CN1877847A - Cmos图像传感器及其制造方法 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种CMOS图像传感器及其制造方法。该CMOS图像传感器包括：第一导电型半导体衬底，通过隔离区和有源区来限定，该有源区包括蓝光电二极管区和晶体管区；隔离层，形成在半导体衬底的隔离区中；第一扩散区，具有与半导体衬底相同的导电类型，形成在蓝光电二极管区中，靠近隔离层的一侧；栅绝缘层和栅电极，形成在晶体管区的衬底上；以及第二扩散区，具有与半导体衬底相反的导电类型，形成在蓝光电二极管区中，远离隔离层，其中第一扩散区设置在第二扩散区和隔离层之间。
Description
本申请要求于2005年6月7日提交的韩国专利申请No.10-2005-0048483的权益，其全部内容通过引用合并于此。
技术领域
本发明涉及一种图像传感器，更具体而言，涉及一种互补金属氧化物半导体(CMOS)图像传感器及其制造方法。
背景技术
作为一种半导体器件，图像传感器将光图像变换成电图像，其一般被分类为电荷耦合器件(CCD)和CMOS图像传感器。
传统上，CCD包括：多个光电二极管，其以矩阵形式设置以将光信号变换成电信号；多个垂直电荷耦合器件(VCCD)，形成在光电二极管之间，以在垂直方向上传输每个光电二极管中所生成的电荷；多个水平电荷耦合器件(HCCD)，用于在水平方向上传输从每个VCCD传输的电荷；以及感测放大器(amp)，用于感测在水平方向上传输的电荷，以输出电信号。
众所周知，CCD具有复杂的操作机构和高功率消耗。另外，因为在其制作中需要光刻工艺的多个步骤，所以其制造方法非常复杂。特别地，难以将CCD与诸如控制电路、信号处理电路、模拟/数字转换器等的其它装置一起集成到单个芯片中。CCD的这种缺点阻碍了产品的小型化。
为了克服CCD的上述缺点，近来CMOS图像传感器已被开发为新一代的图像传感器。CMOS图像传感器包括通过CMOS制作技术在半导体衬底中形成的MOS晶体管。在CMOS图像传感器中，MOS晶体管相对于单元像素的数目、连同如控制电路、信号处理电路等的外围电路一起形成。CMOS图像传感器采用MOS晶体管相继检测每个像素的输出的切换模式。
更特定地，CMOS图像传感器包括在每个像素中的MOS晶体管和光电二极管，由此以切换模式相继地检测每个像素的电信号以表示给定的图像。
CMOS图像传感器具有诸如低功率消耗和相对简单的制作工艺的优点。另外，因为使用CMOS制造技术，CMOS图像传感器可与控制电路、信号处理电路、模拟/数字转换器等集成，这能够使产品小型化。
CMOS图像传感器已广泛地用在如数字静相机、数字视频相机等的各种应用中。
同时，CMOS图像传感器可根据晶体管的数目分类为3T型、4T型、5T型等。3T型的CMOS图像传感器包括一个光电二极管和三个晶体管，而4T型包括一个光电二极管和四个晶体管。这里，3T型CMOS图像传感器中的单元像素布局如下配置。
图1示出了图示传统3T型CMOS图像传感器中单元像素的布局，而图2是图示从图1的线A-A’观察的传统CMOS图像传感器的光电二极管和复位晶体管的截面视图。
如图1中所示，一个光电二极管区20形成在所限定的有源区的一大部分中，而三个晶体管30、40和50分别形成为在有源区的其它部分10中重叠。
晶体管30构成了复位晶体管，而晶体管40构成了驱动器晶体管，而晶体管50构成了选择晶体管。
