JPH04128763A - レジスト現像装置及びその方法 - Google Patents

レジスト現像装置及びその方法

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JPH04128763A
JPH04128763A JP24923990A JP24923990A JPH04128763A JP H04128763 A JPH04128763 A JP H04128763A JP 24923990 A JP24923990 A JP 24923990A JP 24923990 A JP24923990 A JP 24923990A JP H04128763 A JPH04128763 A JP H04128763A
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JP
Japan
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developer
gas
reservoir
nozzle
shell member
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JP24923990A
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English (en)
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Tetsuo Izawa
哲夫 伊澤
Koichi Kobayashi
孝一 小林
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Fujitsu Ltd
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Fujitsu Ltd
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  • Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔概 要〕 特に間欠現像を行うレジスト現像装置及びその方法に関
し、 規定量の現像液と洗浄液を短い時間間隔で制御性よく間
欠的に滴下させることを目的とし、レジスト膜が被着さ
れた被加工物を支持しながら回転させる回転支持台と、
該回転支持台の上方に配設された少なくとも1つのノズ
ルと、該ノズルに一端部が連なる管路と、咳管路の管内
に、現像液からなる現像液溜まりと洗浄液からなる洗浄
液溜まりを、ガスからなるガス溜まりを介して順次形成
させる薬液分配器を有し、前記ノズルは、順次間欠的に
現像液と洗浄液を被加工物の上に滴下させるものである
ようにレジスト現像装置を構成する。また、前記の管路
の管内に、レジスト膜の現像回数分の現像液溜まりと洗
浄液溜まりをガス溜まりを介して交互に貯留させ、次い
で、前記現像液溜まりと洗浄液溜まりとガス溜まりを移
動させ、次いで、前記ノズルから被加工物の上に、現像
液と洗浄液を間欠的に滴下させるようにレジスト現像方
法を構成する。
(産業上の利用分野〕 本発明は、レジスト現像装置及びその方法に係わり、特
にノズルに連なる管路の中に、規定量の現像液と洗浄液
を境界にガスを介して交互に貯留し、この現像液と洗浄
液を所定の時間間隔で制御性よく順次ノズルから滴下し
て間欠的に現像を行うレジスト現像装置及びその方法に
関する。
近年、半導体集積回路を中心とした電子デバイスの小型
化高集積化に伴い、パターンの太さはサブミクロンの超
微細な領域に入ってきており、それに伴い、超微細パタ
ーンを形成するための各種微細加工技術の開発が精力的
に行われている。
この超微細パターニングを行うには、一般にホトリソグ
ラフィ(写真蝕刻法)と呼ばれているホトエツチングを
中核としたパターニング技術が、現在量も活用されてい
る。
ホトエツチングによるパターニング技術の中の要素技術
の1つに、ホトレジスト(以下、レジストと略称)があ
る。
レジストは、露光する光源(線源)に感光して重合反応
を起こして現像液に不溶となるネガティブ型と、解重合
反応を起こして現像液に可溶となるポジティブ型とに分
類できる。そして、ホトリソグラフィによってレジスト
