CN1881642A - 构图纳米导电薄膜的方法 - Google Patents
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- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 45
- 238000000059 patterning Methods 0.000 title claims abstract description 24
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 84
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 73
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims abstract description 29
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 54
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 35
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 claims description 35
- 239000011370 conductive nanoparticle Substances 0.000 claims description 34
- 239000002904 solvent Substances 0.000 claims description 19
- -1 polyphenylene Polymers 0.000 claims description 18
- 125000004429 atom Chemical group 0.000 claims description 17
- 238000012546 transfer Methods 0.000 claims description 13
- LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N Ethylene glycol Chemical compound OCCO LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- 238000004873 anchoring Methods 0.000 claims description 12
- 239000013528 metallic particle Substances 0.000 claims description 12
- YTPLMLYBLZKORZ-UHFFFAOYSA-N Thiophene Chemical compound C=1C=CSC=1 YTPLMLYBLZKORZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- 239000000314 lubricant Substances 0.000 claims description 10
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- MWPLVEDNUUSJAV-UHFFFAOYSA-N anthracene Chemical compound C1=CC=CC2=CC3=CC=CC=C3C=C21 MWPLVEDNUUSJAV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 150000004706 metal oxides Chemical group 0.000 claims description 9
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- UFWIBTONFRDIAS-UHFFFAOYSA-N Naphthalene Chemical compound C1=CC=CC2=CC=CC=C21 UFWIBTONFRDIAS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 8
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims description 8
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- ZMXDDKWLCZADIW-UHFFFAOYSA-N N,N-Dimethylformamide Chemical compound CN(C)C=O ZMXDDKWLCZADIW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 7
- QUTGXAIWZAMYEM-UHFFFAOYSA-N 2-cyclopentyloxyethanamine Chemical compound NCCOC1CCCC1 QUTGXAIWZAMYEM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N Benzene Chemical compound C1=CC=CC=C1 UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N Methanol Chemical compound OC OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N Tetrahydrofuran Chemical compound C1CCOC1 WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- VPUGDVKSAQVFFS-UHFFFAOYSA-N coronene Chemical compound C1=C(C2=C34)C=CC3=CC=C(C=C3)C4=C4C3=CC=C(C=C3)C4=C2C3=C1 VPUGDVKSAQVFFS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 239000010931 gold Substances 0.000 claims description 6
- 239000002159 nanocrystal Substances 0.000 claims description 6
- CYIDZMCFTVVTJO-UHFFFAOYSA-N pyromellitic acid Chemical compound OC(=O)C1=CC(C(O)=O)=C(C(O)=O)C=C1C(O)=O CYIDZMCFTVVTJO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 5
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims description 5
- MRNHPUHPBOKKQT-UHFFFAOYSA-N indium;tin;hydrate Chemical compound O.[In].[Sn] MRNHPUHPBOKKQT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229930192474 thiophene Natural products 0.000 claims description 5
- BYEAHWXPCBROCE-UHFFFAOYSA-N 1,1,1,3,3,3-hexafluoropropan-2-ol Chemical compound FC(F)(F)C(O)C(F)(F)F BYEAHWXPCBROCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- IAZDPXIOMUYVGZ-UHFFFAOYSA-N Dimethylsulphoxide Chemical compound CS(C)=O IAZDPXIOMUYVGZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N O-Xylene Chemical compound CC1=CC=CC=C1C CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 125000003342 alkenyl group Chemical group 0.000 claims description 4
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 claims description 4
- 125000003118 aryl group Chemical group 0.000 claims description 4
- DKPFZGUDAPQIHT-UHFFFAOYSA-N butyl acetate Chemical compound CCCCOC(C)=O DKPFZGUDAPQIHT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229960001760 dimethyl sulfoxide Drugs 0.000 claims description 4
- 125000004435 hydrogen atom Chemical group [H]* 0.000 claims description 4
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 4
- VLDPXPPHXDGHEW-UHFFFAOYSA-N 1-chloro-2-dichlorophosphoryloxybenzene Chemical compound ClC1=CC=CC=C1OP(Cl)(Cl)=O VLDPXPPHXDGHEW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229920003026 Acene Polymers 0.000 claims description 3
