CN1826534A - 电容检测电路以及电容检测方法 - Google Patents

Abstract

本发明提供一种具有输入保护电路并且具有高灵敏度的电容检测电路。该电容检测电路(20)用于检测电容型传感器Cs的电容，包括：经由信号线(13)连接在电容型传感器(Cs)上的电压放大率为1的第一缓冲放大器部(12)、串连连接在信号线(13)和正电源(+Vdd)之间的二极管(Dp1)和(Dp2)、以及串连连接在信号线(13)和负电源(一Vdd)之间的二极管(Dm1)和(Dm2)，并且缓冲放大器部(12)的输出端子连接在二极管(Dp1)和二极管(Dp2)的连接点(21a)、以及二极管(Dm1)和二极管(Dm2)的连接点(21b)上。

Description

电容检测电路以及电容检测方法

技术领域

本发明涉及检测静电电容的电路，特别涉及输出与微小的静电电容的变化相对应的信号的电路。

背景技术

在现有技术中，作为静电电容(以下简称为“电容”)根据物理量的变化而变化的电容型传感器的检测电路，有图1所示的电容检测电路10。

该电容检测电路10是输出与电容型传感器Cs的电容相对应的电压信号的电路，由电容型传感器Cs、输入保护电路11、电阻Rh、缓冲放大器12、连接电容型传感器Cs和缓冲放大器12的信号线13等构成(作为输入保护电路，例如参照日本专利文献特开平5-335493号公报)。

在电容型传感器Cs的一个电极上施加电压Vb，另一个电极通过信号线13与缓冲放大器12的输入端子相连接。输入保护电路11是将流入信号线13的静电荷等高电压箝位在电源电压上的电路，由信号线13以及连接在正电源(+Vdd)和负电源(-Vdd)之间的二极管Dp和Dm构成。

这种以往的电容检测电路10如下进行工作。

这里，用Ci表示信号线13的寄生电容，则由于施加在电容型传感器Cs上的电压Vb是由电容型传感器Cs和寄生电容Ci来确定的，所以缓冲放大器12的输入电压Vin变为：

Vin＝Vb·(1/jωCi)/(1/jωCs+1/jωCi)。但是，由于缓冲放大器12的电压放大率为1，所以Vout＝Vin成立。因此，从上述两式中消去Vin，则输出电压Vout为：

Vout＝Vb·Cs/(Cs+Ci)。在这里，如果将电容型传感器Cs的电容以与物理量的变化相关的分量(变化电容ΔC)以及与其不相关的分量(基准电容Cd)之和来进行表示，则为：Cs＝Cd+ΔC，则上述输出电压Vout为：

Vout＝Vb·(Cd+ΔC)/(Cd+ΔC+Ci)。在这里，Vb为直流电压时，在输出电压Vout中，由于只有与物理量的变化相对应的交流分量Vo变为最终的信号，所以该交流分量Vo变为：

Vo＝Vb·ΔC/(Cd+ΔC+Ci)--(式1)(在这里，也可以说Vo是由与物理量的时间性的变化(例如ΔC)相关的分量所确定的)。

由上式1可知，在这样的电容检测电路中，为了提高灵敏度，由于ΔC、Cd、Vb固定，所以优选使寄生电容Ci减小，或者使其为零。

但是，使寄生电容Ci减小并不容易。

图2是图1所示的电容检测电路10通常工作时(使二极管Dp和Dm为反偏压时)的等价电路图。在这里，二极管Dp和Dm的电容(反偏压时的空乏层电容)在图中分别表示为电容器Cdp和Cdm，缓冲放大器12的输入电容表示为电容器Cg。寄生电容Ci为这些电容器Cdp、Cdm、Cg的电容之和，即：

