CN107452648B - 晶粒拾取方法 - Google Patents

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Abstract

一种晶粒拾取方法，用于一晶粒拾取装置。晶粒拾取装置包含顶推件与取放件，胶膜置于顶推件与取放件之间。至少一晶粒置于胶膜面向取放件的一侧，且与取放件相隔第一距离。晶粒拾取方法包含移动顶推件第二距离，第二距离大于第一距离，使得晶粒碰触取放件，并使取放件溃缩。利用取放件吸取晶粒。移动顶推件的顶推平台，使得顶推平台远离取放件，且顶推件的顶针自顶推平台露出并接触被取放件吸取的晶粒。移动顶推件的顶针，使得顶针远离被取放件吸取的晶粒。晶粒拾取方法利用分别移动顶推件的顶推平台与顶针以达到拾取晶粒的目的。在此同时，取放件可不需作上下方向的主动移动即可吸取晶粒，有助于缩小取放件的体积与重量，亦能加快晶粒拾取的速度。

Description

晶粒拾取方法
技术领域
本揭露是有关于一种晶粒拾取方法。
背景技术
制作集成电路时，需在晶圆上经过多道半导体制程。制程步骤完成时，晶圆上的集成电路的品质往往不同。即使是在同一晶圆中的晶粒，其集成电路的良莠也相异，因此在制作完成时，需将晶粒一一测试以标示分类。分类后的晶粒再通过拾取装置将晶粒放置于不同的收集盘，再接续后续的制程。因此，晶粒拾取为晶圆制作中不可或缺的步骤，而如何增加晶粒拾取的效率也为业界欲改善的问题之一。
发明内容
本揭露的一方面提供一种晶粒拾取方法，用于一晶粒拾取装置。晶粒拾取装置包含顶推件与取放件，胶膜置于顶推件与取放件之间。至少一晶粒置于胶膜面向取放件的一侧，且与取放件相隔第一距离。晶粒拾取方法包含移动顶推件第二距离，第二距离大于第一距离，使得晶粒碰触取放件，并使取放件溃缩。利用取放件吸取晶粒。移动顶推件的顶推平台，使得顶推平台远离取放件，且顶推件的顶针自顶推平台露出并接触被取放件吸取的晶粒。移动顶推件的顶针，使得顶针远离被取放件吸取的晶粒。
在一或多个实施方式中，当顶推件的顶推平台远离取放件时，顶推件的顶针一并刺破胶膜。
在一或多个实施方式中，当顶推件的顶推平台远离取放件时，被取放件吸取的晶粒与胶膜分离。
在一或多个实施方式中，晶粒拾取方法还包含将晶粒周围的胶膜吸附至顶推件的顶推平台。
在一或多个实施方式中，晶粒拾取方法还包含在顶推件的顶针远离晶粒后，移动取放件以带离晶粒。
在一或多个实施方式中，晶粒拾取方法还包含移动取放件至晶粒上方。
在一或多个实施方式中，晶粒拾取方法还包含将晶粒对准顶推件的顶针。
在一或多个实施方式中，顶推件的顶推平台远离取放件第二距离。
在一或多个实施方式中，顶推件的顶推平台顶推第二距离的步骤中，顶推平台将多个晶粒顶推第二距离。
在一或多个实施方式中，取放件吸取晶粒的步骤包含产生一负压于取放件。
上述实施方式的晶粒拾取方法是利用分别移动顶推件的顶推平台与顶针以达到拾取晶粒的目的。在此同时，取放件可不需作上下方向的主动移动即可吸取晶粒，亦即取放件为被动式移动。如此的运作模式可不需在取放件上加装上下方向的移动装置，有助于缩小取放件的体积与重量，亦能加快晶粒拾取的速度。
附图说明
图1至图5为本揭露一实施方式的晶粒拾取方法于各阶段的剖面图。
具体实施方式
以下将以附图揭露本揭露的多个实施方式，为明确说明起见，许多实务上的细节将在以下叙述中一并说明。然而，应了解到，这些实务上的细节不应用以限制本揭露。也就是说，在本揭露部分实施方式中，这些实务上的细节是非必要的。此外，为简化附图起见，一些已知惯用的结构与元件在附图中将以简单示意的方式绘示。
图1至图5为本揭露一实施方式的晶粒拾取方法于各阶段的剖面图。请先参照图1。本实施方式的晶粒拾取方法可应用于一晶粒拾取装置。晶粒拾取装置包含顶推件100与取放件200。胶膜300置于顶推件100与取放件200之间。具体而言，胶膜300具有相对的第一表面302与第二表面304，第一表面302面向顶推件100，而第二表面304面向取放件200，且至少一晶粒置于第二表面304上。举例而言，在图1中绘示七颗晶粒400a、400b，然而本揭露不以此为限。
胶膜300可为具弹性的贴膜，例如为蓝膜(blue tape)或紫外光膜(UV tape)。在一些实施方式中，胶膜300可固定于一承载件500上，例如承载件500包含夹具，以将胶膜300夹持住。承载件500可移动胶膜300，借此移动置于胶膜300上的晶粒400a、400b，以将待拾取的晶粒(在本实施方式为晶粒400a)实质对准顶推件100与取放件200。
在一些实施方式中，晶粒400a、400b可由一晶圆(未绘示)切割而成，而切割完成的晶粒400a、400b则附着于胶膜300的第二表面304上，以待后续的挑选分类。然而在其他的实施方式中，晶粒400a、400b亦可为已经经过初步挑选而放置于胶膜300上的晶粒400a、400b，待后续进一步的分类。晶粒400a、400b可以阵列、直线或其他方式排列于胶膜300上。晶粒400a、400b可以是发光二极管晶粒或是半导体晶粒，本揭露不以此为限。
顶推件100包含顶推平台110与顶针120。顶推平台110可为盖状，并覆盖顶针120。顶针120可自顶推平台110的开口112伸出，以推抵置于其上的晶粒(在本实施方式为晶粒400a)。另外，顶推平台110更具有多个吸孔114，置于顶推平台110的开口112的四周，例如包围开口112设置。顶推平台110可连接至一抽气泵浦(未绘示)，当顶推件100接触胶膜300时，抽气泵浦可透过吸孔114而将晶粒400a、400b吸附于顶推平台110上，以在顶针120顶推晶粒400a时，增加晶粒400a剥离胶膜300的效率。