パターンを形成するには、何れのレジストの場合も、ま
ずレジスト膜を如何に薄(均一に塗布するか、次いでそ
のレジスト膜に如何に光パターンを精度よく露光するか
が重要な製造技術となっている。
ところが、パターンがどんどん微細化してくると、露光
後のレジストの現像の仕方によって、生成されるレジス
トパターンの形状が多いに影響を受けるようになってく
る。
そこで、現像をどのように行えば、露光されたパターン
が忠実に再現されるかが重要な課題となってきている。
〔従来の技術] 例えばシリコン半導体のウェーハなどの被加工物に被着
されたレジスト膜は、パターン露光が終わると現像され
る。
この現像には、レジストの材質によってアルカリ水溶液
系の現像液と有機溶剤系の現像液が用いられる。ところ
が、例えば現像液の中に浸漬して現像する場合、有機溶
剤系の現像液はレジスト膜に吸収されて膨潤を起こすこ
とが避けられない。
そのため残存させたいレジスト膜の体積の増大が起こる
。そして、現像が終わって洗浄、乾燥しても元の形状に
は戻らず、例えば直線パターンが波状に蛇行したパター
ンに変形してしまい、このことが微細なレジストパター
ンを形成する際の障害となっている。
そこで、レジスト膜が現像液に接触する時間をできるだ
け短くして、現像中にレジスト膜が膨潤することを避け
るために、発明者らはすでにr特願平01−24404
2 :半導体装置の製造方法」として間欠現像法を提案
している 第4図は間欠現像装置の一例の説明図である。
図中、1は被加工物、11はレジスト膜、2は回転支持
台、31.32はノズル、5は現像液、6は洗浄液、9
1.92はパルプである。
回転支持台2の上には真空チャックが組み込まれており
、例えばシリコンウェーハなどの被加工物1が支持され
る。この被加工物1にはすでにパターンが露光されたレ
ジスト膜11が被着されており、毎分数百から数千回転
で回転されるようになっている。
回転支持台2の中心部上面には、複数本の、現像液5を
供給するノズル31と洗浄液6を供給するノズル32が
配設されている。このノズル31.32のそれぞれから
滴下される現像液5や洗浄液6は、電磁弁からなるパル
プ91.92の開閉によって制御されるようになってい
る。
回転支持台2に被加工物1を支持して回転させながら、
まずパルプ91を操作してノズル31から現像液5を滴
下する。この滴下された現像液5は遠心力で被加工物1
の周縁部へ広がりながら、レジスト膜11を現像してい
(。そして、現像液5の滴下量は高々数mlで、レジス
ト膜11の表面を一皮剥(ような極く少量にする。
次に、パルプ92を操作してノズル32から洗浄液6を
滴下して、レジスト膜11を濡らしている現像液5を洗
い流す。この洗浄液6の滴下量は過不足なく現像液5を
洗い流すに十分な少量にする。
次に、洗浄液6とレジスト膜11の表層に僅かに滲み込
んだ現像液5を蒸発除去する。
そして、再度現像液5の滴下呻洗浄液6の滴下→乾燥を
、レジスト膜11の現像が終了するまで数回から数百回
繰り返す。こうして、間欠現像がなされる。
この間欠現像においては、現像液5がレジスト膜11の
極く表層に滲み込むことは避けられないが、その程度を
できるだけ抑えるためには、現像時間つまりレジスト膜
11と現像液5の接触時間を例えば1秒を割る数百m秒
の短い時間に制御する必要がある。
〔発明が解決しようとする課題〕
間欠現像においては、現像液がレジスト膜の極く表層に
滲み込む程度を極力抑えるために、レジスト膜の現像時
間を短い時間間隔に制御する必要がある。この現像時間
の制御は、滴下されたあとの現像液がレジスト膜と接触
している時間の制御であるから、滴下される現像液の滴
下量を制御することに他ならない。
ところが、従来の現像装置においては、複数本のノズル
から滴下される現像液や洗浄液の液量の制御を、電磁弁
などを用いてそのパルプの開閉時間で制御している。
そのため、バルブの開閉が数百m秒の短い時間で制御さ
れても、ノズルから滴下される液量が規定量ずつ制御性
よく滴下されていることには必ずしもならないという問
題があった。
そこで本発明は、ノズルに連なる管路の中に、規定量の
現像液と規定量の洗浄液を境界にガスを介して交互に貯
留し、この現像液と洗浄液を所定の時間間隔で制御性よ
く順次ノズルから滴下して間欠的に現像を行うレジスト