Ci＝Cdp+Cdm+Cg，都是由不可缺少的电路所产生的寄生电容。

在这里，如果可以在集成电路IC上形成电容检测电路10整体的话，则通过不设置输入保护电路11，可以大幅削减寄生电容Ci。但是，在需要将多种部件组合起来制造产品的情况下，或在必须将电容型传感器Cs和检测电路安装在分离的位置上的情况下，就必须在电容型传感器Cs和检测电路分离的结构中安装电容检测电路，在缓冲放大器12的输入段上不可避免地要设置输入保护电路11。因此，由输入保护电路11引起的寄生电容被加进来，从而产生电容检测电路的灵敏度下降的问题。

发明内容

因此，本发明是鉴于以上问题而完成的，其目的在于提供一种具有输入保护电路并且具有高灵敏度的电容检测电路。

为了达到所述目的，本发明的电容检测电路在消除构成输入保护电路的二极管的电容方面进行了改进。

即，本发明的电容检测电路用于检测被测电容器的电容，其特征在于，包括：经由信号线与所述被测电容器相连的第一缓冲放大器部、串连连接在所述信号线和第一电源之间的第一和第二二极管、以及串连连接在所述信号线和第二电源之间的第三和第四二极管，并且，所述第一缓冲放大器部的输出端子连接在所述第一二极管和所述第二二极管的第一连接点、以及所述第三二极管和所述第四二极管的第二连接点上。由此，由于连接在信号线上的第一二极管和第三二极管的两端变为相同电位，所以二极管的电容被消除，寄生电容变小，电容检测电路的灵敏度变大。

在这里，第一电源优选为正电位，通常使用电路中的正电源。另外，第二电源优选为负电位，通常使用电路中的负电源或接地。只要第一缓冲放大器部具有缓冲的功能即可。第一缓冲放大器部的电压放大率优选为“1”，也可以是此以外的值。并且，施加在被测电容器上的偏置电压可以为交流、直流、或载有直流的交流。

另外，也可以如下连接：将所述第一缓冲放大器部的输出端子以及所述第一和第二连接点分别经由第一和第二电容器进行交流连接，对于所述第一连接点，经由第一电阻连接在所述第一电源的电位和所述信号线的电位之间的电位上，对于所述第二连接点，经由第二电阻连接在所述第二电位和所述信号线的电位之间的电位上。此时，作为所述第一和第二电阻的电阻值以及所述第一和第二电容器的电容值，优选为以下电阻值和电容值：在所述第一缓冲放大器部的输出信号中，使与所述被测电容器的变化电容以及施加在该被测电容器上的偏置电压的交流分量相对应的频率分量通过。由此，第一缓冲放大器部的输出端子以及所述第一和第二连接点被交流连接，被连接在信号线上的第一二极管和第三二极管的两端交流地变为相同电位，因此这些二极管的电容被消除，寄生电容变小，作为检测被测电容器的变化电容的电路的灵敏度增大。

另外，也可以在所述第一电阻和所述第一电容器的连接点以及所述第一连接点之间连接第二缓冲放大器部，并在所述第二电阻和所述第二电容器的连接点以及所述第二连接点之间连接第三缓冲放大器部。在这里，优选的是，使得所述第一连接点的电位和所述第二连接点的电位变为与所述信号线的电位相同地来设置所述第一至第三缓冲放大器部的各自的电压放大率。更加优选的是，使第一至第三缓冲放大器部的电压放大率全部为1。由此，更加可靠地确保了第一二极管和第三二极管的两端为相同电位。

另外，在所述第一缓冲放大器部中，作为输入级的电路，包括MOSFET，当所述MOSFET的栅极连接在所述第一缓冲放大器部的输入端子上时，优选使所述MOSFET的基板和所述第一缓冲放大器部的输出端子相连接。由此，第一缓冲放大器部的输入电容被消除，电容检测电路的灵敏度提高。

另外，在所述电容检测电路中另外还可以设置用于输入测试信号的测试端子，并设置串连连接在所述第一缓冲放大器部的输入端子和所述测试端子之间的测试用电容器和开关。由此，在电容检测电路被实现为与被测电容器分离的电路的情况下，由于即使在被测电容器没有被连接的状态下也与被测电容器被连接的状态相同，所以可以单独用电容检测电路来进行工作测试。

