KR20170078891A - 유기 발광 표시 장치의 화소 및 유기 발광 표시 장치 - Google Patents

유기 발광 표시 장치의 화소 및 유기 발광 표시 장치 Download PDF

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Abstract

유기 발광 표시 장치의 화소는, 데이터 라인에 연결되고, 스캔 신호를 수신하는 제1 트랜지스터, 제1 트랜지스터에 연결된 제2 트랜지스터, 초기화 전압과 제2 트랜지스터의 게이트 사이에 연결된 커패시터, 제2 트랜지스터의 일 단자와 제2 트랜지스터의 게이트 사이에 연결되고, 스캔 신호를 수신하는 제3 트랜지스터, 제1 전원 전압과 제2 트랜지스터 사이에 연결되고, 발광 제어 신호를 수신하는 제4 트랜지스터, 제2 트랜지스터와 유기 발광 다이오드 사이에 연결되고, 발광 제어 신호를 수신하는 제5 트랜지스터, 제5 트랜지스터와 제2 전원 전압 사이에 연결된 유기 발광 다이오드, 및 유기 발광 다이오드의 애노드에 연결된 제1 단자, 제1 전원 전압에 연결된 제2 단자, 및 스캔 신호를 수신하는 게이트를 가지는 제6 트랜지스터를 포함한다. 이에 따라, 유기 발광 표시 장치의 화소는, 제2 트랜지스터의 게이트에 연결된 게이트 초기화 트랜지스터를 포함하지 않고, 초기화 제어 신호를 대신하여 스캔 신호 및 발광 제어 신호를 이용하여 초기화 동작을 수행함으로써, 유기 발광 표시 장치의 화소가 작은 사이즈를 가질 수 있고, 유기 발광 표시 장치의 해상도가 향상될 수 있다.

Description

유기 발광 표시 장치의 화소 및 유기 발광 표시 장치{PIXEL OF AN ORGANIC LIGHT EMITTING DISPLAY DEVICE, AND ORGANIC LIGHT EMITTING DISPLAY DEVICE}
본 발명은 표시 장치에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 유기 발광 표시 장치의 화소 및 유기 발광 표시 장치에 관한 것이다.
유기 발광 표시 장치의 각 화소는 데이터 기입, 유기 발광 다이오드 구동, 문턱 전압 보상, 발광 제어, 구동 트랜지스터 초기화, 유기 발광 다이오드 초기화, 저장 커패시터 초기화 등을 위하여 다수의 트랜지스터들 및 배선들을 포함하고, 이러한 트랜지스터들 및 배선들에 의해 각 화소의 사이즈가 감소되는 것이 제한된다. 또한, 각 화소의 사이즈 감소 제한에 의하여 유기 발광 표시 장치는 해상도의 증가에 한계를 가진다. 이에 따라, 데이터 기입, 유기 발광 다이오드 구동, 문턱 전압 보상, 발광 제어, 구동 트랜지스터 초기화, 유기 발광 다이오드 초기화, 저장 커패시터 초기화 등을 정확하게 수행하면서 보다 적은 수의 트랜지스터들 및 배선들을 가지는 유기 발광 표시 장치의 화소 구조 및 구동 방법이 요구된다.
본 발명의 일 목적은 작은 사이즈를 가지는 유기 발광 표시 장치의 화소를 제공하는 것이다.
본 발명의 다른 목적은 작은 사이즈를 가지는 화소를 포함하여 높은 해상도를 가지는 유기 발광 표시 장치를 제공하는 것이다.
다만, 본 발명의 해결하고자 하는 과제는 상기 언급된 과제에 한정되는 것이 아니며, 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위에서 다양하게 확장될 수 있을 것이다.
본 발명의 일 목적을 달성하기 위하여, 본 발명의 실시예들에 따른 유기 발광 표시 장치의 화소는, 데이터 라인에 연결된 제1 단자, 제2 단자, 및 스캔 신호를 수신하는 게이트를 가지는 제1 트랜지스터, 상기 제1 트랜지스터의 상기 제2 단자에 연결된 제1 단자, 제2 단자, 및 게이트를 가지는 제2 트랜지스터, 초기화 전압에 연결된 제1 전극, 및 상기 제2 트랜지스터의 상기 게이트에 연결된 제2 전극을 가지는 커패시터, 상기 제2 트랜지스터의 상기 제2 단자에 연결된 제1 단자, 상기 제2 트랜지스터의 상기 게이트에 연결된 제2 단자, 및 상기 스캔 신호를 수신하는 게이트를 가지는 제3 트랜지스터, 제1 전원 전압에 연결된 제1 단자, 상기 제2 트랜지스터의 상기 제1 단자에 연결된 제2 단자, 및 발광 제어 신호를 수신하는 게이트를 가지는 제4 트랜지스터, 상기 제2 트랜지스터의 상기 제2 단자에 연결된 제1 단자, 제2 단자, 및 상기 발광 제어 신호를 수신하는 게이트를 가지는 제5 트랜지스터, 상기 제5 트랜지스터의 상기 제2 단자에 연결된 애노드, 및 제2 전원 전압에 연결된 캐소드를 가지는 유기 발광 다이오드, 및 상기 유기 발광 다이오드의 상기 애노드에 연결된 제1 단자, 상기 제1 전원 전압에 연결된 제2 단자, 및 상기 스캔 신호를 수신하는 게이트를 가지는 제6 트랜지스터를 포함한다.
일 실시예에서, 초기화 구간 동안, 상기 제3 트랜지스터 및 상기 제6 트랜지스터는 상기 스캔 신호에 응답하여 턴-온되고, 상기 제5 트랜지스터는 상기 발광 제어 신호에 응답하여 턴-온될 수 있다.
일 실시예에서, 상기 초기화 구간 동안, 상기 제1 전원 전압이 상기 턴-온된 제6 트랜지스터, 상기 턴-온된 제5 트랜지스터 및 상기 턴-온된 제3 트랜지스터를 통하여 상기 제2 트랜지스터의 상기 게이트에 인가될 수 있다.
일 실시예에서, 상기 초기화 구간 동안, 상기 제2 트랜지스터는 상기 제2 트랜지스터의 상기 게이트에 인가된 상기 제1 전원 전압에 기초하여 초기화될 수 있다.
일 실시예에서, 상기 초기화 전압은 상기 초기화 구간 동안 하이 레벨을 가지고, 상기 초기화 구간 후 로우 레벨로 감소될 수 있다.
일 실시예에서, 상기 초기화 구간 동안, 상기 제1 전원 전압이 상기 턴-온된 제6 트랜지스터, 상기 턴-온된 제5 트랜지스터 및 상기 턴-온된 제3 트랜지스터를 통하여 상기 커패시터의 상기 제2 전극에 인가될 수 있다. 상기 커패시터는, 상기 초기화 구간 동안, 상기 제1 전극에 인가된 상기 하이 레벨의 상기 초기화 전압 및 상기 제2 전극에 인가된 상기 제1 전원 전압에 기초하여 초기화될 수 있다.
일 실시예에서, 상기 초기화 구간 후, 상기 제3 트랜지스터 및 상기 제6 트랜지스터가 턴-오프되고, 상기 제2 트랜지스터의 상기 게이트의 전압은 상기 초기화 전압이 상기 로우 레벨로 감소될 때 감소될 수 있다.
일 실시예에서, 상기 초기화 구간 동안, 상기 제1 전원 전압이 상기 턴-온된 제6 트랜지스터를 통하여 상기 유기 발광 다이오드의 상기 애노드에 인가될 수 있다.
일 실시예에서, 상기 초기화 구간 동안, 상기 유기 발광 다이오드는 상기 유기 발광 다이오드의 상기 애노드에 인가된 상기 제1 전원 전압에 기초하여 초기화될 수 있다.
일 실시예에서, 상기 초기화 구간 동안, 상기 유기 발광 다이오드의 상기 캐소드에 연결된 상기 제2 전원 전압의 전압 레벨은 상기 제1 전원 전압의 전압 레벨보다 높거나 같은 전압 레벨을 가질 수 있다.