在本实施方式中，顶推平台110以其上表面116接触胶膜300。顶推平台110的上表面116的面积大于晶粒400a、400b的尺寸。举例而言，顶推平台110的上表面116的直径D为约1厘米，而晶粒400a、400b的尺寸为约1平方毫米。为了清楚起见，本实施方式的晶粒400a、400b以较夸张的方式绘示，然而附图所绘示的尺寸并不必然代表实际尺寸。顶推平台110的开口112的尺寸可小于晶粒400a、400b的尺寸，因此当顶针120伸出顶推平台110时，其可顶出单一晶粒400a。
取放件200可为真空吸嘴，其包含通孔202。在碰触晶粒400a时，取放件200可透过于通孔202中(例如以抽气的方式)产生负压而吸取晶粒400a。在一些实施方式中，取放件200可连接至一移动机构(未绘示)，例如旋转盘，通过移动机构而移动取放件200。
当晶粒拾取装置选定要拾取晶粒400a时，承载件500可先将晶粒400a移动至顶推件100上方，并且实质对准顶推平台110的开口112，亦即晶粒400a实质对准顶针120。而后取放件200可移动至晶粒400a上方，并且取放件200与晶粒400a相隔第一距离d1。换言之，取放件200不接触晶粒400a。如此一来，取放件200、晶粒400a与顶针120可实质沿一直线排列。另一方面，顶推件100向胶膜300移动以接触胶膜300的第一表面302，此时抽气装置可开始抽气，通过顶推平台110的吸孔114而将晶粒400b吸附至顶推平台110。在一些实施方式中，第一距离d1可大于1.5倍的晶粒400a的厚度，亦即取放件200不接触晶粒400a。
接着请参照图2。移动顶推件第二距离d2，使得晶粒400a碰触取放件200，并使取放件200溃缩第三距离d3。其中，第二距离d2大于第一距离d1，且第三距离d3实质等于第二距离d2与第一距离d1的差值。具体而言，如上所述，顶推平台110的上表面116的面积大于晶粒400a、400b的尺寸，因此顶推平台110可一并将晶粒400a与部分的晶粒400b顶推第二距离d2，使得晶粒400a碰触取放件200，并使取放件200溃缩第三距离d3。另外，在一些实施方式中，顶推平台110的上表面116的面积可至少大于晶粒400a、400b一数量级，因此对于晶粒400a、400b而言，顶推平台110的上表面116为一平坦面，使得晶粒400a在被往上顶推的过程中能够全程保持水平不倾斜，以利于后续取放件200吸取晶粒400a。
在晶粒400a移动第二距离d2后，晶粒400a即碰触取放件200并实质置于取放件200的通孔202前，接着再利用取放件200吸取晶粒400a。举例而言，可利用另一抽气装置于取放件200的通孔202中产生一负压，以将晶粒400a固定于取放件200上。另外，当顶推平台110移动时，顶针120一并移动第二距离d2，此时顶针120仍位于顶推平台110内未伸出开口112。
接着请参照图3。移动顶推件100的顶推平台110，使得顶推平台110远离取放件200，且顶推件100的顶针120自顶推平台110露出并接触被取放件200吸取的晶粒400a。具体而言，在此步骤中，顶推平台110远离取放件200，同时顶针120固定不动，因此顶针120自顶推平台110露出。如上所述，因顶推平台110的开口112的尺寸小于晶粒400a的尺寸，因此当顶针120自开口112露出顶推平台110时，顶针120仅接触晶粒400a，而晶粒400b则被吸附于顶推平台110上，且一并被顶推平台110往下带离，以增加晶粒400a与胶膜300之间分离的力道。
具体而言，因晶粒400b被吸附至顶推平台110，因此连同顶推平台110往下远离取放件200，同时胶膜300受到拉扯，使得顶针120刺破胶膜300，而晶粒400a亦与胶膜300分离。换言之，通过顶推平台110远离取放件200的动作，可不需对晶粒400a额外施力即可将晶粒400a与胶膜300分离。在一些实施方式中，顶推平台110可远离取放件200第二距离d2，亦即顶推平台110恢复至图1的位置。
接着请参照图4。移动顶推件100的顶针120，使得顶针120远离被取放件200吸取的晶粒400a。举例而言，顶针120缩回顶推平台110的开口112内，亦即回到图1的位置。此时，少了顶针120的施力，取放件200会回到未溃缩时的位置，亦即往顶推件100方向移动第三距离d3，且取放件200与顶推件100实质相距第一距离d1。另外，因晶粒400a已与胶膜300分离，且晶粒400a已被取放件200吸取住，因此晶粒拾取装置便完成拾取晶粒400a的动作。
接着请参照图5。移动取放件200以带离晶粒400a。举例而言，可移动取放件200以将晶粒400a带至其他收集盘上以分类，本揭露不以此为限。在一些实施方式中，晶粒拾取装置可包含多个取放件200，当图5的取放件200被移开时，另一取放件可同时被移至顶推件100上方，同时承载件500可再度移动胶膜300以将另一晶粒400b移到取放件与顶推件100之间，再重复图1至图4的拾取步骤。
综合上述，本实施方式的晶粒拾取方法是利用分别移动顶推件的顶推平台与顶针以达到拾取晶粒的目的。在此同时，取放件可不需作上下方向的主动移动即可吸取晶粒，亦即取放件为被动式移动。如此的运作模式可不需在取放件上加装上下方向的移动装置，有助于缩小取放件的体积与重量，亦能加快晶粒拾取的速度。
具体而言，取放件为尺寸精密的装置，且为了达到快速拾取晶粒的目的，取放件也不宜过重，以免在图1或图5的移动过程过慢，导致晶粒拾取过程拉长。因此，利用上述实施方式的晶粒拾取方法，取放件在整个拾取过程可不需主动移动，如此一来在取放件内便不需加装移动机构，有助于取放件的轻量化，以提高晶粒拾取的速率。
另外，顶推平台先将晶粒往取放件顶推，使得晶粒能够水平地碰触取放件，如此一来取放件吸取晶粒时，可避免晶粒转动或脱落。再加上当顶针接触晶粒时，通过顶推平台远离取放件的动作，可不需额外施力即可让晶粒与胶膜分离，也就进一步简化了晶粒拾取的步骤。
虽然本揭露已以实施方式揭露如上，然其并非用以限定本揭露，任何熟悉此技艺者，在不脱离本揭露的精神和范围内，当可作各种的更动与润饰，因此本揭露的保护范围当视所附的权利要求书所界定的范围为准。

