CN1877849A - Cmos图像传感器及其制造方法 - Google Patents

Cmos图像传感器及其制造方法 Download PDF

Info

Publication number
CN1877849A
CN1877849A CNA200610091221XA CN200610091221A CN1877849A CN 1877849 A CN1877849 A CN 1877849A CN A200610091221X A CNA200610091221X A CN A200610091221XA CN 200610091221 A CN200610091221 A CN 200610091221A CN 1877849 A CN1877849 A CN 1877849A
Authority
CN
China
Prior art keywords
depth
degree
region
photodiode
conduction type
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CNA200610091221XA
Other languages
English (en)
Inventor
黄�俊
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
DB HiTek Co Ltd
Original Assignee
Dongbu Electronics Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Dongbu Electronics Co Ltd filed Critical Dongbu Electronics Co Ltd
Publication of CN1877849A publication Critical patent/CN1877849A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144—Devices controlled by radiation
    • H01L27/146—Imager structures
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144—Devices controlled by radiation
    • H01L27/146—Imager structures
    • H01L27/14643—Photodiode arrays; MOS imagers
    • H01L27/14645—Colour imagers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144—Devices controlled by radiation
    • H01L27/146—Imager structures
    • H01L27/14683—Processes or apparatus peculiar to the manufacture or treatment of these devices or parts thereof
    • H01L27/14689—MOS based technologies

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)

Abstract

提供一种CMOS图像传感器及其制造方法。CMOS图像传感器包括：在第一导电率的半导体衬底中形成第一导电类型的外延层；在第一深度的外延层中形成第二导电类型的蓝色光电二极管区；与蓝色光电二极管区间隔开预定距离并且在外延层中以大于第一深度的第二深度形成第二导电类型的绿色光电二极管区；以及与绿色光电二极管区间隔开预定距离并且在外延层中以大于第二深度的第三深度形成的第二导电类型的红色光电二极管区。

