CN1921052A

CN1921052A - 电子发射元件、电子发射显示器及制造方法

Info

Publication number: CN1921052A
Application number: CNA2006101159025A
Authority: CN
Inventors: 黄成渊
Original assignee: Samsung SDI Co Ltd
Current assignee: Samsung SDI Co Ltd
Priority date: 2005-08-26
Filing date: 2006-08-17
Publication date: 2007-02-28
Also published as: EP1758147A3; EP1758147A2; DE602006005434D1; KR101107134B1; JP4602295B2; KR20070024136A; US20070046175A1; US7626323B2; EP1758147B1; JP2007066892A

Abstract

本发明提供了一种电子发射元件，该电子发射元件具有至少一个电极、电子发射区以及用于将所述电极与所述电子发射区电连接的电阻层。所述电阻层由金属氧化物材料和金属氮化物材料中的一种形成。

Description

电子发射元件、电子发射显示器及制造方法

技术领域

本发明涉及一种电子发射显示器，更具体地讲，涉及一种具有电阻层的电子发射元件以及具有这种电子发射元件的电子发射显示器。

背景技术

通常，电子发射元件被分为采用热阴极作为电子发射源的电子发射元件和采用冷阴极作为电子发射源的电子发射元件。存在几种类型的冷阴极电子发射元件，包括场发射阵列(FEA)元件、表面传导发射(SCE)元件、金属-绝缘体-金属(MIM)元件和金属-绝缘体-半导体(MIS)元件。

FEA元件包括电子发射区和作为驱动电极的阴极和栅电极。电子发射区由具有相对低的功函数或者相对大的长径比(aspect ratio)的材料形成，例如由含碳材料或者纳米尺寸的材料形成，从而当对真空氛围中的电子发射区施加电场时，电子能被有效地发射。

采用FEA元件的典型的电子发射显示器包括：第一基底，电子发射区和阴极、栅电极设置在第一基底上；第二基底，磷光层和阳极设置在第二基底上。电子发射区与阴极电连接，栅电极位于阴极上方，绝缘层位于栅电极和阴极之间。

以上述结构，当对阴极和栅电极施加预定的驱动电压时，在像素区中的电子发射区形成电场，其中，该像素区由阴极和栅电极之间的叠置区限定。如果在像素区中，阴极和栅电极之间的电压差高于阈值，则将从电子发射区发射电子。发射的电子被施加了高电压的阳极吸引，与对应像素区的磷光层碰撞，从而激发磷光层。

然而，当对阴极或栅电极施加不稳定的驱动电压时，或者由于阴极或栅电极的内电阻引起电压降时，或者电子发射区和驱动电极制造不精确时，在对各个像素区的电子发射区施加的电场之间会存在强度差。

具体地讲，当阴极由透明导电材料例如氧化铟锡(ITO)形成时，为了在电子发射区的形成过程中应用后表面曝光工艺，这种阴极要具有比由金属导电材料形成的阴极的电阻高的电阻。

像素区之间的上述电场强度差引起像素区之间的电子发射的量的差。这使得像素的亮度均匀性劣化，从而显示器的质量劣化。

发明内容

因此，本发明的一个目的是提供一种改进的电子发射元件、采用该改进的电子发射元件的显示装置以及制造该改进的电子发射元件和显示装置的工艺。

本发明的另一个目的是提供一种改进了像素的电子发射均匀性的电子发射元件、具有该电子发射元件的电子发射显示器以及制造包括该电子发射元件的电子发射单元的方法。

在本发明的示例性实施例中，电子发射元件可被构造为具有：至少一个电极；电子发射区；电阻层，用于将电极与电子发射区电连接，电阻层可由金属氧化物材料或金属氮化物材料形成。

金属氧化物材料或金属氮化物材料可包含从Cr、Mo、Nb、Ni、W、Ta、Al、Pt及它们的组合的组中选择的金属。

电极可包括第一电极和与第一电极分开的第二电极。电子发射区形成在第一电极上。

第一电极可由透明导电材料形成，第二电极由金属形成。另外，金属氧化物材料或金属氮化物材料可包含与形成第二电极的金属相同的金属。

在另一示例性实施例中，电子发射显示器可被构造为具有：第一基底和第二基底，彼此面对；阴极，形成在第一基底上；电子发射区，与阴极电连接；电阻层，电连接到阴极和电子发射区；扩散阻挡层，形成在第一基底上并覆盖阴极，扩散阻挡层具有位于与电子发射区对应的位置处的开口；栅电极，形成在扩散阻挡层的上方，绝缘层位于扩散阻挡层和栅电极之间，栅电极具有位于与电子发射区对应的的位置处的开口；磷光层，形成在第二基底上；阳极，形成在磷光层上。