- 229910004613 CdTe Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910002601 GaN Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910005540 GaP Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910004262 HgTe Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910000673 Indium arsenide Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 241001597008 Nomeidae Species 0.000 claims description 3
- 229920000265 Polyparaphenylene Polymers 0.000 claims description 3
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 239000005864 Sulphur Substances 0.000 claims description 3
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910007709 ZnTe Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910000410 antimony oxide Inorganic materials 0.000 claims description 3
- CXKCTMHTOKXKQT-UHFFFAOYSA-N cadmium oxide Inorganic materials [Cd]=O CXKCTMHTOKXKQT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- CFEAAQFZALKQPA-UHFFFAOYSA-N cadmium(2+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[Cd+2] CFEAAQFZALKQPA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- UHYPYGJEEGLRJD-UHFFFAOYSA-N cadmium(2+);selenium(2-) Chemical compound [Se-2].[Cd+2] UHYPYGJEEGLRJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- KOPBYBDAPCDYFK-UHFFFAOYSA-N caesium oxide Chemical compound [O-2].[Cs+].[Cs+] KOPBYBDAPCDYFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910001942 caesium oxide Inorganic materials 0.000 claims description 3
- UIYKJMANIPJXPL-UHFFFAOYSA-N cyclohexa-2,5-diene-1,4-dione;methane Chemical compound C.C.O=C1C=CC(=O)C=C1 UIYKJMANIPJXPL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- RPQDHPTXJYYUPQ-UHFFFAOYSA-N indium arsenide Chemical compound [In]#[As] RPQDHPTXJYYUPQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 claims description 3
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 150000002790 naphthalenes Chemical class 0.000 claims description 3
- VTRUBDSFZJNXHI-UHFFFAOYSA-N oxoantimony Chemical compound [Sb]=O VTRUBDSFZJNXHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 150000002964 pentacenes Chemical class 0.000 claims description 3
- WSRHMJYUEZHUCM-UHFFFAOYSA-N perylene-1,2,3,4-tetracarboxylic acid Chemical compound C=12C3=CC=CC2=CC=CC=1C1=C(C(O)=O)C(C(O)=O)=C(C(O)=O)C2=C1C3=CC=C2C(=O)O WSRHMJYUEZHUCM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 125000002080 perylenyl group Chemical group C1(=CC=C2C=CC=C3C4=CC=CC5=CC=CC(C1=C23)=C45)* 0.000 claims description 3
- CSHWQDPOILHKBI-UHFFFAOYSA-N peryrene Natural products C1=CC(C2=CC=CC=3C2=C2C=CC=3)=C3C2=CC=CC3=C1 CSHWQDPOILHKBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- IEQIEDJGQAUEQZ-UHFFFAOYSA-N phthalocyanine Chemical compound N1C(N=C2C3=CC=CC=C3C(N=C3C4=CC=CC=C4C(=N4)N3)=N2)=C(C=CC=C2)C2=C1N=C1C2=CC=CC=C2C4=N1 IEQIEDJGQAUEQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- CLYVDMAATCIVBF-UHFFFAOYSA-N pigment red 224 Chemical compound C=12C3=CC=C(C(OC4=O)=O)C2=C4C=CC=1C1=CC=C2C(=O)OC(=O)C4=CC=C3C1=C42 CLYVDMAATCIVBF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- YYMBJDOZVAITBP-UHFFFAOYSA-N rubrene Chemical compound C1=CC=CC=C1C(C1=C(C=2C=CC=CC=2)C2=CC=CC=C2C(C=2C=CC=CC=2)=C11)=C(C=CC=C2)C2=C1C1=CC=CC=C1 YYMBJDOZVAITBP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- SBIBMFFZSBJNJF-UHFFFAOYSA-N selenium;zinc Chemical compound [Se]=[Zn] SBIBMFFZSBJNJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 125000004469 siloxy group Chemical group [SiH3]O* 0.000 claims description 3
- 239000004332 silver Substances 0.000 claims description 3
- 125000001424 substituent group Chemical group 0.000 claims description 3
- VJYJJHQEVLEOFL-UHFFFAOYSA-N thieno[3,2-b]thiophene Chemical compound S1C=CC2=C1C=CS2 VJYJJHQEVLEOFL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 claims description 3
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 claims description 3
- QVLAWKAXOMEXPM-UHFFFAOYSA-N 1,1,1,2-tetrachloroethane Chemical class ClCC(Cl)(Cl)Cl QVLAWKAXOMEXPM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- YEJRWHAVMIAJKC-UHFFFAOYSA-N 4-Butyrolactone Chemical compound O=C1CCCO1 YEJRWHAVMIAJKC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- LRHPLDYGYMQRHN-UHFFFAOYSA-N N-Butanol Chemical class CCCCO LRHPLDYGYMQRHN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- GZKVWJAFXAUQFK-UHFFFAOYSA-N N1=CC=CC2=CC=CC=C12.CC=1NC=CN1 Chemical compound N1=CC=CC2=CC=CC=C12.CC=1NC=CN1 GZKVWJAFXAUQFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 125000003545 alkoxy group Chemical group 0.000 claims description 2
- 125000002877 alkyl aryl group Chemical group 0.000 claims description 2
- 125000001118 alkylidene group Chemical group 0.000 claims description 2
- 125000000304 alkynyl group Chemical group 0.000 claims description 2
- 125000003710 aryl alkyl group Chemical group 0.000 claims description 2
- 125000004104 aryloxy group Chemical group 0.000 claims description 2
