CN1943026A - 片粘贴装置和粘贴方法 - Google Patents

Abstract

一种片粘贴装置(10)，将在基片(BS)的一面层叠了晶片接合片(DS)的片基材(S)切割成半导体晶片的平面形状，形成粘贴区域(A1)，对该粘贴区域进行半导体晶片粘贴；该装置具有形成粘贴区域(A1)和剥离区域(A2)的切断机构(15)、对剥离区域(A2)进行剥离的第1剥离机构(17)、在晶片进行粘贴区域(A1)的粘贴的粘贴台(62)、及从粘贴区域(A1)剥离基片的第2剥离机构(20)。切断机构(15)包括第1至第3切断刀(31A、31B、31C)，由第1切断刀(31A)形成粘贴区域(A1)，另一方面，由第1切断刀(31A)的一部分和上述第2和第3切断刀(31B、31C)形成剥离区域(A2)，在剥离该剥离区域(A2)后，将粘贴区域(A1)粘贴到晶片。

Description

片粘贴装置和粘贴方法

技术领域

本发明涉及一种片粘贴装置和粘贴方法，更为详细地说，涉及这样的片粘贴装置和粘贴方法，即，可在设于带状基片一面的粘贴用叠层片上设置切口，将这样获得的粘贴区域以良好的精度粘贴到半导体晶片等被粘接体上。

背景技术

在将形成了电路面的半导体晶片(以下简称“晶片”)单片化成芯片后，拾取各芯片，粘接(芯片接合)到引线框。该芯片接合在晶片处理工序中可通过对层叠于基片一面的热敏粘接性的芯片接合片进行切割、而后将其粘贴于半导体晶片而进行。

作为这样的片的粘贴装置，例如公开于已由本申请人提出的专利文献1。公开于该文献的片粘贴装置具有粘贴台、切断机构、第1剥离机构、压辊、及第2剥离机构；该粘贴台支承晶片；该切断机构相应于该晶片的平面形状切割晶片接合片，形成粘贴于晶片的粘贴区域，同时，在片送出方向的上游侧离开预定距离地沿宽度方向切断晶片接合片；该第1剥离机构对构成围住上述粘贴区域的外周区域的晶片接合片的残留区域进行剥离；该压辊将粘贴区域推压于晶片进行粘贴；该第2剥离机构剥离上述基片。

专利文献1：日本特开2002-367931号公报

然而，在公开于专利文献1的构成中，由于是通过第1剥离机构剥离除粘贴区域外的外周侧的晶片接合片这样的构成，所以，被剥离的晶片接合片区域的外形尺寸大，剥离构造变得复杂，除此以外，剥离所需要的装置的移动区域变大，导致与其它装置的位置占用关系复杂化。该问题随着晶片尺寸的增大而进一步明显。

另外，还存在这样的问题，即，形成切断机构的切断刀由汤姆逊刀构成，该汤姆逊刀成为闭环形状地形成一片刀，安装于座板而构成，所以，在刀的沿延伸方向的端部间的接合部必然产生接缝，在该接缝区域的刀容易产生破裂等损伤，而反复持续使用会使得接缝区域的切断完全不能进行。

可是，在最近正采用所谓面朝下的安装法进行半导体装置的制造。在该面朝下方式中，在电路面侧形成用于在芯片电路面侧确保电导通的被称为凸块(バンプ，bump)的凸部。

这样的凸部形成到非常接近晶片外周缘的位置。因此，公开于专利文献1的粘贴台为吸附沿晶片外周缘的区域的构造，所以，存在作为被粘接体不能应对具有凸块的晶片的问题。

发明内容

本发明就是着眼于这样的问题而作出的，其目的在于提供一种片粘贴装置和粘贴方法，该片粘贴装置和粘贴方法可实现中心工件系统，该中心工件系统可在成为共同的处理位置的工件中心进行切断、粘贴、剥离等，实现它们的装置可交替地离开或接近上述处理位置。

本发明的目的在于提供一种片粘贴装置和粘贴方法，该片粘贴装置和粘贴方法在形成与被粘接体平面形状相应的粘贴区域后，当对围住该粘贴区域外侧的叠层片进行剥离时，可使剥离区域为最小限度，实现剥离装置的简化，同时，可减小剥离所需要的装置各部的移动区域。

本发明的另一目的在于提供一种片粘贴装置和粘贴方法，该片粘贴装置和粘贴方法可进行不产生接缝的切断，可确实地切断被粘贴的叠层片，当将粘贴区域粘贴到被粘接体时，该粘贴区域不会与围住外侧的叠层片区域相连。

另外，本发明的再另一目的在于提供一种片粘贴装置和粘贴方法，在该片粘贴装置和粘贴方法中，即使在成为与粘贴片的粘贴面相反侧的被粘接体的面使凸部等存在于被粘接体的外缘附近，也可支承该被粘接体，可扩大适用范围。