일 실시예에서, 데이터 기입 구간 동안, 상기 제3 트랜지스터는 상기 스캔 신호에 응답하여 상기 제2 트랜지스터를 다이오드-연결시키고, 상기 데이터 라인에 인가된 데이터 전압이 상기 제1 트랜지스터 및 상기 다이오드-연결된 제2 트랜지스터를 통하여 상기 커패시터의 제2 전극에 인가될 수 있다.
일 실시예에서, 발광 구간 동안, 상기 제2 전원 전압은 상기 제1 전원 전압의 전압 레벨보다 낮은 전압 레벨을 가지고, 상기 유기 발광 다이오드는 상기 커패시터에 저장된 전압에 기초하여 상기 제2 트랜지스터에 의해 생성된 구동 전류에 기초하여 발광할 수 있다.
일 실시예에서, 상기 제4 트랜지스터의 상기 제1 단자와 상기 제1 전원 전압이 연결되는 제1 콘택과 상기 제5 트랜지스터의 상기 제2 단자와 상기 유기 발광 다이오드의 상기 애노드가 연결되는 제2 콘택은 상기 제1 콘택 및 상기 제2 콘택을 잇는 가상의 선이 상기 화소의 폭 방향에 대하여 경사지게 배치될 수 있다.
본 발명의 다른 목적을 달성하기 위하여, 본 발명의 실시예들에 따른 유기 발광 표시 장치는 복수의 화소들을 포함한다. 상기 복수의 화소들 각각은, 데이터 라인에 연결된 제1 단자, 제2 단자, 및 스캔 신호를 수신하는 게이트를 가지는 제1 트랜지스터, 상기 제1 트랜지스터의 상기 제2 단자에 연결된 제1 단자, 제2 단자, 및 게이트를 가지는 제2 트랜지스터, 초기화 전압에 연결된 제1 전극, 및 상기 제2 트랜지스터의 상기 게이트에 연결된 제2 전극을 가지는 커패시터, 상기 제2 트랜지스터의 상기 제2 단자에 연결된 제1 단자, 상기 제2 트랜지스터의 상기 게이트에 연결된 제2 단자, 및 상기 스캔 신호를 수신하는 게이트를 가지는 제3 트랜지스터, 제1 전원 전압에 연결된 제1 단자, 상기 제2 트랜지스터의 상기 제1 단자에 연결된 제2 단자, 및 발광 제어 신호를 수신하는 게이트를 가지는 제4 트랜지스터, 상기 제2 트랜지스터의 상기 제2 단자에 연결된 제1 단자, 제2 단자, 및 상기 발광 제어 신호를 수신하는 게이트를 가지는 제5 트랜지스터, 상기 제5 트랜지스터의 상기 제2 단자에 연결된 애노드, 및 제2 전원 전압에 연결된 캐소드를 가지는 유기 발광 다이오드, 및 상기 유기 발광 다이오드의 상기 애노드에 연결된 제1 단자, 상기 제1 전원 전압에 연결된 제2 단자, 및 상기 스캔 신호를 수신하는 게이트를 가지는 제6 트랜지스터를 포함한다.
일 실시예에서, 초기화 구간 동안, 상기 제3 트랜지스터 및 상기 제6 트랜지스터는 상기 스캔 신호에 응답하여 턴-온되고, 상기 제5 트랜지스터는 상기 발광 제어 신호에 응답하여 턴-온될 수 있다.
일 실시예에서, 상기 초기화 구간 동안, 상기 스캔 신호 및 상기 발광 제어 신호는 상기 복수의 화소들에 동시에 인가될 수 있다.
일 실시예에서, 데이터 기입 구간 동안, 상기 스캔 신호는 상기 복수의 화소들에 스캔 라인 단위로 순차적으로 인가되고, 각 스캔 라인에 연결된 화소들에 상기 스캔 신호가 인가될 때 상기 화소들의 상기 제4 및 제5 트랜지스터들이 턴-오프되도록 상기 발광 제어 신호가 순차적으로 비활성화될 수 있다.
일 실시예에서, 데이터 기입 구간 동안, 상기 스캔 신호는 상기 복수의 화소들에 스캔 라인 단위로 순차적으로 인가되고, 상기 발광 제어 신호는 상기 복수의 화소들에 대하여 동시에 비활성화될 수 있다.
일 실시예에서, 상기 제2 전원 전압은 발광 구간 전 상기 제1 전원 전압의 전압 레벨보다 높거나 같은 전압 레벨을 가지고, 상기 발광 구간 동안 상기 제1 전원 전압의 전압 레벨보다 낮은 전압 레벨을 가지며, 상기 발광 구간 후 다시 상기 제1 전원 전압의 전압 레벨보다 높거나 같은 전압 레벨을 가질 수 있다.
일 실시예에서, 상기 복수의 화소들은 상기 발광 구간 동안 동시에 발광할 수 있다.
본 발명의 실시예들에 따른 유기 발광 표시 장치의 화소 및 유기 발광 표시 장치에서, 구동 트랜지스터의 게이트와 초기화 전압 사이에 연결된 게이트 초기화 트랜지스터 없이 애노드 초기화 트랜지스터, 발광 제어 트랜지스터 및 문턱 전압 보상 트랜지스터를 이용하여 구동 트랜지스터가 초기화됨으로써, 유기 발광 표시 장치의 화소가 보다 작은 사이즈를 가질 수 있고, 유기 발광 표시 장치의 해상도가 증가될 수 있다.
또한, 본 발명의 실시예들에 따른 유기 발광 표시 장치의 화소 및 유기 발광 표시 장치에서, 초기화 제어 신호를 대신하여 스캔 신호 및 발광 제어 신호를 이용하여 초기화 동작이 수행됨으로써, 유기 발광 표시 장치의 해상도가 더욱 증가될 수 있다.
게다가, 본 발명의 실시예들에 따른 유기 발광 표시 장치의 화소 및 유기 발광 표시 장치에서는, 초기화 전압을 대신하여 전원 전압을 이용하여 초기화 동작이 수행됨으로써, 유기 발광 표시 장치의 해상도가 더욱 증가될 수 있다.
다만, 본 발명의 효과는 상기 언급한 효과에 한정되는 것이 아니며, 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위에서 다양하게 확장될 수 있을 것이다.
도 1은 본 발명의 실시예들에 따른 유기 발광 표시 장치의 화소를 나타내는 회로도이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 화소의 동작을 설명하기 위한 타이밍도이다.
도 3a 내지 도 3d는 유기 발광 표시 장치의 화소의 동작을 설명하기 위한 회로도들이다.
도 4는 초기화 구간 전, 동안 및 후의 제2 트랜지스터의 게이트 노드의 전압을 나타내는 도면이다.
도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 화소의 레이아웃의 일 예를 나타내는 도면이다.
도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 화소의 레이아웃의 다른 예를 나타내는 도면이다.
도 7은 본 발명의 다른 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 화소의 동작을 설명하기 위한 타이밍도이다.
도 8은 본 발명의 실시예들에 따른 유기 발광 표시 장치를 나타내는 블록도이다.
도 9는 본 발명의 실시예들에 따른 유기 발광 표시 장치를 포함하는 전자 기기를 나타내는 블록도이다.
이하, 첨부한 도면들을 참조하여, 본 발명의 바람직한 실시예를 보다 상세하게 설명하고자 한다. 도면상의 동일한 구성요소에 대해서는 동일한 참조부호를 사용하고 동일한 구성요소에 대해서 중복된 설명은 생략한다.
도 1은 본 발명의 실시예들에 따른 유기 발광 표시 장치의 화소를 나타내는 회로도이다.
