CN1883081A - 各向异性导电性片以及其制造方法和其应用制品 - Google Patents
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Abstract
提供即便相对于要连接的电极的配置间距极小的被连接体，也能够可靠地达成所需的电连接的各向异性导电性片以及其制造方法、和具备该各向异性导电性片的应用制品。本发明的各向异性导电性片，具有分别形成了沿着厚度方向延伸的多个导电路形成用通孔的、由弹性高分子物质构成的绝缘性片体，和一体地设在该绝缘性片体的各个导电路形成用通孔内的导电路元件，所述导电路形成用通孔，是通过使用按照与要形成的导电路元件的图形相对应的图形，分别形成了直径从一面到另一面而逐渐变小的多个透光用通孔的曝光用掩模，并从该曝光用掩模的另一面侧经由透光用通孔照射激光而形成的。
Description
技术领域
本发明涉及例如在进行半导体集成电路等电路装置的电检查时可以作为连接器而很好地使用的各向异性导电性片以及其制造方法和其应用制品。
背景技术
各向异性导电性弹性片，是只沿着厚度方向显示导电性的片，或者是具有在沿着厚度方向被加压时只沿着厚度方向显示导电性的加压导电性导电部的片，具有不用锡焊或机械嵌合等装置就可以达成紧密的电连接，吸收机械的冲击或变形从而可以进行柔软的连接的特长，因此利用这样的特长，例如在电子计算机、电子式数码时钟、电子照相机、计算机键盘等领域中，可以作为用于达成与电路装置，例如印刷电路基板和无引线电路芯片载体、液晶面板等相互之间的电连接的连接器而广泛使用。
另外，在印刷电路基板和半导体集成电路等电路装置的电检查中，为了达成形成在作为检查对象的电路装置的一面上的被检查电极，和形成在检查用电路基板的表面上的检查用电极的电的连接，在电电路零件的被检查电极区域和检查用电路基板的检查用电极区域之间，进行填充各向异性导电性弹性片的操作。
以往，作为这样的各向异性导电性弹性片，已知有很多种结构的，例如在专利文献1的特开昭51-93393号公报中，公开了将金属粒子均匀地分散在弹性体中而得到的各向异性导电性弹性片(以下，将其称为“分散型各向异性导电性弹性片”。)，另外，在专利文献2的特开昭53-147772号公报中，公开了通过使导电性磁性体粒子不均匀地分布在弹性体中，形成沿着厚度方向延伸的多个导电路形成部，和将它们相互绝缘的绝缘部而构成的各向异性导电性弹性片(以下，将其称为“偏在型各向异性导电性弹性片”。)，进而，在专利文献3的特开昭61-250906号公报中，公开了在导电路形成部的表面和绝缘部之间形成了阶梯的偏在型各向异性导电性弹性片。
并且，由于偏在型各向异性导电性弹性片，按照和要连接的电路装置的电极图形对称的图形形成了导电路形成部，因此与分散型各向异性导电性弹性片相比，在即便相对于要连接的电极的配列间距，即相邻的电极的中心间距离较小的电路装置等，也可以用较高的信赖性达成电极间的电的连接这一点上，是有利的。
作为制造这种偏在型各向异性导电性弹性片的方法的一例，例如，已知有如下的方法。
如图45所示，准备上模80以及与其成对的下模85，经由框状的衬垫84以彼此相对的方式配置，从而在上模80的下面和下模85的上面之间形成内腔的金属模，向该金属模内提供片成形材料而形成片成形材料层90，其中片成形材料是使显示磁性的导电性粒子分散在通过固化处理而形成弹性高分子物质的高分子物质形成材料中而形成的。在此，片成形材料层90所含有的导电性粒子P，是被分散在该片成形材料层90中的状态。
上述的金属模的上模80以及下模85，分别在例如由强磁性体构成的基板81、86上，具有成形面，该成形面由按照与要成形的各向异性导电性弹性片的导电路形成部的图形相对应的图形形成的多个强磁性体层82、87，和在形成这些强磁性体层82、87的部位以外的部位上形成的非磁性体层83、88构成，并且相对应的强磁性体层82、87以彼此相对的方式配置。
并且，如图46所示，通过在上模80的上面以及下模85的下面例如配置一对电磁铁(图未示)从而使其动作，在片成形材料层90上，在上模80的强磁性体层82和与之相对应的下模85的强磁性体层87之间的部分，即构成导电路形成部的部分上，强度大于除此以外的部分的磁场沿着该成形材料层90的厚度方向起作用。其结果，分散在片成形材料层90中的导电性粒子P，集中在该片成形材料层90的、作用有较大强度的磁场的部分，即上模80的强磁性体层82和与之相对应的下模85的强磁性体层87之间的部分，进而以沿着厚度方向排列的方式取向。然后，在该状态下，通过进行片成形材料层90的固化处理，如图47所示，制造由在导电性粒子P以沿着厚度方向排列的方式取向的状态下所含有的多个导电路形成部91，和将这些导电路形成部91相互绝缘的绝缘部92构成的偏在型各向异性导电性弹性片93。
另外，为了进一步可靠地达成与被连接对象的电连接，提出了在导电路形成部突出的状态下形成的构成，作为制造这种偏在型各向异性导电性弹性片的方法，例如，如图48所示，使用在经由框状的衬垫84以彼此相对的方式配置的上模80以及下模85的成形面的、强磁性体层82、87所在的部位上，形成有用于在各向异性导电性弹性片上形成突出部的凹处82A、87A的金属模，通过与上述同样的方法，在金属模内形成片成形材料层90，如图49所示，通过在上模80的上面以及下模85的下面配置例如一对电磁铁(图未示)从而使其动作，使分散在片成形材料层90中的导电性粒子P，集中在上模80的强磁性体层82和与之相对应的下模85的强磁性体层87之间的部分，进而使其以沿着厚度方向排列的方式取向，在该状态下，通过进行片成形材料层90的固化处理，如图50所示，制造由在导电性粒子P以沿着厚度方向排列的方式取向的状态下所含有的多个导电路形成部91，和将这些导电路形成部91相互绝缘的绝缘部92构成、并且导电路形成部91从表面突出的偏在型各向异性导电性弹性片93。在图48以及图49中，81以及86，是由强磁性体构成的基板，83以及88，是在形成强磁性体层82、87的部位以外的部位上形成的非磁性体层。
但是，在上述的制造方法中，为了在相邻的导电路形成部91之间确保足够的绝缘性，绝缘部92的宽度，即，相邻的导电路形成部91之间的分离距离b必须设为例如大于等于50μm。因而，在制造导电路形成部91的配置间距p极小的产品的情况下，由于必须通过缩小导电路形成部91自身的宽度来确保导电路形成部91之间的绝缘性，因此存在很难得到具备具有足够的导电特性以及足够的强度的导电路形成部91的各向异性导电性弹性片的问题。
另一方面，还知道如下的方法，即例如在由弹性高分子物质构成的绝缘性片基体材料上，形成分别沿着厚度方向延伸的多个导电路形成用通孔，在该导电路形成用通孔内，填充以使导电性粒子分散在被固化从而构成弹性高分子物质的高分子物质形成材料中的方式构成的导电路元件用材料，并通过进行该导电路元件用材料的固化处理，制造将导电路元件一体地形成在绝缘性片体上而构成的偏在型各向异性导电性弹性片(例如，参照专利文献4。)。
在这样的各向异性导电性弹性片的制造方法中，作为在绝缘性片基体材料上形成导电路形成用通孔的方法，从可以用较高的生产性将多个导电路形成用通孔形成在适当的位置上的理由出发，可以例示如下的方法，即使用按照要形成的导电路元件的图形形成了透光用通孔的曝光用掩模，通过经由该曝光用掩模的透光用通孔照射激光，形成多个导电路形成用通孔的方法(例如，参照专利文献5)，和在一体地形成在绝缘性片基体材料的一面上的金属薄层上，按照要形成的导电路元件的图形形成透光用通孔，并通过经由该金属薄层的透光用通孔照射激光，形成多个导电路形成用通孔的方法(例如，参照专利文献4、专利文献6)等。
曝光用掩模，例如，在制造各向异性导电性弹性片的一连串的工序中，将掩模基体材料配置在操作用载物台上，然后在该掩模基体材料的一面上形成按照规定的图形形成了图形孔的抗蚀剂层，在通过将该掩模基体材料蚀刻处理而形成了透光用通孔之后，通过剥离抗蚀剂层而得到的，从操作的容易性以及操作效率的提高的观点来看，使得到的曝光用掩模从操作用载物台平行移动，并以曝光用掩模的另一面与绝缘性片基体材料的一面相接的方式配置，从而在形成透光用通孔时，将作为形成了抗蚀剂层的面的、曝光用掩模的一面，作为激光照射面来使用(例如，参照图51。)。另外，作为形成曝光用掩模的透光用通孔的方法，例如有进行钻孔加工等方法，但从很难用细微间距形成透光用通孔等理由出发，最好利用通过上述的蚀刻处理形成透光用通孔的方法。
专利文献1：特开昭51-093393号公报
专利文献2：特开昭53-147772号公报
专利文献3：特开昭61-250906号公报
专利文献4：特开平11-354178号公报
专利文献5：特开平09-199208号公报
专利文献6：特开2002-196018号公报
于是，近年，随着电制品的小型化或者高密度配线化，它们所使用的集成电路装置等电路装置，存在电极数增加，电极的配列间距进一步变小而高密度化的倾向，在用上述的曝光用掩模得到的偏在型各向异性导电性弹性片中，为了达成与这样的电路装置的足够的电连接，要求将导电路元件的配置间距细微化。
但是，在用上述的方法制造导电路形成部的配置间距细微的各向异性导电性片的情况下，存在如下的问题。
即，如图51所示，用蚀刻法形成的曝光用掩模95的透光用通孔96，由于掩模基体材料其表面部分与内部相比，长时间暴露在蚀刻液内，因此不可避免地成为直径从一面95A(抗蚀剂层形成面)到另一面95B而逐渐变小的形状，例如锥状，由于激光(在图51中用点划线表示)的一部分被锥状的内壁面96A漫反射，因此在绝缘性片基体材料97上，形成随着从其一面97A到另一面97B变为大径的形状的导电路形成用通孔98，其结果，得到的各向异性导电性片，变为例如在绝缘性片体的另一面侧部分上将各个导电路元件彼此连结而形成，在用于电路装置的电检查的情况下，导电路元件彼此短路，结果，存在不能可靠地达成所需的电连接的问题。
另外，如图52所示，在绝缘性片基体材料97的厚度较大的情况下，在由被透光用通孔96的锥状的内壁面96A漫反射的一部分的激光形成的绝缘性片基体材料97的壁厚中，形成具有径的大小成为最大的极大部98A的形状的导电路形成用通孔98，其结果，得到的各向异性导电性片，虽然在其一面以及另一面上，以相互绝缘的状态形成有各个导电路元件，但在绝缘性片体的壁厚中，变为将各个极大部98A彼此连结而形成，结果，不能可靠地达成所需的电连接。
这样的问题，在专利文献4和专利文献6所公开的技术，即，在一体地设在绝缘性片基体材料的一面上的金属薄层上形成透光用通孔，并经由该透光用通孔照射激光从而形成导电路形成用通孔的情况下，也会出现，特别是，在制造导电路元件的配置间距小于等于200μm的各向异性导电性片时更加显著。
另外，在上述的方法中，在制造在导电路元件从绝缘性片体的两面突出的状态下形成的各向异性导电性片时，有如下的方法，即例如使用按照与导电路元件的配置图形相对应的图形形成了开口的印刷用掩模，在印刷用掩模的开口内填充导电路元件用材料，进行该导电路元件用材料的固化处理，之后，通过剥离并除去印刷用掩模形成突出部分的方法，但在该方法中，有突出部分缺损的情况，并且存在不能可靠地形成具有所需的导电性特性的导电路元件的问题。
发明内容
本发明，是鉴于以上的问题而研制成的，其第1个目的，在于提供即便相对于要连接的电极的配置间距极小的被连接体，也能够可靠地达成所需的电连接的各向异性导电性片。
本发明的第2个目的，在于提供可以有利并且可靠地制造即便相对于要连接的电极的配置间距极小的被连接体，也能够可靠地达成所需的电连接的各向异性导电性片的方法。
本发明的第3个目的，在于提供具备上述的各向异性导电性片，并且即便要连接的电路装置的电极的间距较小，对该电路装置也能够可靠地达成所需的电连接的各向异性导电性连接器，以及能够有利并且可靠地制造这种各向异性导电性连接器的方法。
本发明的第4个目的，在于提供具备上述的各向异性导电性片，并且即便作为检查对象的电路装置的被检查电极的间距较小，相对于该电路装置的各被检查电极的连接信赖性也较高的电路检查用探测器。
本发明的第5个目的，在于提供具备上述的各向异性导电性片，并且即便作为检查对象的电路装置的被检查电极的间距较小，对该电路装置也能够达成所需的电连接的电路装置的电检查装置。
本发明的各向异性导电性片，它是具有分别形成了沿着厚度方向延伸的多个导电路形成用通孔的、由弹性高分子物质构成的绝缘性片体，和一体地设在该绝缘性片体的各个导电路形成用通孔内的导电路元件的各向异性导电性片，其特征在于：
所述绝缘性片体的导电路形成用通孔，是通过使用按照与要形成的导电路元件的图形相对应的图形，分别形成了直径从一面到另一面而逐渐变小的多个透光用通孔的曝光用掩模，并从该曝光用掩模的另一面侧经由该曝光用掩模的透光用通孔照射激光而形成的。
在本发明的各向异性导电性片中，最好导电路元件，是将显示磁性的导电性粒子以沿着厚度方向取向的状态含有而成的。
另外，在本发明的各向异性导电性片中，最好构成绝缘性片体的弹性高分子物质是硅酮橡胶。
进而，在本发明的各向异性导电性片中，最好将导电路元件设为具有从绝缘性片体的至少一个面突出的突出部分的构成，导电路元件的、从绝缘性片体的一个面突出的一面侧突出部分，可以设为其形状为直径从基端到前端而逐渐变小的锥状。
本发明的各向异性导电性片额制造方法，其特征在于，具有第1工序和第2工序，其中：
第1工序是准备按照与要形成的导电路元件的图形相对应的图形，分别形成了直径从一面到另一面而逐渐变小的、沿着厚度方向延伸的多个透光用通孔的曝光用掩模，将该曝光用掩模，以该曝光用掩模的一面与由弹性高分子物质构成的绝缘性片基体材料的一面相接的方式，配置在该绝缘性片基体材料的一面上，通过从该曝光用掩模的另一面侧经由该曝光用掩模的透光用通孔照射激光，形成具有分别沿着厚度方向延伸的多个导电路形成用通孔的绝缘性片体；
第2工序是通过在该绝缘性片体的各个导电路形成用通孔内，填充使导电性粒子分散在由固化后成为弹性高分子物质的高分子物质形成材料中而成的导电路元件用材料，在绝缘性片体的各个导电路形成用通孔内形成导电路元件用材料层，通过进行该导电路元件用材料层的固化处理，形成一体地设在该绝缘性片体上的导电路元件。
在本发明的各向异性导电性片的制造方法中，最好作为导电路元件用材料中的导电性粒子，使用显示磁性的粒子；
通过使磁场沿着形成在绝缘性片体上的导电路元件材料层的厚度方向起作用，使分散在导电路元件用材料层中的导电性粒子沿着该导电路元件用材料层的厚度方向取向，在该状态下，通过进行导电路元件用材料层的固化处理，形成导电路元件。
另外，最好通过经由曝光用掩模的多个透光用通孔照射激光，一起形成多个导电路形成用通孔。
进而，最好通过在将曝光用掩模配置在绝缘性片体的一面上的状态下，直接将所述导电路元件用材料填充在绝缘性片体的导电路形成用通孔以及曝光用掩模的透光用通孔内，从而形成导电路元件用材料层，并进行该导电路元件用材料层的固化处理，形成具有从绝缘性片体的一面向外方突出、并且是直径从基端到前端而逐渐变小形状的一面侧突出部分的导电路元件。
另外，本发明的各向异性导电性片的制造方法，它是制造各向异性导电性片的方法，各向异性导电性片具有分别形成了沿着厚度方向延伸的多个导电路形成用通孔的、由弹性高分子物质构成的绝缘性片体，和以从该绝缘性片体的至少一个面突出的状态、一体地设在该绝缘性片体的各个导电路形成用通孔内的导电路元件，其特征在于：
准备按照与要形成的导电路元件的图形相对应的图形，分别形成了直径从一面到另一面而逐渐变小的、沿着厚度方向延伸的多个透光用通孔的曝光用掩模，并具有如下的工序，即：
制作在由弹性高分子物质构成的绝缘性片基体材料的至少一个面上形成了突出部分形成用树脂层的层叠体，将所述曝光用掩模以该曝光用掩模的一面与该层叠体的一面相接的方式配置在该层叠体的一面上，通过从该曝光用掩模的另一面侧经由该曝光用掩模的透光用通孔照射激光，在层叠体的绝缘性片基体材料上，形成分别沿着厚度方向延伸的多个导电路形成用通孔，同时在层叠体的突出部分形成用树脂层上，形成分别与各个导电路形成用通孔连续地沿着厚度方向延伸的多个突出部分形成用通孔，由此，形成在绝缘性片体的至少一个面上设有突出部分形成用树脂层而成的一次复合体；
通过在一次复合体的包括绝缘性片体的导电路形成用通孔的内部空间，以及突出部分形成用树脂层的突出部分形成用通孔的内部空间的导电路元件成形用空间内，填充使导电性粒子分散在固化后成为弹性高分子物质的高分子物质形成材料中而成的导电路元件用材料，在导电路元件成形用空间内形成导电路元件用材料层，通过进行该导电路元件用材料层的固化处理，形成导电路元件，由此，形成将多个导电路元件一体地设在一次复合体的导电路元件成形用空间内而成的二次复合体；
通过溶解并除去二次复合体的突出部分形成用树脂层，形成从绝缘性片体的至少一个面突出的导电路元件的突出部分。
在本发明的各向异性导电性片的制造方法中，最好作为构成绝缘性片体的弹性高分子物质，使用硅酮橡胶，作为构成突出部分形成用树脂层的树脂层形成材料，使用聚乙烯醇，这时，作为聚乙烯醇，最好使用平均聚合度为100～5000的。
另外，最好以5～100μm的厚度形成突出部分形成用树脂层。
另外，在本发明的各向异性导电性片的制造方法中，最好作为导电路元件用材料中的导电性粒子，使用显示磁性的粒子；
通过使磁场沿着形成在绝缘性片体上的导电路元件材料层的厚度方向起作用，使分散在导电路元件用材料层中的导电性粒子沿着该导电路元件用材料层的厚度方向取向，在该状态下，通过进行导电路元件用材料层的固化处理，形成导电路元件。
进而，最好通过经由曝光用掩模的多个透光用通孔照射激光，一起形成多个导电路形成用通孔。
另外，最好用在绝缘性片基体材料的另一面上形成了突出部分形成用树脂层的层叠体，形成在绝缘性片体的另一面上设置突出部分形成用树脂层而成的一次复合体；
在将曝光用掩模配置在一次复合体的绝缘性片体的一面上的状态下，直接将所述导电路元件用材料，填充在包括曝光用掩模的透光用通孔的内部空间、绝缘性片体的导电路形成用通孔的内部空间以及突出部分形成用树脂层的突出部分形成用通孔的内部空间的导电路元件成形用空间内，从而形成导电路元件用材料层，通过进行该导电路元件用材料层的固化处理，形成导电路元件；
通过除去曝光用掩模，使导电路元件的一端部露出，从而形成直径从基端到前端而逐渐变小的形状的一面侧突出部分，同时通过溶解并除去突出部分形成用树脂层，形成从绝缘性片体的另一面突出的另一面侧突出部分。
另外，在本发明的各向异性导电性片的制造方法中，最好激光是由二氧化碳脉冲激光装置产生的。
进而，在本发明的各向异性导电性片的制造方法中，最好作为曝光用掩模，使用厚度为5～100μm的，另外，最好使用一面的开口径r1，和另一面的开口径r2的开口径比r2/r1为0.2～0.98的，再好一点是开口径比r2/r1为0.2～0.95的，更好的是开口径比r2/r1为0.3～0.9的，进而，最好使用由金属构成的。
在本说明书中，所谓的“透光用通孔的开口径”，在开口的剖面形状为圆形的情况下，表示其直径的大小，在开口的剖面形状为其他的形状的情况下，表示彼此邻接的透光用通孔排列方向的宽度的大小。
本发明的各向异性导电性连接器，其特征在于，具备具有开口的框架板，和以堵塞该框架板的开口的方式配置、并由该框架板的开口缘部支撑的上述的各向异性导电性片。
本发明的各向异性导电性连接器，它是为了以晶片的状态对形成在晶片上的多个集成电路分别进行该集成电路的电检查而使用的，其特征在于：
具备与形成在作为检查对象的晶片上的所有的集成电路的、配置被检查电极的区域相对应地形成了多个开口的框架板，和分别以堵塞所述框架板的开口的方式配置、并由该框架板的开口缘部支撑的多个各向异性导电性片，所述各向异性导电性片是上述的各向异性导电性片。
本发明的各向异性导电性连接器，它是为了以晶片的状态对形成在晶片上的多个集成电路分别进行该集成电路的电检查而使用的，其特征在于：
具备与从形成在作为检查对象的晶片上的集成电路中选择的多个集成电路的、配置被检查电极的区域相对应地形成了多个开口的框架板，和分别以堵塞所述框架板的开口的方式配置、并由该框架板的开口缘部支撑的多个各向异性导电性片，所述各向异性导电性片是上述的各向异性导电性片。
本发明的各向异性导电性连接器的制造方法，其特征在于，具有第1工序、第2工序和第3工序，其中：
第1工序是准备形成了开口的框架板，在该框架板的开口以及其周缘部，形成固化后成为弹性高分子物质的高分子物质形成材料层，通过进行该高分子物质形成材料层的固化处理，形成由该框架板的开口缘部支撑以堵塞框架板的开口的方式形成的、由弹性高分子物质构成的绝缘性片基体材料而成的一次复合体；
