CN1873848A - 用于超导磁体的热屏蔽的装置 - Google Patents
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Abstract
一种用于超导磁体的热屏蔽包括环形的屏蔽体。该屏蔽体包括大约在70K时热传导性大于约1000W/m·K的材料。
Description
技术领域
本发明涉及一种热屏蔽,更具体地,涉及一种例如磁共振成像系统(MRI)中用于超导磁体的热屏蔽。
背景技术
因为MRI扫描产生软组织的详细图像,MRI系统在医学成像应用中普遍使用。MRI系统通过激发对象内选定偶极子和接收偶极子发出的磁共振信号产生图像。为了促使对象内选定偶极子产生激发,需要强均匀磁场。该强均匀磁场可以通过超导磁体线圈产生。
超导磁体线圈在低温温度下运行,因此需要自动冷却系统。冷却系统一般需要致冷剂或制冷剂,例如液氦,以实现低温温度。然而,致冷剂不是丰富的并且经常增加MRI系统致冷器部分主要成本。这样,需要使超导磁体线圈热隔离到最大可能程度以减少冷却要求。
为了热隔离超导磁体线圈,热屏蔽配置在超导磁体线圈周围。铝合金一般用作热屏蔽。铝被认为是有优势的,因为其具有包括低密度和轻重量,同时保持好的强度和热传导特性。然而,铝的劣势是其有高电导性。当磁体变为正常或弱化时,高电导性产生大的机械应力。另外,铝热屏蔽易受场不稳定性的影响,其会降低通过MRI系统获得的图像质量。
两类场不稳定,即梯度和振动导致的场不稳定,通过在热屏蔽产生降低图像质量的涡流而影响铝热屏蔽。振动导致的场不稳定是由冷却引擎(冷冻头)、环境激发(environmental excitation)和梯度脉冲引起的振动造成的。这样的振动产生涡流,其降低图像质量并且是复杂的,高代价方可避免。梯度导致的场不稳定是在梯度脉冲期间产生的磁场的结果,其可以造成图像假象。
因此,值得改进已存工艺而设计热屏蔽。
发明内容
本发明的示范性实施例包括超导磁体热屏蔽。超导磁体热屏蔽包括环形的屏蔽体。该屏蔽体包括大约在70K时热传导性大于约1000W/m·K的材料。
本发明的进一步示范性实施例包括通过致冷剂屏蔽和冷却超导磁体线圈的屏蔽系统。该屏蔽系统包括致冷剂容器,热屏蔽和真空容器。致冷剂容器包含致冷剂并且设置靠近超导磁体线圈以围起超导磁体线圈。热屏蔽包括屏蔽体,其包括在大约70K时具有大于约1000W/m·K的热传导性的材料。热屏蔽设置靠近致冷剂容器以围起致冷剂容器,真空容器设置靠近热屏蔽以围起热屏蔽。
本发明的更进一步示范性实施例包括超导磁体热屏蔽。该热屏蔽包括具有环状和覆层的屏蔽体。覆层包括一种大约在70K时热传导性大于约1000W/m·K的材料。该覆层设置在屏蔽体表面。
通过阅读下面描述并结合附图,该发明上述以及其它目的、特征和优点将显而易见,其中类似的参考数字标示类似的元件。
附图说明
现在参考附图,其中几副图中的类似元件以类似数字表示:
图1显示了根据示范性实施例的屏蔽系统的剖视图;
图2显示了根据示范性实施例的复合热屏蔽的剖视图;和
图3显示了图2的复合热屏蔽的联接部分的扩展视图。
元件列表
10 | 屏蔽系统 |
12 | 超导磁体线圈 |
14 | 氦容器 |
16 | 低温热屏蔽 |
18 | 高温热屏蔽 |
20 | 真空容器 |
24 | 冷冻头套管 |
26 | 热连接件 |
28 | 贯串器 |
40 | 复合热屏蔽 |
41 | 屏蔽体 |
42 | 第一侧壁 |
44 | 第二侧壁 |
46 | 第三侧壁 |
48 | 第四侧壁 |
50 | 次构件 |
54 | 中间支撑环 |
58 | 角支撑环 |
60 | 螺杆 |
64 | 高热传导环氧树脂 |
70 | 铝带 |
具体实施方式
图1显示根据示范性实施例的屏蔽系统剖视图。用于超导磁体线圈12的屏蔽系统10包括氦容器14(或致冷剂容器),低温热屏蔽16,高温热屏蔽18和真空容器20。屏蔽系统10围绕成像空间(未示出)延伸以形成围绕成像空间外围的环形。超导磁体线圈12,氦容器14,低温热屏蔽16,高温热屏蔽18和真空容器20每一个类似地绕成像空间外围延伸成环形。