电阻层可由金属氧化物材料或者金属氮化物材料形成。

扩散阻挡层可包括从SiO₂、TiO、Si₃N₄、TiN以及它们的组合的组中选择的绝缘材料。

阴极可包括第一电极和与第一电极分开的第二电极，电子发射区可形成在第一电极上。

第二电极可具有第一电极位于其中的开口，电阻层可形成在第一电极的两侧。

所述电子发射显示器还可包括布置在第二电极的开口中的附加的第一电极以及与第一电极电互连的附加的电阻层。

所述电子发射显示器还可包括形成在栅电极上方的聚集电极，绝缘层位于聚集电极和栅电极之间。

在又一示例性实施例中，提供了一种制造包括电子发射元件的电子发射单元的方法，包括的步骤为：意图在基底上形成第一电极，第一电极由透明导电材料形成；在基底上形成第二电极，第二电极接触第一电极并且由金属形成；在基底上形成扩散阻挡层；在扩散阻挡层中形成第一开口和第二开口，第一开口暴露第一电极的一部分，第二开口暴露第二电极的一部分；通过氧化或氮化第二电极的暴露部分形成电阻层。

所述方法还可包括在形成电阻层的过程中在基底上方形成绝缘层。

形成绝缘层的步骤可包括在基底上涂覆氧化物材料并且干燥和煅烧氧化物材料，在这个过程中，第二电极被第二开口暴露的部分被氧化，从而形成由金属氧化物材料形成的电阻层。

可选地，形成绝缘层的步骤可包括在基底上涂覆氮化物材料并且干燥和煅烧氮化物材料，在这个过程中，第二电极被第二开口暴露的部分被氮化，从而形成由金属氮化物材料形成的电阻层。

透明导电材料可为ITO或IZO(氧化铟锌)，金属从Cr、Mo、Nb、W、Ta、Al、Pt及它们的组合的组中选择。

附图说明

当结合附图考虑并参照下面的详细描述时，本发明的更完整地理解及本发明的许多附加优点将容易理解并且本发明变得更好理解，附图中，相同的标号表示相同或相似的组件，附图中：

图1是被构造作为本发明实施例的电子发射显示器的局部分解透视图；

图2是图1的电子发射显示器的局部剖视图；

图3是图1的电子发射显示器的电子发射单元的局部俯视图；

图4是被构造作为本发明另一实施例的电子发射显示器的电子发射单元的局部俯视图；

图5是被构造作为本发明又一实施例的电子发射显示器的电子发射单元的局部俯视图；

图6是被构造作为本发明又一实施例的电子发射显示器的局部剖视图；

图7A至图7I是示出制造图3的电子发射单元的方法的示意图。

具体实施方式

现在，将参照附图来更充分地描述本发明，附图中示出了本发明的示例性实施例。

图1至图3示出了被构造作为根据本发明原理的一个实施例的电子发射显示器。

现在，参照图1至图3，被构造作为本发明实施例的电子发射显示器包括第一基底10和第二基底12。密封件(未示出)设置在第一基底10和第二基底12的外围，以将第一基底10和第二基底12密封在一起，从而形成密封的真空容器。该真空容器的内部真空等级被保持在大约10^-6托。

电子发射单元100A形成在面向第二基底12的第一基底10的表面上，发光单元102形成在面向第一基底10的第二基底12的表面上。发光单元102发射由从电子发射单元100A发射的电子产生的可见光。

在电子发射单元100A中，在y轴方向(见图1)上，以带状图案均匀地分开形成的阴极14布置在第一基底10上。

在本实施例中，阴极14包括第一电极16和与第一电极16分开的第二电极18。第二电极18设置有开口181，第一电极16设置在开口181中。

第一电极16可由透明导电材料例如ITO(氧化铟锡)和IZO(氧化铟锌)形成。第二电极18可由金属例如Cr、Mo、Nb、Ni、W、Ta、Al、Pt以及它们的组合形成，每个第二电极18具有比第一电极16的电阻低的电阻。

电子发射区20形成在每个第一电极16上，第一电极16通过电阻层22与第二电极18电连接。因此，当对第二电极18施加驱动电压时，电子发射区20通过电阻层22和第一电极16接收发射电子所需的电流。电阻层22可具有大约10³～10⁵Ωcm的比电阻。

