CN1852778A - 用于将清洗液喷洒在基底上的方法和装置 - Google Patents

用于将清洗液喷洒在基底上的方法和装置 Download PDF

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Abstract

一种用于将清洗液喷洒在基底上的装置和方法，其中所述清洗液通过一个喷嘴阵列基本喷洒在靠近基底的中心处并且通过第二喷嘴阵列喷洒在穿越所述基底的径向范围。因此，所述装置包括：第一喷嘴阵列，其包括至少一个喷嘴并被构造成将所述清洗液基本喷洒在靠近所述基底的中心处；第一控制阀，其耦合到所述第一喷嘴阵列并被构造成开动通过所述第一喷嘴阵列的所述清洗液的第一流速；第二喷嘴阵列，其包括多个喷嘴并被构造成将所述清洗液喷洒在穿越所述基底的径向范围；和第二控制阀，其耦合到所述第二喷嘴阵列并被构造成开动通过所述第二喷嘴阵列的所述清洗液的第二流速。

Description

用于将清洗液喷洒在基底上的方法和装置
技术领域
本发明涉及一种用于将清洗液喷洒在基底上的方法和装置，并且，更具体地，涉及一种用于将清洗液喷洒在基底上以有效地去除抗蚀剂缺陷同时防止对基底的化学损坏的方法和装置。
背景技术
在材料加工方法中，图案蚀刻包括在蚀刻中为了提供用于将图案转移到基底上的掩膜，将光敏材料诸如光致抗蚀剂的薄层应用到随后形成图案的基底的上表面。该光敏材料的图案制作大致包括将光敏材料的薄膜涂覆在基底的上表面，利用例如微平板印刷系统通过刻线(和相关联的光学器件)将光敏材料薄膜暴露到辐射源下，随后是显影过程，其中进行光敏材料受辐射的区域的移除(如在正性光致抗蚀剂的情况下)，或者利用显影溶剂进行没有受辐射区域的移除(如在负性抗蚀剂的情况下)。
如半导体制造领域的技术人员所知，图案掩膜的成形可以导致包括基底缺陷、光敏材料中的缺陷和导致图案膜的成形的多个处理步骤中的任何一个中的缺陷的大量缺陷。例如美国专利5,938,857号中描述了用于半导体器件的制造的清洗和干燥过程以及颗粒保持的问题和缺陷的产生，其所有内容通过参考文献包括在这里。此外，待决美国申请US 2003/0044731号的所有内容通过参考文献包括在这里，其也描述了抗蚀剂缺陷的问题。
在形成图案掩膜中招致的缺陷通常和保持在图案掩膜和/或基底上的残留污染物一样明显。因此，在用于形成图案掩膜的全部过程之后需要清洁的步骤，其中为了去除抗蚀剂缺陷将清洗液喷洒在基底上。但是，目前的发明者已经发现传统的清洗系统和方法或者不能对抗蚀剂缺陷提供充分的移除，或者会引起对基底的损坏。
发明内容
本发明的一个目的是提供一种用于清洗基底的方法和装置，其克服或者减少传统清洗系统的问题。
本发明的另一个目的是提供一种用于清洗基底的方法和装置，其对抗蚀剂缺陷的提供了充分的移除，同时使基底缺陷的形成最小化。
因此，在本发明的一个方面中，用于将清洗液喷洒在基底上的清洗液喷嘴组件包括：第一喷嘴阵列，其包括至少一个喷嘴并被构造成将清洗液基本喷洒在靠近基底的中心处；第一控制阀，其具有耦合到第一喷嘴阵列的第一出口端并被构造成开动通过第一喷嘴阵列的清洗液的第一流速；第二喷嘴阵列，其包括多个喷嘴并被构造成将清洗液喷洒在穿越基底的径向范围；第二控制阀，其具有耦合到第二喷嘴阵列的第二出口端并被构造成开动通过第二喷嘴阵列的清洗液的第二流速；和控制器，其耦合到第一控制阀和第二控制阀并被构造成控制通过第一喷嘴阵列的第一流速并控制通过第二喷嘴阵列的第二流速。
在本发明的另一个方面中，用于为基底上提供清洗液的清洁系统包括：清洁室；基底支架，其耦合到清洁室并被构造成支撑基底；驱动单元，其耦合到基底支架并被构造成转动基底支架；清洗液喷嘴组件，其耦合到清洁室并被构造成将清洗液喷洒在清洁室中。清洗液喷嘴组件包括：第一喷嘴阵列，其包括至少一个喷嘴并被构造成将清洗液基本喷洒到靠近基底的中心处；第一控制阀，其具有耦合到第一喷嘴阵列的第一出口端并被构造成开动通过第一喷嘴阵列的清洗液的第一流速；第二喷嘴阵列，其包括多个喷嘴并被构造成将清洗液喷洒在穿越基底的径向范围；第二控制阀，其具有耦合到第二喷嘴阵列的第二出口端并被构造成开动通过第二喷嘴阵列的清洗液的第二流速；和控制器，其耦合到清洗液喷嘴组件的第一控制阀和第二控制阀，并被构造成控制通过第一喷嘴阵列的第一流速并控制通过第二喷嘴阵列的第二流速。