도 1을 참조하면, 유기 발광 표시 장치의 화소(PX)는, 데이터 라인(DL)에 연결된 제1 단자, 제2 단자, 및 스캔 신호(SCAN)를 수신하는 게이트를 가지는 제1 트랜지스터(T1), 제1 트랜지스터(T1)의 상기 제2 단자에 연결된 제1 단자, 제2 단자, 및 게이트를 가지는 제2 트랜지스터(T2), 초기화 전압(VINIT)에 연결된 제1 전극, 및 제2 트랜지스터(T2)의 상기 게이트에 연결된 제2 전극을 가지는 커패시터(C), 제2 트랜지스터(T2)의 상기 제2 단자에 연결된 제1 단자, 제2 트랜지스터(T2)의 상기 게이트에 연결된 제2 단자, 및 스캔 신호(SCAN)를 수신하는 게이트를 가지는 제3 트랜지스터(T3), 제1 전원 전압(ELVDD)에 연결된 제1 단자, 제2 트랜지스터(T2)의 상기 제1 단자에 연결된 제2 단자, 및 발광 제어 신호(EM)를 수신하는 게이트를 가지는 제4 트랜지스터(T4), 제2 트랜지스터(T2)의 상기 제2 단자에 연결된 제1 단자, 제2 단자, 및 발광 제어 신호(EM)를 수신하는 게이트를 가지는 제5 트랜지스터(T5), 제5 트랜지스터(T5)의 상기 제2 단자에 연결된 애노드, 및 제2 전원 전압(ELVSS)에 연결된 캐소드를 가지는 유기 발광 다이오드(OLED), 및 유기 발광 다이오드(OLED)의 상기 애노드에 연결된 제1 단자, 제1 전원 전압(ELVDD)에 연결된 제2 단자, 및 스캔 신호(SCAN)를 수신하는 게이트를 가지는 제6 트랜지스터(T6)를 포함할 수 있다.
제1 트랜지스터(T1)는 스캔 신호(SCAN)에 응답하여 턴-온되어 데이터 라인(DL)에 인가된 전압(예를 들어, 데이터 전압)을 제2 트랜지스터(T2)의 상기 제1 단자에 전송하는 스캔 트랜지스터일 수 있다. 제1 트랜지스터(T1)는 화소(PX)에 상기 데이터 전압이 저장되는 데이터 기입 구간에서뿐만 아니라 제2 트랜지스터(T2), 커패시터(C) 및/또는 유기 발광 다이오드(OLED)가 초기화되는 초기화 구간에서 턴-온될 수 있다.
제2 트랜지스터(T2)는 커패시터(C)에 저장된 전압에 기초하여 유기 발광 다이오드(OLED)를 구동하기 위한 구동 전류를 생성하는 구동 트랜지스터일 수 있다. 제2 트랜지스터(T2)는, 상기 초기화 구간 동안, 약 0V의 게이트-소스 전압을 가지는 오프-바이어스 상태로 초기화될 수 있다. 또한, 일 실시예에서, 제2 트랜지스터(T2)가 상기 오프-바이어스 상태로 초기화될 때, 제2 트랜지스터(T2)의 드레인-소스 전압은 약 0V일 수 있다.
제3 트랜지스터(T3)는 스캔 신호(SCAN)에 응답하여 턴-온되어 제2 트랜지스터(T2)를 다이오드-연결시키는 문턱 전압 보상 트랜지스터일 수 있다. 제3 트랜지스터(T3)는 상기 데이터 기입 구간에서뿐만 아니라 상기 초기화 구간에서 턴-온될 수 있다.
커패시터(C)에는 데이터 라인(DL)에 인가된 데이터 전압이 제1 트랜지스터(T1) 및 다이오드-연결된 제2 트랜지스터(T2)를 통하여 전송될 수 있다. 한편, 상기 데이터 전압이 다이오드-연결된 제2 트랜지스터(T2)를 통하여 커패시터(C)에 전송됨으로써, 커패시터(C)는 상기 데이터 전압에서 제2 트랜지스터(T2)의 문턱 전압의 절대값이 감산된 전압을 저장할 수 있고, 이에 따라, 유기 발광 표시 장치에 포함된 화소들(PX)의 제2 트랜지스터들(T2) 사이의 문턱 전압 편차가 보상될 수 있다. 한편, 상기 초기화 구간 동안, 커패시터(C)의 상기 제1 전극에는 하이 레벨의 초기화 전압(VINIT)이 인가되고, 커패시터(C)의 상기 제2 전극에는 제1 전원 전압(ELVDD)이 인가될 수 있다. 이에 따라, 커패시터(C)는 상기 하이 레벨의 초기화 전압(VINIT) 및 제1 전원 전압(ELVDD)에 기초하여 초기화될 수 있다. 또한, 상기 초기화 구간 후, 커패시터(C)의 상기 제1 전극에 연결된 초기화 전압(VINIT)이 상기 하이 레벨에서 로우 레벨로 감소될 수 있고, 이에 따라 커패시터(C)의 상기 제2 전극의 전압(또는 제2 트랜지스터(T2)의 상기 게이트의 전압)이 상기 데이터 전압이 기입되기에 충분히 낮은 전압(예를 들어, 최저 데이터 전압에서 제2 트랜지스터(T2)의 문턱 전압의 절대값이 감산된 전압보다 낮은 전압)으로 감소될 수 있다.
제4 트랜지스터(T4)는 발광 제어 신호(EM)에 응답하여 제1 전원 전압(ELVDD)과 제2 트랜지스터(T2)를 연결하고, 제5 트랜지스터(T5)는 발광 제어 신호(EM)에 응답하여 제2 트랜지스터(T2)와 유기 발광 다이오드(OLED)를 연결할 수 있다. 제4 및 제5 트랜지스터들(T4, T5)은 발광 제어 신호(EM)에 기초하여 유기 발광 다이오드(OLED)의 발광을 제어하는 발광 제어 트랜지스터들일 수 있다. 발광 구간에서 제4 및 제5 트랜지스터들(T4, T5)이 턴-온되면, 제1 전원 전압(ELVDD)으로부터 제2 트랜지스터(T2) 및 유기 발광 다이오드(OLED)를 통하여 제2 전원 전압(ELVSS)으로의 전류 경로가 형성될 수 있다. 한편, 제4 및 제5 트랜지스터들(T4, T5)은 유기 발광 다이오드(OLED)가 발광하는 상기 발광 구간뿐만 아니라 상기 초기화 구간에서 턴-온될 수 있다.
유기 발광 다이오드(OLED)는 커패시터(C)에 저장된 전압에 기초하여 제2 트랜지스터(T2)에 의해 생성된 상기 구동 전류에 기초하여 발광할 수 있다. 상기 초기화 구간 동안(및/또는 데이터 기입 구간 동안), 제1 전원 전압(ELVDD)이 제6 트랜지스터(T6)를 통하여 유기 발광 다이오드(OLED)의 상기 애노드에 인가되고, 유기 발광 다이오드(OLED)는 제1 전원 전압(ELVDD)에 기초하여 초기화될 수 있다. 예를 들어, 상기 초기화 구간 동안(및/또는 데이터 기입 구간 동안), 유기 발광 다이오드(OLED)의 상기 캐소드에 연결된 제2 전원 전압(ELVSS)의 전압 레벨은 제1 전원 전압(ELVDD)의 전압 레벨보다 높거나 같은 전압 레벨을 가질 수 있고, 이에 따라 유기 발광 다이오드(OLED)가 발광하지 않을 수 있고, 유기 발광 다이오드(OLED)의 기생 커패시터(COLED)가 방전될 수 있다.
제6 트랜지스터(T6)는 스캔 신호(SCAN)에 응답하여 턴-온되어 제1 전원 전압(ELVDD)을 유기 발광 다이오드(OLED)의 상기 애노드에 전송하는 애노드 초기화 트랜지스터일 수 있다. 또한, 제6 트랜지스터(T6)는 스캔 신호(SCAN)에 응답하여 턴-온되어 제1 전원 전압(ELVDD)을 제5 트랜지스터(T5)의 상기 제2 단자에 더욱 전송할 수 있다.