并且，本发明不仅可以作为这样的电容检测电路而实现，也可以作为通过消除输入保护电路的二极管的电容而提高灵敏度的电容检测方法而实现。

根据本发明的电容检测电路，由于在构成输入保护电路的二极管中被连接在信号线上的二极管的电容被消除，所以信号线的寄生电容变小，电容检测电路的灵敏度大幅提高。

另外，在构成电容检测电路的缓冲放大器部的输出信号中，与电容型传感器的电容变化和施加在该被测电容器上的偏置电压的交流分量相对应的频率分量被施加在输入保护电路的二极管上，由此在构成输入保护电路的二极管中，被连接在信号线上的二极管的两端的电位交流地变为相同，电容被消除，因此信号线的寄生电容变小，电容型传感器作为检测电容变化的电容检测电路的灵敏度大幅提高。

另外，通过预先连接缓冲放大器的输入段的MOSFET的基板和缓冲放大器的输出端子，缓冲放大器的输入电容被消除，因此信号线的寄生电容减少，电容检测电路的灵敏度提高。

并且，通过在电容检测电路中组入测试用的电容器和开关，即使在电容型传感器未被连接的状态下，也可以制作出与电容型传感器连接在电容检测电路中相等的状态，并且可以进行电路的工作测试。另一方面，不进行工作测试时，可以将测试用的电容器连接在缓冲放大器部的输入端子和输出端子之间。

附图说明

图1是现有技术的电容检测电路的电路图；

图2是图1所示的电容检测电路的等价电路的电路图；

图3是本发明的第一实施方式的电容检测电路的电路图；

图4是图3所示的电容检测电路的等价电路的电路图；

图5是本发明的第二实施方式的电容检测电路的电路图；

图6是图5所示的电容检测电路的等价电路的电路图；

图7是在图6所示的等价电路中标记了信号电压的电路图，其中(a)是电路为稳定状态的情况下的电路图，(b)是电路为变化状态的情况下的电路图；

图8是在图5所示的电容检测电路中附加了两个缓冲放大器的电容检测电路的电路图；

图9是连接构成缓冲放大器的输入级的MOSFET的基板和缓冲放大器的输出端子的电路图；

图10是在电容检测电路中附加了测试用电容器的电路图；

图11中的(a)和(b)是缓冲放大器的一个示例的电路图。

具体实施方式

以下，使用附图来详细说明本发明的实施方式。

(第一实施方式)

图3是作为本发明一个例子的第一实施方式中的电容检测电路20的电路图的示例。

该电容检测电路20是输出与电容型传感器Cs的电容相对应的电压信号的电路，由电容型传感器Cs、输入保护电路21、电阻Rh、缓冲放大器12、连接电容型传感器Cs和缓冲放大器12的信号线13等构成。信号线13通过上拉电阻Rh连接在电源Vh上，并且直流电位被固定。缓冲放大器12是输入阻抗高并且输出阻抗低的电压放大率为1的阻抗变换器。与图1所示的现有的电容检测电路10相比，其不同点在于：输入保护电路21的结构、以及缓冲放大器12的输出和输入保护电路21的连接等。以下，对与现有的电容检测电路相同的结构元件标注相同的标号并省略对其的说明，仅对不同点加以说明。

输入保护电路21由二极管Dp1和Dp2、以及二极管Dm1和Dm2构成，其中，二极管Dp1和Dp2按照在信号线13和正电源(+Vdd)之间电流从信号线13流向正电源(+Vdd)的方式连接，二极管Dm1和Dm2按照在信号线13和负电源(-Vdd)之间电流从负电源(-Vdd)流向信号线13的方式连接。

