CN1909752A - 有机el元件激光修复方法及激光修复装置 - Google Patents

Abstract

提供一种通过精确掌握有机EL元件的缺陷区的位置，用激光局部照射缺陷区，使存在区陷区的象素在不丧失该象素内的有机EL元件的全部功能的条件下，既保留缺陷部分以外的有机EL元件的发光功能，又只局部修复该象素内的有机EL元件中的有缺陷区的方法和装置。测定有机EL元件的电压电流特性，通过比较该电压电流特性与规定的基准电压电流特性，判定有无漏泄电流，通过给有机EL元件施加低于发光阈值的电压，取得漏泄发光图像，通过给漏泄发光部分照射激光进行修复，当通过给有机EL元件施加低于阈值电压而未发现漏泄发光图像，以及当通过测定的电压电流特性，发现漏泄电流减少了时可确认已正确修复。

Description

有机EL元件激光修复方法及激光修复装置

技术领域

本发明涉及采用激光修复有机EL元件的缺陷区的修复方法以及修复装置。

背景技术

近年来，作为显示装置使用有机EL(Electro Luminescence)元件的有机EL显示装置倍受关注。该有机EL元件是一种自发光元件，具有视角宽，无需背光，耗电很少，应答速度也快的优点。

有机EL元件具有下述结构：在阳极和阴极之间夹着一层具有发光功能的有机EL层，而该有机EL层又由空穴转移层，发光层以及电子转移层层叠而成。

有机EL显示装置可通过将该有机EL元件以矩阵形配置于基板上而构成。

该有机EL元件的缺陷大多是因为在制造过程中有机EL层中混进异物而生成的。作为修复此种有缺陷的有机EL元件的现用的方法及装置有通过给缺陷区照射激光修复的修复方法和装置。由于此种现用的激光修复方法及装置没有精确且局部掌握缺陷区的方法和手段，因而采用现用的激光修复方法及装置进行的修复往往使该存在缺陷的整个象素丧失功能。

经过分析带此种缺陷的有机EL元件的故障原因，结果证明由于有机EL层中存在混进的异物，阳极和阴极间的电阻值与正常的有机EL元件相比大多情况下要小，在此情况下，由于该象素的一部分上存在缺陷区，电流通过缺陷区流动从而使该象素的阳极和阴间的电位差变小，同时有机EL元件的缺陷区以外的正常部分也会因此而不能进行正常发光。在此情况下如果能通过精确掌握缺陷区位置进行仅对存在异物的部分进行局部高阻化修复就能阻止电流通过缺陷部分在阳极和阴极间流动。这样一来即可恢复阴极和阳极间的电位差，使有机EL元件的缺陷部分以外的正常部分再次发光，通过使此种局部缺陷局部高阻化，即可不丧失象素整体功能，有效修复有机EL元件。

发明内容

因此，本发明的课题是提供一种精确掌握缺陷区位置，通过激光照射局部的缺陷区使缺陷区高阻化，使存在缺陷的象素不丧失象素整体功能地得到修复的修复方法和修复装置。

为了解决上述课题，权利要求1所述的发明是一种发现有机EL元件的缺陷区之后通过给缺陷区照射激光进行修复的修复方法，其特征在于，该修复方法包括以下步骤：(a)通过给上述有机EL元件施加低于发光阈值的电压(下面也称之为“低于阈值电压”)即不大于阈值的电压取得施加上述低于阈值电压时的上述有机EL元件的图像(下面也称之为“低于阈值的元件图像”)；(b)通过观察上述步骤(a)中取得的上述低于阈值的元件图像，当在上述低于阈值的元件图像中发现了发光的图像(下面也称之为“漏泄发光图像”)的情况下，通过用鼠标点击显示该发现的漏泄发光图像的显示装置上的该漏泄发光图像，即可掌握与该发现的漏泄发光图像对应的有机EL元件的该漏泄发光位置的位置信息，根据该位置信息，用激光照射与该漏泄发光图像对应的上述有机EL元件的发光位置，当未能发现漏泄发光图像时即结束该方法；(c)对在上述步骤(b)中照射了激光的上述有机EL元件再次施加上述低于阈值电压，取得施加上述低于阈值电压状态下的上述有机EL元件的上述低于阈值的元件图像，通过在上述低于阈值的元件图像中也未能发现上述步骤(b)中发现的上述漏泄发光图像，即可判定修复工作已正常完成。

此外，权利要求2所述的发明是一种发现有机EL元件的缺陷区之后通过给缺陷区照射激光进行修复的修复方法，其特征在于，该修复方法包括以下步骤：(a)通过给上述有机EL元件施加发光阈值电压(下面也称之为“发光电压”)，取得施加上述发光电压时的上述有机EL元件的正常的发光图像(下面也称之为“正常发光图像”)；(b)通过给上述有机EL元件施加上述低于阈值电压，取得施加上述低于阈值电压时的上述低于阈值的元件图像；(c)边参考上述步骤(a)中取得的上述正常发光图像边观察上述步骤(b)中取得的上述低于阈值的元件图像，当在上述低于阈值图像中发现了上述漏泄发光图像的情况下，通过用鼠标点击显示该发现的漏泄发光图像的显示装置上的该漏泄发光图像，即可掌握与该发现的漏泄发光图像对应的有机EL元件的该漏泄发光位置的位置信息，根据该位置信息，用激光照射与该漏泄发光图像对应的上述有机EL元件的发光位置，当未能发现漏泄发光图像时即结束该方法；(d)通过给在上述步骤(c)中照射过激光的上述有机EL元件再次施加上述低于阈值电压取得施加上述低于阈值电压时的上述有机EL元件的上述低于阈值的元件图像，通过在上述低于阈值的元件图像之中仍未能发现上述步骤(c)中发现的上述漏泄发光图像即可判定修复工作已正常完成。

