CN112864181A - 一种图像传感器及其制造方法 - Google Patents
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Abstract
本发明提供了一种图像传感器的制造方法，包括：在半导体衬底上依次形成氧化物薄膜层和氮化物薄膜层；在所述半导体衬底、所述氧化物薄膜层和所述氮化物薄膜层中形成沟道；在沟道的侧壁上形成N型离子掺杂区；在所述N型离子掺杂区的侧壁上形成P型离子掺杂区，且所述P型离子掺杂区的深度比所述N型离子掺杂区的深度深；沉积所述氧化物薄膜层。本发明还提供了一种图像传感器。通过本发明的图像传感器的制造方法，减少了光产生的电子消失的情况，同时还避免了将电子传输到栅极。
Description
技术领域
本发明涉及图像传感器，尤其涉及一种互补金属氧化物半导体 (CMOS)图像传感器及其制造方法。
背景技术
图像传感器是半导体器件，用来将光学图像转换成电信号。图像 传感器可分为电荷耦合器件(CCD)和互补型金属氧化物半导体(CMOS) 电容器中。然而，由于CCD具有相对复杂的驱动方法、高功耗和复杂 的制造过程，会导致产品小型化的困难。
目前，作为一种克服CCD缺点的新一代图像传感器，CMOS图像传 感器越来越受到关注。CMOS图像传感器的每个单元像素是采用CMOS 技术在半导体衬底上形成的光电二极管和MOS晶体管的开关器件。 CMOS图像传感器一般包括控制电路，信号处理电路等外围电路，并通 过MOS晶体管依次检测每个单元像素的输出。因此，随着在每个单元 像素内形成的光电二极管和MOS晶体管，CMOS图像传感器在开关模式 下依次检测每个单元像素的电信号以获取图像。
CMOS图像传感器具有功耗低，制造工艺简单，加工步骤少等优点。 此外，CMOS图像传感器的优点是通过集成控制电路，信号处理电路， 模拟/数字转换电路等，使产品紧凑变成一个芯片。因此，CMOS图像 传感器目前广泛应用于各种应用中，如数字静止摄像机，数字摄像机 等。
由于控制电路、信号处理电路和A/D转换电路集成到CMOS图像 传感器芯片中，促进产品小型化。CMOS图像传感器广泛应用于各种领 城，如数字静止摄像机和数字摄像机。
然而，在CMOS图像传感器中，光产生的电子很容易消失。从光 电二极管的相对较深处产生的电子很难传输到传输门。因此，需要制 造CMOS图像传感器的方法。这最大限度地减少光产生的电子消失的 情况，同时还不需要将电子传输到传输栅极。
CN100521158C公开了一种具有单多晶结构的闪存器件及其制造 方法，该方法包括：在具有P阱区或N阱区的半导体衬底上形成氧化 物层；在半导体衬底和氧化物层中形成浅沟槽隔离(STI)；通过将掺 杂剂注入到P阱区或N阱区的一部分中形成漂移区；随后在阱区、漂 移区和STI之上形成栅极氧化物层和多晶硅层；通过对栅极氧化物层 和多晶硅层构图而形成控制栅极图形；在控制栅极图形的对侧形成源 极区和漏极区；在控制栅极图形上沉积氮化硅层并蚀刻该氮化硅层以 在控制栅极图形的侧壁周围形成间隔子；在控制栅极图形上形成多个 绝缘层，并形成分别与源极区和漏极区电连接的通孔图形；配备分别 与通孔图形电连接的漏极和源极。但这种图像传感器采用的是分裂栅 器件的制造方法，无法有效的防止电子由于时钟馈通效应耦合到栅极 的情况。
CN101211976B公开了一种CMOS图像传感器及其制备方法，一种 CMOS图像传感器及其制备方法能够防止馈通现象。CMOS图像传感器 包括重置晶体管，该重置晶体管可包括在半导体衬底之上形成的外延 层。该重置晶体管还包括在外延层之上形成的沟道层以形成沟道。陷 阱区可在该重置晶体管的中央部分中形成。栅极可在外延层之上形 成，且在它们之间插入栅绝缘膜。栅间隔垫可在栅极的两个侧壁之上 形成。扩散区可在栅间隔垫两侧形成。但这种图像传感器对于像素阵 列产生的电子不能够有效的收集，会存在一些光产生的电子消失的情 况。
发明内容
因此，本发明涉及CMOS图像传感器及其制造方法，可以明显避 免由于现有技术的局限性和缺点产生的一个或多个问题。
在随后的介绍中将部分地阐述本发明的其它优点、目的和特征， 并且一部分对于本领域的普通技术人员在随后的检验时或通过本发 明的实践将变得明显。通过在书面的介绍及在文件中的权利要求以及 附图中特别指出的结构可以实现并获得本发明的目的和其它优点。
