CN1908702A - 远紫外光刻反射器件及其制造方法 - Google Patents
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Abstract
一种反射器件可包括基板和形成在基板上的多反射层。该多反射层由能反射EUV射线的材料形成。通过堆叠多个层组可形成所述多反射层，每个层组都包括第一材料层、通过对第一材料层进行表面处理而获得的表面处理的层、和形成在该表面处理的层上的第二材料层。一种制造反射器件的方法包括制备基板和在基板上形成多反射层，该多反射层由能反射EUV射线的材料形成。通过重复形成层组来实施形成多反射层。形成该层组包括：形成第一材料层、对第一材料层进行表面处理、和在表面处理过的第一材料层上形成第二材料层。
Description
技术领域
本发明的示范性实施方案涉及用于远紫外光刻(EUVL)的反射器件及其制造方法。更具体地说，本发明的实施方案涉及具有反射远紫外(EUV)光的低内应力的反射层的反射器件、该反射器件的制造方法、和使用该反射器件的EUVL掩模、投影光学系统和EUVL设备。
背景技术
已经积极研究了涉及称作软X射线的EUV光的曝光波长的技术来用于半导体制造工艺的光刻工艺中，该技术是用于实现45nm或更小的光刻分辨率的曝光技术。在EUV光刻技术中，可使用具有短于100nm，例如大约13.5nm波长的EUV光。
由于大多数材料吸收EUV范围内的光，所以很难且/或不可能使用折射光学器件。因此，EUV曝光技术一般使用和/或需要反射EUV光的掩模。此外，一般使用和/或需要包括多个镜的投影光学系统来将掩模反射的EUV光导向晶片。EUV光可辐射到安装在一个室中的掩模上，且由掩模反射的EUV光可辐射到晶片上，由此形成对应于晶片上的掩模图案。
常规的反射器件(例如掩模和镜)具有多反射层，其中堆叠了多个不同层(例如钼/硅(Mo/Si)层)来反射EUV光。一般地，通过离子束溅射来形成所述多反射层。
然而，在常规的反射器件中，一般存在内应力，其可包括在可堆叠有多个Mo/Si双层的多反射层中引起相对强的挤压。因此，由于至少一部分内应力，会产生影响反射器件光学特性的变形。就是说，内应力会导致影响其光学特性的多反射层的相当大的变形，因而很难精确制造反射器件。例如，内应力会使反射器件的镜表面弯曲，其会导致图像变形。
在钼层1和硅层5之间界面处相互扩散层3的存在可导致内应力，如图1中所示。图2是示出通过离子束溅射在硅基板上交替重复堆叠钼层11和硅层15而形成的多反射层一部分的照片。参照图2，相互扩散层13形成在钼层11和硅层15之间的界面处。由于在界面处的相互扩散，相互扩散层13由硅化钼形成。相互扩散层13在界面处导致体积收缩和应变。图1示出了其中由于相互扩散而导致的界面处的体积收缩减小Mo/Si双层厚度的例子。具体地，图1中左边的截面图示出了Mo/Si双层的理想厚度，而右边的截面图示出了由相互扩散所导致的减小了的Mo/Si层的厚度。
在溅射过程中钼原子嵌入间隙位置中的喷丸(peening)效应引起的应变也会产生内部应力。
发明内容
本发明的示范性实施方案提供了一种通过减少和/或阻止在多反射层内形成相互扩散层而能减小用于反射EUV光的多反射层中的内应力的反射器件、制造该反射器件的方法、和使用该反射器件的掩模、投影光学系统及EUVL设备。
本发明的示范性实施方案提供了一种反射器件。该反射器件包括：基板；和形成在基板上的多反射层，该多反射层由反射EUV射线的材料形成，其中该多反射层包括多个堆叠的层组，每一个层组都包括第一材料层、通过对第一材料层进行表面处理而获得的表面处理层、和形成在该表面处理层上的第二材料层。
依照本发明的示范性实施方案，第一材料层可以是硅层，第二材料层可以是钼层。
依照本发明的示范性实施方案，通过用氧离子束或氩离子束对第一材料层进行表面处理来获得所述表面处理的层。