此外，权利要求3所述的发明是一种发现有机EL元件的缺陷区之后通过给缺陷区照射激光进行修复的修复方法，其特征在于，该修复方法包括以下步骤：(a)取得上述有机EL元件的电压电流特性，根据该电压电流特性取得漏泄电流值；(b)通过给上述有机EL元件施加低于发光阈值的电压，取得施加上述低于阈值电压时的上述有机EL元件的上述低于阈值的元件图像；(c)观察在上述步骤(a)中取得的施加上述低于阈值电压时的上述低于阈值的元件图像，当在上述低于阈值的元件图像中发现了上述漏泄发光图像时，通过用鼠标点击显示发现的漏泄发光图像的显示装置上的该漏泄发光图像，即可掌握与该发现的漏泄发光图像对应的有机EL元件的该漏泄发光位置的位置信息，根据该位置信息，用激光照射与该漏泄发光图像对应的上述有机EL元件的发光位置，当未能发现漏泄发光图像时即结束该方法；(d)通过给在上述步骤(c)中照射过激光的上述有机EL元件再次施加上述抵于阈值电压，取得施加上述低于阈值电压时的上述低于阈值的元件图像，根据有无上述步骤(c)中发现的上述漏泄发光图像判定激光照射效果；(e)取得上述步骤(c)中照射过激光的上述有机EL元件的电压电流特性之后再取得漏泄电流值，根据该漏泄电流值较之上述步骤(a)中取得的漏泄电流的减少程度判定激光照射效果。

此外，权利要求4所述的发明是一种发现有机EL元件的缺陷区之后通过给缺陷区照射激光进行修复的修复方法，其特征在于，该修复方法包括以下步骤：(a)取得上述有机EL元件的电压电流特性，根据该电压电流特性取得漏泄电流值；(b)通过给上述有机EL元件施加上述发光电压，取得施加上述发光电压时的上述有机EL元件的上述正常发光图像；(c)通过给上述有机EL元件施加上述低于阈值电压，取得施加上述低于阈值电压时的上述有机EL元件的上述低于阈值的元件图像；(d)观察在上述步骤(c)中取得的施加上述低于阈值电压时的上述低于阈值图像，当在上述低于阈值的元件图像中发现了上述漏泄发光图像情况下，通过用鼠标点击显示发现的漏泄发光图像的显示装置上的该漏泄发光图像，掌握与该发现的漏泄发光图像对应的有机EL元件的该漏泄发光位置的位置信息，根据该位置信息，用激光照射与该漏泄发光图像对应的上述有机EL元件的发光位置，当未能发现情况下结束该方法；(e)对在上述步骤(d)中照射过激光的上述有机EL元件再次施加上述低于阈值电压，取得施加上述低于阈值电压时的上述低于阈值的元件图像并进行观察，当发现了上述步骤(d)中发现的上述漏泄发光图像时，通过用鼠标点击该再次发现的漏泄发光图像，掌握与该发现的漏泄发光图像对应的有机EL元件的漏泄发光位置的位置信息，根据该信息再次用激光照射与该漏泄发光图像对应的上述有机EL元件的发光位置，当未能发现时前进到下一步骤；(f)通过对在上述步骤(d)或步骤(e)中照射过激光的上述有机EL元件再次施加上述发光电压，取得施加上述发光电压时的上述有机EL元件的上述正常发光图像，将该正常发光图像与在上述步骤(b)中取得上述正常发光图像进行比较，当未能发现新的漏泄发光图像时前进到下一步骤，当在上述正常发光图像中发现了新的漏泄发光图像时退回步骤(c)；(g)通过取得在上述步骤(d)中照射了激光的上述有机EL元件的电压电流特性，取得漏泄电流值，当该漏泄电流值低于上述步骤(a)中取得的漏泄电流值时结束该方法，当不低于时退回步骤(c)。

此外，权利要求5所述的发明涉及权利要求1至4所述的修复方法，其特征在于：上述低于阈值电压是指0V以上，且低于上述有机EL元件正常情况下的发光电压的开始电压的电压。

此外，权利要求6所述的发明涉及权利要求1至4所述的修复方法，其特征在于：上述低于阈值电压是指反向偏压，电压值为0V以上，同时低于上述有机EL元件的反向偏压所对应的规定耐压值。