- 125000000753 cycloalkyl group Chemical group 0.000 claims description 2
- 125000005843 halogen group Chemical group 0.000 claims description 2
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 claims description 2
- WFKAJVHLWXSISD-UHFFFAOYSA-N isobutyramide Chemical compound CC(C)C(N)=O WFKAJVHLWXSISD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- RLSSMJSEOOYNOY-UHFFFAOYSA-N m-cresol Chemical compound CC1=CC=CC(O)=C1 RLSSMJSEOOYNOY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229940100630 metacresol Drugs 0.000 claims description 2
- BDERNNFJNOPAEC-UHFFFAOYSA-N propan-1-ol Chemical compound CCCO BDERNNFJNOPAEC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 239000010944 silver (metal) Substances 0.000 claims description 2
- 229910052717 sulfur Inorganic materials 0.000 claims description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- ZUOUZKKEUPVFJK-UHFFFAOYSA-N diphenyl Chemical compound C1=CC=CC=C1C1=CC=CC=C1 ZUOUZKKEUPVFJK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- 125000005582 pentacene group Chemical group 0.000 claims 2
- 239000004305 biphenyl Substances 0.000 claims 1
- 235000010290 biphenyl Nutrition 0.000 claims 1
- 239000002923 metal particle Substances 0.000 claims 1
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 claims 1
- WMOVHXAZOJBABW-UHFFFAOYSA-N tert-butyl acetate Chemical compound CC(=O)OC(C)(C)C WMOVHXAZOJBABW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 abstract description 5
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 abstract description 2
- 239000010408 film Substances 0.000 description 43
- 239000000463 material Substances 0.000 description 11
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 9
- 229920001577 copolymer Polymers 0.000 description 8
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 7
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 7
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 7
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 6
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 6
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 5
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 4
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 4
- 239000002243 precursor Substances 0.000 description 4
- 239000004094 surface-active agent Substances 0.000 description 4
- 238000005979 thermal decomposition reaction Methods 0.000 description 4
- 229920002725 thermoplastic elastomer Polymers 0.000 description 4
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N Acetic acid Chemical compound CC(O)=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- PEDCQBHIVMGVHV-UHFFFAOYSA-N Glycerine Chemical compound OCC(O)CO PEDCQBHIVMGVHV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229920003171 Poly (ethylene oxide) Polymers 0.000 description 3
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 3
- 239000000194 fatty acid Substances 0.000 description 3
- 229920000058 polyacrylate Polymers 0.000 description 3
- 229920000728 polyester Polymers 0.000 description 3
- 239000004800 polyvinyl chloride Substances 0.000 description 3
- 229920000915 polyvinyl chloride Polymers 0.000 description 3
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 3
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 3
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 3
- 229920002554 vinyl polymer Polymers 0.000 description 3
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-M Acetate Chemical compound CC([O-])=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N Calcium Chemical compound [Ca] OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- HEDRZPFGACZZDS-UHFFFAOYSA-N Chloroform Chemical compound ClC(Cl)Cl HEDRZPFGACZZDS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N Diethyl ether Chemical compound CCOCC RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VGGSQFUCUMXWEO-UHFFFAOYSA-N Ethene Chemical compound C=C VGGSQFUCUMXWEO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M Ilexoside XXIX Chemical compound C[C@@H]1CC[C@@]2(CC[C@@]3(C(=CC[C@H]4[C@]3(CC[C@@H]5[C@@]4(CC[C@@H](C5(C)C)OS(=O)(=O)[O-])C)C)[C@@H]2[C@]1(C)O)C)C(=O)O[C@H]6[C@@H]([C@H]([C@@H]([C@H](O6)CO)O)O)O.[Na+] DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M 0.000 description 2
- 239000004743 Polypropylene Substances 0.000 description 2
- 239000004793 Polystyrene Substances 0.000 description 2
- ZLMJMSJWJFRBEC-UHFFFAOYSA-N Potassium Chemical compound [K] ZLMJMSJWJFRBEC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920002125 Sokalan® Polymers 0.000 description 2
- PPBRXRYQALVLMV-UHFFFAOYSA-N Styrene Chemical compound C=CC1=CC=CC=C1 PPBRXRYQALVLMV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 2
- 125000000484 butyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 2