在本发明的另一个方面中，用于将清洗液喷洒在基底上的方法包括：转动基底，在第一时段将来自第一喷嘴阵列的清洗液喷洒在基底上，在第一时段之后在第二时段将来自第一喷嘴阵列和第二喷嘴阵列的清洗液喷洒在基底上，停止将来自第一喷嘴阵列和第二喷嘴阵列的清洗液喷洒在基底上，并停止基底的转动。该方法从第一喷嘴阵列将清洗液基本喷洒到靠近基底的中心处，并从第二喷嘴阵列将清洗液喷洒在穿越基底的径向范围。
附图说明
当联系附图考虑时，如同其参考以下详细描述变得更好懂一样，将容易地获得对本发明和许多附随的优点的更完全的理解，其中：
图1是包括膜形成装置的本发明的抗蚀剂溶液涂覆显影系统(resistsolution coating-developing system)的示意图；
图2是用于将清洗液喷洒在基底上的传统方法和装置的图示；
图3是用于将清洗液喷洒在基底上的另一个传统方法和装置的图示；
图4根据本发明的一个实施例描述用于将清洗液喷洒在基底上的装置；
图5根据本发明的另一个实施例描述用于将清洗液喷洒在基底上的装置；
图6根据本发明的另一个实施例描述用于将清洗液喷洒在基底上的方法；及
图7描述用于实现本发明的各个实施例的计算机系统。
具体实施方式
下面将参考附图详细描述本发明的实施例。作为根据本发明的一个实施例，下面将描述被用在半导体制造中的抗蚀剂溶液涂覆显影系统中的用于将清洗液喷洒在基底上的装置。
现在参考附图，图1是示出根据用于喷洒清洗液的装置的一个实施例的抗蚀剂溶液涂覆显影系统的示意图。如图1中所示，抗蚀剂溶液涂覆显影系统100包括盒式站(cassette station)20，盒式站20中用于存储未处理的物体例如基底(或晶片W)的第一盒21a和用于存储处理了的基底(或晶片W)的第二盒21b布置在各自的预定的位置。盒式站20包括传送台23和用于在盒21a和21b之间装载和卸载基底的基底传送镊22，耦合到盒式站20以在基底表面上形成抗蚀膜的涂覆处理器30，用接口单元40耦合到涂覆处理器30以显影曝光的基底的显影处理器50，和曝光处理器70。该曝光处理器经由接口单元60耦合到显影处理器50以从光源将紫外光通过预定的掩膜元件M辐射到涂覆的基底上，并将抗蚀膜曝光成预定的电路图案。
线性传送路径81A和82B分别地在涂覆处理器30和显影处理器50的中心部分延伸。传送机构82和83分别沿着传送路径81A和81B是可移动的。传送机构82和83分别具有基底臂84和85，基底臂84和85可以自由地转动(θ)并在水平面上X和Y方向上和垂直方向上(Z方向)移动。
在涂覆处理器30中沿传送路径81A的侧边缘的一侧上，刷式清洁单元31，进行疏水处理(hydrophobic treatment)并且其中附着单元32a和冷却单元32b堆叠的附着/冷却单元32，和作为第一加热单元的烘烤单元33沿一条线互相相邻地布置。在传送路径81A的另一侧上，喷水式清洁单元34和任意数量个例如作为膜形成装置的两个抗蚀剂涂覆装置35互相相邻地布置在一条线上。抗蚀剂涂覆装置35可以用两种类型的抗蚀剂溶液：常规的抗蚀剂溶液和抗反射抗蚀剂溶液旋转涂覆基底。
烘烤单元33和抗蚀剂涂覆装置35在传送路径81A的两侧上互相相对。因为烘烤单元33和抗蚀剂涂覆装置35在传送路径81A的两侧上以一定距离这样互相相对，所以防止了来自烘烤单元33的热量传导到抗蚀剂涂覆装置35。因此，当进行抗蚀剂涂覆时，可以保护抗蚀剂膜不受热的影响。
尽管在喷水清洁单元在抗蚀剂溶液涂覆显影系统中的情况下描述该用于喷洒清洗液的装置，本发明仅图示了并且不限于这个例子范围中的任何方式。
图2图示了包括清洁室210、耦合到清洁室210并构造成支撑基底225的基底支架220和清洗液喷嘴组件230的传统清洁系统200。此外，清洁系统200包括耦合到基底支架220和清洗液喷嘴组件230并被构造成与基底支架220和清洗液喷嘴组件230交换数据、信息和控制信号的控制器250。
基底支架220被构造成在从清洗液喷嘴组件230将清洗液喷洒在基底225的上表面上的过程中转动(或旋转)基底225。耦合到基底支架220的驱动单元222被构造成转动基底支架220。驱动单元222可以例如允许设置转动速度和基底支架的转动加速度。
清洗液喷嘴组件230包括基本靠近基底225的中心并在其上表面之上的单个喷嘴232。喷嘴232被构造成在基本垂直于基底225的上表面的方向上将清洗液例如双氧水喷洒在基底225的上表面上。喷嘴232耦合到控制阀234的出口端236。控制阀234的进口端238耦合到清洗液供应系统240。控制阀234可以被构造成对喷洒清洗液至基底225上进行调整。当打开时，清洗液喷洒在基底225上。当关闭时，清洗液不喷洒在基底225上。清洗液供应系统240可以包括液体供应阀242，过滤器244和流量测量/控制器件246中的至少一个。