这里，除了在每个栅电极30、40和50以下的有源区10的部分，掺杂剂离子被注入到每个晶体管形成的有源区的晶体管区10中，以形成每个晶体管的源和漏区。
特别地，供给电压(VDD)供给到复位晶体管和驱动器晶体管之间的源/漏区，而形成在选择晶体管一侧的源/漏区连接到检测电路(未示出)。
晶体管30、40和50分别连接到信号线，虽然它们在图1中没有示出。另外，信号线经由分别在其一端形成的附加垫而分别连接到外部驱动电路。
参考图2，P-型外延层12形成在P++型半导体衬底11上。另外，包括外延层12的半导体衬底11通过有源区和其处形成隔离层13的隔离区来限定，该有源区包括光电二极管区20和晶体管区10，如图1中所示。
如图2中所示，用于复位晶体管30的栅电极15形成在外延层12上，插入栅绝缘层14。一对绝缘侧壁16形成在栅电极15的两侧上。
另外，N-型扩散区20形成在外延层12的光电二极管区。轻掺杂漏(LDD)区17和源/漏扩散区18分别形成在外延层12的晶体管区中。P0型扩散区21形成在光电二极管区中的N-型扩散区20之上。
在上述CMOS图像传感器的结构中，反向偏置施加在N-型扩散区20和P-型外延层12之间，由此导致了通过光来生成电子的耗尽层。当复位晶体管关断时，生成的电子降低了驱动器晶体管的电势。驱动器晶体管电势的降低从复位晶体管的关断连续进行，由此导致了电势差。图像传感器可通过将电势差作为信号检测而工作。
另一方面，光电二极管根据像素阵列的固定结构来设置。即，像素阵列以Bayer图案配置，在该图案中第一行的GBGB图案和第二行的RGRG图案轮流设置，如图3中所示。
参考图3，绿(G)、红(R)和蓝(B)像素形成在相同的结构中，但是每个像素在光上具有不同的色再现性。
在CMOS图像传感器的色再现性上的问题由光的波特性引起。通过光的电子和空穴对(EHP)的生成速率依赖于光的波长，如图4中所示。
图5是图示根据光的波长的吸收系数和穿透深度的改变的图。
参考图5，红光穿透硅衬底表面以下多至10μm。然而，蓝光穿透硅衬底表面以下仅0.3μm(即，3000)，这表示蓝光的弱的色再现性。
蓝光的色再现性可通过B/G比来评估。特别地，在商业产品中所需的B/G比的规格是在从0.6到1.0的范围中。1.0的上限只是理想值，而0.6的下限是非常重要的标准。
为了提高蓝信号的灵敏度，通常在绿过滤工艺前执行蓝过滤器工艺，然而，这可引起其另一问题。具体地，传统的CMOS图像传感器采用每四个像素中包括一个蓝像素的Bayer图案，而且在其形成工艺后经常出现蓝像素的剥离现象。
典型地，为了提高像素的粘附强度，在色过滤工艺前需要执行另外的光刻工艺。结果，从硅衬底表面到色过滤器的距离增加，使得总的色再现性变得更为恶化。
发明内容
因此，本发明的一个目的是提供一种CMOS图像传感器，其中提高了对蓝光的灵敏度和图像传感器的总的色再现性。
本发明的另一个目的是提供一种用于制造CMOS图像传感器的方法，其中提高了对蓝光的灵敏度和图像传感器的总的色再现性。
为了实现上述目的，根据本发明的一种CMOS图像传感器的一个实施例包括：第一导电型半导体衬底，通过隔离区和有源区限定，有源区包括蓝光电二极管区和晶体管区；隔离层，形成在半导体衬底的隔离区中；第一扩散区，具有与半导体衬底相同的导电类型，形成在蓝光电二极管区，靠近隔离层的一侧；栅绝缘层和栅电极，形成在晶体管区的衬底上；以及第二扩散区，具有与半导体衬底相反的导电类型，形成在蓝光电二极管区中，远离隔离层，其中第一扩散区设置在第二扩散区和隔离层之间。
