形成为’U’形，由此提高了电流迁移率。TFT106的栅极108从栅线102以垂直于栅线102的方向延伸。在可选择的方案中，栅极108可以以平行于栅线102的方向延伸，如图6中所示。在另一个可选择的方案中，栅线102本身就是栅极108。TFT106响应于供给栅线102的栅信号向像素电极118切换来自数据线104的像素电压信号。
像素电极118通过贯穿钝化膜150的接触孔116与TFT106的漏极112连接。带有像素电压的像素电极118与彩色滤色片阵列基板(没有示出)上公共电极产生电位差。电位差使位于TFT阵列基板与彩色滤色片阵列基板之间的液晶分子在介电各向异性的作用下旋转，并通过像素电极和彩色滤色片阵列基板透射来自光源的光。
通过像素电极118与前级栅线102重叠形成存储电容器120。栅绝缘膜144和钝化膜150位于栅线102和像素电极118之间。存储电容器120将像素电极118上的像素电压一直保持到施加下一像素电压。
图8是表示依照像素单元的位置突出部的面积的图。如图8中所示，在每个像素单元中形成突出部135，从而使得随着像素单元远离与相同栅线102相连的m个像素单元的中心，像素单元中突出部135的面积减小。突出部135与TFT106的栅极108重叠，从而形成寄生电容器，用于补偿供给给液晶显示面板的公共电压Vcom的偏移。
参照现有技术的图4，当给TN模式液晶显示面板的彩色滤色片阵列基板上的或IPS模式液晶显示面板的TFT阵列基板上的公共电极(没有示出)供给DC公共电压Vcom时，给像素单元P供给数据电压Vd和栅极电压Vg。然而由栅线102的线电阻，供给公共电极的公共电压Vcom根据其在液晶显示面板160中的位置而变化。随着像素单元远离公共电压供给器，像素单元栅线102的线电阻增加。结果，给沿公共电极的位置供给公共电压Vcom也变得困难。
图9是表示根据像素单元的位置最佳公共电压的变化的试验数据。参照图9的试验数据，在认为出现最大电阻的液晶显示面板的中心发生了出现了最大的电压Vcom。然而，供给给每个像素单元P的公共电压Vcom是直流DC，不能被整体(globaly)控制。因此，本发明的实施方式提出了一种方法，即根据从公共电压供给器供给的公共电压Vcom受线电阻影响的程度，通过控制每个像素单元中的寄生电容值来供给具有一致值的公共电压。
一般地，公共电压Vcom具有与馈通(feed through)电压ΔVp成比例的特性。利用这种特性，本发明的实施方式通过在由如图9中所示试验数据证明需要较大公共电压的液晶显示面板的区域中形成较大的ΔVp值来减小供给每个像素单元的公共电压Vcom之间的偏移。就是说，随着像素单元P从位于液晶显示面板中心的像素单元行进到位于液晶显示面板左边缘和右边缘上的像素单元P，在像素单元P中与相同栅线102连接的多个像素单元P内的ΔVp值变小，由此根据液晶显示面板上的位置补偿公共电压Vcom的偏移。
本发明实施方式中的突出部135设置为通过控制ΔVp值来控制公共电压Vcom的偏移。一般地，ΔVp值由下面的数学公式1确定。
[数学公式1]
ΔVp＝(Cgs/(Cgs+Clc+Cst))/ΔVg
这里，Cgs是在TFT的栅极与漏极之间或栅极与源极之间形成的寄生电容，ΔVg是栅高电压Vgh和栅低电压Vgl的电压差，Cst是存储电容器120的电容量，Clc是液晶的电容量。
图10是表示依照本发明实施方式通过所述突出部优化后的公共电压在每个位置的特性的图。从数学公式1可以导出，ΔVp与Cgs值成比例。本发明的实施方式根据图9中的曲线的位置设置Cgs值的大小，从而不管像素单元的位置，供给均匀的电压，如图10中所示。