依照本发明的示范性实施方案，第一和第二材料层由溅射形成。
依照本发明的示范性实施方案，所述基板是硅基板或石英基板。
本发明的示范性实施方案提供了一种EUVL掩模。该EUVL掩模包括具有一个或多个上面所述特征的反射器件；和在反射器件的多反射层上形成的吸收图案。
本发明的示范性实施方案提供了一种EUVL投影光学系统。该EUVL投影光学系统包括多个镜，其中至少一个反射镜具有一个或多个上面所述特征的反射器件。
本发明的示范性实施方案提供了一种光刻设备。该光刻设备使用投影光学系统可将具有掩模的图案信息的光束辐射到晶片上，并可包括上面所述的EUVL投影光学系统。
本发明的示范性实施方案提供了一种制造反射器件的方法。该方法包括：制备基板；和在基板上形成多反射层，该多反射层由能反射EUV射线的材料形成，其中形成多反射层包括以理想的和/或预定的次数重复形成层组，形成该层组包括：形成第一材料层；对第一材料层进行表面处理；和在表面处理过的第一材料层上形成第二材料层。
依照本发明的示范性实施方案，第一材料层包括硅，第二材料层包括钼。
依照本发明的实施方案，使用氧离子束或氩离子束对第一材料层实施表面处理。
依照本发明的示范性实施方案，通过溅射形成第一和第二材料层。
本发明的示范性实施方案提供了一种EUVL掩模。该EUVL掩模包括由上面所述的方法形成的反射器件；和在反射器件的多反射层上形成的吸收图案。
本发明的实施方案提供了一种EUVL投影光学系统。该EUVL投影光学系统包括多个镜，其中至少一个镜包括由上述方法形成的反射器件。
本发明的示范性实施方案提供了一种光刻设备。该光刻设备通过投影光学系统将具有掩模图案信息的光束辐射到晶片上并包括具有由上述方法制造的反射器件的EUVL投影光学系统。
附图说明
本发明示范性实施方案上面的和其他的特征和优点将通过参照附图详细描述本发明的示范性实施方案而变得更加显而易见，其中：
图1示出了在常规反射器件中钼层和硅层之间界面处存在的相互扩散层；
图2是示出通过离子束溅射在硅基板上交替重复堆叠硅层和钼层而形成的常规反射器件的多反射层一部分的照片；
图3是依照本发明示范性实施方案制造EUVL反射器件的沉积系统的示意图；
图4A到4D是示出依照本发明示范性实施方案在基板上形成多反射层方法的截面图；
图5示出了依照本发明示范性实施方案的反射器件的EUVL掩模；
图6是使用依照本发明示范性实施方案的反射器件的离轴投影光学系统和EUVL投影光学系统；
图7是示出使用依照本发明示范性实施方案的离轴投影光学系统将具有掩模图案的光束辐射到晶片上的EUVL设备的示意图；
图8示出了利用透射电子显微镜由本发明示范性实施方案获得的样品分析结果；
图9是示出当用于样品的氧离子束的电压彼此不同，但其他条件，例如离子束溅射的Mo/Si层沉积条件和氧离子束的表面处理条件相同时，测量的样品1，2，3和4的X射线反射率(XRR)的曲线图；
图10是示出表示图9结果的样品1，2，3和4的Mo/Si双层厚度的曲线图；
图11是示出表示图9结果的测量的样品1，2，3和4的内应力的曲线图；
图12是示出依照本发明示范性实施方案当使用氧离子束和氩离子束来进行表面处理时的内应力的曲线图；
图13A和13B示出了利用渡越时间二次离子质谱分析获得的本发明示范性实施方案的Mo/Si双层界面处的氧的探测结果。
具体实施方式
现将参考其中显示本发明的实施例的附图在其后更加全面地描述本发明。然而，本发明可以以许多不同的形式实现且不应解释为限于这里阐释的实施例。而是，提供这些实施例使得本公开充分和完整，且向那些本领域的技术人员全面地传达本发明的范围。在附图中，为了清晰夸大了层和区域的尺寸和相对尺寸。图未按比例绘制。通篇相似的附图标记指示相似的元件。
可以理解当元件、膜或层被称为在另一元件、膜或层“上”时，它可以直接在其他元件、膜或层上或可以存在中间的元件、膜或层。这里所用的术语“和/或”包括相关列举项目的一个或更多的任何和所有组合。