在根据本发明的CMOS图像传感器中，第一扩散区可以大于或等于第二扩散区扩散深度的扩散深度形成。另外，第三扩散区可形成在蓝光电二极管区中的第二扩散区之上，其中第三扩散区具有与半导体衬底相同的导电类型。优选地，第一扩散区具有比第三扩散区的掺杂剂浓度高的掺杂剂浓度。
另外，一种根据本发明的用于制造CMOS图像传感器的方法包括下列步骤：准备由隔离区和有源区限定的第一导电型半导体衬底，有源区包括蓝光电二极管区和晶体管区；在半导体衬底的表面上形成牺牲绝缘层；去除牺牲绝缘层的一部分，以选择性地暴露衬底的隔离区；蚀刻衬底的暴露部分以在隔离区中形成沟槽；使用牺牲绝缘层作为掩模、以预定角度倾斜注入第一导电型掺杂剂，由此靠近沟槽的一侧在蓝光电二极管区中形成第一扩散区；利用绝缘材料来填充沟槽，以形成隔离层；去除牺牲绝缘层的剩余部分；在晶体管区上形成栅绝缘层和栅电极；远离隔离层在蓝光电二极管区中形成第二扩散区，第二扩散区具有与半导体衬底相反的导电类型，其中第一扩散区设置在第二扩散区和隔离层之间。
一种根据本发明的CMOS图像传感器的制造方法，可进一步包括下列步骤：在形成沟槽后，在沟槽内壁上形成热氧化层。另外，第一扩散区可通过注入硼(B)或BF2离子来形成。特别地，第一扩散区可通过以从15keV到50keV的离子注入能量来注入B离子、或以从20keV到60keV的离子注入能量来注入BF2离子而形成。优选地，用于第一扩散区的注入以从1.0E12到4.0E13的掺杂剂剂量来执行。另外，第二扩散区可通过以从150keV到300keV的离子注入能量来注入磷(P)离子而形成。
一种根据本发明的CMOS图像传感器的制造方法可进一步包括在蓝光电二极管区中的第二扩散区之上形成第三扩散区的步骤，其中第三扩散区具有与半导体衬底相同的导电类型。优选地，第一扩散区具有比第三扩散区的掺杂剂浓度高的掺杂剂浓度。
通过参考经常参考附图的对本发明的以下描述，本发明的这些和其它方面将变得明显。
附图说明
图1是传统3T型CMOS图像传感器的单元像素的布局。
图2是图示从图1的线A-A’观察的传统CMOS图像传感器的光电二极管和复位晶体管的截面视图。
图3示出传统CMOS图像传感器中的Bayer图案的像素阵列，在该图案中第一行的GBGB图案和第二行的RGRG图案轮流设置。
图4是图示依赖于光的波长的通过光的电子空穴对(EHP)的生成速率变化的图。
图5是图示根据光的波长的吸收系数和穿透深度的改变的图。
图6是根据本发明的CMOS图像传感器中的单元像素的布局。
图7是图示从图6的线II-II’观察、根据本发明的CMOS图像传感器的光电二极管和复位晶体管的截面视图。
图8a至图8l是图示从图6的线II-II’观察、根据本发明的用于制造CMOS图像传感器的方法的一个实施例的截面视图。
图9和10是图示根据本发明的CMOS图像传感器上的实验结果的图。
具体实施方式
下文中，为了解释方便，将基于3T结构的CMOS图像传感器来描述根据本发明的CMOS图像传感器的优选实施例，所述3T结构的CMOS图像传感器在单位单元中由一个光电二极管和三晶体管组成。然而，本发明不限于3T结构，而其还可配置在由一个光电二极管和四个晶体管(即复位晶体管、转移晶体管、驱动器晶体管和选择晶体管)组成的4T结构或者5T结构中。
图6是图示根据本发明的CMOS图像传感器中的单元像素的布局。