CCD可能具有相对复杂的驱动方法、高功耗和复杂的制造过程， 会导致产品小型化的困难。传统CMOS图像传感器中，光产生的电子 很容易消失。从光电二极管的相对较深处产生的电子很难传输到传输 门。因此，需要新的制造CMOS图像传感器的方法，从而最大限度地 减少光产生的电子消失的情况，同时还避免将电子传输到传输栅极。
为了实现这些目的和其它优点并且根据本发明的目的，如在此实 施并宽泛地描述的，本发明提供了一种CMOS图像传感器的制造方法， 包括：
在本发明的一方面，本发明提供了一种图像传感器的制造方法， 包括：
S1、在半导体衬底上依次形成有氧化物薄膜层和氮化物薄膜层；
S2、在所述半导体衬底、所述氧化物薄膜层和所述氮化物薄膜层 中形成沟道；
S3、在沟道的侧壁上形成N型离子掺杂区；
S4、在所述N型离子掺杂区的侧壁上形成P型离子掺杂区，且所 述P型离子掺杂区的深度比所述N型离子掺杂区的深度深；
S5、沉积所述氧化物薄膜层。
优选地，在步骤S1中，所述氮化物薄膜层上还形成有TEOS薄膜 层。
优选地，步骤S5包括，沉积所述氧化物薄膜层，以使得所述沟 道内填充有氧化物以形成隔离层。
优选地，在步骤S3中，所述N型离子掺杂区的数量为一个或多 个。
优选地，在步骤S4中，当所述N型离子掺杂区的数量为一个时， 所述P型离子掺杂区位于所述N型离子掺杂区和所述沟道之间；当所 述N型离子掺杂区的数量为多个时，所述P型离子掺杂区的数量和所 述N型离子掺杂区的数量一样，且每个所述N型离子掺杂区的侧壁上 都形成有一P型离子掺杂区。
优选地，还包括步骤S6、蚀刻所述氮化物薄膜层，并通过抛光法 将所述氧化物薄膜层进行平面化。
优选地，还包括步骤S7、在所述氧化物薄膜层上沉积导电层。
优选地，还包括：所述氧化物薄膜层上形成有栅电极。
优选地，在所述栅电极的两侧形成有浇口侧壁隔片。
优选地，所述浇口侧壁隔片的截面的形状为类直角梯形。
优选地，当所述N型离子掺杂区的数量为多个时，每两个N型离 子掺杂区之间形成有光电二极管区，且所述光电二极管区的深度和所 述N型离子掺杂区的深度一样。
在本发明的另一个方面中，本发明还提供了一种CMOS图像传感 器，其为通过本发明所提供的传感器的制造方法制造而成。
根据本发明所公开的制造图像传感器的方法包括在半导体衬底 上形成沟道，在半导体衬底的上形成的沟道可以定义有源区(在P型 衬底100上的N型掺杂形成的源极和漏极之间的区域称为有源区，包 括两个N型掺杂，即160之间(含160)的区域)，光电二极管区域 (150和160之间的部分)和晶体管(整个图7可以看作是一整个晶 体管)区域。制造CMOS图像传感器的方法包括在光电二极管区域的 沟道侧壁和与晶体管相邻的区域上形成第一导电型离子注入区域。制 备CMOS图像传感器的方法可以包括形成第二导电型离子注入区。第 二导电型离子注入区可以设置在第一导电型离子注入区和沟道之间， 以及晶体管的下部和第一导电型离子注入区之间，还包括通过在沟道 上处理绝缘膜形成隔离层，在光电二极管区域上形成光电二极管。光 电二极管(Photo-Diode)和普通二极管一样，也是由一个PN结组成 的半导体器件，也具有单方向导电特性。但在电路中它不是作整流元 件，而是把光信号转换成电信号的光电传感器件。
在半导体衬底的表面上生成低浓度的第一导电型外延层(衬底 100为所述的第一导电型外延层)。低浓度第一导电型外延层(5E13 原子/平方厘米以下)可以是P型外延层。在该表面上通过外延过程 形成器件。外延层可以使耗尽区，即光电二极管具有相对大的尺寸和 /或较大的深度。从而在示例中，低压光电二极管收集光生电荷的能 力可以增强，并且可以改进诸如光灵敏度等特性。
通过本发明的图像传感器的制造方法，最大极限地减少了光产生 的电子消失的情况，同时还避免了将电子传输到栅极。使用本发明提 供的图像传感器的制造方法制造出来的图像传感器具有静态功耗极 低，电源电压范围宽，制造工艺简单，加工步骤少等优点。
本发明的其它优点、目的和特征部分在以下的说明书中阐述，在 研究了下文后对于本领域技术人员将变得显而易见，或者可以从本发 明的实践中了解。本发明的目的和其它优点可以通过在说明书及权利 要求和附图中特别指出的结构实现。