可以理解虽然术语第一、第二和第三可以用于此来描述各种元件、部件、区域、层和/或部分，这些元件、部件、区域、层和/或部分应不受这些术语限制。这些术语只用于区分一个元件、部件、区域、层或部分与其他元件、部件、区域、层或部分。因此，以下讨论的第一元件、部件、区域、层或部分可以被称为第二元件、部件、区域、层或部分，而不背离本发明的教导。
这里所使用的术语是只为了描述特别的实施例的目的且不旨在限制本发明。如这里所用，单数形式也旨在包括复数形式，除非内容清楚地指示另外的意思。可以进一步理解当在此说明书中使用时术语“包括”和/或“包含”说明所述特征、区域、整体、步骤、操作、元件和/或组分的存在，但是不排出存在或添加一个或更多其他特征、区域、整体、步骤、操作、元件、组分和/或其组。
除非另有界定，这里使用的所有术语(包括技术和科学术语)具有本发明属于的领域的普通技术人员共同理解的相同的意思。还可以理解诸如那些在共同使用的字典中定义的术语应解释为一种与在相关技术和本公开的背景中的它们的涵义一致的涵义，而不应解释为理想化或过度正式的意义，除非在这里明确地如此界定。
现在将参照附图更加全面地描述本发明的实施方案，在附图中显示了本发明的示范性实施方案。
图3是依照本发明示范性实施方案制造EUVL反射器件的沉积系统30的示意图。图4A到4C是示出依照本发明示范性实施方案例如使用图3的沉积系统30在基板上形成多反射层方法的截面图。
参照图3，沉积系统30将来自离子束源31的氩离子(Ar+)束供给到靶33。通过来自靶33的氩离子束溅射的靶材料沉积到例如硅基板35上。
如果在基板35上沉积钼层，则靶33是钼靶。如果在基板35上沉积硅层，则靶33是硅靶。为了在基板35上交替沉积钼和硅层，可以沿沉积离子束的路径交替设置钼靶和硅靶，该钼靶和硅靶设置在沉积系统30中相同的平面内。在该情形中，在一个室中交替沉积硅层和钼层，从而形成多反射层。
参照图3，4A和4B，如果靶33是硅靶，则在将硅靶定位在理想的和/或限定的位置处之后，将沉积离子束辐射到硅靶上，且通过溅射将从硅靶分离的硅沉积到基板35上，从而形成了硅层41，如图4A中所示。在形成硅层41之后，通过将辐射氧化离子束，例如将氧离子(O2 +)束射入硅层41而在硅层41上进行表面处理。结果，在硅层41上形成了表面处理过的层，例如氧化硅(SiOx)层43。
图4A示出了在基板35上形成硅层41的状态。图4B示出了依照本发明示范性实施方案通过使用氧离子束实施的表面处理在硅层41上形成氧化硅(SiOx)层43的状态。
在使用氧离子束的表面处理之后，在将钼靶定位在理想的和/或预设位置处之后将沉积离子束辐射到钼靶上，且通过溅射从钼靶分离的钼可以沉积到氧化硅层43上，从而形成了钼层45，如图4C中所示。
反复实施通过溅射在钼层45上形成硅层41、利用氧离子束对硅层41的表面处理、和通过溅射形成钼层45的工艺。例如，依照本发明示范性实施方案，这些工艺可重复几次。
通过该重复操作，可堆叠多层钼/硅双层，从而形成多反射层51。图4D示出了依照本发明示范性实施方案具有多反射层51的反射器件50。
在依照本发明实施方案的反射器件50中，可将包含硅的材料用作为基板35。例如，基板35可以是硅基板或石英(SiO2)基板。通过诸如溅射的沉积，例如硅层41可以形成为无定形硅(a-Si)，且钼层45形成为晶体或多晶钼(c-Mo)。
在形成钼层45的过程中，通过利用氧离子束对硅层41进行表面处理而在硅层41上形成的氧化硅层43可以抑制钼原子与硅原子通过钼层45与硅层41之间界面处的相互扩散而键合在一起。结果，依照本发明的示范性实施方案抑制了相互扩散层的形成和/或钼原子嵌入硅层间隙位置中的喷丸效应。