如图6中所示，在根据本发明的CMOS图像传感器的单元像素中，有源区限定在半导体衬底的一个部分中，而隔离区限定在半导体衬底的另一部分中。隔离层形成在衬底的隔离区中。一个光电二极管(PD)形成在有源区(即，光电二极管区200)的一大部分中，而三个晶体管栅123、133和143形成为在有源区(即，晶体管区100)的另一部分中重叠。栅电极123构成复位晶体管，栅电极133构成驱动器晶体管，而栅电极143构成选择晶体管。
这里，除了每个栅电极123、133和143以下的有源区的部分之外，掺杂剂离子注入到形成晶体管的晶体管区1 00中，由此形成每个晶体管的源和漏区。
图7是图示从图6的线II-II’观察、根据本发明的CMOS图像传感器的光电二极管和复位晶体管的截面视图。
如图7中所示，P-型外延层12形成在P++型半导体衬底11上。单晶硅衬底可用作半导体衬底11。
另外，半导体衬底11通过有源区和其处形成隔离层13的隔离区来限定，该有源区包括光电二极管区200和晶体管区100，如图6中所示。隔离层13可通过浅沟槽隔离(STI)工艺或硅的局部氧化工艺(LOCOS)形成。
用于复位晶体管的栅电极123形成在晶体管有源区的外延层12上，插入栅绝缘层121。一对绝缘侧壁233形成在栅电极123的两侧上。
另外，N-型扩散区221和P0型扩散区251形成在外延层12的光电二极管区中。P0型扩散区251形成在N-型扩散区221之上，在离栅电极123的预定距离处。
由N-型轻掺杂区211和N+型重掺杂区261构成的源/漏区形成在外延层12的晶体管区中。
P+型扩散区253在隔离层13和N-型扩散区221(和P0型扩散区251)之间形成在外延层12中。优选地，P+型扩散区253以大于或等于N-型扩散区221扩散深度的扩散深度而形成。
另一方面，在本实施例中，光电二极管优选地具有N-型扩散区221和P0型扩散区25 1，但本发明可只采用N-型扩散区221用于光电二极管。
这里，“P-”型扩散区指示通过低浓度的P-型掺杂剂的掺杂区，“P0”型扩散区指示通过中浓度的P-型掺杂剂的掺杂区，而“P+”型扩散区指示通过高浓度的P-型掺杂剂的掺杂区，而最后，“P++”型扩散区指示通过更高浓度的P-型掺杂剂的掺杂区。类似地，“N-”型扩散区指示通过低浓度的N-型掺杂剂的掺杂区，而“N+”型扩散区指示通过高浓度的N-型掺杂剂的掺杂区。
在上述结构的CMOS图像传感器中，因为P+型扩散区253，构成光电二极管的N-型扩散区221和P0型扩散区251设置成远离隔离层12。由此，防止或减少了在隔离层13和N-型扩散区221(和/或P0型扩散区251)之间的界面处的暗电流的出现。特定地，EHP可出现在隔离层13和光电二极管区之间的界面处，但它们在P+扩散区253中重新结合(rejoin)。因而，可防止或减少界面处的暗电流的出现。
而且，如果P0型扩散区251在栅电极123以下延伸，则在与栅电极123相邻的光电二极管区的一部分中可引起势垒(barrier potential)，由此导致从光电二极管区到源/漏区的电荷转移效率的下降。然而，在本发明的优选实施例中，P0型扩散区251在离栅电极123预定距离处形成，由此能够改善电荷转移效率。
特别地，光电二极管区优选地形成为蓝光电二极管区。在这种情形中，因为P+型扩散区253形成在隔离层13和N-型扩散区221之间，所以蓝光的灵敏度可更加改善，并可改善CMOS图像传感器的总的色再现性。
图8a至图8l是图示从图6的线II-II’观察的根据本发明的用于制造CMOS图像传感器的方法的一个实施例的截面视图。
参考图8a，P-型外延层12形成在半导体衬底11上，半导体衬底11如具有重浓度和第一导电类型(例如，P++型)的单晶硅。
