KR20210092863A - 정전기 방전 보호 회로 및 이를 포함하는 유기 발광 표시 장치 - Google Patents

정전기 방전 보호 회로 및 이를 포함하는 유기 발광 표시 장치 Download PDF

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KR20210092863A
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Abstract

정전기 방전 보호 회로는 제1 정전기 방전 다이오드, 제1 스위칭 소자, 제2 정전기 방전 다이오드 및 제2 스위칭 소자를 포함한다. 제1 정전기 방전 다이오드는 제1 전압을 수신하는 캐소드 및 화소 회로에 포함된 구동 트랜지스터의 특성 편차를 보상하기 위한 센싱 동작이 수행될 때 센싱 전류가 흐르는 센싱 라인에 연결된 애노드를 포함한다. 제1 스위칭 소자는 센싱 동작이 수행될 때 센싱 동작을 위해 구동 트랜지스터의 소스 단자에 인가되는 프리차징 전압으로 제1 전압을 결정하고, 센싱 동작이 수행되지 않을 때 표시 패널에서 사용되는 최대 전압으로 제1 전압을 결정한다. 제2 정전기 방전 다이오드는 센싱 라인에 연결된 캐소드 및 제2 전압을 수신하는 애노드를 포함한다. 제2 스위칭 소자는 센싱 동작이 수행될 때 프리차징 전압으로 제2 전압을 결정하고, 센싱 동작이 수행되지 않을 때 표시 패널에서 사용되는 최소 전압으로 제2 전압을 결정한다.

Description

정전기 방전 보호 회로 및 이를 포함하는 유기 발광 표시 장치 {ELECTROSTATIC DISCHARGE PROTECTION CIRCUIT AND ORGANIC LIGHT EMITTING DISPLAY DEVICE INCLUDING THE SAME}
본 발명은 표시 장치에 관한 것이다. 보다 상세하게는, 본 발명은 표시 패널을 외부에서 유입되는 정전기 방전 전류로부터 보호하는 정전기 방전 보호 회로 및 이를 포함하는 유기 발광 표시 장치에 관한 것이다.
최근, 전자 기기에 포함되는 표시 장치로서 유기 발광 표시 장치가 널리 사용되고 있다. 일반적으로, 유기 발광 표시 장치에서는 화소 회로가 고전원 전압과 저전원 전압 사이에 직렬 연결된 구동 트랜지스터와 유기 발광 다이오드를 포함하고, 구동 트랜지스터가 데이터 신호(즉, 데이터 전압)에 상응하는 구동 전류를 유기 발광 다이오드에 흐르게 하여 유기 발광 다이오드를 발광시킨다. 하지만, 유기 발광 표시 장치에 포함된 화소 회로마다 구동 트랜지스터의 특성(예를 들어, 문턱 전압, 전자 이동도 등)이 상이하기 때문에, 구동 트랜지스터의 특성 편차를 보상하지 않으면, 화소 회로에 동일한 데이터 신호가 인가되더라도 화소 회로의 발광 휘도가 상이(즉, 유기 발광 다이오드에 흐르는 구동 전류가 상이)할 수 있다. 이에, 유기 발광 표시 장치는 화소 회로에 대하여 기 설정된 시점마다(예를 들어, 유기 발광 표시 장치가 턴온되거나 턴오프되는 시점 등) 구동 트랜지스터의 특성에 상응하는 센싱 전류를 센싱하고, 센싱 전류에 상응하는 센싱 전압(즉, 센싱 전류는 전류-전압 변환 회로(예를 들어, 연산 증폭기 등으로 구현)에 의해 센싱 전압으로 변환됨)에 기초하여 보상 데이터를 생성(즉, 아날로그 형태인 센싱 전압은 아날로그-디지털 변환 회로에 의해 디지털 형태인 보상 데이터로 변환됨)하며, 보상 데이터를 이용하여 화소 회로에 공급되는 데이터 신호를 보상하는 외부 보상을 수행할 수 있다. 이 때, 센싱 전류는 화소 회로와 센싱 드라이버를 연결하는 센싱 라인을 통해 흐르는데, 센싱 라인을 통해 화소 회로로 정전기 방전 전류가 유입되면 화소 회로(즉, 표시 패널)가 손상될 수 있다. 따라서, 종래의 유기 발광 표시 장치는 일단이 센싱 라인에 연결된 정전기 방전 다이오드들을 포함하는 정전기 방전 보호 회로를 포함하여 표시 패널을 정전기 방전 전류로부터 보호하고 있으나, 화소 회로에 대한 외부 보상을 수행하기 위한 센싱 동작 시 정전기 방전 다이오드들의 타단에 인가되는 전압들에 의해 센싱 라인에 흐르는 센싱 전류에 노이즈가 유입되고, 그에 따라, 센싱 전류에 상응하는 센싱 전압에 기초하여 생성되는 보상 데이터가 부정확해진다는 문제점이 발생하고 있다.
본 발명의 일 목적은 유기 발광 표시 장치가 화소 회로에 대한 외부 보상을 수행하기 위한 센싱 동작을 수행할 때 센싱 라인에 연결된 정전기 방전 다이오드들에 인가되는 전압들에 기인한 노이즈가 센싱 전류에 유입되는 것을 방지할 수 있는 정전기 방전 보호 회로를 제공하는 것이다.
본 발명의 다른 목적은 상기 정전기 방전 보호 회로를 포함하는 유기 발광 표시 장치를 제공하는 것이다.
다만, 본 발명의 목적은 상술한 목적들로 한정되는 것이 아니며, 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위에서 다양하게 확장될 수 있을 것이다.
본 발명의 일 목적을 달성하기 위하여, 본 발명의 실시예들에 따른 정전기 방전 보호 회로는 제1 전압을 수신하는 캐소드 및 화소 회로에 포함된 구동 트랜지스터의 특성 편차를 보상하기 위한 센싱 동작이 수행될 때 센싱 전류가 흐르는 센싱 라인에 연결된 애노드를 포함하는 제1 정전기 방전 다이오드, 상기 센싱 동작이 수행될 때 상기 센싱 동작을 위해 상기 구동 트랜지스터의 소스 단자에 인가되는 프리차징 전압으로 상기 제1 전압을 결정하고, 상기 센싱 동작이 수행되지 않을 때 표시 패널에서 사용되는 최대 전압으로 상기 제1 전압을 결정하는 제1 스위칭 소자, 상기 센싱 라인에 연결된 캐소드 및 제2 전압을 수신하는 애노드를 포함하는 제2 정전기 방전 다이오드, 및 상기 센싱 동작이 수행될 때 상기 프리차징 전압으로 상기 제2 전압을 결정하고, 상기 센싱 동작이 수행되지 않을 때 상기 표시 패널에서 사용되는 최소 전압으로 상기 제2 전압을 결정하는 제2 스위칭 소자를 포함할 수 있다.
일 실시예에 의하면, 상기 제1 정전기 방전 다이오드 및 상기 제2 정전기 방전 다이오드는 상기 표시 패널 내에 위치할 수 있다.
일 실시예에 의하면, 상기 최대 전압은 게이트 신호의 하이 전압 레벨에 상응하는 제1 게이트 구동 전압이고, 상기 최소 전압은 상기 게이트 신호의 로우 전압 레벨에 상응하는 제2 게이트 구동 전압일 수 있다.
일 실시예에 의하면, 상기 센싱 동작이 수행되지 않을 때, 정전기 방전 전류가 상기 센싱 라인에 유입됨에 따라 상기 센싱 라인의 전압이 상기 제1 전압보다 높아지면, 상기 제1 정전기 방전 다이오드는 상기 제1 전압을 공급하는 전압 라인으로 상기 정전기 방전 전류를 배출할 수 있다.
일 실시예에 의하면, 상기 센싱 동작이 수행되지 않을 때, 정전기 방전 전류가 상기 센싱 라인에 유입됨에 따라 상기 센싱 라인의 전압이 상기 제2 전압보다 낮아지면, 상기 제2 정전기 방전 다이오드는 상기 제2 전압을 공급하는 전압 라인으로 상기 정전기 방전 전류를 배출할 수 있다.
일 실시예에 의하면, 상기 정전기 방전 보호 회로는 아날로그 고전압을 수신하는 캐소드 및 상기 센싱 라인에 연결된 애노드를 포함하는 제3 정전기 방전 다이오드 및 상기 센싱 라인에 연결된 캐소드 및 아날로그 저전압을 수신하는 애노드를 포함하는 제4 정전기 방전 다이오드를 더 포함할 수 있다.
일 실시예에 의하면, 상기 제3 정전기 방전 다이오드 및 상기 제4 정전기 방전 다이오드는 상기 표시 패널을 구동하는 표시 패널 구동 회로 내에 위치할 수 있다.
일 실시예에 의하면, 상기 센싱 동작이 수행되지 않을 때, 정전기 방전 전류가 상기 센싱 라인에 유입됨에 따라 상기 센싱 라인의 전압이 상기 제1 전압보다 높아지면, 상기 제3 정전기 방전 다이오드는 상기 아날로그 고전압을 공급하는 전압 라인으로 상기 정전기 방전 전류를 배출할 수 있다.
일 실시예에 의하면, 상기 센싱 동작이 수행되지 않을 때, 정전기 방전 전류가 상기 센싱 라인에 유입됨에 따라 상기 센싱 라인의 전압이 상기 제2 전압보다 낮아지면, 상기 제4 정전기 방전 다이오드는 상기 아날로그 저전압을 공급하는 전압 라인으로 상기 정전기 방전 전류를 배출할 수 있다.