并且，缓冲放大器12的输出端子与输入保护电路21中的二极管Dp1和二极管Dp2的连接点21a相连，并且同时与二极管Dm1和二极管Dm2的连接点21b相连。

如上述那样构成的电容检测电路20的如下进行工作。

图4是图3所示的电容检测电路20的等价电路。在这里，二极管Dp2和Dm1的电容在图中分别表示为电容器Cdp和Cdm，缓冲放大器12的输入电容表示为电容器Cg。

着眼于电容器Cdp，由于其两端连接在缓冲放大器12的输入端子和输出端子上，所以变为相同电位。同样，电容器Cdm的两端也变为相同电位。即，这些电容器Cdp和Cdm的两端均变为相同电位，储存电荷变为零，表面上看，电容Cdp和Cdm变为零。通过以下可以容易地理解这一点：在电容器的电容C、储存电荷Q以及两端子之间的电压V的关系：

Q＝C·V中，当V＝0时，Q＝0，即，储存电荷变为0，表面上看，与电容C为0的情况相等。

由此，由于可以忽略连接在信号线13上的两个二极管Dp2和Dm1的电容(电容器Cdp和Cdm)，所以信号线13的寄生电容Ci仅为电容器Cg，即，变为Ci＝Cg，因此，与现有技术的电容检测电路10中的信号线13的寄生电容Ci(＝Cdp+Cdm+Cg)相比，减去了输入保护电路引起的电容分量，于是，电容检测电路20的灵敏度得以提高。即，在上式1的分母中包含的Ci大幅减小，电路增益ΔC/(Cd+ΔC+Ci)与现有技术相比有了大幅提高。

(第二实施方式)

图5是作为本发明的一个例子的第二实施方式的电容检测电路30的电路图的示例。

该电容检测电路30是输出与电容型传感器Cs的电容相对应的电压信号的电路，由电容型传感器Cs、输入保护电路31、电阻Rh、缓冲放大器12、电容器Cp、电容器Cm、以及连接电容型传感器Cs和缓冲放大器12的信号线13构成。与图3所示的第一实施方式的电容检测电路20相比，不同之处在于追加了两个电容器Cp和Cm以及两个电阻Rp和Rm。以下，对与第一实施方式的电容检测电路20相同的结构元件标注同样的标号并省略对其的说明，仅对不同点加以说明。

对于输入保护电路31中的二极管Dp1和二极管Dp2的连接点31a，在其与固定电压Vp之间连接有电阻Rp，并在其与缓冲放大器12的输出端子之间连接有电容器Cp。同样，对于输入保护电路31中的二极管Dm1和二极管Dm2的连接点31b，在其与固定电压Vm之间连接有电阻Rm，并在其与缓冲放大器12的输出端子之间连接有电容器Cm。

电容器Cp和电阻Rp构成以缓冲放大器12的输出电压为输入并且以它们的连接点为输出的高通滤波器，设定其电容值和电阻值，使之变为使得与电容型传感器Cs的变化电容ΔC和偏置电源的电压Vb(交流分量)相对应的频率范围的信号通过的时间常数。同样，对于电容器Cm和电阻Rm，也设定其电容值和电阻值，使之变为使同样的频率范围的信号通过的时间常数。因此，缓冲放大器12的输出电压的交流分量通过电容器Cm并被施加在输入保护电路31的连接点31b上。

固定电压Vp是信号线13的电位Vh和正电源(+Vdd)之间的值，是用于按照二极管Dp1和Dp2均在通常工作中变为反偏压的方式来设置偏压的直流电位。同样，固定电压Vm是信号线13的电位Vh和负电源(-Vdd)之间的值，是用于按照二极管Dm1和Dm2均在通常工作中变为反偏压的方式来设置偏压的直流电位。

如上述那样构成的电容检测电路30的如下进行工作。

图6是图5所示的电容检测电路30的等价电路。在这里，二极管Dp2和Dm1的电容分别在图中表示为电容器Cdp和Cdm，缓冲放大器12的输入电容在图中表示为电容器Cg。