상기 초기화 구간 동안, 제3 트랜지스터(T3) 및 제6 트랜지스터(T6)는 스캔 신호(SCAN)에 응답하여 턴-온되고, 제5 트랜지스터(T5)는 발광 제어 신호(EM)에 응답하여 턴-온될 수 있다. 이에 따라, 상기 초기화 구간 동안, 제1 전원 전압(ELVDD)이 턴-온된 제6 트랜지스터(T6), 턴-온된 제5 트랜지스터(T5) 및 턴-온된 제3 트랜지스터(T3)를 통하여 제2 트랜지스터(T2)의 상기 게이트에 인가됨으로써, 제2 트랜지스터(T2)가 약 0V의 게이트-소스 전압을 가지는 오프-바이어스 상태로 초기화될 수 있다. 제2 트랜지스터(T2)가 초기화됨으로써, 이전 프레임에서의 제2 트랜지스터(T2)의 동작 상태와 무관하게, 유기 발광 표시 장치에 포함된 모든 화소들의 제2 트랜지스터들(T2)가 실질적으로 동일한 응답 특성을 가질 수 있다. 즉, 제2 트랜지스터들(T2)의 히스테리시스(Hysteresis)가 제거될 수 있다. 또한, 제2 트랜지스터(T2)가 오프-바이어스 상태로 초기화됨으로써, 온-바이어스 상태로 초기화되는 경우에 비하여 제2 트랜지스터(T2)에 가해지는 스트레스가 감소될 수 있고, 제2 트랜지스터(T2)의 열화가 지연될 수 있다.
한편, 구동 트랜지스터를 초기화하는 종래의 유기 발광 표시 장치의 화소는, 상기 구동 트랜지스터의 게이트에 초기화 전압을 인가하는 게이트 초기화 트랜지스터를 포함한다. 그러나, 본 발명의 실시예들에 따른 유기 발광 표시 장치의 화소(PX)는 제2 트랜지스터(T2)의 상기 게이트에 초기화 전압을 인가하기 위한 게이트 초기화 트랜지스터를 포함하지 않을 수 있다. 이에 따라, 본 발명의 실시예들에 따른 유기 발광 표시 장치의 화소(PX)는 보다 작은 사이즈를 가질 수 있다. 또한, 종래의 유기 발광 표시 장치의 화소에서는, 상기 구동 트랜지스터의 게이트에 초기화 전압을 인가하여 구동 트랜지스터를 초기화하였다. 그러나, 본 발명의 실시예들에 따른 유기 발광 표시 장치의 화소(PX)는 상기 초기화 전압을 대신하여 제1 전원 전압(ELVDD)을 이용하여 제2 트랜지스터(T2)를 초기화할 수 있다. 이에 따라, 본 발명의 실시예들에 따른 유기 발광 표시 장치는 적은 수의 배선들을 가질 수 있다. 게다가, 본 발명의 실시예들에 따른 유기 발광 표시 장치는 상기 게이트 초기화 트랜지스터를 제어하기 위한 초기화 제어 신호 없이 스캔 신호(SCAN) 및 발광 제어 신호(EM)를 이용하여 초기화 동작을 수행함으로써, 보다 적은 수의 배선들을 가질 수 있다. 그러므로, 본 발명의 실시예들에 따른 유기 발광 표시 장치의 화소(PX)는 보다 작은 사이즈를 가질 수 있고, 본 발명의 실시예들에 따른 유기 발광 표시 장치는 보다 높은 해상도 또는 높은 PPI(Pixels Per Inch)를 가질 수 있다.
이 하, 도 2 내지 도 4를 참조하여 유기 발광 표시 장치의 화소(PX)의 동작의 일 예를 설명한다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 화소의 동작을 설명하기 위한 타이밍도이고, 도 3a 내지 도 3d는 유기 발광 표시 장치의 화소의 동작을 설명하기 위한 회로도들이며, 도 4는 초기화 구간 전, 동안 및 후의 제2 트랜지스터의 게이트 노드의 전압을 나타내는 도면이다.
도 2를 참조하면, 하나의 프레임이 비발광 구간(NEMP) 및 발광 구간(EMP)으로 구분될 수 있고, 비발광 구간(NEMP) 및 발광 구간(EMP)은 제2 전원 전압(ELVSS)의 전압 레벨에 의해 결정될 수 있다. 비발광 구간(NEMP)은 제2 전원 전압(ELVSS)이 하이 레벨을 가지는 구간일 수 있고, 발광 구간(EMP)은 제2 전원 전압(ELVSS)이 로우 레벨을 가지는 구간일 수 있다. 일 실시예에서, 제2 전원 전압(ELVSS)은 발광 구간(EMP) 전 제1 전원 전압(ELVDD)의 전압 레벨보다 높거나 같은 전압 레벨을 가지고, 발광 구간(EMP) 동안 제1 전원 전압(ELVDD)의 전압 레벨보다 낮은 전압 레벨을 가지며, 발광 구간(EMP) 후 다시 제1 전원 전압(ELVDD)의 전압 레벨보다 높거나 같은 전압 레벨을 가질 수 있다. 예를 들어, 비발광 구간(NEMP)에서 제2 전원 전압(ELVSS)이 제1 전원 전압(ELVDD)의 전압 레벨보다 높거나 같은 전압 레벨을 가짐으로써, 제1 전원 전압(ELVDD)으로부터 제2 전원 전압(ELVSS)으로의 전류 경로가 생성되지 않을 수 있고, 발광 구간(EMP)에서 제2 전원 전압(ELVSS)이 제1 전원 전압(ELVDD)의 전압 레벨보다 낮은 전압 레벨을 가짐으로써, 제1 전원 전압(ELVDD)으로부터 제2 전원 전압(ELVSS)으로의 전류 경로가 생성될 수 있다.
초기화 구간(INIP) 전에 또는 초기화 구간(INIP)의 시작 시, 초기화 전압(VINIT)이 하이 레벨로 상승하고, 초기화 구간(INIP) 동안 상기 하이 레벨을 유지할 수 있다. 초기화 구간(INIP) 동안, 유기 발광 표시 장치에 포함된 모든 화소들에 대한 스캔 신호들(SCAN[1], SCAN[2], SCAN[N]) 및 발광 제어 신호들(EM[1], EM[2], EM[N])이 로우 레벨을 가지고, 모든 화소들의 제2 트랜지스터들(T2), 커패시터들(C) 및/또는 유기 발광 다이오드들(OLED)이 동시에 초기화될 수 있다. 즉, 초기화 구간(INIP) 동안, 스캔 신호들(SCAN[1], SCAN[2], SCAN[N]) 및 발광 제어 신호들(EM[1], EM[2], EM[N])이 상기 화소들에 동시에 인가되고, 상기 화소에 대한 초기화 동작이 동시에 수행될 수 있다.
도 3a에 도시된 바와 같이, 초기화 구간(INIP) 동안, 제3 트랜지스터(T3) 및 제6 트랜지스터(T6)는 스캔 신호(SCAN)에 응답하여 턴-온되고, 제5 트랜지스터(T5)는 발광 제어 신호(EM)에 응답하여 턴-온될 수 있다. 이에 따라, 초기화 구간(INIP) 동안, 제1 전원 전압(ELVDD)이 턴-온된 제6 트랜지스터(T6), 턴-온된 제5 트랜지스터(T5) 및 턴-온된 제3 트랜지스터(T3)를 통하여 제2 트랜지스터(T2)의 게이트에 인가되고, 제2 트랜지스터(T2)는 제2 트랜지스터(T2)의 상기 게이트에 인가된 제1 전원 전압(ELVDD)에 기초하여 초기화될 수 있다. 또한, 제2 트랜지스터(T2)의 제1 단자에는 턴-온된 제4 트랜지스터(T4)를 통하여 제1 전원 전압(ELVDD)이 인가되고, 제2 트랜지스터(T2)의 제2 단자에는 턴-온된 제6 트랜지스터(T6) 및 턴-온된 제5 트랜지스터(T5)를 통하여 제1 전원 전압(ELVDD)이 인가될 수 있다. 이에 따라, 제2 트랜지스터(T2)는 약 0V의 게이트-소스 전압 및 약 0V의 드레인-소스 전압을 가지는 오프 바이어스 상태로 초기화될 수 있다. 한편, 제1 트랜지스터(T1)가 스캔 신호(SCAN)에 응답하여 턴-온되나, 데이터 라인(DL)이 하이 임피던스 상태(HI-Z)이거나, 데이터 라인(DL)에 제1 전원 전압(ELVDD)이 인가됨으로써, 제2 트랜지스터(T2)의 상기 제1 단자의 전압에 영향을 미치지 않을 수 있다.