Description

CMOS图像传感器及其制造方法
技术领域
本发明涉及CMOS图像传感器，更具体地，涉及具有改善的特性的CMOS图像传感器及其制造方法。
背景技术
通常，图像传感器是将光学图像转换为电信号的半导体器件。图像传感器分为电荷耦合器件(CCD)和互补金属氧化物硅(CMOS)图像传感器。
CCD包括将光信号转换为电信号和以矩阵形式排列的多个光电二极管，在光电二极管之间形成的多个垂直的电荷耦合器件，将光电二极管产生的电荷沿垂直方向传送，用于将来自垂直电荷耦合器件的电荷沿水平方向传送的水平电荷耦合器件，以及通过检测沿水平方向传送的电荷并输出电信号来输出电信号的读出放大器。
CCD的主要缺点是复杂的驱动方法和高功耗。并且，因为多层光刻工艺所以制造CCD的方法复杂。
另外，控制电路、信号处理电路、模拟/数字(A/D)转换器等难以与CCD集成在一起。这使得难以缩小采用CCD的产品的尺寸。
因此，开发出了CMOS图像传感器作为克服CCD缺陷的下一代图像传感器。
CMOS图像传感器是采用由MOS晶体管依次检测单元像素输出的开关方法的器件，MOS晶体管的数量与单元像素的数量一致。使用CMOS技术在半导体衬底上形成MOS晶体管，其中控制电路和信号处理电路使用外围电路。
即，在每个单元像素中形成光电二极管和MOS晶体管，从而CMOS图像传感器使用开关方法通过依次检测单元像素的电信号形成图像。
因为CMOS图像传感器使用CMOS制造技术，所以功耗较低，并且由于光刻工艺的数量减少了而简化了制造工艺。
在CMOS图像传感器中，因为控制电路、信号处理电路、A/D转换电路可以与CMOS图像传感器芯片集成在一起，所以可以缩小采用CMOS图像传感器的产品的尺寸。
因此，CMOS图像传感器已经广泛地用在各种应用中，例如，数字照相机和数字视频摄像机。
CMOS图像传感器根据晶体管的数量分为3T型、4T型、5T型等。3T型CMOS图像传感器包括一个光电二极管和三个晶体管，4T型CMOS图像传感器包括一个光电二极管和四个晶体管。
现在介绍3T型CMOS图像传感器的单元像素的等效电路和布局。
图1是现有技术的3T型CMOS图像传感器的单元像素的等效电路图，图2是3T型CMOS图像传感器单元的布局。
参考图1，3T型CMOS图像传感器包括单个光电二极管PD和三个NMOS晶体管T1、T2和T3。
光电二极管PD连接到第一NMOS晶体管T1的漏极和第二NMOS晶体管T2的栅极。
第一和第二NMOS晶体管T1和T2的源极连接到提供基准电压VR的电压线。第一NMOS晶体管T1的栅极连接到提供复位电压RST的复位线。
并且，第三NMOS晶体管T3的源极连接到第二NMOS晶体管T2的漏极，第三NMOS晶体管T3的漏极通过信号线连接到读出电路(未示出)，第三NMOS晶体管T3的栅极连接到提供选择信号SLCT的列选择线。
第一NMOS晶体管T1是复位累积在光电二极管PD中的光电荷(photocharge)的复位晶体管Rx，第二NMOS晶体管T2是作为源跟随器缓冲放大器的驱动晶体管Dx，第三NMOS晶体管T3是通过开关操作进行寻址的选择晶体管Sx。
参考图2，在3T型CMOS图像传感器的单元像素中，在有源区10的宽的部分中形成单个光电二极管20，形成三个晶体管的栅极电极120、130和140，在有源区10的其余部分中彼此重叠。
即，由栅极电极120形成复位晶体管Rx，由栅极电极130形成驱动晶体管Dx，由栅极电极140形成选择晶体管Sx。
在除栅极电极30(120)、40(130)和50(140)下的部分以外的晶体管的有源区10中掺杂杂质，由此形成每个晶体管的源极/漏极区。
因此，电源电压Vdd加到在复位晶体管Rx与驱动晶体管Dx之间的源极/漏极区，在选择晶体管Sx一侧的源极/漏极区连接到读出电路(未示出)。
栅极电极120、130和140连接到各自的信号线(未示出)。每个信号线具有连接到外部驱动电路的焊盘。
以下将介绍具有焊盘的各个信号线和随后的工艺。
图3A到3E是说明制造现有技术的CMOS图像传感器的方法的剖面图，沿图2的线III-III′。
参考图3A，在重掺杂的P++半导体衬底61上进行外延工艺，形成轻掺杂的P-外延层62。