본 발명의 다른 목적을 달성하기 위하여, 본 발명의 실시예들에 따른 유기 발광 표시 장치는 유기 발광 다이오드를 구비한 화소 회로를 포함하는 표시 패널, 상기 표시 패널을 구동하는 표시 패널 구동 회로, 및 상기 표시 패널을 외부에서 유입되는 정전기 방전 전류로부터 보호하는 정전기 방전 보호 회로를 포함할 수 있다. 이 때, 상기 정전기 방전 보호 회로는 제1 전압을 수신하는 캐소드 및 상기 화소 회로에 포함된 구동 트랜지스터의 특성 편차를 보상하기 위한 센싱 동작이 수행될 때 센싱 전류가 흐르는 센싱 라인에 연결된 애노드를 포함하는 제1 정전기 방전 다이오드, 상기 센싱 동작이 수행될 때 상기 센싱 동작을 위해 상기 구동 트랜지스터의 소스 단자에 인가되는 프리차징 전압으로 상기 제1 전압을 결정하고, 상기 센싱 동작이 수행되지 않을 때 상기 표시 패널에서 사용되는 최대 전압으로 상기 제1 전압을 결정하는 제1 스위칭 소자, 상기 센싱 라인에 연결된 캐소드 및 제2 전압을 수신하는 애노드를 포함하는 제2 정전기 방전 다이오드, 및 상기 센싱 동작이 수행될 때 상기 프리차징 전압으로 상기 제2 전압을 결정하고, 상기 센싱 동작이 수행되지 않을 때 상기 표시 패널에서 사용되는 최소 전압으로 상기 제2 전압을 결정하는 제2 스위칭 소자를 포함할 수 있다.
일 실시예에 의하면, 상기 화소 회로는 데이터 신호를 수신하는 제1 단자, 제1 노드에 연결된 제2 단자 및 게이트 신호를 수신하는 게이트 단자를 포함하는 스위칭 트랜지스터, 상기 제1 노드에 연결된 제1 단자 및 제2 노드에 연결된 제2 단자를 포함하는 스토리지 커패시터, 제3 노드에 연결된 제1 단자, 상기 제2 노드에 연결되고 상기 소스 단자에 상응하는 제2 단자 및 상기 제1 노드에 연결된 게이트 단자를 포함하는 상기 구동 트랜지스터, 고전원 전압 라인에 연결된 제1 단자, 상기 제3 노드에 연결된 제2 단자 및 발광 제어 신호를 수신하는 게이트 단자를 포함하는 발광 제어 트랜지스터, 상기 제2 노드에 연결된 제1 단자, 상기 센싱 라인에 연결된 제2 단자 및 센싱 제어 신호를 수신하는 게이트 단자를 포함하는 센싱 제어 트랜지스터, 및 상기 제2 노드에 연결된 애노드 및 저전원 전압 라인에 연결된 캐소드를 포함하는 상기 유기 발광 다이오드를 포함할 수 있다.
일 실시예에 의하면, 상기 표시 패널 구동 회로는 상기 화소 회로에 상기 게이트 신호를 제공하는 게이트 드라이버, 상기 화소 회로에 상기 데이터 신호를 제공하는 데이터 드라이버, 상기 화소 회로에 상기 발광 제어 신호를 제공하는 발광 제어 드라이버, 상기 화소 회로로부터 상기 센싱 전류를 제공받아 상기 센싱 전류에 상응하는 센싱 전압을 생성하고, 상기 센싱 전압에 기초하여 상기 데이터 신호를 보상하기 위한 보상 데이터를 생성하는 센싱 드라이버, 및 상기 게이트 드라이버, 상기 데이터 드라이버, 상기 발광 제어 드라이버 및 상기 센싱 드라이버를 제어하는 타이밍 컨트롤러를 포함할 수 있다.
일 실시예에 의하면, 상기 제1 정전기 방전 다이오드 및 상기 제2 정전기 방전 다이오드는 상기 표시 패널 내에 위치할 수 있다.
일 실시예에 의하면, 상기 최대 전압은 게이트 신호의 하이 전압 레벨에 상응하는 제1 게이트 구동 전압이고, 상기 최소 전압은 상기 게이트 신호의 로우 전압 레벨에 상응하는 제2 게이트 구동 전압일 수 있다.
일 실시예에 의하면, 상기 센싱 동작이 수행되지 않을 때, 상기 정전기 방전 전류가 상기 센싱 라인에 유입됨에 따라 상기 센싱 라인의 전압이 상기 제1 전압보다 높아지면, 상기 제1 정전기 방전 다이오드는 상기 제1 전압을 공급하는 전압 라인으로 상기 정전기 방전 전류를 배출할 수 있다.
일 실시예에 의하면, 상기 센싱 동작이 수행되지 않을 때, 상기 정전기 방전 전류가 상기 센싱 라인에 유입됨에 따라 상기 센싱 라인의 전압이 상기 제2 전압보다 낮아지면, 상기 제2 정전기 방전 다이오드는 상기 제2 전압을 공급하는 전압 라인으로 상기 정전기 방전 전류를 배출할 수 있다.
일 실시예에 의하면, 상기 정전기 방전 보호 회로는 아날로그 고전압을 수신하는 캐소드 및 상기 센싱 라인에 연결된 애노드를 포함하는 제3 정전기 방전 다이오드, 및 상기 센싱 라인에 연결된 캐소드 및 아날로그 저전압을 수신하는 애노드를 포함하는 제4 정전기 방전 다이오드를 더 포함할 수 있다.
일 실시예에 의하면, 상기 제3 정전기 방전 다이오드 및 상기 제4 정전기 방전 다이오드는 상기 표시 패널 구동 회로 내에 위치할 수 있다.
일 실시예에 의하면, 상기 센싱 동작이 수행되지 않을 때, 상기 정전기 방전 전류가 상기 센싱 라인에 유입됨에 따라 상기 센싱 라인의 전압이 상기 제1 전압보다 높아지면, 상기 제3 정전기 방전 다이오드는 상기 아날로그 고전압을 공급하는 전압 라인으로 상기 정전기 방전 전류를 배출할 수 있다.
일 실시예에 의하면, 상기 센싱 동작이 수행되지 않을 때, 상기 정전기 방전 전류가 상기 센싱 라인에 유입됨에 따라 상기 센싱 라인의 전압이 상기 제2 전압보다 낮아지면, 상기 제4 정전기 방전 다이오드는 상기 아날로그 저전압을 공급하는 전압 라인으로 상기 정전기 방전 전류를 배출할 수 있다.
본 발명의 실시예들에 따른 정전기 방전 보호 회로는 제1 전압을 수신하는 캐소드 및 센싱 라인에 연결된 애노드를 포함하는 제1 정전기 방전 다이오드, 센싱 동작이 수행될 때 프리차징 전압으로 제1 전압을 결정하고 센싱 동작이 수행되지 않을 때 표시 패널에서 사용되는 최대 전압으로 제1 전압을 결정하는 제1 스위칭 소자, 센싱 라인에 연결된 캐소드 및 제2 전압을 수신하는 애노드를 포함하는 제2 정전기 방전 다이오드, 및 센싱 동작이 수행될 때 프리차징 전압으로 제2 전압을 결정하고 센싱 동작이 수행되지 않을 때 표시 패널에서 사용되는 최소 전압으로 제2 전압을 결정하는 제2 스위칭 소자를 포함함으로써, 유기 발광 표시 장치가 화소 회로에 대한 외부 보상을 수행하기 위한 센싱 동작을 수행할 때 센싱 라인에 연결된 제1 및 제2 정전기 방전 다이오드들에 인가되는 제1 및 제2 전압들을 프리차징 전압(즉, 유기 발광 표시 장치가 화소 회로에 대한 외부 보상을 수행하기 위한 센싱 동작을 수행할 때 화소 회로 내 구동 트랜지스터의 소스 단자에 인가되는 전압)으로 결정하고, 유기 발광 표시 장치가 화소 회로에 대한 외부 보상을 수행하기 위한 센싱 동작을 수행하지 않을 때에는 센싱 라인에 연결된 제1 및 제2 정전기 방전 다이오드들에 인가되는 제1 및 제2 전압들을 표시 패널에서 사용되는 최대 전압과 최소 전압으로 결정할 수 있다. 그 결과, 상기 정전기 방전 보호 회로는 센싱 라인을 통해 화소 회로(즉, 표시 패널)로 정전기 방전 전류가 유입되는 것을 방지(즉, 화소 회로(즉, 표시 패널)가 손상되는 것을 방지)함과 동시에 유기 발광 표시 장치가 화소 회로에 대한 외부 보상을 수행하기 위한 센싱 동작을 수행할 때 센싱 라인에 연결된 제1 및 제2 정전기 방전 다이오드들에 인가되는 제1 및 제2 전압들에 기인한 노이즈가 센싱 전류에 유입되는 것을 방지할 수 있다.
본 발명의 실시예들에 따른 유기 발광 표시 장치는 상기 정전기 방전 보호 회로를 포함함으로써, 상기 정전기 방전 전류의 유입에 기인한 화소 회로(즉, 표시 패널)의 손상을 방지함과 동시에 상기 센싱 전류에 상응하는 센싱 전압에 기초하여 생성되는 보상 데이터가 상기 노이즈에 의해 부정확해지는 것을 방지(예를 들어, 저계조 센싱 오차율을 감소시킬 수 있음)하여 외부 보상을 정확하게 수행(예를 들어, 신호 대 잡음비(signal to noise ratio; SNR)가 높아지고, 보상 오차가 감소하여 열화 보상 효율이 극대화될 수 있음)할 수 있다. 그 결과, 상기 유기 발광 표시 장치는 고품질의 이미지를 사용자에게 제공할 수 있다.
다만, 본 발명의 효과는 상술한 효과들로 한정되는 것이 아니며, 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위에서 다양하게 확장될 수 있을 것이다.
도 1은 본 발명의 실시예들에 따른 정전기 방전 보호 회로를 나타내는 회로도이다.
도 2a는 도 1의 정전기 방전 보호 회로에 연결된 센싱 라인을 통해 센싱 동작이 수행되는 일 예를 설명하기 위한 도면이다.
도 2b는 도 1의 정전기 방전 보호 회로에 연결된 센싱 라인을 통해 센싱 동작이 수행되지 않는 일 예를 설명하기 위한 도면이다.
도 3은 도 1의 정전기 방전 보호 회로가 화소 회로에 대한 센싱 동작이 수행되는지 여부에 따라 제1 및 제2 정전기 방전 다이오드들에 인가되는 제1 및 제2 전압들을 결정하는 방법을 나타내는 순서도이다.
도 4는 도 1의 정전기 방전 보호 회로가 화소 회로에 대한 센싱 동작이 수행될 때 제1 및 제2 정전기 방전 다이오드들에 인가되는 제1 및 제2 전압들을 결정하는 일 예를 나타내는 도면이다.
도 5는 도 1의 정전기 방전 보호 회로가 화소 회로에 대한 센싱 동작이 수행되지 않을 때 제1 및 제2 정전기 방전 다이오드들에 인가되는 제1 및 제2 전압들을 결정하는 일 예를 나타내는 도면이다.