在依照本发明示范性实施方案的反射器件50中，反射层51的最上层是钼层或硅层。此外，依照本发明的示范性实施方案，最上层是硅层，因为在硅层上形成的自然氧化物的稳定性是优异的。依照本发明的示范性实施方案，使用氧离子束的表面处理在最上的硅层上形成氧化硅层。为了获得理想的反射率，钼层和硅层是几纳米厚且堆叠了几十层双层。
图5示出了包含有依照本发明示范性实施方案的反射器件50的依照本发明示范性实施方案的EUVL掩模70。如图5中所示，EUVL掩模70可以包括基板35、形成在基板35上的多反射层51、和形成在反射层51上的吸收图案75。图5中的EUVL掩模70可包括图4D的反射器件50和吸收图案75。EUVL掩模70还可包括反射层51上形成的保护层(没有示出)，从而当在反射层51上形成吸收图案75时保护反射层51。此外，EUVL掩模70可包括在吸收图案75与反射层51或保护层之间的缓冲层(没有示出)。
吸收图案75可形成为具有吸收EUV光的区域和使EUV光透过的开口。在本发明的示范性实施方案中，吸收图案75由能吸收EUV光的材料，例如由包含金属的材料形成。例如，吸收图案75由氮化钽(TaN)层等形成并形成为具有吸收EUV光的吸收区域。吸收图案75可由氮化钽、钽(Ta)、铬(Cr)、氮化钛(TiN)、钛(Ti)、铝-铜(Al-Cu)合金、硅化镍(NiSi)、氮化钽硅(TaSiN)、铝等形成。
依照本发明的示范性实施方案，吸收图案75可以被修改为各种形状。就是说，可以修改吸收图案75的侧壁75a和75b的斜度。
图5示出了靠近开口的吸收图案75的侧壁75a和75b相对于反射层51倾斜。吸收图案75的侧壁75a和75b倾斜的角度基本上等于EUV光的入射角。在该情形中，当EUVL掩模70用EUV射线照相曝光时，吸收图案70的尺寸基本上等于在硅晶片上形成的图案的实际尺寸。
在本发明的另一个实施方案中，吸收图案75的一些侧壁基本上是垂直的，而其它的是倾斜的。例如，垂直于EUV射线入射平面的吸收图案的侧壁是倾斜的，平行于EUV射线入射平面的吸收图案的侧壁是垂直的。EUV射线的入射平面定义为由入射到反射层51上的EUV射线和垂直于反射层51的法线形成的平面。
2005年11月16日提交的U.S.专利申请第11/274,474号公开了具有吸收图案75的EUVL掩模70，其全部内容在这里结合作为参考。因此，为了简洁起见将省略EUVL掩模70的详细描述。
在半导体制造中可使用投影光学系统，其包括传播由EUVL掩模朝着晶片反射的EUV光的多个反射镜。依照本发明的示范性实施方案，反射器件50可用作投影光学系统中的反射镜。就是说，EUVL投影光学系统可使用反射器件50作为多个反射镜中的至少一个。
图6是依照本发明示范性实施方案的可用作EUVL投影光学系统并包括反射器件50的离轴投影光学系统。2006年6月16日提交的U.S.专利申请第11/453,775中公开了图6的投影光学系统，其要求2005年6月18日提交的相应的韩国专利申请第2005-52727号的优先权，这两个的全部内容在这里全部结合作为参考。
参照图6，离轴投影光学系统可包括用于将入射光导向像平面的第一镜80和第二镜90。第一和第二镜80和90具有彼此离轴的排列关系。离轴投影光学系统可包括至少一对第一和第二镜80和90。第一镜80可以是凸面镜，第二镜90可以是凹面镜。此外，第一和第二镜80和90可以是非球面镜。此外，第一和第二镜80和90可以形成为相对于镜的中心点(顶点)两侧对称的形状。
可设计第一和第二镜80和90使它们满足下面的等式1。第一镜80的曲面切向半径和径向半径分别表示为R1t和R1s’第二镜90的曲面的切向半径和径向半径分别表示为R2t和R2s。此外，从物点O入射到第一镜80上的射线入射角表示为i1，从第一镜80反射之后入射到第二镜90上的射线的入射角表示为i2。
R1tcosi1＝R2tcosi2
R1s＝R1tcos2i1 (1)
R2s＝R2tcos2i2