第2工序是通过从按照与要形成的导电路元件的图形相对应的图形分别形成了直径从一面到另一面而逐渐变小的、沿着厚度方向延伸的多个透光用通孔的曝光用掩模的一面侧，经由该曝光用掩模的透光用通孔照射激光，形成由该框架板的开口缘部支撑以堵塞框架板的开口的方式形成的、分别形成了沿着厚度方向延伸的多个导电路形成用通孔的绝缘性片体而成的二次复合体；
第3工序是通过在该二次复合体的各个导电路形成用通孔内，填充使导电性粒子分散在固化后成为弹性高分子物质的高分子物质形成材料中而成的导电路元件用材料，形成导电路元件用材料层，通过进行该导电路元件用材料层的固化处理，形成将导电路元件一体地设在绝缘性片体的导电路元件形成用通孔内而成的各向异性导电性片。
本发明的各向异性导电性连接器的制造方法，其特征在于，准备与形成在作为检查对象的晶片上的所有的集成电路的、配置被检查电极的区域、或者与从形成在晶片上的集成电路中选择的多个集成电路的、配置被检查电极的区域相对应地分别形成了沿着厚度方向延伸的多个开口的框架板，并具有第1工序、第2工序和第3工序，其中：
第1工序是在该框架板的开口以及其周缘部，形成固化后成为弹性高分子物质的高分子物质形成材料层，通过进行该高分子物质形成材料层的固化处理，形成由该框架板的开口缘部支撑分别以堵塞框架板的开口的方式形成的、由弹性高分子物质构成的绝缘性片基体材料而成的一次复合体；
第2工序是通过从按照与要形成的导电路元件的图形相对应的图形分别形成了直径从一面到另一面而逐渐变小的、沿着厚度方向延伸的多个透光用通孔的曝光用掩模的另一面侧，经由该曝光用掩模的透光用通孔照射激光，形成由该框架板的开口缘部支撑分别形成了沿着厚度方向延伸的多个导电路形成用通孔的多个绝缘性片体而成的二次复合体；
第3工序是通过在该二次复合体的各个导电路形成用通孔内，填充使导电性粒子分散在固化后成为弹性高分子物质的高分子物质形成材料中而成的导电路元件用材料，形成导电路元件用材料层，通过进行该导电路元件用材料层的固化处理，形成将导电路元件一体地设在绝缘性片体的导电路元件形成用通孔内而成的各向异性导电性片。
在本发明的各向异性导电性连接器的制造方法中，最好作为导电路元件用材料中的导电性粒子，使用显示磁性的粒子；
通过使磁场沿着形成在绝缘性片体上的导电路元件材料层的厚度方向起作用，使分散在导电路元件用材料层中的导电性粒子沿着该导电路元件用材料的厚度方向取向，在该状态下，通过进行导电路元件用材料层的固化处理，形成将导电路元件一体地设在绝缘性片体的导电路元件形成用通孔内而成的各向异性导电性片。
另外，在本发明的各向异性导电性连接器的制造方法中，最好在平板状的支撑板的一面上，涂布高分子物质形成材料，将该框架板以其另一面离开支撑板的一面而相对的方式配置，同时将曝光用掩模以其一面离开该框架板的一面而相对的方式配置，通过将它们重叠后加压，在包括框架板的开口的内部空间、框架板和曝光用掩模之间的空间以及曝光用掩模的透光用通孔的内部空间的成形用空间内，形成目的形态的高分子物质形成材料层，通过进行该高分子物质形成材料层的固化处理，形成将具有突出部分形成部分的多个绝缘性片基体材料以堵塞框架板的开口的方式配置、并由框架板的开口缘部支撑该绝缘性片基体材料的周缘部而成的一次复合体；
通过从该曝光用掩模的另一面侧经由该曝光用掩模的透光用通孔照射激光，形成由该框架板的开口缘部支撑在各个突出部分形成部分上形成了沿着厚度方向延伸的导电路形成用通孔的多个绝缘性片体而成的二次复合体；
通过在该二次复合体的各个突出部分形成部分的导电路形成用通孔内，填充使导电性粒子分散在固化后成为弹性高分子物质的高分子物质形成材料中而成的导电路元件用材料，形成导电路元件用材料层，通过进行该导电路元件用材料层的固化处理，形成将具有从绝缘性片体的一面突出的一面侧突出部分的导电路元件一体地设在绝缘性片体的导电路元件形成用通孔内而成的各向异性导电性片。
另外，本发明的各向异性导电性连接器的制造方法，它是制造各向异性导电性连接器的方法，各向异性导电性连接器具有具备开口的框架板，和以堵塞该框架板的开口的方式配置、并由该框架板的开口缘部支撑的各向异性导电性片，并且该各向异性导电性片以从由弹性高分子物质构成的绝缘性片基体材料的至少一个面突出的状态形成有分别沿着厚度方向延伸的多个导电路元件，其特征在于，具备以下的工序：
准备形成了开口的支撑板，在该支撑板的开口以及其开口缘部，形成固化后成为弹性高分子物质的高分子物质形成材料层，通过进行该高分子物质形成材料层的固化处理，在框架板的开口以及其开口缘部，形成由弹性高分子物质构成的绝缘性片基体材料，并制作在该绝缘性片基体材料的至少一个面上形成了突出部分形成用树脂层的层叠体；
在该层叠体的一面上，将按照与要形成的导电路元件的图形相对应的图形分别形成了直径从一面到另一面而逐渐变小的、沿着厚度方向延伸的多个透光用通孔的曝光用掩模，以该曝光用掩模的一面与该层叠体的一面相接的方式配置，通过从该曝光用掩模的另一面侧经由该曝光用掩模的透光用通孔照射激光，在层叠体的绝缘性片基体材料上，形成分别沿着厚度方向延伸的多个导电路形成用通孔，同时在层叠体的突出部分形成用树脂层上，形成分别与各个导电路形成用通孔连续地沿着厚度方向延伸的多个突出部分形成用通孔，由此，形成在设在框架板的开口以及其开口缘部上的绝缘性片体的至少一个面上设置突出部分形成用树脂层而成的一次复合体；
通过在一次复合体的包括绝缘性片体的导电路形成用通孔的内部空间，以及突出部分形成用树脂层的突出部分形成用通孔的内部空间的导电路元件成形用空间内，填充使导电性粒子分散在固化后成为弹性高分子物质的高分子物质形成材料中而成的导电路元件用材料，在导电路元件成形用空间内形成导电路元件用材料层，通过进行该导电路元件用材料层的固化处理，形成导电路元件，由此，形成将多个导电路元件一体地设在一次复合体的导电路元件成形用空间内而成的二次复合体；
通过溶解并除去二次复合体的突出部分形成用树脂层，形成从绝缘性片体的至少一个面突出的导电路元件的突出部分。
本发明的各向异性导电性连接器的制造方法，其特征在于，准备与形成在作为检查对象的晶片上的所有的集成电路的、配置被检查电极的区域、或者与从形成在晶片上的集成电路中选择的多个集成电路的、配置被检查电极的区域相对应地分别形成了沿着厚度方向延伸的多个开口的框架板，并具有如下的工序：
在该框架板的各个开口以及其开口缘部，形成固化后成为弹性高分子物质的高分子物质形成材料层，通过进行该高分子物质形成材料层的固化处理，制作由该框架板的开口缘部支撑以堵塞框架板的开口的方式形成的、由弹性高分子物质构成的绝缘性片基体材料，并且在该绝缘性片基体材料的至少一个面上，形成了突出部分形成用树脂层的层叠体；
将按照与要形成的导电路元件的图形相对应的图形分别形成了直径从一面到另一面而逐渐变小的、沿着厚度方向延伸的多个透光用通孔的曝光用掩模，以该曝光用掩模的一面与该层叠体的一面相接的方式配置，通过从该曝光用掩模的另一面侧经由该曝光用掩模的透光用通孔照射激光，在层叠体的绝缘性片基体材料上，形成分别沿着厚度方向延伸的多个导电路形成用通孔，同时在层叠体的突出部分形成用树脂层上，形成分别与各个导电路形成用通孔连续地沿着厚度方向延伸的多个突出部分形成用通孔，由此，形成在设在框架板的开口以及其开口缘部上的绝缘性片体的至少一个面上设置突出部分形成用树脂层而成的一次复合体；
通过在一次复合体的包括绝缘性片体的导电路形成用通孔的内部空间，以及突出部分形成用树脂层的突出部分形成用通孔的内部空间的导电路元件成形用空间内，填充使导电性粒子分散在固化后成为弹性高分子物质的高分子物质形成材料中而成的导电路元件用材料，在导电路元件成形用空间内形成导电路元件用材料层，通过进行该导电路元件用材料层的固化处理，形成导电路元件，由此，形成将多个导电路元件一体地设在一次复合体的导电路元件成形用空间内而成的二次复合体；
通过溶解并除去二次复合体的突出部分形成用树脂层，形成从绝缘性片体的至少一个面突出的导电路元件的突出部分。
在本发明的各向异性导电性连接器的制造方法中，最好作为构成绝缘性片体的弹性高分子物质，使用硅酮橡胶，作为构成突出部分形成用树脂层的树脂层形成材料，使用聚乙烯醇，这时，作为聚乙烯醇，最好使用平均聚合度为100～5000的。
另外，最好以5～100μm的厚度形成突出部分形成用树脂层。
另外，在本发明的各向异性导电性连接器的制造方法中，最好作为导电路元件用材料中的导电性粒子，使用显示磁性的粒子；
通过使磁场沿着形成在绝缘性片体上的导电路元件材料层的厚度方向起作用，使分散在导电路元件用材料层中的导电性粒子沿着该导电路元件用材料层的厚度方向取向，在该状态下，通过进行导电路元件用材料层的固化处理，形成一体地设在绝缘性片体的导电路元件形成用通孔内的导电路元件。
进而，在本发明的各向异性导电性连接器的制造方法中，最好制作在平板状的支撑板的一面上形成了突出部分形成用树脂层的层叠材料，在该层叠材料的一面或曝光用掩模的一面上或这两面上涂布高分子物质形成材料，从而形成高分子物质形成材料层，将框架板以其另一面离开所述层叠材料的一面而相对的方式配置，同时将曝光用掩模以其一面离开该框架板的一面而相对的方式配置，通过将它们重叠后加压，在包括框架板的开口的内部空间、框架板和曝光用掩模之间的空间以及曝光用掩模的透光用通孔的内部空间的成形用空间内，形成目的形态的高分子物质形成材料层，通过进行该高分子物质形成材料层的固化处理，形成绝缘性片基体材料；
通过从该曝光用掩模的另一面侧经由该曝光用掩模的透光用通孔照射激光，在绝缘性片基体材料上，形成分别沿着厚度方向延伸的多个导电路形成用通孔，同时在突出部分形成用树脂层上，形成分别与各个导电路形成用通孔连续地沿着厚度方向延伸的多个突出部分形成用通孔，由此，形成在设在框架板的开口以及其开口缘部上的绝缘性片体的另一面上设置突出部分形成用树脂层而成的一次复合体；
将所述导电路元件用材料，填充在包括绝缘性片体的导电路形成用通孔的内部空间，以及突出部分形成用树脂层的突出部分形成用通孔的内部空间的导电路元件成形用空间内，从而形成导电路元件用材料层，通过进行该导电路元件用材料层的固化处理，形成导电路元件；
通过除去曝光用掩模，使导电路元件的一端部露出，从而形成直径从基端到前端而逐渐变小的形状的一面侧突出部分，同时通过溶解并除去突出部分形成用树脂层，形成从绝缘性片体的另一面突出的另一面侧突出部分。这时，作为支撑板，最好使用与框架板相同材质的。
进而，在本发明的各向异性导电性连接器的制造方法中，最好激光是由二氧化碳脉冲激光装置产生的。
另外，作为曝光用掩模，最好使用厚度为5～100μm的，另外，最好使用一面的开口径r1，和另一面的开口径r2的比r2/r1为0.2～0.98的，再好一点是开口径比r2/r1为0.2～0.95的，更好的是开口径比r2/r1为0.3～0.9的。进而，最好使用由金属构成的。
本发明的电路检查用探测器，其特征在于，具备按照与作为检查对象的电路装置的被检查电极的图形相对应的图形，在表面上形成了检查电极的检查用电路基板，和配置在该检查用电路基板的表面上的、上述的各向异性导电性片或上述的各向异性导电性连接器。
本发明的电路检查用探测器，它是为了在晶片的状态下对形成在晶片上的多个集成电路进行该集成电路的电检查而使用的，其特征在于：
具备按照与形成在作为检查对象的晶片上的所有的集成电路的被检查电极的图形相对应的图形，在表面上形成了检查电极的检查用电路基板，和配置在该检查用电路基板的表面上的、上述的各向异性导电性连接器。
本发明的电路检查用探测器，它是为了在晶片的状态下对形成在晶片上的多个集成电路进行该集成电路的电检查而使用的，其特征在于：
具备按照与从形成在作为检查对象的晶片上的集成电路中选择的多个集成电路的被检查电极的图形相对应的图形，在表面上形成了检查电极的检查用电路基板，和配置在该检查用电路基板的表面上的、上述的各向异性导电性连接器。
在本发明的电路检查用探测器中，最好设为将由绝缘性片，和沿着其厚度方向贯通该绝缘性片并延伸、按照与检查用电路基板的检查电极的图形相对应的图形配置的多个电极结构体构成的片状连接器，配置在各向异性导电性连接器上的构成。
本发明的电路装置的电检查装置，其特征在于，具备上述的电路检查用探测器。
根据本发明的各向异性导电性片，由于绝缘性片体，其各个导电路形成用通孔是以特定的方法用曝光用掩模形成的，因此即便要形成的导电路元件的配置间距较小，也能够可靠地防止邻接的导电路元件彼此连结的情况，并可以将各个导电路元件作为彼此独立的元件而构成，相对于要连接的电极的配置间距极小的被连接体，也能够可靠地达成所需的电连接。
根据本发明的各向异性导电性片的制造方法，由于将分别形成了直径从一面到另一面而逐渐变小的形状的多个透光用通孔的曝光用掩模，以其一面与绝缘性片基体材料的一面相接的方式配置，并通过从该曝光用掩模的另一面侧经由多个透光用通孔照射激光，形成被分别形成了沿着厚度方向延伸的多个导电路形成用通孔的绝缘性片体，激光被曝光用掩模的另一面的透光用通孔的开口缘限制而相对于绝缘性片基体材料的一面垂直地照射，故可以在所需的位置上，将导电路形成用通孔以相对于绝缘性片体的厚度方向延伸成直线状的方式形成，其结果，不用缩小导电路元件其自身的宽度，便可以用极小的配置间距形成彼此能够充分地确保绝缘性的多个导电路元件，因而，能够可靠地得到即便相对于要连接的电极的配置间距极小的被连接体，也能够可靠地达成所需的电连接的各向异性导电性片。
并且，由于只要进行将曝光用掩模以其一面与绝缘性片基体材料的一面相接的方式配置这样简单的操作即可，因此可以有利地制造所需的各向异性导电性片。
另外，根据本发明的各向异性导电性片的制造方法，由于通过在突出部分形成用树脂层的突出部分形成用通孔内形成突出部分形成部分，并溶解并除去该突出部分形成用树脂层的方式形成导电路元件的突出部分，因此即便在导电路元件的配置间距极小的情况下，对于所有的导电路元件都能够可靠地形成具有所需的导电性特性的突出部分，因而，能够可靠地得到即便相对于要连接的电极的配置间距极小的被连接体，也能够带着较高的信赖性可靠地达成所需的电连接的各向异性导电性片。
根据本发明的各向异性导电性连接器，由于具有上述的各向异性导电性片，因此即便相对于要连接的电极的配置间距极小的被连接体，也能够可靠地达成所需的电连接。
根据本发明的各向异性导电性连接器的制造方法，能够可靠并且有利地制造即便相对于要连接的电极的配置间距极小的被连接体，也能够可靠地达成所需的电连接的各向异性导电性连接器。
另外，在框架的开口以及开口缘部上可靠地形成各向异性导电性片，其中各向异性导电性片以彼此能够充分地确保绝缘性的状态、以极小的配置间距形成了具有分别具有所需的导电性特性的突出部分的多个导电路元件，因而，能够可靠地得到即便相对于要连接的电极的配置间距极小的被连接体，也能够带着较高的信赖性可靠地达成所需的电连接的各向异性导电性连接器。
根据本发明的电路检查用探测器以及电路装置的检查装置，该电路检查用探测器的与连接对象物接触的各向异性导电性连接器，具备将导电路元件一体地设在以特定的方法用曝光用掩模形成的、绝缘性片体的导电路形成用通孔内的各向异性导电性片，各向异性导电性片，即便在导电路元件的配置间距较小的情况下，也能够可靠地防止邻接的导电路元件彼此连结的情况，并能够将各个导电路元件作为彼此独立的元件而构成，因此即便作为检查对象的电路装置的被检查电极的间距较小，也能够可靠地达成所需的电连接。
附图说明
图1是展示本发明的各向异性导电性片的一例的构成的概略的说明用剖面图。
图2是展示制造本发明的各向异性导电性片时所用的曝光用掩模的一例的构成的概略的说明用剖面图。
图3是展示在绝缘性片基体材料的一面上配置了曝光用掩模的状态的说明用剖面图。
图4是展示通过在绝缘性片基体材料上形成导电路形成用通孔而得到的绝缘性片体的构成的说明用剖面图。
图5是展示在绝缘性片体的导电路形成用通孔的各自的内部形成了导电路元件用材料层的状态的说明用剖面图。
图6是展示形成导电路元件用材料层的装置的一例的、在减压气氛下在绝缘性片体的表面上涂布导电路元件用材料的状态的说明用剖面图。
图7是展示形成导电路元件用材料层的装置的一例的、调整到大气压气氛、然后在绝缘性片体的导电路元件成形用空间内填充导电路元件用材料的状态的说明用剖面图。
图8是展示使平行磁场作用在导电路元件用材料层上的状态的说明用剖面图。
图9是展示本发明的各向异性导电性片的其他的例子的构成的概略的说明用剖面图。
图10是展示在绝缘性片体的导电路形成用通孔的各自的内部以及曝光用掩模的透光用通孔的各自的内部形成了导电路元件用材料层的状态的说明用剖面图。
图11是展示使平行磁场作用在导电路元件用材料层上的状态的说明用剖面图。
图12是展示本发明的各向异性导电性片的再其他的例子的构成的概略的说明用剖面图。
图13是展示在层叠体的绝缘性片基体材料的一面上配置了曝光用掩模的状态的说明用剖面图。
图14是展示在绝缘性片基体材料上形成导电路形成用通孔，同时在突出部分形成用树脂层上形成了突出部分形成用树脂层的状态的说明用剖面图。
图15是展示在各个导电路元件成形用空间内形成了导电路元件用材料层的状态的说明用剖面图。
图16是展示使平行磁场作用在导电路元件用材料层上的状态的说明用剖面图。
图17是展示使形成了一面侧突出部分的二次复合体的整体浸泡在溶剂中的状态的说明用剖面图。
图18是展示本发明的各向异性导电性连接器的一例的构成的概略的平面图。
图19是将图18所示的各向异性导电性连接器的要部放大来展示的说明用剖面图。
图20是展示将在下面侧加压板以及上面侧加压板之间形成了高分子物质形成材料层的支撑板、下面侧衬垫、框架板、上面侧衬垫、以及曝光用掩模位置相吻合地配置的状态的说明用剖面图。
图21是展示在包括框架板的开口的内部空间，下侧衬垫以及上侧衬垫的各自的开口的内部空间以及曝光用掩模的透光用通孔的内部空间的各向异性导电性片成形用空间内，形成了目的形态的高分子物质形成材料层的状态的说明用剖面图。
图22是展示通过进行高分子物质形成材料层的固化处理而得到的一次复合体的构成的说明用剖面图。
图23是展示通过在一次复合体各自的绝缘性片基体材料上形成导电路元件形成用通孔而得到的二次复合体的构成的说明用剖面图。
图24是展示在二次复合体的导电路形成用通孔各自的内部形成了导电路元件用材料层的状态的说明用剖面图。
图25是展示使平行磁场作用在导电路元件用材料层上的状态的说明用剖面图。
图26是将本发明的各向异性导电性连接器的其他的构成例的要部放大来展示的说明用剖面图。
图27是展示将在下面侧加压板以及上面侧加压板之间形成了高分子物质形成材料层的层叠材料、下面侧衬垫、框架板、上面侧衬垫、曝光用掩模以及脱模薄膜位置相吻合地配置的状态的说明用剖面图。
图28是展示在包括框架板的开口的内部空间、下侧衬垫以及上侧衬垫的各自的开口的内部空间以及曝光用掩模的透光用通孔的内部空间的各向异性导电性片成形用空间内，形成了目的形态的高分子物质形成材料层的状态的说明用剖面图。
图29是展示通过进行高分子物质形成材料层的固化处理，形成了框架板的开口以及由该开口缘部支撑的绝缘性片基体材料的状态的说明用剖面图。
图30是展示通过在一次复合体的各自的绝缘性片基体材料上形成导电路元件形成用通孔而得到的二次复合体的构成的说明用剖面图。
图31是展示在二次复合体的导电路形成用通孔的各自的内部形成了导电路元件用材料层的状态的说明用剖面图。
图32是展示使平行磁场作用在导电路元件用材料层上的状态的说明用剖面图。
图33是展示使形成了一面侧突出部分的二次复合体的整体浸泡在适当的溶剂中的状态的说明用剖面图。
图34是展示本发明的晶片检查装置的一例的要部的构成的说明用剖面图。
图35是将本发明的电路检查用探测器的一例的要部放大来展示的说明用剖面图。
图36是将本发明的电路检查用探测器的其他的构成例的要部放大来展示的说明用剖面图。
图37是展示本发明的晶片检查装置的再其他的例子的要部的构成的说明用剖面图。
图38是将本发明的电路检查用探测器的再其他的构成例的要部放大来展示的说明用剖面图。
图39是展示本发明的晶片检查装置的再其他的例子的要部的构成的说明用剖面图。
图40是展示用实施例制作的评价用晶片的构成的平面图。
图41是展示形成在评价用晶片上的集成电路的被检查电极区域的位置的说明图。
图42是展示形成在评价用晶片上的集成电路的被检查电极的说明图。
图43是展示用实施例制作的框架板的构成的平面图。
图44是将图43所示的框架板的一部分放大来展示的说明图。
图45是展示在以往的制造各向异性导电性片的工序中，在金属模内形成了片成形材料层的状态的说明用剖面图。
图46是展示片成形材料层中的导电性粒子集中在该片成形材料层的成为导电路形成部的部分的状态的说明用剖面图。