为了达到上述目的，本发明的片粘贴装置使用片基材，该片基材包括呈带状连续的基片和设于该基片一面的粘贴用叠层片，在送出该片基材的过程中将叠层片切割成被粘接体的平面形状，形成粘贴区域，将该粘贴区域粘贴到上述被粘接体；其中，包括输送机构、切断机构、第1剥离机构、粘贴机构、及第2剥离机构；该输送机构从上述被粘接体的收容装置每次一个地取出该被粘接体进行输送；该切断机构对应于被粘接体的平面形状切断上述叠层片，形成上述粘贴区域，同时，在邻接于该粘贴区域的位置沿宽度方向切断上述叠层片的沿送出方向的前后，形成剥离区域；该第1剥离机构剥离上述剥离区域；该粘贴机构包括粘贴台，该粘贴台对被粘接体进行支承，将上述粘贴区域粘贴于该被粘接体；该第2剥离机构从粘贴区域剥离上述基片；上述输送机构、切断机构、粘贴机构、第1及第2剥离机构将相对于被依次送出的片基材预先设定的共同的处理位置作为工件中心，相互不干涉、可移动地设置。

在本发明中，可采用这样的构成，即，上述切断机构具有第1切断刀、第2切断刀、及第3切断刀；该第1切断刀沿被粘接体的外缘以环形设置；该第2切断刀在从该第1切断刀往片基材送出方向上游侧离开的位置沿宽度方向切断上述叠层片；该第3切断刀与上述第1切断刀连续，同时，在上述第2切断刀的送出方向下游侧大体平行于该第2切断刀地配置；由上述第1切断刀形成上述粘贴区域，另一方面，由第1切断刀的一部分及上述第2和第3切断刀形成上述剥离区域，由第1剥离机构剥离该剥离区域后，将上述粘贴区域粘贴到被粘接体。

另外，上述第1切断刀与上述第3切断刀没有接缝、相互连续地设置。

另外，采用这样的构成，即，上述切断机构还包括台，上述第1、第2、及第3切断刀一体形成于上述台的上面侧。

另外，上述第1、第2、及第3切断刀也可通过对上述台的上面侧进行腐蚀处理而形成。

另外，采用这样的构成，即，上述第1剥离机构包括可使剥离用带沿横过片基材的送出方向的宽度方向行走地对其进行支承的剥离头，通过将上述剥离用带粘接于上述剥离区域，使上述剥离用带行走，从而从上述基片剥离上述剥离区域。

另外，上述第1剥离头由热块构成，由该热块将上述剥离用带热粘接到剥离区域。

上述热块配置在上述剥离区域的沿宽度方向的多个部位。

另外，采用这样的构成，即，上述被粘接体为在表面设置了凸块的半导体晶片，上述粘贴台具有沿晶片外缘的闭环状的凸状环部，该凸状环部在使半导体晶片的凸块形成面处于下面侧地支承该半导体晶片时不与上述凸块干涉。

上述凸状环部的凸部高度最好设为与凸块高度大致对应的高度。

另外，上述粘贴台将上述凸状环部的内侧构成为半导体晶片的吸附空间，同时，将弹性材料作为成形材料。

另外，上述被粘接体可为半导体晶片，上述叠层片可形成为热敏粘接性的晶片接合片。

另外，本发明采用这样的片粘贴方法，该片粘贴方法使用片基材，该片基材包括呈带状连续的基片和设于该基片的一面的粘贴用叠层片；在送出该片基材的过程中，将叠层片切割成被粘接体的平面形状，形成粘贴区域，将该粘贴区域粘贴到上述被粘接体；其中，包括：由输送机构每次一个地取出上述被粘接体的工序，在上述叠层片形成粘贴区域和剥离区域的切断工序，剥离上述剥离区域的第1剥离工序，将粘贴区域粘贴于被粘接体的粘贴工序，从粘贴区域剥离上述基片的第2剥离工序；上述切断工序通过同时地进行第1切断、第2切断、及第3切断而实现；该第1切断沿被粘接体的外缘没有接缝地切断叠层片，形成粘贴区域；该第2切断在从该第1切断位置往片基材送出方向上游侧离开的位置沿宽度方向切断上述叠层片；该第3切断与上述第1切断线连续，同时，在上述第2切断位置的送出方向下游侧朝与该第2切断大致平行的方向切断叠层片；由上述第1切断形成粘贴区域，另一方面，由第1切断的一部分及上述第2及第3切断形成剥离区域；在由第1剥离机构剥离上述剥离区域后，将上述粘贴区域粘贴于被粘接体；使上述粘贴区域残留于被粘接体地从粘贴区域剥离上述片基材。