形成的轻掺杂的P-外延层62具有4-7μm的厚度。
然后，在半导体衬底61中定义有源区和器件隔离区，并且在器件隔离区中使用STI或LOCOS工艺形成器件隔离层63。
依次在形成器件隔离层63的外延层62的整个表面上淀积栅极绝缘层64和导电层(例如，高浓度多晶硅层)。有选择地除去导电层和栅极绝缘层64，形成栅极电极65。
参考图3B，在所得到的包括栅极电极65的结构的整个表面上覆盖第一光致抗蚀剂层66，并使用曝光工艺和显影工艺构图，以覆盖光电二极管区并且露出每个晶体管的源极/漏极区。
使用构图的第一光致抗蚀剂层66作为掩模，n-杂质离子掺杂到露出的源极/漏极区中，形成n-扩散区67。
参考图3C，除去第一光致抗蚀剂层66。然后，在半导体衬底61的整个表面上涂覆第二光致抗蚀剂层68并使用曝光工艺和显影工艺构图，以露出蓝色、绿色和红色光电二极管区。
使用构图的第二光致抗蚀剂层68作为掩模，n-杂质离子掺杂到外延层62中，在光电二极管区中形成n-扩散区69。
通过以比源极/漏极区的n-扩散区67更高的能量掺杂杂质离子，更深地形成每个光电二极管区的n-扩散区69。
即，以较高的能量在深处形成n-扩散区，从而增加图像传感器的灵敏度。
并且，n-扩散区69是复位晶体管(图1和2中的Rx)的源极区。
同时，当反向偏置加在光电二极管的n-扩散区69与P-外延层62之间时，形成耗尽区。当复位晶体管关断时，由光产生的电子降低了驱动晶体管的电位。当复位晶体管关断然后导通时，电位降低，从而出现电压差。使用在信号处理中的电压差实现图像传感器的操作。
形成的n-扩散区69具有2-4μm的厚度，n-扩散区69是蓝色、绿色和红色光电二极管区，并具有相同的深度。
即，杂质离子以相同的离子注入能量注入到每个光电二极管区中，从而光电二极管区具有相同的深度。
参考图3D，在完全除去第二光致抗蚀剂层68之后，在半导体衬底61的整个表面上淀积绝缘层并进行回蚀工艺，以在栅极电极65的两个侧壁上形成栅极隔离物70。
在半导体衬底61的整个表面上涂覆第三光致抗蚀剂层71并通过曝光工艺和显影工艺构图，以覆盖光电二极管区并露出每个晶体管的源极/漏极区。
使用构图的第三光致抗蚀剂层71作为掩模，n+杂质离子掺杂到露出的源极/漏极区中，形成n+扩散区72。
参考图3E，除去第三光致抗蚀剂层71。在半导体衬底61的整个表面上涂覆第四光致抗蚀剂层73并使用曝光工艺和显影工艺构图，以露出每个光电二极管区。
使用构图的第四光致抗蚀剂层73作为掩模，p0杂质离子掺杂到形成n-扩散区69的光电二极管区中，由此在半导体衬底的表面中形成p0扩散区74。
然而，制造CMOS图像传感器的现有技术方法具有以下问题。
就形成相同深度的蓝色、绿色和红色光电二极管来说，由于硅晶格结构，从硅表面到蓝色(～0.5μm)、绿色(～2μm)和红色(～10μm)的贯入深度的差值较大。因此，因为不能够相对于蓝色和红色像素有效地操作，所以图像传感器的特性降低。
发明内容
因此，本发明涉及充分消除由于现有技术的限制和缺点引起的一个或多个问题的CMOS图像传感器及其制造方法。
本发明的目的是提供CMOS图像传感器及其制造方法，能够通过考虑由于三基色的波长差值引起的硅晶格结构的不同贯入深度形成各个颜色光电二极管，改善图像传感器的特性。
在随后的介绍中将部分地阐述本发明的其它优点、目的和特色，并且一部分对于本领域的普通技术人员在随后的检验时或通过本发明的实践将变得显而易见。通过在书面的介绍及其权利要求以及附图中详细指出的结构可以实现并获得本发明的目的和其它优点。
为了实现这些目的和其它优点并且根据本发明的目的，如在此具体和宽泛描述的，提供CMOS图像传感器，包括：在第一导电率的半导体衬底中形成的第一导电类型的外延层；在外延层中以第一深度形成的第二导电类型的蓝色光电二极管区；与蓝色光电二极管区间隔开预定距离并且在外延层中以大于第一深度的第二深度形成的第二导电类型的绿色光电二极管区；以及与绿色光电二极管区间隔开预定距离并且在外延层中以大于第二深度的第三深度形成的第二导电类型的红色光电二极管区。