图47是展示偏在型各向异性导电性片的一例的构成的概略的说明用剖面图。
图48是展示在以往的制造各向异性导电性片的工序中，在金属模内形成了片成形材料层的状态的说明用剖面图。
图49是展示片成形材料层中的导电性粒子集中在该片成形材料层的成为导电路形成部的部分的状态的说明用剖面图。
图50是展示偏在型各向异性导电性片的其他的粒子的构成的概略的说明用剖面图。
图51是展示在以往的制造各向异性导电性片的工序中，通过经由配置在绝缘性片基体材料的一面上的曝光用掩模的多个透光用通孔照射激光，形成了导电路元件形成用通孔的状态的说明用剖面图。
图52是展示在以往的制造各向异性导电性片的工序中，作为绝缘性片基体材料使用了厚度较大的基体材料的情况下的、通过经由配置在绝缘性片基体材料的一面上的曝光用掩模的多个透光用通孔照射激光，形成了导电路元件形成用通孔的状态的说明用剖面图。
标号说明
10 各向异性导电性片 10A 一次复合体
10B 二次复合体 11 导电路元件
11A 导电路元件用材料 11B 导电路元件用材料层
12A 一面侧突出部分 12B 另一面侧突出部分
13 突出部分形成部分 15 绝缘性片体
16 绝缘性片基体材料 16A 分子物质形成材料层
16B 高分子物质形成材料层 17 导电路形成用通孔
18 突出部分形成用树脂层 18A 突出部分形成用通孔
19 层叠体 20 曝光用掩模
20A 一面 20B 另一面
21 透光用通孔 23 腔
24 印刷用掩模 25、26 电磁铁
30 各向异性导电性连接器 30A 一次复合体
30B 二次复合体 30C 层叠体
31 框架板 31A 开口
31B 空气流入孔 32 支撑板
32A 层叠材料 33 上面侧衬垫
33A 开口 34 下面侧衬垫
34A 开口 35 上面侧加压板
36 下面侧加压板 37 脱模薄膜
S 溶剂 40 电路检查用探测器
50 检查用电路基板 51 检查电极
52 连接端子 53 内部配线
60 晶片 62 被检查电极
65 晶片载置台 70 片状连接器
71 绝缘性片 72 电极结构体
73 表面电极部 74 背面电极部
75 短路部 L 集成电路
A 被检查电极区域 80 上模
85 下模 81、86 基板
82、87强磁性体层 82A、87A 凹处
83、88非磁性体层 84 衬垫
90 片成形材料层 91 导电路形成部
92 绝缘部 93 偏在型各向异性导电性弹性片
P 导电性粒子 95 曝光用掩模
95A 一面 95B 另一面
96 透光用通孔 96A 内壁面
97 绝缘性片基体材料 97A 一面
97B 另一面 98 导电路形成用通孔
98A 极大部
具体实施方式
以下，详细地说明本发明的实施形态。
(各向异性导电性片)
图1，是展示本发明的各向异性导电性片的一例的构成的概略的剖面图。
该各向异性导电性片10，由按照与连接对象体例如被检查电路装置的被检查电极的图形相对应的图形形成了各自沿着厚度方向延伸的多个导电路形成用通孔17的、由弹性高分子物质构成的绝缘性片体15，和一体地设在该绝缘性片体15的各个导电路形成用通孔17内的导电路元件11构成。
作为构成绝缘性片体15的弹性高分子物质，最好是具有交联结构的耐热性的高分子物质。作为为了得到该交联高分子物质而可以使用的固化性的高分子物质形成材料，可以使用各种材料，作为其具体例，可以列举硅酮橡胶、聚丁二烯橡胶、天然橡胶、聚异戊二烯橡胶、苯乙烯-丁二烯共聚物橡胶、丙烯腈-丁二烯共聚物橡胶等共轭二烯类橡胶以及它们的氢添加物、苯乙烯-丁二烯-二烯嵌段共聚物橡胶、苯乙烯-异戊二烯嵌段共聚物等嵌段共聚物橡胶以及它们的氢添加物、氯丁二烯、聚氨酯橡胶、聚酯类橡胶、表氯醇橡胶、乙烯-丙烯共聚物橡胶、乙烯-丙烯-二烯共聚物橡胶、软质液状环氧橡胶等。其中，从成形加工性以及电特性的观点来看，最好是硅酮橡胶。
作为硅酮橡胶，最好是将液状硅酮橡胶交联或缩合的。液状硅酮橡胶，可以是缩合型的硅酮橡胶、附加型的硅酮橡胶、含有乙烯基、羟基的硅酮橡胶等任意一种。具体地说，可以列举二甲基硅氧烷生橡胶、甲基乙烯基硅氧烷生橡胶、甲基苯基乙烯基硅氧烷生橡胶等。
其中，含有乙烯基的液状硅酮橡胶(乙烯基含有聚二甲基硅氧烷)，通常，通过在二甲基乙烯基氯硅烷或二甲基乙烯基烷氧基硅烷存在的情况下，使二甲基二氯硅烷或二甲基二烷氧基硅烷水解以及缩合反应，例如进行由继续溶解-沉淀的反复而得到的分别可以得到。
另外，在两末端含有乙烯基的液状硅酮橡胶，通过在催化剂存在的情况下将八甲基环四硅氧烷这样的环状硅氧烷阴离子聚合，作为聚合停止剂，例如使用二甲基二乙烯基硅氧烷，并适当选择其他的反应条件(例如，环状硅氧烷的量以及聚合停止剂的量)可以得到。在此，作为阴离子聚合的催化剂，可以使用氢氧化四甲基铵以及氢氧化正丁基磷等碱或它们的硅烷醇盐溶液等，反应温度，例如是80～130℃。
这样的乙烯基含有聚二甲基硅氧烷，最好是其分子量Mw(说的是标准聚苯乙烯换算重量平均分子量。以下相同)为10000～40000的。另外，从得到的各向异性导电性片10的耐热性的观点来看，最好是分子量分布指数(说的是标准聚苯乙烯换算重量平均分子量Mw合标准聚苯乙烯换算数平均分子量Mn的比Mw/Mn的值。以下相同)是小于等于2的。
另一方面，含有羟基的液状硅酮橡胶(羟基含有聚二甲基硅氧烷)，通常，通过在二甲基羟基氯硅烷或二甲基羟基烷氧基硅烷存在的情况下，使二甲基二氯硅烷或二甲基二烷氧基硅烷水解以及缩合反应，例如进行由继续溶解-沉淀的反复而得到的分别可以得到。
另外，通过在催化剂存在的情况下将环状硅氧烷阴离子聚合，作为聚合停止剂，例如可以使用二甲基羟基氯硅烷、甲基二羟基氯硅烷或二甲基羟基烷氧基硅烷等，并适当选择其他的反应条件(例如，环状硅氧烷的量以及聚合停止剂的量)也可以得到。在此，作为阴离子聚合的催化剂，可以使用氢氧化四甲基铵以及氢氧化正丁基磷等碱或它们的硅烷醇盐溶液等，反应温度，例如是80～130℃。
这样的羟基含有聚二甲基硅氧烷，最好是其分子量Mw为10000～40000的。另外，从得到的各向异性导电性片10的耐热性的观点来看，最好是分子量分布指数是小于等于2的。
在本发明中，可以使用上述的乙烯基含有聚二甲基硅氧烷以及羟基含有聚二甲基硅氧烷的任意一方，也可以将两者并用。
另外，在将各向异性导电性片用于对形成在晶片上的集成电路的探测器试验或老化试验的情况下，作为弹性高分子物质，最好使用附加型液状硅酮橡胶的固化物(以下，称为“硅酮橡胶固化物”)，并且其150℃的压缩永久变形是小于等于10％的，更好的是小于等于8％，再好一点是小于等于6％。当该压缩永久变形超过10％时，当多次重复使用得到的各向异性导电性片或者在高温环境下重复使用时，容易在导电路元件11上产生永久变形，由此，在导电路元件11的导电性粒子的链上出现混乱，其结果便很难维持所需的导电性特性。
在此，硅酮橡胶固化物的压缩永久变形，可以通过以JIS K6249为基准的方法测定。
另外，作为硅酮橡胶固化物，最好使用其23℃的、杜罗回跳式硬度计A硬度为10～60的，进而更好的是15～60，特别是最好是20～60的。当该杜罗回跳式硬度计A硬度小于10时，在被加压时，绝缘性片体15容易过度变形，便很难维持导电路元件11之间的所需的绝缘性。另一方面，当该杜罗回跳式硬度计A硬度超过60时，为了给导电路元件11造成适当变形，需要由相当大的载荷施加的加压力，因此例如容易出现检查对象物的变形或破损。
另外，作为硅酮橡胶固化物，在使用杜罗回跳式硬度计A硬度在上述范围以外的材料的情况下，当多次重复使用得到的各向异性导电性片时，容易在导电路元件11上产生永久变形，由此，在导电路元件11的导电性粒子的链上出现混乱，其结果便很难维持所需的导电性特性。
进而，在将各向异性导电性片用于老化试验时，硅酮橡胶固化物，最好是其23℃的杜罗回跳式硬度计A硬度为25～40的。作为硅酮橡胶固化物，在使用杜罗回跳式硬度计A硬度为上述范围以外的材料的情况下，当将得到的各向异性导电性片反复使用于老化试验时，容易在导电路元件11上产生永久变形，由此，在导电路元件11的导电性粒子的链上出现混乱，其结果，便很难维持所需的导电性特性。在此，硅酮橡胶固化物的杜罗回跳式硬度计A硬度，可以通过以JIS K6249为基准的方法测定。
另外，作为硅酮橡胶固化物，最好使用其23℃的扯裂强度为大于等于8kN/m的，再好一点是大于等于10kN/m的，更好的是大于等于15kN/m的，特别好的是大于等于20kN/m的。当该扯裂强度小于8kN/m时，在给各向异性导电性片造成过度的变形时，容易引起耐久性的降低。
在此，硅酮橡胶固化物的扯裂强度，可以通过以JIS K 6249为基准的方法测定。
另外，作为附加型液状硅酮橡胶，虽然可以使用通过乙烯基与Si-H键的反应固化的、并且由含有乙烯基以及Si-H耦合这两方的聚硅氧烷构成的一液型(一成分型)的材料，以及由含有乙烯基的聚硅氧烷以及含有Si-H耦合的聚硅氧烷构成的二液型(二成分型)的材料中的任意一种，但最好使用二液型的附加型液状硅酮橡胶。
另外，作为附加型液状硅酮橡胶，最好使用其23℃的粘度为100～1,250Pa·s的，再好一点的是150～800Pa·s的，特别好的是250～500Pa·s的。当该粘度小于100Pa·s时，在用于得到后述的导电路元件11的导电路元件用材料11A中，容易产生该附加型液状硅酮橡胶中的导电性粒子的沉淀，不能得到良好的保存稳定性，另外，在使平行磁场作用于导电路元件用材料层11B时，不能以导电性粒子沿着厚度方向排列的方式取向，并很难以均匀的状态形成导电性粒子的链。另一方面，当该粘度超过1,250Pa·s时，在用于得到后述的导电路元件11的导电路元件用材料11A中，由于得到的导电路元件用材料11A是粘度较高的材料，因此便很难在绝缘性片体15的导电路元件形成用通孔17内形成导电路元件用材料层11B，另外，即便使平行磁场作用于导电路元件用材料层11B，也不能使导电性粒子充分地移动，因此，很难使导电性粒子以沿着厚度方向排列的方式取向。
这种附加型液状硅酮橡胶的粘度，可以用B型粘度计测定。
在高分子物质形成材料中，可以使其含有用于使该高分子物质形成材料固化的固化催化剂。作为这样的固化催化剂，可以使用有机过氧化物、脂肪酸偶氮化合物、氢化硅烷化催化剂等。
作为当作固化催化剂来使用的有机过氧化物的具体例，可以列举过氧化苯甲酰、双二环苯甲酰过氧化物、过氧化二异丙苯、二叔丁基过氧化物等。
作为当作固化催化剂来使用的脂肪酸偶氮化合物的具体例，可以列举偶氮二异丁腈等。
作为可以当作氢化硅烷化反应的催化剂来使用的材料的具体例，可以列举氯铂酸以及其盐、铂-含不饱和基硅氧烷配合物、乙烯基硅氧烷和铂的配合物、铂和1，3一二乙烯基四甲基二硅氧烷的配合物、三有机(基)膦或磷酸盐和铂的配合物、乙酰基乙酸酯铂螯合物、环状二烯烃和铂的配合物等公知的材料。
固化催化剂的使用量，可以考虑高分子物质形成材料的种类、固化催化剂的种类、其他的固化处理条件来适当选择，但通常，相对于高分子物质形成材料100重量份是3～15重量份。
导电路元件11，以在弹性高分子物质中，导电性粒子P以沿着厚度方向排列的方式取向的状态被含有的方式构成，通过该导电性粒子P的链沿着该导电路元件11的厚度方向形成导电路。
该导电路元件11，通过将流动性的导电路元件用材料11A(参照图6)固化处理而形成，该导电路元件用材料11A是使导电性粒子P分散在被固化而成为弹性高分子物质的高分子物质形成材料中而构成的。
作为导电路元件用材料11A所使用的高分子物质形成材料，可以使用作为为了得到构成绝缘性片体15的弹性高分子物质而可以使用的固化性的高分子物质形成材料来例示的材料。
作为导电路元件用材料11A所使用的导电性粒子P，根据后述的方法，从在导电路元件用材料11A中可以很容易地使该导电性粒子P移动的观点来看，最好使用显示磁性的材料。作为这种显示磁性的导电性粒子P的具体例，可以列举铁、镍、钴等显示磁性的金属的粒子，或者它们的合金的粒子，或者含有这些金属的粒子，或者将这些粒子作为芯粒子、在该芯粒子的表面实施金、银、钯、铑等导电性良好的金属的电镀的材料，或者在芯粒子上包覆了导电性磁性体以及导电性良好的金属这两方的材料等。
其中，最好使用将镍粒子作为芯粒子，并在其表面实施了金或银等导电性良好的金属的电镀的材料。
作为在芯粒子的表面上包覆导电性金属的方法，没有特别地限定，例如可以通过无电解镀来进行。
作为导电性粒子P，在使用在芯粒子的表面上包覆导电性金属而构成的材料的情况下，从可以得到良好的导电性的观点来看，最好粒子表面的导电性金属的包覆率(相对于芯粒子的表面积的导电性金属的包覆面积的比例)大于等于40％，再好一点是大于等于45％，特别好的是47～95％。
另外，导电性金属的包覆量，最好是芯粒子的2.5～50重量％，再好一点是3～45重量％，更好的是3.5～40重量％，特别好的是5～30重量％。
另外，导电性粒子P的粒子径，最好是1～500μm，再好一点是2～400μm，更好的是5～300μm，特别好的是10～150μm。
另外，导电性粒子P的粒子径分布(Dw/Dn)，最好是1～10，再好一点是1～7，更好的是1～5，特别好的是1～4。
通过使用满足这样的条件的导电性粒子P，得到的各向异性导电性片10，很容易加压变形，另外，在该各向异性导电性片10的导电路元件11中，在导电性粒子P之间可以得到足够的电接触。
另外，导电性粒子P的形状，没有特别地限定，但在可以很容易地使其分散在高分子物质形成材料中这一点上，最好是球状、星形状或者由它们凝聚的2次粒子构成的块状。
另外，导电性粒子P的含水率，最好是小于等于5％，再好一点是小于等于3％，更好的是小于等于2％，特别好的是小于等于1％。通过使用满足这样的条件的导电性粒子P，在后述的制造方法中，在将导电路元件用材料层11B固化处理时，能够可靠地防止或抑制在该导电路元件用材料层11B内产生气泡的情况。
另外，可以适当使用将导电性粒子P的表面用硅烷耦合剂等耦合剂处理过的材料。通过用耦合剂处理导电性粒子P的表面，该导电性粒子P和弹性高分子物质的粘接性提高，其结果，得到的各向异性导电性片10，重复使用的耐久性较高。
耦合剂的使用量，可以在不给导电性粒子P的导电性造成影响的范围内适当选择，但最好导电性粒子P的表面的耦合剂的包覆率(相对于导电性芯粒子的表面积的耦合剂的包覆面积的比例)是大于等于5％的量，再好一点，上述包覆率是7～100％，更好的是10～100％，特别好的是20～100％的量。
导电性粒子P的相对于高分子物质用材料的含有比例，以体积分率来说最好用10～60％，更好的是15～50％的比例来使用。当该比例小于10％时，不能充分地得到电阻值较小的导电路元件11。另一方面，当该比例超过60％时，得到的导电路元件11很容易变得脆弱，作为导电路元件11不能得到需要的弹性。
在导电路元件用材料11A中，根据需要，可以使其含有通常的硅石粉、胶态硅、二氧化硅溶胶、氧化铝等无机填充材料。通过使其含有这样的无机填充材料，可以确保得到的导电路元件用材料11A的触变性，其粘度提高，并且，导电性粒子P的分散稳定性提高，同时被固化处理而得到的导电路元件11的强度提高。
这种无机填充材料的使用量，没有特别地限定，但如果使用的过多，在后述的制造方法中，会较大地阻碍由磁场实现的导电性粒子P的移动，因此不理想。
在该各向异性导电性片10中，构成该各向异性导电性片10的绝缘性片体15，通过使用按照与要形成直径分别从一面20A到另一面20B而逐渐变小的多个透光用通孔21的、导电路元件11的图形相对应的图形形成了各个导电路形成用通孔17的曝光用掩模20(参照图2。)，并从该曝光用掩模20的另一面20B侧经由该透光用通孔21照射激光而形成。
绝缘性片体15的导电路形成用通孔21，分别具有形成相对于该绝缘性片体15的一面以及另一面而垂直地延伸的柱状的内部空间的形状，并被设为彼此独立的状态，即，以可以在形成在该导电路元件用通孔21内的导电路元件彼此上保持足够的绝缘性的方式分离的状态。
在该各向异性导电性片10中，全厚(形成导电路元件11的部分的厚度)，例如最好是大于等于20μm，再好一点是50～3000μm，特别好的是100～2000μm。例如，如果该厚度大于等于50μm，能够可靠地得到具有足够的强度的各向异性导电性片10，另一方面，如果该厚度小于等于3000μm，能够可靠地得到具有所需的导电性特性的导电路元件11。
上述的各向异性导电性片10，例如可以用以下的方式制造。
(第1工序)
在该第1工序中，首先，准备图2所示的、按照与要形成的导电路元件11的配置图形相对应的图形，形成了直径分别从一面20A到另一面20B而逐渐变小的、沿着厚度方向延伸的多个透光用通孔21的曝光用掩模20。
然后，如图3所示，将该曝光用掩模20，以该曝光用掩模20的一面20A与绝缘性片基体材料16的一面相接的方式配置在由弹性高分子物质构成的绝缘性片基体材料16的一面上，如图4所示，例如通过从该曝光用掩模20的另一面20B侧经由多个透光用通孔21照射激光，构成分别形成了沿着厚度方向延伸的多个导电路形成用通孔17的绝缘性片体15。
作为曝光用掩模20，可以使用通过蚀刻法，在例如由铜等热传导性良好的金属材料构成的掩模基体材料上，按照与要形成的导电路元件11的配置图形相对应的图形，形成了多个透光用通孔21的。通过使用由金属构成的曝光用掩模20，在后述的各向异性导电性片的制造工序中，在将该曝光用掩模20配置在绝缘性片体15的一面上的状态下直接将高分子物质形成材料成形时，通过该曝光用掩模20其自身的放热性防止或抑制热膨胀，从而可以用较高的尺寸精度可靠地得到目的形态的各向异性导电性片体10。
另外，作为曝光用掩模20，最好使用其一面20A的透光用通孔21的开口径r1，和另一面20B的透光用通孔21的开口径r2的开口径比r2/r1例如是0.2～0.98的，再好一点是0.2～0.95的，更好的是开口径比r2/r1是0.3～0.9的。通过使用开口径比r2/r1满足上述范围的曝光用掩模，可以防止照射的激光由曝光用掩模20的透光用通孔21的内壁面漫反射的情况，从而能够可靠地得到相互独立的多个导电路形成用通孔17。
另外，曝光用掩模20的厚度，例如最好使用5～100μm的。
通过使用以上的曝光用掩模20，基本上，在具有后述的导电路元件11从月片体15的一面突出的一面侧突出部分12A的构成的各向异性导电性片中，能够可靠地形成具有所需的导电性特性的导电路元件11。
作为用于在绝缘性片基体材料16上形成导电路形成用通孔17的激光，例如可以利用由二氧化碳气体脉冲激光器产生的激光。
在该第1工序中，可以通过在该曝光用掩模20的另一面20B的平面区域中，对被分割的多个处理单位区域的每一个，顺次重复进行通过经由一个处理单位区域的多个透光用通孔21照射激光而形成多个导电路形成用通孔17的处理的方式，形成绝缘性片体15，也可以通过经由曝光用掩模20的所有的透光用通孔21照射激光，从而一起形成所有的导电路形成用通孔17，形成绝缘性片体15。
形成导电路形成用通孔17时的具体的激光的照射条件，可以考虑构成绝缘性片基体材料16的高分子物质形成材料的种类、厚度以及其他的构成条件而适当地选定。
(第2工序)
在该第2工序中，首先，如图5所示，通过在由第1工序得到的绝缘性片体15的一面上，涂布上述的导电路元件用材料，在绝缘性片体15的导电路形成用通孔17各自的内部填充导电路元件用材料，由此，在绝缘性片体15的导电路形成用通孔17各自的内部形成导电路元件用材料层11B。
在以上，作为涂布导电路元件用材料11A的方法，可以使用例如网板印刷等印刷法的方法。
另外，在该第2工序中，如图6所示，在内部空间被调整到例如小于等于1×10-3atm，最好是1×10-4～1×10-5atm的加压气氛的腔23内，在将绝缘性片体15的导电路形成用通孔17的另一面侧堵塞的状态下，用印刷用掩模24将导电路元件用材料11A涂布在该绝缘性片体15的一面上，之后，如图7所示，最好通过使腔23内的气氛压上升从而达到例如常压，在导电路形成用通孔17内填充导电路元件用材料11A，从而形成导电路元件用材料层11B。
根据这种方法，通过使腔23内的气氛压上升，利用气氛压和绝缘性片体15的导电路形成用通孔17内的压力的压力差，可以高密度地将导电路元件用材料11A填充在该导电路形成用通孔17内，因此可以防止在得到的导电路元件用材料层11B中产生气泡的情况。
另外，作为在绝缘性片体15的导电路形成用通孔17内形成导电路元件用材料层11B的方法，代替在绝缘性片体15上涂布导电路元件用材料11A的方法，还可以利用首先，将导电性粒子P填充在绝缘性片体15的导电路形成用通孔17的内部，之后，将固化后成为弹性高分子物质的高分子物质形成材料填充在绝缘性片体15的导电路形成用通孔17内的方法。