在上述方法中，上述第1及第3切断没有接缝、连续地设置。

另外，在上述方法中，上述切断、粘贴区域的粘贴、第1及第2剥离在停止上述基片的送出的状态下将预先设定的共同的处理位置作为工件中心依次进行。

按照本发明，构成片粘贴装置的各机构是在停止片基材的送出的状态下按预先设定的位置进行预定动作的中心工件方式，因此，可将保持片基材的送出机构等保持在固定位置。为此，在切断工序、剥离工序、粘贴工序的各工序中，可有效地避免产生于片基材侧的张力变化，同时，可进行高精度的片粘贴。

另外，剥离区域不为粘贴区域的外周整个区域，仅成为形成在沿送出方向的上游侧的部分，所以，与现有技术的剥离构造相比，可简单地构成剥离构造。此时，剥离区域构成沿上述叠层片的宽度方向的片状，因此，可通过使用可沿宽度方向离开或接近的剥离头来实现剥离，可采用不易产生与周边机构的位置干涉的构造。

另外，通过将形成粘贴区域的切断刀形成为没有接缝的构造，从而使切断也没有接缝地进行。而且，由于接缝的存在所引起的切断刀的局部损伤也不易产生，所以，可长期以良好的精度保持切断精度。

另外，切断刀可通过对台的上面进行腐蚀处理而形成，所以，通过使掩蔽精度为一定，从而可实现维持稳定的精度。即，也可避免在使用一片刀相应于被粘接体外缘以环状安装于台的作业中存在的精度偏差。

另外，通过形成为粘贴台对具有凸块的晶片也可适用的构造，从而可提供具有通用性的片粘贴装置，此外，被粘接体和片的种类也可采用多种。

附图说明

图1为示出本实施形式的粘贴装置整体构成的概略平面图。

图2为片基材的截面图。

图3为从下面侧观看相对片基材的处理状态变化的概略透视图。

图4为示出上述装置整体构成的概略透视图。

图5为沿图1的A-A线的概略正面图。

图6为图1的概略左侧面图。

图7(A)为示出切断机构的台的概略透视图，(B)为沿图7(C)的B-B线的放大截面图，(C)为图7(A)的局部放大平面图。

图8为第1剥离机构的概略侧面图。

图9为第1剥离机构的要部概略平面图。

图10为构成粘贴机构的粘贴台的概略透视图。

图11为示出将晶片接合片粘贴于晶片的状态的动作说明图。

图12为示出剥离基片的状态的动作说明图。

图13(A)至(C)为示出切断晶片接合片的状态的动作说明图。

图14为示出对剥离区域进行剥离的初期阶段的动作说明图。

图15为示出将剥离用带热粘接于上述剥离区域的状态的动作说明图。

图16为示出剥离上述剥离区域的状态的动作说明图。

图17为从下面侧观看剥离上述剥离区域后的片基材的平面图。

图18为详细示出将晶片接合片粘贴于晶片的状态的动作说明图。

附图标记说明

10片粘贴装置

11收容装置

12输送机构

13校准机构

15切断机构

17第1剥离机构

19粘贴机构

20第2剥离机构

27校准台

30台

31切断刀

31A第1切断刀

31B第2切断刀

31C第3切断刀

33剥离头

A1粘贴区域

A2剥离区域

C工件中心

W半导体晶片(被粘接体)

S片基材

T剥离用带

BS基片

DS晶片接合片

PS罩片

具体实施方式

下面，参照附图说明本发明的实施形式。

图1示出本实施形式的片粘贴装置整体构成的概略平面图。在该图中，片粘贴装置10以半导体晶片W作为被粘接体，构成为以图2所示片基材S为对象的装置。在这里，片基材S如上下(表背)翻转地示出的图3所示那样，由基片BS、热敏粘接性晶片接合片DS、及罩片PS构成；该基片BS以带状连续，同时，上面侧(图3中下面侧)进行了剥离处理；该晶片接合片DS构成设于该基片BS一面的粘贴用叠层片；该罩片PS与基片BS相互作用，夹住晶片接合片DS，同时，由与上述基片BS实质相同的片构成。在这里，晶片接合片DS成为这样的构成，即，将对应于晶片W外形尺寸切断该晶片接合片DS而形成的闭环状粘贴区域A1粘贴于晶片W，将切断邻接于该粘贴区域A1的送出方向上游侧区域而形成的带状的剥离区域A2剥离。

上述片粘贴装置10如图1、图4至图6所示那样，由晶片W的收容装置11、每次取出一片晶片W进行输送的输送机构12、进行晶片W的定位的校准机构13、切断上述晶片接合片DS的切断机构15、剥离由该切断形成的剥离区域A2的第1剥离机构17、将粘贴区域A1粘贴到校准处理完毕的晶片W的粘贴机构19、及将上述粘贴区域A1粘贴到晶片W后从粘贴区域A1剥离基片BS的第2剥离机构20构成。