典型的清洗过程包括三步，其包括将基底225的转动加速到第一预指定的转速并在第一时段保持该转速的第一步骤。第一步骤进行的同时将清洗液喷洒到基底225的上表面上。第二步骤进一步将基底225的转动加速到第二预指定的转速并在第二时段保持该转速，同时停止将清洗液喷洒到基底225上。第三步骤包括将基底225的转动减速到静止。表I表示出具有上述三个步骤的用于图2的清洗液喷嘴组件230的典型的清洗过程。
本发明的发明者已经意识到图2的清洗液喷嘴组件和用于喷洒清洗液的过程的缺点在于基底225的中心是承受由于来自喷嘴232的清洗液的冲击的液压的基底表面的唯一的位置。因此，冲洗液喷嘴组件和用于其使用的过程不能穿越整个基底充分有效地移除抗蚀剂缺陷。
表I
 时间(s)  速度(rpm)   加速度(rpm/s)  喷洒安排
 30  1000   10000  中心喷嘴232打开
 15  2000   10000  中心喷嘴232关闭
 1  0   3000  中心喷嘴232关闭
图3描述了另一个清洁系统300，其包括清洁室310、耦合到清洁室310并被构造成支撑基底325的基底支架320和清洗液喷嘴组件330。此外，清洁系统300包括控制器350，控制器350耦合到基底支架320和清洗液喷嘴组件330，并被构造成与基底支架320和清洗液喷嘴组件330交换数据、信息和控制信号。
基底支架320被构造成在从清洗液喷嘴组件330将清洗液喷洒在基底325的上表面上的过程中转动(或旋转)基底325。耦合到基底支架320的驱动单元322被构造成转动基底支架320。驱动单元322可以例如允许设置转动速度和基底支架的转动加速度。
清洗液喷嘴组件330包括具有基本位于靠近基底325的中心并在其上表面之上的第一喷嘴332的喷嘴331的阵列和位于沿着基底325的径向范围并在其上表面之上的副喷嘴333的阵列。喷嘴331的阵列被构造成在基本垂直于基底325的上表面的方向上将清洗液例如双氧水喷洒在基底325的上表面上。喷嘴331的阵列耦合到控制阀334的出口端336。控制阀334的进口端338耦合到清洗液供应系统340。控制阀334可以被构造成调整将清洗液喷洒在基底325上。当打开时，清洗液喷洒在基底325上。当关闭时，清洗液不喷洒在基底325上。清洗液供应系统340可以包括液体供应阀342，过滤器344和流量测量/控制器件346中的至少一个。
如同单个喷嘴组件，图3中的系统的典型的清洗过程包括三步，其包括将基底325的转动加速到第一预指定的转速并在第一时段保持该转速的第一步骤。第一步骤进行的同时将清洗液喷洒到基底325的上表面上。第二步骤进一步将基底325的转动加速到第二预指定的转速并在第二时段保持该转速，同时停止将清洗液喷洒到基底325上。第三步骤包括将基底325的转动减速到静止。表II表示出具有上述三个步骤的用于图3的清洗液喷嘴组件330的典型的清洗过程。
表II
 时间(s)  速度(rpm)   加速度(rpm/s)   喷洒安排
 30  1000   10000   喷嘴阵列331打开
 15  2000   10000   喷嘴阵列331关闭
 1  0   3000   喷嘴阵列331关闭
尽管清洗液喷嘴组件330(图3)和用于其使用的过程在基底转动中在穿越基底325的范围内提供了液压，但是本发明的发明者已经发现清洗液和基底表面的化学相互作用可以在表面引起有害的化学反作用，以及由此的穿越基底的表面损坏。例如，清洗过程通常随着使基底表面暴露到显影液的显影过程。显影过程之后，暴露的基底表面可能保留了残留的显影液。显影液相对于双氧水的中性pH(也就是pH为7.0)通常是高碱性的(高pH)。基底表面上高碱性的显影液迅速暴露至双氧水可能导致逆化学反作用(也就是pH突变(pH shock))，其引起对基底的损坏。
图4描述了本发明清洁系统400的一个实施例。清洁系统400包括清洁室410、耦合到清洁室410并被构造成支撑基底425的基底支架420，和清洗液喷嘴组件430。此外，清洁系统400包括控制器450，控制器450耦合到基底支架420和清洗液喷嘴组件430，并被构造成与基底支架420和清洗液喷嘴组件430交换数据、信息和控制信号。
基底支架420被构造成在从清洗液喷嘴组件430将清洗液喷洒在基底425的上表面上的过程中转动(或旋转)基底425。耦合到基底支架420的驱动单元422被构造成转动基底支架420。驱动单元422可以例如允许设置转动速度和基底支架的转动加速度。