此外，权利要求7所述的发明是一种修复有机EL元件的修复装置，其特征在于，该修复装置包括以下手段(装置)：保持修复对象的上述有机EL元件的手段(下文中也称之为“有机EL元件保持手段”)；给上述有机EL元件施加电压的手段(下文中也称之为“电压施加手段”)；拍摄施加了上述电压的上述有机EL元件图像的摄像手段(下文中也称之为“摄像手段”)；通过用鼠标点击显示由上述摄像装置拍摄的有机EL元件图像的显示装置上的该图像的一处，掌握与该图像的一处对应的有机EL元件的一处的位置信息的手段(下文中也称之为“点击位置掌握手段”)；给上述有机EL元件照射激光的手段(下文中也称之为“激光照射手段”)。

此外，权利要求8所述的发明是一种修复有机EL元件的修复装置，其特征在于，该修复装置包括以下手段(装置)：保持修复对象的上述有机EL元件的上述有机EL元件保持手段；给上述有机EL元件施加电压的上述电压施加手段；测定上述有机EL元件的电压电流特性的测定手段(下文中也称之为“电压电流特性测定手段”)；拍摄施加了上述电压的上述有机EL元件图像的上述摄像手段；通过用鼠标点击显示由上述摄像装置拍摄的有机EL元件图像的显示装置上的该图像的一处，掌握与该图像的一处对应的有机EL元件的一处的位置信息的点击位置掌握手段；给上述有机EL元件照射激光的激光照射手段。

此外，权利要求9所述的发明是一种修复有机EL元件的修复装置，其特征在于，具有下述各种手段：保持修复对象的上述有机EL元件的上述有机EL元件保持手段；给上述有机EL元件施加电压的上述电压施加手段；拍摄施加了上述电压的上述有机EL元件图像的上述摄像手段；通过用鼠标点击显示由上述摄像装置拍摄的有机EL元件图像的显示装置上的该图像的一处，掌握与该图像的一处对应的有机EL元件的一处的位置信息的点击位置掌握手段；给上述有机EL元件照射激光的激光照射手段；采用下述构成：当上述激光照射手段在上述摄像手段拍摄的低于阈值的元件图像中发现了上述漏泄发光图像时，可根据上述点击位置掌握手段掌握的，上述漏泄发光图像的有机EL元件中的位置信息，给上述漏泄发光图像所对应的上述有机EL元件的漏泄发光处照射激光。

此外，权利要求10所述的发明涉及权利要求7至9所述的修复装置，其特征在于：上述低于阈值电压是指0V以上，低于上述有机EL元件正常情况下发光电压的开始电压的电压。

此外，权利要求11所述的发明涉及权利要求7至9所述的修复装置，其特征在于：上述低于阈值电压是指反向偏压，该电压为0以上，同时低于上述有机EL元件的反向偏压对应的规定的耐压。

权利要求12所述的发明涉及一种发现有机EL元件的缺陷区之后通过给缺陷区照射激光进行修复的修复方法，其特征在于，该修复方法包括以下步骤：

(a)通过给上述有机EL元件施加低于发光阈值的电压取得施加上述低于阈值电压状态时的上述有机EL元件的图像；

(b)通过观察上述步骤(a)中取得的上述低于阈值的元件图像，当在上述低于阈值的元件图像中发现了发光的图像的情况下，用激光照射与该漏泄发光图像对应的上述有机EL元件的发光位置，当未能发现漏泄发光图像时即结束该方法；

(c)对在上述步骤(b)中照射了激光的上述有机EL元件再次施加上述低于阈值电压，取得施加上述低于阈值电压状态下的上述有机EL元件的上述低于阈值的元件图像，通过在上述低于阈值的元件图像中也未能发现上述步骤(b)中发现的上述漏泄发光图像，即可判定修复工作已正常完成。

权利要求13所述的发明涉及一种修复有机EL元件的修复装置，其特征在于包括：

保持作为修复对象的上述有机EL元件的保持手段；

给上述有机EL元件施加上述有机EL元件的阈值以下电压的电压施加手段；

拍摄施加了上述阈值以下电压的上述有机EL元件图像的摄像手段；

对应于显示由上述摄像装置拍摄的有机EL元件图像的显示装置上的亮点，对上述有机EL元件的对应位置照射激光的激光照射手段。

若采用权利要求1所述的发明，由于通过给有机EL元件施加低于阈值电压，用CCD相机拍摄该有机EL元件的低于阈值的元件图像，发现漏泄发光图像时，用鼠标点击显示装置所显示的该漏泄发光图像，即可精确掌握与该漏泄发光图像对应的有机EL元件上的位置，通过给该位置照射激光，即可仅对该缺陷区进行局部高阻化修复，通过该修复可阻止电流通过该缺陷部分在阴极和阳极间流动，因而可恢复阴极和阳极间的电位差，使有机EL元件的缺陷部分以外的正常部分重新开始发光。这样一来，通过使局部缺陷或局部高阻化即可使存在缺陷的象素中，该缺陷部分的功能丧失，而不丧失该缺陷部分以外的部分的功能，有效修复有机EL元件。

此外，若采用权利要求2所述的发明，除具有权利要求1所述的发明效果之外，还可通过给有机EL元件施加阈值电压，用CCD摄像机拍摄正常的发光图像，并边参考该拍摄的图像边发现与分析漏泄发光，更加有效地发现与判断漏泄发光图像。