信号线13中的电压的交流分量从缓冲放大器12输出，通过电容器Cp和Cm并被施加在输入保护电路31的连接点31a和31b上。即，着眼于交流分量的话，则电容器Cdp和Cdm各自的两端的电位相同，并且和第一实施方式一样，表面上看来电容Cdp和Cdm变为零。

由此，由于可以忽略连接在信号线13上的两个二极管Dp2和Dm1的电容(电容器Cdp和Cdm)，所以信号线13的寄生电容Ci仅为电容器Cg，起到与第一实施方式相同的效果。

如使用解析式对以上工作进行说明，其如下所示。

图7中的(a)是记入了如下电压值的电路图，该电压值是当电容检测电路30为稳定状态，即电容型传感器Cs的电容等于稳态值Cd(变化电容ΔC＝0)时的各处的电压值。在这里使电压Vb为直流。即，信号线13的电压为Vh，缓冲放大器12的输出电压为Vh，输入保护电路31的连接点31a的电压为Vp，输入保护电路31的连接点31b的电压为Vm。

另一方面，图7中的(b)是记入了电容检测电路30的电容型传感器Cs的电容变化时的各处的电压值的电路图。即，信号线13的电压为(Vsig+Vh)，缓冲放大器12的输出电压为(Vsig+Vh)，输入保护电路31的连接点31a的电压为(Vsig+Vp)，输入保护电路31的连接点31b的电压为(Vsig+Vm)。

在这里，如果电阻Rh和缓冲放大器12的输入电阻极高，信号线13的电荷量得以保存的话，图7的(a)所示的稳定状态下的信号线13的电荷量Q1和图7的(b)所示的变化状态下的信号线13的电荷量Q2相等。

在这里，图7的(a)所示的稳定状态下的信号线13的电荷量Q1为：

Q1＝Cd·(Vh-Vb)+Cdp·(Vh-Vp)+Cdm(Vh-Vm)+Cg·Vh。另一方面，图7的(b)所示的变化状态下的信号线13的电荷量Q2为：

Q2＝(Cd+ΔC)·(Vsig+Vh-Vb)+Cdp·(Vsig+Vh-Vsig-Vp)+Cdm(Vsig+Vh-Vsig-Vm)+Cg·(Vsig+Vh)。于是，

Q1＝Q2成立。根据这些式子，与电容型传感器Cs的电容变化相对应的信号分量Vsig可以表示为：

Vsig＝(ΔC/(Cd+ΛC+Cg))·(Vb-Vh)。根据该式可知，缓冲放大器12的输出信号的交流分量不受输入保护电路31的两个二极管Dp2和Dm1的电容(电容器Cdp和Cdm)的影响。即，信号线13的寄生电容Ci表面看来仅为电容器Cg，灵敏度比现有技术增大。

以上用两个实施方式对本发明的电容检测电路进行了说明，但是本发明不限于这些实施方式。

例如，也可以使偏置电源的电压Vb为交流或加载了直流的交流。另外，也可以像图8所示的电容检测电路40一样，从两个二极管的连接点和缓冲放大器12的输出端子并通过电容器Cp或Cm来连接缓冲放大器42和43。该电容检测电路40相当于以下电路：在第二实施方式的电容检测电路30的连接点31a和电阻Rp之间以及在连接点31b和电阻Rm之间插入输入阻抗高并且输出阻抗低的电压放大率为1的阻抗变换器(分别为缓冲放大器42和43)。由此，从缓冲放大器12的输出负载断开输入保护电路41，并且同时通过缓冲放大器42和43向输入保护电路41的连接点41a和41b提供电压，因此电容器Cdp和Cdm的两端的电位能够更可靠地保持为相同电位。

另外，如图9的电路图所示，在缓冲放大器12的内部电路中，当输入端子被连接在MOSFET的栅极上时，缓冲放大器12的输入电容(电容器Cg)为该MOSFET的栅极电容，其大部分为栅极基板间的电容。因此，在这种情况下，也可以将MOSFET的基板和缓冲放大器12的输出端子连接起来。由此，栅极基板间的电容被消除，寄生电容Ci变小，电容检测电路的灵敏度提高。