这里，外延层12起作用以在光电二极管区中形成深且宽的耗尽区。由此，可提高低压光电二极管用于收集光电子的能力，并且亦可改善光灵敏度。
接着，使用高温热氧化，在外延层12的整个表面上以40～150的厚度来形成牺牲氧化物402。
接着，使用低压化学气相沉积(LPCVD)，在牺牲氧化物402上以500～1500的厚度来形成牺牲氮化物403。
牺牲氧化物402起作用以减少归因于牺牲氮化物403的外延层12的应力。牺牲氮化物403在随后用于形成沟槽的工艺期间用作蚀刻掩模，并在随后的化学机械抛光(CMP)期间用作阻挡，
随后，光致抗蚀剂层210施加到牺牲氮化物403上，并且然后，其在曝光和显影工艺中图案化，以暴露隔离区中牺牲氮化物403的一部分。
使用图案化的光致抗蚀剂层210作为蚀刻掩模，牺牲氮化物403和牺牲氧化物402被选择性地去除，以暴露隔离区中外延层12的一部分。
然后，使用牺牲氮化物403作为蚀刻掩模，外延层12以预定深度被选择性去除，以在隔离区中形成沟槽404。
如图8b中所示，在图案化的光致抗蚀剂层210去除后，通过使用牺牲氮化物403作为掩模的热氧化工艺，热氧化层405以200～400的厚度在沟槽404的内壁上形成。
这里，热氧化层405起作用以修复在沟槽404形成期间等离子体对沟槽内侧外延层表面的损坏，更具体地，起作用以去除由沟槽404所暴露的外延层12表面附近的硅晶格中存在的悬键(dangling bond)。
另外，热氧化层405用来提高将在随后的工艺中形成的隔离层的粘附强度。然而，在本发明中，热氧化层405并非不可缺少的元件。
接着，如图8c中所示，高浓度的第一导电型掺杂剂离子被倾斜地注入其处形成热氧化层405的沟槽404的一侧上，由此形成P+型扩散区253。
特别地，P+型扩散区253优选地通过注入硼(B)或BF2而形成。在使用硼的情形中，离子注入能量优选为15keV～50keV。在使用BF2的情形中，离子注入能量优选为20keV～60keV。另外，注入在P+型扩散区中的掺杂剂剂量优选为1.0E12～4.0E13。
更为优选地，用于P+型扩散区253的离子注入在下列条件下执行，包括：1.0E12的掺杂剂剂量、30keV的离子注入能量、以45°(quarterly)倾斜的注入角。另外，可在被分割成四段的沟槽404的一侧上执行离子注入工艺。
如图8d中所示，用于隔离层的绝缘材料406沉积在半导体衬底的整个表面之上，充分填充沟槽404而其中没有空隙。
优选地，绝缘材料406通过使用O3-TEOS(原硅酸四乙酯)的APCVD(常压化学气相沉积)工艺或HDPCVD(高密度等离子体化学气相沉积)工艺来沉积。
如图8E中所示，绝缘层406通过CMP工艺而被平坦化，以暴露牺牲氮化物403的表面。
随后，牺牲氮化物403通过使用磷酸的湿式蚀刻工艺而去除，由此形成隔离层406a。牺牲氧化物402可在去除牺牲氮化物403期间被去除。
参考图8f，绝缘层和导电层以相继的次序沉积在衬底的整个表面上，且这些层通过光刻法和蚀刻工艺而图案化，由此形成栅绝缘层121和栅电极123。
接着，如图8g中所示，光致抗蚀剂层施加在包括栅电极123的衬底的整个表面之上，并且然后其次通过曝光和显影工艺而图案化，由此形成了光致抗蚀剂图案220，其覆盖光电二极管区并暴露将形成源/漏区的晶体管区。
使用光致抗蚀剂图案220作为掩模，低浓度的N-型掺杂剂离子被注入到暴露的晶体管区，以形成N-型扩散区211。