接着，如图8所示，将在导电路形成用通孔17内形成了导电路元件用材料层11B的绝缘性片体15，配置在一对电磁铁25、26之间，通过使该电磁铁25、26动作，使平行磁场沿着导电路元件用材料层11B的厚度方向起作用，由此，使分散在导电路元件用材料层11B中的导电性粒子P沿着该导电路元件用材料层11B的厚度方向取向。然后，在该状态下，通过进行导电路元件用材料层11B的固化处理，形成一体地设在绝缘性片体15的各自的导电路形成用通孔17内的导电路元件11，因而，得到图1所示的构成的各向异性导电性片10。
在该第2工序中，导电路元件用材料层11B的固化处理，可以在使平行磁场起作用的状态下直接进行，但也可以在使平行磁场的作用停止后进行。
作用于导电路元件用材料层11B的平行磁场的强度，例如最好是平均0.1～3T(特斯拉)的大小。
导电路元件用材料层11B的固化处理，可以根据使用的材料适当选定，例如，在将在导电路形成用通孔17内形成了导电路元件用材料层11B的绝缘性片体15，用规定的较大的推压力加压的状态下，可以通过加热来进行。在用这种方法进行导电路元件用材料层的固化处理时，只要在电磁铁25、26上设置加热器即可。具体的加压条件、加热温度以及加热时间，可以考虑构成导电路元件用材料层11B的高分子物质形成材料等的种类、导电性粒子的移动所需的时间等来适当选定。
于是，根据上述构成的各向异性导电性片10，由于绝缘性片体15，是以特定的方法用曝光用掩模20分别形成了其导电路形成用通孔17的，因此即便在要形成的导电路元件11的配置间距较小的情况下，也能够可靠地防止邻接的导电路元件11彼此连结地形成的情况，可以将各个导电路元件11作为彼此独立的部分而构成。
即，通过将曝光用掩模20的一面20A，以与绝缘性片基体材料16的一面相接的方式配置，然后从该曝光用掩模20的另一面20B侧照射激光，激光被曝光用掩模20的透光用通孔21的开口径较小的另一面20B侧的开口缘限制，从而相对于绝缘性片基体材料16的一面垂直地照射，因此导电路形成用通孔17，在所需的位置，以相对于绝缘性片体15的一面以及另一面具有垂直地延伸的柱状的内部空间的状态被形成，具体地说，例如，是在将绝缘性片体15的一面侧的导电路形成用通孔17的开口径的大小设为a，将另一面侧的导电路形成用通孔17的开口径的大小设为b，将在绝缘性片体15的厚度方向上成为最大的部分的导电路形成用通孔17的开口径的大小设为c时，开口径比a/b是0.5～1.5的范围内，或者开口径比c/a是0.5～1.5的范围内的状态。
因而，可以不缩小导电路元件11其自身的宽度，而用例如小于等于100μm的极小的配置间距形成彼此独立的多个导电路元件11，即便相对于要连接的电极的配置间距极小的被连接体，也能够可靠地达成所需的电连接。
另外，由于可以相对于厚度方向形成实际上具有均匀的开口径的导电路形成用通孔17，因此在要形成的导电路元件11的间距较小的情况下，没有用于防止将导电路元件11连结地形成的情况的、有关各向异性导电性片的厚度的限制，设计的自由度提高。
并且，只要进行将曝光用掩模20以其一面20A与绝缘性片基体材料16的一面相接的方式配置，即在一连串的制造工序中，在制作曝光用掩模后使其反转这样简单的操作即可，因此可以用较高的合格率有利地制造所需的各向异性导电性片10。
在本发明的各向异性导电性片中，最好设为导电路元件以从绝缘性片体的至少一个面突出的方式形成的构成。
图9，是展示本发明的各向异性导电性片的其他的例子的构成的概略的说明用剖面图。该各向异性导电性片10，被设为导电路元件11具有从绝缘性片体15的一面突出的一面侧突出部分12A的构成，导电路元件11的一面侧突出部分12A，是直径从基端到前端而逐渐变小的形状，例如锥台状。
导电路元件11的一面侧突出部分12A的突出高度，最好是大于等于该一面侧突出部分12A的、各向异性导电性片10的厚度的10％的大小，更好的是大于等于20％的大小。通过形成具有这样的突出高度的一面侧突出部分12A，用较小的加压力就可以充分地压缩导电路元件11，因此能够可靠地得到良好的导电性特性。
另外，一面侧突出部分12A的突出高度，最好是小于等于该一面侧突出部分12A的最短宽度(前端面的宽度)的100％的大小，更好的是小于等于70％的大小。通过形成具有这样的突出高度的一面侧突出部分12A，在将该一面侧突出部分12A加压时没有压曲的情况，因此能够可靠地得到所需的导电性特性。
该各向异性导电性片10，在上述的制造工序中，可以通过在将曝光用掩模20配置在绝缘性片体15的一面上的状态下，直接进行第2工序来制造。
具体地说，如图10所示，通过在将曝光用掩模20配置在由第1工序得到的绝缘性片体15的一面上的状态下，直接涂布上述的导电路元件用材料11A，在绝缘性片体15的导电路形成用通孔17各自的内部以及曝光用掩模20的透光用通孔21各自的内部填充导电路元件用材料11A，由此，在绝缘性片体15的导电路形成用通孔17各自的内部以及曝光用掩模20的透光用通孔21各自的内部形成导电路元件用材料层11B。
然后，如图11所示，将在包括导电路形成用通孔17以及曝光用掩模20的透光用通孔21的成形用空间内形成了导电路元件用材料层11B的绝缘性片体15以及曝光用掩模20的层叠体，配置在一对电磁铁25、26之间，并通过使该电磁铁25、26动作，使平行磁场沿着导电路元件用材料层11B的厚度方向起作用，由此，使分散在导电路元件用材料层11B中的导电性粒子P沿着该导电路元件用材料层11B的厚度方向取向。然后，在该状态下，通过进行导电路元件用材料层11B的固化处理，形成一体地设在绝缘性片体15上的、具有从该绝缘性片体15的一面突出的一面侧突出部分12A的导电路元件11。
之后，通过除去曝光用掩模20，得到图9所示的构成的各向异性导电性片10。
根据这种构成的各向异性导电性片10，基本上，可以得到与由两面实际上是平坦的面的各向异性导电性片(图1所示的构成的)得到的效果同样的效果，同时由于导电路元件11具有直径从基端到前端而逐渐变小的形状的一面侧突出部分12A，因此可以带着更高的信赖性来达成所需的电连接。
图12，是展示本发明的各向异性导电性片的再其他的例子的构成的概略的说明用剖面图。该各向异性导电性片10，被设为如下的构成，即具有按照与连接对象体、例如被检查电路装置的被检查电极的图形相对应的图形、分别形成了沿着厚度方向延伸的多个导电路形成用通孔17的、由弹性高分子物质构成的绝缘性片体15，和一体地设在该绝缘性片体15的各个导电路形成用通孔17内的导电路元件11，并且导电路元件11具有从绝缘性片体15的两面突出的突出部分12A、12B的构成。
该各向异性导电性片10的导电路元件11，从绝缘性片体15的一面突出的一面侧突出部分12A被设为直径从基端到前端而逐渐变小的形状，例如锥台状，从绝缘性片体15的另一面突出的另一面侧突出部分12B被设为例如柱状。
导电路元件11的一面侧突出部分12A以及另一面侧突出部分12B的突出高度h1、h2，最好都是大于等于形成导电路元件11的部分的各向异性导电性片10的厚度的10％的大小，更好的是大于等于20％的大小。通过形成具有这样的突出高度的h1、h2的一面侧突出部分12A以及另一面侧突出部分12B，用较小的加压力就可以充分地压缩导电路元件11，因此能够可靠地得到良好的导电性特性。
另外，一面侧突出部分12A的突出高度h1，最好是小于等于其最短宽度(例如，对于一面侧突出部分12A来说，是前端面的宽度)的100％的大小，更好的是小于等于70％的大小。对于另一面侧突出部分12B的突出高度h2，也是同样的。
通过形成具有这样的突出高度h1、h2的一面侧突出部分12A以及另一面侧突出部分12B，在将该一面侧突出部分12A以及另一面侧突出部分12B加压时没有压曲的情况，因此能够可靠地得到所需的导电性特性。
上述的各向异性导电性片10，例如可以用以下的方式制造。
(第1工序)
在该第1工序中，首先，制作在由弹性高分子物质构成的绝缘性片基体材料16的至少一个面上，一体地设置了突出部分形成用树脂层18的层叠体19(参照图13。)。在该例子中，只将突出部分形成用树脂层18设在绝缘性片基体材料16的另一面上。
作为形成突出部分形成用树脂层18的方法，可以通过将树脂层形成材料涂布在绝缘性片基体材料16上，然后利用加热将涂膜干燥的方法，或者通过将形成为薄膜状的树脂层形成材料层转印并粘贴在绝缘性片基体材料16上的方法来形成。
作为树脂层形成材料，最好是具有以下所示的特性的材料，作为其具体例，可以例示例如聚乙烯醇、聚丙烯酸、聚丙烯酰胺、聚乙烯氧化物、聚乙烯吡咯烷酮、聚乙烯酰胺、多胺等。其中，从具有容易溶解于水，由激光加工时的加热导致的变形较少的特性的理由来看，最好是聚乙烯醇。
作为聚乙烯醇，最好使用例如重量平均聚合度为100～5000的，更好的是1000～2000的。由此，在后述的树脂层除去工序中，能够用作为溶剂的水可靠地溶解并除去。
(要求特性)
(1)可以进行激光的开孔加工。
(2)不阻碍高分子物质形成材料的固化。
(3)具有耐热性。
(4)相对于水或溶剂以大于等于5％的比例溶解。
(5)利用水或溶剂膨润。
突出部分形成用树脂层18的厚度，最好是例如5～100μm，更好的是15～40μm。由此，可以用适当的溶剂可靠地溶解并除去突出部分形成用树脂层18，并能够可靠地形成得到所需的导电性特性的突出部分。
(第2工序)
在该第2工序中，如图13所示，通过将上述构成的曝光用掩模20以其一面20A于层叠体19的一面相接的方式配置，并如图14所示，从曝光用掩模20的另一面20B侧经由多个透光用通孔21照射激光，在绝缘性片基体材料16上形成分别沿着厚度方向延伸的多个导电路形成用通孔17，同时在突出部分形成用树脂层18上形成分别与导电路形成用通孔17连续地沿着厚度方向延伸的突出部分形成用通孔18A，由此，形成在绝缘性片体15的另一面上设有突出部分形成用树脂层18的一次复合体10A。
(第3工序)
在该第3工序中，首先，如图15所示，通过在将曝光用掩模20配置在形成了导电路形成用通孔17以及突出部分形成用通孔18A的一次复合体10A的一面上的状态下，直接涂布上述的导电路元件用材料11A，将导电路元件用材料11A，填充在包括曝光用掩模20的透光用通孔21的内部空间、绝缘性片体15的导电路形成用通孔17的内部空间以及突出部分形成用树脂层18的突出部分形成用通孔18A的内部空间的各个导电路元件成形用空间内，由此，在导电路元件成形用空间内形成导电路元件用材料层11B。
接着，如图16所示，将在导电路元件成形用空间内形成了导电路元件用材料层11B的、曝光用掩模20、绝缘性片体15以及突出部分形成用树脂层18的层叠体，配置在一对电磁铁25、26之间，并通过使该电磁铁25、26动作，使平行磁场沿着导电路元件用材料层11B的厚度方向起作用，由此，使分散在导电路元件用材料层11B中的导电性粒子P沿着该导电路元件用材料层11B的厚度方向取向，在该状态下，通过进行导电路元件用材料层11B的固化处理，形成导电路元件11，并形成在导电路元件成形用空间内形成了导电路元件11的、由曝光用掩模20、绝缘性片体15以及突出部分形成用树脂层18的层叠体构成的二次复合体10B。
在以上的第2工序以及第3工序中，形成导电路形成用通孔17以及突出部分形成用通孔18A之际的处理条件，形成导电路元件用材料层11B之际的处理条件，以及，形成导电路元件11之际的处理条件，与制造上述图1所示的构成的各向异性导电性片的情况相同。
(第4工序)
在该第4工序中，通过从二次复合体10B的一面剥离并除去曝光用掩模20，使导电路元件11的一端部露出，从而形成一面侧突出部分12A，在该状态下，如图17所示，通过使二次复合体10B的整体浸泡在适当的溶剂S中，然后溶解并除去突出部分形成用树脂层18，使导电路元件11的另一端部露出，从而形成另一面侧突出部分12B，于是，得到图12所示的构成的各向异性导电性片10。
作为为了除去突出部分形成用树脂层18而使用的溶剂S，必须是不会有损于构成绝缘性片体15的弹性高分子物质的特性、形态等的材料，可以在与构成突出部分形成用树脂层18的材料的关系中适当选择。具体地说，可以列举例如水或甲醇、乙醇、异丙醇等低级酒精或丙酮、甲醛、醋酸、醋酸乙酯以及它们的水溶液或混合液等。
具体的处理条件，例如溶剂的温度以及浸泡时间等，可以考虑构成突出部分形成用树脂层18的材料的种类、厚度、所使用的溶剂的种类等而适当设定，例如，溶剂的温度是60～90℃，浸泡时间是0.5～24小时。
于是，在用上述的方法得到的各向异性导电性片10中，基本上，由于绝缘性片体15的各个导电路形成用通孔17是以特定的方法用曝光用掩模20形成的，因此即便在要形成的导电路元件11的配置间距较小的情况下，也可以防止邻接的导电路元件11彼此连结地形成的情况，可以彼此独立地构成各个导电路元件11。
即，通过以曝光用掩模20的一面20A与绝缘性片基体材料16的一面相接的方式配置，然后从曝光用掩模20的另一面20B侧照射激光，激光被曝光用掩模20的透光用通孔21的、开口径较小的另一面20B侧的开口缘限制，从而相对于绝缘性片基体材料16的一面在实际上垂直地照射，因此导电路形成用通孔17，在所需的位置上，以具有相对于绝缘性片体15的一面以及另一面在实际上垂直地延伸的柱状的内部空间的状态形成。具体地说，能够以如下的状态形成，即，例如将绝缘性片体15的一面侧的导电路形成用通孔17的开口径的大小设为a，将另一面侧的导电路形成用通孔17的开口径的大小设为b，将在绝缘性片体15的壁厚中成为最大的部分的导电路形成用通孔17的开口径的大小设为c时，开口径比a/b是0.5～1.5的范围内，或者开口径比c/a是0.5～1.5的范围内的状态。因而，可以不缩小导电路元件11其自身的宽度，而用例如小于等于100μm的极小的配置间距形成彼此独立的多个导电路元件11。
并且，通过以在突出部分形成用树脂层18的突出部分形成用通孔18B内形成突出部分形成部分，然后溶解并除去该突出部分形成用树脂层18的方式形成导电路元件11的另一面侧突出部分12B，即便在导电路元件11的配置间距极小的情况下，例如，如果是利用印刷用掩模来形成突出部分的方法，便不会出现突出部分在剥离并除去印刷用掩模之际缺损的情况，对于所有的导电路元件11，都能够可靠地形成具有所需的导电性特性的另一面侧突出部分12B。
因而，根据由上述方法得到的各向异性导电性片10，即便对于要连接的电极的配置间距极小的被连接体，也能够带着较高的信赖性可靠地达成所需的电连接。
以上，虽然在形成一面侧突出部分12A之际剥离并除去曝光用掩模20，但由于沿着其透光用通孔21的锥状的内面剥离曝光用掩模20，因此实际上不会使一面侧突出部分12A缺损。
另外，由于只要进行在形成导电路形成用通孔17以及突出部分形成用通孔18A之际，将曝光用掩模20，以在该制造过程中作为被激光照射的面的一面20A与绝缘性片基体材料16的一面相接的方式配置，即在一连串的制造工序中，在制作曝光用掩模后使其反转的简单操作即可，因此能够用较高的合格率有利地制造所需的各向异性导电性片10。
进而，由于可以形成相对于厚度方向在实际上具有均匀的开口径的导电路形成用通孔17，因此在要形成的导电路元件11的配置间距较小的情况下，没有有关用于防止导电路元件11连结地形成的情况的各向异性导电性片的厚度的限制，设计的自由度提高。
本发明的各向异性导电性片，不限于上述的实施形态，可以添加各种变更。
在上述的例子中，说明了在制造导电路元件从绝缘性片体的一面(激光照射侧的面)突出的构成的元件时，通过在配置了曝光用掩模的状态下，直接在包括该曝光用掩模的透光用通孔的内部空间的导电路元件成形用空间内形成导电路元件材料层，然后进行固化处理，并除去曝光用掩模，形成一面侧突出部分的方法，也可以制作在绝缘性片基体材料的两面上一体地设有突出部分形成用树脂层的层叠体，通过将曝光用掩模以其一面与该层叠体的一面相接的方式配置，然后从曝光用掩模的另一面侧照射激光，在突出部分形成用树脂层上形成突出部分形成用通孔，同时在绝缘性片基体材料上形成导电路形成用通孔，在除去了曝光用掩模的状态下，或者在配置了曝光用掩模的状态下，通过直接在导电路元件成形用空间内形成导电路元件材料层，然后进行固化处理，溶解并除去一面侧突出部分形成用树脂层，形成一面侧突出部分。
另外，例如，在制造导电路元件以从绝缘性片体的两面突出的方式形成的构成的各向异性导电性片时，也可以在处于在一面上配置了第1曝光用掩模的状态的绝缘性片体的另一面上，也将具有与第1曝光用掩模相同的构成的第2曝光用掩模以与该另一面相接的方式配置，在堵塞任意一个面的状态下，通过将导电路元件用材料，填充在绝缘性片体的导电路形成用通孔内、第1曝光用掩模的透光用通孔内以及第2曝光用掩模的透光用通孔内，形成导电路元件用材料层，通过进行该导电路元件用材料层的固化处理，形成导电路元件，通过除去第1以及第2曝光用掩模，形成一面侧突出部分以及另一面侧突出部分。
(各向异性导电性连接器)
图18，是展示本发明的各向异性导电性连接器的一例的构成的概略的平面图，图19，是将图18所示的各向异性导电性连接器的要部放大来展示的说明用剖面图。该各向异性导电性连接器30，是用于对形成在晶片上的多个集成电路，分别在晶片的状态进行该集成电路的电检查的，与形成在作为检查对象的晶片上的所有的集成电路的、配置了被检查电极的区域相对应地，具有分别形成了以贯通厚度方向的方式延伸的多个开口31A的框架板31。在框架板31的各个开口31A上，以堵塞该开口31A的方式配置有各向异性导电性片10，这些各向异性导电性片10的周缘部被该框架板31的开口缘部支撑，从而被一体地固定。
该例子中的各向异性导电性片10，除了分别具有1个导电路元件11之外，具有与图9所示的同样的构成，是在各向异性导电性片10的一面上突出地形成有导电路元件11的构成。
作为构成各向异性导电性连接器30的框架板31的材料，可以使用金属材料、陶瓷材料、树脂材料等各种材料，作为其具体例，可以列举铁、铜、镍、铬、钴、镁、锰、钼、铟、铅、钯、钛、钨、铝、金、铂、银等金属或将大于等于2种的金属组合在一起的合金或合金钢等金属材料，氮化硅、碳化硅、矾土等陶瓷材料，芳香族无纺布加强型环氧树脂、芳香族无纺布加强型聚酰亚胺树脂、芳香族无纺布加强型粘胶丝马来酰亚胺三氮杂苯树脂等树脂材料。
另外，在将各向异性导电性连接器30使用于老化试验的情况下，作为构成框架板31的材料，最好使用线热膨胀系数与构成作为检查对象的晶片的材料的线热膨胀系数相同或相近的材料。具体地说，在构成晶片的材料是硅的情况下，最好使用线热膨胀系数小于等于1.5×10-4/K，特别是，3×10-6～8×10-6的材料，作为其具体例，可以列举殷钢等殷钢型合金、恒弹性合金钢等恒弹性合金钢型合金、过因瓦合金、科瓦铁镍钴合金、42合金等金属材料，芳香族无纺布加强型有机树脂材料。
另外，框架板31的厚度，只要可以维持其形状，同时可以保持各向异性导电性片10，没有特别地限定，例如0.03～1mm，最好是0.05～0.25mm。
这样的各向异性导电性连接器30，可以用以下的方式制造。
(第1工序)
首先，制作与形成在作为检查对象的晶片上的所有的集成电路的、配置了被检查电极的电极区域相对应地形成了多个开口31A的框架板31。在此，作为形成框架板31的开口31A的方法，例如，可以利用蚀刻法等。
另外，准备按照与要形成的导电路元件11的配置图形相对应的图形，形成了直径分别从一面20A到另一面20B而逐渐件小的、沿着厚度方向延伸的多个透光用通孔21的曝光用掩模20。
然后，在由与框架板31相同材质的材料构成的平板状的支撑板32(参照图20。)的一面上，将固化后成为弹性高分子物质的高分子物质形成材料，按照与作为检查对象的晶片的电极区域的图形相对应的图形来涂布，由此，在支撑板32的一面上的所需位置上形成高分子物质形成材料层16B。在此，作为在支撑板32的一面上涂布高分子物质形成材料的方法，最好使用例如网板印刷法。根据这种方法，很容易按照所需的图形涂布高分子物质形成材料，并且，可以涂布适量的高分子物质形成材料。