另外，当除去电容型传感器Cs并且电容检测电路由单芯片IC或电路试验板等来实现时，如图10的电路图所示，也可以附加用于测试电容检测电路的电路。在图10的电路图中，缓冲放大器12的输入端子通过测试用电容器50和开关51而被连接在测试用PAD(IC的电极端子)52上，开关51的控制端子被连接在切换用PAD 53(或开关切换控制电路)上。通过这样的结构，当测试时，从切换用PAD 53施加预定的第一电压并将开关51连接在测试用PAD 52上，从而使其成为测试状态，由此变为电容型传感器(测试用电容器50)被连接在电容检测电路中的状态，通过向测试用PAD 52输入测试信号等就可以测试电容检测电路。另一方面，也可以在测试结束后，从切换用PAD 53施加预定的第二电压，将开关51连接在缓冲放大器12的输出端子上，使测试用电容器50的两端为相同电位，从而不会引起灵敏度下降。

另外，第一实施方式和第二实施方式中的缓冲放大器12、42、43也可以用由图11的(a)所示的放大器(运算放大器)所构成的电压跟随器来构成，也可以由使用图11的(b)所示MOSFET的电路来构成。

另外，当电容器Cdp和Cdm的两端的电压产生相位差时，也可以在从电容器Cdp和Cdm的一端开始至另一端为止的环路上插入相位补偿电路，从而进行调整以不产生相位差。或者，也可以使第二实施方式中的电容检测电路30的电阻Rp和Rm为可变电阻，使电容器Cp和Cm为可变电容，由此可以同时进行相位补偿和通带的调整。

工业实用性

本发明可以作为电容检测电路，特别是作为输出与微小的静电电容的变化相对应的信号的电路而使用，例如，可以作为电容根据电容式麦克风等的物理量的变化而变化的电容型传感器的检测电路而使用。

Claims (12)

1.一种电容检测电路，用于检测被测电容器的电容，其特征在于，包括：

经由信号线连接在所述被测电容器上的第一缓冲放大器部、

串连连接在所述信号线和第一电源之间的第一及第二二极管、

以及串连连接在所述信号线和第二电源之间的第三及第四二极管，

并且，所述第一缓冲放大器部的输出端子连接在所述第一二极管和所述第二二极管的第一连接点、以及所述第三二极管和所述第四二极管的第二连接点上。

2.如权利要求1所述的电容检测电路，其特征在于，所述第一缓冲放大器部的电压放大率为1。

3.如权利要求1所述的电容检测电路，其特征在于，

所述第一缓冲放大器部的输出端子分别经由第一和第二电容器与所述第一和第二连接点交流连接，

所述第一连接点经由第一电阻连接在所述第一电源的电位和所述信号线的电位之间的电位上，

所述第二连接点经由第二电阻连接在所述第二电源的电位和所述信号线的电位之间的电位上。

4.如权利要求3所述的电容检测电路，其特征在于，

所述第一电阻和所述第一电容器为以下电阻值和电容值：在所述第一缓冲放大器部的输出信号中，使与所述被测电容器的变化电容以及施加在该被测电容器上的偏置电压的交流分量相对应的频率分量通过，

所述第二电阻和所述第二电容器为以下电阻值和电容值：在所述第一缓冲放大器部的输出信号中，使与所述被测电容器的变化电容以及施加在该被测电容器上的偏置电压的交流分量相对应的频率分量通过。

5.如权利要求3所述的电容检测电路，其特征在于，

第二缓冲放大器部连接在所述第一电阻与所述第一电容器的连接点以及所述第一连接点之间，

第三缓冲放大器部连接在所述第二电阻与所述第二电容器的连接点以及所述第二连接点之间。

6.如权利要求5所述的电容检测电路，其特征在于，设定所述第一至第三缓冲放大器部各自的电压放大率，以使得所述第一连接点的电位和所述第二连接点的电位与所述信号线的电位相同。