清洗液喷嘴组件430包括被构造成将清洗液基本喷洒在靠近基底425的中心第一喷嘴阵列432。第一喷嘴阵列432包括耦合到第一控制阀434的第一出口端436的至少一个喷嘴(图4中只示出一个喷嘴。因此，这里使用的术语“喷嘴阵列”描述单个喷嘴或多个喷嘴，其可以是一排或集中为一组)。第一控制阀434被构造成开动通过第一喷嘴阵列432的清洗液的第一流速。清洗液喷嘴组件430还包括被构造成将清洗液喷洒在穿越基底425的径向范围的第二喷嘴阵列442。第二喷嘴阵列442包括耦合到第二控制阀444的出口端446的多个喷嘴。第二控制阀444被构造成开动通过第二喷嘴阵列442的清洗液的第二流速。此外，控制器450耦合到第一控制阀434和第二控制阀444，并被构造成控制通过第一喷嘴阵列432的第一流速并控制通过第二喷嘴阵列442的第二流速。
第一喷嘴阵列432的至少一个喷嘴可以被定向成在垂直于基底425的方向上喷射清洗液。可替换地，至少一个喷嘴可以被定向成在不垂直于基底425的方向上喷射清洗液。例如，角度方向可以是偏离直射方向的锐角。第二喷嘴阵列442的多个喷嘴的至少一个可以被定向成在垂直于基底425的方向上喷射清洗液。可替换地，多个喷嘴的至少一个可以被定向成在不垂直于基底425的方向上喷射清洗液。例如，角度方向可以是偏离直射方向的锐角。
第一控制阀434的进口端438经由液体供应线439耦合到清洗液供应系统460。第一控制阀434可以被构造成调整将来自第一喷嘴阵列432的清洗液喷洒在基底425上。例如，当打开时，将来自第一喷嘴阵列432的清洗液喷洒在基底425上。当关闭时，不将清洗液喷洒在基底425上。第二控制阀444的进口端448经由液体供应线449耦合到清洗液供应系统460。第二控制阀444可以被构造成调整将来自第二喷嘴阵列442的清洗液喷洒在基底425上。例如，当打开时，将来自第二喷嘴阵列442的清洗液喷洒在基底425上。当关闭时，不将清洗液喷洒在基底425上。清洗液供应系统460可以包括液体供应阀462、过滤器464和流量测量/控制器件466中的至少一个。在可选实施例中，液体供应线439和液体供应线449中的至少一个包括次级大流量测量/控制器件以实现从清洗液供应系统460分别将清洗液流速分隔到第一喷嘴阵列432和第二喷嘴阵列442。
控制器450包括微处理器、存储器和能够产生足够与基底支架420、清洗液喷嘴组件430(例如第一控制阀434和第二控制阀444)和清洗液供应系统460的驱动单元422通讯并激活输入到驱动单元422同时监控从这些系统中的输出的控制电压的数字I/O端口(潜在地包括D/A和/或A/D转换器)。储存在存储器中的程序被用来根据储存的处理方法与这些系统相互作用。控制器450的一个例子是戴尔精密工作站530TM，其可以从得克萨斯州奥斯汀市的戴尔公司得到。控制器450还可以被实现为诸如图7所描述的计算机的一般用途的计算机。
控制器450可以相对于清洁系统400置于附近，或者它可以经由互联网或内联网相对于清洁系统400远离地放置。因此，控制器450可以利用直接连接、内联网和互联网中的至少一个与清洁系统400交换数据。控制器450可以在用户地(也就是器件制作者等)耦合到内联网，或在卖主地(也就是装置制造者)耦合到内联网。此外，另一个计算机(也就是控制器、服务器等)可以经由直接连接、内联网和互联网中的至少一个访问控制器450以交换数据。
因此，图4的系统包括分别通过控制阀434和444分离地控制的喷嘴阵列432和442。本发明的发明者发现这样分离的控制允许从图案掩膜和/或基底上有效地去除颗粒的清洗过程，同时使基底缺陷最小化。具体地，在第一步骤中，清洗液仅从第一喷嘴阵列432中喷洒，因此，允许在清洗液在由基底转动施加的离心力作用下在基底表面上径向地向外蔓延时逐渐地中和基底表面的状态，因此减少了由基底缺陷引起的pH突变。在第二步骤中，清洗液可以从第一喷嘴阵列432和第二喷嘴阵列442两者中喷洒以在基底转动中为基底的整体提供液压力，因此，有效地从基底表面去除了缺陷。