此外，若采用权利要求3所述的发明，除具有权利要求1所述的发明效果之外，还可通过取得有机EL元件的电压电流特性掌握漏泄电流值，并参考漏泄电流值判定有无漏泄发光，从而更准确地发现漏泄发光。此外，可通过在照射激光后再次取得电压电流特性，再次取得漏泄电流值，并与照射激光前的漏泄电流值进行比较，确认漏泄电流值是否减少，从而更准确地判定通过照射激光是否正确地修复了缺陷区。

此外，若采用权利要求4所述的发明，除具有权利要求3所述的发明效果之外，还可通过给有机EL元件施加阈值电压，用CCD摄像机拍摄正常发光的发光图像，边参考该拍摄的图像边发现与分析漏泄发光，从而更有效地发现与判断漏泄发光图像。此外，通过根据需要反复进行漏泄发光图像的检查和激光照射修复，以及修复工作是否正确地进行了的判断工序，可获得发现更细微的缺陷区，增加可修复的可能性的效果。

此外，若采用权利要求5所述的发明，除具有权利要求1至4所述的发明效果之外，还可通过发现只在上述特定的低于阈值电压下漏泄发光的缺陷区，找到更多的缺陷区易产生漏泄发光的电压，通过用该电压进行检查可改善发现缺陷区的作业效率。

此外，若采用权利要求6所述的发明，除具有权利要求1至4所述的发明效果之外，还可通过发现一给有机EL元件的电极施加反向偏压即产生漏泄发光的缺陷区，以及找到更多的缺陷区易产生漏泄发光的反向偏压电压，用该电压进行检查可改善发现缺陷区的作业效率。

此外，由于通过采用与权利要求7所述的发明有关的检查装置，即可用同一装置且连续进行发现缺陷和激光照射修复，因而不必进行有机EL元件的重新设置及位置调整，可使修复作业的效率大幅度提高。此外，在用现有的激光照射装置进行修复的情况下，要想在修复后确认是否进行了正确的修复，不得不重新设置到检查装置上，调整位置后进行检查。与之相反，当用与权利要求7所述的发明有关的检查装置时，可在照射激光后保持在该状态下直接确认修复效果。由此不仅可使修复作业的效率大幅度提高，还可直接确认修复效果，当修复不充分时可通过马上返工等使修复失误等减少，从而使有机EL元件的质量提高。

此外，若采用权利要求8所述的发明，除具有权利要求7所述的发明效果之外，还具有可在发现有机EL元件的缺陷区的工序中参考有机EL元件的电压电流特性的效果。

此外，若采用权利要求9所述的发明，除具有权利要求8中所述的发明效果之外，还可更高效地照射激光。

此外，若采用权利要求10所述的发明，除具有权利要求7至9中所述的效果之外，还可通过发现仅在特定的上述低于阈值电压下产生漏泄发光的缺陷区，以及找出更多的缺陷区易产生漏泄发光的电压，用该电压进行检查可改善发现缺陷区的作业效率。

此外，若采用权利要求11所述的发明，除具有权利要求7至9中所述的效果之外，还可通过发现一给有机EL元件的电极施加反向偏压即产生漏泄发光的缺陷区，以及找出更多的缺陷区易产生漏泄发光的反向偏压，用该电压进行检查可改善发现缺陷区的作业效率。

若采用权利要求12所述的发明，通过给上述有机EL元件施加低于发光阈值的电压，利用CCD摄像机取得施加上述低于阈值电压时的上述有机EL元件的图像，发现了漏泄发光图像后，用激光照射与显示器上显示的该漏泄发光图像对应的上述有机EL元件的缺陷部位，可进行只对缺陷部分的局部高电阻化的修复，该修复能阻止电流通过缺陷部分从阳极向阴极流过，其结果恢复了阴极与阳极之间的电位差，使有机EL元件缺陷部分以外的正常部分重新开始发光。这样，通过对局部缺陷进行局部高阻化，能有效地修复有机EL元件，使存在该缺陷的像素中，该缺陷部分的功能失去但对该缺陷以外的部分功能无损。

若采用权利要求13所述的发明，使用权利要求13限定的本发明检查装置，可以用同一装置连续地进行缺陷部的发现与照射激光进行修复，而无需改动有机EL元件固定设置、位置调整等，从而能显著提高修复操作的效率。而利用以往的激光照射装置进行修复的情况中，为了在修复后确认是否是正确的修复必须再次通过相对检查装置改动固定设置、调整位置等而进行检查。与此相反，使用权利要求13所述的本发明检查装置的情况中，在照射激光后，就可立即在原状态下确认修复的效果。由于这一特点，可以显著提高修复工作效率，同时由于直接确认修复的效果，在不理想时立即重做等，可以减少误修复等，从而带来有机EL元件品质的提高。

而且，使用权利要求13所述的本发明检查装置，通过给上述有机EL元件施加低于发光阈值的电压，利用CCD摄像机取得施加上述低于阈值电压时的上述有机EL元件的图像，发现了漏泄发光图像后，用激光照射与显示器上显示的该漏泄发光图像对应的上述有机EL元件的缺陷部位，可进行只对缺陷部分的局部高电阻化的修复，该修复能阻止电流通过缺陷部分从阳极向阴极流过，其结果恢复了阴极与阳极之间的电位差，使有机EL元件缺陷部分以外的正常部分重新开始发光。这样，通过对局部缺陷进行局部高阻化，能有效地修复有机EL元件，使存在该缺陷的像素中，该缺陷部分的功能失去但对该缺陷以外的部分功能无损。

