CN1880370A - 耐热荷电树脂材料、驻极体电容麦克风及其制造方法 - Google Patents

耐热荷电树脂材料、驻极体电容麦克风及其制造方法 Download PDF

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Abstract

在不存在氧的情况下、在不低于氟树脂材料的结晶熔点的温度下、用离子化辐射照射氟树脂材料，以形成交联的改性氟树脂材料。将电荷注入到改性氟树脂材料中，以提供适合于用作驻极体电容麦克风等的驻极体元件的耐热荷电树脂材料。

Description

耐热荷电树脂材料、 驻极体电容麦克风及其制造方法
技术领域
本发明涉及一种制造耐热荷电树脂材料(以下，荷电树脂材料将有时简称作“带电树脂材料“)的方法，还涉及一种使用该耐热带电树脂材料的驻极体电容麦克风以及制造该驻极体电容麦克风的方法，其中驻极体电容麦克风可广泛地用作如在便携式降窝电话、视频摄相机、数字照相机和个人电脑中的用户麦克风。
背景技术
驻极体电容麦克风例如已被公知为使用带电树脂材料的电子产品。
例如，在日本专利申请公开No.2002-345087中公开了一种常规的驻极体电容麦克风。驻极体电容麦克风具有相互相对的隔膜和驻极体。该驻极体通过永久充电(荷电)树脂材料而形成。当声音引起隔膜振动时，隔膜和驻极体之间的电容变化，且取得该电容变化作为电信号。
当驻极体电容麦克风用在设备如蜂窝电话中时，其安装于设备的电路板(母板)上。从封装成本的角度看，希望驻极体电容麦克风可以表面安装到电路板上。然而，为了实现表面安装，需要将驻极体电容麦克风安置在电路板上，且将其置于软熔炉中，在软熔炉中将其预加热至约150℃至200℃达90至120秒，随后加热至230℃至260℃的高温达10秒。在该高温条件下，将放电或衰减驻极体层中的电荷，致使驻极体电容麦克风不能起麦克风的作用。
至今为止，已经有一些提议用于解决上述问题。例如，专利申请No.2001-518246的PCT国际公开公开的日文译文公开了使用硅即无机材料代替在耐热方面存在问题的有机带电树脂材料作为驻极体材料的驻极体电容麦克风。使用硅的驻极体不存在耐热的问题，且允许在软熔炉中表面安装驻极体电容麦克风。然而，这种驻极体的成本增加了。
日本专利申请公开No.2000-32596公开了一种制造高耐热的驻极体电容麦克风的方法。根据该公开方法，通过熔焊树脂材料来制备背板衬底，用于将驻极体层构成至金属衬底。在约200℃高温退火该背板衬底达约1至6小时，随后进行电荷注入，由此构造高耐热的驻极体电容麦克风。
同时，日本专利No.3317452公开了一种改性的氟树脂，尽管这并不直接涉及驻极体电容麦克风。根据该专利，在不存在氧的情况下、在不低于树脂材料的结晶熔点的温度下、用预定剂量的离子化辐射照射含氟树脂材料如聚四氟乙烯(以下简称为“PTFE”)、氟化乙烯-丙烯共聚物(以下简称为“FEP”)或四氟乙烯-全氟烃基乙烯醚共聚物(以下简称为“PFA”)，由此将树脂材料变成为交联的改性氟树脂。日本专利申请公开No.Hei 11-49867公开了一种交联的改性氟树脂，其通过在不存在氧的情况下、在FEP的结晶熔点附近的温度下、以预定剂量的离子化辐射照射FEP来制造。
开发了这些涉及到改性氟树脂的技术，用于改进氟树脂，氟树脂不能用在辐射环境如在核能设施中，因为氟树脂具有可降低辐射的分子结构，尽管其在耐热和抗化学性方面优良，且广泛地用于工业和家用目的。根据上述技术，用离子化辐射照射氟树脂以使交联有效，由此在辐射环境下明显改善了耐热和机械特性。
本申请注意到了通过用离子化辐射照射而交联的改性的氟树脂，其在日本专利No.3317452和日本专利申请公开No.Hei 11-49867中公开。