电子发射区20可由当对真空气氛中的电子发射区20施加电场时能发射电子的含碳材料或者纳米尺寸的材料形成。例如，电子发射区20可由碳纳米管、石墨、石墨纳米纤维、金刚石、仿钻结晶碳、富勒烯(C₆₀)、硅纳米线或者它们的组合形成。电子发射区20可通过网版印刷工艺、化学气相沉积工艺、直接生长工艺或者溅射工艺形成。

在本实施例中，电阻层22可由金属氧化物材料或金属氮化物材料形成，上述金属氧化物或金属氮化物材料可包括从Cr、Mo、Nb、Ni、W、Ta、Al、Pt及它们的组合的组中选择的金属。特别地，电阻层22可包含与在第二电极18中所包含的金属相同的金属。

用于电阻层22的金属氧化物材料和金属氮化物材料是具有相对较高热阻的金属陶瓷。因此，即使经历高温工艺之后，本实施例的电阻层22也具有稳定的质量和恒定的比电阻。

第一电极16和第二电极18位于第一基底10上，电阻层22从各第一电极16的两侧向第二电极18延伸。各电阻层22的电阻值可通过改变第一电极16和第二电极18之间的距离“d”或者电阻层22的宽度“w”(见图3)来控制。

电阻层22不仅可接触相应的第一电极16的侧表面，而且可接触第二电极18的侧表面。

可选地，如图2中所示，电阻层22可叠置到相应的第一电极16的顶部表面的一部分上。在第二种情况下，由于电阻层22和相应的第一电极16之间的接触面积增大，所以相对于第一种情况，可进一步减小电阻层22和相应的第一电极16之间的接触电阻。

在图中，尽管第一电极16以矩形形状形成并且沿着第二电极18的纵轴布置在第二电极18的开口181中，电子发射区20以圆形形状形成并且位于各个第一电极16上，但是本发明不限于此。换而言之，第一电极16和电子发射区20的形状以及第一电极16的布置可适当地改变。

扩散阻挡层24形成在第一基底10上，以覆盖阴极14。扩散阻挡层24防止第二电极18的金属材料向随后将描述的绝缘层26扩散，抑制了绝缘层26的电阻劣化。

扩散阻挡层24可由从氧化物材料例如SiO₂和TiO、氮化物材料例如Si₃N₄和TiN及它们的组合的组中选择的绝缘材料形成。

形成在第一基底10上的扩散阻挡层24设置有与电子发射区20对应的第一开口241，以暴露电子发射区20。另外，扩散阻挡层24可选择性地设置有与电阻层22对应的第二开口242，以暴露电阻层22。在本实施例中，第一开口241和第二开口242都形成在扩散阻挡层24中。

绝缘层26通过例如所谓的薄膜工艺例如网版印刷工艺形成在扩散阻挡层24上，使得绝缘层26具有3μm以上的厚度，例如具有大约3-10μm的厚度。

栅电极28形成在绝缘层26上并且以直角与阴极14交叉。阴极14和栅电极28的交叉区域限定像素区。开口181、第一电极16、电子发射区20对应于交叉区域(即，像素区)排列。

与电子发射区20对应的开口261和281分别形成在绝缘层26和栅电极28中，从而可暴露第一基底10上的电子发射区20。绝缘层26的开口261和栅电极28的开口281可分别以其直径大于电子发射区20的宽度但小于第二电极18的开口181的宽度的圆形形状形成。

在发光单元102中，磷光层30例如红色(R)磷光层30R、绿色(G)磷光层30G和蓝色(B)磷光层30B形成在面向第一基底10的第二基底12的表面上，用于提高屏幕的对比度的黑色层32布置在R磷光层30R、G磷光层30G和B磷光层30B之间。

阴极14和栅电极28的每个交叉区域与单一颜色磷光层对应。磷光层可以以带状图案在纵向方向(例如，图1中的y轴方向)延伸地形成。

由导电材料例如铝形成的阳极34形成在磷光层30和黑色层32上。阳极34通过接收对电子发射区20中产生的电子束加速所需的高电压来提高屏幕亮度，并且向第二基底12反射从磷光层30向第一基底10辐射的可见光。

可选地，阳极34可由透明导电材料例如氧化铟锡(ITO)来代替金属材料形成。在这种情况下，阳极位于第二基底12上，磷光层30和黑色层32形成在阳极34上。

在第一基底10和第二基底12之间设置用于抵抗外力并均匀地保持第一基底10和第二基底12之间的间隙的分隔件36(见图2)。分隔件36与黑色层32对应地布置，从而分隔件36不阻挡磷光层30。