如果第一和第二镜80和90满足等式1，则可能减小和/或最小化第三级像差，第三级像差一般是Seidel像差，例如，彗形像差，像散，球形像差、场弯曲(field curvature)等。
依照本发明的示范性实施方案，反射器件50可用作第一和第二镜80和90之一。在该情形中，当形成多反射层51时，基板的形状可形成为对应于第一或第二镜80和90的曲面。
依照本发明的示范性实施方案使用反射器件50的EUVL投影光学系统并不限于图6中所示的示范性实施方案。就是说，可对EUVL投影光学系统做各种修改，只要至少一个反射镜是依照本发明示范性实施方案的反射器件即可。
图7是示出利用例如图6的离轴投影光学系统在晶片上辐射具有掩模图案信息的光束的EUVL装置的示意图。图7示出了其中使用图5中的掩模70的示范性实施方案。
参照图5到7，图案化的反射掩模70定位在物平面上，晶片100定位在像平面上。辐射到掩模70上的EUV光束在从掩模70反射之后入射到第一镜80上。EUV光束从第一镜80反射并入射到第二镜90上。入射的EUV光束可被第二镜90反射并聚焦到位于像平面上的晶片100上，从而在晶片上形成对应于掩模70的吸收图案的理想的和/或预定图案。
依照本发明的示范性实施方案，用于投影光学系统的镜的数量至少为两个。除了至少两个镜之外，考虑到EUVL装置使用和/所需的掩模和晶片的安装位置和/或方向，可使用至少一个额外的镜。
下面示出了各种示范性实施方案的结果，其示出了如果依照本发明示范性实施方案使用理想的和/或预定的离子束对硅层进行表面处理，则可抑制钼原子的相互扩散。
图8示出了利用透过电子显微镜(TEM)由本发明示范性实施方案获得的分析结果。
在图8中，上面四个TEM照片示出了硅和钼的相互混合层，即相互扩散层的厚度变化，其中氧离子束的电压分别设为100V、300V、500V和700V。这里，分别在100V、300V、500V和700V时测量样品1、样品2、样品3和样品4。
图8的下面四个曲线图示出了样品的深度曲线，即线扫描(line scan)。特别地，图8的下面四个曲线图示出了依照深度的每个样品的硅、钼和氧的存在量。
样品的TEM照片示出了硅和钼的相互混合层即相互扩散层的厚度随着氧离子束电压的增加而降低。此外，深度分布的曲线图示出了硅和钼交迭的区域随着氧离子束电压的增加而减小。这是因为使用氧离子束的表面处理可抑制了钼原子的相互扩散。因此，随着氧离子束电压增加，可更加有效地执行表面处理，因而可更加有效地抑制钼原子的相互扩散。
图9是示出当用于样品的离子束的电压彼此不同，但其他条件，例如离子束溅射的Mo/Si层沉积条件和氧离子束的表面处理条件相同时，测量的样品1、2、3和4的X射线反射率(XRR)的曲线图。图10是示出表示图9所示结果的样品1、2、3和4的Mo/Si双层厚度的曲线图。图11是示出表示图9所示结果的测量的样品1、2、3和4的内应力的曲线图。
分别在100V，300V，500V和700V的电压下利用氧离子束对用于获得图9到11结果的样品1、2、3和4进行表面处理大约1秒钟。此外，通过溅射62秒钟并在硅层上执行氧离子束处理大约1秒钟而形成样品1、2、3和4的Mo/Si双层。
参照图9，样品1、2、3和4的反射率峰值的位置几乎彼此相同。这些测量结果示出了，无论用于氧离子束处理的电压即氧离子束偏压值如何，Mo/Si双层的厚度变化都不显著。
参照图10，样品1、2、3和4的Mo/Si双层厚度分别为70.29，70.55，70.18和70.04。在图10中，横坐标轴表示以伏特为单位的氧离子束偏压，纵坐标轴表示以埃为单位的双层的厚度。基于图10中所示的结果，在沉积Mo/Si层过程中用氧离子束对硅表面进行表面处理大约1秒钟之后，虽然氧离子束电压分别设为100V，300V，500V和700V，但由表面处理引起的厚度变化不怎么显著。
参照图11，在多层中的残余应力随着氧离子束偏压增加而降低。