Claims (10)

1.一种晶粒拾取方法，用于一晶粒拾取装置，其中该晶粒拾取装置包含一顶推件与一取放件，且该顶推件包含一顶推平台与一顶针，且该顶推平台包含至少一开口，一胶膜置于该顶推件与该取放件之间，且该晶粒实质对准该顶推平台的该开口，且该取放件、该晶粒与该顶针沿一直线排列，至少一晶粒置于该胶膜面向该取放件的一侧，且与该取放件相隔一第一距离，其特征在于，该晶粒拾取方法包含：
移动该顶推件一第二距离，其中该第二距离大于该第一距离，使得该晶粒碰触该取放件，并使该取放件溃缩；
利用该取放件吸取该晶粒；
移动该顶推件的该顶推平台，使得该顶推平台远离该取放件，且该顶推件的该顶针自该顶推平台露出并接触被该取放件吸取的该晶粒；以及
移动该顶推件的该顶针，使得该顶针远离被该取放件吸取的该晶粒。
2.根据权利要求1所述的晶粒拾取方法，其特征在于，其中当该顶推件的该顶推平台远离该取放件时，该顶推件的该顶针一并刺破该胶膜。
3.根据权利要求1所述的晶粒拾取方法，其特征在于，其中当该顶推件的该顶推平台远离该取放件时，被该取放件吸取的该晶粒与该胶膜分离。
4.根据权利要求1所述的晶粒拾取方法，其特征在于，还包含将该晶粒周围的该胶膜吸附至该顶推件的该顶推平台。
5.根据权利要求1所述的晶粒拾取方法，其特征在于，还包含在该顶推件的该顶针远离该晶粒后，移动该取放件以带离该晶粒。
6.根据权利要求1所述的晶粒拾取方法，其特征在于，还包含移动该取放件至该晶粒上方。
7.根据权利要求1所述的晶粒拾取方法，其特征在于，还包含将该晶粒对准该顶推件的该顶针。
8.根据权利要求1所述的晶粒拾取方法，其特征在于，其中该顶推件的该顶推平台远离该取放件该第二距离。
9.根据权利要求1所述的晶粒拾取方法，其特征在于，其中该顶推件的该顶推平台顶推该第二距离的步骤中，该顶推平台将多个该晶粒顶推该第二距离。
10.根据权利要求1所述的晶粒拾取方法，其特征在于，其中该取放件吸取该晶粒的步骤包含产生一负压于该取放件。
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