또한, 초기화 구간(INIP) 동안, 커패시터(C)의 제1 전극에는 상기 하이 레벨의 초기화 전압(VINIT)이 인가되고, 커패시터(C)의 제2 전극에는 턴-온된 제6 트랜지스터(T6), 턴-온된 제5 트랜지스터(T5) 및 턴-온된 제3 트랜지스터(T3)를 통하여 제1 전원 전압(ELVDD)이 인가될 수 있다. 이에 따라, 커패시터(C)는, 초기화 구간(INIP) 동안, 상기 제1 전극에 인가된 상기 하이 레벨의 초기화 전압(VINIT) 및 상기 제2 전극에 인가된 제1 전원 전압(ELVDD)에 기초하여 초기화 또는 방전될 수 있다.
게다가, 초기화 구간(INIP) 동안, 유기 발광 다이오드(OLED)의 애노드에는 턴-온된 제6 트랜지스터(T6)를 통하여 제1 전원 전압(ELVDD)이 인가되고, 유기 발광 다이오드(OLED)의 캐소드에는 제1 전원 전압(ELVDD)의 전압 레벨보다 높거나 같은 전압 레벨을 가지는 제2 전원 전압(ELVSS)이 인가될 수 있다. 이에 따라, 초기화 구간(INIP) 동안, 유기 발광 다이오드(OLED)가 상기 애노드에 인가된 제1 전원 전압(ELVDD)에 기초하여 초기화될 수 있고, 예를 들어 유기 발광 다이오드(OLED)의 기생 커패시터(COLED)가 방전될 수 있다.
상술한 바와 같이, 본 발명의 실시예들에 따른 유기 발광 표시 장치의 화소(PX)에서, 제2 트랜지스터(T2)가 제6, 제5 및 제3 트랜지스터들(T6, T5, T3)에 의해 인가된 제1 전원 전압(ELVDD)에 의해 초기화됨으로써, 게이트 초기화 트랜지스터, 초기화 제어 신호를 위한 배선, 및 상기 게이트 초기화 트랜지스터에 연결된 초기화 전압을 위한 배선이 필요하지 않고, 이에 따라 유기 발광 표시 장치의 화소(PX)의 사이즈가 감소될 수 있고, 유기 발광 표시 장치의 해상도가 증가될 수 있다.
초기화 구간(INIP)의 종료 시, 스캔 신호들(SCAN[1], SCAN[2], SCAN[N])은 하이 레벨로 증가되고, 각 화소(PX)에 포함된 제1, 제3 및 제6 트랜지스터들(T1, T3, T6)이 턴-오프될 수 있다. 이어서, 초기화 전압(VINIT)이 상기 하이 레벨에서 로우 레벨로 감소될 수 있다.
도 3b에 도시된 바와 같이, 스캔 신호(SCAN)가 하이 레벨을 가지면, 제1, 제3 및 제6 트랜지스터들(T1, T3, T6)이 턴-오프되고, 제2 트랜지스터(T2)의 상기 게이트에 제1 전원 전압(ELVDD)이 공급되지 않는다. 이 후, 커패시터(C)의 상기 제1 전극에 연결된 초기화 전압(VINIT)이 상기 하이 레벨에서 상기 로우 레벨로 감소되면, 커패시터(C)의 상기 제2 전극에 연결된 노드(N1)(즉, 제2 트랜지스터(T2)의 상기 게이트에 연결된 노드)의 전압 또한 감소될 수 있다. 한편, 노드(N1)의 전압은 화소(PX)에 데이터 전압이 기입되기에 충분히 낮은 전압, 예를 들어 최저 데이터 전압에서 제2 트랜지스터(T2)의 문턱 전압의 절대값이 감산된 전압보다 낮은 전압으로 감소될 수 있다. 이에 따라, 데이터 기입 구간(DWP)에서 화소(PX)에 데이터 전압이 정상적으로 기입될 수 있다. 예를 들어, 도 4에 도시된 바와 같이, 초기화 구간(INIP) 동안 스캔 신호(SCAN)는 로우 레벨을 가지고, 노드(N1)의 전압(V_N1)은 제1 전원 전압(ELVDD)일 수 있다. 초기화 구간(INIP)의 종료 시 스캔 신호(SCAN)는 하이 레벨로 상승되고, 초기화 구간(INIP) 후 소정의 시점(TL)에서 초기화 전압(VINIT)이 하이 레벨에서 로우 레벨로 감소될 수 있다. 이에 따라, 노드(N1)의 전압(V_N1)은 화소(PX)에 데이터 전압이 기입되기에 충분히 낮은 전압(VL)으로 감소될 수 있다.
데이터 기입 구간(DWP) 동안, 스캔 신호들(SCAN[1], SCAN[2], SCAN[N])은 유기 발광 표시 장치에 포함된 화소들에 스캔 라인 단위로 순차적으로 인가되고, 각 스캔 라인에 연결된 화소들에 스캔 신호(SCAN[1], SCAN[2], SCAN[N])가 인가될 때 상기 화소들의 제4 및 제5 트랜지스터들(T4, T5)이 턴-오프되도록 발광 제어 신호들(EM[1], EM[2], EM[N])이 순차적으로 비활성화될 수 있다. 예를 들어, 도 2에 도시된 바와 같이, 각 발광 제어 신호(EM[1], EM[2], EM[N])는 상응하는 스캔 신호(SCAN[1], SCAN[2], SCAN[N])의 활성화 전에 비활성화되고, 스캔 신호(SCAN[1], SCAN[2], SCAN[N])의 비활성화 후에 활성화될 수 있다.
도 3c에 도시된 바와 같이, 데이터 기입 구간(DWP) 동안, 제4 및 제5 트랜지스터들(T4, T5)은 하이 레벨의 발광 제어 신호(EM)에 응답하여 턴-오프될 수 있다. 또한, 데이터 기입 구간(DWP) 동안, 제1, 제3 및 제6 트랜지스터들(T1, T3, T6)은 로우 레벨의 스캔 신호(SCAN)에 응답하여 턴-온될 수 있다. 제2 트랜지스터(T2)는 턴-온된 제3 트랜지스터(T3)에 의해 다이오드-연결될 수 있다. 데이터 라인(DL)에는 데이터 전압(VDATA)이 인가되고, 데이터 전압(VDATA)은 제1 트랜지스터(T1) 및 다이오드-연결된 제2 트랜지스터(T2)를 통하여 커패시터(C)의 상기 제2 전극에 연결된 노드(N1)에 전송될 수 있다. 한편, 데이터 전압(VDATA)이 다이오드-연결된 제2 트랜지스터(T2)를 통하여 노드(N1)에 전송되므로, 노드(N1)의 전압은 데이터 전압(VDATA)에서 제2 트랜지스터(T2)의 문턱 전압의 절대값이 감산된 전압이 될 수 있다. 이에 따라, 커패시터(C)는 데이터 전압(VDATA)에서 상기 문턱 전압의 절대값이 감산된 전압을 저장할 수 있다. 이 후 발광 구간(EMP)에서 제2 트랜지스터(T2)이 데이터 전압(VDATA)에서 상기 문턱 전압의 절대값이 감산된 전압에 기초하여 구동됨으로써, 유기 발광 표시 장치에 포함된 화소들(PX)의 제2 트랜지스터들(T2) 사이의 문턱 전압 편차가 보상될 수 있다.