도 6은 본 발명의 실시예들에 따른 유기 발광 표시 장치를 나타내는 블록도이다.
도 7은 본 발명의 실시예들에 따른 전자 기기를 나타내는 블록도이다.
도 8은 도 7의 전자 기기가 스마트폰으로 구현된 일 예를 나타내는 도면이다.
이하, 첨부한 도면들을 참조하여, 본 발명의 실시예들을 보다 상세하게 설명하고자 한다. 도면 상의 동일한 구성 요소에 대해서는 동일한 참조 부호를 사용하고 동일한 구성 요소에 대해서 중복된 설명은 생략하기로 한다.
도 1은 본 발명의 실시예들에 따른 정전기 방전 보호 회로를 나타내는 회로도이고, 도 2a는 도 1의 정전기 방전 보호 회로에 연결된 센싱 라인을 통해 센싱 동작이 수행되는 일 예를 설명하기 위한 도면이며, 도 2b는 도 1의 정전기 방전 보호 회로에 연결된 센싱 라인을 통해 센싱 동작이 수행되지 않는 일 예를 설명하기 위한 도면이다.
도 1 내지 도 2b를 참조하면, 정전기 방전 보호 회로(100)는 제1 정전기 방전 다이오드(FDD), 제1 스위칭 소자(FSE), 제2 정전기 방전 다이오드(SDD) 및 제2 스위칭 소자(SSE)를 포함할 수 있다. 실시예에 따라, 정전기 방전 보호 회로(100)는 제3 정전기 방전 다이오드(TDD) 및 제4 정전기 방전 다이오드(FODD)를 더 포함할 수 있다.
제1 정전기 방전 다이오드(FDD)는 제1 전압(V1)을 수신하는 캐소드(cathode) 및 화소 회로(10)에 포함된 구동 트랜지스터(DT)의 특성 편차를 보상하기 위한 센싱 동작이 수행될 때 센싱 전류(SC)가 흐르는 센싱 라인(SENL)에 연결된 애노드(anode)를 포함할 수 있다. 제1 스위칭 소자(FSE)는 화소 회로(10)에 포함된 구동 트랜지스터(DT)의 특성 편차를 보상하기 위한 센싱 동작이 수행될 때 상기 센싱 동작을 위해 구동 트랜지스터(DT)의 소스 단자(즉, 제2 노드(N2))에 인가되는 프리차징 전압(VPRE)으로 제1 전압(V1)을 결정하고, 상기 센싱 동작이 수행되지 않을 때(예를 들어, 표시 동작, 모듈 작업 등) 표시 패널에서 사용되는 최대 전압(VGH)으로 제1 전압(V1)을 결정할 수 있다. 즉, 제1 정전기 방전 다이오드(FDD)와 제1 스위칭 소자(FSE)는 센싱 라인(SENL)과 프리차징 전압(VPRE)이 인가되는 단자 및/또는 표시 패널에서 사용되는 최대 전압(VGH)이 인가되는 단자 사이에 직렬 연결될 수 있다. 이 때, 도 2a에 도시된 바와 같이, 화소 회로(10)에 포함된 구동 트랜지스터(DT)의 특성 편차를 보상하기 위한 센싱 동작이 수행될 때, 제1 스위칭 소자(FSE)에 의해 제1 정전기 방전 다이오드(FDD)의 캐소드에도 구동 트랜지스터(DT)의 소스 단자(즉, 제2 노드(N2))에 인가되는 프리차징 전압(VPRE)이 인가되기 때문에, 제1 정전기 방전 다이오드(FDD)의 양단의 전압이 실질적으로 동일해지고, 그에 따라, 제1 정전기 방전 다이오드(FDD)에 인가되는 제1 전압(V1)에 기인한 노이즈가 센싱 전류(SC)에 유입되는 것이 방지될 수 있다. 반면에, 도 2b에 도시된 바와 같이, 화소 회로(10)에 포함된 구동 트랜지스터(DT)의 특성 편차를 보상하기 위한 센싱 동작이 수행되지 않을 때에는, 제1 스위칭 소자(FSE)에 의해 제1 정전기 방전 다이오드(FDD)의 캐소드에 표시 패널에서 사용되는 최대 전압(VGH)이 인가되기 때문에, 제1 정전기 방전 다이오드(FDD)의 양단의 전압차가 크고, 그에 따라, 정전기 방전 전류(ESD1)가 센싱 라인(SENL)에 유입되면 제1 정전기 방전 다이오드(FDD)를 통해 외부로 배출될 수 있다. 일 실시예에서, 표시 패널에서 사용되는 최대 전압(VGH)은 게이트 신호(GS)의 하이(high) 전압 레벨에 상응하는 제1 게이트 구동 전압(VGH)일 수 있다. 다만, 이것은 예시적인 것으로서, 표시 패널에서 사용되는 최대 전압(VGH)이 그에 한정되는 것은 아니다.
제2 정전기 방전 다이오드(SDD)는 화소 회로(10)에 포함된 구동 트랜지스터(DT)의 특성 편차를 보상하기 위한 센싱 동작이 수행될 때 센싱 전류(SC)가 흐르는 센싱 라인(SENL)에 연결된 캐소드 및 제2 전압(V2)을 수신하는 애노드를 포함할 수 있다. 제2 스위칭 소자(SSE)는 화소 회로(10)에 포함된 구동 트랜지스터(DT)의 특성 편차를 보상하기 위한 센싱 동작이 수행될 때 상기 센싱 동작을 위해 구동 트랜지스터(DT)의 소스 단자(즉, 제2 노드(N2))에 인가되는 프리차징 전압(VPRE)으로 제2 전압(V2)을 결정하고, 상기 센싱 동작이 수행되지 않을 때(예를 들어, 표시 동작, 모듈 작업 등) 표시 패널에서 사용되는 최소 전압(VGL)으로 제2 전압(V2)을 결정할 수 있다. 즉, 제2 정전기 방전 다이오드(SDD)와 제2 스위칭 소자(SSE)는 센싱 라인(SENL)과 프리차징 전압(VPRE)이 인가되는 단자 및/또는 표시 패널에서 사용되는 최소 전압(VGL)이 인가되는 단자 사이에 직렬 연결될 수 있다. 이 때, 도 2a에 도시된 바와 같이, 화소 회로(10)에 포함된 구동 트랜지스터(DT)의 특성 편차를 보상하기 위한 센싱 동작이 수행될 때, 제2 스위칭 소자(SSE)에 의해 제2 정전기 방전 다이오드(SDD)의 애노드에도 구동 트랜지스터(DT)의 소스 단자(즉, 제2 노드(N2))에 인가되는 프리차징 전압(VPRE)이 인가되기 때문에, 제2 정전기 방전 다이오드(SDD)의 양단의 전압이 실질적으로 동일해지고, 그에 따라, 제2 정전기 방전 다이오드(SDD)에 인가되는 제2 전압(V2)에 기인한 노이즈가 센싱 전류(SC)에 유입되는 것이 방지될 수 있다. 반면에, 도 2b에 도시된 바와 같이, 화소 회로(10)에 포함된 구동 트랜지스터(DT)의 특성 편차를 보상하기 위한 센싱 동작이 수행되지 않을 때에는, 제2 스위칭 소자(SSE)에 의해 제2 정전기 방전 다이오드(SDD)의 애노드에 표시 패널에서 사용되는 최소 전압(VGL)이 인가되기 때문에, 제2 정전기 방전 다이오드(SDD)의 양단의 전압차가 크고, 그에 따라, 정전기 방전 전류(ESD2)가 센싱 라인(SENL)에 유입되면 제2 정전기 방전 다이오드(SDD)를 통해 외부로 배출될 수 있다. 일 실시예에서, 표시 패널에서 사용되는 최소 전압(VGL)은 게이트 신호(GS)의 로우(low) 전압 레벨에 상응하는 제2 게이트 구동 전압(VGL)일 수 있다. 다만, 이것은 예시적인 것으로서, 표시 패널에서 사용되는 최소 전압(VGL)이 그에 한정되는 것은 아니다.
일 실시예에서, 도 1에 도시된 바와 같이, 제1 정전기 방전 다이오드(FDD) 및 제2 정전기 방전 다이오드(SSD)는 표시 패널(즉, DISPLAY PANEL로 표시) 내에 위치할 수 있다. 실시예에 따라, 정전기 방전 보호 회로(100)는 제3 정전기 방전 다이오드(TDD) 및 제4 정전기 방전 다이오드(FODD)를 더 포함할 수 있다. 제3 정전기 방전 다이오드(TDD)는 아날로그 고전압(AVDD)을 수신하는 캐소드 및 화소 회로(10)에 포함된 구동 트랜지스터(DT)의 특성 편차를 보상하기 위한 센싱 동작이 수행될 때 센싱 전류(SC)가 흐르는 센싱 라인(SENL)에 연결된 애노드를 포함할 수 있다. 즉, 제3 정전기 방전 다이오드(TDD)는 센싱 라인(SENL)과 아날로그 고전압(AVDD)이 인가되는 단자 사이에 연결될 수 있다. 따라서, 도 2b에 도시된 바와 같이, 제3 정전기 방전 다이오드(TDD)의 캐소드에는 아날로그 고전압(AVDD)이 인가되기 때문에, 제3 정전기 방전 다이오드(TDD)의 양단의 전압차가 크고, 그에 따라, 정전기 방전 전류(ESD1)가 센싱 라인(SENL)에 유입되면 제3 정전기 방전 다이오드(TDD)를 통해 외부로 배출될 수 있다. 제4 정전기 방전 다이오드(FODD)는 화소 회로(10)에 포함된 구동 트랜지스터(DT)의 특성 편차를 보상하기 위한 센싱 동작이 수행될 때 센싱 전류(SC)가 흐르는 센싱 라인(SENL)에 연결된 캐소드 및 아날로그 저전압(AVSS)을 수신하는 애노드를 포함할 수 있다. 즉, 제4 정전기 방전 다이오드(FODD)는 센싱 라인(SENL)과 아날로그 저전압(AVSS)이 인가되는 단자 사이에 연결될 수 있다. 따라서, 도 2b에 도시된 바와 같이, 제4 정전기 방전 다이오드(FODD)의 애노드에는 아날로그 저전압(AVSS)이 인가되기 때문에, 제4 정전기 방전 다이오드(FODD)의 양단의 전압차가 크고, 그에 따라, 정전기 방전 전류(ESD2)가 센싱 라인(SENL)에 유입되면 제4 정전기 방전 다이오드(FODD)를 통해 외부로 배출될 수 있다. 일 실시예에서, 도 1에 도시된 바와 같이, 제3 정전기 방전 다이오드(TDD) 및 제4 정전기 방전 다이오드(FODD)는 표시 패널 구동 회로(즉, DISPLAY PANEL DRIVING CIRCUIT으로 표시) 내에 위치할 수 있다. 이 경우, 아날로그 고전압(AVDD)과 아날로그 저전압(AVSS)은 표시 패널 구동 회로에서 사용되는 전압들일 수 있다.