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011575 calcium Substances 0.000 description 2
- 239000000975 dye Substances 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 229920001971 elastomer Polymers 0.000 description 2
- 239000000806 elastomer Substances 0.000 description 2
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 2
- IPCSVZSSVZVIGE-UHFFFAOYSA-N hexadecanoic acid Chemical compound CCCCCCCCCCCCCCCC(O)=O IPCSVZSSVZVIGE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- SLIUAWYAILUBJU-UHFFFAOYSA-N pentacene Chemical compound C1=CC=CC2=CC3=CC4=CC5=CC=CC=C5C=C4C=C3C=C21 SLIUAWYAILUBJU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004584 polyacrylic acid Substances 0.000 description 2
- 229920005644 polyethylene terephthalate glycol copolymer Polymers 0.000 description 2
- 229920000193 polymethacrylate Polymers 0.000 description 2
- 229920001155 polypropylene Polymers 0.000 description 2
- 229920002223 polystyrene Polymers 0.000 description 2
- 229920001343 polytetrafluoroethylene Polymers 0.000 description 2
- 239000004810 polytetrafluoroethylene Substances 0.000 description 2
- 229920002635 polyurethane Polymers 0.000 description 2
- 239000004814 polyurethane Substances 0.000 description 2
- 229910052700 potassium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011591 potassium Substances 0.000 description 2
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 2
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 2
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011734 sodium Substances 0.000 description 2
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 2
- WRIDQFICGBMAFQ-UHFFFAOYSA-N (E)-8-Octadecenoic acid Natural products CCCCCCCCCC=CCCCCCCC(O)=O WRIDQFICGBMAFQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MIZLGWKEZAPEFJ-UHFFFAOYSA-N 1,1,2-trifluoroethene Chemical group FC=C(F)F MIZLGWKEZAPEFJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LQJBNNIYVWPHFW-UHFFFAOYSA-N 20:1omega9c fatty acid Natural products CCCCCCCCCCC=CCCCCCCCC(O)=O LQJBNNIYVWPHFW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KDJPXMUNEBGWEU-UHFFFAOYSA-N 3-(dodecylamino)butanoic acid Chemical compound CCCCCCCCCCCCNC(C)CC(O)=O KDJPXMUNEBGWEU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AEDQNOLIADXSBB-UHFFFAOYSA-N 3-(dodecylazaniumyl)propanoate Chemical compound CCCCCCCCCCCCNCCC(O)=O AEDQNOLIADXSBB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WXNZTHHGJRFXKQ-UHFFFAOYSA-N 4-chlorophenol Chemical compound OC1=CC=C(Cl)C=C1 WXNZTHHGJRFXKQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QSBYPNXLFMSGKH-UHFFFAOYSA-N 9-Heptadecensaeure Natural products CCCCCCCC=CCCCCCCCC(O)=O QSBYPNXLFMSGKH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KXDHJXZQYSOELW-UHFFFAOYSA-N Carbamic acid Chemical compound NC(O)=O KXDHJXZQYSOELW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005977 Ethylene Substances 0.000 description 1
- 239000005642 Oleic acid Substances 0.000 description 1
- ZQPPMHVWECSIRJ-UHFFFAOYSA-N Oleic acid Natural products CCCCCCCCC=CCCCCCCCC(O)=O ZQPPMHVWECSIRJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910019142 PO4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 235000021314 Palmitic acid Nutrition 0.000 description 1
- 229920001609 Poly(3,4-ethylenedioxythiophene) Polymers 0.000 description 1
- 239000004952 Polyamide Substances 0.000 description 1
- 239000004695 Polyether sulfone Substances 0.000 description 1
- 239000004698 Polyethylene Substances 0.000 description 1
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 1
- 239000004372 Polyvinyl alcohol Substances 0.000 description 1
- 229920001328 Polyvinylidene chloride Polymers 0.000 description 1
- XOVXUZFPXCOPGB-UHFFFAOYSA-N S1C(=CC=C1)C=1SC=CC1C=1SC=CC1C=1SC=CC1C=1SC=CC1C=1SC=CC1.S1C=CC=C1 Chemical compound S1C(=CC=C1)C=1SC=CC1C=1SC=CC1C=1SC=CC1C=1SC=CC1C=1SC=CC1.S1C=CC=C1 XOVXUZFPXCOPGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 235000021355 Stearic acid Nutrition 0.000 description 1
- 229920006465 Styrenic thermoplastic elastomer Polymers 0.000 description 1
- UCKMPCXJQFINFW-UHFFFAOYSA-N Sulphide Chemical compound [S-2] UCKMPCXJQFINFW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002250 absorbent Substances 0.000 description 1
- 230000002745 absorbent Effects 0.000 description 1
- DHKHKXVYLBGOIT-UHFFFAOYSA-N acetaldehyde Diethyl Acetal Natural products CCOC(C)OCC DHKHKXVYLBGOIT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LCJHLOJKAAQLQW-UHFFFAOYSA-N acetic acid;ethane Chemical compound CC.CC(O)=O LCJHLOJKAAQLQW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920000800 acrylic rubber Polymers 0.000 description 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- 238000013019 agitation Methods 0.000 description 1