上述收容装置11如图6所示那样，包括上下二层的支座22、使这些支座22上下升降的驱动电动机23、及滚珠丝杠轴24。支座22按在各晶片间形成预定间隔的状态沿上下方向以多层状收容。该支座22的上下方向位置可由图中未示出的传感器检测地设置，晶片W的各层位置、片数等可以被检测。

上述输送机构12由具有多关节型的臂25的机械手构成。机械手主体26可上下升降地设置，同时，臂25可朝水平方向回转地设置，这样，可在每次从上述支座22取出一片晶片W的位置、将晶片W移载到校准机构13的位置、及后述的共同的处理位置间移动。另外，在臂25前端侧设置吸附孔25A，由该吸附孔25A在中央部位置吸附并支承晶片W。臂25具有使吸附着的晶片W的面翻转的功能。

上述校准机构13包括校准台27和传感器28。校准台27具有可在大致水平面内回转的回转部27A，传感器28检测形成于晶片W的定向平面W1位置，对晶片W进行定位。

上述切断机构15如图4和图7所示那样，具有在沿大致水平位置送出的片基材S的上方位置将轴线方向配置为与片基材S的送出方向(图4中箭头D方向)大致相同的方向的切断力施加辊29、配置于片基材S下方的切断台30、设于该切断台30上面侧的切断刀31、及使切断台30朝上下方向移动的驱动装置32(参照图5)。切断力施加辊29支承于后述的冷却板105。在本实施形式中，将通过切断台30大体中心的假想铅直线C(参照图4)设定为成为共同的处理位置的大致中心的工件中心。另外，该切断机构15将图4所示位置设为侍机位置，可沿上述直线C上升到片基材S正下方位置地设置。

上述切断刀31包括：对应于晶片W外形设为环形(闭环)的第1切断刀31A、在从该第1切断刀31A往片基材S的上述送出方向D的上游侧离开的位置沿宽度方向切断晶片接合片DS的第2切断刀31B、与该第1切断刀31A连续并且在第2切断刀31B的送出方向下游侧大体平行于该第2切断刀31B配置的左右一对第3切断刀31C、31C。第1切断刀31A形成为使与晶片W的定向平面W1对应的直线部在上述送出方向D的上游侧沿横过片基材S的宽度方向延伸的配置。在这里，由第1切断刀31A形成粘贴区域A1，由包括第1切断刀31A的上述直线部的一部分(送出方向上游侧的一部分)和上述第2及第3切断刀31B、31C形成剥离区域A2。

上述切断刀31如图7(B)所示那样，在其截面形状中，设为上端部大致呈等腰三角形顶点的形状，同时，通过对上述切断台30的上面侧进行腐蚀处理从而与切断台30一体形成。因此，如图7(C)所示那样，第1切断刀31A即使为环形，也没有在将一片刀弯曲加工成环形的场合看到的接缝。另外，第3切断刀31C、31C按相对第1切断刀31A没有接缝的状态连续。在本发明中，通过设置第3切断刀31C，从而不剥离除粘贴区域A1外的外周区域整体，仅对形成的剥离区域A2部分地进行剥离，即可将粘贴区域A1粘贴到晶片W。

上述第1剥离机构17为用于将剥离区域A2剥离的装置。该第1剥离机构17如图1、图8和图9所示那样，由可朝横过片基材S的送出方向的宽度方向行走(卷绕行走)地支承剥离用带T的剥离头33、剥离用带供给部34、剥离用带卷取部35、及剥离头座36构成。剥离头33包括：上部开放的壳体37，在该壳体37内可回转地设置并使轴线方向沿片基材S的送出方向D地配置成图9中前后一对关系的上部导向辊38、38，位于这些上部导向辊38、38间的托架39，可升降地支承该托架39的40，及设于上部导向辊38、38的近前内侧并可与上述托架39一起上下升降地设置的前后一对热块42、42；当该热块42、42上升时，使卷挂于上部导向辊38、38间的剥离用带T的面位置上升，使剥离用带T接触于上述剥离区域A2，可将热粘接部41(参照图15)形成于片基材S的宽度方向的二个部位区域。