附图说明

图1是表示本发明的实施方式1涉及的检查装置构成的框图。

图2是对带缺陷区的有机EL元件通过照射激光进行了修复的实施例中的表示照射激光前后的低于阈值的元件图像的图。图2(a)是在实施例中，照射激光前的低于阈值的元件图像。图2(b)是在实施例中，照射激光后的低于阈值的元件图像。

图3是对造成漏泄发光图像原因的缺陷区照射激光前后的有机EL元件的电压电流特性。

图4是表示本发明的实施方式2涉及的修复方法的流程图。

具体实施方式

下面参照附图说明用来实施本发明的最佳实施方式。

(实施方式1)

图1是表示本发明的实施方式1涉及的检查装置构成的框图。

本发明的实施方式1涉及的检查装置包括控制计算机101、显示装置102、保持器110、探针107、源表103、摄像器105、激光照射器111以及激光调整器112。控制计算机101控制显示装置102、保持器110、探针107、源表103以及摄像器105。修复对象的有机EL元件109设置在保持器110之上，通过探针107与源表103电气性连接。源表103受控制计算机101的控制，将指令的电压通过探针107施加给有机EL元件109。此外，源表103受控制计算机101的控制，测定有机EL元件109的电压电流特性，并将测出的数据发送给控制计算机101。摄像器105包括显微镜108以及高敏度CCD摄像机106，按照控制计算机101的指令在规定条件下拍摄有机EL元件109的图像，把摄像数据发送给控制计算机101。显示装置102根据控制计算机101的指令，把摄像器105拍摄的图像显示到画面上。保持器110带有XY平台，根据控制计算机101的指令在X方向以及Y方向上独立移动。

激光照射器111给保持在保持器上的有机EL元件109照射激光。激光束照射的位置固定，但由于保持器110在XY方向上独立移动，因而可给有机EL元件的任意位置照射激光束。

控制计算机101控制保持器110XY方向上的移动的同时还一直将保持器110的位置作为与基准位置的XY方向上的位置差来掌握。此外，由于摄像器106的中心轴固定，因而要想改变有机EL元件内的摄像位置时，与照射激光时相同，保持器110在XY方向上移动。在此情况下控制计算机101要想改变摄像位置时，同样将从基准位置移动的距离作为XY方向各自对应的保持器位置数据来掌握保持器110。此外，一用鼠标点击显示在显示装置102上的图像的一处，控制计算机101即根据点击时的保持器110的上述保持器位置数据，计算用鼠标点击的有机EL元件上的位置数据，掌握并存储上述点击位置。

激光照射器111当用激光束照射与显示装置上显示的图像的点击位置对应的有机EL元件上的位置时，控制计算机101根据上述点击位置使保持有机EL元件的保持器110移动之后照射激光。

(实施方式1的效果)

通过使用本发明的实施方式1涉及的检查装置，不仅可发现有机EL元件上的缺陷区，还可精确掌握缺陷区的位置，当发现了时不必将有机EL元件重新设定在保持器110上即可给缺陷区照射激光。而现用的发现缺陷区的检查机是与激光照射装置不同的装置，需将有机EL元件重新设置在激光照射装置上，此外还需另行调整缺陷区的位置，因而修复作业的效率很差。若采用本发明的实施方式1涉及的检查装置，由于可用同一装置发现缺陷区和照射激光，并且可连续进行，因而不必重新设置有机EL元件也不必调整位置，可使修复作业的效率大幅度提高。此外，当用现用的激光照射装置进行修复的情况下，要想在修复之后确认是否进行了正确的修复，必须重新设置在检查装置上，调整位置之后才能进行检查。与之相反，当采用本发明的实施方式1涉及的检查装置的情况下，照射激光后可在该状态下直接确认修复效果。仅就此点而言，若采用本发明的实施方式1涉及的检查装置，即可使修复作业的效率大幅度提高的同时直接确认修复效果，当修复不充分时，通过马上重新进行修复等可使修复失误减少，还可使有机EL元件的质量提高。

(实施方式2)

下面说明本发明的实施方式2涉及的修复方法。

图4是表示本发明的实施方式2涉及的修复方法的流程图。下面边参照图4和图1边加以说明。首先，把修复对象的有机EL元件设置到保持器110上，用源表103取得有机EL元件109的电压电流特性，将该电压电流特性与根据正常的有机EL元件的电压电流特性确定的基准电压电流特性进行比较，判定修复对象的有机EL元件中是否有所谓的漏泄电流流动，取得漏泄电流值(S401)。当此处存在漏泄电流的情况下，即可认为修复对象的有机EL元件存在某种缺陷区的可能性很大。