- 150000001338 aliphatic hydrocarbons Chemical class 0.000 description 1
- 150000001336 alkenes Chemical class 0.000 description 1
- 150000003973 alkyl amines Chemical class 0.000 description 1
- 125000005600 alkyl phosphonate group Chemical group 0.000 description 1
- 239000004411 aluminium Substances 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003945 anionic surfactant Substances 0.000 description 1
- 239000002216 antistatic agent Substances 0.000 description 1
- 150000004945 aromatic hydrocarbons Chemical class 0.000 description 1
- 229940059243 betanate Drugs 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- JRZCGMGYTDEOII-UHFFFAOYSA-N butanedioic acid;2-sulfobutanedioic acid Chemical compound OC(=O)CCC(O)=O.OC(=O)CC(C(O)=O)S(O)(=O)=O JRZCGMGYTDEOII-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000006229 carbon black Substances 0.000 description 1
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 description 1
- 125000002091 cationic group Chemical group 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 239000003431 cross linking reagent Substances 0.000 description 1
- 230000006837 decompression Effects 0.000 description 1
- 230000007812 deficiency Effects 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 235000014113 dietary fatty acids Nutrition 0.000 description 1
- 238000003618 dip coating Methods 0.000 description 1
- 238000000313 electron-beam-induced deposition Methods 0.000 description 1
- 238000005265 energy consumption Methods 0.000 description 1
- 150000002118 epoxides Chemical class 0.000 description 1
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 1
- 150000002148 esters Chemical class 0.000 description 1
- 229920001038 ethylene copolymer Polymers 0.000 description 1
- 229930195729 fatty acid Natural products 0.000 description 1
- 239000007888 film coating Substances 0.000 description 1
- 238000009501 film coating Methods 0.000 description 1
- 125000001153 fluoro group Chemical group F* 0.000 description 1
- 239000010439 graphite Substances 0.000 description 1
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 description 1
- 125000003187 heptyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 125000004051 hexyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 1
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- QXJSBBXBKPUZAA-UHFFFAOYSA-N isooleic acid Natural products CCCCCCCC=CCCCCCCCCC(O)=O QXJSBBXBKPUZAA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000002576 ketones Chemical class 0.000 description 1
- 150000002617 leukotrienes Chemical class 0.000 description 1
- 239000000155 melt Substances 0.000 description 1
- 238000005459 micromachining Methods 0.000 description 1
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 1
- WQEPLUUGTLDZJY-UHFFFAOYSA-N n-Pentadecanoic acid Natural products CCCCCCCCCCCCCCC(O)=O WQEPLUUGTLDZJY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000000740 n-pentyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 239000002105 nanoparticle Substances 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002736 nonionic surfactant Substances 0.000 description 1
- QIQXTHQIDYTFRH-UHFFFAOYSA-N octadecanoic acid Chemical compound CCCCCCCCCCCCCCCCCC(O)=O QIQXTHQIDYTFRH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OQCDKBAXFALNLD-UHFFFAOYSA-N octadecanoic acid Natural products CCCCCCCC(C)CCCCCCCCC(O)=O OQCDKBAXFALNLD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000002347 octyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- ZQPPMHVWECSIRJ-KTKRTIGZSA-N oleic acid Chemical compound CCCCCCCC\C=C/CCCCCCCC(O)=O ZQPPMHVWECSIRJ-KTKRTIGZSA-N 0.000 description 1
- NRNFFDZCBYOZJY-UHFFFAOYSA-N p-quinodimethane Chemical compound C=C1C=CC(=C)C=C1 NRNFFDZCBYOZJY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003208 petroleum Substances 0.000 description 1
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-K phosphate Chemical compound [O-]P([O-])([O-])=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- 239000010452 phosphate Substances 0.000 description 1
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 1
- 229920002037 poly(vinyl butyral) polymer Polymers 0.000 description 1
- 229920002239 polyacrylonitrile Polymers 0.000 description 1
- 229920002647 polyamide Polymers 0.000 description 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 1
- 229920000570 polyether Polymers 0.000 description 1
- 229920006393 polyether sulfone Polymers 0.000 description 1
- 229920000573 polyethylene Polymers 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 229920003225 polyurethane elastomer Polymers 0.000 description 1
- 229920002451 polyvinyl alcohol Polymers 0.000 description 1