한편, 설명의 편의를 위해, 본 명세서에서는 화소 회로(10)가 4T-1C 구조를 갖는 것으로 가정하기로 한다. 일 실시예에서, 화소 회로(10)는 스위칭 트랜지스터(ST), 스토리지 커패시터(CST), 구동 트랜지스터(DT), 발광 제어 트랜지스터(ET), 센싱 제어 트랜지스터(CT) 및 유기 발광 다이오드(OLED)를 포함할 수 있다. 스위칭 트랜지스터(ST)는 데이터 신호(DS)를 수신하는 제1 단자, 제1 노드(N1)에 연결된 제2 단자 및 게이트 신호(GS)를 수신하는 게이트 단자를 포함할 수 있다. 스위칭 트랜지스터(ST)는 게이트 단자에 인가되는 게이트 신호(GS)가 턴온 전압 레벨(예를 들어, 하이 전압 레벨)을 가지면 턴온되어, 데이터 라인을 통해 인가되는 데이터 신호(DS)를 제1 노드(N1)로 전달할 수 있다. 스토리지 커패시터(CST)는 제1 노드(N1)에 연결된 제1 단자 및 제2 노드(N2)에 연결된 제2 단자를 포함할 수 있다. 스토리지 커패시터(CST)는 구동 트랜지스터(DT)를 턴온시키기 위한 데이터 신호(DS)를 저장할 수 있다. 구동 트랜지스터(DT)는 제3 노드(N3)에 연결되고 드레인(drain) 단자에 상응하는 제1 단자, 제2 노드(N2)에 연결되고 소스(source) 단자에 상응하는 제2 단자 및 제1 노드(N1)에 연결된 게이트 단자를 포함할 수 있다. 구동 트랜지스터(DT)는 스토리지 커패시터(CST)에 저장된 데이터 신호(DS)에 상응하는 구동 전류를 유기 발광 다이오드(OLED)로 흐르게 할 수 있다. 발광 제어 트랜지스터(ET)는 고전원 전압(ELVDD)을 제공하는 고전원 전압 라인에 연결된 제1 단자, 제3 노드(N3)에 연결된 제2 단자 및 발광 제어 신호(ES)를 수신하는 게이트 단자를 포함할 수 있다. 발광 제어 트랜지스터(ET)는 게이트 단자에 인가되는 발광 제어 신호(ES)가 턴온 전압 레벨(예를 들어, 하이 전압 레벨)을 가지면 턴온되어, 고전원 전압(ELVDD)과 저전원 전압(ELVSS) 사이에 상기 구동 전류를 흐르게 하여 유기 발광 다이오드(OLED)를 발광시킬 수 있다. 센싱 제어 트랜지스터(CT)는 제2 노드(N2)에 연결된 제1 단자, 센싱 라인(SENL)에 연결된 제2 단자 및 센싱 제어 신호(SS)를 수신하는 게이트 단자를 포함할 수 있다. 센싱 제어 트랜지스터(CT)는 게이트 단자에 인가되는 센싱 제어 신호(SS)가 턴온 전압 레벨(예를 들어, 하이 전압 레벨)을 가지면 턴온되어, 구동 트랜지스터(DT)의 소스 단자에 해당하는 제2 노드(N2)에 프리차징 전압(VPRE)을 인가하고, 구동 트랜지스터(DT)를 거쳐 센싱 라인(SENL)을 통해 흐르는 센싱 전류(SC)를 센싱 드라이버(즉, SENSING DRIVER로 표시)에 전달할 수 있다. 유기 발광 다이오드(OLED)는 제2 노드(N2)에 연결된 애노드 및 저전원 전압(ELVSS)을 제공하는 저전원 전압 라인에 연결된 캐소드를 포함할 수 있다. 다만, 이것은 예시적인 것으로서, 화소 회로(10)의 구조가 상술한 구조로 한정되지는 않는다.
일반적으로, 화소 회로(10)마다 구동 트랜지스터(DT)의 특성(예를 들어, 문턱 전압, 전자 이동도 등)이 상이하기 때문에, 화소 회로(10)에 대하여 기 설정된 시점마다(예를 들어, 유기 발광 표시 장치가 턴온되거나 턴오프되는 시점 등) 구동 트랜지스터(DT)의 특성에 상응하는 센싱 전류(SC)를 센싱하고, 센싱 전류(SC)에 상응하는 센싱 전압에 기초하여 보상 데이터를 생성하며, 보상 데이터를 이용하여 화소 회로(10)에 공급되는 데이터 신호(DS)를 보상하는 외부 보상이 수행될 수 있다. 이 때, 상기 외부 보상은 센싱 드라이버에 의해 수행될 수 있다. 예를 들어, 센싱 드라이버는 화소 회로(10)에 포함된 구동 트랜지스터(DT)의 특성 편차를 보상하기 위한 센싱 동작이 수행될 때 상기 센싱 동작을 위해 구동 트랜지스터(DT)의 소스 단자(즉, 제2 노드(N2))에 프리차징 전압(VPRE)을 인가하는 프리차징 전압 인가 회로, 화소 회로(10) 내 구동 트랜지스터(DT)를 거쳐 센싱 라인(SENL)을 통해 흐르는 센싱 전류(SC)를 센싱 전압으로 변환하는 전류-전압 변환 회로(예를 들어, 연산 증폭기 등으로 구현), 아날로그 형태인 센싱 전압을 디지털 형태인 보상 데이터로 변환하는 아날로그-디지털 변환 회로 등을 포함할 수 있다. 한편, 전류-전압 변환 회로가 연산 증폭기로 구현된다고 가정할 때, 프리차징 전압(VPRE)은 전류-전압 변환 회로 즉, 연산 증폭기의 가상 접지(virtual ground)를 형성하기 위한 기준 전압일 수 있다. 다만, 이것은 예시적인 것으로서, 프리차징 전압(VPRE)이 그에 한정되지는 않는다. 구체적으로, 도 2a에 도시된 바와 같이, 정전기 방전 보호 회로(100)에 연결된 센싱 라인(SENL)을 통해 화소 회로(10)에 포함된 구동 트랜지스터(DT)의 특성 편차(예를 들어, 문턱 전압 편차, 전자 이동도 편차 등)를 보상하기 위한 센싱 동작이 수행될 수 있다. 예를 들어, 상기 센싱 동작이 수행될 때 화소 회로(10) 내 구동 트랜지스터(DT)의 소스 단자(즉, 제2 노드(N2))에 프리차징 전압(VPRE)이 인가되고, 기준 데이터 전압(REF)이 제1 노드(N1)에 인가되며, 그에 따라, 제1 노드(N1)와 제2 노드(N2) 사이의 전압차(즉, 게이트-소스 전압차(Vgs))가 파악될 수 있다. 따라서, 구동 트랜지스터(DT)를 거쳐 센싱 라인(SENL)을 통해 흐르는 센싱 전류(SC)만 센싱되면, 구동 트랜지스터(DT)를 거쳐 흐르는 전류를 계산하는 수식 I=K*(Vgs-Vth)^2(단, I는 구동 트랜지스터(DT)를 거쳐 흐르는 전류이고, K는 구동 트랜지스터(DT)의 특성 상수이며, Vgs는 구동 트랜지스터(DT)의 게이트-소스 전압차이고, Vth는 구동 트랜지스터(DT)의 문턱 전압임)에 의해 구동 트랜지스터(DT)의 문턱 전압이 파악될 수 있다. 따라서, 유기 발광 표시 장치는 상기 센싱 동작을 통해 센싱 전류(SC)를 센싱함으로써 화소 회로(10)에 포함된 구동 트랜지스터(DT)의 특성 편차(예를 들어, 문턱 전압 편차, 전자 이동도 편차 등)를 보상할 수 있다.