在本发明的另一个方面中，提供制造具有蓝色、绿色和红色光电二极管区的CMOS图像传感器的方法，包括：外延生长第一导电类型的半导体衬底，以在半导体衬底的表面中形成第一导电类型的外延层；在外延区的预定部分中掺杂第二导电类型的杂质离子，以形成具有第一深度的蓝色光电二极管区；在外延区的预定部分中掺杂第二导电类型的杂质离子，以形成与蓝色光电二极管区间隔开预定距离并具有大于第一深度的第二深度的绿色光电二极管区；以及在外延区的预定部分中掺杂第二导电类型的杂质离子，以形成与绿色光电二极管区间隔开预定距离并具有大于第二深度的第三深度的红色光电二极管区。
应当理解，本发明的上述一般说明及其后的详细说明是示例性和说明性的，是用来提供所要求的本发明的进一步说明。
附图说明
为了提供对本发明更进一步的理解而包括并且引入并构成本申请的一部分的附图，阐明本发明的实施例并说明书一起用来解释本发明的原理。在附图中：
图1是现有技术的3T型CMOS图像传感器的等效电路图；
图2是现有技术的3T型CMOS图像传感器的单元像素的布局；
图3A到3E是沿图2的线III-III′的剖面图，说明了制造现有技术的CMOS图像传感器的方法；
图4是根据本发明的实施例的CMOS图像传感器的光电二极管的剖面图；以及
图5A到7B是沿图2的线III-III′的剖面图，说明制造根据本发明的实施例的CMOS图像传感器的方法。
具体实施方式
现在详细地参考本发明的优选实施例，在附图中说明了其例子。只要可能，在全部附图中将用相同的参考数字表示相同或相似的部件。
在下文中，将参考附图详细介绍根据本发明的CMOS图像传感器及其制造方法。
图4是根据本发明的CMOS图像传感器的光电二极管的剖面图。
参考图4，CMOS图像传感器具有红色、绿色和红色光电二极管区。在P++半导体衬底101内形成P-外延层102。在外延层102内形成具有1μm或更小的深度的第一n-型掺杂区109a。在外延层102内与第一n-型掺杂区109a间隔开预定距离形成第二n-型掺杂区109b并具有2-4μm的深度。在外延层102内与第二n-型掺杂区109b间隔开预定距离形成第三n-型掺杂区109c并具有3-6μm的深度。在第一到第三n-型掺杂区109a、109b和109c内形成具有不同深度的第一到第三p0掺杂区116a、116b和116c。
第一n-型掺杂区109a、第二n-型掺杂区109b和第三n-型掺杂区109c分别是蓝色光电二极管区、绿色光电二极管区和红色光电二极管区。
并且，形成的第一p0掺杂区116a具有小于0.3μm的深度，形成的第三p0掺杂区116c具有0.3-1.0μm的深度。
形成的外延层102具有4-7μm的厚度。
图5A到7B是沿图2的线III-III′的剖面图，说明制造根据本发明的CMOS图像传感器的方法。
参考图5A，在由第一P++单晶硅形成的半导体衬底101中通过外延工艺形成第一导电类型的P-外延层102。
在外延层102中，在光电二极管中大量地和强烈地形成耗尽区，从而增加低压光电二极管累积光电荷的能力并改善光灵敏度。
同时，在n型衬底中形成p型外延层。
形成的P-外延层102具有4-7μm的厚度B。
形成器件隔离层103以隔离在形成外延层102的半导体衬底101中的元件。
虽然未示出，但是以下将介绍形成器件隔离层103的方法。
首先，在半导体衬底上依次形成焊盘氧化物层、焊盘氮化物层和正硅酸乙酯(TEOS)氧化物层，并在TEOS氧化物层上形成光致抗蚀剂层。
然后，使用定义有源区和器件隔离区的掩模，使用曝光工艺和显影工艺构图光致抗蚀剂层。在此，除去在器件隔离区中形成的光致抗蚀剂层。
使用构图的光致抗蚀剂层作为掩模有选择地除去在器件隔离区中形成的焊盘氧化物层、焊盘氮化物层和TEOS氧化物层。
接着，使用构图的焊盘氧化物层、焊盘氮化物层和TEOS氧化物层作为掩模，蚀刻在器件隔离区中的半导体衬底到预定深度，以形成沟槽。然后，除去所有的光致抗蚀剂层。
在形成沟槽的半导体衬底的整个表面上薄薄地形成牺牲氧化物层。形成O3TEOS层填充沟槽。也在沟槽的内壁中形成牺牲氧化物层，并且在大约1000℃或更高的温度下形成O3TEOS层。
使用化学机械抛光(CMP)除去O3TEOS层，因此仅在沟槽区域中保留，由此在沟槽内形成器件隔离层103。然后，除去焊盘氧化物层、焊盘氮化物层和TEOS氧化物层。