参照图7，本发明实施方式中的Cgs包括在源极/漏极110和112与栅极108之间的第一Cgs(Cgs1)、和在突出部135与栅极108之间的第二Cgs(Cgs2)。因而，与现有技术相比，本发明的实施方式进一步包括突出部135与栅极108之间的第二Cgs(Cgs2)。通过控制每个像素单元位置中突出部135的大小来控制第二Cgs(Cgs2)，从而控制每个位置的ΔVp值。换句话说，突出部135与TFT106的栅线102一起形成了寄生电容，并且通过控制突出部135的面积控制寄生电容的值。
如图8中所示，随着像素单元P远离液晶显示面板的中心，每个像素单元P内的突出部面积变小，或随着像素单元P从液晶显示面板的外部靠近液晶显示面板的中心而变大，由此补偿了公共电压的偏移。
在下面的数学公式2和3中示出了像素单元内的Cgs和ΔVp。
[数学公式2]
Cgs(1)＜…＜Cgs{(1/2)m-1}＜Cgs{(1/2)m}＞Cgs{(1/2)m+1}＞…＞Cgs
(m)
(1到m是共同连接到栅线的像素单元数)
[数学公式3]
ΔVp(1)＜…＜ΔVp{(1/2)m-1}＜ΔVp{(1/2)m}＞ΔVp{(1/2)m+1}＞…＞ΔVp
(m)
(1到m是共同连接到栅线的像素单元数)
依照本发明实施方式的液晶显示面板在连接到同一栅线的像素单元P中，将栅极108与突出部135之间的寄生电容(Cgs2)的值设置为随着像素单元P从中央像素单元P行进到左边缘和右边缘变小，或者将栅极108与突出部135之间的寄生电容(Cgs2)的值设置随着像素单元P从左边缘和右边缘向着位于中央的像素单元P行进变大。因此，像素单元P内的Cgs值具有与数学公式2中相同的关系，ΔVp值具有与数学公式3中相同的关系，由此减小了公共电压Vcom根据液晶显示面板中像素单元P的位置的偏移。结果可阻止由公共电压Vcom的偏移导致的残留图像和/或闪烁。
即使在m个像素中随着像素单元P从左边缘和右边缘向着中央行进，突出部135在像素单元P中具有较小的面积，也可在纵向方向上调整面积。就是说，可延长或缩短突出部135的长度，从而在保持线宽度不变的同时控制面积。换句话说，突出部135可以在栅线102上进一步延长或在栅线102上延长更少。
图11A到11D所示为图7中所示薄膜晶体管阵列基板的制造方法的截面图。如图11A中所示，在下基板上形成包括栅极108、栅线102的栅图案。更具体地说，通过诸如溅射的沉积方法在下基板142上形成栅金属层。随后，通过使用掩模的光刻工序和蚀刻工序将栅金属层构图，由此形成包括栅线102和栅极108的栅图案。栅金属层可以是单层或双层结构。此外，栅金属可以是铬Cr、钼Mo、铝、族金属及其组合物中之一。
如图11B中所示，在形成有栅图案的下基板142上连续形成栅绝缘层144、有源层114、欧姆接触层148和源/漏图案。通过诸如PECVD或溅射的沉积方法在形成有栅图案的下基板142上连续形成栅绝缘层144、非晶硅层、n+非晶硅层和源/漏金属层。
然后通过使用掩模的光刻工序在源/漏金属层上形成光刻胶图案。在该情形中，掩模是在薄膜晶体管的沟道部中具有衍射曝光部分的衍射曝光掩模，因而沟道部的光刻胶图案具有比其他源/漏图案部低的高度。随后，通过使用光刻胶图案的湿蚀刻工序将源/漏金属层构图，由此形成包括数据线104、源极110、与源极110集成在一起的漏极112、和存储下电极122的源/漏图案。然后通过使用相同光刻胶图案的干蚀刻工序同时将n+非晶硅层和非晶硅层构图，由此形成欧姆接触层148和有源层114。然后在通过灰化工序去除在沟道部具有较低高度的光刻胶图案之后，通过干蚀刻工序蚀刻沟道部的欧姆接触层148和源/漏图案。随后，通过剥离工序去除源/漏图案部上其余的光刻胶图案。诸如硅的氧化物SiOx或硅的氮化物SiNx的无机绝缘材料用作栅绝缘膜144的材料。钼Mo、钛Ti、钽Ta、钼Mo合金、铜Cu、和铝族金属之一用作源/漏金属。