即，考虑到交联的改性氟树脂在不利环境如辐射环境下显示出高耐热特性的事实，我们假定如果将通过充电改性氟树脂获得的带电树脂材料用作驻极体层的话，则可有效地防止软熔条件下驻极体电荷的衰减。
发明内容
因此，本发明的目的在于提供一种通过应用上述的离子化辐射照射技术来制造能够应付软熔安装处理的高温的耐热荷电树脂材料的方法，至今为止，认为实现该目的是困难的。
本发明的另一目的是提供一种使用上述耐热荷电树脂材料的驻极体电容麦克风。
即，本发明提供一种制造耐热荷电树脂材料的方法，包括步骤：提供氟树脂材料；在不存在氧的情况下，在不低于所述氟树脂材料的结晶熔点的温度下用离子化辐射照射所述氟树脂材料，由此将所述氟树脂材料变成为交联的改性氟树脂材料；和将电荷注入到所述改性氟树脂材料中。
具体地，氟树脂材料可以是选自由聚四氟乙烯、氟化乙烯-丙烯共聚物和四氟乙烯-全氟烃基乙烯醚共聚物构成的组中的一种，且可以是片、膜或是纤维的形式。可在温度在280℃至330℃范围内且氧浓度不高于100ppm的条件下、用10kGy至100kGy的离子化辐射来照射该氟树脂材料。可对改性氟树脂材料进行电荷注入，以使其带负电荷。该氟树脂材料可以是形成在金属或树脂或陶瓷材料衬底上的膜层。
此外，本发明提供一种驻极体电容麦克风，包括驻极体层，其中所述驻极体层由耐热荷电树脂材料制成，所述树脂材料通过将电荷注入到改性氟树脂材料中来制备，其中改性氟树脂材料是通过在不存在氧的情况下，在不低于所述氟树脂材料的结晶熔点的温度下用离子化辐射照射氟树脂材料而交联的。氟树脂材料可以是选自由聚四氟乙烯、氟化乙烯-丙烯共聚物和四氟乙烯-全氟烃基乙烯醚共聚物构成的组中的一种。
此外，本发明提供一种制造驻极体电容麦克风的方法，该驻极体电容麦克风包括隔膜、间隔层、驻极体层和背板，所述方法包括步骤：在所述背板上形成氟树脂的树脂层；在不存在氧的情况下，在不低于所述氟树脂的结晶熔点的温度下，用离子化辐射照射所述树脂层，由此将所述树脂层变成为交联的改性氟树脂层；和将电荷注入到所述改性氟树脂层中以形成所述驻极体层。
具体地，该方法包括步骤：提供电路板组件，该组件中，多重电路板被整体排列成矩阵，多重电路板包括安装于其上的半导体和其它电子元件；提供背板衬底组件，该组件中多重背板衬底被整体排列成矩阵，每一个背板衬底具有所述背板；在所述背板衬底组件的每个背板上形成氟树脂的树脂层；在不存在氧的情况下，在不低于所述氟树脂的结晶熔点的温度下、用离子化辐射照射所述树脂层，由此形成交联的改性氟树脂层；将电荷注入到所述改性的氟树脂层中以形成所述的驻极体层提供间隔层组件，该组件中多重间隔层被整体排列成矩阵；提供隔膜单元组件，该组件中多重隔膜支撑框被整体排列成矩阵且隔膜材料伸展在其一侧上；将这些组件接合，以形成叠层的组件；和将所述叠层的组件切割为单独的驻极体电容麦克风。
该方法的另一具体实例包括步骤：提供电路板组件，该组件中多重电路板被整体排列成矩阵，多重电路板具有安装于其上的半导体和其它电子元件；提供背板衬底组件，该组件中多重背板衬底被整体排列成矩阵，每一个背板衬底具有所述背板；在不存在氧的情况下，在不低于所述氟树脂的结晶熔点的温度下，用离子化辐射照射氟树脂的树脂片，由此形成交联的改性氟树脂片；按单元片切割所述改性氟树脂片，以形成驻极体构件；将所述驻极体构件安置在所述背板衬底组件各自的背板上，以形成所述驻极体层；将电荷注入到所述驻极体层中；提供间隔层组件，该组件中多重间隔层被整体排列成矩阵；提供隔膜单元组件，该组件中多重隔膜支撑框被整体排列成矩阵，且隔膜材料伸展在其一侧上；将这些组件接合以形成叠层的组件；和将所述叠层的组件切割为单独的驻极体电容麦克风。
