CN1977473B - 具有集成式滤波和减少的寄生电容的跨导放大器 - Google Patents

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Abstract

一种具有集成式滤波的跨导放大器(TIA)。电容集成到TIA中而且连接到电源和TIA的内部接地。跨导放大器的电源上的噪声由电容器来滤波，以便减少电源噪声。集成电容器还减少噪声接地。集成电容器也减少可从另一电路接收的共模噪声的效应。

Description

具有集成式滤波和减少的寄生电容的跨导放大器
技术领域
本发明主要涉及光电部件如光接收器。具体而言，本发明的实施例涉及用于对包括电源噪声、接地噪声和输出共模噪声的来自跨导放大器的高频噪声进行滤波的方法和系统。 
背景技术
光缆是计算机和电信网络中使用的介质之一。光纤网络使用经调制的光信号来传输信号。常常由激光器生成光，激光器的电流被调制成代表数字数据流的一和零。虽然光信号被用来通过光缆来承载数据，但是光信号通常被转换成电信号以便提取和处理数据。计算机需要某种类型的装置来检测和转化光信号。 
构建光接收器的具体目的在于接收和解译光信号。光接收器通常包括某种检测器，所述检测器可响应于入射光信号的功率变化来生成电流或者电压。在光纤接收器将通过光纤接收的光学信号转换成电信号之后，光接收器放大电信号而且将电信号转换成电数字数据流。 
在光接收器中用作检测器的常见器件之一是光电二极管。光电二极管通过响应于入射光而生成电流来进行工作。入射光的光学功率决定光电二极管中流动的电流。在效果上，光学信号在光电二极管中生成与光纤承载的数字信号相对应的电流。 
为了恰当地进行工作，光电二极管的阳极连接到跨导放大器的输入而其阴极连接到电源或者偏置电路，以使光电二极管反向偏置。理想的是，电源或者偏置电路提供恒定电压，使得光电二极管中的电流可归因于入射光信号。遗憾的是，电源几乎总有噪声。噪声可来自于开关、主板连接和其他来源。另外，电源噪声的频率与正在光学网络上传输的数据的频率可常常处于同一范围中。结果，电源的噪声可能影响由光电二极管生成的电流，而且对光接收器的性能有不利影响。 
电源上的噪声随着由入射光信号生成的电流进入跨导放大器。该噪 声连同来自光电二极管的信号一起由跨导放大器放大。因此有损于跨导放大器的性能。一种针对电源噪声问题的潜在解决方案是在光电二极管的阴极使用去耦电容器以使噪声分流到地。去耦电容器是分立的电路部件，因此给每个光接收器的生产带来额外的成本。去耦电容器还连接到与关联于集成电路的接地不同的外部接地。对于较高频率而言尤为如此。 
高频噪声的其他来源如集成电路内部接地噪声和共模噪声不受外部去耦电容器的影响。在跨导放大器中，跨导放大器的本地接地常常连接到例如具有接合线的外部接地。在较高频率，接地接合线的电感在IC内部接地与外部接地之间引入显著的阻抗，因此可引入噪声，该噪声由跨导放大器放大，由此降低跨导放大器的性能。 
共模噪声可常常通过跨导放大器的输出而进入跨导放大器中。连接到跨导放大器输出的其他集成电路可以这一方式引入共模噪声。共模噪声变成问题的原因之一在于跨导放大器的输入级不是差动输入。结果，迁移到跨导放大器输入级的共模噪声可影响跨导放大器的性能。 
发明内容
这些以及其他局限通过本发明的实施例来克服，本发明的实施例涉及用于对跨导放大器中的噪声进行滤波的系统和方法，具体地涉及一种具有集成式滤波的跨导放大器。本发明的实施例包括一种具有芯片上自动增益控制和DC去除的跨导放大器。本发明的实施例在没有外部部件如去耦电容器的情况下在宽的频率和输入范围之上提供稳定的操作。 
在本发明的一个实施例中，单独的滤波模块被集成到跨导放大器中，该滤波模块在一个实例中可以包括在光电二极管的阴极与跨导放大器集成电路的内部接地之间的集成电容器。滤波模块产生向光电二极管的阴极提供的经滤波的电源。光电二极管的阳极然后输入到跨导放大器。信号由跨导放大器放大并作为差动信号输出。 
在一个实施例中，滤波模块连接到跨导放大器的输入级的内部接地。这自举光电二极管的阳极和阴极。通过以这一方式连接滤波模块，高频接地噪声趋向于以同一幅度和相位出现在光电二极管的两侧(阳极 和阴极)。因此 I pd = C pd ∂ V pd / ∂ t = 0 .