在上述电子发射显示器中，位于一个像素区中的第一电极16、第二电极18、电子发射区20、电阻层22、扩散阻挡层24、绝缘层26和栅电极28构成一个电子发射元件104。

当对阴极14、栅极28和阳极34施加预定电压时，驱动上述电子发射显示器。

例如，阴极14和栅电极28中的一个作为接收扫描驱动电压的扫描电极，另一个作为接收数据驱动电压的数据电极。阳极34接收将加速电子束的例如几百至几千伏的直流(DC)电压。

接着，在阴极14和栅电极28之间的电压差高于阈值的像素区中，在电子发射区20周围形成电场，从而从电子发射区20发射电子。由于对阳极34施加高电压使得发射的电子撞击对应像素区的磷光层30，从而激发磷光层30。

在上述驱动过程期间，电阻层22均匀地控制对电子发射区20施加的电流的强度。因此，在本实施例的电子发射显示器中，即使当施加不稳定的驱动电压时，或者电子发射区20的形状一致性不好时，来自各电子发射区20的发射电流也能是均匀的。结果，可提高像素的发光均匀性。

另外，由于阴极14的第二电极18具有相对较低的电阻，所以可有效抑制阴极14的电压降和信号变形。

图4是被构造作为本发明另一实施例的电子发射显示器的电子发射单元的局部俯视图。

参照图4，本实施例的电子发射单元100B基本上包括参照图1至图3描述的前述实施例的元件，还包括附加的电阻层38，以提供第一电极16之间的电互连。在此处，扩散阻挡层24′包括暴露电子发射区20的第一开口241、暴露电阻层22的第二开口242以及暴露附加电阻层38的第三开口243。

在本实施例中，即使当位于由开口181限定的相对较小的区域中的多个第一电极16未对准时，通过附加电阻层38以及通过电阻层22也能够可靠地实现第一电极16之间的电互连。因此，能防止第一电极16和第二电极18之间的断开导致的产品缺陷。

图5是被构造作为本发明又一实施例的电子发射显示器的电子发射单元的局部俯视图。

参照图5，在本实施例的电子发射单元100C中，省略图1的第一电极并且电子发射区20直接形成在第一基底上。电子发射区20通过电阻层22′与第二电极18电连接。

换而言之，电阻层22′被布置为在电子发射区20的两侧接触电子发射区20和第二电极18的侧表面。扩散阻挡层24″可设置有不仅能暴露电子发射区20而且能暴露电阻层22′的开口244。

图6是被构造作为本发明又一实施例的电子发射显示器的局部剖视图。

参照图6，除了参照图1至图3描述的前述实施例的元件之外，本实施例的电子发射显示器包括形成在栅电极28上的附加绝缘层40以及形成在附加绝缘层40上的聚集电极42。

电子束通过其穿过的开口401和421分别形成在附加绝缘层40和聚集电极42中。

形成在聚集电极42中的开口421可与各像素区对应，以总体上聚集从各个像素区发射的电子。可选地，形成在聚集电极42中的开口421可与各电子发射区20对应，以分别聚集从各电子发射区20发射的电子。

现在，将参照图7A至图7I来描述制造图3的电子发射单元的方法。

首先参照图7A和图7B，第一电极16采用ITO或IZO形成在第一基底10上。第一电极16可以以矩形形状形成并且在y轴(见图7B)方向沿着第一基底10彼此平行地布置。

参照图7C和图7D，金属层采用从Cr、Mo、Nb、Ni、W、Ta、Al、Pt以及它们的组合的组中选择的金属形成在第一基底10上，金属层以预定图案形成，产生第二电极18。

第二电极18以分开的带状图案形成并且在第一电极16布置的方向上延伸。每个第二电极18被图案化为具有第一电极16布置在其中的开口181。第二电极18从第一电极16的两侧延伸，接触第一电极16，从而形成具有第一电极16和第二电极18的阴极14。

参照图7E，扩散阻挡层24形成在第一基底10上，以覆盖第一电极16和第二电极18。扩散阻挡层24可包含从氧化物材料例如SiO₂和TiO、氮化物材料例如Si₃N₄和TiN以及它们的组合的组中选择的绝缘材料。扩散阻挡层24可通过所谓的薄膜工艺例如溅射工艺形成为具有大约0.1～1μm的厚度。