- 239000005033 polyvinylidene chloride Substances 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 150000003242 quaternary ammonium salts Chemical class 0.000 description 1
- 239000013557 residual solvent Substances 0.000 description 1
- 230000027756 respiratory electron transport chain Effects 0.000 description 1
- 150000004671 saturated fatty acids Chemical class 0.000 description 1
- 230000035939 shock Effects 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 229920002379 silicone rubber Polymers 0.000 description 1
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 1
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 1
- 239000008117 stearic acid Substances 0.000 description 1
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 1
- 229920003048 styrene butadiene rubber Polymers 0.000 description 1
- BDHFUVZGWQCTTF-UHFFFAOYSA-M sulfonate Chemical compound [O-]S(=O)=O BDHFUVZGWQCTTF-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 229920001169 thermoplastic Polymers 0.000 description 1
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 1
- 239000004634 thermosetting polymer Substances 0.000 description 1
- 239000002562 thickening agent Substances 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 1
- 125000000026 trimethylsilyl group Chemical group [H]C([H])([H])[Si]([*])(C([H])([H])[H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 238000009736 wetting Methods 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
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Abstract
本发明提供一种构图纳米导电薄膜的方法。更具体地，提供一种构图纳米导电颗粒的方法，该方法包括采用具有低分子量的有机半导体作为粘合剂制备其中分散有纳米导电颗粒的施主基底，及利用该施主基底在受主基底上构图纳米导电颗粒。该方法可以用于制备包括显示器件如OLED和OTFT等各种器件的图案。即使不经过沉积，这种器件也可以通过制备包含湿基纳米导电颗粒和有机半导体的器件而简单和经济地制备。
Description
技术领域
本发明涉及一种构图纳米导电薄膜的方法。更具体地，本发明涉及一种构图的方法，其可以在比沉积更温和的条件下进行，而不影响所得到器件的热稳定性。
背景技术
随着半导体工业的发展，需要具有更高集成度和精度的器件，因而，需要用以实现更小和更精确微图案的微机械加工技术。
因此，需要对纳米导电颗粒进行简单而高度精密的构图。
通常不利用湿法对纳米导电颗粒进行构图。由于纳米导电颗粒的性质，几乎不可能仅利用湿法工艺分散纳米导电颗粒，因而，为了均匀地分散纳米导电颗粒，使用粘合剂如聚合物。更确切地说，一般将粘合剂聚合物溶解在溶剂中，并将纳米导电颗粒分散在其中，然后将混合物均匀地涂布在用于构图的表面上。然而，由于聚合物电导率不足，该方法导致纳米导电颗粒的电导率恶化。
而且，广泛地用于显示器件中的氧化铟锡或氧化铟锌的构图通常通过沉积实现。该方法有问题，即它是需要高温的高能耗工艺，所需掩膜(shadowmask)价格昂贵，并且因由辐射热引起的掩膜膨胀而发生变形，从而限制构图精度。
此外，正在开发具有象纸一样的柔性和高显示质量的移动显示器件。在该柔性显示器中，为了以低成本得到理想的柔性和轻质量，玻璃基底必须用透明且柔性的塑料基底取代。然而，与玻璃基底相比，塑料基底具有非常低的耐热性，并且仅能够运用约150～200℃的温度。因此，在塑料基底上的沉积受到限制。
因而需要通过利用湿法分散纳米导电颗粒来构图均匀薄膜的方法。
发明内容
本发明提供一种施主基底(donor substrate)，其可以用于导电颗粒的精密构图。
本发明还提供一种构图纳米导电薄膜的方法，该方法包括通过采用施主基底精密地构图纳米导电颗粒的操作。
本发明还提供一种纳米导电薄膜。
本发明还提供一种平板显示装置，其包括所述纳米导电薄膜。
根据本发明的一个方面，提供一种用于形成纳米导电薄膜的施主基底，该施主基底包括：
基底本体；及
传递层，该传递层布置在所述基底本体上并包括：
纳米导电颗粒；及
有机半导体。
根据本发明的另一方面，提供一种构图纳米导电薄膜的方法，该方法包括(a)将纳米导电颗粒和有机半导体分散或溶解在溶剂中，制得有机半导体混合物；(b)将该有机半导体混合物涂布到基底本体上并干燥它形成热传递层，从而制得施主基底；及(c)将由上面(b)制得的施主基底布置在紧密附着于受主基底(receptor substrate)的位置，并在施主基底上照射能源，从而将所述热传递层传递到受主基底上，制得构图的纳米导电薄膜。
根据本发明的另一方面，提供一种纳米导电薄膜，其包含纳米导电颗粒和有机半导体。
根据本发明的另一方面，提供一种平板显示装置，其包括纳米导电薄膜，该纳米导电薄膜包含纳米导电颗粒和有机半导体。
附图说明
通过参考附图详述其示例性实施方案，本发明的上述和其它特点和优点将变得更加显而易见，附图中：
图1A至1F为根据本发明实施方案的施主薄膜的剖视图；及
图2为点亮的(illuminated)根据本发明实施方案制得的显示器件图。
具体实施方式
现在将在下文中参考附图更充分地描述本发明，附图中说明了本发明的示例性实施方案。然而，本发明可以体现为许多不同的形式并不应该认为限于本文中所阐述的实施方案。相反，提供这些实施方案以便公开将是全面而彻底的，并且将向本领域的技术人员充分地传达本发明的范围。在整个说明书中，相同的附图标记是指相同的元件。
根据本发明的一个方面，提供一种用于形成纳米导电薄膜的施主基底，其可以用于构图方法中。
本发明用于形成纳米导电薄膜的施主基底包括基底本体；及在该基底本体上的纳米导电颗粒和有机半导体。
所述纳米导电颗粒可以是，但不限于，金属氧化物颗粒、金属颗粒、半导体颗粒或其混合物。纳米导电颗粒的平均粒径可以为2～20nm。如果纳米导电颗粒的平均粒径低于2nm，那么颗粒易于聚集，因而不易分散。如果平均直径超过20nm，则纳米金属的熔点增加。
虽然纳米导电颗粒本身不能湿涂布，因为纳米导电颗粒为颗粒，但是当分散在通过将有机半导体溶解在溶剂中而制得的溶液中时，纳米导电颗粒可以湿涂布形成薄膜。通常，纳米导电颗粒分散在聚合物中，但是所得到薄膜的电导率低，因为聚合物的电导率低。
金属氧化物颗粒可以是氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化铟、氧化锡、氧化锌、氧化钛、氧化铯、氧化锑、氧化镉或其混合物。这些金属氧化物是透明的并且导电性优良，因而广泛地用作显示器件等的电极。
金属颗粒可以是金(Au)、银(Ag)、铜(Cu)、钯(Pd)或铂(Pt)颗粒，或者它们的混合物。金属颗粒可以用作化学反应的催化剂，或者作为导电材料。
具体地，金属颗粒可以是其中颗粒表面的金属原子被取代基取代的颗粒，如由下式I表示：
MX-Y)n I
式中M表示金属颗粒如Au、Ag、Cu、Pd或Pt；X表示S或CN；Y表示具有2～50个碳的多价有机取代基，其可以为具有2～50个碳的亚烷基，苯，联苯基，或者具有2～50个碳且其中包含-CONH-、-COO-、-Si-、双-(卟啉)和/或-CO-的烃基；n表示1～20的整数。由式I表示的金属颗粒的实例由下式II表示：
MS-(CH2)6OH)n II。
半导体颗粒为纳米晶体，该纳米晶体包括II族原子和VI族原子；III族原子和V族原子；或者VI族原子，并且不同于有机半导体。
半导体颗粒的具体实例包括，但不限于，CdS、CdSe、CdTe、ZnS、ZnSe、ZnTe、HgS、HgSe、HgTe、GaN、GaP、GaAs、InP、InAs及其混合物。
有机半导体可以溶解在溶剂中，并且可以是，但不限于，并五苯衍生物；并四苯衍生物；蒽衍生物；萘衍生物；低聚噻吩(oligothiophene)如α-4-噻吩、α-5-噻吩和α-6-噻吩或其衍生物；噻吩并噻吩(thienophene)或其衍生物；联六噻吩(sexithiophene)或其衍生物；低聚亚苯基(oligophenylene)或其衍生物；硫亚苯基亚乙烯基(thiophenylene vinylene)或其衍生物；二萘嵌苯或其衍生物；二氧硼杂因(dioxborine)或其衍生物；红荧烯或其衍生物；六苯并苯或其衍生物；二萘嵌苯四羧酸二酰亚胺或其衍生物；二萘嵌苯四羧酸二酐或其衍生物；萘的低聚并苯(oligoacene of naphthalene)或其衍生物；任选包含金属的酞菁或其衍生物；对苯醌二甲烷(quinodimethane)或其衍生物；苯均四酸二酐或其衍生物；或苯均四酸二酰亚胺或其衍生物。
而且，用于本实施方案中的有机半导体可以为具有热分解取代基的材料，该热分解取代基中并入侧链的取代基在150～250℃下热分解，如由下式III至VII表示：
式中R1和R2各自独立为具有1～40个碳的烷基，具有4～40个碳的环烷基，具有1～40个碳的烷氧基，具有6～40个碳的芳基，具有6～40个碳的芳氧基，具有2～40个碳的链烯基，具有7～40个碳的烷基芳基，具有7～40个碳的芳基烷基，具有8～40个碳的芳基链烯基，或者具有2～40个碳的炔基；R3和R4各自独立为具有4～40个碳的烷基，具有3～40个碳的甲硅烷基，或者具有3～40个碳的甲硅烷氧基(siloxyl group)；R为选自由式III至VI表示的化合物中的化合物；X1、X2、X3和X4各自独立为氢或卤原子，但是不全为氢原子。具体地，R3和R4可以为丁基、戊基、己基、庚基、辛基、三甲代甲硅烷基、三乙代甲硅烷基或三异丙代甲硅烷基。