接着，如图20所示，将形成了高分子物质形成材料层16B的支撑板32配置在平板状的下面侧加压板36上，在支撑板32的一面上，经由分别形成了具有与要形成的各向异性导电性片10的平面形状相适合的形状的多个开口34A的下面侧衬垫34，以位置相吻合的方式配置框架板31，同时在该框架板31上，以位置相吻合的方式，配置分别形成了具有与要形成的各向异性导电性片10的平面形状相适合的形状的多个开口33A的上面侧衬垫33，进而，在上面侧衬垫33的一面上，将曝光用掩模20以其一面20A向下的状态，换言之，以与上面侧衬垫33的一面相对的方式配置，经由该曝光用掩模20以及适当地使用的薄膜状的脱模薄膜37，配置平板状的上面侧加压板35，通过将它们重叠后加压，如图21所示，在包括框架板31的开口31A的内部空间、下面侧衬垫34以及上面侧衬垫33的各自的开口34A、33A的内部空间以及曝光用掩模20的透光用通孔21的内部空间的各向异性导电性片成形用空间内，形成目的形态(要形成的各向异性导电性片10的形态)的高分子物质形成材料层16A。
在此，高分子物质形成材料层16B，可以形成在支撑板32的一面以及曝光用掩模20的一面这两方上，当在曝光用掩模20的一面20A上形成高分子物质形成材料层16B的情况下，只要以在曝光用掩模20的一面20A上的所需的位置上，将高分子物质形成材料层16B填充在曝光用掩模20的透光用通孔21内的状态形成即可。
通过以这种方式配置框架板41和2个衬垫33、34来形成各向异性导电性片成形用空间，能够可靠地形成目的形态的各向异性导电性片10，同时可以防止邻接的各向异性导电性片10彼此连结的情况，因此能够可靠地形成彼此独立的多个各向异性导电性片10。
之后，通过进行高分子物质形成材料层16A的固化处理，如图22所示，形成以具有突出部分形成部分13的绝缘性片基体材料16堵塞框架板31的开口31A的方式由框架板31的开口缘部支撑并固定该绝缘性片基体材料16的周缘部而成的一次复合体30A。
(第2工序)
在该第2工序中，如图23所示，通过从曝光用掩模20的另一面20B侧经由多个透光用通孔21照射激光，形成被分别形成了沿着厚度方向延伸的多个导电路形成用通孔17的绝缘性片体15，由此，将该绝缘性片体15以堵塞框架板31的开口31A的方式配置，形成由框架板31的开口缘部支撑并固定该绝缘性片体15的周缘部而成的二次复合体30B。
(第3工序)
在该第3工序中，如图24所示，通过在由第2工序得到的二次复合体30B的一面上，涂布上述的导电路元件用材料11A，在二次复合体30B的导电路形成用通孔21的各自的内部填充导电路元件用材料11A，由此，在二次复合体30B的导电路形成用通孔17的各自的内部形成导电路元件用材料层11B。
然后，如图25所示，将形成了导电路元件用材料层11B的二次复合体30B，配置在一对电磁铁25、26之间，通过使该电磁铁25、26动作，使平行磁场沿着导电路元件用材料层11B的厚度方向起作用，由此，使分散在导电路元件用材料层11B中的导电性粒子P沿着该导电路元件用材料层11B的厚度方向取向。然后，在该状态下，通过进行导电路元件用材料层11B的固化处理，形成将多个导电路元件11一体地设在绝缘性片体15上而成的多个各向异性导电性片10。
之后，通过除去曝光用掩模20以及支撑板32，得到如图18以及图19所示的各向异性导电性连接器30。
于是，根据上述构成的各向异性导电性连接器30，由于具备将导电路元件11一体地设在以特定的方法用曝光用掩模20形成的、绝缘性片体15的导电路形成用通孔17内的各向异性导电性片10，因此可以得到与上述的各向异性导电性片10同样的效果，同时还可以得到如下的效果。
即，根据上述的各向异性导电性连接器30，由于各向异性导电性片10被框架板31固定，因此不容易变形且容易操作，在与作为检查对象的晶片的电连接操作中，可以很容易地进行相对于该晶片的对位以及保持固定。
另外，由于框架板31的各个开口31A，与形成在作为检查对象的晶片上的所有的集成电路的、配置被检查电极的电极区域相对应地形成，配置在该开口31A的各自上的各向异性导电性片10可以是面积较小的，因此各个各向异性导电性片10的形成很容易。并且，面积较小的各向异性导电性片10，即便在经历热过程的情况下，该各向异性导电性片10的面方向的热膨胀的绝对量较少，因此通过作为构成框架板31的材料使用线热膨胀系数较小的材料，能够由框架板31可靠地限制各向异性导电性片10的面方向的热膨胀。因而，即便在检查对象是形成在大面积的晶片上的多个集成电路，并且对这些集成电路一起进行老化试验的情况下，也可以稳定地维持良好的电连接状态。
构成本发明的各向异性导电性连接器的各向异性导电性片，不限于上述那样以导电路元件在一面上突出的状态形成，也可以设为以导电路元件从两面突出的状态形成。
图26，是将本发明的各向异性导电性连接器的其他的构成例的要部放大来展示的说明用剖面图。构成该各向异性导电性连接器30的各个各向异性导电性片10，是图12所示的构成，即是导电路元件11从绝缘性片体15的两面突出地形成的构成。
这种各向异性导电性连接器30，可以用以下的方式制造。
(第1工序)
在该第1工序中，首先，制作与形成在作为检查对象的晶片上的所有的集成电路的、配置被检查电极的电极区域相对应地形成了多个开口31A的框架板31。在此，作为形成框架板31的开口31A的方法，可以利用例如蚀刻法等。
另外，准备按照与要形成的导电路元件11的配置图形相对应的图形，形成了直径分别从一面20A到另一面20B而逐渐件小的、沿着厚度方向延伸的多个透光用通孔21的曝光用掩模20。
进而，在例如由与框架板31相同材质的材料构成的平板状的支撑板32的一面上，形成规定厚度的突出部分形成用树脂层18，然后形成层叠材料32A(参照图27。)。具体地说，例如，可以通过将树脂层形成材料涂布在支撑板上，然后利用加热将涂膜干燥，或者通过将形成为薄膜状的树脂层形成材料层转印并粘贴在支撑板32的一面上的方式形成。
在层叠材料32A的突出部分形成用树脂层18的一面上，按照与作为检查对象的晶片的电极区域的图形相对应的图形，涂布固化后成为弹性高分子物质的高分子物质形成材料，由此，在层叠材料32A的一面上的所需的位置上形成高分子物质形成材料层16B。
另外，当在片状的脱模薄膜37的另一面上，将曝光用掩模20以其另一面与之相接的方式配置的状态下，在曝光用掩模20的一面20A上，按照与作为检查对象的晶片的电极区域的图形相对应的图形，涂布固化后成为弹性高分子物质的高分子物质形成材料，由此，将高分子物质形成材料层16B以填充在曝光用掩模20的透光用通孔21内的状态形成在曝光用掩模20的一面20A上的所需的位置上。在此，高分子物质形成材料层16B，没必要形成在层叠材料32A以及曝光用掩模20这两方上，也可以只形成在层叠材料32A以及曝光用掩模20的任意一方上。
作为在层叠材料32A以及曝光用掩模20上涂布高分子物质形成材料的方法，例如最好使用网板印刷法。根据该方法，可以很容易地按照所需的图形涂布高分子物质形成材料，并且，可以涂布适量的高分子物质形成材料。
接着，如图27所示，将形成了高分子物质形成材料层16B的层叠材料32A配置在平板状的下面侧加压板36上，在层叠材料32A的一面上，经由分别形成了具有与要形成的各向异性导电性片10的平面形状相适合的形状的多个开口34A的下面侧衬垫34，位置相吻合地配置框架板31，同时在该框架板31的一面上，位置相吻合地配置分别形成了具有与要形成的各向异性导电性片10的平面形状相适合的形状的多个开口33A的上面侧衬垫33，进而，在上面侧衬垫33的一面上，将形成了高分子物质形成材料层16B的曝光用掩模20以及脱模薄膜37的层叠材料，以曝光用掩模20的一面20A向下的状态，换言之，以与上面侧衬垫33的一面相对的状态配置，在该层叠材料的脱模薄膜37的一面上配置平板状的上面侧加压板35，通过将它们重叠后加压，如图28所示，在包括框架板31的开口31A的内部空间、下面侧衬垫34以及上面侧衬垫33的各自的开口34A、33A的内部空间以及曝光用掩模20的透光用通孔21的内部空间的各向异性导电性片成形用空间内，形成目的形态(要形成的各向异性导电性片10的形态)的高分子物质形成材料层16A。
通过以这种方式配置框架板31和2个衬垫33、34来形成各向异性导电性片成形用空间，能够可靠地形成目的形态的各向异性导电性片10，同时可以防止相邻的各向异性导电性片10彼此连结的情况，从而能够可靠地形成彼此独立的多个各向异性导电性片10。
之后，如图29所示，通过进行高分子物质形成材料层16A的固化处理，制作以具有突出部分形成部分13的绝缘性片基体材料16堵塞框架板31的开口31A的方式，由框架板31的开口缘部支撑并固定该绝缘性片基体材料16的周缘部，并在该绝缘性片基体材料16的一面侧设置曝光用掩模20，同时在另一面侧设置突出部分形成用树脂层的层叠体30C。
(第2工序)
在该第2工序中，如图30所示，通过从层叠体30C的曝光用掩模20的另一面20B侧经由多个透光用通孔21照射激光，在绝缘性片基体材料16上形成分别沿着厚度方向延伸的多个导电路形成用通孔17，同时在突出部分形成用树脂层18上形成分别与导电路形成用通孔17连续地沿着厚度方向延伸的多个突出部分形成用通孔18A，由此，形成将绝缘性片体15以堵塞框架板31的开口31A的方式配置，由框架板31的开口缘部支撑并固定周缘部，并且在一面侧上设置了曝光用掩模20，同时在另一面侧上设置了突出部分形成用树脂层18的一次复合体30A。
(第3工序)
在该第3工序中，如图31所示，通过在由第2工序得到的一次复合体30A的一面上，涂布上述的导电路元件用材料，在包括一次复合体30A的导电路形成用通孔17的内部空间以及突出部分形成用通孔18A的内部空间的各个导电路元件成形用空间内填充导电路元件用材料，由此，在一次复合体30A的导电路元件成形用空间内形成导电路元件用材料层11B。
然后，如图32所示，将在导电路元件成形用空间内形成了导电路元件用材料层11B的一次复合体30A，配置在一对电磁铁25、26之间，通过使该电磁铁25、26动作，使平行磁场沿着导电路元件用材料层11B的厚度方向起作用，由此，使分散在导电路元件用材料层11B中的导电性粒子P沿着该导电路元件用材料层11B的厚度方向取向。然后，在该状态下，通过进行导电路元件用材料层11B的固化处理，形成导电路元件11，由此，形成将多个导电路元件11一体地设在形成在框架板31的开口以及其周缘部的绝缘性片体15的导电路形成用通孔17内，并且在一面侧上设置曝光用掩模20，同时在另一面侧设置突出部分形成用树脂层18而成的二次复合体30B。
(第4工序)
在该第4工序中，通过从二次复合体30B的一面剥离并除去曝光用掩模20，使导电路元件11的一端部露出，从而形成一面侧突出部分12，在该状态下，如图33所示，通过使二次复合体30B的整体浸泡在适当的溶剂S中，从而溶解并除去突出部分形成用树脂层18，使导电路元件11的另一端部露出，从而形成另一面侧突出部分12，由此，得到图26所示的各向异性导电性连接器30。
于是，由上述方法得到的各向异性导电性连接器30，基本上，除了得到与上述的各向异性导电性连接器30同样的效果之外，由于各向异性导电性片10的另一面侧突出部分12B是由特定的方法形成的，因此即便在导电路元件的配置间距极小的情况下，导电路元件也都是具有所需的导电性特性的元件，因而，即便相对于要连接的电极的配置间距极小的被连接体，也能够带着较高的信赖性可靠地达成所需的电连接。
本发明的各向异性导电性连接器，不限于上述的实施形态，可以添加各种变更。
例如也可以是在框架板上，与从形成在作为检查对象的晶片上的集成电路之中选择的多个集成电路的、配置被检查电极的区域相对应地形成多个开口，并以堵塞这各个开口的方式配置多个各向异性导电性片的构成。在此，选择的集成电路的个数，可以考虑晶片的尺寸、形成在晶片上的集成电路的个数、各集成电路的被检查电极的个数等来适当选择，例如16个、32个、64个、128个。
另外，也可以是在框架板上形成单一的开口，并以堵塞该开口的方式配置单一的各向异性导电性片的构成。
各向异性导电性片，也可以是图1所示的构成，即是两面平坦的构成。
另外，例如，在制造具备以从绝缘性片体的两面突出的方式形成了导电路元件的构成的各向异性导电性片的各向异性导电性连接器时，还可以通过在上面侧衬垫和曝光用掩模之间，以填充的方式配置例如与构成突出部分形成用树脂层的材料相同材质的树脂薄膜，并将它们重叠后加压，在包括框架板的开口的内部空间、下面侧衬垫以及上面侧衬垫的开口的内部空间的各向异性导电性片成形用空间内，形成目的形态的高分子物质形成材料层，然后通过进行固化处理，并从曝光用掩模的另一面侧经由透光用通孔照射激光，在树脂薄膜以及突出部分形成用树脂层上形成突出部分形成用通孔，同时在绝缘性片基体材料上形成导电路元件形成用通孔，通过在除去了曝光用掩模的状态下或者配置着曝光用掩模的状态下，在导电路元件成形用空间内形成导电路元件材料层，并进行该导电路元件用材料层的固化处理，形成导电路元件，通过溶解并除去树脂薄膜以及突出部分形成用树脂层，形成一面侧突出部分以及另一面侧突出部分。
(电路装置的电检查装置)
其次，以作为从电方面检查形成了多个集成电路的晶片的、晶片检查装置来实施的情况为例，说明本发明的电路装置的电检查装置。
图34，是展示本发明的晶片检查装置的一例的要部的构成的说明用剖面图，该晶片检查装置，是用于从电方面检查分别形成了具有突起状的被检查电极的多个集成电路的晶片的装置。
该晶片检查装置，如图35中放大展示，具有在一面(在图34以及图35中是下面)上，按照与作为检查对象的晶片的突起状的被检查电极的图形相对应的图形，配置了多个检查电极51的检查用电路基板50，和配置在该检查用电路基板50的一面上的、由与作为检查对象的晶片接触的各向异性导电性连接器30构成的电路检查用探测器40，在该电路检查用探测器40的下方位置上，设有载置作为检查对象的晶片60的晶片载置台65。各向异性导电性连接器30，除了构成该各向异性导电性连接器的各向异性导电性片，是按照与连接对象体、例如被检查电路装置的被检查电极的图形相对应的图形，分别形成了沿着厚度方向延伸的多个导电路元件11的构成之外，还具有与图19所示的部件相同的构成。
在检查用电路基板50的另一面(在图中是上面)上，按照适当的图形形成有连接在测试器上的多个连接端子52，这各个连接端子52，经由该检查用电路基板50的内部配线53，电连接在各个检查电极51上。
作为检查用电路基板50的基体材料，只要是具有耐热性的材料，就没有特别地限定，可以使用作为印刷电路基板的基板材料而经常使用的各种材料，作为其具体例，可以列举玻璃纤维加强型环氧树脂、玻璃纤维加强型聚酰亚胺树脂、玻璃纤维加强型粘胶丝马来酰亚胺三氮杂苯树脂、聚酰亚胺树脂、芳香族无纺布加强型环氧树脂、芳香族无纺布加强型聚酰亚胺树脂、芳香族无纺布加强型粘胶丝马来酰亚胺三氮杂苯树脂等树脂材料、陶瓷材料、玻璃材料、金属铁心材料等，在适用于老化试验的情况下，最好使用其线热膨胀系数，与构成作为检查对象的晶片的材料的线热膨胀系数相同或相近的材料。具体地说，在晶片由硅构成的情况下，最好使用线热膨胀系数小于等于1.5×10-4/K，特别是，3×10-6～8×10-6/K的材料。
在这种晶片检查装置中，按照以下的方式实行晶片60的检查。
首先，将作为检查对象的晶片60，以其被检查电极62朝向上方的状态，并且各个被检查电极62位于检查用电路基板50的各个检查电极51的正下方的方式配置在晶片载置台65上。接着，例如通过用适当的加压装置将检查用电路基板50向下方加压，各向异性导电性连接器30的各向异性导电性片10，接触晶片60的被检查电极62，进而成为由被检查电极62加压的状态。由此，各向异性导电性片10的导电路元件11，以按照晶片60的被检查电极62的突出高度沿着厚度方向压缩的方式弹性变形，在该各向异性导电性片10的导电路元件11上，在晶片60的被检查电极62和检查用电路基板50的检查电极51之间，由导电性粒子P形成沿着该各向异性导电性片10的厚度方向延伸的导电路，其结果，达成晶片60的被检查电极62和检查用电路基板50的检查电极51的电连接。之后，在进行老化试验时，将晶片60加热到规定的温度，在该状态下，对该晶片60实行所需的电检查。
根据上述的晶片检查装置，电路检查用探测器40的与晶片60接触的各向异性导电性连接器30，具备将导电路元件11一体地设在以特定的方法用曝光用掩模20形成的、绝缘性片体15的导电路形成用通孔17内的各向异性导电性片10，该各向异性导电性片10，即便在导电路元件11的配置间距较小的情况下，也能够可靠地防止邻接的导电路元件11彼此连结的情况，并将各个导电路元件11作为彼此独立的元件而构成，因此即便作为检查对象的晶片60的被检查电极62的间距较小，也能够可靠地达成所需的电连接。
本发明的晶片检查装置，不限于上述构成，例如，如图36所示，构成电路检查用探测器40的各向异性导电性连接器，也可以由例如图26所示的部件，即各向异性导电性片10的导电路元件11以从绝缘性片体15的两面分别突出的状态形成的部件构成。
根据这种构成的晶片检查装置，电路检查用探测器40的与晶片60接触的各向异性导电性连接器30，具备各向异性导电性片10，该各向异性导电性片10将具有分别具备所需的导电性特性的一面侧突出部分12A以及另一面侧突出部分12B的导电路元件11，一体地设在以特定的方法用曝光用掩模20形成的、绝缘性片体15的导电路形成用通孔17内，因此该各向异性导电性片10，即便在导电路元件11的配置间距较小的情况下，也能够可靠地防止邻接的导电路元件11彼此连结的情况，并将各个导电路元件11作为彼此独立的元件而构成，因此即便作为检查对象的晶片60的被检查电极62的间距较小，也能够更可靠地达成所需的电连接。
图37，是展示本发明的晶片检查装置的再其他的例子的要部的构成的说明用剖面图，该晶片检查装置，是用于在电方面检查分别形成了具有平面状的被检查电极的多个集成电路的晶片的装置。
该晶片检查装置，如图38中放大展示，具有在一面(在图37以及图38中是下面)上按照与作为检查对象的晶片的被检查电极的图形相对应的图形，配置了多个检查电极51的检查用电路基板50，和由配置在该检查用电路基板50的一面上的各向异性导电性连接器30、与配置在该各向异性导电性连接器30的一面(在图37以及图38中是下面)上的片状连接器70构成的电路检查用探测器40，在该电路检查用探测器40的下方位置上，设有载置作为检查对象的晶片60的晶片载置台65。
检查用电路基板50，是与图34以及图35所示的晶片检查装置的检查用电路基板相同的构成，各向异性导电性连接器30，是其各向异性导电性片10的导电路元件11，以从绝缘性片体15的两面分别突出的状态形成的。
片状连接器70，具有柔软的绝缘性片71，在该绝缘性片71上，由沿着该绝缘性片71的厚度方向延伸的多个金属构成的电极结构体72，按照与检查用电路基板50的检查电极51的图形相对应的图形，即与作为检查对象的晶片60的被检查电极62的图形相对应的图形，以沿着该绝缘性片71的面方向彼此分离的方式配置。各个电极结构体72，以露出在绝缘性片71的表面(在图中是下面)上的突起状的表面电极部73，和露出在绝缘性片71的背面上的板状的背面电极部74，由沿着绝缘性片71的厚度方向贯通地延伸的短路部75彼此连结成一体的方式构成。
并且，片状连接器70，以其电极结构体72分别位于各向异性导电性连接器30的各向异性导电性片10的导电路元件11上的方式配置。
作为片状连接器70的绝缘性片71，只要是具有绝缘性的柔软的材料，就没有特别地限定，例如可以使用由聚酰亚胺树脂、液晶聚合物、聚酯、氟类树脂等构成的树脂片，将上述的树脂浸含在将纤维编织而成的十字架内的片等。
另外，绝缘性片71的厚度，只要该绝缘性片71是柔软的材料，就没有特别地限定，但最好是10～50μm，更好的是10～25μm。
作为构成电极结构体72的金属，可以使用镍、铜、金、银、钯、铁等，作为电极结构体72，可以是整体由单一的金属构成的，也可以是由大于等于2种的金属的合金构成的，或者是将大于等于2种的金属层叠而成的。
另外，从防止该电极部的氧化，同时可以得到接触阻力较小的电极部这一点来看，最好在电极结构体72的表面电极部73以及背面电极部74的表面上，形成金、银、钯等在化学方面稳定且具有高导电性的金属保护膜。
电极结构体72的表面电极部73的突出高度，从相对于晶片60的被检查电极62可以达成稳定的电连接这一点来看，最好是15～50μm，更好的是20～35μm。另外，表面电极部73的径，虽然可以根据晶片60的被检查电极62的尺寸以及间距来设定，但最好是例如30～80μm，更好的是30～65μm。
电极结构体72的背面电极部74的径，只要比短路部75的径大，并且，比电极结构体72的配置间距小即可，但只要可能，最好是较大的径，由此，相对于各向异性导电性连接器30的各向异性导电性片10的导电路元件11，也能够可靠地达成稳定的电连接。另外，背面电极部74的厚度，从强度足够高，且可以得到良好的反复耐久性这一点来看，最好是20～50μm，更好的是35～50μm。