上述剥离用带供给部34由带保持辊44、设于该带保持辊44与剥离头33间的驱动辊45、在与该驱动辊45间夹入剥离用带T的夹紧辊46、及对驱动辊45施加回转驱动力的电动机M构成。另一方面，带卷取部35由图中未示出的电动机朝卷取方向进行回转驱动的卷取辊48和设于与上述剥离头33的上部导向辊38间的多个辊49至53构成。另外，剥离头座36由上下升降机构57和一轴机械手机构58构成；该上下升降机构57包括导轨55和缸56，该导轨55沿上下方向对支承上述带保持辊44和剥离头33的构架F进行引导，该缸56使构架F上下升降；该一轴机械手机构58使上述构架F在前后方向(图8中左右方向)移动，使剥离头33相对上述工件中心C进退。

上述剥离头33处于非作动位置时，在片基材S的晶片接合片DS的面的下方位置处于在后方待机的位置，当对剥离区域A2进行剥离时，前进到晶片接合片DS的下面侧，使热块42上升到剥离区域A2的面。

上述粘贴机构19如图4和图5所示那样，由片基材S的送出装置60、卷取片基材S的罩片PS的卷取装置61、支承晶片W的粘贴台62、及将晶片接合片DS的粘贴区域A1推压到晶片W的背面的推压装置63构成。

上述送出装置60由对卷绕成筒状的片基材S进行支承的支承辊65、对片基材S施加送出力的上游侧的驱动辊66、将片基材S夹入到与该驱动辊66间的夹紧辊67、配置于驱动辊66与支承辊65间的两个导向辊68、69、及配置于夹紧辊67的轴线位置下方并将片基材S保持在预先设定的高度位置的位置调整辊70构成。另外，罩片PS的卷取装置61由卷取辊72、卷取驱动辊73、及两个导向辊74、75构成。片基材S在剥离了罩片PS的状态下在上述夹紧辊67位置被剥离，卷取到卷取辊72。因此，通过夹紧辊67位置的片基材S在成为基片BS与晶片接合片DS的二层的状态下朝通过上述工件中心C的方向送出。

上述粘贴台62还如图10和图11示出的那样，包括台主体77、使该台主体77朝上下方向升降的缸78、支承该缸78的中间台79、支承该中间台79的基台80、沿片基材S的送出方向D使这些中间台79和基台80进退的导轨81、82、及沿这些导轨81、82对中间台79和基台80施加驱动力的图中未示出的缸装置。在这里，在台主体77的下面侧如图11所示那样，设有加热装置84。该加热装置84为将台主体77控制为预定温度的装置，以将上述粘贴区域A1粘贴到晶片W，该温度可相应于晶片接合片DS的特性任意地改变设定。

上述台主体77如图11所示那样，当晶片W的表面(电路形成面)成为下面侧地支承该晶片W时，具有沿其外缘的闭环状的凸状环部86，由构成该凸状环部86内侧的凹状空间形成晶片W的吸附空间87。在吸附空间87的底部形成吸附孔87A，该吸附孔87A连接到图中未示出的减压泵。本实施形式的台主体77以弹性材料例如橡胶作为成形材料而形成，同时，凸状环部86的凸部宽度W2(参照图11)设定为约2mm左右，在该凸部的外周缘与晶片W的外周缘大体一致的状态下对该晶片W进行吸附并支承。因此，即使在晶片W的表面将凸块形成到晶片W的外周缘附近区域，也可不与该凸块干涉地支承晶片W。凸状环部86的凸部高度H设定为与凸块的高度大致对应的高度，在本实施形式中，设定为约0.45mm。因此，成为在对吸附支承着晶片W时凸块的下端大致接触吸附空间87的底部的程度，即使吸附力作用，通过台主体77的弹力对其进行吸收，从而不会对凸块产生损伤。上述凸部宽度W2和高度H可相应于对应的晶片W进行设定。

与上述粘贴台62相互作用的推压装置63如图4和图5所示那样，由固定用辊89和压辊90构成。这些固定用辊89和压辊90位于基片BS上面侧，可上下升降地设置，压辊90构成为加热器内装类型，同时，可沿基片BS的长度方向(送出方向D)移动地设置，由该移动将上述粘贴区域A1保持为预定温度，同时，可施加粘贴压力，将该粘贴区域A1粘贴到晶片W的面。

上述第2剥离机构20具有：支承上述切断力施加辊29的冷却装置93，在该冷却装置93下方位于片基材S下面侧的剥离台94，从粘贴区域A1剥离片基材S的基片BS的一对剥离辊96、97，对由这些剥离辊96、97剥离的基片BS进行引导的导向辊98，由电动机M1进行回转的驱动辊99，夹入片基材S的夹紧辊100，导向辊101，及卷取基片BS的卷取辊102。在这里，由成为上述上游侧的驱动辊66和成为下游侧的上述驱动辊99将片基材S保持为预定张力地控制。