如图11C中所示，通过诸如PECVD的沉积方法在形成有源/漏图案的栅绝缘膜144的整个表面上形成钝化膜150。然后，通过使用掩模的光刻工序和蚀刻工序将钝化膜150构图，由此形成暴露出漏极112的接触孔116。无机绝缘材料，像栅绝缘膜144或具有低介电常数的有机绝缘材料，如丙烯酸有机化合物、BCB或PFCB用作钝化膜150的材料。
如图11D中所示，在钝化膜150上形成透明电极图案。更具体地说，通过诸如溅射沉积方法在钝化膜150的整个表面上沉积透明电极材料。随后，通过使用掩模的光刻工序和蚀刻工序将透明电极材料构图，由此形成包括像素电极118和突出部135的透明电极图案。像素电极118通过接触孔116与漏极112电性连接并与前级栅线102重叠，从而形成存储电容器120。氧化铟锡ITO、氧化锡TO或氧化铟锌IZO用作透明电极材料。
突出部135邻近TFT106设置并与栅极108以及其间的钝化膜150和栅绝缘膜144形成寄生电容器。
如上所述，依照本发明的液晶显示器件及其制造方法形成了突出部，其在靠近每个像素单元薄膜晶体管的区域中与薄膜晶体管的栅极形成了寄生电容器。突出部的面积形成为，在像素单元中随着像素单元从位于中央的像素单元行进到左边缘和行进到右边缘，所述突出部的面积在像素单元中具有较小的面积。因此，在所有都连接到相同栅线的像素单元中随着像素单元从位于中央的像素单元行进到左边缘和行进到右边缘，栅极与突出部之间的寄生电容(Cgs2)的值变小，或随着像素单元从液晶显示面板的左边缘和右边缘行进到中央像素，栅极与突出部之间的寄生电容(Cgs2)的值变大，由此控制每个像素单元的ΔVp和Cgs的大小。结果，减小了所供给的公共电压随像素单元位置的偏移，由此通过防止残留图像和/或闪烁提高图像质量。
尽管已经通过上述附图中所示的实施方式解释了本发明，但本领域普通技术人员应当理解，本发明并不限于此，而是在不脱离本发明精神的情况下可以做各种变化或修改。因此，本发明的范围仅由所附的权利要求及其等效物确定。

Claims (26)

1.一种液晶显示面板，在该显示面板中由彼此交叉设置的栅线和数据线限定的像素单元呈矩阵形状排列，其中每个像素单元都包括：
位于栅线和数据线交叉处的薄膜晶体管；
与薄膜晶体管连接的像素电极；以及
与薄膜晶体管的栅极重叠从而与栅极形成寄生电容器并与像素电极连接的突出部，
其中液晶显示面板每个像素单元中的每个突出部都具有根据液晶显示面板中像素单元位置而确定的面积。
2.根据权利要求1所述的液晶显示面板，其特征在于，在与一条栅线相连的像素单元中，随着像素单元远离位于中央的像素单元，每个突出部面积变得不同。
3.根据权利要求1所述的液晶显示面板，其特征在于，在与一条栅线相接的像素单元中，随着像素单元从位于中央的像素单元行进到左边缘和右边缘，每个突出部面积变小。
4.根据权利要求1所述的液晶显示面板，其特征在于，突出部由与像素电极相同的材料形成。
5.根据权利要求1所述的液晶显示面板，其特征在于，由突出部和栅极形成的寄生电容器的大小根据像素单元的位置而不同。
6.根据权利要求1所述的液晶显示面板，其特征在于，在与一条栅线相连的像素单元中，随着像素单元从位于中央的像素单元行进到左边缘和右边缘，由突出部和栅极形成的寄生电容器的大小变小。