滤波模块也对如下共模噪声进行滤波，该共模噪声通过跨导放大器到其他集成电路如时钟和数据恢复模块或者后置放大器的连接而进入该跨导放大器。本发明的这些和其他优点及特征将根据以下描述和所附权利要求而变得更加完全地清楚，或者可以通过对如下文所阐述的本发明的实践来获悉。 
附图说明
为进一步阐明本发明的以上和其他优点及特征，通过参照在附图中图示的本发明具体实施例来给予对本发明的更具体描述。可以理解，这些附图仅描绘了本发明的典型实施例，因此不视之为限制本发明的范围。将通过利用附图以另外的特性和细节来描述和解释本发明，在该附图中： 
图1图示了包括集成跨导放大器的光接收器的一个实施例； 
图2示出了提供经滤波的电源以连接到光电二极管的集成跨导放大器的框图； 
图3图示了具有滤波模块的跨导放大器的一个实施例，该滤波模块向连接的光电二极管提供经滤波的电压； 
图4图示了使用集成电容器来对至少一种电源噪声进行滤波的示意性跨导放大器的一个实施例； 
图5图示了在晶体管外形(transistor outline)头部中安装的集成跨导放大器； 
图6图示了具有集成自举电容器的跨导放大器的另一实施例，该电容器连接到电源和跨导放大器的内部接地； 
图7图示了从跨导放大器接收经滤波的电压的光电二极管的侧视图，而且图示了减少可影响跨导放大器性能的寄生电容的一个实例； 
图8图示了安装在跨导放大器的顶部上用以减少寄生电容的光电接管的实施例； 
图9结合VCC电源抑制来图示寄生电容的影响； 
图10结合光电二极管电源抑制来图示寄生电容的影响； 
图n结合接地噪声抑制来图示寄生电容的影响； 
图12结合输出共模抑制来图示寄生电容的影响； 
具体实施方式
本发明涉及一种减少高频噪声对跨导放大器(TIA)的影响的TIA。本发明的实施例使得TIA能够通过对来自其他部件的例如电源噪声、接地噪声和/或共模噪声—以示例而非限制的方式—进行滤波来改进TIA的性能。本发明的实施例也可以减少与结合TIA来使用的光电二极管相关联的寄生电容。本发明的实施例有利地无需外部电容器，如外部高频源去耦电容器。这减少了TIA的成本。 
图1图示了用于实施本发明实施例的典型环境。图1图示了光纤接收器100，该光纤接收器接收光学信号(光)而且将该光学信号转换成电信号或者数据流(通常表现为电压)。光纤接收器100通过光纤102接收光学信号103。将光学信号转换成电信号或者电流的光电二极管104或者其他光学器件接收光学信号而且生成电信号106(电流)。 
TIA 108放大电信号106以产生经放大的电信号110。TIA 108具有宽动态范围，能够在没有明显地削弱对低功率信号进行放大这一能力的情况下对大功率信号进行放大。放大的电信号110然后由后置放大器112放大或者在另一集成电路如时钟和数据恢复电路上来操作。后置放大器114的输出112由转化模块116解译或者转化且转换成电数字信号118。 
图2图示了TIA的一个实施例。在本例中，TIA 108是集成电路，而且具有VCCPD 160输入和VCC 168输入。提供给TIA 108的VCCPD 160和VCC 168常常具有前述噪声。另外，VCCPD 160在TIA 180内部不与VCC 168相连接。如前所述，此噪声通常在VCCPD 160提供给TIA 108之前被去除。然而，在TIA 108外部去除来自VCCPD 160的噪声需要附加部件而且引入额外的成本。 
在图2中，TIA 108在内部对VCCPD 160进行滤波，而且产生提供给 光电二极管104的VCCPDFiltered 162。入射在光电二极管104上的光被转换成电流而且输入回TIA 108中。TIA 108响应于光信号对由光电二极管104生成的电流进行操作，以(在本例中)生成差动输出。TIA 108也包括接地164。然而，该接地164相对于TIA108而言是本地接地，而且不必与例如接地164通过接合线所连接的外部接地相同。TIA 108的实施例也对来自该外部接地的噪声以及来自电源的噪声进行滤波。 