如图8h中所示，在光致抗蚀剂图案220去除后，另一个光致抗蚀剂层施加在衬底之上，并且然后其通过曝光和显影工艺而图案化，由此形成使光电二极管区暴露的光致抗蚀剂图案230。
然后，使用光致抗蚀剂图案230作为掩模，低浓度N-型掺杂剂离子被注入到光电二极管区中，以形成N-型扩散区221。
特别地，磷(P)可用作N-型扩散区221的掺杂剂离子，并且其在包括150keV～300keV的离子注入能量和约6.0E12的掺杂剂剂量的条件下被注入。
同时，光电二极管区中的N-型扩散区221优选地以大于源/漏区的N-型扩散区211的深度的深度而形成。
如图8i中所示，在去除光致抗蚀剂图案230后，如氧化物或氮化物等的绝缘层通过例如LPCVD(低压化学气相沉积)工艺的CVD而形成在衬底整个表面之上。
接着，在绝缘层上执行反蚀刻工艺，以在栅电极123的两侧上形成一对绝缘侧壁223。
如图8j中所示，光致抗蚀剂层施加在衬底之上，并且然后其通过曝光和显影工艺而图案化，以形成使光电二极管区暴露的光致抗蚀剂图案240。
然后，使用光致抗蚀剂图案240作为掩模，中浓度的P-型掺杂剂离子被注入在光电二极管区中，以在N-扩散区221之上形成P0型扩散区251。
这时，P0型扩散区251形成为分别远离隔离层406a和栅电极123。特别地，因为绝缘侧壁233形成在栅电极123的两侧上，P-型掺杂剂离子没有注入到绝缘侧壁233以下的光电二极管区的部分中。
这里，光电二极管可只包括N-型扩散区221，而没有P0型扩散区251。
如图8k中所示，在去除光致抗蚀剂图案240后，光致抗蚀剂层形成在衬底的整个表面之上，并且然后其通过曝光和显影工艺而图案化，以形成光致抗蚀剂图案250，光致抗蚀剂图案250覆盖光电二极管区并暴露晶体管区。
接着，使用光致抗蚀剂图案250作为掩模，高浓度的N-型掺杂剂离子被注入在源/漏区中，以形成N+扩散区261。
如图8l中所示，在去除光致抗蚀剂图案250后，在衬底上执行例如快速热工艺的热处理工艺，以激活N-型扩散区221、P0型扩散区251、P+型扩散区253、N-型扩散区211以及N+型扩散区261中的掺杂剂。
图9和10是图示根据本发明的CMOS图像传感器上的实验结果的图。
在实验中使用的CMOS传感器中，P+型扩散区253在下列条件下形成，这些条件包括：硼或BF2的掺杂剂离子、1.0E12的掺杂剂剂量、30keV的离子注入能量以及45°的倾斜-注入步骤。另外，N-型扩散区221在下列条件下形成，这些条件包括：磷的掺杂剂离子、230keV的离子注入能量和6.0E12的掺杂剂剂量。
如图9中所示的实验结果图示出在本发明的情形中B/G比显著地提高。更具体地，参考图9，根据本发明的CMOS图像传感器的B/G比(称作“A”)具有比传统CMOS图像传感器(称作“B”)的B/G比值高约25％的值。另外，B/G比可根据注入到P+型扩散区253中的掺杂剂剂量而改变。图10示出：8.0E12的掺杂剂剂量的情况下的B/G比(称作“H”)值，比4.0E12的掺杂剂剂量的情况下的B/G比的值(称作“L”)高约6％。
根据本发明，优化了用于吸收蓝色光的蓝光电二极管区的离子注入工艺中的注入能量，并且高浓度的P-型扩散区形成在隔离层和蓝光电二极管区之间，由此能够使CMOS图像传感器的蓝光灵敏度和总的色再现性得以改善。
虽然已参考本发明的某些优选实施例示出并描述了本发明，但是，对本领域技术人员显而易见的是，在不背离由所附权利要求限定的本发明的精神和范围的情况下可在形式和细节中进行各种改变。
Claims (13)
1.一种CMOS图像传感器，包括：