超导磁体线圈12可以是任何适合本领域的已知的超导线圈。氦容器14设置靠近超导磁体线圈12以围起超导磁体线圈12。氦容器14以低温致冷剂,例如液氦填充。低温致冷剂向超导磁体线圈12提供冷却以允许超导磁体线圈12在低温温度实现超导特性。在这个示范性实施例中,氦容器14具有中空的矩形棱柱并延伸形成环形,不过,任何适合的形状都是可以想像的。
低温热屏蔽16设置靠近氦容器14以围起氦容器14。高温热屏蔽18设置靠近低温热屏蔽16以围起低温热屏蔽16。低和高温热屏蔽16和18功能在于使超导磁体线圈12绝热以减少对低温致冷剂的要求。低和高温热屏蔽16和18的形状基本上相似于氦容器14的形状。尽管图1显示了两个热屏蔽,应该指出根据屏蔽系统10的运行要求可以采用更多或者更少的热屏蔽。
低和高温热屏蔽16和18均与冷冻头套管24的一部分有热接触。在示范性实施例中,低和高温热屏蔽16和18均可以与冷冻头套管24有物理接触。可选择地,热连接件26可以在低和高温热屏蔽16和18与冷冻头套管24之间提供热接触。
冷冻头套管24为冷却低和高温热屏蔽16和18提供一种方式。在示范性实施例中,冷却引擎(未示出)向低和高温热屏蔽16和18提供冷却,用以冷却低和高温热屏蔽16和18到大约45K至大约70K的温度,其响应于热屏蔽的传导性而变化。冷却引擎可以是,例如,斯特林或脉冲管类型,但是不局限于任何特定引擎。屏蔽系统10可以有选择地包括多个冷冻头套管24,如图1所示。冷冻头套管24可以包括与低温致冷剂处于热传递中的再凝器(recondenser)28。
真空容器20设置靠近高温热屏蔽18以围起高温热屏蔽18并保持真空容器20内部对于真空容器20外部基本是真空。真空容器20的形状基本上相似于低和高温热屏蔽16和18以及氦容器14的形状。
示范性实施例中,贯串器28穿过真空容器20,高温热屏蔽18,低温热屏蔽16和氦容器14。贯串器28提供管道以通过用以与超导磁体线圈12电通信的线路,或者提供仪器以监视超导磁体线圈12的特性。贯串器28可以包括向低和高温热屏蔽16和18提供热传递的热连接件26。
示范性实施例中,低和高温热屏蔽16和18每一个都是复合热屏蔽40(见图2)。可选择地,低和高温热屏蔽16和18其中之一可以是复合热屏蔽40,而另外一个是常规热屏蔽。另外,如果屏蔽系统10包括多个热屏蔽,应该明白可以采用常规热屏蔽与复合热屏蔽40的任何组合。
图2显示了根据示范性实施例的复合热屏蔽40的剖视图。根据该示范性实施例的复合屏蔽层40,采用了围绕成像空间周围环形延伸的中空矩形棱柱形状,不过可以采用任何适合的形状。复合热屏蔽40包括具有第一侧壁42,第二侧壁44,第三侧壁46和第四侧壁48的屏蔽体41。从第一侧壁42到第四侧壁48中的每一侧壁都是由复合材料制成,以下对其详细描述。当观察横截面时,第一侧壁42基本上设置垂直于第三侧壁46和第四侧壁48。第三侧壁46和第四侧壁48的端部设置靠近第一侧壁42的相对端部,这样第三侧壁46和第四侧壁48基本上相互平行且相互面对。第二侧壁44基本上设置垂直于第三侧壁46和第四侧壁48。第二侧壁44设置靠近第三侧壁46和第四侧壁48各自的相对端部,这样第二侧壁44基本上平行于第一侧壁42且面对于第一侧壁42。第一侧壁42到第四侧壁48限定容纳空间以容纳如超导磁体线圈12,氦容器14或其它热屏蔽。
示范性实施例中,第一侧壁42和第二侧壁44各自包括次构件50。尽管图中显示了用于第一侧壁42和第二侧壁44中每一个的两个次构件50,应该明白可以采用额外的次构件50。每一个次构件50形成第一侧壁42和第二侧壁44的相对端部。另外,每一个次构件50的相邻端部通过中间支撑环54联接。中间支撑环54绕复合热屏蔽40的内部延伸以密封每个次构件50之间的联接处。
第一侧壁42到第四侧壁48的每一侧壁之间的联接处被角支撑环58密封。每一角支撑环58绕复合热屏蔽40内部延伸以密封第一侧壁42到第四侧壁48的每一侧壁之间的联接处。