現像装置及びその方法を提供することを目的としている
〔課題を解決するための手段〕
上で述べた課題は、 レジスト膜が被着された被加工物を支持しながら回転さ
せる回転支持台と、該回転支持台の上方に配設された少
なくとも1つのノズルと、該ノズルに一端部が連なる管
路と、該管路の管内に、現像液からなる現像液溜まりと
洗浄液からなる洗浄液溜まりを、ガスからなるガス溜ま
りを介して順次形成させる薬液分配器を有し、 前記ノズルは、順次間欠的に現像液と洗浄液を被加工物
の上に滴下させるものである ように構成さたレジスト現像装置によって解決される。
また、 前記の管路の管内に、レジスト膜の現像回数分の現像液
溜まりと洗浄液溜まりをガス溜まりを介して交互に貯留
させ、 次いで、前記現像液溜まりと洗浄液溜まりとガス溜まり
を移動させ、 次いで、前記ノズルから被加工物の上に、現像液と洗浄
液を間欠的に滴下させる ように構成されたレジスト現像方法によって解決される
〔作 用〕
間欠現像を行う従来の装置においては、複数本のノズル
から滴下される現像液や洗浄液の液量の制御を、電磁弁
などのバルブの開閉時間で制御していたのに対して、本
発明においては液量そのものを制御するようにしている
すなわち、ノズルに連なる管路の中に、現像液溜まりと
洗浄液溜まりを境界にガス溜まりを介して順次貯留させ
るようにしている。そして、それぞれの液溜まりの液量
を規定量になるように予め制御しておき、この液溜まり
を順次所定の時間間隔で移動させて、ノズルからレジス
ト膜の上に間欠的に滴下させるようにしている。
こうすると、滴下される現像液や洗浄液の滴下量が所定
の液量になるので、現像液がレジスト膜と接触する時間
を厳密に制御することができる。
〔実施例〕
第1図は本発明の第一の実施例の説明図、第2図は第1
図の要部の拡大斜視図、第3図は本発明の第二の実施例
の説明図である。
図中、1は被加工物、2は回転支持台、3はノズル、4
は管路、5は現像液、51は現像液溜まり、52は現像
液槽、6は洗浄液、61は洗浄液溜まり、62は洗浄液
槽、7はガス、71はガス溜まり、72はガスタンク、
8は薬液分配器、81は外殻部材、82は内殼部材であ
る。
実施例:1 第1図〜第2図において、被加工物lはアルミニウム膜
が被着されたシリコンウェーハである。
この被加工物1の上に設けられるレジスト膜11は、ポ
ジ型でもネガ型でもよいが、こ\では、クロロメチル化
ポリスチレンからなるネガ型レジストを、スピンコータ
によって1.2μmの膜厚に被着してレジスト膜11を
形成し、予めテストパターンが露光されている。
回転支持台2は、図示してないが真空チャックが組み込
まれており、被加工物lを吸着支持して毎分数百から数
千回転で回転させるようになっている。
ノズル3と管路4は、管内壁面が現像液5や洗浄液6に
濡れないつまり接触角が鈍角である方がよく、ノズル3
には内径が0.5mmφのふっ素樹脂、管路4には内径
1mmφのふっ素ゴム製の細いチューブを用いている。
クロロメチル化ポリスチレンからなるレジスト膜11の
現像液5には、アセトンとイソアミルアルコールの4:
1の混合溶剤を用い、洗浄液6にはイソプロピルアルコ
ールを用いている。また、ガス7は、純度の高い窒素ガ
スを用いている。
一方、薬液分配器8は外殻部材81も内殼部材82も不
精鋼を切削加工して作っている。
外殻部材81は一端部が閉し、他端部に開口811があ
る円筒状をなし、側壁の3箇所にそれぞれ現像液注入口
81aと洗浄液注入口81bとガス注入口81cが設け
られている。そして、この3つの注入口81a 、81
b 、81cのそれぞれには現像液槽52と洗浄液槽6
2とガスタンク72に配管接続されて、現像液5と洗浄
液6とガス7が供給されるようになっている。
内殼部材82は円柱状をなして側壁から中心部に向かっ
て分配器821が設けられている。そして、一端部がこ
の分配器821に連なり、他端部が管路4に連なったド
レイン軸822が中心軸方向に突設されている。
この内殼部材82が、外殻部材81の開口811からド
レイン軸822が突き出るように嵌合して、図示してな
い駆動系によって回動するようになっている。そして内
殼部材82が回動すると、分配器821が3つの注入口
81a 、81b 、81cに液密可能に順次衝合する
ようになっている。
こうして、薬液分配器8は、内殼部材82が正逆に回動