한편, 센싱 라인(SENL)에 유입된 정전기 방전 전류(ESD1, ESD2)가 화소 회로(10)(즉, 표시 패널)까지 유입되면, 화소 회로(10)(즉, 표시 패널)에 손상이 발생할 수 있다. 예를 들어, 표시 패널과 표시 패널 구동 회로(예를 들어, 칩 온 필름(chip on film; COF) 및 인쇄 회로 기판(printed circuit board; PCB)으로 구성)를 연결하는 모듈 작업 시에 센싱 라인(SENL)을 통해 화소 회로(10)가지 정전기 방전 전류(ESD1, ESD2)가 유입될 가능성이 높다. 따라서, 정전기 방전 보호 회로(100)는 센싱 라인(SENL)에 유입된 정전기 방전 전류(ESD1, ESD2)를 제1 전압(V1)을 공급하는 전압 라인, 제2 전압(V2)을 공급하는 전압 라인, 아날로그 고전압(AVDD)을 공급하는 전압 라인 및/또는 아날로그 저전압(AVSS)을 공급하는 전압 라인으로 배출함으로써, 화소 회로(10)(즉, 표시 패널)를 정전기 방전 전류(ESD1, ESD2)로부터 보호할 수 있다. 구체적으로, 도 2b에 도시된 바와 같이, 화소 회로(10)에 포함된 구동 트랜지스터(DT)의 특성 편차를 보상하기 위한 센싱 동작이 수행되지 않을 때(예를 들어, 표시 동작, 모듈 작업 등), 정전기 방전 전류(ESD1)가 센싱 라인(SENL)에 유입됨에 따라 센싱 라인(SENL)의 전압이 제1 전압(V1)(즉, 표시 패널에서 사용되는 최대 전압(VGH))보다 기 설정된 전압차 이상으로 높아지면, 제1 정전기 방전 다이오드(FDD)는 제1 전압(V1)을 공급하는 전압 라인으로 정전기 방전 전류(ESD1)를 배출할 수 있다. 또한, 정전기 방전 전류(ESD1)가 센싱 라인(SENL)에 유입됨에 따라 센싱 라인(SENL)의 전압이 제1 전압(V1)(즉, 표시 패널에서 사용되는 최대 전압(VGH))보다 기 설정된 전압차 이상으로 높아지면, 제3 정전기 방전 다이오드(TDD)도 아날로그 고전압(AVDD)을 공급하는 전압 라인으로 정전기 방전 전류(ESD1)를 배출할 수 있다. 반면에, 화소 회로(10)에 포함된 구동 트랜지스터(DT)의 특성 편차를 보상하기 위한 센싱 동작이 수행되지 않을 때, 정전기 방전 전류(ESD2)가 센싱 라인(SENL)에 유입됨에 따라 센싱 라인(SENL)의 전압이 제2 전압(V2)(즉, 표시 패널에서 사용되는 최소 전압(VGL))보다 기 설정된 전압차 이상으로 낮아지면, 제2 정전기 방전 다이오드(SDD)는 제2 전압(V2)을 공급하는 전압 라인으로 정전기 방전 전류(ESD2)를 배출할 수 있다. 또한, 정전기 방전 전류(ESD2)가 센싱 라인(SENL)에 유입됨에 따라 센싱 라인(SENL)의 전압이 제2 전압(V2)(즉, 표시 패널에서 사용되는 최소 전압(VGL))보다 기 설정된 전압차 이상으로 낮아지면, 제4 정전기 방전 다이오드(FODD)도 아날로그 저전압(AVSS)을 공급하는 전압 라인으로 정전기 방전 전류(ESD2)를 배출할 수 있다. 그 결과, 정전기 방전 보호 회로(100)는 정전기 방전 전류(ESD1, ESD2)가 센싱 라인(SENL)에 유입되더라도 정전기 방전 전류(ESD1, ESD2)가 화소 회로(10)(즉, 표시 패널)까지 유입되는 것을 방지하여 센싱 라인(SENL)에 유입된 정전기 방전 전류(ESD1, ESD2)에 의해 화소 회로(10)(즉, 표시 패널)가 손상되는 것을 방지할 수 있다.
이와 같이, 정전기 방전 보호 회로(100)는 제1 전압(V1)을 수신하는 캐소드 및 센싱 라인(SENL)에 연결된 애노드를 포함하는 제1 정전기 방전 다이오드(FDD), 화소 회로(10)에 포함된 구동 트랜지스터(DT)의 특성 편차를 보상하기 위한 센싱 동작이 수행될 때 프리차징 전압(VPRE)으로 제1 전압(V1)을 결정하고 상기 센싱 동작이 수행되지 않을 때 표시 패널에서 사용되는 최대 전압(VGH)으로 제1 전압(V1)을 결정하는 제1 스위칭 소자(FSE), 센싱 라인(SENL)에 연결된 캐소드 및 제2 전압(V2)을 수신하는 애노드를 포함하는 제2 정전기 방전 다이오드(SDD), 및 화소 회로(10)에 포함된 구동 트랜지스터(DT)의 특성 편차를 보상하기 위한 센싱 동작이 수행될 때 프리차징 전압(VPRE)으로 제2 전압(V2)을 결정하고 상기 센싱 동작이 수행되지 않을 때 표시 패널에서 사용되는 최소 전압(VGL)으로 제2 전압(V2)을 결정하는 제2 스위칭 소자(SSE)를 포함함으로써, 유기 발광 표시 장치가 화소 회로(10)에 대한 외부 보상을 수행하기 위한 센싱 동작을 수행할 때 센싱 라인(SENL)에 연결된 제1 및 제2 정전기 방전 다이오드들(FDD, SDD)에 인가되는 제1 및 제2 전압들(V1, V2)을 프리차징 전압(VPRE)(즉, 유기 발광 표시 장치가 화소 회로(10)에 대한 외부 보상을 수행하기 위한 센싱 동작을 수행할 때 화소 회로(10) 내 구동 트랜지스터(DT)의 소스 단자(즉, 제2 노드(N2))에 인가되는 전압)으로 결정하고, 유기 발광 표시 장치가 화소 회로(10)에 대한 외부 보상을 수행하기 위한 센싱 동작을 수행하지 않을 때에는 센싱 라인(SENL)에 연결된 제1 및 제2 정전기 방전 다이오드들(FDD, SDD)에 인가되는 제1 및 제2 전압들(V1, V2)을 표시 패널에서 사용되는 최대 전압(VGH)과 최소 전압(VGL)으로 결정할 수 있다. 그 결과, 정전기 방전 보호 회로(100)는 센싱 라인(SENL)을 통해 화소 회로(10)(즉, 표시 패널)로 정전기 방전 전류(ESD1, ESD2)가 유입되는 것을 방지(즉, 화소 회로(10)(즉, 표시 패널)가 손상되는 것을 방지)함과 동시에 유기 발광 표시 장치가 화소 회로(10)에 대한 외부 보상을 수행하기 위한 센싱 동작을 수행할 때 센싱 라인(SENL)에 연결된 제1 및 제2 정전기 방전 다이오드들(FDD, SDD)에 인가되는 제1 및 제2 전압들(V1, V2)에 기인한 노이즈가 센싱 전류(SC)에 유입되는 것을 방지할 수 있다. 상술한 바와 같이, 정전기 방전 보호 회로(100)는 아날로그 고전압(AVDD)과 센싱 라인(SENL) 사이에 연결된 제3 정전기 방전 다이오드(TDD) 및 센싱 라인(SENL)과 아날라고 저전압(AVSS) 사이에 연결된 제4 정전기 방전 다이오드(FODD)를 더 포함할 수 있다. 다만, 상기에서는 제3 및 제4 정전기 방전 다이오드들(TDD, FODD)에는 제1 및 제2 정전기 방전 다이오드들(FDD, SDD)과는 달리 인가 전압 스위칭이 이루어지지 않는 것으로 설명하고 있으나, 실시예에 따라, 제3 및 제4 정전기 방전 다이오드들(TDD, FODD)에도 제1 및 제2 정전기 방전 다이오드들(FDD, SDD)처럼 인가 전압 스위칭이 이루어질 수도 있다.
도 3은 도 1의 정전기 방전 보호 회로가 화소 회로에 대한 센싱 동작이 수행되는지 여부에 따라 제1 및 제2 정전기 방전 다이오드들에 인가되는 제1 및 제2 전압들을 결정하는 방법을 나타내는 순서도이고, 도 4는 도 1의 정전기 방전 보호 회로가 화소 회로에 대한 센싱 동작이 수행될 때 제1 및 제2 정전기 방전 다이오드들에 인가되는 제1 및 제2 전압들을 결정하는 일 예를 나타내는 도면이며, 도 5는 도 1의 정전기 방전 보호 회로가 화소 회로에 대한 센싱 동작이 수행되지 않을 때 제1 및 제2 정전기 방전 다이오드들에 인가되는 제1 및 제2 전압들을 결정하는 일 예를 나타내는 도면이다.
도 3 내지 도 5를 참조하면, 정전기 방전 보호 회로(100)는 화소 회로(10)의 동작을 모니터링(S110)하고, 화소 회로(10)의 동작이 센싱 동작인지 여부를 확인(S120)할 수 있다. 예를 들어, 정전기 방전 보호 회로(100)는 화소 회로(10) 내 센싱 제어 트랜지스터(CT)가 턴온되었는지 여부를 모니터링함으로써 화소 회로(10)의 동작이 센싱 동작인지 여부를 확인할 수 있다. 다만, 이것은 예시적인 것으로서, 정전기 방전 보호 회로(100)는 유기 발광 표시 장치의 타이밍 컨트롤러 등으로부터 제공되는 소정의 신호에 기초하여 화소 회로(10)의 동작이 센싱 동작인지 여부를 확인할 수도 있다. 한편, 화소 회로(10)의 동작이 센싱 동작인 경우(즉, 화소 회로에 대한 센싱 동작이 수행되는 경우), 도 4에 도시된 바와 같이, 정전기 방전 보호 회로(100)는 제1 스위칭 소자(FSE)로 하여금 제1 정전기 방전 다이오드(FDD)의 캐소드를 프리차징 전압(VPRE)을 제공하는 단자에 연결시키도록 제어함으로써, 제1 정전기 방전 다이오드(FDD)에 인가되는 제1 전압(V1)을 프리차징 전압(VPRE)으로 결정(S130)하고, 제2 스위칭 소자(SSE)로 하여금 제2 정전기 방전 다이오드(SDD)의 애노드를 프리차징 전압(VPRE)을 제공하는 단자에 연결시키도록 제어함으로써, 제2 정전기 방전 다이오드(SDD)에 인가되는 제2 전압(V2)을 프리차징 전압(VPRE)으로 결정(S140)할 수 있다. 반면에, 화소 회로(10)의 동작이 센싱 동작이 아닌 경우(즉, 화소 회로에 대한 센싱 동작이 수행되지 않는 경우), 도 5에 도시된 바와 같이, 정전기 방전 보호 회로(100)는 제1 스위칭 소자(FSE)로 하여금 제1 정전기 방전 다이오드(FDD)의 캐소드를 표시 패널에서 사용되는 최대 전압(VGH)을 제공하는 단자에 연결시키도록 제어함으로써, 제1 정전기 방전 다이오드(FDD)에 인가되는 제1 전압(V1)을 표시 패널에서 사용되는 최대 전압(VGH)으로 결정(S150)하고, 제2 스위칭 소자(SSE)로 하여금 제2 정전기 방전 다이오드(SDD)의 애노드를 표시 패널에서 사용되는 최소 전압(VGL)을 제공하는 단자에 연결시키도록 제어함으로써, 제2 정전기 방전 다이오드(SDD)에 인가되는 제2 전압(V2)을 표시 패널에서 사용되는 최소 전압(VGL)으로 결정할 수 있다. 실시예에 따라, 화소 회로(10)의 동작이 센싱 동작이 아닌 경우(즉, 화소 회로에 대한 센싱 동작이 수행되지 않는 경우), 정전기 방전 보호 회로(100)는 표시 패널에서 사용되는 최대 전압(VGH)과 최소 전압(VGL)이 아닌 다른 전압들을 제1 정전기 방전 다이오드(FDD)와 제2 정전기 방전 다이오드(SDD)에 인가할 수도 있다. 예를 들어, 화소 회로(10)의 동작이 센싱 동작이 아닌 경우, 정전기 방전 보호 회로(100)는 제1 정전기 방전 다이오드(FDD)에 인가되는 제1 전압(V1)을 표시 패널 구동 회로에서 사용되는 소정의 고전압(이 때, 고전압은 표시 패널에서 사용되는 최대 전압(VGH)보다 높거나 같음)으로 결정하고, 제2 정전기 방전 다이오드(SDD)에 인가되는 제2 전압(V2)을 표시 패널 구동 회로에서 사용되는 소정의 저전압(이 때, 저전압은 표시 패널에서 사용되는 최소 전압(VGL)보다 낮거나 같음)으로 결정할 수 있다.