电极结构体72的短路部75的径，从能够充分地得到较高的强度这一点来看，最好是30～80μm，更好的是30～65μm。
片状连接器70，例如可以用以下的方式来制造。
即，准备在绝缘性片71上层叠金属层而成的层叠材料，相对于该层叠材料的绝缘性片71，例如通过激光加工、干蚀刻加工等，按照与要形成的电极结构体72的图形相对应的图形，形成沿着该绝缘性片71的厚度方向贯通的多个通孔。接着，通过对该层叠材料实施光刻加工以及电镀处理，在绝缘性片71的通孔内形成一体地连结在金属层上的短路部75，同时在该绝缘性片71的表面上，形成一体地连结在短路部75上的突起状的表面电极部73。之后，通过对层叠材料的金属层实施光刻处理而除去其一部分，形成背面电极部74，然后形成电极结构体72，以此，得到片状连接器70。
根据这种晶片检查装置，基本上，由于电路检查用探测器40具备片状连接器70，因此能够带着更高的信赖性达成电连接，并且，电路检查用探测器40的接触晶片60的各向异性导电性连接器30，具备将导电路元件11一体地设在以特定的方法用曝光用掩模20形成的、绝缘性片体15的导电路形成用通孔17内的各向异性导电性片10，该各向异性导电性片10，即便在导电路元件11的配置间距较小的情况下，也能够可靠地防止邻接的导电路元件11彼此连结的情况，并将各个导电路元件11作为彼此独立的元件来构成，在各个导电路元件11中，一面侧突出部分12A以及另一面侧突出部分12B都没有缺损地，作为具有所需的导电性特性的部分而被构成，因此即便作为检查对象的晶片60的被检查电极62的间距较小，也能够可靠地达成所需的电连接。
本发明的电路检查用探测器以及电路装置的电检查装置，不限于上述的实施形态，可以添加各种变更。
例如，作为检查对象的电路装置，不限于形成了多个集成电路的晶片，也可以适用于形成在半导体芯片、BGA、CSP等组件ICMCM等半导体集成电路装置、印刷电路基板上的电路的检查装置。
另外，图35所示的电路检查用探测器40、图36所示的电路检查用探测器40以及图38所示的电路检查用探测器40，各个都是对于形成在晶片60上的所有的集成电路的被检查电极62，一起达成电连接的，但如图39所示，也可以是电连接在从形成在晶片60上的各集成电路中选择的多个集成电路的被检查电极62上的。选择的集成电路的个数，可以考虑晶片60的尺寸、形成在晶片60上的集成电路的个数、各集成电路的被检查电极的个数等来适当选择，例如16个、32个、64个、128个。
在具有这样的电路检查用探测器40的晶片检查装置中，通过反复进行将电路检查用探测器40，电连接在从形成在晶片60上的各集成电路中选择的多个集成电路的被检查电极62上，然后进行检查，之后，将电路检查用探测器40，电连接在从其他的集成电路中选择的多个集成电路的被检查电极62上，然后进行检查的工序，可以进行形成在晶片60上的所有的集成电路的电检查。
实施例
以下，对本发明的具体的实施例进行说明，但本发明不限于以下的实施例。
(实施例1)
(导电路元件用材料的调制)
通过对作为高分子物质形成用材料的附加型液状硅酮橡胶10g，以体积分率为30％的比例添加并混合如下的导电性粒子，之后，实施通过减压实现的脱泡处理，调制导电路元件用材料。
作为导电性粒子，使用以平均粒子径10μm的镍粒子为芯粒子，并在该芯粒子上，以其重量的30重量％的包覆量，通过电镀包覆了金的粒子。
(曝光用掩模的制作)
在由厚度为18μm的铜构成的掩模基体材料(纵向的尺寸是230mm，横向的尺寸是230mm)的一面上形成抗蚀剂层，将纵向的尺寸是220μm、横向的尺寸是75μm的开口以沿着横向是100μm的间距，沿着纵向是6.34mm的分离距离排列的方式形成的阳性薄膜掩模，配置在该掩模基体材料的一面上，然后进行曝光处理，之后，通过进行显影处理，在抗蚀剂层上形成图形孔，之后，通过从该掩模基体材料的一面侧，用以氯化铁为主要成分的45℃的蚀刻液实施喷雾蚀刻处理，形成多个透光用通孔，之后，通过除去抗蚀剂层，得到曝光用掩模。
该曝光用掩模的透光用通孔，具有形成一面的开口是纵向的尺寸为220μm，横向的尺寸为75μm，另一面的开口是纵向的尺寸为200μm，横向的尺寸为60μm(开口径比为0.8)的大致四棱台状的内部空间的形状。另外，透光用通孔的总数是19650个，是沿着横向为100μm，沿着纵向为6.34mm的分离距离排列的状态。
(各向异性导电性片的制造)
将以上述的方式得到的曝光用掩模，以其一面与由厚度为100μm的附加型液状硅酮橡胶的固化物构成的绝缘性片基体材料的一面接触的方式配置，通过用激光加工机『Impact L-500』(住友重机械工业(株)制)，从该曝光用掩模的另一面侧经由多个透光用通孔以如下的条件照射激光，形成具有分别沿着厚度方向贯通并延伸的多个导电路形成用通孔的绝缘性片体。
绝缘性片体的一面的导电路形成用通孔，是直径从一面到另一面而逐渐变小的大致四棱台状，一面的开口径的大小a为最大，一面的开口径的大小a和另一面的开口径的大小b的开口径比a/b为1.2。
(激光的照射条件)
·激光种类：TEA-CO2
·频率(每1秒的脉冲数)：50Hz
·图形(射线束宽度)：0.9×1.9mm
·扫描速度(激光加工机的载物台移动速度)：814mm/min
·电压(激发电压)：20kV
·能量密度(每个单位面积额激光照射能量)：11J/cm2
·扫描次数：4次
接着，在调整为减压到1×10-4atm的气氛的腔内，在得到的绝缘性片体的一面上，涂布调制的导电路元件用材料，之后，通过使腔内额气氛气压上升而大的例如常压，在绝缘性片体的导电路形成用通孔的各自的内部填充导电路元件用材料，由此，在各个导电路形成用通孔内形成导电路元件用材料层。
之后，将在各个导电路形成用通孔内形成了导电路元件用材料层的绝缘性片体，配置在具备加热器的一对电磁铁之间，通过使该电磁铁动作，一面使平均2.2T(特斯拉)的平行磁场沿着导电路元件用材料层的厚度方向起作用，一面以100℃进行1小时的加热处理，使导电路元件用材料层固化，从而形成一体地设在绝缘性片体的导电路形成用通孔内而成的导电路元件，以此制造图1所示的构成的各向异性导电性片。以下，将该各向异性导电性片称为“各向异性导电性片(A)”。
得到的各向异性导电性片(A)，是厚度为100μm的两面平坦的片，并且是将纵向的尺寸为200μm、横向的尺寸为60μm的剖面大致四边形的柱状的导电路元件以100μm的间距配列而成的。另外，各个导电路元件的导电性粒子的比例，是体积分率为30％。
(实施例2)
在实施例1中，通过在将曝光用掩模配置在绝缘性片体的一面上的状态下，直接将导电路元件用材料涂布在曝光用掩模的另一面上，在绝缘性片体的导电路元件形成用通孔的各自的内部以及曝光用掩模的透光用通孔的各自的内部形成导电路元件形成材料层，通过进行该导电路形成材料层的固化处理，形成一体地设在绝缘性片体的导电路形成用通孔内的、具有从绝缘性片体的一面突出的(一面侧)突出部分的导电路元件，除此之外，与实施例1同样地，制造具有图9所示的构成的各向异性导电性片。以下，将该各向异性导电性片称为“各向异性导电性片(B)”。
得到的各向异性导电性片(B)，是将导电路元件以100μm的间距配列而成的，形成导电路元件的部分的厚度为118μm，导电路元件的突出高度为18μm。另外，导电路元件，在绝缘性片体的壁厚中的纵向的尺寸为200μm，横向的尺寸为60μm。另外，各个导电路元件的导电性粒子的比例，是体积分率为30％。
(实施例3)
(树脂层形成材料的调制)
通过对蒸馏水285g，添加15g重量平均聚合度为2000的聚乙烯醇粉末，并以80℃搅拌，调制由聚乙烯醇的浓度为5重量％的聚乙烯醇水溶液构成的树脂层形成材料。
(各向异性导电性片的制造)
通过在由厚度为100μm的附加型液状硅酮橡胶的固化物构成的绝缘性片基体材料的另一面上，涂布调制的树脂层形成材料，并用40℃干燥涂膜，形成厚度为25μm的突出部分形成用树脂层，并制作将绝缘性片基体材料和突出部分形成用树脂层一体地设置而成的层叠体。
然后，通过将上述曝光用掩模，以其一面与复合体的绝缘性片基体材料的一面相接的方式配置，并用激光加工机『Impact L-500』(住友重机械工业(株)制)，从该曝光用掩模的另一面侧经由多个透光用通孔以如下的条件照射激光，在绝缘性片基体材料上形成，分别沿着厚度方向贯通并延伸的多个导电路形成用通孔，同时在突出部分形成用树脂层上，形成分别与导电路形成用通孔连续地沿着厚度方向贯通并延伸的多个突出部分形成用通孔，由此，形成在绝缘性片体的另一面上设置突出部分形成用树脂层而成的一次复合体。
各个导电路形成用通孔以及各个突出部分形成用通孔，都是直径从一面到另一面而逐渐变小的大致四棱台状，绝缘性片体的一面的开口径的大小a为最大，绝缘性片体的一面的开口径的大小a和突出部分形成用树脂层的另一面的开口径的大小b的开口径比a/b为1.2。
(激光的照射条件)
·激光种类：TEA-CO2
·频率(每1秒的脉冲数)：50Hz
·图形(射线束宽度)：0.5×1.92mm
·扫描速度(激光加工机的载物台移动速度)：1192mm/min
·电压(激发电压)：20kV
·能量密度(每个单位面积额激光照射能量)：12J/cm2
·扫描次数：4次
接着，通过在调整为减压到1×10-4的气氛的腔内，在用由氟化橡胶构成的密封用橡胶片堵塞一次复合体的导电路形成用通孔以及突出部分形成用通孔的另一面侧，同时将曝光用掩模配置在复合体的一面上的状态下，直接用印刷用掩模在一次复合体的一面上涂布导电路元件用材料，之后，使腔内的气氛气压上升而达到例如常压，在包括曝光用掩模的透光用通孔的各自的内部空间，绝缘性片体的导电路形成用通孔的各自的内部空间，以及突出部分形成用树脂层的突出部分形成用通孔的各自的内部空间的导电路元件成形用空间内，填充导电路元件用材料，由此，在导电路元件成形用空间内形成导电路元件用材料层。
之后，将在导电路元件成形用空间的各自内形成了导电路元件用材料层的一次复合体，在由配置在其一面以及另一面上的、分别由厚度为6mm的铁构成的上侧加压板以及下侧加压板支撑的状态下，配置在具备加热器的一对电磁铁之间，通过使该电磁铁动作，一面使平均2.2T的平行磁场沿着导电路元件用材料层的厚度方向起作用，一面用100℃进行1小时的加热处理，使导电路元件用材料层固化，从而形成在导电路元件成形用空间内形成了导电路元件的、由曝光用掩模、绝缘性片体以及突出部分形成用树脂层的层叠体构成的二次复合体。
然后，通过从二次复合体剥离并除去曝光用掩模，形成一面侧突出部分，在该状态下，通过使二次复合体的整体浸泡的80℃的温水中并放置3小时，溶解并除去突出部分形成用树脂层，由此，形成另一面侧突出部分，以此，制造图12所示的构成的各向异性导电性片体。以下，将该各向异性导电性片称为“各向异性导电性片(C)”。
得到的各向异性导电性片(C)，是将导电路元件以100μm的间距配列而成的，形成导电路元件的部分的厚度为143μm，导电路元件的一面侧突出部分的突出高度为18μm，另一面侧突出部分的突出高度为25μm。另外，导电路元件，在绝缘性片体的壁厚中的纵向的尺寸为200μm，横向的尺寸为60μm。另外，各个导电路元件的导电性粒子的比例，是体积分率为30％。
当对实施例1的各向异性导电性片(A)、以及实施例2的各向异性导电性片(B)、和实施例3的各向异性导电性片(C)，分别测定邻接的导电路元件之间的电阻时，各向异性导电性片(A)、各向异性导电性片(B)以及各向异性导电性片(C)，都是大于等于1×1014Ω，确认了以邻接的导电路元件彼此可以确保足够的绝缘性的状态形成的情况。
另外，当以每1个导电路元件的载荷为5g的方式，沿着厚度方向将各向异性导电性片(A)、各向异性导电性片(B)以及各向异性导电性片(C)分别加压，并在该状态下，测定该导电路元件的电阻时，各向异性导电性片(A)、各向异性导电性片(B)以及各向异性导电性片(C)都是60mΩ，确认了可以得到良好的加压导电性的情况。
(比较例1)
在实施例1中，通过将曝光用掩模以其另一面与绝缘性片基体材料的一面相接的方式配置的状态配置，并从该曝光用掩模的一面侧经由曝光用掩模的多个透光用通孔照射激光，形成了导电路元件形成用通孔，除此之外，与实施例1同样地，制造比较用的各向异性导电性片。
得到的比较用的各向异性导电性片，是一面的导电路元件的形状为纵200μm、横60μm、另一面的导电路元件的形状为纵240μm、横100μm的、从一面向另一面扩大的锥状(四棱台状)。
当对得到的比较用的各向异性导电性片，测定邻接的导电路元件之间的电阻时，是0.3～10Ω，确认了邻接的导电路元件之间不能得到足够的绝缘性的情况。另外，当观察邻接的导电路元件之间的绝缘性片体部分时，确认了在各向异性导电性片的另一面上，存在导电路元件彼此连结地形成的部位，不能彼此独立地构成各个导电路元件，并且不能用于电路装置的电检查的情况。
(比较例2)
在上述实施例3中，通过将曝光用掩模以其另一面与绝缘性片基体材料的一面相接的方式配置，并从该曝光用掩模的一面侧经由曝光用掩模的多个透光用通孔照射激光，在绝缘性片基体材料上形成导电路元件形成用通孔，从而形成绝缘性片体，在绝缘性片体的两面上，配置按照要形成的导电路元件的图形形成了开口的印刷用掩模，在包括印刷用掩模的开口的内部空间以及绝缘性片基体材料的导电路形成用通孔的内部空间的导电路元件成形用空间内形成导电路元件材料层，通过进行该导电路元件材料层的固化处理，形成一体地设在绝缘性片体上的导电路元件，通过剥离并除去印刷用掩模，形成一面侧突出部分以及另一面侧突出部分，除此之外，与实施例3同样地制造比较用的各向异性导电性片。
绝缘性片体的导电路元件形成用通孔，是其一面的开口径的大小为纵0.2mm、横0.06mm、另一面的开口径的大小为纵0.24mm、横0.1mm的、开口径从一面向另一面扩大的锥状(四棱台状)，配置在一面侧上的印刷用掩模，厚度为18μm，开口径的大小为纵200μm、横60μm，配置在另一面侧的印刷用掩模，厚度为25μm，开口径的大小为纵240μm、横100μm。
当对得到的比较用的各向异性导电性片，测定邻接的导电路元件之间的电阻时，是0.3～10Ω，确认了邻接的导电路元件之间不能得到足够的绝缘性的情况。
另外，当观察邻接的导电路元件之间的绝缘性片体部分时，确认了存在导电路元件彼此连结地形成的部位，不能彼此独立地构成各个导电路元件，另外，整体的约0.5％左右的导电路元件，一面侧突出部分或另一面侧突出部分或这两方有缺损的情况。
(实施例4)
(评价用晶片的制作)
如图40所示，在直径为8英寸的硅(线热膨胀系数3.3×10-6/K)制的晶片(60)上，合计形成393个各自的尺寸为8mm×8mm的正方形的集成电路。各个形成在晶片(60)上的集成电路(L)，如图41所示，在其中央具有被检查电极区域(A)，在该被检查区域(A)上，如图42所示，将50个各自的纵向(在图42中是上下方向)的尺寸为200μm，横向(在图42中是左右方向)的尺寸为50μm的矩形的被检查电极(62)以100μm的间距沿着横向配列成一列。另外，该晶片(60)整体的被检查电极(62)的总数是19650个，所有的被检查电极，都与形成在该晶片(60)的周缘部的共通的引出极(图示省略)电连接。以下，将该晶片称为“评价用晶片W1”。
另外，在晶片(60)上，形成除了对集成电路(L)的50个被检查电极(62)不形成引出极，并将各个被检查电极彼此电绝缘以外，与评价用晶片W1同样的构成的393个集成电路(L)。该晶片整体的被检查电极的总数是19650个。以下，将该晶片称为“评价用晶片W2”。
(各向异性导电性连接器的制造)
(1)框架板的制作：
按照图43以及图44所示的构成，根据以下的条件，合计制作40片直径为8英寸的框架板(31)，该框架板具有与评价用晶片W1的各被检查电极区域相对应地形成的393个各向异性导电性片形成用的开口(31A)。
该框架板的材质，是42合金(饱和磁化1.7Wb/m2、线热膨胀系数6.2×10-6/K)，其厚度是0.06mm。
各个各向异性导电性片形成用的开口，其横向(在图43以及图44中是左右方向)的尺寸为5000μm，纵向(在图43以及图44中是上下方向)的尺寸为320μm。
在沿着纵向邻接的各向异性导电性片形成用的开口之间的中央位置上，形成有直径为1000μm的圆形的空气流入孔(31B)。
(2)衬垫的制作：
按照如下的条件，制作分别具有与评价用晶片W1的被检查电极区域相对应地形成的多个通孔的各向异性导电性片成形用的上侧衬垫以及下侧衬垫。这些衬垫的材质是不锈钢(SUS304)，其厚度是20μm。
与各被检查电极区域相对应的通孔，其横向的尺寸为6000μm，纵向的尺寸为1400μm。
(3)曝光用掩模的制作：
在由厚度为18μm的铜构成的掩模基体材料(纵向的尺寸为230mm，横向的尺寸为230mm)的一面上形成抗蚀剂层，将纵向的尺寸是220μm、横向的尺寸是75μm的开口以沿着横向是100μm的间距，沿着纵向是6.34mm的分离距离排列的方式形成的阳性薄膜掩模，配置在该掩模基体材料的一面上，然后进行曝光处理，之后，通过进行显影处理，在抗蚀剂层上形成图形孔，之后，通过从该掩模基体材料的一面侧，用以氯化铁为主要成分的45℃的蚀刻液实施喷雾蚀刻处理，形成多个透光用通孔，之后，通过除去抗蚀剂层，得到曝光用掩模。
该曝光用掩模的透光用通孔，具有形成一面的开口是纵向的尺寸为220μm、横向的尺寸为75μm，另一面的开口是纵向的尺寸为200μm、横向的尺寸为60μm的四棱台状的内部空间的形状。另外，透光用通孔的总数是19650个，是沿着横向以100μm的间距，沿着纵向是6.34mm的分离距离排列的状态。
(4)各向异性导电性连接器的制作例1：
(各向异性导电性连接器(A1)～(A10)的制作)
用上述的框架板、衬垫、曝光用掩模，按以下的方式在框架板上形成各向异性导电片。
在附加型液状硅酮橡胶100重量份中，添加并混合导电性粒子375重量份，之后，通过实施由减压实现的脱泡处理，调制导电路元件用材料。在此，作为导电性粒子，使用以平均粒子径10μm的镍粒子为芯粒子，在该芯粒子上，以其重量的30重量％的包覆量，通过化学电镀包覆了金的粒子。
另外，作为附加型液状硅酮橡胶，使用A液的粘度为250Pa·s，B液的粘度为250Pa·s的二液型，固化物的150℃的永久压缩变形为5％，固化物的杜罗回跳式硬度计A硬度为32，固化物的扯裂强度为25kN/m的材料。
另外，上述的附加型液状硅酮橡胶的特性，按照如下的方式测定。
(イ)附加型液状硅酮橡胶的粘度：
用B型粘度计，测定23±2℃的粘度。
(ロ)硅酮橡胶固化物的压缩永久变形：
将二液型的附加型液状硅酮橡胶的A液和B液以等量的比例搅拌混合。接着，将该混合物倒入金属模具中，在对该混合物进行了由减压实现的脱泡处理后，通过以120℃、30分钟的条件进行固化处理，制作由厚度为12.7mm、直径为29mm的硅酮橡胶固化物构成的圆柱体，对该圆柱体，以200℃、4小时的条件进行二次固化。将以这种方式得到的圆柱体用作试验片，并以JIS K 6249为基准测定150±2℃的压缩永久变形。
(ハ)硅酮橡胶固化物的扯裂强度：
通过以与上述(ロ)相同的条件进行附加型液状硅酮橡胶的固化处理以及二次固化，制作厚度为2.5mm的片。通过冲裁从该片制作月牙形的试验片，并以JIS K 6249为基准测定23±2℃的扯裂强度。
(ニ)杜罗回跳式硬度计A硬度：
将按照与上述(ハ)同样的方式制作的片5片重叠在一起，并将得到的层叠体用作试验片，并以JIS K 6249为基准测定23±2℃的杜罗回跳式硬度计A硬度。
(一次复合体的形成)
首先，通过将印刷掩模配置在由厚度为250μm的42合金构成的背面支撑板(纵向的尺寸为230mm、横向的尺寸为230mm)上，并利用印刷法涂布由上述附加型液状硅酮橡胶构成的高分子物质形成材料，在背面支撑板的一面上的、与框架板的各向异性导电性片形成用的开口相对应的位置上，形成高分子物质形成材料层。作为高分子物质材料层形成用的印刷掩模，是在由厚度为150μm的铁构成的掩模基板(纵向的尺寸为230mm、横向的尺寸为230mm)的、与框架板的各向异性导电性片形成用的开口相对应的位置上，形成了多个通孔的掩模，各个通孔，其横向的尺寸为5800μm，纵向的尺寸为600μm。