应当理解，本发明的以上一般描述和以下详细描述是示例性和解 释性的，旨在提供本发明的进一步解释。
附图说明
为了提供对本发明更进一步的理解而包括并且引入并构成本申 请的一部分的附图、本发明的说明实施例与介绍一起用来阐明本发明 的原理。在附图中：
图1为根据本发明一实施例的图像传感器的制造方法的流程图；
图2为根据本发明另一实施例的图像传感器的制造方法的流程图；
图3为根据本发明又一实施例的图像传感器的制造方法的流程图；
图4为根据本发明一实施例的图像传感器的截面图；
图5为根据本发明另一实施例的图像传感器的截面图；
图6为根据本发明又一实施例的图像传感器的截面图；
图7为根据本发明再一实施例的图像传感器的截面图。
具体实施方式
应该指出，以下详细说明都是例示性的，旨在对本申请提供进一 步的说明。除非另有指明，本文使用的所有技术和科学术语具有与本 申请所属技术领域的普通技术人员通常理解的相同含义。
需要注意的是，这里所使用的术语仅是为了描述具体实施方式， 而非意图限制根据本申请的示例性实施方式。如在这里所使用的，除 非上下文另外明确指出，否则单数形式也意图包括复数形式，此外， 还应当理解的是，当在本说明书中使用属于“包含”和/或“包括” 时，其指明存在特征、步骤、操作、器件、组件和/或它们的组合。
为了便于描述，在这里可以使用空间相对术语，如“在……之上”、 “在……上方”、“在……上表面”、“上面的”等，用来描述如在 图中所示的一个器件或特征与其他器件或特征的空间位置关系。应当 理解的是，空间相对术语旨在包含除了器件在图中所描述的方位之外 的在使用或操作中的不同方位。例如，如果附图中的器件被倒置，则 描述为“在其他器件或构造上方”或“在其他器件或构造之上”的器 件之后将被定位为“在其他器件或构造下方”或“在其他器件或构造 之下”。因而，示例性术语“在……上方”可以包括“在……上方” 和“在……下方”两种方位。该器件也可以其他不同方式定位，并且 对这里所使用的空间相对描述作出相应解释。
现在详细地参考本发明的优选实施例，其实施例在附图中表明， 只要可能，全部附图将用相同的参考数字表示相同或相似的部分。还 应当理解，当一个层在另一个层或衬底“上”时，它可能直接在另一 个层或衬底上，或者也可能存在插入的层。
互补金属氧化物半导体(CMOS)图像传感器在包含相机的产品中 无处不在，例如移动设备，机动车辆，医疗设备和视频监视设备。CMOS 图像传感器分别包括N×M列和行的像素阵列，其中每个像素将由照 相机镜头在其上成像的光转换成数字信号，该数字信号被转换成所显 示的图像和/或包含图像数据的文件的一部分。
每个像素都包含一个光电二极管，该光电二极管是光电二极管重 置噪声的来源，可能会将伪像引入图像数据中。
一些互补金属氧化物半导体图像传感器(complementary metal-oxidesemiconductor image sensor，CIS)具有像素传感器阵 列。像素传感器阵列的像素传感器包括设置在半导体衬底中的光探测 器(photodetector)阵列(例如，2×2光探测器阵列)。在一些实施例 中，光探测器可通过隔离结构(例如，全深度隔离结构)彼此分隔开。此外，像素传感器包括设置在半导体衬底的有源区上的多个像素装置 (例如，转移栅极(transfergate)、复位晶体管(reset transistor)、 源极跟随器晶体管(sourcefollowertransistor)和/或行选择晶体管 (row-select transistor))。内连线结构上覆在半导体衬底及像素装 置上，且将光探测器与像素装置电耦合在一起，从而使得像素传感器 可正常运行。像素传感器利用光探测器记录入射辐射(例如，光子)， 且便于利用像素装置以数字方式读出记录。
噪声的另一贡献因素是内连线结构的总导电面积(例如，由于寄 生电容的增大)。例如，设置在半导体衬底之上以将像素装置与光探 测器电耦合在一起的金属线、金属通孔及金属触点的总导电面积。通 常，像素装置的位置至少部分地取决于隔离结构和/或光探测器的布 局，从而导致一些像素装置设置成距其他像素装置和/或光探测器中 的一些光探测器的距离相对大。因此，一些金属线可延伸相对大的距 离，以便将像素装置中的一些像素装置电耦合到其他像素装置和/或 光探测器中的一些光探测器。因此，内连线结构的总导电面积增大， 从而造成不良的噪声性能。