在上述的方法中，氟树脂可以是选自由聚四氟乙烯、氟化乙烯-丙烯共聚物和四氟乙烯-全氟烃基乙烯醚共聚物构成的组的一种。可在温度在280℃至330℃范围内且氧浓度不高于100ppm的条件下，用10kGy至100kGy的离子化辐射照射氟树脂。
由此，本发明可以提供一种能够耐高温处理的耐热荷电树脂材料。因此，例如通过使用有机驻极体材料，可以获得市场所需求的能够软熔安装的驻极体电容麦克风。本发明只需要将离子化辐射照射步骤加至常规制造工艺。因此，可以以高生产率制造驻极体电容麦克风，而不需要实质上改变常规制造工艺。
结合附图，根据本发明优选实施例的以下详细描述，本发明的上述和其它的目的、特征和优点将显而易见。
附图说明
图1是示出根据本发明第一实施例，制造耐热带电树脂材料的方法的工艺流程图。
图2是根据本发明的驻极体电容麦克风的剖面图。
图3是图2中示出的驻极体电容麦克风的部件分解透视图。
图4是根据本发明的驻极体电容麦克风制造方法中使用的构成元件的透视图。
图5是通过叠层图4中示出的构成元件形成的麦克风组件的透视图。
图6是通过切割图5中示出的麦克风组件形成的单个驻极体电容麦克风的透视图。
图7是示出FEP作为驻极体层的耐热特性的特性曲线图。
图8是示出根据本发明的第二实施例，制造驻极体电容麦克风的方法的工艺流程图。
图9是示出根据本发明第三实施例，制造驻极体电容麦克风的方法的工艺流程图。
具体实施方式
以下将参考附图说明本发明的实施例。
图1是示出根据本发明第一实施例，制造耐热带电树脂材料的方法的工艺流程图。根据该制造方法，形成片状含氟树脂材料如PTFE、FEP或PFA(步骤J1)。接下来，用离子化辐射照射含氟树脂材料，以将其变成为交联的改性氟树脂(步骤J2)。接下来，对该交联的改性氟树脂进行电荷注入，以形成耐热带电树脂材料(步骤J3)。
图2和3示出了驻极体电容麦克风的一个实施例，其是使用根据本发明的耐热带电树脂材料的典型产品。图2是使用本发明的耐热带电树脂材料作为驻极体层的驻极体电容麦克风的截面图。图3是构成图2中示出的驻极体电容麦克风的每个元件的透视剖面图。
在图3中，电路板2包括其上形成了连接端子2b的绝缘衬底2a。此外，作为电子元件的集成电路11安装在绝缘衬底2a上。背板衬底3具有用于容纳集成电路11的凹槽。安装背板衬底3以便于覆盖电路板2的上侧和将集成电路11容纳在凹槽中。背板4形成于安装在电路板2上的背板衬底3的上侧上。驻极体层5形成于背板4的上侧上。此外，在背板衬底3的上侧上各自的位置处提供多个孔15，其中孔15既不与背板4交叠也不与驻极体层5交叠。间隔层6具有开口6a。隔膜单元7具有由绝缘衬底形成的隔膜支撑框8。隔膜支撑框8具有形成于其底侧上的端子9。将导电隔膜10固定至端子9，由此与隔膜支撑框8集成为一个单元。应当注意，集成电路11、背板4、驻极体层5、间隔层6的开口6a和隔膜10在同一轴上对准。驻极体层5和隔膜10通过开口6a相互相对。
背板衬底3具有形成于其上侧上的背板4。在约150℃的温度下，将由含氟树脂材料的FEP制成的12.5μm或25μm厚的片材热压接合至背板4的上侧，由此形成了FEP膜。在这种状态下，将背板衬底3装载到离子化辐射照射装置中。
在离子化辐射照射装置中，在不低于FEP的结晶熔点的约300℃的环境下、在不存在氧即在氧浓度不高于100ppm的情况下、以100keV至600keV电子束(EB)强度的约10kGy至100kGy的剂量用离子化辐射照射该背板衬底3，由此将FEP变成为交联的改性氟树脂。
而且，将背板衬底3装到电荷注入装置中，以将电荷注入到改性氟树脂中，由此完成了耐热带电树脂材料。该耐热带电树脂材料形成驻极体层5，以完成具有优良耐热的背板衬底3。
将上述的构成元件即电路板2、背板衬底3、间隔层6和隔膜单元7叠层，粘合剂插介于每一对相邻元件之间，如图2中所示，由此完成了驻极体电容麦克风1。