施主基底还可以包括各种层如光-热转换层，锚定层(anchoring layer)，底漆层(primer layer)，耐热润滑剂层，中间层，脱模层(mold release layer)和胶层(subbing layer)。还包括所述各种层的施主基底的实施方案在下文中参考图1描述。
参考图1A，施主基底在基底本体200和有机半导体前体层110之间，可以包括锚定层500。锚定层500起着连接基底本体200与有机半导体前体层110的作用。构成锚定层500的材料和形成锚定层500的方法可以是本领域已知的，不作具体限制。
耐热润滑剂层700可以形成在基底本体200上。耐热润滑剂层700防止其它膜层由于施加的热而熔化和污染热源，构成耐热润滑剂层700的材料和形成耐热润滑剂层700的方法可以是本领域已知的，不作具体限制。
施主基底还可以包括胶层600以缓和热冲击并减少基底本体200和耐热润滑剂层700之间的物理划痕。构成胶层600的材料和形成胶层600的方法可以是本领域已知的，不作具体限制。
图1B至1F图示了施主基底的其它实施方案。
光-热转换层520将从外部接收的光转换成热，并且仅光-热转换层520的辐射部分得到传递。底漆层510增强了基底本体200和光-热转换层520之间的附着。中间层530防止有机半导体前体层110的传递部分损坏或污染，脱模层540促进了有机半导体前体层110的传递部分的传递，以便该传递部分因热而很好地脱离。
底漆层510、光-热转换层520、中间层530和脱模层540是本领域已知的，不作具体限制。
根据本发明的另一方面，提供一种构图纳米导电薄膜的方法，该方法包括(a)将纳米导电颗粒和有机半导体分散或溶解在溶剂中，制得有机半导体混合物；(b)将该有机半导体混合物涂布在基底本体上并干燥有机半导体混合物，形成热传递层，从而制得施主基底；及(c)将施主基底紧密地附着在受主基底上并将能源辐射在施主基底上，将热传递层传递到受主基底上，制得构图的纳米导电薄膜。
在本实施方案的方法中，首先，将纳米导电颗粒分散在溶剂中并将有机半导体溶解在该溶剂中，形成有机半导体混合物。
有机半导体混合物可以包括10～60％重量有机半导体，5～50％重量纳米导电颗粒，及5～60％重量溶剂。
如果有机半导体的量低于10％重量，难于形成均匀的薄膜，如果有机半导体的量超过60％重量，纳米导电颗粒的作用降低。如果纳米导电颗粒的量低于5％重量，用于导电的颗粒之间的连结变得不均匀，如果纳米导电颗粒的量超过50％重量，变得难于分散纳米导电颗粒。如果溶剂的量低于5％重量，变得难于分散均匀，如果溶剂的量超过60％重量，它在经济上是不利的，因为需要长时间来干燥。然而，溶剂的量可以是这样的，即半导体混合物的粘度适于制备涂膜。
纳米导电颗粒可以是金属氧化物颗粒、金属颗粒、半导体颗粒或其混合物。金属氧化物颗粒、金属颗粒和半导体颗粒与上述相同。
分散纳米导电颗粒和有机半导体的溶剂可以是单组分溶剂或多组分溶剂，并且可以是，但不限于，卤素、醇、酮、酯、脂肪烃、芳香烃、醚基溶剂或其混合物。溶剂的具体和非限制性实例包括水，丙酮，甲醇，乙醇，异丙醇，正丙醇，丁醇，二甲基乙酰胺(DMAc)，二甲基咪唑啉(DMI)，二甲基甲酰胺，四氯乙烷，二甲亚砜(DMSO)，N-甲基-2-吡咯烷酮(NMP)，四氢呋喃(THF)，乙酸四丁酯(tetrabutyl acetate)，乙酸正丁酯，间甲酚，甲苯，二甲苯，乙二醇(EG)，γ-丁内酯，或者六氟异丙醇(HFIP)。这些溶剂可以单独使用或者结合使用。
有机半导体混合物还可以包括表面活性剂和/或分散增强剂。
表面活性剂可以是，但不限于，非离子性表面活性剂如脱水山梨糖醇单油酸酯，POE脱水山梨糖醇单油酸酯，N，N′-二甲基甲酰胺双环己基缩醛，聚氧亚乙基烷基胺，丙三醇，及脂肪酸酯；阳离子型表面活性剂如胺盐和季铵盐；阴离子型表面活性剂如二烷基磺基丁二酸酯，烷基-α硫代碳酸酯，石油磺酸盐，烷基磺酸萘，磷酸酯(phosphoric esterate)和磷酸烷基酯；或者两亲性表面活性剂如N-月桂基-β-乙酸)，N-月桂基-β-氨基丙酸，N-月桂基-β-氨基丁酸，氨基羧酸和betanate。
分散增强剂可以是，但不限于，下列中的至少一种：饱和脂肪酸如具有16～20个碳的棕榈酸或硬脂酸或者其含有钠、钾、钙、锌或铜的金属盐；或者不饱和脂肪酸如具有16～20个碳的油酸或亚麻酸或者其含有钠、钾、钙、锌或铜的金属盐。
另外，有机半导体还可以包括增稠剂或抗静电剂。
如上所述制得的有机半导体混合物均匀地涂布于基底本体上，形成传递层。
基底本体可以是薄膜，纳米导电颗粒和有机半导体混合物可以由该薄膜热传递到受主基底上，而不具体限制。构成基本薄膜的材料的具体实例包括聚酯，聚醚砜，聚苯乙烯，聚乙烯，聚丙烯，聚酰胺，聚酰亚胺，纤维素树脂，聚氨酯，氟-基树脂如聚四氟乙烯，乙烯基化合物如聚氯乙烯，聚丙烯酸，聚丙烯酸酯，聚丙烯腈，乙烯基化合物的加聚物，聚甲基丙烯酸，聚甲基丙烯酸酯，亚乙烯基化合物如聚偏二氯乙烯，氟化亚乙烯/三氟乙烯共聚物，乙烯基化合物如乙烯/乙酸乙烯基共聚物，氟-基化合物的共聚物，聚醚如聚环氧乙烷，环氧树脂，聚乙烯醇，聚乙烯醇缩丁醛的其它透明弹性体如硅橡胶，聚氨酯橡胶，丙烯酸橡胶，苯乙烯-丁二烯橡胶，软聚氯乙烯，烯共聚物如乙烯-丙烯共聚物、乙烯-丁烯共聚物、乙烯-乙酸乙烯基共聚物的弹性体，烯透明组合物如烯共聚物和乙烯-丙烯-二烯共聚物混合物的交联剂，热塑性弹性体如苯乙烯(styrenic)热塑性弹性体，尿烷-基热塑性弹性体。基本薄膜可以优选为聚对苯二甲酸乙二醇酯，聚氯乙烯，聚苯乙烯，聚丙烯，聚酯，聚四氟乙烯或聚丙烯酸，更优选为聚对苯二甲酸乙二醇酯或聚萘二甲酸乙二醇酯。
将有机半导体混合物均匀地涂布在基底本体的方法可以是本领域已知的任何方法，不作具体限制。涂布的具体实例包括旋涂，喷涂，辊涂，浸涂，及刮刀涂布。
涂布的有机半导体混合物的厚度可以为约30～50μm，但不作具体限制。如果涂布的有机半导体混合物的总厚度超过50μm，那么传递部分变得太厚而不能传递热能，并且有机半导体混合物没有干净地热传递。
施主基底是通过干燥除去剩余溶剂而制得的。干燥条件不作具体限制，可以是室温或50～100℃，在空气中或在氮气氛下。在减压和强制空气对流下，可以进行更快的干燥。
施主基底还可以包括各种层如光-热转换层，锚定层，底漆层，耐热润滑剂层，中间层，脱模层和胶层。这些层的作用、构成它们的材料和形成它们的方法如上所述。
因此，在将有机半导体混合物涂布在基底本体上之前，构图的方法还可以包括下列操作中的至少一个：在基底本体上形成光-热转换层；形成锚定层；形成底漆层；形成耐热润滑剂层；形成中间层；形成脱模层；及形成胶层。
为了将施主基底的纳米导电颗粒和有机半导体的混合物传递到受主基底上，将如上所干燥的施主基底附着于受主基底上，然后根据所需的图案对其施加能量。虽然不具体限制所使用的方法，但是能量可以通过直接加热，或者施加由光、压力或电引发的热。
当施加用于传递的热时，热量可以在90～230℃的范围内施加到所选择的部分。
当采用光来传递时，光可以通过扫描IR激光来辐射，并且辐射时间可以根据光强进行控制。
当采用光时，施主基底可以包括光-热转换层。光-热转换层可以形成在基底本体和有机半导体层之间。光-热转换层可以由吸收红外-可见光范围内的光的吸光材料制成。具有该性质的薄膜包括由铝及其氧化物和硫化物制成的金属薄膜；及由向其中加入炭黑、石墨或红外染料(infrared dye)的聚合物制成的有机薄膜。金属薄膜通过采用真空沉积、电子束沉积或溅射涂布到100～5000的厚度。
当如上所述还包括光-热转换层时，还可以在光-热转换层和有机半导体层之间包括中间层，以便可以很好地隔离光-热转换层和有机半导体层。中间层可以由热固性聚合物或热塑性聚合物，可交联聚丙烯酸酯，聚甲基丙烯酸酯，聚酯，环氧化物或聚氨酯制成。
当采用压力来传递时，根据所需的图案施加压力，压力可以为100mPa～10kPa。
当采用电流来传递时，电流密度可以为1mA/cm2～10A/cm2。
在传递之后，还可以进行加热操作。加热操作可以利用常规方法进行，不作具体限制，但可以在90～230℃的温度下进行。
可以采用本领域的任何已知材料作为受主材料，不作具体限制。该材料可以具有良好的表面均匀性，高机械强度，及优良的光透射以用于显示器中。举例来说，材料可以是硅、玻璃或透明塑料。
传递到受主基底上包含纳米颗粒和有机半导体的层可以是用于有机电致发光显示器件的电子注入层、电子迁移层、发光层、空穴迁移层或空穴注入层，或者可以是用于有机TFT的沟道层(channel layer)或电极层。
根据本发明的另一方面，提供一种纳米导电薄膜，其包含纳米导电颗粒和有机半导体。纳米导电薄膜可以通过采用所述构图纳米导电薄膜的方法制备。
根据本发明的另一方面，提供一种平板显示装置，其包括纳米导电薄膜，该纳米导电薄膜包含纳米导电颗粒和有机半导体。所述平板显示装置包括显示器件如有机发光显示器件。纳米导电薄膜可以通过采用所述构图纳米导电薄膜的方法制备，平板显示装置可以通过本领域已知的方法采用纳米导电薄膜制备。
现在将参考下面的实施例，更详细地描述本发明。下面的实施例仅是为了说明的目的而不意在限制本发明的范围。
实施例1：纳米导电有机半导体混合物的制备
通过搅拌30分钟，混合1g的氧化铟锡纳米粉末(平均粒径为10～12nm)和4g作为分散增强剂的氯仿，然后向其中加入1g用N-砜基取代的由式III表示的并五苯和4g作为溶剂的甲苯。将混合物适当搅拌60分钟，制得均匀的纳米导电有机半导体混合物。
实施例2：纳米导电有机半导体施主基底的制备
通过旋涂，将4-氯酚均匀地涂布在PET基本薄膜上作为锚定层，然后将产物在室温下干燥1小时。通过采用旋涂法，在干燥的锚定层上均匀地涂布在实施例1中制得的纳米导电有机半导体混合物，制得薄膜。在100℃下，将制得的涂布薄膜在干燥箱中干燥1小时。
将干燥的施主薄膜紧密地附着于玻璃基底上，然后在150℃下通过传热将图案传递到玻璃基底上。在210℃下，将传递后的玻璃基底加热10分钟，使式I的化合物热分解，从而形成包含有机半导体的构图薄膜。
实施例3：柔性显示器的制备
将在实施例2中制得的施主基底紧密地附着于PET基底上，然后通过利用从Sony Corporation得到的传热印刷机(Model SVM-75LS)来传热，按照所需的图案，将其中混有用N-砜基取代的并五苯和氧化铟锡纳米粉末的纳米导电薄膜选择性地传递到PET基底上。在纳米导电薄膜上涂布厚度为50nm的PEDOT/PSS作为空穴迁移层，然后在100℃下干燥30分钟。接着，在空穴迁移层上形成厚度为100nm由螺芴-基发光聚合物构成的发光层，该螺芴-基发光聚合物为蓝色发光的材料，在发光层上沉积厚度为3nm的LiF，在电子注入层上涂布厚度为200nm的Al作为第二电极，制得柔性有机发光显示器件。
因此，制得如图2所示根据所需图案发光的柔性显示器。