图3显示了图2中复合热屏蔽40的联接部“A”的扩展视图。图3显示了第一侧壁42和第四侧壁48之间的联接部“A”,不过其它结合部彼此基本一致。第一侧壁42和第四侧壁48被角支撑环58密封。螺杆60可以通过第一侧壁42和第四侧壁48各自的孔接合角支撑环58。另外,高热传导环氧树脂64可以设置在第一侧壁42和第四侧壁48之间,其位于第一侧壁42和第四侧壁48接触的位置。
用于制造第一侧壁42和第四侧壁48中的每一侧壁的复合材料因为相对于铝和铝合金低密度,高热传导性和低电传导性而被选用。例如,可以使用热解石墨(TPG)和热解氮化硼(PBN)。选用复合材料在约70K时具有大于约1000W/m·K的热传导性。由于铝具有约300W/m·K的热传导性,热屏蔽的厚度可以减少3倍并且仍然实现相对于铝屏蔽层相似的热特性。选用复合材料具有在约3×10-6Ωm到约3×10-3Ωm范围内的电阻特性。由于复合材料与常规热屏蔽比较有高电阻特性,具有高电阻特性的热屏蔽感应的涡流可以忽略。这样,振动和梯度线圈(gradient coil)导致的场不稳定是可以忽略的。选用复合材料具有低于约2.4g/cm3或者低于铝约10%的密度,因此减轻了热屏蔽的重量。
面向氦容器14的复合热屏蔽40的表面必须具有辐射控制以减少从复合热屏蔽40到氦容器14的热辐射。为了实现辐射控制,高传导铝带70可以应用到复合热屏蔽40的内表面。
如上所述,可以采用复合热屏蔽40与常规热屏蔽的任何组合。另外,可以设置常规热屏蔽与复合热屏蔽40接触并将其围起。可选择地,常规热屏蔽可以覆盖TPG或PBN以提供改进的特性。进一步地,TPG或PBN覆层厚度可以变化以优化热梯度和平均屏蔽温度减少。
另外,以示范性实施例为参考描述了本发明,但是,在不脱离本发明的范围的前提下,本领域的技术人员将理解可以产生各种变型,并且等同物可以替代有关元件。另外,可以做许多修改使得特殊情形或材料适应于本发明内容,并且不脱离其本质范围。因此,该发明意图不是局限于作为实现本发明最佳预期模式而被公开的特殊实施例,而是该发明将包括落入所附的权利要求范围内的所有实施例。而且,使用术语第一,第二等不表示任何次序或重要性,而是术语第一,第二等用来区别一个元件和另一个元件。此外,使用术语“一”等不表示数量限制,而是表明至少存在一个参考物件。
Claims (10)
1.一种用于超导磁体的热屏蔽(40),所述热屏蔽(40)包括:
屏蔽体(41),其具有环形形状,并且包括大约在70K时热传导性大于约1000W/m·K的材料。
2.根据权利要求1所述的热屏蔽(40),其特征在于:所述的屏蔽体(41)包括具有在大约3×10-6Ωm到大约3×10-3Ωm范围内电阻特性的材料。
3.根据权利要求1所述的热屏蔽(40),其特征在于:所述的屏蔽体(41)包括具有小于大约2.4g/cm3的密度的材料。
4.根据权利要求1所述的热屏蔽(40),其特征在于:所述的屏蔽体(41)包括热解石墨和热解氮化硼中的至少一种。
5.根据权利要求1所述的热屏蔽(40),其特征在于:所述的屏蔽体(41)包括:
第一侧壁(42);
第二侧壁(44),其基本上平行于第一侧壁(42)设置,且面对第一侧壁(42);
第三侧壁(46),其基本上垂直于第一和第二侧壁(42,44)设置,并且在第一和第二侧壁(42,44)的相应边沿之间延伸;和
第四侧壁(48),其基本上平行于第三侧壁(46)设置,并且在第一和第二侧壁(42,44)的相应相对边沿之间延伸。
6.根据权利要求5所述的热屏蔽(40),其特征在于:第一,第二,第三和第四侧壁(48)通过机械联接相互连接。
7.根据权利要求6所述的热屏蔽(40),其特征在于:所述机械联接包括设置在每一个机械联接内部的支撑环(54,58)。
8根据权利要求7所述的热屏蔽(40),其特征在于:所述机械联接包括高热传导环氧树脂(64)。
9.根据权利要求5所述的热屏蔽(40),其特征在于:所述第一和第二侧壁(42,44)均包括第一和第二次构件。
10.根据权利要求9所述的热屏蔽(40),其特征在于:所述第一和第二次构件(50)均通过支撑环(54,58)连接。
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