为了将完成的驻极体电容麦克风1安装到便携式蜂窝电话或其它设备的母板上，将驻极体电容麦克风1的输出端子2b设置在母板上，且在软熔炉中在约150℃至200℃下预加热90秒至120秒，随后在不低于230℃的温度下高温处理约10秒。尽管进行了高温处理，但是注入到由上述的耐热带电树脂材料形成的驻极体层5中的电荷只有最小量的放电，如以下将陈述的。因此，驻极体电容麦克风1可如所希望的工作，而没有任何问题。
在具有上述结构的驻极体电容麦克风1中，在其表面上具有导电膜的隔膜10和在其表面上具有驻极体层5的背板4通过介于其间的间隔层6而相互相对，以形成电容器。当通过声音等振动隔膜10时，电容器的电容变化，从隔膜端子9取得该电容变化输至电路板2作为电压变化。在集成电路11中处理之后，从电路板2的输出端子2b输出电压信号。提供通孔15以使隔膜10平滑移动。
图4至6和8示出了制造上述驻极体电容麦克风1的方法。
如图4和8中所示，该制造方法包括步骤：提供隔膜单元组件7L，其是如图3中示出的隔膜单元7的组件；提供间隔层组件6L，其是如图3中示出的间隔层6的组件；提供背板衬底组件3L，其是如图3中示出的背板衬底3的组件；和提供电路板组件2L，其是如图3中示出的电路板2的组件。叠层这些组件且将其相互接合。
图5示出了通过叠层和接合上述组件而获得的麦克风组件1L。该麦克风组件1L具有多重(在示出的实例中为12)驻极体电容麦克风1，其每一个驻极体电容麦克风1都包括一个隔膜单元组件7L的隔膜单元、一个间隔层组件6L的间隔层、一个背板衬底组件3L的背板衬底和一个电路板组件2L的电路板的堆叠。在麦克风组件1L中，每一个驻极体电容麦克风1具有集成电路11，背板4、驻极体层5，间隔层开口6a和隔膜10，其在同一轴上对准。用切割机切割麦克风组件1L，由此制造单个分开的驻极体电容麦克风1。
为了便于说明，图4和5示出了具有排列成3行4列矩阵的12个驻极体电容麦克风的麦克风组件。然而，实际上，麦克风组件被制成包括几百个驻极体电容麦克风。
更具体地，如图8中所示，将图4中示出的隔膜单元组件7L制备为隔膜单元7的隔膜支撑框8的组件，且导电隔膜接合到隔膜支撑框8组件的一侧上。
如下制备背板衬底组件3L。首先，在背板衬底组件3L中形成多个凹槽，且在每个凹槽的外部上侧上提供背板4和驻极体层5。驻极体层5由背板4上的氟树脂形成。接下来，在离子化辐射照射装置中，通过在不低于构成驻极体层5的FEP的结晶熔点的300℃的环境中、在不存在氧即氧浓度不高于100ppm的情况下、用约10kGy至100kGy剂量的离子化辐射照射，将驻极体层5的氟树脂变成为交联的改性氟树脂。进一步，在电荷注入装置中，将电荷注入到驻极体层5中，由此完成了背板衬底组件3L。
通过使用通孔等，通过将连接端子2b和集成电路11安装到作为电路板2的组件的布线板组件上，来形成电路板组件2L。
下面是对形成于背板衬底3和背板衬底组件3L上的驻极体层5进行上述辐射照射处理的条件和效果的说明。
下面的表1示出了在本发明中使用的作为驻极体材料的FEP上进行不同条件下的辐射照射处理制备的样品上耐热性测试的结果。考虑到驻极体电容麦克风安装到设备如便携式蜂窝电话的母板上时软熔处理的温度而进行该耐热性测试。
如表1中所示，在3个不同的温度即260℃、280℃和300℃下、以3个不同级别的辐射照射剂量即10kGy、50kGy、和100kGy，通过离子化辐射照射由样品标号A1至C3表示的9种不同类型的样品(FEP)。将温度条件设置为不高于300℃，这是由于在高于300℃的温度下FEP将被软化且被相当大程度地变形，这会在制造方面造成问题。为了对比，示出了样品D，其是没有进行辐射照射的样品。