图3图示了根据本发明的示例性TIA的框图。TIA 108接收来自VCC 168的功率，而且包括从光电二极管104或者将光信号转换成电流或者电压的其他器件接收电流103的放大器152。可包括一级或者多级的放大器152放大电信号，而且帮助减少或者防止噪声影响所接收的信号的质量。在TIA 108的输出处可选地亦可设置缓冲器。本领域技术人员应理解可以以不同的配置来实施放大器152。典型配置包括但不限于公共基极配置和分流反馈配置。此外，放大器152也可以包括单端放大、差动放大等或其任一组合。 
TIA 108包括与VCCPD 160相连接的滤波器150。该滤波器150基本上消除或者减少VCCPD 160上的噪声。滤波器150被配置为针对高频具有相对低的阻抗，以使高频由滤波器150来衰减。滤波器150的输出连接到光电二极管104，而且向光电二极管提供VCCPDFiltered。滤波器150的一个优点在于，由光电二极管104生成的电流是响应于入射光信号的，而不是由提供给集成电路的VCCPD 160上的噪声所生成的。因此，施加到光电二极管104的偏置滤波电压(VCCPDFiltered)具有较少噪声，而且比没有经过滤波的电压更为恒定。滤波器150的另一优点在于它通常连接到TIA 108的本地接地。这使得滤波器150能够有效地自举光电二极管104，由此消除与接地噪声和输出共模噪声关联的一些潜在有害效应。 
控制电路154为TIA 108提供自动增益控制和直流(DC)去除二者。在控制电路154中，高频滤波器158可以用来检测由放大器152输出的DC成分。放大器152的输出中的DC成分或者低频成分通过高频滤波器158，而且由可变阻抗电路156去除。在另一实施例中，可以用峰值检测器或者类似电路来代替高频滤波器158。 
可变阻抗电路156也为TIA 108提供自动增益控制，因为它能够在可变阻抗电路156的阻抗减少时衰减光电二极管电流的至少一些AC分 量。这可扩展TIA 108的输入范围。换言之，可变阻抗电路156的阻抗根据光电二极管104的平均电流而改变。随着从光电二极管104或者其他来源接收的平均电流减少，可变阻抗电路的阻抗也减少。 
由于可变阻抗电路156的阻抗减少，所以可变阻抗电路156吸收或者衰减某些AC成分。这提供了对光纤接收器跨导增益的自动控制。当平均光电二极管电流为低时，可变阻抗电路156的阻抗相对大，而AC成分没有被吸收或者衰减，却在放大器124处被放大。因此，在没有同时牺牲TIA光学灵敏度的情况下增加了TIA的光学过载。 
这对于TIA 108而言是有利的，因为可在没有削波、饱和或者其他问题的情况下放大的信号的范围增加了。低功率信号也由TIA 108放大，因为AC成分没有被可变阻抗电路156吸收或者衰减，而光学功率较高的光学信号由可变阻抗电路156部分地吸收或者衰减。TIA 208由此可成功地放大宽范围的信号。图3中所示的TIA 108的该实例还包括高频增强器(high frequency boost)157。到VCC的高频增强器157扩展了TIA 108的带宽。 
图4图示了TIA 108的另一实施例。在图4中，光电二极管104的阴极耦合到与TIA 214相集成的电容器202。在本例中，该电容器202耦合到本地接地212。对于本例，由于在将本地接地212与外部接地相连接的接合线中可存在电感，因此将电容器202与本地接地212相连接不同于与外部接地相耦合。例如，电容器202亦可耦合到输入级224的发射极223。 
电容器202是针对来自电源的高频噪声的滤波器的一个实例。VCC 215被接收到TIA 214中，而且与VCCPD 206相分离。TIA 214利用到内部接地212的电容器202对来自VCCPD 206的高频噪声进行滤波，而且向光电二极管104提供经滤波的VCCFiltered 208。由此响应于光学信号而生成了由光电二极管104生成的电流210，而该电流没有归因于由电源噪声引起的光电二极管104的阴极电压变化。 
在放大器216(以图4中的分流反馈配置进行设置)处接收由光电二极管生成的电流210，该放大器在本例中包括第一级224和第二级226。在本例中，第一级224和第二级226产生到包括高频增强器228 的增益级218中的输入。增益级218的输出在本实施例中是差动电压信号。 