根据本发明的实施例，实现图4中所描述的清洗液喷嘴组件430的清洗过程可以包括四步，其包括将基底425的转动加速到第一预指定的转速并在第一时段内保持该转速的第一步骤。第一步骤进行的同时将来自第一喷嘴阵列432的清洗液喷洒在基底425的上表面上。第二步骤包括将基底425的转动加速到第二预指定的转速并在第二时段内保持该转速。第一预指定转速可以和第二预指定转速相同，并且，因此不需要加速或减速。第二步骤进行的同时将来自第一喷嘴阵列432和第二喷嘴阵列442的清洗液喷洒在基底425的上表面上。第三步骤包括进一步将基底425的转动加速到第三预指定的转速并在第三时段内保持该转速，同时停止将来自第一喷嘴阵列432和第二喷嘴阵列442的清洗液喷洒在基底425上。第四步骤包括将基底425的转动减速到静止。表III表示具有上述四步的用于图4的清洗液喷嘴组件430的清洗过程。
在可选实施例中，图5描述了包含许多与图4的清洁系统400相同的元件的清洁系统400’，除此之外清洁系统400’具有耦合到第一控制阀434的第一进口端438的第一清洗液供应系统470和耦合到第二控制阀444的第二进口端448的第二清洗液供应系统480。第一清洗液供应系统470可以包括液体供应阀472、过滤器474和流量测量/控制器件476中的至少一个。第二清洗液供应系统480可以包括液体供应阀482、过滤器484和流量测量/控制器件486中的至少一个。第一清洗液供应系统470和第二清洗液供应系统480的利用使得实现了对传递到第一喷嘴阵列432和第二喷嘴阵列442的清洗液的流速的控制，分别实现了本发明的优点。
表III
  时间(s)   速度(rpm)   加速度(rpm/s)  喷洒安排
  10   1000   10000  第一喷嘴阵列432打开；第二喷嘴阵列433关闭
  20   1000   10000  第一喷嘴阵列432打开；第二喷嘴阵列433打开
  15   2000   10000  第一喷嘴阵列432关闭；第二喷嘴阵列433关闭
  1   0   3000  第一喷嘴阵列432关闭；第二喷嘴阵列433关闭
现在参考图6，描述利用如图4和图5中所示的清洗液喷嘴组件清洁基底的方法。图6示出在转动基底支架上的基底的步骤510处开始的流程图500。基底转动可以具有将基底转速从静止增加到第一预指定转速的加速阶段。一旦达到第一预指定的转速，转速可以保持不变或者变化。
在步骤520处，在第一时段将来自第一喷嘴组件的清洗液喷洒到基底上。来自第一喷嘴阵列的清洗液的喷洒可以与基底的转动同时开始。可替换地，来自第一喷嘴阵列的清洗液的喷洒可以延迟一段时间后开始。
在步骤530处，在第二时段将来自第一喷嘴阵列和第二喷嘴阵列的清洗液喷洒到基底上。在此处，基底的转速可以保持不变，或者可以变化。例如，转速可以加速或减速(在加速或加速阶段中)到第二预指定的转速。
在步骤540处，停止来自第一喷嘴阵列和第二喷嘴阵列的清洗液的流动。基底的转速可以保持不变，或者可以变化。例如，转速可以加速或减速(在加速或减速阶段中)到第三预指定的转速。在步骤550处，停止基底的转动。此时，在第四时段中转速减小到静止。
因此，图6所示的方法也对基底上的任何显影剂提供了逐渐地中和以减少基底的突变，接下来是穿越基底半径的完全的液压以提供充分地清洁。
图7图示了用于实现本发明的各种实施例的计算机系统1201。该机算计系统1201可以被用作控制器450来实现上述控制器的任意或者全部功能。计算机系统1201包括总线1202或其他用于传输信息的传输机构和与总线1202耦合用于处理该信息的处理器1203。计算机系统1201还包括诸如随机存取存储器(RAM)或其他动态存储器件(例如动态RAM(DRAM)、静态RAM(SRAM)和同步DRAM(SDRAM))的主存储器1204，主存储器1204耦合到总线1202用于储存将由处理器1203执行的信息和指令。此外，主存储器1204可以被用于在处理器1203执行指令的过程中储存临时变量或其他中间信息。计算机系统1201还包括耦合到总线1202用于储存用于处理器1203的静态信息和指令的只读存储器(ROM)1205或其他静态存储器件(例如可编程ROM(PROM)，可擦除PROM(EPROM)和电可擦除PROM(EEPROM))。
计算机系统1201还包括耦合到总线1202以控制用于储存信息和指令的一个或多个存储器件的磁盘控制器1206，例如磁性硬盘1207和可移动媒体驱动器1208(例如软盘驱动器，只读高密度磁盘驱动器，读/写高密度磁盘驱动器，高密度磁盘点唱机，磁带驱动器和可移动磁光驱动器)。存储器件可以利用合适的器件接口(例如小型计算机系统接口(SCSI)、集成电路装置(IDE)、加强型IDE(E-IDE)、直接存储器存取(DMA)或超DMA)。
计算机系统1201还可以包括特殊用途的逻辑器件(例如特定用途集成电路(ASICs))或可配置逻辑器件(例如简单的可编程逻辑器件(SPLDs)、复杂的可编程逻辑器件(CPLDs)和现场可编程门阵列(FPGAs))。