如下计算下面的表1中示出的剩余电荷比率(％)。将每个样品设置在200℃的热板上，且每过一定时间测量其表面电势。根据表面电势的衰减量计算剩余电荷比率。使用剩余电荷比率以表示离子化辐射照射的效果。在用热板加热每个样品的处理期间，考虑到在软熔处理期间即从2至3分钟内将驻极体层暴露到高温的时间周期，从加热开始到5分钟的加热时间内以1分钟的间隔测量剩余电荷比率。此外，假定更严格的条件，当从加热开始已经过去了10分钟时，我们测量剩余电荷比率。
                                 表1
                           EB处理和耐热性测试
  EB处理条件                              剩余电荷比率(％)   样品标号
  温度℃   剂量kGy   开始   1分钟   2分钟   3分钟   4分钟   5分钟   10分钟
  260 1050100   100.0   78.6   66.0   59.7   54.2   50.8   38.2   A1
  100.0   70.1   55.4   48.1   45.5   41.6   29.9   A2
  100.0   66.8   52.5   59.7   37.0   20.2   21.8   A3
  280 1050100   100.0   83.9   79.1   73.9   70.4   67.4   57.4   B1
  100.0   86.1   78.1   73.4   70.5   67.5   56.1   B2
  100.0   89.2   84.8   81.6   77.1   73.1   62.3   B3
  300 1050100   100.0   91.2   89.8   87.4   85.6   83.7   76.7   C1
  100.0   91.5   89.2   86.5   84.8   83.4   75.3   C2
  100.0   89.4   85.5   80.4   77.4   74.9   63.4   C3
  未处理的   100.0   23.1   9.9   D
[耐热性测试]
将每个样品设置在200℃下的热板上，且在每个观测时间测量表面电势，由此计算剩余电荷比率。
图7是示出FEP的耐热特性的特性曲线，其示出了表1中示出的测试结果。如图7中所示，由样品标号D表示的在未处理的样品中的剩余电荷比率在开始加热之后1分钟的观测时间处降低至约1/4，在2分钟的观测时间处降低至约1/10，并且在3分钟的观测时间处降低至零。相反，进行了辐射照射处理的所有样品A、B和C即使当过去了10分钟时仍保持了电荷留于其中。由此，很清楚，辐射照射处理在允许电荷保持在FEP的驻极体层中是有效的。
让我们对比每个照射条件下的辐射照射的效果。关于温度条件，可以理解，加热到300℃的样品C是最好的；加热到280℃的样品B是第二好的；加热到260℃的样品C是第三好的。关于照射剂量，应理解，尽管样品B表现出一些不同的结果，但是10kGy对于样品A和C是最好的，50kGy是第二好的，且相当不错，100kGy是第三好的，且稍劣于10kGy和50kGy。
考虑到上述的软熔温度，样品C1和C2是最好的，且样品C3和B3是第二好的。即为，这些样品在2至3分钟过去之后显示出80％或更大的剩余电荷比率，该2至3分钟被认为是在软熔处理期间驻极体层暴露到高温下的时间周期。然而，可忽略样品B3，这是由于其倾向于显示出多少有一些不正常的值。由此，应理解，300℃的温度和10kGy至50kGy的照射剂量作为辐射照射条件是尤其适合的。然而，如果考虑到驻极体电容麦克风所希望的性能和驻极体层的容许的变形，可在280℃至330℃的温度下和10kGy至100kGy的照射剂量用离子化辐射来照射驻极体层。