从本发明示范性实施方案获得的图10和11所示的结果应当理解到，通过增加氧离子束偏压，双层的厚度相对不变，而残余应力降低。
此外，可以验证到当不实施氧离子束处理时，残余应力大约为-510MPa，但当使用700V的氧离子束偏压实施氧离子束处理时，残余应力下降到大约-218MPa。
尽管如上所述氧离子束用于硅层的表面处理，但依照本发明的示范性实施方案，还可以使用其它种类的离子束用于硅层的表面处理。
图12是示出当氧离子束用于表面处理时的残余应力和当氩离子束用于表面处理时的残余应力的曲线图。
如图12中所示，当氩离子束用于表面处理时，残余应力低于不实施表面处理的情形。例如，在氩离子束用于表面处理时，残余应力低于-510MPa。此外，随着氩离子束偏压增加，残余应力降低。
此外，从图12应当理解到，使用表面处理的氧离子束获得的内部应力比使用表面处理的氧离子束获得的内部应力低约10％。
图13A和13B示出了使用利用渡越时间二次离子质谱分析(TOF-SIMS)获得的Mo/Si双层界面处的氧的探测结果。图13A是从在500V的离子束偏压下利用氧离子束进行表面处理的样品获得的，图13B是从在700V的离子束偏压下使用氧离子束进行表面处理的样品获得的。
因为相同地重复硅的探测峰值周期和氧的探测峰值周期，所以应当理解，仅在Mo/Si双层的界面处探测氧。因而，应当理解，依照本发明的示范性实施方案，在Mo/Si双层界面处存在氧化硅(SiOx)层。
如上面参照本发明示范性实施方案所述的，当通过堆叠多层Mo/Si双层形成多层结构的反射层来反射EUV射线时，可通过在形成硅层之后通过对硅层进行表面处理减轻多层结构中的内应力。
依照上述的本发明的示范性实施方案，可实现EUVL反射器件，其中通过抑制在反射EUV光线的多反射层中形成相互扩散层减轻了内应力。此外，当使用其中内应力被减小和/或减轻的依照本发明示范性实施方案的反射器件进行光刻工艺时，可减小和/或最小化图案的变形和误差。
尽管已经参照实施方案描述了本发明，但本领域普通技术人员应当理解到，在不脱离由权利要求限定的本发明的精神和范围的情况下，可以在形式上和细节上进行各种变化。
本申请要求2005年8月3日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请第10-2005-0071080号的优先权，其公开内容在这里全部结合作为参考。
Claims (40)
1.一种反射器件，包括：
基板；和
形成在基板上的多反射层，该多反射层由反射远紫外射线的材料形成，
其中该多反射层包括多个堆叠的层组，每一个层组都包括第一材料层、通过对第一材料层进行表面处理而获得的表面处理的层、和形成在该表面处理的层上的第二材料层。
2.根据权利要求1所述的反射器件，其中第一材料层是硅层，第二材料层是钼层。
3.根据权利要求2所述的反射器件，其中通过用氧离子束和氩离子束之一对第一材料层进行表面处理来获得所述表面处理层。
4.根据权利要求3所述的反射器件，其中第一和第二材料层由溅射形成。
5.根据权利要求1所述的反射器件，其中通过用氧离子束和氩离子束之一对第一材料层进行表面处理来获得所述表面处理的层。
6.根据权利要求1所述的反射器件，其中所述基板是硅基板和石英基板之一。
7.一种远紫外光刻掩模，包括：
权利要求1所述的反射器件；和
在反射器件的多反射层上形成的吸收图案。
8.根据权利要求7所述的远紫外光刻掩模，其中第一材料层是硅层，第二材料层是钼层。
9.根据权利要求8所述的远紫外光刻掩模，其中第一和第二材料层由溅射形成。
10.根据权利要求7所述的远紫外光刻掩模，其中通过用氧离子束和氩离子束之一对第一材料层进行表面处理来获得所述表面处理层。
11.根据权利要求7所述的远紫外光刻掩模，其中所述基板是硅基板和石英基板之一。
12.一种远紫外光刻投影光学系统，包括：
多个反射镜，