接着，给有机EL元件109施加开始发光的阈值电压，用摄像器105的CCD摄像机106和显微镜108拍摄有机EL元件109的发光图像(S402)。

接着，通过给有机EL元件109施加低于阈值电压，取得低于阈值的发光图像(S403)。

接着，观察该低于阈值的发光图像之中有无与周围相比辉度高的图像(S404)。当有机EL元件109没有缺陷区的情况下，施加低于阈值电压时不发光。然而当因有缺陷区本不应有电流流过该缺陷区而形成所谓漏泄电流的情况下，该位置虽很微弱但仍会发光，其发光部位的辉度比周围高，其结果形成辉点而被观察到。下面根据实例说明该辉点。图2表示通过给带缺陷区的有机EL元件照射激光进行修复的实例中，照射激光前后的低于阈值的元件图像。图2(a)是在实例中对带缺陷区的有机EL元件施加低于阈值电压取得的低于阈值的元件图像。在该低于阈值的元件图像的中央部位可发现漏泄发光图像201。

当未能发现漏泄发光图像的情况下结束。当发现漏泄发光图像的情况下，用鼠标点击显示在显示装置102上的该低于阈值的元件图像中的该漏泄发光图像。通过该点击，控制计算机101精确掌握有机EL元件109的与该漏泄发光图像对应的区陷区的位置信息(S405)。若用图2加以说明则用鼠标点击漏泄发光图像201。

接着，对有机EL元件109的与该漏泄发光图像对应的缺陷区照射激光(S406)。在图1所示的修复装置之中，由于激光照射器的光轴固定，因而通过根据该位置信息靠XY平台移动保持器110，使该缺陷区移动到该光轴前面后给该缺陷区照射激光。然而有些方式也可不移动保持器110，而是使用移动该激光照射器光轴的装置。若用图2加以说明，则是给与漏泄发光图像201对应的有机EL元件上的点照射激光。

接着，通过给照射过激光的有机EL元件再次施加低于阈值电压，通过摄像器105取得低于阈值的元件图像(S407)。

接着，检查与该低于阈值的元件图像照射过激光部分对应的位置上有无漏泄发光图像。在图2的实施例中，通过对漏泄发光图像201照射激光，缺陷区变成了黑点202。当象图2的实施例所示，未能发现漏泄发光图像的情况下，通过施加阈值电压取得正常发光图像(S409)。不施加低于阈值电压而是施加阈值电压的理由是不妨认为造成漏泄发光图像的起因的缺陷区已被正确修复，但为了慎重起见因而通过施加阈值电压确认有机EL元件可进行正常的发光。另一方面，当发现了漏泄发光图像的情况下，再次对漏泄发光图像照射激光(S408)。这是因为还不能判定为已进行了正确修复。

接着，在步骤S408之中，未发现漏泄发光图像，施加阈值电压后观察正常发光图像，确认发光图像中无异常(S410)。当认为异常的情况下退回步骤S403。这是因为由于照射激光产生了新的缺陷。或存在漏掉的其它缺陷区。

当发光无异常情况下，再测定一下电压电流特性，取得漏泄电流值(S411)。接着将测出的电流值与照射激光前取得的漏泄电流值进行比较(S412)。这是为了通过比较漏泄电流值判定修复效果。在漏泄电流值是减少的情况下，就可确认被正确修复。当未减少时退回步骤S403(S412)。这是为了重新进行缺陷区检查和修复。

下面通过实例说明采用该漏泄电流对修复效果的确认。

图3是对造成漏泄发光图像原因的缺陷区照射激光前和后的有机EL元件的电压电流特性。图3之中301是表示对缺陷区照射激光前的有机EL元件的电压电流特性的曲线图。302是表示对缺陷区照射激光后的有机EL元件的电压电流特性的曲线图。若比较一下曲线301和曲线302，即可确认通过给缺陷区照射激光，照射激光前的电流在照射激光后几乎变为没有。此外，该曲线302与其它不带缺陷区的其它有机EL元件的曲线相同。

(实施方式2的效果)

若采用本发明的实施方式2涉及的修复方法，由于可连续进行发现缺陷区、激光照射修复、以及确认激光照射效果，因而不仅可使修复效率大幅度提高，还可发现不能连续进行时漏掉的缺陷区，与现用的激光修复方法相比，不仅可大幅度降低修复成本还可望提高有机EL元件的质量。此外，由于现用的激光修复法不能精确掌握缺陷区的位置和大小，因而经过修复往往会使整个象素黑点化。但是如果采用本发明的实施方式2涉及的修复方法，由于可精确掌握缺陷区的位置和大小，通过仅将缺陷区局部黑点化，当存在缺陷区时可通过修复使不能正常发光的部分重新发光。

Claims (13)

1、一种发现有机EL元件的缺陷区之后通过给缺陷区照射激光进行修复的修复方法，其特征在于，该修复方法包括以下步骤：

(a)通过给上述有机EL元件施加低于发光阈值的电压(下面也称之为“低于阈值电压”)取得施加上述低于阈值电压时的上述有机EL元件的图像(下面也称之为“低于阈值的元件图像”)；

(b)通过观察上述步骤(a)中取得的上述低于阈值的元件图像，当在上述低于阈值的元件图像中发现了发光的图像(下面也称之为“漏泄发光图像”)的情况下，通过用鼠标点击显示该发现的漏泄发光图像的显示装置上的该漏泄发光图像，即可掌握与该发现的漏泄发光图像对应的有机EL元件的该漏泄发光位置的位置信息，根据该位置信息，用激光照射与该漏泄发光图像对应的上述有机EL元件的发光位置，当未能发现漏泄发光图像时即结束该方法；