接着，将形成了高分子物质形成材料层的背面支撑板，配置在由厚度为6mm的铁构成的平板状的下侧加压板上，在该背面支撑板上，经由下侧衬垫而位置相吻合地配置框架板，同时位置相吻合地将上侧衬垫配置在框架板上，进而，将曝光用掩模以其透光用通孔的开口径较大的一面，即，形成透光用通孔之际形成了抗蚀剂层的面与上侧衬垫的一面相接的方式配置，在曝光用掩模的另一面上，经由脱模薄膜配置上侧加压板，通过将它们沿着层叠方向加压，在各向异性导电性片的成形用空间内填充高分子物质材料，从而形成目的形态的高分子物质形成材料层。在此，作为脱模薄膜，使用厚度为50μm、纵向的尺寸为230mm、横向的尺寸为230mm的特富龙(登录商标)薄膜。
在该状态下，通过用100℃的温度进行90分钟额加热处理，使高分子物质形成材料层固化，从而在框架板的各个开口部形成绝缘性片基体材料，之后，通过除去上侧加压板、下侧加压板以及脱模薄膜，得到一次复合体。
(二次复合体的形成)
通过将以上述方式得到的一次复合体，配置在CO2激光加工机『Impact L-500』(住友重机械工业(株)制)的加工载物台上，并从一侧复合体的曝光用掩模的另一面侧以如下的条件照射激光，在设在框架板的各个开口部的绝缘性片基体材料上，形成多个导电路元件形成用通孔，之后，通过剥离背面支撑板，得到二次复合体。
(各向异性导电性片的形成)
将以上述方式得到的二次复合体，经由密封用橡胶片配置在真空印刷机的腔内的印刷加工台上，进而，在将上述的印刷掩模位置相吻合地配置在二次复合体上之后，将真空印刷机的腔内减压到1×10-4atm，在该状态下，在用网板印刷涂布了导电路元件用材料之后，通过使腔内的气氛气压上升而达到常压，将导电路元件材料填充在导电路元件形成用通孔的内部空间以及曝光用掩模的透光用通孔的内部空间内，之后，通过除去印刷掩模，并用橡皮滚除去残留在曝光用掩模上的导电性糊料材料，形成导电路元件用材料层。
之后，将在导电路元件成形用空间内形成了导电路元件用材料层的二次复合体，在由配置在其一面以及另一面上的、分别由厚度为6mm的铁构成的上侧加压板以及下侧加压板支撑的状态下，配置在具备加热器的一对电磁铁之间，通过使该电磁铁动作，一面使平均2.2T(特斯拉)的平行磁场沿着导电路元件用材料层的厚度方向起作用，一面用2.3kg/cm2的推压力加压，同时用100℃进行1小时的加热处理，使导电性粒子以沿着厚度方向排列的方式取向，同时使导电路元件形成用材料层固化，从而形成将导电路元件一体地设在绝缘性片体上而成的各向异性导电性片，以此，制造本发明的各向异性导电性连接器。
如果具体地说明得到的各向异性导电性连接器的各向异性导电性片，就是各个各向异性导电性片，是横向的尺寸为6000μm，纵向的尺寸为1400μm的片。
在各个各向异性导电性片上，将与评价用晶片W1的被检查电极相对应的50个导电路元件以100μm的间距沿着横向配列成一列，各个导电路元件，是厚度为118μm，横向的尺寸为60μm，纵向的尺寸为200μm的剖面四边形的四棱柱状。另外，将各个导电路元件相互绝缘的绝缘性片体部分的厚度为100μm，相对于导电路元件的厚度T2的、绝缘性片体部分的的厚度T1的比(T2/T1)为1.18。另外，各个各向异性导电性片的、由框架板支撑的部分的厚度(两叉部分的一个厚度)是20μm。
按照以上所述，在10片框架板上分别形成各向异性导电性片，合计制造10片各向异性导电性连接器。以下，将这些各向异性导电性连接器作为各向异性导电性连接器(A1)～各向异性导电性连接器(A10)。
(比较用的各向异性导电性连接器(B1)～(B10)的制作)
在上述的各向异性导电性连接器(A1)～(A10)的制作工序中，将曝光用掩模以其透光用通孔的开口径较小的另一面，即，形成透光用通孔之际形成了抗蚀剂层的一面的相反一侧的面，与上侧衬垫的一面相接的方式配置，并形成了一次复合体，除此之外，与各向异性导电性连接器(A1)～(A10)的制作工序同样地合计制作10片比较用的各向异性导电性连接器。以下，将这些各向异性导电性连接器作为各向异性导电性连接器(B1)～各向异性导电性连接器(B10)。
如果具体地说明得到的比较用的各向异性导电性连接器(B1)～(B10)的各向异性导电性片，就是各个各向异性导电性片，是横向的尺寸为6000μm，纵向的尺寸为1200μm的片，将与评价用晶片W1的被检查电极相对应的50个导电路元件以100μm的间距沿着横向配列成一列，各个导电路元件具有厚度为118μm，横向的尺寸在约70～80μm的范围内，纵向的尺寸在210～220μm的范围内的剖面形状。另外，将各个导电路元件相互绝缘的绝缘性片体部分的厚度是100μm，相对于导电路元件的厚度T2的绝缘性片体部分的厚度T1的比(T2/T1)为1.18。另外，各个各向异性导电性片的由框架板支撑的部分的厚度(两叉部分的一个厚度)是20μm。
(5)各向异性导电性连接器的制作例2：
(各向异性导电性连接器(C1)～(C10)的制作)
用上述的框架板、衬垫、曝光用掩模，按照以下的方式在框架板上形成各向异性导电性片。
首先，通过相对于蒸馏水285g，添加15g重量平均聚合度为2000的聚乙烯醇粉末，并以80℃进行搅拌，调制由聚乙烯醇的浓度为5重量％的聚乙烯醇水溶液构成的树脂层形成材料。
(一次复合体的形成)
接着，通过在由厚度为250μm的42合金构成的支撑板(纵向的尺寸为230mm、横向的尺寸为230mm)上，涂布调制的树脂层形成材料，并用40℃干燥涂膜，形成厚度为25μm的突出部分形成用树脂层，从而形成层叠体，通过将印刷用掩模配置在层叠体的突出部分形成用树脂层的一面上，并用印刷法涂布由上述附加型液状硅酮橡胶构成的高分子物质形成材料，在与框架板的各向异性导电性片形成用的开口相对应的位置上，形成高分子物质形成材料层。作为高分子物质材料层形成用的印刷掩模，是在由厚度为150μm的铁构成的掩模基板(纵向的尺寸为230mm、横向的尺寸为230mm)的、与框架板的各向异性导电性片形成用的开口相对应的位置上，形成有多个通孔的掩模，各个通孔，其横向的尺寸为5800μm，纵向的尺寸为600μm。
另外，当在由厚度为50μm，纵向的尺寸为230mm，横向的尺寸为230mm的特富龙(登录商标)薄膜构成的脱模薄膜的另一面上，将曝光掩模以其另一面与之相接的方式配置的状态下，通过用印刷法在曝光用掩模的一面上涂布由上述附加型液状硅酮橡胶构成的高分子物质形成材料，在与框架板的各向异性导电性片形成用的开口相对应的位置上，将高分子物质形成材料层，以将其填充在曝光用掩模的透光用通孔内的状态形成。
之后，将形成了高分子物质形成材料层的层叠体，配置在由厚度为6mm的铁构成的平板状的下侧加压板上，在该层叠体的一面上，经由下侧衬垫位置相吻合地配置框架板，同时位置相吻合地将上侧衬垫配置在框架板上，进而，在上面侧衬垫的一面上，将形成了高分子物质形成材料层的曝光用掩模以及脱模薄膜的层叠体，以曝光用掩模的透光用通孔的开口径较大的一面，即，形成透光用通孔之际形成了抗蚀剂层的一面，与上侧衬垫的一面相对的方式配置，并在脱模薄膜的一面上配置平板状的上侧加压板，通过将它们沿着层叠方向加压，在各向异性导电性片的成形用空间内填充高分子物质材料，从而形成目的形态的高分子物质形成材料层。
在该状态下，通过以100℃的温度进行90分钟额加热处理，使高分子物质形成材料层固化，从而在各个框架板的开口部内形成绝缘性片基体材料，在除去了上侧加压板、下侧加压板以及脱模薄膜的状态下，通过将其配置在CO2激光加工机『Impact L-500』(住友重机械工业(株)制)的加工载物台上，并从曝光用掩模的另一面侧按照以下的条件照射激光，在设在框架板的各个开口部的绝缘性片基体材料上，形成分别沿着厚度方向贯通并延伸的多个导电路元件形成用通孔，同时在突出部分形成用树脂层上，形成分别与导电路形成用通孔连续地沿着厚度方向贯通并延伸的突出部分形成用通孔，之后，通过剥离支撑板，得到一次复合体。
(二次复合体的形成)
将以上述方式得到的一次复合体，经由用氟化橡胶构成的密封用橡胶片配置在真空印刷机的腔内的印刷加工台上，进而，在将上述的印刷用掩模位置相吻合地配置在一次复合体上之后，将真空印刷机的腔内减压到1×10-4atm，在该状态下，在利用网板印刷涂布了上述导电路元件用材料之后，通过使腔内的气氛气压上升而达到常压，将导电路元件材料，填充在包括曝光用掩模的透光用通孔的内部空间、导电路元件形成用通孔的内部空间以及突出部分形成用树脂层的突出部分形成用通孔的内部空间的导电路元件成形用空间内，之后，通过除去印刷用掩模，并用橡皮滚除去残留在曝光用掩模上的导电路元件用材料，形成导电路元件用材料层。
之后，将在导电路元件成形用空间内形成了导电路元件用材料层的一次复合体，在由配置在其一面以及另一面上的、分别由厚度为6mm的铁构成的上侧加压板以及下侧加压板支撑的状态下，配置在具备加热器的一对电磁铁之间，通过使该电磁铁动作，一面使平均2.2T的平行磁场沿着导电路元件用材料层的厚度方向起作用，一面用2.3kg/cm2的推压力加压，同时以100℃进行1小时的加热处理，使导电性粒子以沿着厚度方向排列的方式取向，同时使导电路元件用材料层固化，从而形成导电路元件，由此，得到二次复合体。
(各向异性导电性片的形成)
然后，通过从二次复合体剥离并除去曝光用掩模，形成导电路元件的一面侧突出部分，在该状态下，通过使二次复合体的整体浸泡在80℃的温水中并放置3小时，溶解并除去突出部分形成用树脂层，由此，形成导电路元件的另一面侧突出部分，并形成导电路元件以从绝缘性片体的两面突出的状态被设置而成的各向异性导电性片，以此，制造本发明的各向异性导电性连接器。
如果具体地说明得到的各向异性导电性连接器的各向异性导电性片，各个各向异性导电性片，是横向的尺寸为6000μm，纵向的尺寸为1400μm的片。
在各个各向异性导电性片上，将与评价用晶片W1的被检查电极相对应的50个导电路元件以100μm的间距沿着横向配列成一列，各个导电路元件，是厚度为143μm，横向额尺寸为60μm，纵向的尺寸为200μm的剖面四边形的四棱柱状。另外，将各个导电路元件相互绝缘的绝缘性片体部分的厚度是100μm，相对于导电路元件的厚度T2的绝缘性片体部分的厚度T1的比(T2/T1)为1.43。另外，各个各向异性导电性片的由框架板支撑的部分的厚度(两叉部分的一个厚度)是20μm。
按照以上的方式，分别在10片框架板上形成各向异性导电性片，合计制造10片各向异性导电性连接器。以下，将这些各向异性导电性连接器作为各向异性导电性连接器(C1)～各向异性导电性连接器(C10)。
(比较用的各向异性导电性连接器(D1)～(D10)的制作)
在上述的各向异性导电性连接器(C1)～(C10)的制作工序中，在不在支撑板的一面上形成突出部分形成用树脂层，并且不配置曝光用掩模的状态下，通过在各向异性导电性片的成形用空间内填充高分子物质材料，从而形成目的形态的高分子物质形成材料层，然后进行固化处理，形成绝缘性片基体材料，之后，将曝光用掩模以其透光用通孔的开口径较小的另一面，即，形成透光用通孔之际形成了抗蚀剂层的一面的相反一侧的面，与绝缘性片基体材料的一面相接的方式配置，然后通过从曝光用掩模的一面侧照射激光，形成导电路形成用通孔，在绝缘性片体的两面上配置按照与导电路形成用通孔的图形相对应的图形形成了开口的印刷用掩模，通过在包括印刷用掩模的开口的内部空间以及绝缘性片体的导电路形成用通孔的内部空间的导电路元件成形用空间内形成导电路元件用材料层，然后进行固化处理，形成导电路元件，通过剥离并除去印刷用掩模，形成一面侧突出部分以及另一面侧突出部分，由此，形成导电路元件以从绝缘性片体的两面突出的状态被设置而成的各向异性导电性片，除此之外，与各向异性导电性连接器(C1)～(C10)的制作工序同样地合计制作10片比较用的各向异性导电性连接器。以下，将这些各向异性导电性连接器作为各向异性导电性连接器(D1)～各向异性导电性连接器(D10)。
如果具体地说明得到的比较用的各向异性导电性连接器(D1)～(D10)的各向异性导电性片，就是各个各向异性导电性片，是横向的尺寸为6000μm，纵向的尺寸为1200μm的片，并将与评价用晶片W1的被检查电极相对应的50个导电路元件以100μm的间距沿着横向配列成一列。另外，具有各向异性导电性片的形成导电路元件的部分的厚度在133～143μm的范围内，绝缘性片体的壁厚中的横向的尺寸在约70～80μm的范围内，纵向的尺寸在210～220μm的范围内的剖面形状。另外，将各个导电路元件相互绝缘的绝缘性片体部分的厚度是100μm，相对于导电路元件的厚度T2的绝缘性片体部分的厚度T1的比(T2/T1)为1.18。另外，各个各向异性导电性片的由框架板支撑的部分的厚度(两叉部分的一个厚度)是20μm。
(6)检查用电路基板：
作为基板材料，使用氧化铝陶瓷(线热膨胀系数4.8×10-6/K)，并制作按照与评价用晶片W1的被检查电极的图形相对应的图形形成了检查电极的检查用电路基板。该检查用电路基板，是整体的尺寸为30cm×30cm的矩形，其检查电极，横向的尺寸为60μm，纵向的尺寸为200μm。以下，将该检查用电路基板称为“检查用电路基板T”。
(各向异性导电性连接器的评价)
按照以下的方式，分别对各向异性导电性连接器(A1)～(A10)以及比较用的各向异性导电性连接器(B1)～(B10)，和各向异性导电性连接器(C1)～(C10)以及比较用的各向异性导电性连接器(D1)～(D10)，进行初期导电特性的评价。
即，将评价用晶片W1配置在试验台上，将各向异性导电性连接器以其各个连接用导电部位于该评价用晶片W1的被检查电极上的方式，位置相吻合地配置在该评价用晶片W1上，将检查用电路基板T以其各个检查电极位于该各向异性导电性连接器的连接用导电部上的方式，位置相吻合地配置在该各向异性导电性连接器上，进而，用58.95kg的载荷(附加在每1个连接用导电部上的载荷平均是3g)将检查用电路基板向下方加压。然后，在室温(25℃)下，将检查用电路基板T的19650个检查电极和评价用晶片W1的引出极之间的电阻，作为连接用导电部的电阻(以下，称为“导通电阻”)而顺次测定，并算出导通电阻小于1Ω的连接用导电部的比例。
另外，将评价用晶片W2配置在试验台上，将各向异性导电性连接器以其各个连接用导电部位于该评价用晶片W2的被检查电极上的方式，位置相吻合地配置在该评价用晶片W2上，将检查用电路基板T以其各个检查电极位于该各向异性导电性连接器的连接用导电部上的方式，位置相吻合地配置在该各向异性导电性连接器上，进而，用158kg的载荷(附加在每1个连接用导电部上的载荷平均为8g)将检查用电路基板T向下方加压。然后，在室温(25℃)下，将检查用电路基板T的邻接的2个检查电极之间的电阻，作为邻接的2个连接用导电部(以下，称为“导电部对”)之间的电阻(以下，称为“绝缘电阻”)而顺次测定，并算出绝缘电阻大于等于10MΩ的导电部对的比例。
以上，将结果展示在表1以及表2中。
(表1)
| 导通电阻小于1Ω的连接用导电部的比例(％) | 绝缘电阻大于等于10MΩ的连接用导电部的比例(％) | ||
| 实施例 | 各向异性导电性连接器(A1) | 100 | 100 |
| 各向异性导电性连接器(A2) | 100 | 100 | |
| 各向异性导电性连接器(A3) | 100 | 100 | |
| 各向异性导电性连接器(A4) | 99.98 | 100 | |
| 各向异性导电性连接器(A5) | 100 | 100 | |
| 各向异性导电性连接器(A6) | 99.99 | 100 | |
| 各向异性导电性连接器(A7) | 100 | 100 | |
| 各向异性导电性连接器(A8) | 100 | 100 | |
| 各向异性导电性连接器(A9) | 100 | 100 | |
| 各向异性导电性连接器(A10) | 100 | 100 | |
| 比较例 | 各向异性导电性连接器(B1) | 100 | 2 |
| 各向异性导电性连接器(B2) | 100 | 3 | |
| 各向异性导电性连接器(B3) | 100 | 4 | |
| 各向异性导电性连接器(B4) | 100 | 6 | |
| 各向异性导电性连接器(B5) | 99.99 | 5 | |
| 各向异性导电性连接器(B6) | 100 | 9 | |
| 各向异性导电性连接器(B7) | 100 | 5 |
| 各向异性导电性连接器(B8) | 100 | 6 | |
| 各向异性导电性连接器(B9) | 100 | 8 | |
| 各向异性导电性连接器(B10) | 100 | 12 |
(表2)
| 导通电阻小于1Ω的连接用导电部的比例(％) | 绝缘电阻大于等于10MΩ的连接用导电部的比例(％) | ||
| 实施例 | 各向异性导电性连接器(C1) | 100 | 100 |
| 各向异性导电性连接器(C2) | 100 | 100 | |
| 各向异性导电性连接器(C3) | 100 | 100 | |
| 各向异性导电性连接器(C4) | 99.98 | 100 | |
| 各向异性导电性连接器(C5) | 100 | 100 | |
| 各向异性导电性连接器(C6) | 99.99 | 100 | |
| 各向异性导电性连接器(C7) | 100 | 100 | |
| 各向异性导电性连接器(C8) | 100 | 100 | |
| 各向异性导电性连接器(C9) | 100 | 100 | |
| 各向异性导电性连接器(C10) | 100 | 100 | |
| 比较例 | 各向异性导电性连接器(D1) | 100 | 2 |
| 各向异性导电性连接器(D2) | 100 | 3 | |
| 各向异性导电性连接器(D3) | 100 | 4 | |
| 各向异性导电性连接器(D4) | 100 | 6 | |
| 各向异性导电性连接器(D5) | 99.99 | 5 | |
| 各向异性导电性连接器(D6) | 100 | 9 | |
| 各向异性导电性连接器(D7) | 100 | 5 | |
| 各向异性导电性连接器(D8) | 100 | 6 | |
| 各向异性导电性连接器(D9) | 100 | 8 | |
| 各向异性导电性连接器(D10) | 100 | 12 |
正如从以上的结果所了解的那样，根据本发明的各向异性导电性连接器(A1)～(A10)以及各向异性导电性连接器(C1)～(C10)，即便各向异性导电性片的导电路元件的间距较小，也可以作为能够在邻接的导电路元件之间确保足够的绝缘性的各向异性导电性连接器而构成，同时确认了得到了良好的导电特性的情况。另外，在各向异性导电性连接器(C1)～(C10)中，确认了对于所有的导电路元件，都是以所需的形状形成有一面侧突出部分以及另一面侧突出部分的元件。
相对于此，在比较用的各向异性导电性连接器(B1)～(B10)以及比较用的各向异性导电性连接器(D1)～(D10)中，确认了在邻接的导电路元件之间不能得到足够的绝缘性的情况。另外，当观察邻接的导电路元件之间的绝缘性片体部分时，确认了存在导电路元件彼此连结地形成的部位，不能将各个导电路元件彼此独立地构成的情况。特别是，在各向异性导电性连接器(D1)～(D10)中，确认了整体的约0.5％左右的导电路元件，一面侧突出部分以及另一面侧突出部分的一面或两方有缺损的情况。
Claims (44)
1.一种各向异性导电性片，具有分别形成了沿着厚度方向延伸的多个导电路形成用通孔的、由弹性高分子物质构成的绝缘性片体，和一体地设在该绝缘性片体的各个导电路形成用通孔内的导电路元件，其特征在于：
所述绝缘性片体的导电路形成用通孔，是通过使用按照与要形成的导电路元件的图形相对应的图形，分别形成了直径从一面到另一面而逐渐变小的多个透光用通孔的曝光用掩模，并从该曝光用掩模的另一面经由该曝光用掩模的透光用通孔照射激光而形成的。
2.如权利要求1所述的各向异性导电性片，其特征在于，导电路元件，是将显示磁性的导电性粒子以沿着厚度方向取向的状态含有而成的。
3.如权利要求1或2所述的各向异性导电性片，其特征在于，构成绝缘性片体的弹性高分子物质是硅酮橡胶。
4.如权利要求1～3的任意一项所述的各向异性导电性片，其特征在于，导电路元件，具有从绝缘性片体的至少一个面突出的突出部分。
5.如权利要求4所述的各向异性导电性片，其特征在于，导电路元件的、从绝缘性片体的一个面突出的一面侧突出部分，其形状为直径从基端到前端而逐渐变小的锥状。
6.一种各向异性导电性片的制造方法，其特征在于，具有第1工序和第2工序，其中：
第1工序是准备按照与要形成的导电路元件的图形相对应的图形，分别形成了直径从一面到另一面而逐渐变小的、沿着厚度方向延伸的多个透光用通孔的曝光用掩模，将该曝光用掩模，以该曝光用掩模的一面与由弹性高分子物质构成的绝缘性片基体材料的一面相接的方式，配置在该绝缘性片基体材料的一面上，通过从该曝光用掩模的另一面侧经由该曝光用掩模的透光用通孔照射激光，形成具有分别沿着厚度方向延伸的多个导电路形成用通孔的绝缘性片体；