TIA 214的放大器216在本例中以前述分流反馈配置来设置。在另一实施例中，放大器216可以用公共基极拓扑配置进行配置。第二级226的输出被提供到如前所述提供可变阻抗和滤波器158的控制电路220。放大器216输出中的DC或者低频成分通过低频运算放大器230。放大器230驱动pnp晶体管222的基极。pnp晶体管222的发射极与由光电二极管104生成的信号相耦合。当平均光电二极管电流增加时，晶体管222的发射极阻抗减少。这使得由第一级224处理的一些AC成分能够由晶体管22吸收，而且允许TIA放大或者发送具有大光学功率的信号。pnp晶体管222是图3的可变阻抗电路的实例。 
由于图中所示TIA使用pnp晶体管而不是npn晶体管作为晶体管222，所以当在晶体管222的发射极处的阻抗减少时，光电二极管电流的AC分量或者成分将由晶体管222吸收或者衰减。当光电二极管电流增加而由光电二极管检测的光信号具有增加的功率时就是此情况。 
放大器216、可变阻抗156和滤波器158的其他设置在美国申请第10/839,640号中有所描述，该申请整体内容通过引用结合于此。 
图5图示了包括TIA的晶体管外形(TO)头部的示例性图示。光电二极管514可设置于TO罐(TO can)之内，这样，在一个实施例中，光电二极管514使通过TO罐的透镜来收集的光最大化。在图5中，集成TIA 500的管脚使用接合线510连接到TO头部503。该TIA接收作为到光电二极管514之功率的VCC 502和VCCPD 504。VCC 502和VCCPD 504可来自相同或者不同的电源。在TIA 500内部，VCC 502和VCCPD 504是分离的。 
如前所述，VCCPD 504被输入到TIA 500(本例中的集成电路)，该TIA 500包括如前所述用以抑制高频电源噪声的滤波器。TIA 500然后生成与光电二极管514的阴极相连接的经滤波的VCCFiltered 510。因此，经滤波的VCCFiltered 510与光电二极管514的阴极相连接。如前所述，光电二极管514的阳极连接到TIA 500的输入512，而且提供给放大器的第一级。管脚506和508是TIA 500的输出(OUT-和OUT+)。 
除电源噪声以外，TIA 500还可经历接地噪声。外部接地518使用接合线501通过管脚516连接到TIA 500。在较高频率，TIA 500的本地接地与外部接地518不相同。例如，将内部接地516与外部接地518相连接的接合线在较高频率具有可能造成接地噪声的电感。使用多个接合线连接到外部接地518减少了产生接地噪声的电感。 
电容器202也可以有助于减少接地噪声，因为电容器202与TIA的内部接地相连接。例如，电容器202可以连接于放大器输入级的发射极(该发射极连接到TIA的本地接地)。在一些实施例中，在电容器202的电源侧出现的噪声(例如，电源噪声、接地噪声、输出共模噪声)趋向于与在电容器202的本地接地侧出现的噪声相似。由于在电容器202的任一侧上的电势相对于噪声趋向于相同，因此，没有因噪声而通过电容器的电流。结果，减少了对正在放大的光电二极管电流的噪声效应。 
图6图示了另一实施例TIA 600。本例图示了跨接于节点604和节点606的自举电容器604。在本例中，节点604与VCCPD 605有效地相连接，而节点606耦合到TIA 605的本地接地并与放大器610相连接。如前所述，本地接地处的噪声可以由放大器610放大。如前所述连接该电容器602减少了被放大的噪声接地噪声。在本例中，VCC 601在TIA600内部与VCCPD 605分离。 
图6也图示了例如可以是后置放大器或者时钟和数据恢复模块的第二集成电路650。集成电路650具有与TIA 600的差动输出612相连接的开放集电极输入652。集成电路650可以生成通过TIA 600的输出612而输入到TIA 600的共模噪声。 
由于从光电二极管608到TIA 600的输入是单端的而不是差动输入，所以共模噪声可迁移到放大器610的输入，并降低TIA 600的性能。然而，因为共模噪声出现于节点604和节点606，所以电容器604减少了共模噪声614的效应。结果，节点604和节点606二者有效地一起移动，而且有效地没有生成可输入到放大器610的电流。从到放大器610的输入中有效地去除了共模噪声。 