计算机系统1201还可以包括耦合到总线1202以控制显示器1210的显示器控制器1209，例如阴极射线管(CRT)，其用于将信息显示给计算机用户。计算机系统包括用于与计算机用户进行交互并为处理器1203提供信息的输入装置，例如键盘1211和定位器件1212。该定位器件1212例如可以是用于将方向信息和指令选择传输到处理器1203并用于控制光标在显示器1210上的运动的鼠标、轨迹球或定位杆。此外，打印机可以提供打印出的由计算机系统1201储存和/或产生的数据列表。
计算机系统1201响应于执行包含在诸如主存储器1204的存储器中的一个或多个指令的一个或多个序列的处理器1203完成本发明的部分或全部处理步骤。这些指令可以从诸如硬盘1207或可移动媒体驱动器1208的另一个计算机可读介质读入到主存储器1204。在多个处理排列中的一个或多个处理器也可以被用于执行包含在主存储器1204中的指令序列。在可选实施例中，硬连线电路可以被用来替代软件指令或者与其结合。因此，实施例不限于硬件电路和软件的任何特定的结合。
如上所述，计算机系统1201包括至少一个用于容纳根据本发明的指导所编的指令并用于包含数据结构、表格、记录或其他此处所描述的数据的计算机可读介质或存储器。计算机可读介质的例子是高密度磁盘、硬盘、软盘、磁带、磁光磁盘、PROMs(EPROM、EEPROM、闪EPROM)、DRAM、SRAM、SDRAM或任何其它的磁性介质、高密度磁盘(例如CD-ROM)，或任何其他的光学介质、穿孔卡片、纸带或其它有各种式样孔的物理介质、载波(下述)，或任何其它计算机可读的介质。
储存在任何一个计算机可读介质或它们的结合上，本发明包括用于控制计算机系统1201、用于驱动实现本发明的器件或装置并用于使计算机系统1201与使用者(例如印刷生产人员)交互的软件。这样的软件可以包括但不限于器件驱动器、操作系统、显影工具和应用软件。这些计算机可读介质还包括用于执行在实现本发明中所执行的处理过程的全部或部分(如果处理过程被分开)的本发明的计算机程序产品。
本发明的计算机编码装置可以是任何可解释或可执行编码机构，包括但不限于手稿、可解释程序、动态链接库(DLLs)、Java类和完全可执行程序。此外，本发明的处理过程的部分可以为了更好的性能、可靠性和/或成本而被分开。
此处所使用的术语“计算机可读介质”指参与将指令提供给用于执行的处理器1203的任何介质。计算机可读介质可以以多种形态出现，包括但不限于永久性介质、非永久性介质和传送介质。永久性介质包括例如光学的、磁盘和磁光磁盘，例如硬盘1207或可移动媒体驱动器1208。非永久性介质包括诸如主存储器1204的动态存储器。传送介质包括同轴电缆、铜线和光纤，其包括制成总线1202的导线。传送介质还可以以诸如那些在无线电波或红外数据传输中产生的声波或光波的形式出现。
在将一个或多个指令的一个或多个序列运行到用于执行的处理器1203的过程中可以包含各种形式的计算机可读介质。例如，最初指令可以加载在远程计算机的磁盘上。远程计算机可以将用于远程地执行本发明的全部或部分的指令装载到动态存储器中并利用调制解调器通过电话线发送指令。计算机系统1201本地的调制解调器可以接收电话线上的数据并利用红外发射机将数据转化成红外信号。耦合到总线1202上的红外检测器可以接收红外信号中携带的数据并将数据放到总线1202上。总线1202将数据运送到主存储器1204，存储器1203重新得到并执行来自主存储器1204的指令。主存储器1204接收到的指令可以在被处理器1203执行之前或之后任意地储存在存储装置1207或1208上。
计算机系统1201还包括耦合到总线1202的通讯接口1213。通讯接口1213提供了耦合到网络连接1214的双向数据通讯，网络连接1214连接到例如局域网(LAN)1215或诸如互联网的另一个通讯网络1216。例如，通讯接口1213可以是要附装到任何包交换LAN的网络接口卡。作为另一个例子，通讯接口1213可以是非对称数字用户线(ADSL)卡、综合服务数字网(ISDN)卡或为相对应类型的通讯线路提供数据通讯连接的调制解调器。也可以执行无线连接。在任何这样的执行中，通讯接口1213发送并接收携带代表各种类型信息的数字数据流的电信号、电磁信号或光信号。