在本发明的具体实施例中，制备CMOS图像传感器的方法包括在 半导体衬底上形成沟道，制造CMOS图像传感器的方法包括在光电二 极管区域的沟道侧壁或在与晶体管区域相邻的区域上形成第一离子 掺杂区域和第二离子掺杂区，所述第一离子掺杂区域和第二离子掺杂 区不同。第二离子掺杂区设置在第一离子掺杂区和沟道之间，或在晶 体管区域的下部和第一离子掺杂区之间。优选地，在沟道上处理绝缘 膜形成隔离层。
在本发明的一些具体的实施例中，所述晶体管(transistor)是 一种固体半导体器件(包括二极管、三极管、场效应管、晶闸管等， 有时特指双极型器件)，具有检波、整流、放大、开关、稳压、信号 调制等多种功能。所述晶体管作为一种可变电流开关，能够基于输入 电压控制输出电流。
如图2所示公开了本发明一实施例的图像传感器的制造方法的流 程图，根据本发明的一具体实施例，所述种图像传感器的制造方法， 包括：
S1、在半导体衬底上依次形成有氧化物薄膜层和氮化物薄膜层；
S2、在所述半导体衬底、所述氧化物薄膜层和所述氮化物薄膜层 中形成沟道；
S3、在沟道的侧壁上形成N型离子掺杂区；
S4、在所述N型离子掺杂区的侧壁上形成P型离子掺杂区，且所 述P型离子掺杂区的深度比所述N型离子掺杂区的深度深；
S5、沉积所述氧化物薄膜层。
在本发明的具体实施例中，所述半导体衬底可以为任何类型的半 导体本体，例如单晶硅/CMOS块、硅锗(silicon-germanium，SiGe)、 绝缘体上硅(silicon on insulator，SOI)等，优选为高浓度的导电 型衬底，或P型单晶硅衬底。
在本发明的具体实施例中，所述氧化物薄膜层可以为可以由包含 选自铪(Hf)、锆(Zr)、铝(Al)、钽(Ta)、钛(Ti)、钇(Y)和镧系元素 的组中的至少一种金属元素的金属氧化物，也可以为氧化硅、氧化铪 或氧化铝，或者包括氧化铪或氧化铝。
在本发明的具体实施例中，所述氮化物薄膜层可以为氮化硅。
在本发明的具体实施例中，在步骤S1中，所述氮化物薄膜层上 还形成有TEOS(原硅酸四乙酯)薄膜层。
优选地，所述沟道的深度占所述半导体衬底厚度的50％～90％。
如图1所示，在本发明的具体的实施例中，步骤S5包括，在所 述半导体衬底的上表面和所述沟道的上表面沉积所述氧化物薄膜层 后，所述沟道填充有氧化物以形成隔离层。所述沟道可以在外延层FR 的一部分上形成隔离区域，通过反应离子刻蚀(RIE)，沟道隔离(STI) 过程定义为有源区。隔离层140a可以选择性地蚀刻氧化物薄膜层和/ 或氮化物薄膜层120，并通过化学机械抛光(CMP)过程进行平面化。有 源区为硅片上做有源器件的区域，就是有些阱区，或者说是采用STI 等隔离技术隔离开的区域。有源区主要针对MOS而言，不同掺杂可形 成n或p型有源区。有源区分为源区和漏区(掺杂类型相同)在进行 互联之前，两个有源区没有差别。另外，业内通俗的把有后续杂质注 入的地方就都叫做有源区了。
如图1所示，在本发明的具体实施例中，在步骤S3中，所述N 型离子掺杂区的数量为一个或多个。
在一具体的实施例中，N型离子掺杂区150上可以形成有一个间 隔栅电极(图中未示出)。
在本发明的具体的实施例中，在步骤S4中，当所述N型离子掺 杂区的数量为一个时，所述P型离子掺杂区位于所述N型离子掺杂区 和所述沟道之间；当所述N型离子掺杂区的数量为多个时，所述P型 离子掺杂区的数量和所述N型离子掺杂区的数量一样，且每个所述N 型离子掺杂区的侧壁上都形成有一P型离子掺杂区。
根据示例P+离子可以使用。并且可以在大约1E12原子/平方厘米 之间的剂量到5E13原子/平方厘米。在示例中。P+离子掺杂时包括约 50keV到100keV之间的能量，并可以使用四阶段离子掺杂，即在四 个方向上分别掺杂总剂量的四分之一的离子的技术，例如在0、90、 180和270度四个方向。