而且，在60℃、95％湿度的环境下对每个样品进行防潮性能测试。对于全部的样品，在使其经受了60小时之后的剩余电荷比率为95％至97％，且在使样品经受了300小时之后的剩余电荷比率为93％至95％。由此，在防潮性能方面不存在问题。
尽管在该实施例中FEP用作含氟树脂材料，但是对于PTFE和PFA也获得了相同的结果。
图9是示出使用说明本发明第三实施例的元件组件制造驻极体电容麦克风的方法的工艺流程图。
关于制造隔膜单元组件7L的步骤E1、制造间隔层组件6L的步骤E2、制造电路板组件2L的步骤E4、制造麦克风组件1L的步骤E5和制造获得的驻极体电容麦克风的步骤E6，图9中示出的工艺与图8中示出的相同。图9中的工艺不同于图8中的工艺仅在于制造背板衬底组件3L的步骤E3。即为，在第三实施例中制造背板衬底组件3L的步骤E3考虑到由于上述辐射照射处理的高温引起的驻极体层变形。
在制造图9中示出的背板衬底组件3L的步骤E3中，仅背板事先在包括绝缘衬底的背板衬底组件上形成。同时，在离子化辐射照射装置中，在滚卷状态下制备的、用作驻极体材料的片状FEP，在不低于FEP的结晶熔点的280℃至330℃的气氛中、在不存在氧即氧浓度不高于100ppm的情况下、用约10kGy至100kGy的离子化辐射来照射，由此将片状的FEP变成为交联的改性氟树脂。此时，由于EB照射处理的高温，导致了片状FEP软化且轻微变形。因此，提供冷却周期以使得片状FEP在形状上变得稳定。
接下来，将形状上稳定的片状FEP按单元片切割(die-cut)成每个单独的FEP件，然后将其叠层到背板衬底组件的每个背板上，以形成驻极体层。接下来，将背板衬底组件装到电荷注入装置中，以将电荷注入到改性氟树脂的驻极体层中，由此完成耐热背板衬底组件3L。
在对驻极体材料事先进行如上所述的辐射照射处理的情况下，即使在辐射照射处理期间驻极体层热变形，变形的驻极体层也会通过在冷却之后进行的按单元片切割而再成形。因此，EB辐射处理的温度可稍微升高，即，升高至300℃至330℃的温度。
如上所述，根据本发明的耐热带电树脂材料显示出在高温条件下注入电荷的最小降低，且因此适合于用作经历高温安装处理如软熔处理的驻极体电容麦克风的驻极体层。当以纤维的形式制备时，还可以由该耐热带电树脂材料形成非编织纤维，且可以将其用作在高温条件下使用的空调的过滤器。当形成于非编织纤维时，耐热带电树脂材料具有增加的表面面积，且因此对于空气和排放气中的细小微粒显示出强大的吸附能力。因此，耐热带电树脂材料的非编织纤维也可用作防尘面具、花粉病等的面具。
在前述说明中，已经示出了作为本发明制造驻极体电容麦克风的方法实施例的两种不同的制造工艺。这些制造工艺具有各自的优点。根据图8中示出的工艺，在处于完成状态的背板衬底组件上进行辐射照射处理。利用该处理，离子化辐射照射装置只需要尺寸足够大以容纳背板衬底组件。因此，便利地，可以便于小型化地进行该辐射照射处理。根据图9中示出的工艺，在被按单元片切割为多件驻极体层之前，对片状的介体材料进行辐射照射处理。该处理需要能够容纳滚卷状态的驻极体材料的大型尺寸离子化辐射照射装置，但是其能够高速地处理且适合于批量生产。而且，图9中示出的工艺具有可以升高辐射照射处理温度的益处。
应当注意，本发明不必限于前述的实施例，而可以各种方式对其进行修改，而不脱离本发明的要旨。

Claims (13)

1.一种制造耐热荷电树脂材料的方法，包括步骤：
提供氟树脂材料；
在不存在氧的情况下，在不低于所述氟树脂材料的结晶熔点的温度下用离子化辐射照射所述氟树脂材料，由此将所述氟树脂材料变成为交联的改性氟树脂材料；和