本发明涉及一种构图纳米导电薄膜的方法，该方法可以用于制备各种器件，包括显示器件如OLED和OTFT。根据本发明，即使不经过沉积，该器件也可以通过以湿基制备包含纳米导电颗粒和有机半导体的器件，简单且节约地制得。
尽管已经参考其示例性实施方案具体地说明和描述了本发明，但是本领域的普通技术人员将会理解其中可以进行各种形式和细节上的变化，而不脱离由所附的权利要求书限定的本发明的精神和范围。
Claims (24)
1.一种用于形成纳米导电薄膜的施主基底，该施主基底包括：
基底本体；及
布置在所述基底本体上传递层，该传递层包括：
纳米导电颗粒；及
有机半导体。
2.根据权利要求1的施主基底，其中所述纳米导电颗粒为金属氧化物颗粒、金属颗粒、半导体颗粒或其混合物。
3.根据权利要求2的施主基底，其中所述金属氧化物颗粒为氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化铟、氧化锡、氧化锌、氧化钛、氧化铯、氧化锑或氧化镉的颗粒，或者它们的混合物。
4.根据权利要求2的施主基底，其中所述金属颗粒为金、银、铜、钯或铂颗粒，或者它们的混合物。
5.根据权利要求2的施主基底，其中所述半导体颗粒为纳米晶体，该纳米晶体包含II族原子和VI族原子，III族原子和V族原子，或者VI族原子。
6.根据权利要求5的施主基底，其中所述半导体颗粒包括CdS、CdSe、CdTe、ZnS、ZnSe、ZnTe、HgS、HgSe、HgTe、GaN、GaP、GaAs、InP、InAs及其混合物中的至少一种。
7.根据权利要求1的施主基底，其中所述纳米导电颗粒的平均粒径为2～20nm。
8.根据权利要求1的施主基底，其中所述有机半导体为并五苯衍生物；并四苯衍生物；蒽衍生物；萘衍生物；低聚噻吩或其衍生物；噻吩并噻吩或其衍生物；联六噻吩或其衍生物；低聚亚苯基或其衍生物；硫亚苯基亚乙烯基或其衍生物；二萘嵌苯或其衍生物；二氧硼杂因或其衍生物；红荧烯或其衍生物；六苯并苯或其衍生物；二萘嵌苯四羧酸二酰亚胺或其衍生物；二萘嵌苯四羧酸二酐或其衍生物；萘的低聚并苯或其衍生物；任选包含金属的酞菁或其衍生物；对苯醌二甲烷或其衍生物；苯均四酸二酐或其衍生物；或者苯均四酸二酰亚胺或其衍生物。
9.根据权利要求1的施主基底，其中该基底还包括选自下列中的至少一层：光-热转换层，锚定层，底漆层，耐热润滑剂层，中间层，脱模层和胶层。
10.一种构图纳米导电薄膜的方法，包括：
(a)将纳米导电颗粒和有机半导体分散或溶解在溶剂中，制得有机半导体混合物；
(b)将该有机半导体混合物涂布在基底本体上并干燥有机半导体混合物，形成热传递层，从而制得施主基底；及
(c)将施主基底紧密地附着在受主基底上，并在施主基底上照射能源，以将热传递层转移到受主基底上，制得构图的纳米导电薄膜。
11.根据权利要求10的构图纳米导电薄膜的方法，其中所述纳米导电颗粒为金属氧化物颗粒、金属颗粒、半导体颗粒或其混合物。
12.根据权利要求11的构图纳米导电薄膜的方法，其中所述金属氧化物颗粒为氧化铟、氧化锡、氧化锌、氧化钛、氧化铯、氧化锑或氧化镉的颗粒，或者它们的混合物。
13.根据权利要求11的构图纳米导电薄膜的方法，其中所述金属颗粒为金、银、铜、钯或铂颗粒，或者它们的混合物。
14.根据权利要求13的构图纳米导电薄膜的方法，其中所述金属颗粒表面上的金属原子被下式I所示的取代基所取代：
式中M为Au、Ag、Cu、Pd或Pt；X为S或CN；Y为具有2～50个碳的多价有机取代基，并选自具有2～50个碳的亚烷基，苯，联苯，及具有2～50个碳并包含-CONH-、-COO-、-Si-、双-(卟啉)或-CO-的烃基；n为1～20的整数。
15.根据权利要求11的构图纳米导电薄膜的方法，其中所述半导体颗粒为纳米晶体，该纳米晶体包含II族原子和VI族原子，III族原子和V族原子，或VI族原子。
16.根据权利要求15的构图纳米导电薄膜的方法，其中所述半导体颗粒包括CdS、CdSe、CdTe、ZnS、ZnSe、ZnTe、HgS、HgSe、HgTe、GaN、GaP、GaAs、InP、InAs及其混合物中的至少一种。
17.根据权利要求10的构图纳米导电薄膜的方法，其在操作(b)之前，还包括下列操作中的至少一个：在基底本体上形成光-热转换层；形成锚定层；形成底漆层；形成耐热润滑剂层；形成中间层；形成脱模层；及形成胶层。
18.根据权利要求10的构图纳米导电薄膜的方法，其中所述纳米导电颗粒的平均粒径为2～20nm。
19.根据权利要求10的构图纳米导电薄膜的方法，其中所述有机半导体为并五苯衍生物；并四苯衍生物；蒽衍生物；萘衍生物；低聚噻吩或其衍生物；噻吩并噻吩或其衍生物；联六噻吩或其衍生物；低聚亚苯基或其衍生物；硫亚苯基亚乙烯基或其衍生物；二萘嵌苯或其衍生物；二氧硼杂因或其衍生物；红荧烯或其衍生物；六苯并苯或其衍生物；二萘嵌苯四羧酸二酰亚胺或其衍生物；二萘嵌苯四羧酸二酐或其衍生物；萘的低聚并苯或其衍生物；任选包含金属的酞菁或其衍生物；对苯醌二甲烷或其衍生物；苯均四酸二酐或其衍生物；或者苯均四酸二酰亚胺或其衍生物。
20.根据权利要求10的构图纳米导电薄膜的方法，其中所述有机半导体为至少一种选自下列的化合物：其中N-磺酰基被取代的并五苯，及由下面式IV至VII表示的化合物
式中R1和R2各自独立为具有1～40碳的烷基，具有4～40个碳的环烷基，具有1～40个碳的烷氧基，具有6～40个碳的芳基，具有6～40个碳的芳氧基，具有2～40个碳的链烯基，具有7～40个碳的烷基芳基，具有7～40个碳的芳基烷基，具有8～40个碳的芳基链烯基，或者具有2～40个碳的炔基；R3和R4各自独立为具有4～40个碳的烷基，具有3～40个碳的甲硅烷基，或者具有3～40个碳的甲硅烷氧基；R为选自其N-磺酰基被取代的并五苯，及式IV至VI所示化合物中的化合物；X1、X2、X3和X4各自独立为氢或卤原子，但是不全为氢原子。
21.根据权利要求10的构图纳米导电薄膜的方法，其中所述有机溶剂为水，丙酮，甲醇，乙醇，异丙醇，正丙醇，丁醇，二甲基乙酰胺(DMAc)，二甲基咪唑啉(DMI)，二甲基甲酰胺，四氯乙烷，二甲亚砜(DMSO)，N-甲基-2-吡咯烷酮(NMP)，四氢呋喃(THF)，乙酸叔丁酯，乙酸正丁酯，间甲酚，甲苯，二甲苯，乙二醇(EG)，γ-丁内酯或六氟异丙醇(HFIP)。
22.一种纳米导电薄膜，其包含纳米导电颗粒和有机半导体。
23.一种平板显示装置，其包括纳米导电薄膜，该纳米导电薄膜包含纳米导电颗粒和有机半导体。
24.根据权利要求23的平板显示装置，其中该装置为有机发光显示器。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020050052721A KR101223718B1 (ko) | 2005-06-18 | 2005-06-18 | 나노 도전성 막의 패터닝 방법 |
| KR52721/05 | 2005-06-18 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN1881642A true CN1881642A (zh) | 2006-12-20 |
| CN1881642B CN1881642B (zh) | 2011-09-07 |
Family
ID=37519724
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN2006100732819A Active CN1881642B (zh) | 2005-06-18 | 2006-04-07 | 构图纳米导电薄膜的方法 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US7884356B2 (zh) |
| JP (1) | JP4908940B2 (zh) |
| KR (1) | KR101223718B1 (zh) |
| CN (1) | CN1881642B (zh) |
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|---|---|
| KR101223718B1 (ko) | 2013-01-18 |
| JP4908940B2 (ja) | 2012-04-04 |
| JP2006351543A (ja) | 2006-12-28 |
| US7884356B2 (en) | 2011-02-08 |
| US20060284169A1 (en) | 2006-12-21 |
| CN1881642B (zh) | 2011-09-07 |
| KR20060132396A (ko) | 2006-12-21 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| C41 | Transfer of patent application or patent right or utility model | ||
| TA01 | Transfer of patent application right |
Effective date of registration: 20090109 Address after: Gyeonggi Do, South Korea Applicant after: Samsung Mobile Display Co., Ltd. Address before: Gyeonggi Do, South Korea Applicant before: Samsung SDI Co., Ltd. |
|
| ASS | Succession or assignment of patent right |
Owner name: SAMSUNG MOBILE DISPLAY CO., LTD. Free format text: FORMER OWNER: SAMSUNG SDI CO., LTD. Effective date: 20090109 |
|
| C14 | Grant of patent or utility model | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| ASS | Succession or assignment of patent right |
Owner name: SAMSUNG DISPLAY CO., LTD. Free format text: FORMER OWNER: SAMSUNG MOBILE DISPLAY CO., LTD. Effective date: 20121017 |
|
| C41 | Transfer of patent application or patent right or utility model | ||
| TR01 | Transfer of patent right |
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