上述冷却装置93作为相对于将粘贴区域A1粘贴于晶片W时的温度相对地使温度下降的温度调整装置起作用。该冷却装置93由下面侧构成为吸附面的冷却板105和设于该冷却板105上的温度调整部106构成，可沿配置于片基材S宽度方向后方的轨107经由升降缸108升降地受到支承，同时，经由配置于轨107后方的缸109可朝片基材S宽度方向移动地设置。冷却装置93在冷却板105的大致中心设定于工件中心C上的状态下进行上下升降地设置。

上述剥离台94如图4所示那样，在非作动时保持为退避到片基材S的送出方向下游侧的位置，另一方面，在作动时，中心移动到位于上述工件中心C的位置。该剥离台94构成上面侧实质上与粘贴台62的台主体77实质上大致相同的构造，对位于该剥离台94上的晶片W进行吸附并支承。剥离台94可如图5所示那样经由升降机构110可升降地设置。

上述剥离辊96、97在基片BS通过它们间的状态下可朝基片BS的送出方向上游侧移动地设置，这样，在由剥离台94吸附着晶片W的状态下，剥离辊96、97移动到图12中右侧，从而将粘贴区域A1残留于晶片W的面地从该粘贴区域A1剥离基片BS，由卷取辊99依次进行卷取。此时，晶片接合片DS的除上述剥离区域A2和上述粘贴区域A1以外的部分与基片BS一起被卷取。

下面，也参照图13至图18说明上述片粘贴装置10的整体的动作。

作为初期设定，拉出片基材S，从晶片接合片DS剥离罩片PS，将该罩片PS的引导端固定于卷取辊72。然后，将剥离了罩片PS后的片基材S的引导端固定到构成第2剥离机构20的卷取辊102。

在装置动作开始之前，粘贴台62、剥离台94处于图4中实线所示的待机位置，另外，冷却装置93处于工件中心C的片基材S的上方待机位置，切断机构15的台30处于工件中心C的片基材S的下方待机位置。

通过图中未示出的电源投入，输送机构12作动，从收容装置11的支座22吸附一片晶片W将其取出，移载到校准台27上。校准台27使晶片W在平面内回转，由传感器28检测定向平面W1，决定晶片W的位置或朝向。

当上述粘贴台62的台主体77的中心移动到工件中心C时，经由输送机构12移载进行了校准处理的晶片W，此后，台主体77移动到待机位置，在该待机位置按预定时间加热晶片W。

如图13所示那样，在晶片W在上述待机位置受到加热期间，切断机构15的台30上升，切断刀31上升到大致接触到片基材S(晶片接合片DS)的下面的位置。同时，冷却装置93经由缸109朝前方移动，同时，经由升降缸108下降，支承于冷却装置93后部下面侧的切断力施加辊29移动到接触于片基材S上面侧前端缘的位置。在该状态下，当由缸109使冷却装置93整体朝后方沿大致水平方向移动时，即朝横过片基材S的送出方向的宽度方向移动时，由上述切断刀31与切断力施加辊29夹入的区域的片基材S被切断(半切)，与构成切断刀31的第1至第3切断刀31A、31B、31C对应的切断线形成于晶片接合片DS(参照图3)。这样，在晶片接合片DS的区域内，形成与晶片W的平面形状对应的粘贴区域A1和与其送出方向后部侧(上游侧)邻接的带状的剥离区域A2。

当上述切断结束时，切断力施加辊29与冷却装置93一起返回到初期的待机位置，另一方面，切断机构15的台30也返回到待机位置。

然后，如图14至图17所示那样，第1剥离机构17作动，剥离头33从待机位置移动到剥离区域A2的正下方，同时，冷却装置93的冷却板105吸附基片BS的上面。然后，热块42上升，将剥离用带T部分地加热粘接在晶片接合片DS的剥离区域A2。这样将剥离用带T加热粘接到剥离区域A2后，剥离头33下降，卷取剥离用带T，从而如图17所示那样，将晶片接合片DS的邻接粘贴区域A1的送出方向后部区域剥离一定量，该剥离结束后，剥离头33返回到后方待机位置。

在进行了剥离区域A2的剥离的状态下，在待机位置受到加热的晶片W如图18所示那样，在载置于粘贴台62的状态下输送到工件中心C位置。当台主体77上升时(参照图18(A))，构成推压装置63的固定用辊89和压辊90下降到基片BS的上面位置(参照图18(B))，固定用辊89固定为对基片BS朝下方施加推压力的状态，另一方面，压辊90一边回转一边朝上述送出方向下游侧移动(参照图18(C))，对基片BS施加推压力，使上述粘贴区域A1粘贴到晶片W的面上，然后，稍上升，返回到送出方向上游侧。该粘贴动作中的片基材S由上述上游侧的驱动辊66和下游侧的驱动辊99保持为预定张力地受到控制。