其中多个反射镜的至少一个是权利要求1中所述的反射器件。
13.根据权利要求12所述的远紫外光刻投影光学系统，其中第一材料层是硅层，第二材料层是钼层。
14.根据权利要求13所述的远紫外光刻投影光学系统，其中第一和第二材料层由溅射形成。
15.根据权利要求12所述的远紫外光刻投影光学系统，其中通过用氧离子束和氩离子束之一对第一材料层进行表面处理来获得所述表面处理的层。
16.一种光刻设备，包括：
权利要求12中所述的远紫外光刻投影光学系统，其用于将具有掩模的图案信息的光束辐射到晶片上。
17.根据权利要求16所述的光刻装置，其中第一材料层是硅层，第二材料层是钼层。
18.根据权利要求17所述的光刻装置，其中第一和第二材料层由溅射形成。
19.根据权利要求16所述的光刻装置，其中通过用氧离子束和氩离子束之一对第一材料层进行表面处理来获得所述表面处理的层。
20.一种制造反射器件的方法，包括：
制备基板；和
在基板上形成多反射层，该多反射层由配置成反射远紫外射线的材料形成，
其中形成多反射层包括重复形成层组，形成该层组包括：
形成第一材料层；
对第一材料层进行表面处理；和
在表面处理过的第一材料层上形成第二材料层。
21.根据权利要求20所述的方法，其中第一材料层包括硅，第二材料层包括钼。
22.根据权利要求21所述的方法，其中使用氧离子束和氩离子束之一执行第一材料层的表面处理。
23.根据权利要求22所述的方法，其中通过溅射形成第一和第二材料层。
24.根据权利要求20所述的方法，其中使用氧离子束和氩离子束之一执行第一材料层的表面处理。
25.根据权利要求20所述的方法，其中基板是硅基板和石英基板之一。
26.一种远紫外光刻掩模，包括：
依照权利要求20方法形成的反射器件；和
在所述反射器件的多反射层上形成的吸收图案。
27.根据权利要求26所述的远紫外光刻掩模，其中第一材料层包括硅，第二材料层包括钼。
28.根据权利要求27所述的远紫外光刻掩模，其中通过溅射形成第一和第二材料层。
29.根据权利要求26所述的远紫外光刻掩模，其中使用氧离子束和氩离子束之一执行第一材料层的表面处理。
30.根据权利要求26所述的远紫外光刻掩模，其中所述基板是硅基板和石英基板之一。
31.一种远紫外光刻投影光学系统，包括：
多个镜，
其中至少一个镜是依照权利要求20所述的方法形成的反射器件。
32.根据权利要求31所述的远紫外光刻投影光学系统，其中第一材料层包括硅，第二材料层包括钼。
33.根据权利要求32所述的远紫外光刻投影光学系统，其中通过溅射形成第一和第二材料层。
34.根据权利要求31所述的远紫外光刻投影光学系统，其中使用氧离子束和氩离子束之一执行第一材料层的表面处理。
35.根据权利要求31所述的远紫外光刻投影光学系统，其中所述基板是硅基板和石英基板之一。
36.一种光刻设备，包括：
权利要求31所述的远紫外光刻投影光学系统，其用于将具有掩模的图案信息的光束辐射到晶片上。
37.根据权利要求36所述的光刻装置，其中第一材料层包括硅，第二材料层包括钼。
38.根据权利要求37所述的光刻装置，其中通过溅射形成第一和第二材料层。
39.根据权利要求36所述的光刻装置，其中使用氧离子束和氩离子束之一执行第一材料层的表面处理。
40.根据权利要求36所述的光刻装置，其中所述基板是硅基板和石英基板之一。
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| C02 | Deemed withdrawal of patent application after publication (patent law 2001) | ||
| WD01 | Invention patent application deemed withdrawn after publication |
Open date: 20070207 |