도 6은 본 발명의 실시예들에 따른 유기 발광 표시 장치를 나타내는 블록도이다.
도 6을 참조하면, 유기 발광 표시 장치(500)는 표시 패널(520), 표시 패널 구동 회로(540) 및 정전기 방전 보호 회로(560)를 포함할 수 있다. 또한, 표시 패널 구동 회로(540)는 게이트 드라이버(542), 데이터 드라이버(544), 발광 제어 드라이버(546), 센싱 드라이버(548) 및 타이밍 컨트롤러(549)를 포함할 수 있다.
표시 패널(110)은 유기 발광 다이오드를 구비한 화소 회로(PX)들을 포함할 수 있다. 화소 회로(PX)들은 표시 패널(110) 내에서 다양한 형태(예를 들어, 매트릭스(matrix) 형태 등)로 배치될 수 있다. 한편, 화소 회로(PX)들 각각은 적색 표시 화소, 녹색 표시 화소 및 청색 표시 화소 중에서 적어도 하나 이상을 포함할 수 있다. 일 실시예에서, 화소 회로(PX)들 각각은 4T-1C 구조를 가질 수 있다. 예를 들어, 화소 회로(PX)들 각각은 데이터 신호(DS)를 수신하는 제1 단자, 제1 노드에 연결된 제2 단자 및 게이트 신호(GS)를 수신하는 게이트 단자를 포함하는 스위칭 트랜지스터, 제1 노드에 연결된 제1 단자 및 제2 노드에 연결된 제2 단자를 포함하는 스토리지 커패시터, 제3 노드에 연결되고 드레인 단자에 상응하는 제1 단자, 제2 노드에 연결되고 소스 단자에 상응하는 제2 단자 및 제1 노드에 연결된 게이트 단자를 포함하는 구동 트랜지스터, 고전원 전압 라인에 연결된 제1 단자, 제3 노드에 연결된 제2 단자 및 발광 제어 신호(ES)를 수신하는 게이트 단자를 포함하는 발광 제어 트랜지스터, 제2 노드에 연결된 제1 단자, 센싱 라인에 연결된 제2 단자 및 센싱 제어 신호(SS)를 수신하는 게이트 단자를 포함하는 센싱 제어 트랜지스터, 및 제2 노드에 연결된 애노드 및 저전원 전압 라인에 연결된 캐소드를 포함하는 유기 발광 다이오드를 포함할 수 있다. 다만, 이에 대해서는 도 2a 및 도 2b를 참조하여 설명한 바 있으므로, 그에 대한 중복되는 설명은 생략하기로 한다.
표시 패널 구동 회로(540)는 표시 패널(520)을 구동할 수 있다. 일 실시예에서, 표시 패널 구동 회로(540)는 게이트 드라이버(542), 데이터 드라이버(544), 발광 제어 드라이버(546), 센싱 드라이버(548) 및 타이밍 컨트롤러(549)를 포함할 수 있다. 게이트 드라이버(542)는 게이트 라인들을 통해 표시 패널(520)에 전기적으로 연결될 수 있다. 이에, 게이트 드라이버(542)는 표시 패널(520)에 포함된 화소 회로(PX)에 게이트 라인을 통해 게이트 신호(GS)를 제공할 수 있다. 데이터 드라이버(544)는 데이터 라인들을 통해 표시 패널(520)에 전기적으로 연결될 수 있다. 이에, 데이터 드라이버(544)는 표시 패널(520)에 포함된 화소 회로(PX)에 데이터 라인을 통해 데이터 신호(DS)를 제공할 수 있다. 발광 제어 드라이버(546)는 발광 제어 라인들을 통해 표시 패널(520)에 전기적으로 연결될 수 있다. 이에, 발광 제어 드라이버(546)는 표시 패널(520)에 포함된 화소 회로(PX)에 발광 제어 라인을 통해 발광 제어 신호(ES)를 제공할 수 있다. 센싱 드라이버(548)는 센싱 라인들을 통해 표시 패널(520)에 전기적으로 연결될 수 있다. 이에, 센싱 드라이버(548)는 표시 패널(520)에 포함된 화소 회로(PX)로부터 센싱 라인을 통해 센싱 전류(SC)를 제공받아 센싱 전류(SC)에 상응하는 센싱 전압을 생성하고, 센싱 전압에 기초하여 데이터 신호(DS)를 보상하기 위한 보상 데이터를 생성할 수 있다. 실시예에 따라, 센싱 드라이버(548)가 화소 회로(PX) 내 센싱 제어 트랜지스터의 게이트 단자에 인가되는 센싱 제어 신호(SS)를 제공할 수도 있다. 일 실시예에서, 센싱 드라이버(548)는 화소 회로(PX)에 포함된 구동 트랜지스터의 특성 편차를 보상하기 위한 센싱 동작이 수행될 때 상기 센싱 동작을 위해 화소 회로(PX) 내 구동 트랜지스터의 소스 단자에 프리차징 전압을 인가하는 프리차징 전압 인가 회로, 화소 회로(PX) 내 구동 트랜지스터를 거쳐 센싱 라인을 통해 흐르는 센싱 전류(SC)를 센싱 전압으로 변환하는 전류-전압 변환 회로, 아날로그 형태인 센싱 전압을 디지털 형태인 보상 데이터로 변환하는 아날로그-디지털 변환 회로 등을 포함할 수 있다. 타이밍 컨트롤러(549)는 게이트 드라이버(542), 데이터 드라이버(544), 발광 제어 드라이버(546) 및 센싱 드라이버(548)를 제어할 수 있다. 또한, 타이밍 컨트롤러(549)는 센싱 드라이버(548)에서 생성된 보상 데이터에 기초하여 데이터 신호(DS)를 보상할 수 있다.
정전기 방전 보호 회로(560)는 표시 패널(520)과 표시 패널 구동 회로(540) 사이에 걸쳐 위치할 수 있다. 구체적으로, 정전기 방전 보호 회로(560)는 제1 전압을 수신하는 캐소드 및 화소 회로(PX)에 포함된 구동 트랜지스터의 특성 편차를 센싱하기 위한 센싱 동작이 수행될 때 센싱 전류(SC)가 흐르는 센싱 라인에 연결된 애노드를 포함하는 제1 정전기 방전 다이오드, 화소 회로(PX)에 포함된 구동 트랜지스터의 특성 편차를 센싱하기 위한 센싱 동작이 수행될 때 프리차징 전압(즉, 상기 센싱 동작을 위해 회소 회로(PX)에 포함된 구동 트랜지스터의 소스 단자에 인가되는 전압)으로 제1 전압을 결정하고, 상기 센싱 동작이 수행되지 않을 때 표시 패널(520)에서 사용되는 최대 전압으로 제1 전압을 결정하는 제1 스위칭 소자, 센싱 라인에 연결된 캐소드 및 제2 전압을 수신하는 애노드를 포함하는 제2 정전기 방전 다이오드, 및 화소 회로(PX)에 포함된 구동 트랜지스터의 특성 편차를 센싱하기 위한 센싱 동작이 수행될 때 프리차징 전압으로 제2 전압을 결정하고, 상기 센싱 동작이 수행되지 않을 때 표시 패널(520)에서 사용되는 최소 전압으로 제2 전압을 결정하는 제2 스위칭 소자를 포함할 수 있다. 이 때, 표시 패널(520)에서 사용되는 최대 전압은 게이트 신호(GS)의 하이 전압 레벨에 상응하는 제1 게이트 구동 전압이고, 표시 패널(520)에서 사용되는 최소 전압은 게이트 신호(GS)의 로우 전압 레벨에 상응하는 제2 게이트 구동 전압일 수 있다. 실시예에 따라, 정전기 방전 보호 회로(560)는 아날로그 고전압을 수신하는 캐소드 및 센싱 라인에 연결된 애노드를 포함하는 제3 정전기 방전 다이오드 및 센싱 라인에 연결된 캐소드 및 아날로그 저전압을 수신하는 애노드를 포함하는 제4 정전기 방전 다이오드를 더 포함할 수 있다. 한편, 제1 정전기 방전 다이오드 및 제2 정전기 방전 다이오드는 표시 패널(520) 내에 위치하고, 제3 정전기 방전 다이오드 및 제4 정전기 방전 다이오드는 표시 패널 구동 회로(540) 내에 위치할 수 있다.