(c)对在上述步骤(b)中照射了激光的上述有机EL元件再次施加上述低于阈值电压，取得施加上述低于阈值电压状态下的上述有机EL元件的上述低于阈值的元件图像，通过在上述低于阈值的元件图像中也未能发现上述步骤(b)中发现的上述漏泄发光图像，即可判定修复工作已正常完成。

2、一种发现有机EL元件的缺陷区之后通过给缺陷区照射激光进行修复的修复方法，其特征在于，该修复方法包括以下步骤：

(a)通过给上述有机EL元件施加发光阈值电压(下面也称之为“发光电压”)，取得施加上述发光电压时的上述有机EL元件的正常的发光图像(下面也称之为“正常发光图像”)；

(b)通过给上述有机EL元件施加上述低于阈值电压，取得施加上述低于阈值电压时的上述低于阈值的元件图像；

(c)边参考上述步骤(a)中取得的上述正常发光图像边观察上述步骤(b)中取得的上述低于阈值的元件图像，当在上述低于阈值图像中发现了上述漏泄发光图像的情况下，通过用鼠标点击显示该发现的漏泄发光图像的显示装置上的该漏泄发光图像，即可掌握与该发现的漏泄发光图像对应的有机EL元件的该漏泄发光位置的位置信息，根据该位置信息，用激光照射与该漏泄发光图像对应的上述有机EL元件的发光位置，当未能发现漏泄发光图像时即结束该方法；

(d)通过给在上述步骤(c)中照射过激光的上述有机EL元件再次施加上述低于阈值电压取得施加上述低于阈值电压时的上述有机EL元件的上述低于阈值的元件图像，通过在上述低于阈值的元件图像之中仍未能发现上述步骤(c)中发现的上述漏泄发光图像即可判定修复工作已正常完成。

3、一种发现有机EL元件的缺陷区之后通过给缺陷区照射激光进行修复的修复方法，其特征在于，该修复方法包括以下步骤：

(a)取得上述有机EL元件的电压电流特性，根据该电压电流特性取得漏泄电流值；

(b)通过给上述有机EL元件施加低于发光阈值的电压，取得施加上述低于阈值电压时的上述有机EL元件的上述低于阈值的元件图像；

(c)观察在上述步骤(b)中取得的施加上述低于阈值电压时的上述低于阈值的元件图像，当在上述低于阈值的元件图像中发现了上述漏泄发光图像时，通过用鼠标点击显示发现的漏泄发光图像的显示装置上的该漏泄发光图像，即可掌握与该发现的漏泄发光图像对应的有机EL元件的该漏泄发光位置的位置信息，根据该位置信息，用激光照射与该漏泄发光图像对应的上述有机EL元件的发光位置，当未能发现漏泄发光图像时即结束该方法；

(d)通过给在上述步骤(c)中照射过激光的上述有机EL元件再次施加上述低于阈值电压，取得施加上述低于阈值电压时的上述低于阈值的元件图像，根据在上述步骤(c)中发现的上述漏泄发光图像的有无判定激光照射效果；

(e)取得上述步骤(c)中照射过激光的上述有机EL元件的电压电流特性之后再取得漏泄电流值，根据该漏泄电流值较之上述步骤(a)中取得的漏泄电流的减少程度判定步骤(c)中激光照射效果。

4、一种发现有机EL元件的缺陷区之后通过给缺陷区照射激光进行修复的修复方法，其特征在于，该修复方法包括以下步骤：

(a)取得上述有机EL元件的电压电流特性，根据该电压电流特性取得漏泄电流值；

(b)通过给上述有机EL元件施加上述发光电压；取得施加上述发光电压时的上述有机EL元件的上述正常发光图像；

(c)通过给上述有机EL元件施加上述低于阈值电压，取得施加上述低于阈值电压时的上述有机EL元件的上述低于阈值的元件图像；

(d)观察在上述步骤(c)中取得的施加上述低于阈值电压时的上述低于阈值图像，当在上述低于阈值的元件图像中发现了上述漏泄发光图像情况下，通过用鼠标点击显示发现的漏泄发光图像的显示装置上的该漏泄发光图像，掌握与该发现的漏泄发光图像对应的有机EL元件的该漏泄发光位置的位置信息，根据该位置信息，用激光照射与该漏泄发光图像对应的上述有机EL元件的发光位置，当未能发现情况下结束该方法；

(e)对在上述步骤(d)中照射过激光的上述有机EL元件再次施加上述低于阈值电压，取得施加上述低于阈值电压时的上述低于阈值的元件图像并进行观察，当发现了上述步骤(d)中发现的上述漏泄发光图像时，通过用鼠标点击该再次发现的漏泄发光图像，掌握与该发现的漏泄发光图像对应的有机EL元件的漏泄发光位置的位置信息，根据该位置信息再次用激光照射与该漏泄发光图像对应的上述有机EL元件的发光位置，当未能发现时前进到下一步骤；