しながら、分配器821が現像液注入口81a仲ガス注
入口81c→洗浄液注入口81b ==+ガス注5人ロ
81cm+現像液注入ロ81aと順次衝合して、現像液
5とガス7と洗浄液6を汲み取ってドレイン軸822か
ら管路4に排出するようになっている。そして、管路4
の中に現像液溜まり51と洗浄液溜まり61を、境界に
ガス溜まり71を介して順次貯留させていくようになっ
ている。
現像液溜まり51の液量は間欠現像の1回分の量である
。そして、回転支持台2の回転数やノズル3の本数など
によって決められるが、例えば、レジスト膜11と現像
液5の接触時間を300m秒とすると5m1程度である
。また、洗浄液6の1回分の量は例えば10mf程度で
ある。従って、分配器821は2ml程度の小さな容積
になっている。
そして、マイクロプロセッサによって内殼部材82の回
転を制御し、分配器821が所定を容量をそれぞれの注
入口81a 、81b 、81cから汲み取るようにな
っている。
ノズル3から現像液溜まり51の現像液5が滴下されて
レジスト膜11の現像が行われ、次いで境界のガス溜ま
り71のガス7が噴出され、次いで洗浄液溜まり61の
洗浄液6が滴下されてレジスト膜11の上の現像液5の
残分が洗われると、回転支持台2が回転し続けて洗浄液
6が揮発して乾いたら、再び現像液5の滴下悼洗浄液6
の滴下悼乾燥が繰り返される。こうして、レジスト膜1
1が現像液5を吸収して膨潤する暇もない短時間で現像
が繰り返されるので、レジストパターンの精度の劣化が
起こらない間欠現像が実現される。
実施例=2 第3図において、管路4の中には、5個の現像液溜まり
51と1個の洗浄液溜まり61をそれぞれの境界にガス
溜まり71を介して1組とし、間欠現像回数骨の10組
を予め貯留してお(。そして、薬液分配器8を間欠的に
往復作動させてガス7を繰り返し送り出す。
そうすると、管路4の中では5つの現像液溜まり51と
1つの洗浄液溜まり61が境界にガス溜まり71を介し
てガス7によって間欠的に押し出されるので、ノズル3
からは現像液5の滴下が5回なされたら洗浄液6の滴下
が1回なされ、全体で50回の間欠現像を行うことがで
きる。
被加工物1は例えばマスクを作るためのガラス板でもよ
く、レジスト膜11やそれを現像する現像液5やそれを
洗浄する洗浄液6などには何ら制約はなく、種々の変形
が可能である。
また、ノズル3や管路4は、現像液溜まり51や洗浄液
溜まり61とガス溜まり71との気液界面にメニスカス
が形成されて分割され、しかも現像液5や洗浄液6に侵
されなれば、材質や内径の寸法には種々の変形が可能で
ある。
〔発明の効果〕
以上述べたように、本発明においては、管路(所定の液
量の現像液溜まりと洗浄液溜まりを境1にガス溜まりを
介して順次貯留し、これらの液?まりを次々と移動させ
てノズルから滴下させる。
その結果、特に現像液の液量を厳密に規定す・ことがで
きるので、延いてはレジスト膜と現像tの接触時間に対
応する現像時間を制御性よく規プできることになる。
従って、本発明は超微細なレジストパターン(作製を可
能にする間欠現像の実現に寄与すると、ろが大である。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の第一の実施例の説明図、第2図は第1
図の要部の拡大斜視図、 第3図は本発明の第二の実施例の説明図、第4図は間欠
現像装置の一例の説明図、である。 図において、 工は被加工物、 2は回転支持台、 4は管路、 5は現像液、 52は現像液槽、 6は洗浄液、 62は洗浄液槽、 7はガス、 72はガスタンク、 8は薬液分配器、 81は外殻部材、 81aは現像液注入口、 81cはガス注入口、 82は内殼部材、 822はドレイン軸、 である。 11はレジスト膜、 3はノズル、 51は現像液溜まり、 61は洗浄液溜まり、 71はガス溜まり、 811は開口、 81bは洗浄液注入口、 821は分配器、 本発明のr−の大島例の説明(2) 第 圀 1ち It21/’)l却の一者n七刀欠き七ム失、余
1λ比図χ 図 瓜発明のにの実加番゛]の説明同 第 図 間矧則廠枝■の一4夕1の説明図 策 今 図

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1)レジスト膜(11)が被着された被加工物(1)を