在图3中，在N型离子掺杂区150形成的沟道140和沟道140之 间可以形成P型病子掺杂区。P型离子掺杂区域160形成于N型离子 掺杂区域150和在栅极下的沟道区域之间。P-N结可以形成在沟道140 的侧壁和/或沟道区域的侧面，也可以在晶体管下面。P-N结是由一个N型掺杂区和一个P型掺杂区紧密接触所构成的，其接触界面称为冶 金结界面。在一块完整的硅片上，用不同的掺杂工艺使其一边形成N 型半导体，另一边形成P型半导体，我们称两种半导体的交界面附近 的区域为P-N结。
在本发明的一具体的实施例中，P型离子掺杂区域160相对于N 型离子掺杂区城150更深，BF2+离子被注入，BF2+离子的剂量约为5E12 原子/平方厘米到5E13原子/平方厘米。BF2+离子，包括大约50keV到 100keV之间的能量，同样可以分四阶段掺杂。
在本发明的一具体的实施例中，可以相对地在半导体衬底100以 及沟道140的上表面上沉积氧化膜，更进一步具体地，可以通过化学 气相沉积(CVD)沉积氧化膜。
如图2所示，在本发明的具体实施例中，还包括步骤S6、蚀刻所 述氮化物薄膜层，并通过抛光法将所述氧化物薄膜层进行平面化。所 述蚀刻可以是光化学蚀刻(photochemical etching)，通过曝光制 版、显影、后，将要蚀刻区域的保护膜去除，在蚀刻时接触化学溶液， 达到溶解腐蚀的作用，形成凹凸或者镂空成型的效果。
如图3所示，在本发明的具体实施例中，还包括步骤S7、在所述 氧化物薄膜层上沉积导电层。
如图3所示，在本发明的具体实施例中，还包括：所述氧化物薄 膜层上形成有栅电极，其为形成晶体管的栅极170。在一具体的实施 例中。光电二极管有源区的表面裸露。导电层可以沉积在氧化膜110 上，通过蚀刻把不需要的部分用氧化膜110去除。导电层和或氧化膜 110可以保留在栅电极170的区域。
如图7所示，在本发明的具体实施例中，在所述栅电极的两侧形 成有浇口侧壁隔片180。
如图7所示，在本发明的具体实施例中，所述浇口侧壁隔片的截 面的形状为类直角梯形。
如图7所示，在本发明的具体实施例中，当所述N型离子掺杂区 的数量为多个时，每两个N型离子掺杂区之间形成有光电二极管区， 且所述光电二极管区的深度和所述N型离子掺杂区的深度一样。
在一些具体的实施例中，还通过形成光刻胶图案，使在半导体衬 底100上的有源区上的外延层和光电二极管区城裸露，并掩盖浮动扩 散区城。光电二极管200通过在有源区外延层上进行离子掺杂形成。 可以在N型离子掺杂区域150之间形成光电二极管200。后续的过程 来完成CMOS图像传感器。
根据本发明的一具体的实施例，提高光电二极管200边缘N型离 子的掺杂浓度，从而降低光电二极管200的电阻，传输电子的相对时 间也可以减少，即可以让电子从光电二极管200的相对深处和/或远 离传输门的区域产生并传送到示例中传输门。光产生的电子由于相对 缩短的寿命而导致产生的电子消失，而不将电子传输到传输栅极的情 况可以最小化。
根据示例制备的CMOS图像传感器的包括在其边缘部分具有相对 较低电阻的光电二极管；易于将电子传输的最小化时间的光电二极 管，该电子可以从光电二极管200的相对深处和/或远离传输门的区 域产生并传送到示例中传输门；光产生的电子由于相对缩短的寿命而 导致产生的电子消失，而不将电子传输到传输栅极的情况可以最小 化。
在本发明的另一个方面中，本发明还提供了一种CMOS图像传感 器，其为通过本发明所提供的传感器的制造方法制造而成。
通过本发明的图像传感器的制造方法，最大极限地减少了光产生 的电子消失的情况，同时还避免了将电子传输到栅极。使用本发明提 供的图像传感器的制造方法制造出来的图像传感器具有静态功耗极 低，电源电压范围宽，制造工艺简单，加工步骤少等优点。
由于篇幅有限，上述描述仅是对与本申请发明点密切相关的技术 内容，对于形成CMOS图像传感器的一些常规步骤没有做出详细描述， 但本领域技术人员在结合现有技术的基础上有能力将本申请与现有 技术的常规步骤进行结合，因此在此不再赘述。
从以上的描述中，可以看出，本申请上述的实施方式实现了如下 技术效果：
通过本发明的图像传感器的制造方法，最大极限地减少了光产生 的电子消失的情况，同时还避免了将电子传输到栅极。使用本发明提 供的图像传感器的制造方法制造出来的图像传感器具有静态功耗极 低，电源电压范围宽，制造工艺简单，加工步骤少等优点