제2 전원 전압(ELVSS)이 로우 레벨로 감소됨으로써, 발광 구간(EMP)이 개시될 수 있고, 유기 발광 표시 장치에 포함된 화소들이 발광 구간(EMP) 동안 동시에 발광할 수 있다.
도 3d에 도시된 바와 같이, 발광 구간(EMP)에서, 제4 및 제5 트랜지스터들(T4, T5)이 로우 레벨의 발광 제어 신호(EM)에 의해 턴-온되고, 제2 전원 전압(ELVDD)이 제1 전원 전압(ELVDD)의 전압 레벨보다 낮은 전압 레벨을 가지면, 제1 전원 전압(ELVDD)으로부터 제4 트랜지스터(T4), 제2 트랜지스터(T2), 제5 트랜지스터(T5) 및 유기 발광 다이오드(OLED)를 통하여 제2 전원 전압(ELVSS)으로의 전류 경로가 형성될 수 있다. 제2 트랜지스터(T2)는 커패시터(C)에 저장된 전압(예를 들어, 데이터 전압(VDATA)에서 제2 트랜지스터(T2)의 문턱 전압의 절대값이 감산된 전압)에 기초하여 구동 전류(IDR)을 생성할 수 있고, 유기 발광 다이오드(OLED)는 구동 전류(IDR)에 기초하여 발광할 수 있다.
도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 화소의 레이아웃의 일 예를 나타내는 도면이다.
도 5를 참조하면, 유기 발광 표시 장치의 각 화소(PX)는 제1 내지 제6 트랜지스터들(T1, T2, T3, T4, T5, T6)를 포함할 수 있다. 제1, 제3 및 제6 트랜지스터들(T1, T3, T6)의 게이트들은 수평 방향(화소(PX)의 폭 방향)으로 연장된 스캔 신호(SCAN)의 배선에 연결될 수 있고, 제2 및 제5 트랜지스터들(T2, T5)의 게이트들은 수평 방향(화소(PX)의 폭 방향)으로 연장된 발광 제어 신호(EM)의 배선에 연결될 수 있다. 제1 트랜지스터(T1)의 제1 단자는 수직 방향(화소(PX)의 길이 방향)으로 연장된 데이터 라인(DL)에 연결될 수 있고, 제1 트랜지스터(T1)의 제2 단자는 제2 트랜지스터(T2)의 제1 단자에 연결될 수 있다. 제4 트랜지스터(T4)의 제1 단자 및 제6 트랜지스터(T6)의 제2 단자는 수직 방향(화소(PX)의 길이 방향)으로 연장된 제1 전원 전압(ELVDD)의 배선에 연결될 수 있다. 일 실시예에서, 제4 트랜지스터(T4)의 상기 제1 단자와 제1 전원 전압(ELVDD)의 배선에 연결되는 제1 콘택(C1)과, 제5 트랜지스터(T5)의 제2 단자와 유기 발광 다이오드의 애노드가 연결되는 제2 콘택(C2)은 화소(PX)의 폭 방향으로 배치될 수 있다. 또한, 제2 트랜지스터(T2)의 게이트는 커패시터를 통하여 수평 방향(화소(PX)의 폭 방향)으로 연장된 초기화 전압(VINIT)의 배선에 연결될 수 있다. 한편, 종래의 유기 발광 표시 장치는, 제1 전원 전압(ELVDD)의 배선은 상기 수직 방향으로 연장된 배선들뿐만 아니라 수평 방향으로 연장된 배선들을 포함한다. 본 발명의 실시예들에 따른 유기 발광 표시 장치에서의 초기화 전압(VINIT)의 배선은 종래의 유기 발광 표시 장치에서의 수평 방향으로 연장된 제1 전원 전압(ELVDD)의 배선일 수 있다.
종래의 유기 발광 표시 장치는, 제2 트랜지스터(T2)의 초기화를 위하여, 제2 트랜지스터(T2)의 게이트에 인가되는 초기화 전압의 배선, 상기 초기화 전압 배선과 제2 트랜지스터(T2)의 게이트 사이에 연결된 게이트 초기화 트랜지스터, 및 상기 게이트 초기화 트랜지스터의 게이트에 연결된 초기화 제어 신호 배선을 포함한다. 본 발명의 실시예들에 따른 유기 발광 표시 장치는, 상기 게이트 초기화 트랜지스터에 연결된 상기 초기화 전압의 배선, 상기 게이트 초기화 트랜지스터, 및 상기 초기화 제어 신호 배선을 포함하지 않을 수 있다. 이에 따라, 각 화소(PX)가 작은 사이즈를 가지고, 유기 발광 표시 장치의 해상도가 증가될 수 있다.
도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 화소의 레이아웃의 다른 예를 나타내는 도면이다.
도 6을 참조하면, 유기 발광 표시 장치의 각 화소(PX)는 제1 내지 제6 트랜지스터들(T1, T2, T3, T4, T5, T6)를 포함할 수 있다. 도 6의 화소(PX)의 레이아웃은, 제1 및 제2 콘택들(C1', C2')의 배치를 제외하고, 도 5의 화소(PX)의 레이아웃과 유사하다.
도 6의 화소(PX)에서, 제4 트랜지스터(T4)의 제1 단자와 제1 전원 전압(ELVDD)의 배선이 연결되는 제1 콘택(C1')과, 제5 트랜지스터(T5)의 제2 단자와 유기 발광 다이오드의 애노드가 연결되는 제2 콘택(C2')은 제1 콘택(C1')과 제2 콘택(C2')을 잇는 가상의 선이 화소(PX)의 폭 방향에 대하여 경사지게 배치될 수 있다. 즉, 제1 콘택(C1')과 제2 콘택(C2')을 잇는 가상의 선이 화소(PX)의 폭 방향에 대하여 소정의 각도를 가지도록 제1 콘택(C1')과 제2 콘택(C2')이 어긋나게 배치됨으로써, 화소(PX)가 보다 좁은 폭을 가지도록 설계될 수 있다. 이에 따라, 화소(PX)가 보다 작은 사이즈를 가질 수 있고, 유기 발광 표시 장치의 해상도가 더욱 증가될 수 있다.
도 7은 본 발명의 다른 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 화소의 동작을 설명하기 위한 타이밍도이다.
도 7의 타이밍도는, 데이터 기입 구간(DWP)에서의 발광 제어 신호들(EM[1], EM[2], EM[N])을 제외하고, 도 2의 타이밍도와 유사하다. 따라서, 도 7의 타이밍도에 상응하는 유기 발광 표시 장치의 동작은, 데이터 기입 구간(DWP)에서의 동작을 제외하고, 도 2의 타이밍도를 참조하여 설명한 동작과 유사하다. 데이터 기입 구간(DWP) 동안, 스캔 신호들(SCAN[1], SCAN[2], SCAN[N])은 유기 발광 표시 장치에 포함된 복수의 화소들에 스캔 라인 단위로 순차적으로 인가되고, 발광 제어 신호들(EM[1], EM[2], EM[N])은 상기 복수의 화소들에 대하여 동시에 비활성화될 수 있다. 즉, 발광 제어 신호들(EM[1], EM[2], EM[N])이 상기 복수의 화소들에 대하여 서로 동일한 글로벌 신호일 수 있다.
도 8은 본 발명의 실시예들에 따른 유기 발광 표시 장치를 나타내는 블록도이다.
도 8을 참조하면, 유기 발광 표시 장치(100)는 복수의 화소들(PX)을 포함하는 표시 패널(110), 화소들(PX)에 데이터 전압(VDATA)을 제공하는 데이터 드라이버(130), 화소들(PX)에 스캔 신호(SCAN)를 제공하는 스캔 드라이버(150), 화소들(PX)에 발광 제어 신호(EM)를 제공하는 발광 제어 드라이버(170), 및 데이터 드라이버(130), 스캔 드라이버(150) 및 발광 제어 드라이버(170)를 제어하는 타이밍 컨트롤러(190)를 포함할 수 있다.