정전기 방전 보호 회로(560)는 유기 발광 표시 장치(500)가 화소 회로(PX)에 대한 외부 보상을 수행하기 위한 센싱 동작을 수행할 때 센싱 라인에 연결된 제1 및 제2 정전기 방전 다이오드들에 인가되는 제1 및 제2 전압들을 프리차징 전압(즉, 유기 발광 표시 장치(500)가 화소 회로(PX)에 대한 외부 보상을 수행하기 위한 센싱 동작을 수행할 때 화소 회로(PX) 내 구동 트랜지스터의 소스 단자에 인가되는 전압)으로 결정하고, 유기 발광 표시 장치(500)가 화소 회로(PX)에 대한 외부 보상을 수행하기 위한 센싱 동작을 수행하지 않을 때에는 센싱 라인에 연결된 제1 및 제2 정전기 방전 다이오드들에 인가되는 제1 및 제2 전압들을 표시 패널(520)에서 사용되는 최대 전압과 최소 전압으로 결정함으로써, 센싱 라인을 통해 화소 회로(PX)(즉, 표시 패널(520))로 정전기 방전 전류가 유입되는 것을 방지(즉, 화소 회로(PX)(즉, 표시 패널(520))가 손상되는 것을 방지)함과 동시에 유기 발광 표시 장치(500)가 화소 회로(PX)에 대한 외부 보상을 수행하기 위한 센싱 동작을 수행할 때 센싱 라인에 연결된 제1 및 제2 정전기 방전 다이오드들에 인가되는 제1 및 제2 전압들에 기인한 노이즈가 센싱 전류(SC)에 유입되는 것을 방지할 수 있다. 그 결과, 정전기 방전 보호 회로(560)를 포함하는 유기 발광 표시 장치(500)는 정전기 방전 전류의 유입에 기인한 화소 회로(PX)(즉, 표시 패널(520))의 손상을 방지함과 동시에 센싱 전류(SC)에 상응하는 센싱 전압에 기초하여 생성되는 보상 데이터가 센싱 라인에 연결된 제1 및 제2 정전기 방전 다이오드들에 인가되는 제1 및 제2 전압들에 기인한 노이즈에 의해 부정확해지는 것을 방지하여 외부 보상을 정확하게 수행할 수 있고, 그에 따라, 고품질의 이미지를 사용자에게 제공할 수 있다.
도 7은 본 발명의 실시예들에 따른 전자 기기를 나타내는 블록도이고, 도 8은 도 7의 전자 기기가 스마트폰으로 구현된 일 예를 나타내는 도면이다.
도 7 및 도 8을 참조하면, 전자 기기(1000)는 프로세서(1010), 메모리 장치(1020), 스토리지 장치(1030), 입출력 장치(1040), 파워 서플라이(1050) 및 유기 발광 표시 장치(1060)를 포함할 수 있다. 이 때, 유기 발광 표시 장치(1060)는 도 6의 유기 발광 표시 장치(500)일 수 있다. 또한, 전자 기기(1000)는 비디오 카드, 사운드 카드, 메모리 카드, USB 장치 등과 통신하거나, 또는 다른 시스템들과 통신할 수 있는 여러 포트(port)들을 더 포함할 수 있다. 일 실시예에서, 도 8에 도시된 바와 같이, 전자 기기(1000)는 스마트폰으로 구현될 수 있다. 다만, 이것은 예시적인 것으로서, 전자 기기(1000)가 그에 한정되지는 않는다. 예를 들어, 전자 기기(1000)는 휴대폰, 비디오폰, 스마트패드, 스마트 워치(smart watch), 태블릿(tablet) PC, 차량용 네비게이션, 컴퓨터 모니터, 노트북, 헤드 마운트 디스플레이(head mounted display; HMD) 장치 등으로 구현될 수도 있다.
프로세서(1010)는 특정 계산들 또는 태스크(task)들을 수행할 수 있다. 실시예에 따라, 프로세서(1010)는 마이크로프로세서(micro processor), 중앙 처리 유닛(central processing unit; CPU), 어플리케이션 프로세서(application processor; AP) 등일 수 있다. 프로세서(1010)는 어드레스 버스(address bus), 제어 버스(control bus) 및 데이터 버스(data bus) 등을 통해 다른 구성 요소들에 연결될 수 있다. 실시예에 따라, 프로세서(1010)는 주변 구성 요소 상호 연결(Peripheral Component Interconnect; PCI) 버스와 같은 확장 버스에도 연결될 수 있다. 메모리 장치(1020)는 전자 기기(1000)의 동작에 필요한 데이터들을 저장할 수 있다. 예를 들어, 메모리 장치(1020)는 이피롬(Erasable Programmable Read-Only Memory; EPROM) 장치, 이이피롬(Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory; EEPROM) 장치, 플래시 메모리 장치(flash memory device), 피램(Phase Change Random Access Memory; PRAM) 장치, 알램(Resistance Random Access Memory; RRAM) 장치, 엔에프지엠(Nano Floating Gate Memory; NFGM) 장치, 폴리머램(Polymer Random Access Memory; PoRAM) 장치, 엠램(Magnetic Random Access Memory; MRAM), 에프램(Ferroelectric Random Access Memory; FRAM) 장치 등과 같은 비휘발성 메모리 장치 및/또는 디램(Dynamic Random Access Memory; DRAM) 장치, 에스램(Static Random Access Memory; SRAM) 장치, 모바일 DRAM 장치 등과 같은 휘발성 메모리 장치를 포함할 수 있다. 스토리지 장치(1030)는 솔리드 스테이트 드라이브(Solid State Drive; SSD), 하드 디스크 드라이브(Hard Disk Drive; HDD), 씨디롬(CD-ROM) 등을 포함할 수 있다. 입출력 장치(1040)는 키보드, 키패드, 터치패드, 터치스크린, 마우스 등과 같은 입력 수단 및 스피커, 프린터 등과 같은 출력 수단을 포함할 수 있다. 실시예에 따라, 유기 발광 표시 장치(1060)가 입출력 장치(1040)에 포함될 수도 있다. 파워 서플라이(1050)는 전자 기기(1000)의 동작에 필요한 파워를 공급할 수 있다.
유기 발광 표시 장치(1060)는 전자 기기(1000)의 시각적 정보에 해당하는 이미지를 표시할 수 있다. 유기 발광 표시 장치(1060)는 상기 버스들 또는 다른 통신 링크를 통해서 다른 구성 요소들에 연결될 수 있다. 유기 발광 표시 장치(1000)는 유기 발광 다이오드를 구비한 화소 회로를 포함하는 표시 패널, 표시 패널을 구동하는 표시 패널 구동 회로(이 때, 화소 회로에 게이트 신호를 제공하는 게이트 드라이버, 화소 회로에 데이터 신호를 제공하는 데이터 드라이버, 화소 회로에 발광 제어 신호를 제공하는 발광 제어 드라이버, 화소 회로로부터 센싱 전류를 제공받아 센싱 전류에 상응하는 센싱 전압을 생성하고, 센싱 전압에 기초하여 데이터 신호를 보상하기 위한 보상 데이터를 생성하는 센싱 드라이버 및 게이트 드라이버, 데이터 드라이버, 발광 제어 드라이버 및 센싱 드라이버를 제어하는 타이밍 컨트롤러를 포함함) 및 표시 패널을 외부에서 유입되는 정전기 방전 전류로부터 보호하는 정전기 방전 보호 회로를 포함할 수 있다. 이 때, 정전기 방전 보호 회로는 제1 전압을 수신하는 캐소드 및 센싱 동작이 수행될 때 센싱 전류가 흐르는 센싱 라인에 연결된 애노드를 포함하는 제1 정전기 방전 다이오드, 센싱 동작이 수행될 때 프리차징 전압(즉, 센싱 동작을 위해 구동 트랜지스터의 소스 단자에 인가되는 전압)으로 제1 전압을 결정하고, 센싱 동작이 수행되지 않을 때 표시 패널에서 사용되는 최대 전압으로 제1 전압을 결정하는 제1 스위칭 소자, 센싱 라인에 연결된 캐소드 및 제2 전압을 수신하는 애노드를 포함하는 제2 정전기 방전 다이오드 및 센싱 동작이 수행될 때 프리차징 전압으로 제2 전압을 결정하고, 센싱 동작이 수행되지 않을 때 표시 패널에서 사용되는 최소 전압으로 상기 제2 전압을 결정하는 제2 스위칭 소자를 포함할 수 있다. 이 때, 제1 정전기 방전 다이오드 및 제2 정전기 방전 다이오드는 표시 패널 내에 위치할 수 있다. 실시예에 따라, 정전기 방전 보호 회로는 아날로그 고전압을 수신하는 캐소드 및 센싱 라인에 연결된 애노드를 포함하는 제3 정전기 방전 다이오드 및 센싱 라인에 연결된 캐소드 및 아날로그 저전압을 수신하는 애노드를 포함하는 제4 정전기 방전 다이오드를 더 포함할 수 있다. 이 때, 제3 정전기 방전 다이오드 및 제4 정전기 방전 다이오드는 표시 패널을 구동하는 표시 패널 구동 회로 내에 위치할 수 있다. 다만, 이에 대해서는 상술한 바 있으므로, 그에 대한 중복되는 설명은 생략하기로 한다.
본 발명은 유기 발광 표시 장치 및 이를 포함하는 전자 기기에 적용될 수 있다. 예를 들어, 본 발명은 휴대폰, 스마트폰, 비디오폰, 스마트패드, 스마트 워치, 태블릿 PC, 차량용 네비게이션 시스템, 텔레비전, 컴퓨터 모니터, 노트북, 헤드 마운트 디스플레이 장치, MP3 플레이어 등에 적용될 수 있다.
이상에서는 본 발명의 예시적인 실시예들을 참조하여 설명하였지만, 해당 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 하기의 특허 청구의 범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.
10: 화소 회로 ST: 스위칭 트랜지스터
DT: 구동 트랜지스터 ET: 발광 제어 트랜지스터
CT: 센싱 제어 트랜지스터 CST: 스토리지 커패시터
OLED: 유기 발광 다이오드 100: 정전기 방전 보호 회로
FDD: 제1 정전기 방전 다이오드 FSE: 제1 스위칭 소자
SDD: 제2 정전기 방전 다이오드 SSE: 제2 스위칭 소자
TDD: 제3 정전기 방전 다이오드 FODD: 제4 정전기 방전 다이오드
500: 유기 발광 표시 장치 520: 표시 패널
540: 표시 패널 구동 회로 542: 게이트 드라이버
544: 데이터 드라이버 546: 발광 제어 드라이버
548: 센싱 드라이버 549: 타이밍 컨트롤러
560: 정전기 방전 보호 회로 1000: 전자 기기
1010: 프로세서 1020: 메모리 장치
1030: 스토리지 장치 1040: 입출력 장치
1050: 파워 서플라이 1060: 유기 발광 표시 장치

Claims (20)

  1. 제1 전압을 수신하는 캐소드 및 화소 회로에 포함된 구동 트랜지스터의 특성 편차를 보상하기 위한 센싱 동작이 수행될 때 센싱 전류가 흐르는 센싱 라인에 연결된 애노드를 포함하는 제1 정전기 방전 다이오드;
    상기 센싱 동작이 수행될 때 상기 센싱 동작을 위해 상기 구동 트랜지스터의 소스 단자에 인가되는 프리차징 전압으로 상기 제1 전압을 결정하고, 상기 센싱 동작이 수행되지 않을 때 표시 패널에서 사용되는 최대 전압으로 상기 제1 전압을 결정하는 제1 스위칭 소자;
    상기 센싱 라인에 연결된 캐소드 및 제2 전압을 수신하는 애노드를 포함하는 제2 정전기 방전 다이오드; 및
    상기 센싱 동작이 수행될 때 상기 프리차징 전압으로 상기 제2 전압을 결정하고, 상기 센싱 동작이 수행되지 않을 때 상기 표시 패널에서 사용되는 최소 전압으로 상기 제2 전압을 결정하는 제2 스위칭 소자를 포함하는 것을 특징으로 하는 정전기 방전 보호 회로.