网络连接1214通过一个或多个网络典型地将数据通讯提供到其它数据装置。例如，网络连接1214可以通过局域网1215(例如LAN)或通过由服务提供者操作的装置将连接提供到另一台计算机，该服务提供者通过通讯网络1216提供通讯服务。本地网络1214和通讯网络1216使用例如携带数字数据流的电信号、电磁信号或光信号和相关的物理层(例如CAT 5电缆，同轴电缆，光纤等)。穿过各种网络的信号和在网络连接1214上并穿过通讯接口1213的信号(其携带数字数据进出计算机系统1201)可以在基带信号或载波基信号中被执行。基带信号将数字数据表达成对一串数字数据位进行描述的未调制的电脉冲，其中术语“位”被宽泛地解释为表示标记的意思，其中每个标记运送至少一个或多个信息位。数字数据也可以被用来调制载波的诸如振幅、相位和/或移频键控信号，该移频键控信号通过导电介质传播或通过传播介质传送表达为电磁波。因此，数字数据可以通过“有线的”信道被发送表达为未调制基带数据和/或通过调制载波在不同于基带的预定的频带内被发送。计算机系统1201可以通过网络1215和1216、网络连接1214和通讯接口1213发射和接收包括程序编码在内的数据。此外，网络连接1214可以通过LAN 1215为诸如个人数字助理(PDA)、膝上型计算机或移动电话的移动设备1217提供连接。
尽管上述只详细描述了本发明的几个典型的实施例，本领域技术人员很容易理解在本质上不脱离本发明的新颖的指导和优点下可能对典型的实施例进行许多修改。因此，所有的这些修改都意图被包含在本发明的范围内。
因此，根据上述的指导，可能对本发明进行大量的修改和变化。所以应当理解的是在所附权利要求的范围内，可以以与这里特定的描述不同的方式实践该发明。例如，溶液喷嘴组件的其它构造和其它处理过程可以被用来对基底上的任何显影剂提供逐渐的中和，接下来是穿越基底区域的直接的液压以提供充分地清洁而没有pH突变。一个这样的构造可以是在从基底的中心向外的径向上喷嘴阵列的喷嘴的连续的操作。这样的构造对该阵列中的每个喷嘴来说可能需要专用的液体阀。

Claims (27)

1.一种用于将清洗液喷洒在基底上的清洗液喷嘴组件，包括：
第一喷嘴阵列，其包括至少一个喷嘴并被构造成将所述清洗液基本喷洒到靠近所述基底的中心处；
第一控制阀，其耦合到所述第一喷嘴阵列并被构造成开动通过所述第一喷嘴阵列的所述清洗液的第一流量；
第二喷嘴阵列，其包括多个喷嘴并被构造成将所述清洗液喷洒在穿越所述基底的径向范围；和
第二控制阀，其耦合到所述第二喷嘴阵列并被构造成开动通过所述第二喷嘴阵列的所述清洗液的第二流量。
2.如权利要求1所述的清洗液喷嘴组件，还包括：
控制器，其耦合到所述第一控制阀和所述第二控制阀，被构造成控制通过所述第一喷嘴阵列的所述第一流量，并被构造成控制通过所述第二喷嘴阵列的所述第二流量。
3.如权利要求1所述的清洗液喷嘴组件，还包括：
清洗液供应系统，其耦合到所述第一控制阀的第一进口端和所述第二控制阀的第二进口端。
4.如权利要求3所述的清洗液喷嘴组件，其中所述清洗液供应系统包括液体供应阀、过滤器、流量测量器件和流量控制器件中的至少一个。
5.如权利要求1所述的清洗液喷嘴组件，还包括：
耦合到所述第一控制阀的第一进口端的第一清洗液供应系统；和
耦合到所述第二控制阀的第二进口端的第二清洗液供应系统。
6.如权利要求5所述的清洗液喷嘴组件，其中所述第一清洗液供应系统包括液体供应阀、过滤器、流量测量器件和流量控制器件中的至少一个，并且
其中所述第二清洗液供应系统包括液体供应阀、过滤器、流量测量器件和流量控制器件中的至少一个。
7.如权利要求1所述的清洗液喷嘴组件，还包括被构造成在喷洒所述清洗液的过程中转动所述基底的转动器件。
8.如权利要求1所述的清洗液喷嘴组件，其中所述清洗液包括双氧水。
9.如权利要求2所述的清洗液喷嘴组件，其中所述控制器还被构造成在第一时段打开所述第一控制阀以允许通过所述第一喷嘴阵列的清洗液的流量。
10.如权利要求9所述的清洗液喷嘴组件，其中所述控制器还被构造成在第一时段之后在第二时段打开所述第二控制阀以允许通过所述第一喷嘴阵列和所述第二喷嘴阵列的清洗液的流动。
11.一种用于为基底上提供清洗液的清洁系统，包括：
清洁室；
基底支架，其耦合到所述清洁室并被构造成支撑所述基底；
驱动单元，其耦合到所述基底支架并被构造成转动所述基底支架；
清洗液喷嘴组件，其耦合到所述清洁室并被构造成将所述清洗液喷洒在所述清洁室中；
所述清洗液喷嘴组件包括，
第一喷嘴阵列，其具有至少一个喷嘴并被构造成将所述清洗液基本喷洒在靠近所述基底的中心处；
第一控制阀，其耦合到所述第一喷嘴阵列并被构造成开动通过所述第一喷嘴阵列的所述清洗液的第一流量；