依次在形成器件隔离层的外延层102的整个表面上形成栅极绝缘层104和导电层(例如，高浓度多晶硅层)。
可以使用热氧化工艺或CVD工艺形成栅极绝缘层104。
有选择地除去导电层和栅极绝缘层，形成栅极电极105。
参考图5B，在所得到的包括栅极电极105的结构的整个表面上涂覆第一光致抗蚀剂层106，并使用曝光工艺和显影工艺构图，以覆盖光电二极管区并且露出每个晶体管的源极/漏极区。
使用构图的第一光致抗蚀剂层106作为掩模，第二导电类型的n-杂质离子掺杂到露出的源极/漏极区中，形成n-扩散区107。
参考图5C，除去所有的第一光致抗蚀剂层106。然后，在半导体衬底101的整个表面上涂覆第二光致抗蚀剂层108并使用曝光工艺和显影工艺构图，以露出蓝色光电二极管区。
使用构图的第二光致抗蚀剂层108作为掩模，第二导电类型的n-杂质离子掺杂到外延层102中，以在蓝色光电二极管区中形成第一n-扩散区109a。
在蓝色光电二极管区中形成的第一n-扩散区109a从表面开始的深度A1为大约1μm或更小。
参考图6A，在完全除去第二光致抗蚀剂层108之后，在半导体衬底101的整个表面上涂覆第三光致抗蚀剂层110并使用曝光工艺和显影工艺构图，以露出绿色光致抗蚀剂区域。
使用构图的第三光致抗蚀剂层110作为掩模，第二导电类型的n-杂质离子掺杂到外延层102中，以在绿色光电二极管区中形成第二n-扩散区109b。
在绿色光电二极管区中形成的第二n-扩散区109a从表面开始的深度A2为2-4μm。
参考图6B，在除去第三光致抗蚀剂层110之后，在半导体衬底101的整个表面上涂覆第四光致抗蚀剂层111并使用曝光工艺和显影工艺构图，以露出红色光电二极管区。
使用构图的第四光致抗蚀剂层111作为掩模，n-杂质离子掺杂到外延区102中，以在红色光电二极管区的表面中形成第三n-扩散区109c。
在红色光电二极管区中形成的第三n-扩散区109c从表面开始的深度A3为3-6μm。
以比源极/漏极区的n-扩散区107更高的能量更深地形成每个光电二极管区的第一到第三n-扩散区109a、109b和109c。
参考图5D，在完全除去第四光致抗蚀剂层111之后，在半导体衬底101的整个表面上淀积绝缘层并进行回蚀工艺，以在栅极电极105的两个侧壁上形成栅极隔离物112。
在形成栅极隔离物112的半导体衬底101的整个表面上涂覆第五光致抗蚀剂层113，并通过曝光工艺和显影工艺构图，以覆盖光电二极管区并且露出每个晶体管的源极/漏极区。
使用构图的第五光致抗蚀剂层113作为掩模，n+杂质离子掺杂到露出的源极/漏极区中，形成n+扩散区114。
参考图5E，除去第五光致抗蚀剂层113。在半导体衬底101的整个表面上涂覆第六光致抗蚀剂层115并使用曝光工艺和显影工艺构图，以露出每个光电二极管区。
使用构图的第六光致抗蚀剂层115作为掩模，p0杂质离子掺杂到形成第一n-扩散区109a的光电二极管区中，由此在半导体衬底的表面中形成第一p0扩散区116a。
第一p0扩散区116a的深度为0.3μm或更小。
参考图7A，除去第六光致抗蚀剂层115。在半导体衬底101的整个表面上涂覆第七光致抗蚀剂层117并使用曝光工艺和显影工艺构图，以露出每个光电二极管区。
使用构图的第七光致抗蚀剂层117作为掩模，p0杂质离子掺杂到形成第二n-扩散区109b的光电二极管区中，由此在半导体衬底的表面中形成第二p0扩散区116b。
参考图7B，除去第七光致抗蚀剂层117。在半导体衬底101的整个表面上涂覆第八光致抗蚀剂层118并使用曝光工艺和显影工艺构图，以露出每个光电二极管区。
使用构图的第八光致抗蚀剂层118作为掩模，p0杂质离子掺杂到形成第三n-扩散区109c的光电二极管区中，由此在半导体衬底的表面中形成第三p0扩散区116c。
第三p0扩散区116c的深度为0.3-1.0μm。
根据本发明的CMOS图像传感器及其制造方法具有以下效果。
通过考虑光能量的贯入深度形成不同深度的蓝色、绿色和红色光电二极管区改善图像传感器的特性。
在本发明中进行多种改进和变化对于本领域的技术人员是显而易见的。由此，本发明意图覆盖本发明提供的改进和变化，将它们纳入附带的权利要求书及其等同范围之内。