  2. 제 1 항에 있어서, 상기 제1 정전기 방전 다이오드 및 상기 제2 정전기 방전 다이오드는 상기 표시 패널 내에 위치하는 것을 특징으로 하는 정전기 방전 보호 회로.
  3. 제 1 항에 있어서, 상기 최대 전압은 게이트 신호의 하이 전압 레벨에 상응하는 제1 게이트 구동 전압이고, 상기 최소 전압은 상기 게이트 신호의 로우 전압 레벨에 상응하는 제2 게이트 구동 전압인 것을 특징으로 하는 정전기 방전 보호 회로.
  4. 제 1 항에 있어서, 상기 센싱 동작이 수행되지 않을 때, 정전기 방전 전류가 상기 센싱 라인에 유입됨에 따라 상기 센싱 라인의 전압이 상기 제1 전압보다 높아지면, 상기 제1 정전기 방전 다이오드는 상기 제1 전압을 공급하는 전압 라인으로 상기 정전기 방전 전류를 배출하는 것을 특징으로 하는 정전기 방전 보호 회로.
  5. 제 1 항에 있어서, 상기 센싱 동작이 수행되지 않을 때, 정전기 방전 전류가 상기 센싱 라인에 유입됨에 따라 상기 센싱 라인의 전압이 상기 제2 전압보다 낮아지면, 상기 제2 정전기 방전 다이오드는 상기 제2 전압을 공급하는 전압 라인으로 상기 정전기 방전 전류를 배출하는 것을 특징으로 하는 정전기 방전 보호 회로.
  6. 제 1 항에 있어서,
    아날로그 고전압을 수신하는 캐소드 및 상기 센싱 라인에 연결된 애노드를 포함하는 제3 정전기 방전 다이오드; 및
    상기 센싱 라인에 연결된 캐소드 및 아날로그 저전압을 수신하는 애노드를 포함하는 제4 정전기 방전 다이오드를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 정전기 방전 보호 회로.
  7. 제 6 항에 있어서, 상기 제3 정전기 방전 다이오드 및 상기 제4 정전기 방전 다이오드는 상기 표시 패널을 구동하는 표시 패널 구동 회로 내에 위치하는 것을 특징으로 하는 정전기 방전 보호 회로.
  8. 제 6 항에 있어서, 상기 센싱 동작이 수행되지 않을 때, 정전기 방전 전류가 상기 센싱 라인에 유입됨에 따라 상기 센싱 라인의 전압이 상기 제1 전압보다 높아지면, 상기 제3 정전기 방전 다이오드는 상기 아날로그 고전압을 공급하는 전압 라인으로 상기 정전기 방전 전류를 배출하는 것을 특징으로 하는 정전기 방전 보호 회로.
  9. 제 6 항에 있어서, 상기 센싱 동작이 수행되지 않을 때, 정전기 방전 전류가 상기 센싱 라인에 유입됨에 따라 상기 센싱 라인의 전압이 상기 제2 전압보다 낮아지면, 상기 제4 정전기 방전 다이오드는 상기 아날로그 저전압을 공급하는 전압 라인으로 상기 정전기 방전 전류를 배출하는 것을 특징으로 하는 정전기 방전 보호 회로.
  10. 유기 발광 다이오드를 구비한 화소 회로를 포함하는 표시 패널;
    상기 표시 패널을 구동하는 표시 패널 구동 회로; 및
    상기 표시 패널을 외부에서 유입되는 정전기 방전 전류로부터 보호하는 정전기 방전 보호 회로를 포함하고,
    상기 정전기 방전 보호 회로는
    제1 전압을 수신하는 캐소드 및 상기 화소 회로에 포함된 구동 트랜지스터의 특성 편차를 보상하기 위한 센싱 동작이 수행될 때 센싱 전류가 흐르는 센싱 라인에 연결된 애노드를 포함하는 제1 정전기 방전 다이오드;
    상기 센싱 동작이 수행될 때 상기 센싱 동작을 위해 상기 구동 트랜지스터의 소스 단자에 인가되는 프리차징 전압으로 상기 제1 전압을 결정하고, 상기 센싱 동작이 수행되지 않을 때 상기 표시 패널에서 사용되는 최대 전압으로 상기 제1 전압을 결정하는 제1 스위칭 소자;
    상기 센싱 라인에 연결된 캐소드 및 제2 전압을 수신하는 애노드를 포함하는 제2 정전기 방전 다이오드; 및
    상기 센싱 동작이 수행될 때 상기 프리차징 전압으로 상기 제2 전압을 결정하고, 상기 센싱 동작이 수행되지 않을 때 상기 표시 패널에서 사용되는 최소 전압으로 상기 제2 전압을 결정하는 제2 스위칭 소자를 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시 장치.
  11. 제 10 항에 있어서, 상기 화소 회로는
    데이터 신호를 수신하는 제1 단자, 제1 노드에 연결된 제2 단자 및 게이트 신호를 수신하는 게이트 단자를 포함하는 스위칭 트랜지스터;
    상기 제1 노드에 연결된 제1 단자 및 제2 노드에 연결된 제2 단자를 포함하는 스토리지 커패시터;
    제3 노드에 연결된 제1 단자, 상기 제2 노드에 연결되고 상기 소스 단자에 상응하는 제2 단자 및 상기 제1 노드에 연결된 게이트 단자를 포함하는 상기 구동 트랜지스터;
    고전원 전압 라인에 연결된 제1 단자, 상기 제3 노드에 연결된 제2 단자 및 발광 제어 신호를 수신하는 게이트 단자를 포함하는 발광 제어 트랜지스터;
    상기 제2 노드에 연결된 제1 단자, 상기 센싱 라인에 연결된 제2 단자 및 센싱 제어 신호를 수신하는 게이트 단자를 포함하는 센싱 제어 트랜지스터; 및
    상기 제2 노드에 연결된 애노드 및 저전원 전압 라인에 연결된 캐소드를 포함하는 상기 유기 발광 다이오드를 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시 장치.
  12. 제 11 항에 있어서, 상기 표시 패널 구동 회로는
    상기 화소 회로에 상기 게이트 신호를 제공하는 게이트 드라이버;
    상기 화소 회로에 상기 데이터 신호를 제공하는 데이터 드라이버;
    상기 화소 회로에 상기 발광 제어 신호를 제공하는 발광 제어 드라이버;
    상기 화소 회로로부터 상기 센싱 전류를 제공받아 상기 센싱 전류에 상응하는 센싱 전압을 생성하고, 상기 센싱 전압에 기초하여 상기 데이터 신호를 보상하기 위한 보상 데이터를 생성하는 센싱 드라이버; 및
    상기 게이트 드라이버, 상기 데이터 드라이버, 상기 발광 제어 드라이버 및 상기 센싱 드라이버를 제어하는 타이밍 컨트롤러를 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시 장치.
  13. 제 10 항에 있어서, 상기 제1 정전기 방전 다이오드 및 상기 제2 정전기 방전 다이오드는 상기 표시 패널 내에 위치하는 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시 장치.
  14. 제 10 항에 있어서, 상기 최대 전압은 게이트 신호의 하이 전압 레벨에 상응하는 제1 게이트 구동 전압이고, 상기 최소 전압은 상기 게이트 신호의 로우 전압 레벨에 상응하는 제2 게이트 구동 전압인 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시 장치.
  15. 제 10 항에 있어서, 상기 센싱 동작이 수행되지 않을 때, 상기 정전기 방전 전류가 상기 센싱 라인에 유입됨에 따라 상기 센싱 라인의 전압이 상기 제1 전압보다 높아지면, 상기 제1 정전기 방전 다이오드는 상기 제1 전압을 공급하는 전압 라인으로 상기 정전기 방전 전류를 배출하는 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시 장치.
  16. 제 10 항에 있어서, 상기 센싱 동작이 수행되지 않을 때, 상기 정전기 방전 전류가 상기 센싱 라인에 유입됨에 따라 상기 센싱 라인의 전압이 상기 제2 전압보다 낮아지면, 상기 제2 정전기 방전 다이오드는 상기 제2 전압을 공급하는 전압 라인으로 상기 정전기 방전 전류를 배출하는 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시 장치.
  17. 제 10 항에 있어서, 상기 정전기 방전 보호 회로는
    아날로그 고전압을 수신하는 캐소드 및 상기 센싱 라인에 연결된 애노드를 포함하는 제3 정전기 방전 다이오드; 및
    상기 센싱 라인에 연결된 캐소드 및 아날로그 저전압을 수신하는 애노드를 포함하는 제4 정전기 방전 다이오드를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시 장치.
  18. 제 17 항에 있어서, 상기 제3 정전기 방전 다이오드 및 상기 제4 정전기 방전 다이오드는 상기 표시 패널 구동 회로 내에 위치하는 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시 장치.
  19. 제 17 항에 있어서, 상기 센싱 동작이 수행되지 않을 때, 상기 정전기 방전 전류가 상기 센싱 라인에 유입됨에 따라 상기 센싱 라인의 전압이 상기 제1 전압보다 높아지면, 상기 제3 정전기 방전 다이오드는 상기 아날로그 고전압을 공급하는 전압 라인으로 상기 정전기 방전 전류를 배출하는 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시 장치.
  20. 제 17 항에 있어서, 상기 센싱 동작이 수행되지 않을 때, 상기 정전기 방전 전류가 상기 센싱 라인에 유입됨에 따라 상기 센싱 라인의 전압이 상기 제2 전압보다 낮아지면, 상기 제4 정전기 방전 다이오드는 상기 아날로그 저전압을 공급하는 전압 라인으로 상기 정전기 방전 전류를 배출하는 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시 장치.
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