유기 발광 표시 장치(100)에서, 각 화소(PX)의 구동 트랜지스터의 게이트에 스캔 신호(SCAN) 및 발광 제어 신호(EM)에 응답하여 턴-온되는 트랜지스터들을 통하여 전원 전압이 인가됨으로써 상기 제2 트랜지스터가 초기화될 수 있다. 유기 발광 표시 장치(100)는 구동 트랜지스터의 게이트와 초기화 전압 사이에 연결된 게이트 초기화 트랜지스터, 상기 게이트 초기화 트랜지스터의 일 단자에 연결된 초기화 전압 배선, 및 상기 게이트 초기화 트랜지스터의 게이트에 연결된 초기화 제어 신호 배선 없이 구현될 수 있다. 이에 따라, 유기 발광 표시 장치(100)의 화소(PX)는 작은 사이즈를 가질 수 있고, 유기 발광 표시 장치(100)는 높은 해상도 또는 PPI(Pixels Per Inch)를 가질 수 있다.
도 9는 본 발명의 실시예들에 따른 유기 발광 표시 장치를 포함하는 전자 기기를 나타내는 블록도이다.
도 9를 참조하면, 전자 기기(200)는 프로세서(210), 메모리 장치(220), 저장 장치(230), 입출력 장치(240), 파워 서플라이(250) 및 유기 발광 표시 장치(260)를 포함할 수 있다. 전자 기기(200)는 비디오 카드, 사운드 카드, 메모리 카드, USB 장치 등과 통신하거나, 또는 다른 시스템들과 통신할 수 있는 여러 포트(port)들을 더 포함할 수 있다.
프로세서(210)는 특정 계산들 또는 태스크(task)들을 수행할 수 있다. 실시예에 따라, 프로세서(210)는 마이크로프로세서(microprocessor), 중앙 처리 장치(CPU) 등일 수 있다. 프로세서(210)는 어드레스 버스(address bus), 제어 버스(control bus) 및 데이터 버스(data bus) 등을 통하여 다른 구성 요소들에 연결될 수 있다. 실시예에 따라서, 프로세서(210)는 주변 구성요소 상호연결(Peripheral Component Interconnect; PCI) 버스와 같은 확장 버스에도 연결될 수 있다.
메모리 장치(220)는 전자 기기(200)의 동작에 필요한 데이터들을 저장할 수 있다. 예를 들어, 메모리 장치(220)는 EPROM(Erasable Programmable Read-Only Memory), EEPROM(Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory), 플래시 메모리(Flash Memory), PRAM(Phase Change Random Access Memory), RRAM(Resistance Random Access Memory), NFGM(Nano Floating Gate Memory), PoRAM(Polymer Random Access Memory), MRAM(Magnetic Random Access Memory), FRAM(Ferroelectric Random Access Memory) 등과 같은 비휘발성 메모리 장치 및/또는 DRAM(Dynamic Random Access Memory), SRAM(Static Random Access Memory), 모바일 DRAM 등과 같은 휘발성 메모리 장치를 포함할 수 있다.
저장 장치(230)는 솔리드 스테이트 드라이브(Solid State Drive; SSD), 하드 디스크 드라이브(Hard Disk Drive; HDD), 씨디롬(CD-ROM) 등을 포함할 수 있다. 입출력 장치(240)는 키보드, 키패드, 터치패드, 터치스크린, 마우스 등과 같은 입력 수단, 및 스피커, 프린터 등과 같은 출력 수단을 포함할 수 있다. 파워 서플라이(250)는 전자 기기(200)의 동작에 필요한 파워를 공급할 수 있다. 유기 발광 표시 장치(260)는 상기 버스들 또는 다른 통신 링크를 통해서 다른 구성 요소들에 연결될 수 있다.
유기 발광 표시 장치(200)에서, 각 화소(PX)의 구동 트랜지스터의 게이트에 스캔 신호(SCAN) 및 발광 제어 신호(EM)에 응답하여 턴-온되는 트랜지스터들을 통하여 전원 전압이 인가됨으로써 상기 제2 트랜지스터가 초기화될 수 있다. 이에 따라, 유기 발광 표시 장치(200)의 화소(PX)는 작은 사이즈를 가질 수 있고, 유기 발광 표시 장치(200)는 높은 해상도 또는 PPI(Pixels Per Inch)를 가질 수 있다.
실시예에 따라, 전자 기기(200)는 디지털 TV(Digital Television), 3D TV, 개인용 컴퓨터(Personal Computer; PC), 가정용 전자기기, 노트북 컴퓨터(Laptop Computer), 태블릿 컴퓨터(Table Computer), 휴대폰(Mobile Phone), 스마트 폰(Smart Phone), 개인 정보 단말기(personal digital assistant; PDA), 휴대형 멀티미디어 플레이어(portable multimedia player; PMP), 디지털 카메라(Digital Camera), 음악 재생기(Music Player), 휴대용 게임 콘솔(portable game console), 내비게이션(Navigation) 등과 같은 유기 발광 표시 장치(260)를 포함하는 임의의 전자 기기일 수 있다.
본 발명은 임의의 유기 발광 표시 장치 및 이를 포함하는 전자 기기에 적용될 수 있다. 예를 들어, 본 발명은 TV, 디지털 TV, 3D TV, PC, 가정용 전자기기, 노트북 컴퓨터, 태블릿 컴퓨터, 휴대폰, 스마트 폰, PDA, PMP, 디지털 카메라, 음악 재생기, 휴대용 게임 콘솔, 내비게이션 등에 적용될 수 있다.
이상에서는 본 발명의 실시예들을 참조하여 설명하였지만, 해당 기술 분야의 숙련된 당업자는 하기의 특허 청구의 범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.
PX: 화소
T1: 제1 트랜지스터
T2: 제2 트랜지스터
T3: 제3 트랜지스터
T4: 제4 트랜지스터
T5: 제5 트랜지스터
T6: 제6 트랜지스터
C: 커패시터
OLED: 유기 발광 다이오드
ELVDD: 제1 전원 전압
ELVSS: 제2 전원 전압
VINIT: 초기화 전압
SCAN: 스캔 신호
EM: 발광 제어 신호

Claims (20)

  1. 데이터 라인에 연결된 제1 단자, 제2 단자, 및 스캔 신호를 수신하는 게이트를 가지는 제1 트랜지스터;
    상기 제1 트랜지스터의 상기 제2 단자에 연결된 제1 단자, 제2 단자, 및 게이트를 가지는 제2 트랜지스터;
    초기화 전압에 연결된 제1 전극, 및 상기 제2 트랜지스터의 상기 게이트에 연결된 제2 전극을 가지는 커패시터;
    상기 제2 트랜지스터의 상기 제2 단자에 연결된 제1 단자, 상기 제2 트랜지스터의 상기 게이트에 연결된 제2 단자, 및 상기 스캔 신호를 수신하는 게이트를 가지는 제3 트랜지스터;
    제1 전원 전압에 연결된 제1 단자, 상기 제2 트랜지스터의 상기 제1 단자에 연결된 제2 단자, 및 발광 제어 신호를 수신하는 게이트를 가지는 제4 트랜지스터;
    상기 제2 트랜지스터의 상기 제2 단자에 연결된 제1 단자, 제2 단자, 및 상기 발광 제어 신호를 수신하는 게이트를 가지는 제5 트랜지스터;
    상기 제5 트랜지스터의 상기 제2 단자에 연결된 애노드, 및 제2 전원 전압에 연결된 캐소드를 가지는 유기 발광 다이오드; 및
    상기 유기 발광 다이오드의 상기 애노드에 연결된 제1 단자, 상기 제1 전원 전압에 연결된 제2 단자, 및 상기 스캔 신호를 수신하는 게이트를 가지는 제6 트랜지스터를 포함하는 유기 발광 표시 장치의 화소.