当进行了粘贴区域A1的粘贴时，冷却装置93下降，夹入片基材S地吸附晶片W，上述台主体77解除吸附，下降而返回到待机位置，但此时由于晶片W粘贴于晶片接合片DS的粘贴区域A1，所以，晶片W残留于晶片接合片DS的下面侧，在此期间，将晶片W和片基材S冷却到设定温度。

并且，在粘贴于晶片接合片DS下面、残留于工件中心的晶片W的下面侧，构成第2剥离机构20的剥离台94从上述待机位置移动上升到工件中心C位置。当由剥离台94吸附晶片W时，如图12所示那样，剥离辊96、97朝基片BS的送出方向上游侧移动，同时，基片BS从粘贴区域A1剥离，由卷取辊102依次卷取。此时，晶片接合片DS的除去上述粘贴区域A1和剥离区域A2的残留区域与基片BS一起被卷取。

然后，输送机构12吸附晶片W的上面侧，一边使其翻转，一边将晶片W收容于收容装置11的支座22，结束片粘贴的一连串工序。

如以上那样，用于实施本发明的最佳构成、方法等由上述记载所公开，但本发明并不限于此。

即，本发明虽然主要关于特定的实施形式进行图示和说明，但不脱离本发明技术思想和目的范围，即可对以上说明的实施形式在形状、位置或配置等方面根据需要由本领域技术人员进行各种改变。

例如，上述第1剥离机构17不限于图示构成例，只要可对剥离区域A2进行剥离即可。具体地说，也可经由剥离板对剥离区域A2进行锐角剥离。另外，对于沿剥离区域A2的上述送出方向的长度，只要具有从沿粘贴区域A1的上述送出方向的中间到与该粘贴区域A1后端往送出方向上游侧离开预定距离的位置的长度即可。

另外，在上述实施形式中，晶片W形成为具有定向平面W1的形状，但在外周缘形成有V形切口的晶片也可成为对象。在该场合，在第1切断刀31A形成与V形切口对应的刀的区域即可。另外，不限于被粘接体为晶片W的场合，也可将晶片以外的板状体形成为被粘接体。

另外，片基材S不限于具有晶片接合片DS，只要为热敏粘接性的粘接片即可，例如，也可为用于保护被粘接体的面的热敏粘接性的保护片。另外，也可为公开于日本特开2002-280329号的保护膜形成用的片或干式光刻胶膜。

另外，在上述实施形式中，示出热敏粘接性的晶片接合片的适用例，所以，说明了具有加热装置或冷却装置的片粘贴装置，但在为没有热敏粘接性的其它片的场合，不需要加热装置、冷却装置。

另外，剥离区域A2形成于粘贴区域A1的送出方向上游侧，但在通过压辊90从送出方向下游侧朝上游侧移动从而将粘贴区域A1粘贴到晶片W的构成的场合，剥离区域A2形成于上述送出方向下游侧。这是因为，已经通过实验明确，当在围住粘贴区域A1的粘贴开始侧的区域存在晶片接合片DS时，即使由切断刀31进行切断，发生再粘接的倾向也增强，另一方面，即使不剥离围住粘贴区域A1的粘贴结束侧的晶片接合片DS，上述再粘接也不发生。这样的倾向被推断是这样引起的，即，如图18(B)所示那样，在上述压辊90下降了的粘贴动作的初期阶段，晶片W与粘贴区域A1的上述送出方向上游侧缘相互接触的时间相对长一些。即，本发明在一边沿粘贴区域A1的面从晶片W一端侧朝另一端侧施加推压力一边粘贴的场合，若在成为该推压力的施加开始侧的区域形成上述剥离区域A2而将其剥离，则不会产生上述再粘接的问题，剥离最小限的区域即可。

另外，在上述实施形式中，粘贴台62形成为具有中间台79、基台80、及导轨81、82、加热装置84等的构成，本发明并不限于此，只要台主体79为可在待机位置与工件中心C间移动的构成，则可进行各种改变。

Claims (15)

1.一种片粘贴装置，使用片基材，该片基材包括呈带状连续的基片和设在该基片一面上的粘贴用叠层片，在送出该片基材的过程中将叠层片切割成被粘接体的平面形状，形成粘贴区域，将该粘贴区域粘贴到所述被粘接体；其特征在于：

包括输送机构、切断机构、第1剥离机构、粘贴机构、及第2剥离机构；该输送机构从所述被粘接体的收容装置每次一个地取出该被粘接体进行输送；该切断机构对应于被粘接体的平面形状切断所述叠层片，形成所述粘贴区域，同时，在邻接于该粘贴区域的位置沿宽度方向切断所述叠层片的沿送出方向的前后，形成剥离区域；该第1剥离机构剥离所述剥离区域；该粘贴机构包括粘贴台，该粘贴台对被粘接体进行支承，将所述粘贴区域粘贴于该被粘接体；该第2剥离机构从粘贴区域剥离所述基片；