Claims (16)

1.一种CMOS(互补金属氧化物硅)图像传感器，包括：
在第一导电率的半导体衬底中形成的第一导电类型的外延层；
在外延层中以第一深度形成的第二导电类型的蓝色光电二极管区；
与蓝色光电二极管区间隔开预定距离并且在外延层中以大于第一深度的第二深度形成第二导电类型的绿色光电二极管区；以及
与绿色光电二极管区间隔开预定距离并且在外延层中以大于第二深度的第三深度形成的第二导电类型的红色光电二极管区。
2.根据权利要求1的CMOS图像传感器，其中第一深度是1μm或更小。
3.根据权利要求1的CMOS图像传感器，其中第二深度在2μm和4μm之间。
4.根据权利要求1的CMOS图像传感器，其中第三深度在3μm和6μm之间。
5.根据权利要求1的CMOS图像传感器，还包括在形成蓝色、绿色和红色光电二极管区的外延层的表面中具有不同深度的第一导电类型的掺杂区。
6.根据权利要求5的CMOS图像传感器，其中在蓝色光电二极管区中形成的第一导电类型的掺杂区具有0.3μm或更小的深度。
7.根据权利要求5的CMOS图像传感器，其中在红色光电二极管区中形成的第一导电类型的掺杂区具有在0.3μm和1.0μm之间的深度。
8.根据权利要求5的CMOS图像传感器，其中外延层具有在4μm和7μm之间的厚度。
9.一种制造具有蓝色、绿色和红色光电二极管区的CMOS图像传感器的方法，包括：
外延生长第一导电类型的半导体衬底，以在半导体衬底的表面中形成第一导电类型的外延层；
在外延区的预定部分中掺杂第二导电类型的杂质离子，以形成具有第一深度的蓝色光电二极管区；
在外延区的预定部分中掺杂第二导电类型的杂质离子，以形成与蓝色光电二极管区间隔开预定距离并具有大于第一深度的第二深度的绿色光电二极管区；以及
在外延区的预定部分中掺杂第二导电类型的杂质离子，以形成与绿色光电二极管区间隔开预定距离并具有大于第二深度的第三深度的红色光电二极管区。
10.根据权利要求9的方法，其中形成的蓝色光电二极管区具有1μm或更小的深度。
11.根据权利要求9的方法，其中形成的绿色光电二极管区具有在2μm与4μm之间的深度。
12.根据权利要求9的方法，其中形成的红色光电二极管区具有在3μm与6μm之间的深度。
13.根据权利要求9的方法，还包括在以不同深度形成蓝色、绿色和红色光电二极管区的外延区中形成第一导电类型的掺杂区。
14.根据权利要求13的方法，其中在蓝色光电二极管区中形成的第一导电类型的掺杂区具有0.3μm或更小的深度。
15.根据权利要求13的方法，其中在红色光电二极管区中形成的第一导电类型的掺杂区具有在0.3μm与1.0μm之间的深度。
16.根据权利要求9的方法，其中形成的外延层具有在4μm与7μm之间的厚度。
CNA200610091221XA 2005-06-07 2006-06-07 Cmos图像传感器及其制造方法 Pending CN1877849A (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020050048484 2005-06-07
KR1020050048484A KR100685892B1 (ko) 2005-06-07 2005-06-07 씨모스 이미지 센서 및 그 제조방법