参照图7F，通过传统的光刻工艺来处理扩散阻挡层24，以形成暴露各第一电极16的一部分的第一开口241以及暴露第二电极18的一部分的第二开口242。

在随后的步骤中，通过第一开口241，电子发射区20将形成在各第一电极16的暴露部分上，通过第二开口242，电阻层22将形成在第二电极18的暴露部分上。

参照图7G，绝缘材料例如氧化物材料或氮化物材料涂覆在第一基底10上，干燥并煅烧涂覆的材料，形成绝缘层26。可通过网版印刷工艺进行绝缘材料的涂覆，绝缘材料的煅烧温度可为大约540～570℃。绝缘层26可具有大约3～10μm的厚度。

当煅烧绝缘层26时，扩散阻挡层24防止第二电极18的金属材料扩散到绝缘层26中，从而抑制了绝缘层26的电阻劣化。在绝缘层26的煅烧工艺期间，第二电极18被扩散阻挡层24的第二开口242暴露的部分被氧化或氮化，形成电阻层22。

换而言之，当绝缘层26由氧化物材料形成时，在绝缘层26的煅烧工艺期间，第二电极18接触绝缘层26的部分被氧化，从而由金属氧化物材料形成电阻层22。可选地，当绝缘层由氮化物材料形成时，在绝缘层26的煅烧工艺期间，第二电极18接触绝缘层26的部分被氮化，从而由金属氮化物材料形成电阻层22。

可选地，可通过在形成扩散阻挡层24和绝缘层26之前氧化或者氮化第二电极18和第一电极16之间的接触部分来形成电阻层22。在这种情况下，扩散阻挡层24可仅设置有暴露电子发射区的第一开口241。

参照图7H，金属层44形成在绝缘层26上，通过传统的光刻工艺，与阴极14和金属层44的交叉区域对应的开口281形成在金属层44中。

每个开口281的直径大于扩散阻挡层24的第一开口241的宽度，但小于第二电极18的开口181的宽度。

参照图7I，通过蚀刻绝缘层26被开口281暴露的部分，开口261形成在绝缘层26中。通过光刻工艺将金属层44处理为带状图案，从而栅电极28和阴极14以直角交叉形成。

接着，通过扩散阻挡层24的第一开口241，电子发射区20形成在各第一电极16上。

通过印刷由用有机材料例如粘合剂混合载色料形成的膏，在各第一电极16上形成电子发射区20，干燥并煅烧印刷的膏。

可选地，可用所述膏混合感光材料。所得混合物网版印刷到第一基底10上，对第一基底10的后表面照射紫外线，通过第一基底10和第一电极16，来硬化印刷混合物被照射紫外光的部分。在这种情况下，第一基底10形成有透明玻璃，第一电极16形成有透明导电材料。通过显影工艺去除印刷的混合物未被硬化的部分，干燥并煅烧剩余的印刷混合物，从而形成电子发射区20。

可选地，电子发射区20可通过直接生长、化学气相沉积或溅射形成。

根据上述方法，由于第二电极18的部分在绝缘层26的煅烧工艺期间被相转换为电阻层22，所以可省略用于形成电阻层22的附加层以及将附加层图案化的工艺，从而简化了制造工艺。另外，可有效防止可由电阻层的未对准引起的第一电极16和第二电极18之间的断开。

尽管参照图3的电子发射单元描述了制造方法，但是应该理解，图4的电子发射单元可通过改变第二电极的形状以及在扩散阻挡层中形成第三开口来容易地制造。

还应该理解的是，根据本发明的原理，图5的电子发射单元可通过省略用于形成第一电极的工艺并且增加电阻层的长度来容易地制造。另外，还将理解的是，图6的电子发射单元可通过在绝缘层和栅电极上形成附加的绝缘层和聚集电极以及在附加绝缘层和聚集电极中形成开口来容易地制造。

尽管上面已经详细描述了本发明的示例性实施例，但是应该清楚地理解，这里所教导的基本发明构思的许多变形和/或修改仍将落入如权利要求限定的本发明的精神和范围内。

Claims

1、一种电子发射元件，包括：

至少一个电极；

电子发射区；

电阻层，用于将所述电极与所述电子发射区电连接，所述电阻层由金属氧化物材料和金属氮化物材料中的一种形成。

2、如权利要求1所述的电子发射元件，所述金属氧化物材料和所述金属氮化物材料包含从基本上由Cr、Mo、Nb、Ni、W、Ta、Al、Pt及它们的组合组成的组中选择的金属。