    支持しながら回転させる回転支持台(2)と、該回転支
    持台(2)の上方に配設された少なくとも1つのノズル
    (3)と、該ノズル(3)に一端部が連なる管路(4)
    と、該管路(4)の管内に、現像液(5)からなる現像
    液溜まり(51)と洗浄液(6)からなる洗浄液溜まり
    (61)を、ガス(7)からなるガス溜まり(71)を
    介して順次形成させる薬液分配器(8)を有し、 前記ノズル(3)は、順次間欠的に前記現像液(5)と
    前記洗浄液(6)を前記被加工物(1)の上に滴下させ
    るものである ことを特徴とするレジスト現像装置。 2)前記ノズル(3)と管路(4)は、内壁面が、前記
    現像液(5)または洗浄液(6)との接触角が鈍角をな
    す材料からなるものである 請求項1記載のレジスト現像装置。 3)前記ガス(7)が非酸化性の気体である請求項1記
    載のレジスト現像装置。 4)前記薬液分配器(8)と、現像液槽(52)と、洗
    浄液槽(62)と、加圧ガスタンク(72)を有し、前
    記薬液分配器(8)は、外殼部材(81)と内殻部材(
    82)を有するものであり、 前記外殼部材(81)は、円筒状をなして一端部が閉じ
    られ、他端部に開口(811)と、側壁の周りに前記現
    像液槽(52)と洗浄液槽(62)と加圧ガスタンク(
    72)がそれぞれ連なる現像液注入口(81a)と洗浄
    液注入口(81b)とガス注入口(81c)を有するも
    のであり、 前記内殼部材(82)は、円柱状をなして側壁から中心
    部に向かって設けられた分配孔(821)と、一端部が
    該分配孔(821)に、他端部が前記管路(4)に連な
    って中心軸方向に突設された円管状のドレイン軸(82
    2)を有するものであり、 前記内殼部材(82)は、ドレイン軸(822)が前記
    外殼部材(81)の開口(811)から突出し、かつ分
    配孔(821)が該外殼部材(81)の3つの注入口(
    81a、81b、81c)に液密可能に順次衝合しなが
    ら、該外殻部材(81)に回動自在に嵌合するものであ
    り、前記薬液分配器(8)は、内殼部材(82)が回動
    駆動されながら、分配孔(821)が現像液注入口(8
    1a)、ガス注入口(81c)、洗浄液注入口(81b
    )と適宜衝合して、前記現像液(5)とガス(7)と洗
    浄液(6)を汲み取ってドレイン軸(822)から前記
    管路(4)に排出し、該管路(4)の中に前記現像液溜
    まり(51)と洗浄液溜まり(61)を、境界にガス溜
    まり(71)を介して順次形成していくものである請求
    項1記載のレジスト現像装置。 5)請求項1記載の管路(4)の管内に、前記レジスト
    膜(11)の現像回数分の前記現像液溜まり(51)と
    洗浄液溜まり(61)をガス溜まり(71)を介して交
    互に貯留させ、 次いで、前記現像液溜まり(51)と洗浄液溜まり(6
    1)とガス溜まり(71)を移動させ、次いで、前記ノ
    ズル(3)から前記被加工物(1)の上に、現像液(5
    )と洗浄液(6)を間欠的に滴下させる ことを特徴とするレジスト現像方法。 6)前記管路(4)の管内に複数個の前記現像液溜まり
    (51)と1個の前記洗浄液溜まり(61)を、それぞ
    れの境界にガス溜まり(71)を介して交互に貯留させ
    る 請求項5記載のレジスト現像方法。
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Publication number Priority date Publication date Assignee Title
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JP2007318087A (ja) * 2006-04-26 2007-12-06 Tokyo Electron Ltd 現像装置、現像処理方法、現像処理プログラム、及びそのプログラムを記録したコンピュータ読み取り可能な記録媒体

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