将电荷注入到所述改性氟树脂材料中。
2.根据权利要求1的方法，其中所述的氟树脂材料是选自聚四氟乙烯、氟化乙烯-丙烯共聚物和四氟乙烯-全氟烃基乙烯醚共聚物中的一种。
3.根据权利要求1的方法，其中所述氟树脂材料是选自片、膜或纤维中的一种形式。
4.根据权利要求1至3中任一项的方法，其中在温度在280℃至330℃的范围内且氧浓度不高于100ppm的条件下，用10kGy至100kGy的离子化辐射照射所述氟树脂材料。
5.根据权利要求4的方法，其中对所述改性氟树脂材料进行电荷注入，以便使其带负电荷。
6.根据权利要求4的方法，其中所述氟树脂材料是形成于衬底上的膜层，该衬底是由选自金属、树脂和陶瓷材料的材料制成的。
7.一种驻极体电容麦克风，包括驻极体层，其中所述驻极体层由耐热荷电树脂材料制成，所述树脂材料通过将电荷注入到改性氟树脂材料中来制备，其中改性氟树脂材料是通过在不存在氧的情况下，在不低于所述氟树脂材料的结晶熔点的温度下用离子化辐射照射氟树脂材料而交联的。
8.根据权利要求7的驻极体电容麦克风，其中所述氟树脂材料是选自聚四氟乙烯、氟化乙烯-丙烯共聚物和四氟乙烯-全氟烃基乙烯醚共聚物中的一种。
9.一种制造驻极体电容麦克风的方法，该驻极体电容麦克风包括隔膜、间隔层、驻极体层和背板，所述方法包括步骤：
在所述背板上形成氟树脂的树脂层；
在不存在氧的情况下，在不低于所述氟树脂的结晶熔点的温度下，用离子化辐射照射所述树脂层，由此将所述树脂层变成为交联的改性氟树脂层；和
将电荷注入到所述改性氟树脂层中以形成所述驻极体层。
10.根据权利要求9的方法，包括步骤：
提供电路板组件，该组件中多重电路板被整体排列成矩阵，多重电路板包括安装于其上的半导体和其它电子元件；
提供背板衬底组件，该组件中多重背板衬底被整体排列成矩阵，每一个背板衬底具有所述背板；
在所述背板衬底组件的每个背板上形成氟树脂的树脂层；
在不存在氧的情况下，在不低于所述氟树脂的结晶熔点的温度下、用离子化辐射照射所述树脂层，由此形成交联的改性氟树脂层；
将电荷注入到所述改性的氟树脂层中以形成所述的驻极体层
提供间隔层组件，该组件中多重间隔层被整体排列成矩阵；
提供隔膜单元组件，该组件中多重隔膜支撑框被整体排列成矩阵且隔膜材料伸展在其一侧上；
将这些组件接合，以形成叠层的组件；和
将所述叠层的组件切割为单独的驻极体电容麦克风。
11.根据权利要求9的方法，包括步骤：
提供电路板组件，该组件中多重电路板被整体排列成矩阵，多重电路板具有安装于其上的半导体和其它电子元件；
提供背板衬底组件，该组件中多重背板衬底被整体排列成矩阵，每一个背板衬底具有所述背板；
在不存在氧的情况下，在不低于所述氟树脂的结晶熔点的温度下，用离子化辐射照射氟树脂的树脂片，由此形成交联的改性氟树脂片；
按单元片切割所述改性氟树脂片，以形成驻极体构件；
将所述驻极体构件安置在所述背板衬底组件各自的背板上，以形成所述驻极体层；
将电荷注入到所述驻极体层中；
提供间隔层组件，该组件中多重间隔层被整体排列成矩阵；
提供隔膜单元组件，该组件中多重隔膜支撑框被整体排列成矩阵，且隔膜材料伸展在其一侧上；
将这些组件接合以形成叠层的组件；和
将所述叠层的组件切割为单独的驻极体电容麦克风。
12.根据权利要求9至11中任一项的方法，其中所述氟树脂是选自聚四氟乙烯、氟化乙烯-丙烯共聚物和四氟乙烯-全氟烃基乙烯醚共聚物中的一种。
13.根据权利要求9至11中任一项的方法，其中在280℃至330℃的温度下、氧浓度不高于100ppm的情况下，用10kGy至100kGy的离子化辐射照射所述氟树脂。
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