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN1877849A true CN1877849A (zh) 2006-12-13

Family

ID=37493295

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CNA200610091221XA Pending CN1877849A (zh) 2005-06-07 2006-06-07 Cmos图像传感器及其制造方法

Country Status (3)

Country Link
US (1) US7611918B2 (zh)
KR (1) KR100685892B1 (zh)
CN (1) CN1877849A (zh)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN100576511C (zh) * 2006-12-27 2009-12-30 东部高科股份有限公司 Cmos图像传感器的制造方法

Families Citing this family (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100875163B1 (ko) * 2007-06-26 2008-12-22 주식회사 동부하이텍 수직형 씨모스 이미지 센서 제조 방법
KR101152389B1 (ko) * 2007-09-13 2012-06-05 삼성전자주식회사 이미지 센서와 그 제조 방법
JP2009158569A (ja) * 2007-12-25 2009-07-16 Seiko Instruments Inc 光検出半導体装置、光検出装置、及び画像表示装置
GB2497084A (en) * 2011-11-29 2013-06-05 Hiok Nam Tay Image sensor array comprising two diagonal blue filters and having shallow and deep photo detector regions.
US8883524B2 (en) * 2013-03-14 2014-11-11 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Methods and apparatus for CMOS sensors
TW201501276A (zh) * 2013-06-20 2015-01-01 Upi Semiconductor Corp 具有多個光感測器之光感測晶片及其製造方法
KR102132351B1 (ko) 2013-10-25 2020-07-09 삼성전자 주식회사 이미지 센서와 이를 포함하는 장치
CN106024822B (zh) * 2016-07-22 2019-10-25 上海华力微电子有限公司 具有双外延层结构的cmos图像传感器及其制造方法

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0818093A (ja) * 1994-06-30 1996-01-19 Sony Corp 半導体受光素子及び半導体装置並びにそれらの作製方法
US5965875A (en) * 1998-04-24 1999-10-12 Foveon, Inc. Color separation in an active pixel cell imaging array using a triple-well structure
KR100399951B1 (ko) * 1998-12-30 2003-12-18 주식회사 하이닉스반도체 칼라이미지센서제조방법
KR20020064890A (ko) 1999-11-10 2002-08-10 다카라 바이오 가부시키가이샤 핀 및 링 방식에 의한 시료 용액의 스폿팅 장치
KR20040036087A (ko) * 2002-10-23 2004-04-30 주식회사 하이닉스반도체 광의 파장에 따라 포토다이오드의 깊이가 다른 씨모스이미지센서 및 그 제조 방법
KR100498261B1 (ko) 2002-10-28 2005-06-29 한국생산기술연구원 열차의 전두부 구조

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN100576511C (zh) * 2006-12-27 2009-12-30 东部高科股份有限公司 Cmos图像传感器的制造方法

Also Published As

Publication number Publication date
KR20060127476A (ko) 2006-12-13
KR100685892B1 (ko) 2007-02-26
US7611918B2 (en) 2009-11-03
US20060273349A1 (en) 2006-12-07

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN1877849A (zh) Cmos图像传感器及其制造方法
CN1819225A (zh) Cmos图像传感器及其制造方法
CN1652343A (zh) 固态图像拾取装置
CN1992321A (zh) Cmos图像传感器及其制造方法
CN1835245A (zh) 嵌有光电二极管区的图像传感器及其制造方法
CN1877847A (zh) Cmos图像传感器及其制造方法
CN1877846A (zh) 固体摄像装置、摄像机以及固体摄像装置的制造方法
CN1812112A (zh) 具有非平面晶体管的固态图像传感器设备及其制造方法
CN1471311A (zh) 固体摄象装置和用固体摄象装置的摄象机系统
CN1819242A (zh) Cmos图像传感器及其制造方法
CN1992313A (zh) 图像传感器及其制造方法
CN1848443A (zh) 图像传感器及其制造方法
CN1881603A (zh) 互补金属氧化物半导体图像感测器以及其制造方法
CN1819234A (zh) Cmos图像传感器及其制造方法
CN1992224A (zh) 互补金属氧化物半导体图像传感器的制造方法
CN1897254A (zh) Cmos图像传感器及其制造方法
CN1885551A (zh) 半导体集成电路器件及其制备方法
WO2021117523A1 (ja) 固体撮像素子及び電子機器
CN1992319A (zh) Cmos图像传感器及其制造方法
CN1941394A (zh) Cmos图像传感器及其制造方法
CN1992210A (zh) Cmos图像传感器及其制造方法
CN1917175A (zh) Cmos图像传感器及其制造方法
CN1992317A (zh) Cmos图像传感器及其制造方法
CN1842916A (zh) 固体摄像装置、其制造方法及使用它的摄像机
CN1744323A (zh) 用于制造cmos图像传感器的方法

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C02 Deemed withdrawal of patent application after publication (patent law 2001)
WD01 Invention patent application deemed withdrawn after publication