第2工序是通过在该绝缘性片体的各个导电路形成用通孔内，填充使导电性粒子分散在由固化后成为弹性高分子物质的高分子物质形成材料中而成的导电路元件用材料，在绝缘性片体的各个导电路形成用通孔内形成导电路元件用材料层，通过进行该导电路元件用材料层的固化处理，形成一体地设在该绝缘性片体上的导电路元件。
7.如权利要求6所述的各向异性导电性片的制造方法，其特征在于，作为导电路元件用材料中的导电性粒子，使用显示磁性的粒子；
通过使磁场沿着形成在绝缘性片体上的导电路元件材料层的厚度方向起作用，使分散在导电路元件用材料层中的导电性粒子沿着该导电路元件用材料层的厚度方向取向，在该状态下，通过进行导电路元件用材料层的固化处理，形成导电路元件。
8.如权利要求6或7所述的各向异性导电性片的制造方法，其特征在于，通过经由曝光用掩模的多个透光用通孔照射激光，一起形成多个导电路形成用通孔。
9.如权利要求6～8的任意一项所述的各向异性导电性片的制造方法，其特征在于，通过在将曝光用掩模配置在绝缘性片体的一面上的状态下，直接将所述导电路元件用材料填充在绝缘性片体的导电路形成用通孔以及曝光用掩模的透光用通孔内，形成导电路元件用材料层，并进行该导电路元件用材料层的固化处理，形成具有从绝缘性片体的一面向外突出、并且是直径从基端到前端而逐渐变小的形状的一面侧突出部分的导电路元件。
10.一种各向异性导电性片的制造方法，所述各向异性导电性片具有分别形成了沿着厚度方向延伸的多个导电路形成用通孔的、由弹性高分子物质构成的绝缘性片体，和以从该绝缘性片体的至少一个面突出的状态、一体地设在该绝缘性片体的各个导电路形成用通孔内的导电路元件，所述各向异性导电性片的制造方法的特征在于：
准备按照与要形成的导电路元件的图形相对应的图形，分别形成了直径从一面到另一面而逐渐变小的、沿着厚度方向延伸的多个透光用通孔的曝光用掩模，并具有如下的工序：
制作在由弹性高分子物质构成的绝缘性片基体材料的至少一个面上形成了突出部分形成用树脂层的层叠体，将所述曝光用掩模以该曝光用掩模的一面与该层叠体的一面相接的方式配置在该层叠体的一面上，通过从该曝光用掩模的另一面侧经由该曝光用掩模的透光用通孔照射激光，在层叠体的绝缘性片基体材料上，形成分别沿着厚度方向延伸的多个导电路形成用通孔，同时在层叠体的突出部分形成用树脂层上，形成分别与各个导电路形成用通孔连续地沿着厚度方向延伸的多个突出部分形成用通孔，由此，形成在绝缘性片体的至少一个面上设有突出部分形成用树脂层而成的一次复合体；
通过在一次复合体的包括绝缘性片体的导电路形成用通孔的内部空间，以及突出部分形成用树脂层的突出部分形成用通孔的内部空间的导电路元件成形用空间内，填充使导电性粒子分散在固化后成为弹性高分子物质的高分子物质形成材料中而成的导电路元件用材料，在导电路元件成形用空间内形成导电路元件用材料层，通过进行该导电路元件用材料层的固化处理，形成导电路元件，由此，形成将多个导电路元件一体地设在一次复合体的导电路元件成形用空间内而成的二次复合体；
通过溶解并除去二次复合体的突出部分形成用树脂层，形成从绝缘性片体的至少一个面突出的导电路元件的突出部分。
11.如权利要求10所述的各向异性导电性片的制造方法，其特征在于，作为构成绝缘性片体的弹性高分子物质，使用硅酮橡胶，作为构成突出部分形成用树脂层的树脂层形成材料，使用聚乙烯醇。
12.如权利要求11所述的各向异性导电性片的制造方法，其特征在于，使用平均聚合度为100～5000的聚乙烯醇。
13.如权利要求10～12的任意一项所述的各向异性导电性片的制造方法，其特征在于，以5～100μm的厚度形成突出部分形成用树脂层。
14.如权利要求10～13的任意一项所述的各向异性导电性片的制造方法，其特征在于，作为导电路元件用材料中的导电性粒子，使用显示磁性的粒子；
通过使磁场沿着形成在绝缘性片体上的导电路元件材料层的厚度方向起作用，使分散在导电路元件用材料层中的导电性粒子沿着该导电路元件用材料层的厚度方向取向，在该状态下，通过进行导电路元件用材料层的固化处理，形成导电路元件。
15.如权利要求10～14的任意一项所述的各向异性导电性片的制造方法，其特征在于，通过经由曝光用掩模的多个透光用通孔照射激光，一起形成多个导电路形成用通孔。
16.如权利要求10～15的任意一项所述的各向异性导电性片的制造方法，其特征在于，
利用在绝缘性片基体材料的另一面上形成了突出部分形成用树脂层的层叠体，形成在绝缘性片体的另一面上设置突出部分形成用树脂层而成的一次复合体；
在将曝光用掩模配置在一次复合体的绝缘性片体的一面上的状态下，直接将所述导电路元件用材料，填充在包括曝光用掩模的透光用通孔的内部空间、绝缘性片体的导电路形成用通孔的内部空间以及突出部分形成用树脂层的突出部分形成用通孔的内部空间的导电路元件成形用空间内，从而形成导电路元件用材料层，通过进行该导电路元件用材料层的固化处理，形成导电路元件；
通过除去曝光用掩模，使导电路元件的一端部露出，从而形成直径从基端到前端而逐渐变小的形状的一面侧突出部分，同时通过溶解并除去突出部分形成用树脂层，形成从绝缘性片体的另一面突出的另一面侧突出部分。
17.如权利要求6～16的任意一项所述的各向异性导电性片的制造方法，其特征在于，激光是由二氧化碳脉冲激光装置产生的。
18.如权利要求6～17的任意一项所述的各向异性导电性片的制造方法，其特征在于，作为曝光用掩模，使用厚度为5～100μm的。
19.如权利要求6～18的任意一项所述的各向异性导电性片的制造方法，其特征在于，作为曝光用掩模，使用一面的开口径r1，和另一面的开口径r2的开口径比r2/r1为0.2～0.98的。
20.如权利要求6～19的任意一项所述的各向异性导电性片的制造方法，其特征在于，作为曝光用掩模，使用由金属构成的。
21.一种各向异性导电性连接器，其特征在于，具备具有开口的框架板，和以堵塞该框架板的开口的方式配置、并由该框架板的开口缘部支撑的权利要求1～5的任意一项所述的各向异性导电性片。
22.一种各向异性导电性连接器，用于以晶片的状态对形成在晶片上的多个集成电路分别进行该集成电路的电检查，其特征在于：
具备与形成在作为检查对象的晶片上的所有的集成电路的、配置被检查电极的区域相对应地形成了多个开口的框架板，和分别以堵塞所述框架板的开口的方式配置、并由该框架板的开口缘部支撑的多个各向异性导电性片，所述各向异性导电性片是权利要求1～5的任意一项所述的各向异性导电性片。
23.一种各向异性导电性连接器，用于以晶片的状态对形成在晶片上的多个集成电路分别进行该集成电路的电检查，其特征在于：
具备与从形成在作为检查对象的晶片上的集成电路中选择的多个集成电路的、配置被检查电极的区域相对应地形成了多个开口的框架板，和分别以堵塞所述框架板的开口的方式配置、并由该框架板的开口缘部支撑的多个各向异性导电性片，所述各向异性导电性片是权利要求1～5的任意一项所述的各向异性导电性片。
24.一种各向异性导电性连接器的制造方法，其特征在于，具有第1工序、第2工序和第3工序，其中：
第1工序是准备形成了开口的框架板，在该框架板的开口以及其周缘部，形成固化后成为弹性高分子物质的高分子物质形成材料层，通过进行该高分子物质形成材料层的固化处理，形成由该框架板的开口缘部支撑以堵塞框架板的开口的方式形成的、由弹性高分子物质构成的绝缘性片基体材料而成的一次复合体；
第2工序是通过从按照与要形成的导电路元件的图形相对应的图形分别形成了直径从一面到另一面而逐渐变小的、沿着厚度方向延伸的多个透光用通孔的曝光用掩模的另一面侧，经由该曝光用掩模的透光用通孔照射激光，形成由该框架板的开口缘部支撑以堵塞框架板的开口的方式形成的、分别形成了沿着厚度方向延伸的多个导电路形成用通孔的绝缘性片体而成的二次复合体；
第3工序是通过在该二次复合体的各个导电路形成用通孔内，填充使导电性粒子分散在固化后成为弹性高分子物质的高分子物质形成材料中而成的导电路元件用材料，形成导电路元件用材料层，通过进行该导电路元件用材料层的固化处理，形成将导电路元件一体地设在绝缘性片体的导电路元件形成用通孔内而成的各向异性导电性片。
25.一种各向异性导电性连接器的制造方法，其特征在于，准备与形成在作为检查对象的晶片上的所有的集成电路的、配置被检查电极的区域、或者与从形成在晶片上的集成电路中选择的多个集成电路的、配置被检查电极的区域相对应地分别形成了沿着厚度方向延伸的多个开口的框架板，并具有第1工序、第2工序和第3工序，其中：
第1工序是在该框架板的开口以及其周缘部，形成固化后成为弹性高分子物质的高分子物质形成材料层，通过进行该高分子物质形成材料层的固化处理，形成由该框架板的开口缘部支撑分别以堵塞框架板的开口的方式形成的、由弹性高分子物质构成的绝缘性片基体材料而成的一次复合体；
第2工序是通过从按照与要形成的导电路元件的图形相对应的图形分别形成了直径从一面到另一面而逐渐变小的、沿着厚度方向延伸的多个透光用通孔的曝光用掩模的另一面侧，经由该曝光用掩模的透光用通孔照射激光，形成由该框架板的开口缘部支撑分别形成了沿着厚度方向延伸的多个导电路形成用通孔的多个绝缘性片体而成的二次复合体；
第3工序是通过在该二次复合体的各个导电路形成用通孔内，填充使导电性粒子分散在固化后成为弹性高分子物质的高分子物质形成材料中而成的导电路元件用材料，形成导电路元件用材料层，通过进行该导电路元件用材料层的固化处理，形成将导电路元件一体地设在绝缘性片体的导电路元件形成用通孔内而成的各向异性导电性片。
26.如权利要求24或25所述的各向异性导电性连接器的制造方法，其特征在于，作为导电路元件用材料中的导电性粒子，使用显示磁性的粒子；
通过使磁场沿着形成在绝缘性片体上的导电路元件材料层的厚度方向起作用，使分散在导电路元件用材料层中的导电性粒子沿着该导电路元件用材料的厚度方向取向，在该状态下，通过进行导电路元件用材料层的固化处理，形成将导电路元件一体地设在绝缘性片体的导电路元件形成用通孔内而成的各向异性导电性片。
27.如权利要求24～26的任意一项所述的各向异性导电性连接器的制造方法，其特征在于：
在平板状的支撑板的一面上，涂布高分子物质形成材料，将该框架板以其另一面离开支撑板的一面而与其相对的方式配置，同时将曝光用掩模以其一面离开该框架板的一面而与其相对的方式配置，通过将它们重叠后加压，在包括框架板的开口的内部空间、框架板和曝光用掩模之间的空间以及曝光用掩模的透光用通孔的内部空间的成形用空间内，形成目的形态的高分子物质形成材料层，通过进行该高分子物质形成材料层的固化处理，形成将具有突出部分形成部分的多个绝缘性片基体材料以堵塞框架板的开口的方式配置、并由框架板的开口缘部支撑该绝缘性片基体材料的周缘部而成的一次复合体；
通过从该曝光用掩模的另一面侧经由该曝光用掩模的透光用通孔照射激光，形成由该框架板的开口缘部支撑在各个突出部分形成部分上形成了沿着厚度方向延伸的导电路形成用通孔的多个绝缘性片体而成的二次复合体；
通过在该二次复合体的各个突出部分形成部分的导电路形成用通孔内，填充使导电性粒子分散在固化后成为弹性高分子物质的高分子物质形成材料中而成的导电路元件用材料，形成导电路元件用材料层，通过进行该导电路元件用材料层的固化处理，形成将具有从绝缘性片体的一面突出的一面侧突出部分的导电路元件一体地设在绝缘性片体的导电路元件形成用通孔内而成的各向异性导电性片。
28.一种各向异性导电性连接器的制造方法，所述各向异性导电性连接器具有具备开口的框架板，和以堵塞该框架板的开口的方式配置、并由该框架板的开口缘部支撑的各向异性导电性片，并且该各向异性导电性片以从由弹性高分子物质构成的绝缘性片基体材料的至少一个面突出的状态形成有分别沿着厚度方向延伸的多个导电路元件，所述各向异性导电性连接器的制造方法的特征在于，具备以下的工序：
准备形成了开口的支撑板，在该支撑板的开口以及其开口缘部，形成固化后成为弹性高分子物质的高分子物质形成材料层，通过进行该高分子物质形成材料层的固化处理，在框架板的开口以及其开口缘部，形成由弹性高分子物质构成的绝缘性片基体材料，并制作在该绝缘性片基体材料的至少一个面上形成了突出部分形成用树脂层的层叠体；
在该层叠体的一面上，将按照与要形成的导电路元件的图形相对应的图形分别形成了直径从一面到另一面而逐渐变小的、沿着厚度方向延伸的多个透光用通孔的曝光用掩模，以该曝光用掩模的一面与该层叠体的一面相接的方式配置，通过从该曝光用掩模的另一面侧经由该曝光用掩模的透光用通孔照射激光，在层叠体的绝缘性片基体材料上，形成分别沿着厚度方向延伸的多个导电路形成用通孔，同时在层叠体的突出部分形成用树脂层上，形成分别与各个导电路形成用通孔连续地沿着厚度方向延伸的多个突出部分形成用通孔，由此，形成在设在框架板的开口以及其开口缘部上的绝缘性片体的至少一个面上设置突出部分形成用树脂层而成的一次复合体；
通过在一次复合体的包括绝缘性片体的导电路形成用通孔的内部空间，以及突出部分形成用树脂层的突出部分形成用通孔的内部空间的导电路元件成形用空间内，填充使导电性粒子分散在固化后成为弹性高分子物质的高分子物质形成材料中而成的导电路元件用材料，在导电路元件成形用空间内形成导电路元件用材料层，通过进行该导电路元件用材料层的固化处理，形成导电路元件，由此，形成将多个导电路元件一体地设在一次复合体的导电路元件成形用空间内而成的二次复合体；
通过溶解并除去二次复合体的突出部分形成用树脂层，形成从绝缘性片体的至少一个面突出的导电路元件的突出部分。
29.一种各向异性导电性连接器的制造方法，其特征在于，准备与形成在作为检查对象的晶片上的所有的集成电路的、配置被检查电极的区域、或者与从形成在晶片上的集成电路中选择的多个集成电路的、配置被检查电极的区域相对应地分别形成了沿着厚度方向延伸的多个开口的框架板，并具有如下的工序：
在该框架板的各个开口以及其开口缘部，形成固化后成为弹性高分子物质的高分子物质形成材料层，通过进行该高分子物质形成材料层的固化处理，制作由该框架板的开口缘部支撑以堵塞框架板的开口的方式形成的、由弹性高分子物质构成的绝缘性片基体材料，并且在该绝缘性片基体材料的至少一个面上，形成了突出部分形成用树脂层的层叠体；
将按照与要形成的导电路元件的图形相对应的图形分别形成了直径从一面到另一面而逐渐变小的、沿着厚度方向延伸的多个透光用通孔的曝光用掩模，以该曝光用掩模的一面与该层叠体的一面相接的方式配置，通过从该曝光用掩模的另一面侧经由该曝光用掩模的透光用通孔照射激光，在层叠体的绝缘性片基体材料上，形成分别沿着厚度方向延伸的多个导电路形成用通孔，同时在层叠体的突出部分形成用树脂层上，形成分别与各个导电路形成用通孔连续地沿着厚度方向延伸的多个突出部分形成用通孔，由此，形成在设在框架板的开口以及其开口缘部上的绝缘性片体的至少一个面上设置突出部分形成用树脂层而成的一次复合体；
通过在一次复合体的包括绝缘性片体的导电路形成用通孔的内部空间，以及突出部分形成用树脂层的突出部分形成用通孔的内部空间的导电路元件成形用空间内，填充使导电性粒子分散在固化后成为弹性高分子物质的高分子物质形成材料中而成的导电路元件用材料，在导电路元件成形用空间内形成导电路元件用材料层，通过进行该导电路元件用材料层的固化处理，形成导电路元件，由此，形成将多个导电路元件一体地设在一次复合体的导电路元件成形用空间内而成的二次复合体；
通过溶解并除去二次复合体的突出部分形成用树脂层，形成从绝缘性片体的至少一个面突出的导电路元件的突出部分。
30.如权利要求28或29所述的各向异性导电性连接器的制造方法，其特征在于，作为构成绝缘性片体的弹性高分子物质，使用硅酮橡胶，作为构成突出部分形成用树脂层的树脂层形成材料，使用聚乙烯醇。
31.如权利要求30所述的各向异性导电性连接器的制造方法，其特征在于，使用平均聚合度为100～5000的聚乙烯醇。
32.如权利要求28～31的任意一项所述的各向异性导电性连接器的制造方法，其特征在于，以5～100μm的厚度形成突出部分形成用树脂层。
33.如权利要求28～32的任意一项所述的各向异性导电性连接器的制造方法，其特征在于，作为导电路元件用材料中的导电性粒子，使用显示磁性的粒子；
通过使磁场沿着形成在绝缘性片体上的导电路元件材料层的厚度方向起作用，使分散在导电路元件用材料层中的导电性粒子沿着该导电路元件用材料层的厚度方向取向，在该状态下，通过进行导电路元件用材料层的固化处理，形成一体地设在绝缘性片体的导电路元件形成用通孔内的导电路元件。
34.如权利要求28～33的任意一项所述的各向异性导电性连接器的制造方法，其特征在于：
制作在平板状的支撑板的一面上形成了突出部分形成用树脂层的层叠材料，在该层叠材料的一面或曝光用掩模的一面上或这两面上涂布高分子物质形成材料，从而形成高分子物质形成材料层，将框架板以其另一面离开所述层叠材料的一面而相对的方式配置，同时将曝光用掩模以其一面离开该框架板的一面而相对的方式配置，通过将它们重叠后加压，在包括框架板的开口的内部空间、框架板和曝光用掩模之间的空间以及曝光用掩模的透光用通孔的内部空间的成形用空间内，形成目的形态的高分子物质形成材料层，通过进行该高分子物质形成材料层的固化处理，形成绝缘性片基体材料；
通过从该曝光用掩模的另一面侧经由该曝光用掩模的透光用通孔照射激光，在绝缘性片基体材料上，形成分别沿着厚度方向延伸的多个导电路形成用通孔，同时在突出部分形成用树脂层上，形成分别与各个导电路形成用通孔连续地沿着厚度方向延伸的多个突出部分形成用通孔，由此，形成在设在框架板的开口以及其开口缘部上的绝缘性片体的另一面上设置突出部分形成用树脂层而成的一次复合体；
将所述导电路元件用材料，填充在包括绝缘性片体的导电路形成用通孔的内部空间，以及突出部分形成用树脂层的突出部分形成用通孔的内部空间的导电路元件成形用空间内，从而形成导电路元件用材料层，通过进行该导电路元件用材料层的固化处理，形成导电路元件；
通过除去曝光用掩模，使导电路元件的一端部露出，从而形成直径从基端到前端而逐渐变小的形状的一面侧突出部分，同时通过溶解并除去突出部分形成用树脂层，形成从绝缘性片体的另一面突出的另一面侧突出部分。
35.如权利要求27或34所述的各向异性导电性连接器的制造方法，其特征在于，作为支撑板，使用与框架板相同材质的材料。
36.如权利要求24～35的任意一项所述的各向异性导电性连接器的制造方法，其特征在于，激光是由二氧化碳脉冲激光装置产生的。
37.如权利要求24～36的任意一项所述的各向异性导电性连接器的制造方法，其特征在于，作为曝光用掩模，使用厚度为5～100μm的。
38.如权利要求24～37的任意一项所述的各向异性导电性连接器的制造方法，其特征在于，作为曝光用掩模，使用一面的开口径r1，和另一面的开口径r2的比r2/r1为0.2～0.98的。
39.如权利要求24～38的任意一项所述的各向异性导电性连接器的制造方法，其特征在于，作为曝光用掩模，使用由金属构成的。
40.一种电路检查用探测器，其特征在于，具备按照与作为检查对象的电路装置的被检查电极的图形相对应的图形，在表面上形成了检查电极的检查用电路基板，和配置在该检查用电路基板的表面上的、权利要求1～5的任意一项所述的各向异性导电性片或21所述的各向异性导电性连接器。
41.一种电路检查用探测器，它是为了在晶片的状态下对形成在晶片上的多个集成电路进行该集成电路的电检查而使用的电路检查用探测器，其特征在于：
具备按照与形成在作为检查对象的晶片上的所有的集成电路的被检查电极的图形相对应的图形，在表面上形成了检查电极的检查用电路基板，和配置在该检查用电路基板的表面上的、权利要求22所述的各向异性导电性连接器。
42.一种电路检查用探测器，用于在晶片的状态下对形成在晶片上的多个集成电路进行该集成电路的电检查，其特征在于：
具备按照与从形成在作为检查对象的晶片上的集成电路中选择的多个集成电路的被检查电极的图形相对应的图形，在表面上形成了检查电极的检查用电路基板，和配置在该检查用电路基板的表面上的、权利要求23所述的各向异性导电性连接器。
43.如权利要求41或42所述的电路检查用探测器，其特征在于，将由绝缘性片，和沿着其厚度方向贯通该绝缘性片而延伸、按照与检查用电路基板的检查电极的图形相对应的图形配置的多个电极结构体构成的片状连接器，配置在各向异性导电性连接器上。
44.一种电路装置的电检查装置，其特征在于，具备权利要求40～43的任意一项所述的电路检查用探测器。
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