图7图示了用于在本发明的实施例中使用的光电二极管的一个实施例。光电二极管708具有阳极710和阴极706。阴极706通常连接到TIA 集成电路的VCCFiltered输出(在一个实施例中使用接合线)。阳极710通常连接到TIA集成电路的输入。 
光电二极管708形成于不导电的衬底704上。衬底702可以形成于接地面702上。为了确保接收器的性能，将可在阴极706与接地面702之间形成的寄生电容最小化是有用的。这可以用各种方法来实现。例如，可以选择衬底704的厚度和介电常数，以使电容最小化。此外，也可以使阴极相对于接地面702的面积最小化。换言之，应当使寄生电容最小化，以改进高频电源噪声抑制和接地噪声抑制。将寄生电容最小化改进了在较高频率的电源抑制、接地噪声抑制和光电二极管电源抑制。 
图8图示了光电二极管安装于TIA顶部上的本发明实施例。在本例中，光电二极管802安装于TIA 804的顶部上。在TIA 804内部，对VCCPD 806进行滤波，并且VCCPDFiltered 808与光电二极管802的阴极相连接，而光电二极管的阳极是到TIA 804的810处的输入。由此有利地减少与光电二极管804相关联的寄生电容。例如，系统800可以是晶体管外形(TO)罐，而将光电二极管置于TIA顶部上可以减少光电二极管与TO罐的接地之间的寄生电容。在一个实施例中，光电二极管802通常居中地安装于TO罐或者系统800内部，以便收集来自TO罐顶部上的透镜的光。 
图9图示了使用各种水平的寄生电容的电源噪声(VCC)抑制900。如绘图902在高频处所示，TIA抑制电源噪声的能力随着在光电二极管的阴极与外部接地之间的寄生电容增加而降低。图10图示了使用各种水平的寄生电容的光电二极管电源(VCCPD)抑制1000。绘图1002图示了抑制光电二极管电源噪声的能力随着寄生电容增加而降低。 
图11图示了与各种水平的寄生电容相关联的接地噪声抑制1100。绘图1102图示了抑制接地噪声的能力随着寄生电容增加而降低。图12针对各种水平的寄生电容图示了输出共模噪声抑制1200，而绘图1202图示了抑制输出共模噪声的能力随着寄生电容增加而降低。 
例如，如图7和图8中所示，光电二极管减少了寄生电容。结果，如图9-12中所示，TIA能够在较高频率更好地抑制电源噪声、光电二极管电源噪声、接地源噪声和输出共模噪声。 
在不脱离本发明的精神或者本质特征的情况下可以用其他具体形式来具体实施本发明。所述实施例在所有方面都被视为仅仅是说明性而不是限制性的。因此本发明的范围由所附权利要求而不是由以上描述来表现。落入权利要求等效含义和范围之内的所有变化将被涵盖于权利要求的范围之内。 

Claims (25)

1.一种用于放大来自光电二极管的输入的集成电路，所述集成电路包括：
输入端，接收响应于光电二极管上的入射光的、来自所述光电二极管的电流；
放大器，具有一个或多个级，放大来自所述光电二极管的电流并生成电压输出；
经滤波的电压输出端，向所述光电二极管提供经滤波的偏置电压；以及
集成式滤波器模块，连接于所述经滤波的电压输出端与外部光电二极管电源之间，其中所述集成式滤波器模块对所述光电二极管电源上的噪声进行滤波，以生成从所述集成电路提供给所述光电二极管的所述经滤波的偏置电压，以及其中所述集成式滤波器模块连接到所述集成电路内部的本地接地。
2.如权利要求1中所述的集成电路，其中所述集成式滤波器模块是电容器，所述电容器连接到所述集成电路的经滤波的电压输出端和所述本地接地以使得所述光电二极管电源通过所述集成电路与所述光电二极管连接，以及其中所述光电二极管电源在所述集成电路内部与所述集成电路的第二电源相分离。
3.如权利要求1中所述的集成电路，其中所述放大器的电压输出端是差动电压输出端，以及其中所述放大器包括至少一个输入级和至少一个增益级。