所述输送机构、切断机构、粘贴机构、第1及第2剥离机构将相对于被依次送出的片基材预先设定的共同的处理位置作为工件中心，以相互不干涉的方式可移动地设置着。

2.根据权利要求1所述的片粘贴装置，其特征在于：所述切断机构具有第1切断刀、第2切断刀、及第3切断刀；该第1切断刀沿被粘接体的外缘呈环形设置；该第2切断刀在从该第1切断刀向片基材送出方向上游侧离开的位置沿宽度方向切断所述叠层片；该第3切断刀与所述第1切断刀连续，同时，在所述第2切断刀的送出方向下游侧大体平行于该第2切断刀地配置着；

由所述第1切断刀形成所述粘贴区域，另一方面，由第1切断刀的一部分及所述第2及第3切断刀形成所述剥离区域，由第1剥离机构剥离该剥离区域后，将所述粘贴区域粘贴到被粘接体上。

3.根据权利要求2所述的片粘贴装置，其特征在于：所述第1切断刀与所述第3切断刀没有接缝地相互连续设置着。

4.根据权利要求2所述的片粘贴装置，其特征在于：所述切断机构还包括台，所述第1、第2及第3切断刀一体形成于所述台的上面侧。

5.根据权利要求4所述的片粘贴装置，其特征在于：所述第1、第2及第3切断刀通过对所述台的上面侧进行腐蚀处理而形成。

6.根据权利要求1所述的片粘贴装置，其特征在于：所述第1剥离机构包括可使剥离用带沿横过片基材送出方向的宽度方向行走地对其进行支承的剥离头，通过将所述剥离用带粘接于所述剥离区域，使所述剥离用带行走，从而从所述基片剥离所述剥离区域。

7.根据权利要求6所述的片粘贴装置，其特征在于：所述第1剥离头由热块构成，由该热块将所述剥离用带热粘接到剥离区域。

8.根据权利要求7所述的片粘贴装置，其特征在于：所述热块配置在所述剥离区域的沿宽度方向的多个部位。

9.根据权利要求1所述的片粘贴装置，其特征在于：所述被粘接体是在表面上设置有凸块的半导体晶片，

所述粘贴台具有沿晶片外缘的闭环状的凸状环部，该凸状环部在使半导体晶片的凸块形成面成为下面侧地支承着该半导体晶片时不与所述凸块干涉。

10.根据权利要求9所述的片粘贴装置，其特征在于：所述凸状环部的凸部高度设成为与凸块高度大致对应的高度。

11.根据权利要求9或10所述的片粘贴装置，其特征在于：所述粘贴台将所述凸状环部的内侧构成为半导体晶片的吸附空间，同时，将弹性材料作为成形材料而形成。

12.根据权利要求1所述的片粘贴装置，其特征在于：所述被粘接体是半导体晶片，所述叠层片是热敏粘接性的晶片接合片。

13.一种片粘贴方法，使用片基材，该片基材包括呈带状连续的基片和设在该基片的一面上的粘贴用叠层片；在送出该片基材的过程中，将叠层片切割成被粘接体的平面形状，形成粘贴区域，将该粘贴区域粘贴到所述被粘接体；其特征在于：

包括：由输送机构每次一个地取出所述被粘接体的工序，在所述叠层片形成粘贴区域和剥离区域的切断工序，剥离所述剥离区域的第1剥离工序，将粘贴区域粘贴于被粘接体的粘贴工序，从粘贴区域剥离所述基片的第2剥离工序；

所述切断工序通过同时进行第1切断、第2切断、及第3切断而实现；该第1切断是沿被粘接体外缘没有接缝地切断叠层片，形成粘贴区域；该第2切断是在从该第1切断位置向片基材送出方向上游侧离开的位置沿宽度方向切断所述叠层片；该第3切断是与所述第1切断线连续，同时，在所述第2切断位置的送出方向下游侧朝与该第2切断大致平行的方向切断叠层片；

由所述第1切断形成粘贴区域，另一方面，由第1切断的一部分与所述第2及第3切断形成剥离区域；

在由第1剥离机构剥离所述剥离区域后，将所述粘贴区域粘贴于被粘接体；

使所述粘贴区域残留于被粘接体地从粘贴区域剥离所述片基材。

14.根据权利要求13所述的片粘贴方法，其特征在于：所述第1及第3切断没有接缝地连续设置。

15.根据权利要求13或14所述的片粘贴方法，其特征在于：在停止所述基片的送出的状态下，将预先设定的共同的处理位置作为工件中心，依次进行所述切断、粘贴区域的粘贴、第1及第2剥离。

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