第一导电型半导体衬底，通过隔离区和有源区来限定，所述有源区包括蓝光电二极管区和晶体管区；
隔离层，形成在所述半导体衬底的所述隔离区中；
第一扩散区，具有与所述半导体衬底相同的导电类型，形成在所述蓝光电二极管区中，靠近所述隔离层的一侧；
栅绝缘层和栅电极，形成在所述晶体管区的衬底上；以及
第二扩散区，具有与所述半导体衬底相反的导电类型，形成在所述蓝光电二极管区中，远离所述隔离层，其中所述第一扩散区设置在所述第二扩散区和所述隔离层之间。
2.权利要求1的CMOS图像传感器，其中所述第一扩散区具有等于或大于所述第二扩散区扩散深度的扩散深度。
3.权利要求1的CMOS图像传感器，进一步包括在所述蓝光电二极管区中在所述第二扩散区之上形成的第三扩散区，其中所述第三扩散区具有与所述半导体衬相同底的导电类型。
4.权利要求3的CMOS图像传感器，其中所述第一扩散区具有比所述第三扩散区的掺杂剂浓度高的掺杂剂浓度。
5.一种用于制造CMOS图像传感器的方法，包括下列步骤：
准备由隔离区和有源区来限定的第一导电型半导体衬底，所述有源区包括蓝光电二极管区和晶体管区；
在所述半导体衬底的表面上形成牺牲绝缘层；
选择性地去除所述牺牲绝缘层的一部分，以暴露所述衬底的所述隔离区；
蚀刻所述衬底的暴露部分，以在所述隔离区中形成沟槽；
使用所述牺牲绝缘层作为掩模、以预定角度倾斜注入第一导电型掺杂剂，由此靠近所述沟槽的一侧在所述蓝光电二极管区中形成第一扩散区；
利用绝缘材料填充所述沟槽，以形成隔离层；
去除所述牺牲绝缘层的剩余部分；
在所述晶体管区上形成栅绝缘层和栅电极；
远离所述隔离层在蓝光电二极管区中形成第二扩散区，所述第二扩散区具有与所述半导体衬底相反的导电类型，其中所述第一扩散区设置在所述第二扩散区和所述隔离层之间。
6.权利要求5的方法，进一步在形成所述沟槽后在所述沟槽内壁上形成热氧化层的步骤。
7.权利要求5的方法，其中所述第一扩散区通过注入硼(B)或BF2离子而形成。
8.权利要求5的方法，其中所述第一扩散区通过以从15keV到50keV的离子注入能量来注入B离子而形成。
9.权利要求5的方法，其中所述第一扩散区通过以从20keV到60keV的离子注入能量来注入BF2离子而形成。
10.权利要求5的方法，其中用于所述第一扩散区的注入以从1.0E12到4.0E13的掺杂剂剂量来执行。
11.权利要求5的方法，其中所述第二扩散区通过以从150keV到300keV的离子注入能量来注入磷(P)离子而形成。
12.权利要求5的方法，进一步包括在所述蓝光电二极管区中所述第二扩散区之上形成第三扩散区的步骤，其中所述第三扩散区具有与所述半导体衬底相同的导电类型。
13.权利要求12的方法，所述第一扩散区具有比所述第三扩散区掺杂剂浓度高的掺杂剂浓度。
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| C14 | Grant of patent or utility model | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| C17 | Cessation of patent right | ||
| CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee |
Granted publication date: 20090812 Termination date: 20130606 |