4.如权利要求1中所述的集成电路，还包括提供自动增益控制的控制电路，所述控制电路包括pnp晶体管，该pnp晶体管的发射极与所述放大器相连接，使得所述pnp晶体管的阻抗在来自所述光电二极管的电流的平均功率增加时减少。
5.如权利要求1中所述的集成电路，其中所述集成式滤波器模块连接到所述放大器的第一级的发射极，并且所述发射极连接到所述本地接地。
6.如权利要求1中所述的集成电路，其中所述集成式滤波器模块对接地噪声进行滤波。
7.如权利要求1中所述的集成电路，其中所述集成式滤波器模块对由与所述集成电路的差动输出端相连接的另一集成电路所生成的共模噪声进行滤波。
8.如权利要求1中所述的集成电路，还包括对所述集成电路中放大的电流的频率范围进行扩展的高频带宽增强器。
9.一种检测入射光信号并生成经放大的输出的光接收器，所述光接收器包括：
光电二极管，设置于衬底上并配置成使与所述光电二极管关联的寄生电容最小化；以及
跨导放大器，与所述光电二极管相连接，所述跨导放大器生成经滤波的电压，以偏置所述光电二极管，所述跨导放大器包括：
放大器，接收响应于入射光由所述光电二极管生成的输入电流并放大所述输入电流；
控制电路，连接到所述放大器以提供对所述输入电流的DC去除，并且包括连接到所述放大器的输入端用以当所述入射光的功率增加时部分地衰减所述输入电流的可变阻抗；以及
与外部电源相连接并连接到所述跨导放大器内部的本地接地的集成式电容器，其中所述集成式电容器对来自所述外部电源的噪声进行滤波，以产生经滤波的电压，并且对来自与所述跨导放大器的所述本地接地相连接的外部接地的接地噪声进行滤波。
10.如权利要求9中所述的光接收器，其中所述衬底具有被选择为使所述寄生电容最小化的厚度和介电常数，以及其中所述光电二极管的阴极相对于接地的面的面积被最小化。
11.如权利要求9中所述的光接收器，其中所述光电二极管的阴极与由所述跨导放大器生成的经滤波的电压相连接，而所述光电二极管的阳极与所述放大器相连接。
12.如权利要求9中所述的光接收器，其中所述衬底不导电。
13.如权利要求9中所述的光接收器，其中所述跨导放大器还包括用以扩展所述跨导放大器的输入范围的带宽增强器。
14.如权利要求9中所述的光接收器，其中所述控制电路还包括滤波器，其中所述可变阻抗包括pnp晶体管，所述pnp晶体管具有与所述放大器连接的发射极，并且其中所述滤波器检测所述输入电流的DC成分。
15.如权利要求14中所述的光接收器，其中所述可变阻抗的阻抗随着所述输入电流的平均功率增加而减少，而所述阻抗在所述输入电流的平均功率减少时增加，使得当所述输入电流增加时，部分地衰减所述输入电流，由此提供自动增益控制。
16.如权利要求9中所述的光接收器，其中所述集成式电容器与所述电源及所述光电二极管的阴极相连接，使得所述电源的噪声与所述光电二极管去耦合。
17.如权利要求9中所述的光接收器，其中所述集成式电容器自举所述放大器，以提供接地噪声抑制、电源抑制和输出共模噪声抑制中的至少一种。
18.如权利要求9中所述的光接收器，其中所述跨导放大器包括差动输出端，并且通过所述差动输出端而进入所述跨导放大器的共模噪声由所述集成式电容器从所述放大器来滤波。
19.如权利要求9中所述的光接收器，其中所述放大器是分流反馈放大器。
20.如权利要求9中所述的光接收器，其中所述放大器是公共基极放大器。
21.如权利要求9中所述的光接收器，所述光接收器进一步包括晶体管外形罐，所述晶体管外形罐包括：
头部，包括接地的面；
集成电路，包括设置于所述头部内并在所述接地的面之上的所述跨导放大器；以及
其中所述衬底设置在所述头部的接地的面上以减少与所述光电二极管和所述头部的接地的面相关联的寄生电容。
22.如权利要求21中所述的光接收器，其中所述衬底不导电。
23.如权利要求21中所述的光接收器，其中所述衬底被选择成具有用来使所述光电二极管的阴极与所述接地的面之间的寄生电容最小化的厚度和介电常数。
24.如权利要求21中所述的光接收器，其中所述光电二极管安装于所述集成电路之上。
25.如权利要求21中所述的光接收器，其中所述集成式电容器还对输出共模噪声进行滤波。
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