第二喷嘴阵列，其包括多个喷嘴并被构造成将所述清洗液喷洒在穿越所述基底的径向范围；和
第二控制阀，其耦合到所述第二喷嘴阵列并被构造成开动通过所述第二喷嘴阵列的所述清洗液的第二流量；以及
控制器，其耦合到所述清洗液喷嘴组件的所述第一控制阀和所述第二控制阀，被构造成控制通过所述第一喷嘴阵列的所述第一流量，并被构造成控制通过所述第二喷嘴阵列的所述第二流量。
12.如权利要求11所述的清洁系统，其中所述控制器耦合到所述驱动单元并被构造成控制所述驱动单元的转速和转动加速度中的至少一个。
13.一种用于将清洗液喷洒在基底上的方法，包括：
转动所述基底；
在第一时段将来自第一喷嘴阵列的所述清洗液喷洒在所述基底上，所述清洗液被基本喷洒在靠近所述基底的中心处；
在所述第一时段之后，在第二时段将来自所述第一喷嘴阵列和第二喷嘴阵列的所述清洗液喷洒在所述基底上，所述清洗液被喷洒在穿越所述基底的径向范围；
停止将来自所述第一喷嘴阵列和所述第二喷嘴阵列的所述清洗液喷洒在所述基底上；并且
停止所述基底的所述转动。
14.如权利要求13所述的方法，其中所述喷洒来自第一喷嘴阵列的所述清洗液喷洒来自至少一个喷嘴的所述清洗液。
15.如权利要求13所述的方法，其中所述喷洒来自第二喷嘴阵列的所述清洗液喷洒来自多个喷嘴的所述清洗液。
16.如权利要求13所述的方法，其中所述喷洒来自第一喷嘴阵列的所述清洗液喷洒来自第一控制阀的出口端的所述清洗液，并且
其中所述喷洒来自第二喷嘴阵列的所述清洗液喷洒来自第二控制阀的出口端的所述清洗液。
17.如权利要求16所述的方法，其中所述喷洒来自第一喷嘴阵列的所述清洗液和所述喷洒来自第二喷嘴阵列的所述清洗液包括控制通过所述第一喷嘴阵列的第一流速和通过所述第二喷嘴阵列的第二流速。
18.如权利要求16所述的方法，其中所述喷洒来自第一喷嘴阵列的所述清洗液通过耦合到清洗液供应系统的所述第一控制阀的第一进口端供应所述清洗液，并且
其中所述喷洒来自第二喷嘴阵列的所述清洗液通过耦合到清洗液供应系统的所述第二控制阀的第二进口端供应所述清洗液。
19.如权利要求18所述的方法，其中所述喷洒来自第一喷嘴阵列的所述清洗液和所述喷洒来自第二喷嘴阵列的所述清洗液喷洒来自液体供应阀、过滤器、流量测量器件和流量控制器件中的至少一个的所述清洗液。
20.如权利要求16所述的方法，其中所述喷洒来自第一喷嘴阵列的所述清洗液通过耦合到清洗液供应系统的所述第一控制阀的第一进口端供应所述清洗液，并且
其中所述喷洒来自第二喷嘴阵列的所述清洗液通过耦合到清洗液供应系统的所述第二控制阀的第二进口端供应所述清洗液。
21.如权利要求20所述的方法，其中所述喷洒来自第一喷嘴阵列的所述清洗液喷洒来自液体供应阀、过滤器、流量测量器件和流量控制器件中的至少一个的所述第一清洗液，并且
其中所述喷洒来自第二喷嘴阵列的所述清洗液喷洒来自液体供应阀、过滤器、流量测量器件中的至少一个的所述第二清洗液。
22.如权利要求16所述的方法，其中所述喷洒来自第一喷嘴阵列的所述清洗液包括在所述第一时段打开所述第一控制阀。
23.如权利要求16所述的方法，其中所述喷洒来自第一喷嘴阵列的所述清洗液和所述喷洒来自第二喷嘴阵列的所述清洗液包括在所述第二时段打开所述第一控制阀和所述第二控制阀。
24.如权利要求13所述的方法，其中所述喷洒来自第一喷嘴阵列的所述清洗液和所述喷洒来自第二喷嘴阵列的所述清洗液喷洒双氧水。
25.清洗液喷嘴组件，其中第一喷嘴阵列被构造成喷洒第一清洗液并且第二喷嘴阵列被构造成喷洒第二不同的清洗液。
26.一种用于为基底上提供清洗液的系统，包括：
用于在室中支撑所述基底的装置；
用于转动所述基底的装置；
用于在使所述基底的表面呈中性的第一步骤和基本沿着所述基底的整个表面提供液压的第二步骤中将清洗液喷洒在所述基底上的装置。
27.一种包含用于在处理器上执行的程序指令的计算机可读介质，其当通过处理器执行时引起基底清洁系统执行以下步骤：
转动所述基底；
在第一时段将来自第一喷嘴阵列的所述清洗液喷洒在所述基底上，所述清洗液被基本喷洒在靠近所述基底的中心处；
在所述第一时段之后，在第二时段将来自所述第一喷嘴阵列和第二喷嘴阵列的所述清洗液喷洒在所述基底上，所述清洗液被喷洒在穿越所述基底的径向范围；
停止将来自所述第一喷嘴阵列和所述第二喷嘴阵列的所述清洗液喷洒在所述基底上；并且
停止所述基底的所述转动。
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