7.根据权利要求1所述的液晶显示面板，其特征在于，薄膜晶体管包括：
栅极；
与栅极重叠且与栅极之间具有栅绝缘膜的半导体图案；
位于半导体图案上并从数据线延伸出的源极；以及
面对源极并通过贯穿钝化膜的接触孔与像素电极接触的漏极。
8.根据权利要求7所述的液晶显示面板，其特征在于，突出部与栅极部分重叠，在突出部和栅极之间具有所述栅绝缘膜和钝化膜。
9.根据权利要求1所述的液晶显示面板，其特征在于，突出部由氧化铟锡形成。
10.根据权利要求1所述的液晶显示面板，其特征在于，突出部由氧化锡形成。
11.根据权利要求1所述的液晶显示面板，其特征在于，突出部由氧化铟锌形成。
12.一种制造液晶显示面板的方法，所述液晶显示面板具有以矩阵形状排列的多个像素单元，其中形成每个像素单元都包括：
在基板上形成包括栅线和与栅线接触的栅极的栅图案；
形成与栅线重叠且二者之间具有栅绝缘膜的半导体图案、与栅线交叉的数据线、位于半导体图案上的源极、和面对源极的漏极；
形成具有暴露出漏极的接触孔的钝化膜；以及
形成通过接触孔与漏极接触的像素电极、在栅线上方的突出部，所述突出部与栅线之间具有所述栅绝缘膜和钝化膜，从而形成寄生电容器，所述突出部与像素电极相连。
13.根据权利要求12所述的方法，其特征在于，在液晶显示面板像素单元中的每个突出部都具有根据液晶显示面板中像素单元的位置而确定的面积。
14.根据权利要求12所述的方法，其特征在于，在与一条栅线相连的像素单元中，随着像素单元从位于中央的像素单元行进到左边缘和右边缘，像素单元中每个突出部的面积变得不同。
15.根据权利要求12所述的方法，其特征在于，在与一条栅线相连的像素单元中，随着像素单元从位于中央的像素单元行进到左边缘和右边缘，像素单元中每个突出部的面积变小。
16.根据权利要求12所述的方法，其特征在于，由突出部和栅极形成的寄生电容器的大小根据像素单元的位置而不同。
17.根据权利要求12所述的方法，其特征在于，在与一条栅线相连的像素单元中，随着像素单元从位于中央的像素单元行进到左边缘和右边缘，在像素单元中由突出部和栅极形成的寄生电容器的大小变小。
18.根据权利要求12所述的方法，其特征在于，突出部与栅极部分重叠，在突出部和栅极之间具有所述栅绝缘膜和钝化膜。
19.根据权利要求12所述的方法，其特征在于，突出部由氧化铟锡形成。
20.根据权利要求12所述的方法，其特征在于，突出部由氧化锡形成。
21.根据权利要求12所述的方法，其特征在于，突出部由氧化铟锌形成。
22.一种液晶显示面板，在该液晶面板中由彼此交叉的栅线和数据线确定的像素单元以矩阵形状排列，其中每个像素单元都包括：
位于栅线和数据线交叉处的薄膜晶体管，该薄膜晶体管具有栅极、漏极和源极；
与薄膜晶体管连接的像素电极；以及
从像素电极突出且与栅极形成寄生电容器的突出部，该突出部直接位于薄膜晶体管和前级像素电极。
23.根据权利要求22所述的液晶显示面板，其特征在于，由突出部和栅极形成的寄生电容器的大小根据像素单元的位置而不同。
24.根据权利要求22所述的液晶显示面板，其特征在于，在与一条栅线连接的像素单元中，随着像素单元从位于中央的像素单元行进到左边缘和右边缘，每个突出部的面积变小。
25.根据权利要求22所述的液晶显示面板，其特征在于，通过改变栅线上的突出部的面积来调整寄生电容器的大小。
26.根据权利要求22所述的液晶显示面板，其特征在于，通过增加栅线上的突出部的长度改变突出部的面积。
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