(f)通过对在上述步骤(d)或步骤(e)中照射过激光的上述有机EL元件再次施加上述发光电压，取得施加上述发光电压时的上述有机EL元件的上述正常发光图像，将该正常发光图像与在上述步骤(b)中取得上述正常发光图像进行比较，当未能发现新的漏泄发光图像时前进到下一步骤，当在上述正常发光图像中发现了新的漏泄发光图像时退回步骤(c)；

(g)通过取得在上述步骤(d)中照射了激光的上述有机EL元件的电压电流特性，取得漏泄电流值，当该漏泄电流值低于上述步骤(a)中取得的漏泄电流值时结束该方法，当不低于时退回步骤(c)。

5、根据权利要求1至4所述的修复方法，其特征在于：上述低于阈值电压是指0V以上，且低于上述有机EL元件正常情况下的发光电压的开始电压的电压。

6、根据权利要求1至4所述的修复方法，其特征在于：上述低于阈值电压是指反向偏压，电压值为0V以上，同时低于上述有机EL元件的反向偏压所对应的规定耐压值。

7、一种修复有机EL元件的修复装置，其特征在于，该修复装置包括以下手段：

保持修复对象的上述有机EL元件的手段(下文中也称之为“有机EL元件保持手段”)；

给上述有机EL元件施加电压的手段(下文中也称之为“电压施加手段”)；

拍摄施加了上述电压的上述有机EL元件图像的摄像手段(下文中也称之为“摄像手段”)；

通过用鼠标点击显示由上述摄像装置拍摄的有机EL元件图像的显示装置上的该图像的一处，掌握与该图像的一处对应的有机EL元件的一处的位置信息的手段(下文中也称之为“点击位置掌握手段”)；

给上述有机EL元件照射激光的手段(下文中也称之为“激光照射手段”)。

8、一种修复有机EL元件的修复装置，其特征在于，该修复装置包括以下手段：

保持修复对象的上述有机EL元件的上述有机EL元件保持手段；

给上述有机EL元件施加电压的上述电压施加手段；测定上述有机EL元件的电压电流特性的测定手段(下文中也称之为“电压电流特性测定手段”)；

拍摄施加了上述电压的上述有机EL元件图像的上述摄像手段；

通过用鼠标点击显示由上述摄像装置拍摄的有机EL元件图像的显示装置上的该图像的一处，掌握与该处对应的有机EL元件的一处的位置信息的点击位置掌握手段；

给上述有机EL元件照射激光的激光照射手段。

9、一种修复有机EL元件的修复装置，其特征在于，具有下述各种手段：

保持修复对象的上述有机EL元件的上述有机EL元件保持手段；

给上述有机EL元件施加电压的上述电压施加手段；

拍摄施加了上述电压的上述有机EL元件图像的上述摄像手段；

通过用鼠标点击显示由上述摄像装置拍摄的有机EL元件图像的显示装置上的该图像的一处，掌握与图像的一处对应的有机EL元件的一处的位置信息的点击位置掌握手段；

给上述有机EL元件照射激光的激光照射手段；

上述激光照射装置构成为：当上述激光照射手段在上述摄像手段拍摄的低于阈值的元件图像中发现了上述漏泄发光图像时，可根据上述点击位置掌握手段掌握的，上述漏泄发光图像的有机EL元件中的位置信息，给上述漏泄发光图像所对应的上述有机EL元件的漏泄发光处照射激光。

10、根据权利要求7至9所述的修复装置，其特征在于：上述低于阈值电压是指0V以上，低于上述有机EL元件正常情况下发光电压的开始电压的电压。

11、根据权利要求7至9所述的修复装置，其特征在于：上述低于阈值电压是指反向偏压，该电压为0V以上，同时低于上述有机EL元件的反向偏压对应的规定的耐压。

12、一种发现有机EL元件的缺陷区之后通过给缺陷区照射激光进行修复的修复方法，其特征在于，该修复方法包括以下步骤：

(a)通过给上述有机EL元件施加低于发光阈值的电压取得施加上述低于阈值电压状态时的上述有机EL元件的图像；

(b)通过观察上述步骤(a)中取得的上述低于阈值的元件图像，当在上述低于阈值的元件图像中发现了发光的图像的情况下，用激光照射与该漏泄发光图像对应的上述有机EL元件的发光位置，当未能发现漏泄发光图像时即结束该方法；

(c)对在上述步骤(b)中照射了激光的上述有机EL元件再次施加上述低于阈值电压，取得施加上述低于阈值电压状态下的上述有机EL元件的上述低于阈值的元件图像，通过在上述低于阈值的元件图像中也未能发现上述步骤(b)中发现的上述漏泄发光图像，即可判定修复工作已正常完成。

13、一种修复有机EL元件的修复装置，其特征在于包括：

保持作为修复对象的上述有机EL元件的保持手段；

给上述有机EL元件施加上述有机EL元件的阈值以下电压的电压施加手段；

拍摄施加了上述阈值以下电压的上述有机EL元件图像的摄像手段；

对应于显示由上述摄像装置拍摄的有机EL元件图像的显示装置上的亮点，对上述有机EL元件的对应位置照射激光的激光照射手段。

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