对于本领域技术人员明显的是，可以在本发明中进行各种改进和 变化。因此本发明旨在覆盖由所附权利要求及其等同物范围内提供的 本发明的改进和变化。
Claims (10)
1.一种图像传感器的制造方法，包括：
S1、在半导体衬底上依次形成氧化物薄膜层和氮化物薄膜层；
S2、在所述半导体衬底、所述氧化物薄膜层和所述氮化物薄膜层中形成沟道，所述沟道贯穿所述半导体衬底、所述氧化物薄膜层和所述氮化物薄膜层；
S3、在所述沟道的侧壁上形成N型离子掺杂区；
S4、在所述N型离子掺杂区的侧壁上形成P型离子掺杂区，且所述P型离子掺杂区的深度比所述N型离子掺杂区的深度深；
S5、沉积所述氧化物薄膜层。
2.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，在步骤S1中，所述氮化物薄膜层上还形成有TEOS薄膜层。
3.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，步骤S5包括，沉积所述氧化物薄膜层，以使得所述沟道内填充有氧化物以形成隔离层。
4.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，在步骤S3中，所述N型离子掺杂区的数量为一个或多个。
5.根据权利要求4所述的制造方法，其特征在于，在步骤S4中，当所述N型离子掺杂区的数量为一个时，所述P型离子掺杂区位于所述N型离子掺杂区和所述沟道之间；当所述N型离子掺杂区的数量为多个时，所述P型离子掺杂区的数量和所述N型离子掺杂区的数量一样，且每个所述N型离子掺杂区的侧壁上都形成有一个P型离子掺杂区。
6.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，还包括：
S6、蚀刻所述氮化物薄膜层，并通过抛光法将所述氧化物薄膜层进行平面化。
7.根据权利要求6所述的制造方法，其特征在于，还包括：
S7、在所述氧化物薄膜层上沉积导电层。
8.根据权利要求6所述的制造方法，其特征在于，还包括：所述氧化物薄膜层上形成有栅电极，在所述栅电极的两侧形成有浇口侧壁隔片，所述浇口侧壁隔片的截面的形状为类直角梯形。
9.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，当所述N型离子掺杂区的数量为多个时，每两个N型离子掺杂区之间形成有光电二极管区，且所述光电二极管区的深度和所述N型离子掺杂区的深度一样。
10.一种图像传感器，其特征在于，其为通过权利要求1-11中的任一项所述的制造方法制造而成。
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|---|---|---|---|
| CN202011619502.4A CN112864181A (zh) | 2020-12-30 | 2020-12-30 | 一种图像传感器及其制造方法 |
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| CN1819234A (zh) * | 2004-12-28 | 2006-08-16 | 东部亚南半导体株式会社 | Cmos图像传感器及其制造方法 |
| CN1877847A (zh) * | 2005-06-07 | 2006-12-13 | 东部电子株式会社 | Cmos图像传感器及其制造方法 |
| CN101714524A (zh) * | 2008-10-06 | 2010-05-26 | 东部高科股份有限公司 | 图像传感器的制造方法 |
| CN103413816A (zh) * | 2013-08-14 | 2013-11-27 | 昆山锐芯微电子有限公司 | Cmos图像传感器的像素结构及其形成方法 |
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2020
- 2020-12-30 CN CN202011619502.4A patent/CN112864181A/zh active Pending
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