7.如权利要求1所述的电容检测电路，其特征在于，

所述第一缓冲放大器部包括作为输入级电路的MOSFET，

所述MOSFET的栅极连接在所述第一缓冲放大器部的输入端子上，

所述MOSFET的基板连接在所述第一缓冲放大器部的输出端子上。

8.如权利要求1所述的电容检测电路，其特征在于，所述电容检测电路还包括：

用于输入检测信号的测试端子；以及

串连连接在所述第一缓冲放大器部的输入端子和所述测试端子之间的测试用电容器和开关。

9.一种电容检测电路，用于检测被测电容器的电容，其特征在于，包括：

经由信号线连接在所述被测电容器上的电压放大率为1的缓冲放大器部、

以电流从所述信号线流向第一电源的方向串连连接在所述信号线和所述第一电源之间的第一和第二二极管、

以电流从第二电源流向所述信号线的方向串连连接在所述信号线和所述第二电源之间的第三和第四二极管、

连接在所述信号线、以及所述第一电源的电位以下并且是所述第二电源的电位以上的电位之间的电阻，

并且，所述缓冲放大器部的输出端子连接在所述第一二极管和所述第二二极管的连接点、以及所述第三二极管和所述第四二极管的连接点上。

10.一种电容检测电路，用于检测被测电容器的电容，其特征在于，包括：

经由信号线连接在所述被测电容器上的电压放大率为1的缓冲放大器部、

以电流从所述信号线流向第一电源的方向串连连接在所述信号线和所述第一电源之间的第一和第二二极管、

以电流从第二电源流向所述信号线的方向串连连接在所述信号线和第所述二电源之间的第三和第四二极管、

连接在所述信号线、以及所述第一电源的电位以下并且是所述第二电源的电位以上的电位之间的电阻、

连接在所述缓冲放大器部的输出端子以及所述第一二极管和所述第二二极管的第一连接点之间的电容器、

连接在所述第一连接点、以及所述第一电源的电位和所述信号线的电位之间的电位上的电阻、

连接在所述缓冲放大器部的输出端子、以及所述第三二极管和所述第四二极管的第二连接点之间的电容器、

连接在所述第二连接点、以及所述第二电源的电位和所述信号线的电位之间的电位上的电阻。

11.一种电容检测电路，用于检测被测电容器的电容，其特征在于，包括：

经由信号线连接在所述被测电容器上的电压放大率为1的第一缓冲放大器部、

以电流从所述信号线流向第一电源的方向串连连接在所述信号线和所述第一电源之间的第一和第二二极管、

以电流从第二电源流向所述信号线的方向串连连接在所述信号线和所述第二电源之间的第三和第四二极管、

串连连接在所述第一缓冲放大器部的输出端子、以及所述第一二极管和所述第二二极管的第一连接点之间的第一电容器和第二缓冲放大器部、

连接在所述第一电容器和所述第二缓冲放大器部的连接点、以及所述第一电源的电位和所述信号线的电位之间的电位上的第一电阻、

串连连接在所述第一缓冲放大器部的输出端子、以及所述第三二极管和所述第四二极管的第二连接点之间的第二电容器和第三缓冲放大器部、

连接在所述第二电容器和所述第三缓冲放大器部的连接点、以及所述第二电源的电位和所述信号线的电位之间的电位上的第二电阻、

连接在所述信号线、以及所述第一电源的电位以下并且是所述第二电源的电位以上的电位之间的第三电阻。

12.一种电容检测方法，用于检测被测电容器的电容，其特征在于，

通过信号线来连接所述被测电容器和电压放大率为1的缓冲放大器部，

在所述信号线和第一电源之间串连连接第一和第二二极管，并在所述信号线和第二电源之间串连连接第三和第四二极管，

将所述缓冲放大器部的输出端子连接在所述第一二极管和所述第二二极管的连接点、以及所述第三二极管和所述第四二极管的连接点上，由此来消除连接在所述信号线上的所述第一二极管和所述第三二极管的电容。

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