3、如权利要求1所述的电子发射元件，所述电极包括第一电极和与所述第一电极分开的第二电极，所述电子发射区形成在所述第一电极上。

4、如权利要求3所述的电子发射元件，所述第一电极由透明导电材料形成，所述第二电极由金属形成。

5、如权利要求4所述的电子发射元件，所述金属氧化物材料和所述金属氮化物材料中的所述一种包含与所述第二电极的金属相同的金属。

6、一种电子发射显示器，包括：

第一基底和第二基底，彼此面对；

阴极，形成在所述第一基底上；

电子发射区，与所述阴极电连接；

电阻层，电连接到所述阴极和所述电子发射区；

扩散阻挡层，形成在所述第一基底上，所述扩散阻挡层覆盖所述阴极并且具有与所述电子发射区对应的开口；

栅电极，形成在所述扩散阻挡层的上方，绝缘层位于所述栅电极和所述扩散阻挡层之间，所述栅电极和所述绝缘层都具有与所述电子发射区对应的开口；

磷光层，形成在所述第二基底上；

阳极，形成在所述磷光层的一个表面上。

7、如权利要求6所述的电子发射显示器，所述电阻层由金属氧化物材料或者金属氮化物材料中的一种形成。

8、如权利要求7所述的电子发射显示器，所述金属氧化物材料和所述金属氮化物材料包含从基本上由Cr、Mo、Nb、Ni、W、Ta、Al、Pt及它们的组合组成的组中选择的金属。

9、如权利要求6所述的电子发射显示器，所述扩散阻挡层包括从基本上由SiO₂、TiO、Si₃N₄、TiN以及它们的组合组成的组中选择的绝缘材料。

10、如权利要求9所述的电子发射显示器，所述扩散阻挡层的高度低于所述电子发射区的高度。

11、如权利要求6所述的电子发射显示器，所述阴极包括第一电极和与所述第一电极分开的第二电极，所述电子发射区形成在所述第一电极上。

12、如权利要求11所述的电子发射显示器，所述第一电极由透明导电材料形成，所述第二电极由金属形成。

13、如权利要求6所述的电子发射显示器，所述电阻层由金属氧化物材料和金属氮化物材料中的一种形成，所述金属氧化物材料和所述金属氮化物材料中的所述一种包含与所述第二电极的金属相同的金属。

14、如权利要求11所述的电子发射显示器，所述第二电极具有容纳所述第一电极的开口，所述电阻层形成在所述第一电极的两侧。

15、如权利要求14所述的电子发射显示器，还包括布置在所述第二电极的开口中的附加的第一电极以及与所述第一电极电互连的附加的电阻层。

16、如权利要求6所述的电子发射显示器，还包括形成在所述栅电极上方的聚集电极，绝缘层位于所述聚集电极和所述栅电极之间。

17、一种制造用于电子发射显示器的电子发射单元的方法，包括的步骤为：

在基底上形成第一电极，所述第一电极由透明导电材料形成；

在所述基底上形成第二电极，所述第二电极接触所述第一电极并且由金属形成；

在所述基底上形成扩散阻挡层；

在所述扩散阻挡层中形成第一开口和第二开口，所述第一开口暴露所述第一电极的一部分，所述第二开口暴露所述第二电极的一部分；

通过氧化或氮化所述第二电极的暴露部分形成电阻层。

18、如权利要求17所述的方法，还包括在所述基底上方形成绝缘层，在这个过程中，形成所述电阻层。

19、如权利要求18所述的方法，其中，形成所述绝缘层的步骤包括在所述基底上涂覆氧化物材料并且干燥和煅烧所述氧化物材料，在这个过程中，所述第二电极被所述第二开口暴露的部分被氧化从而由金属氧化物材料形成所述电阻层。

20、如权利要求18所述的方法，其中，形成所述绝缘层的步骤包括在所述基底上涂覆氮化物材料并且干燥和煅烧所述氮化物材料，在这个过程中，所述第二电极被所述第二开口暴露的部分被氮化从而由金属氮化物材料形成所述电阻层。

21、如权利要求17所述的方法，所述透明导电材料从氧化铟锡和氧化铟锌中选择一种，所述金属从基本上由Cr、Mo、Nb、W、Ta、Al、Pt及它们的组合组成的组中选择。

22、如权利要求11所述的电子发射显示器，所述第二电极的电阻低于所述第一电极的电阻。