  2. 제1 항에 있어서, 초기화 구간 동안, 상기 제3 트랜지스터 및 상기 제6 트랜지스터는 상기 스캔 신호에 응답하여 턴-온되고, 상기 제5 트랜지스터는 상기 발광 제어 신호에 응답하여 턴-온되는 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시 장치의 화소.
  3. 제2 항에 있어서, 상기 초기화 구간 동안, 상기 제1 전원 전압이 상기 턴-온된 제6 트랜지스터, 상기 턴-온된 제5 트랜지스터 및 상기 턴-온된 제3 트랜지스터를 통하여 상기 제2 트랜지스터의 상기 게이트에 인가되는 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시 장치의 화소.
  4. 제3 항에 있어서, 상기 초기화 구간 동안, 상기 제2 트랜지스터는 상기 제2 트랜지스터의 상기 게이트에 인가된 상기 제1 전원 전압에 기초하여 초기화되는 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시 장치의 화소.
  5. 제2 항에 있어서, 상기 초기화 전압은 상기 초기화 구간 동안 하이 레벨을 가지고, 상기 초기화 구간 후 로우 레벨로 감소되는 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시 장치의 화소.
  6. 제5 항에 있어서, 상기 초기화 구간 동안, 상기 제1 전원 전압이 상기 턴-온된 제6 트랜지스터, 상기 턴-온된 제5 트랜지스터 및 상기 턴-온된 제3 트랜지스터를 통하여 상기 커패시터의 상기 제2 전극에 인가되고,
    상기 커패시터는, 상기 초기화 구간 동안, 상기 제1 전극에 인가된 상기 하이 레벨의 상기 초기화 전압 및 상기 제2 전극에 인가된 상기 제1 전원 전압에 기초하여 초기화되는 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시 장치의 화소.
  7. 제5 항에 있어서, 상기 초기화 구간 후, 상기 제3 트랜지스터 및 상기 제6 트랜지스터가 턴-오프되고, 상기 제2 트랜지스터의 상기 게이트의 전압은 상기 초기화 전압이 상기 로우 레벨로 감소될 때 감소되는 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시 장치의 화소.
  8. 제2 항에 있어서, 상기 초기화 구간 동안, 상기 제1 전원 전압이 상기 턴-온된 제6 트랜지스터를 통하여 상기 유기 발광 다이오드의 상기 애노드에 인가되는 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시 장치의 화소.
  9. 제8 항에 있어서, 상기 초기화 구간 동안, 상기 유기 발광 다이오드는 상기 유기 발광 다이오드의 상기 애노드에 인가된 상기 제1 전원 전압에 기초하여 초기화되는 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시 장치의 화소.
  10. 제8 항에 있어서, 상기 초기화 구간 동안, 상기 유기 발광 다이오드의 상기 캐소드에 연결된 상기 제2 전원 전압의 전압 레벨은 상기 제1 전원 전압의 전압 레벨보다 높거나 같은 전압 레벨을 가지는 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시 장치의 화소.
  11. 제1 항에 있어서, 데이터 기입 구간 동안, 상기 제3 트랜지스터는 상기 스캔 신호에 응답하여 상기 제2 트랜지스터를 다이오드-연결시키고, 상기 데이터 라인에 인가된 데이터 전압이 상기 제1 트랜지스터 및 상기 다이오드-연결된 제2 트랜지스터를 통하여 상기 커패시터의 제2 전극에 인가되는 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시 장치의 화소.
  12. 제1 항에 있어서, 발광 구간 동안, 상기 제2 전원 전압은 상기 제1 전원 전압의 전압 레벨보다 낮은 전압 레벨을 가지고, 상기 유기 발광 다이오드는 상기 커패시터에 저장된 전압에 기초하여 상기 제2 트랜지스터에 의해 생성된 구동 전류에 기초하여 발광하는 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시 장치의 화소.
  13. 제1 항에 있어서, 상기 제4 트랜지스터의 상기 제1 단자와 상기 제1 전원 전압이 연결되는 제1 콘택과 상기 제5 트랜지스터의 상기 제2 단자와 상기 유기 발광 다이오드의 상기 애노드가 연결되는 제2 콘택은 상기 제1 콘택 및 상기 제2 콘택을 잇는 가상의 선이 상기 화소의 폭 방향에 대하여 경사지게 배치되는 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시 장치의 화소.
  14. 복수의 화소들을 포함하는 유기 발광 표시 장치에 있어서, 상기 복수의 화소들 각각은,
    데이터 라인에 연결된 제1 단자, 제2 단자, 및 스캔 신호를 수신하는 게이트를 가지는 제1 트랜지스터;
    상기 제1 트랜지스터의 상기 제2 단자에 연결된 제1 단자, 제2 단자, 및 게이트를 가지는 제2 트랜지스터;
    초기화 전압에 연결된 제1 전극, 및 상기 제2 트랜지스터의 상기 게이트에 연결된 제2 전극을 가지는 커패시터;
    상기 제2 트랜지스터의 상기 제2 단자에 연결된 제1 단자, 상기 제2 트랜지스터의 상기 게이트에 연결된 제2 단자, 및 상기 스캔 신호를 수신하는 게이트를 가지는 제3 트랜지스터;
    제1 전원 전압에 연결된 제1 단자, 상기 제2 트랜지스터의 상기 제1 단자에 연결된 제2 단자, 및 발광 제어 신호를 수신하는 게이트를 가지는 제4 트랜지스터;
    상기 제2 트랜지스터의 상기 제2 단자에 연결된 제1 단자, 제2 단자, 및 상기 발광 제어 신호를 수신하는 게이트를 가지는 제5 트랜지스터;
    상기 제5 트랜지스터의 상기 제2 단자에 연결된 애노드, 및 제2 전원 전압에 연결된 캐소드를 가지는 유기 발광 다이오드; 및
    상기 유기 발광 다이오드의 상기 애노드에 연결된 제1 단자, 상기 제1 전원 전압에 연결된 제2 단자, 및 상기 스캔 신호를 수신하는 게이트를 가지는 제6 트랜지스터를 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시 장치.
  15. 제14 항에 있어서, 초기화 구간 동안, 상기 제3 트랜지스터 및 상기 제6 트랜지스터는 상기 스캔 신호에 응답하여 턴-온되고, 상기 제5 트랜지스터는 상기 발광 제어 신호에 응답하여 턴-온되는 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시 장치.
  16. 제15 항에 있어서, 상기 초기화 구간 동안, 상기 스캔 신호 및 상기 발광 제어 신호는 상기 복수의 화소들에 동시에 인가되는 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시 장치.
  17. 제14 항에 있어서, 데이터 기입 구간 동안, 상기 스캔 신호는 상기 복수의 화소들에 스캔 라인 단위로 순차적으로 인가되고, 각 스캔 라인에 연결된 화소들에 상기 스캔 신호가 인가될 때 상기 화소들의 상기 제4 및 제5 트랜지스터들이 턴-오프되도록 상기 발광 제어 신호가 순차적으로 비활성화되는 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시 장치.
  18. 제14 항에 있어서, 데이터 기입 구간 동안, 상기 스캔 신호는 상기 복수의 화소들에 스캔 라인 단위로 순차적으로 인가되고, 상기 발광 제어 신호는 상기 복수의 화소들에 대하여 동시에 비활성화되는 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시 장치.
  19. 제14 항에 있어서, 상기 제2 전원 전압은 발광 구간 전 상기 제1 전원 전압의 전압 레벨보다 높거나 같은 전압 레벨을 가지고, 상기 발광 구간 동안 상기 제1 전원 전압의 전압 레벨보다 낮은 전압 레벨을 가지며, 상기 발광 구간 후 다시 상기 제1 전원 전압의 전압 레벨보다 높거나 같은 전압 레벨을 가지는 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시 장치.
  20. 제19 항에 있어서, 상기 복수의 화소들은 상기 발광 구간 동안 동시에 발광하는 것을 특징으로 하는 유기 발광 표시 장치.
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