CN1805118A

CN1805118A - 基板处理设备及方法

Info

Publication number: CN1805118A
Application number: CNA2005101316820A
Authority: CN
Inventors: 永见宗三
Original assignee: Nippon Screen Manufacturing Cod Ltd
Current assignee: Nippon Screen Manufacturing Cod Ltd
Priority date: 2004-12-16
Filing date: 2005-12-15
Publication date: 2006-07-19
Anticipated expiration: 2025-12-15
Also published as: CN100370583C; US20060130880A1; JP2006173378A

Abstract

一种混合器，通过将氯化物混入由热水单元加热的去离子热水中来制备处理溶液。将制得的处理溶液通过处理溶液管和共用管供给处理槽。在该处理槽中，由升高器固定的基板被浸入处理溶液。随后，升高器升高，从处理溶液中拉出基板。由于附着在基板上的液滴是酸，抑制了基板的氧化反应。即，当基板干燥时，氧化物不会沉积在基板上，从而防止形成水印。

Description

基板处理设备及方法

技术领域

本发明涉及一种基板处理设备以及处理如半导体晶片和用于液晶显示器的玻璃基板(下面简称为基板)的基板处理方法。更具体地，本发明涉及干燥这种基板的方法。

背景技术

基板在曝光、显影和蚀刻处理之后，进行清洁和干燥处理，从基板上除去在前面处理中使用的化学溶液。

已经提出基板干燥装置，该装置中，基板浸在控制加热至高温的去离子水(下面，适当时称作“去离子热水”)中加热，之后从去离子热水拉出(例如，日本未审查专利公开H1-130771(1989)揭示的)。这种拉出干燥的原理是从去离子热水中拉出的基板通过将储存在基板内的热能转移到附着在基板上的液滴上来进行干燥。

将从去离子热水中拉出的基板暴露在环境大气中。此时，环境大气中存在的氧气溶解在基板表面的液滴中，并展开到基板和液滴之间的界面。在基板表面，氧引起基板产生氧化物的反应。结果，基板的氧化物在干燥后形成沉积物，产生的沉积物称作水印。

为避免这种麻烦，已经提出一种装置，该装置使用非活性气体作为拉出基板周围的气氛(例如，日本未审查专利公开No.2004-165624揭示的)。这种方法能够阻止产生水印。

发明内容

为此，本发明人对水印的产生机理进行深入研究，并考虑了下面事项。为方便用化学式进行具体描述，假设基板由含硅的材料构成。

<步骤1>将浸在去离子热水中的基板从去离子热水中拉出。将基板暴露于环境气氛中，(去离子热水的)液滴附着在基板上。环境气氛中存在的氧气溶解在基板上的液滴中，并铺展到基板和液滴的界面上。

<步骤2>在基板表面，发生化学式(1)和化学式(2)中所示的产生氧化物的反应(下面称作“基板氧化”)。

…(1)

…(2)

由化学式(1)和化学式(2)可知，基板氧化伴随有产生氢离子。

化学式(1)所示的基板氧化是由于平行发生在化学式(3)和化学式(4)所示的半方程式。

...(3)

...(4)

化学式(2)所示的产生氧化物反应是由于平行发生的化学式(3)和化学式(5)的半方程式。

...(5)

<步骤3>产生的二氧化硅(SiO₂)水合产生硅酸。该反应用化学式(6)表示。

....(6)

<步骤4>硅酸溶解在水滴中，并铺展和离解。该反应示于化学式(7)和化学式(8)。

....(7)

。...(8)

通过硅酸的扩散和离解，还促进了氧化物的产生。

<步骤5>干燥之后，这一氧化物留在基板表面为沉积物，并成为水印。

具体实施方式

本发明人将他们的注意力集中在化学式(1)和化学式(2)所示的基板氧化上，并从抑制这些反应考虑进行深入研究。

鉴于本领域上述现状，进行了本发明，本发明的目的是提供一种基板处理设备，以及用来干燥基板同时抑制产生水印的基板处理方法。

根据本发明实现了上述目的，本发明的基板处理设备包括一个处理基板用的处理槽；供给处理溶液的装置，用于向处理槽提供具有加入到去离子热水的氢离子的处理溶液；能垂直移动同时能将基板固定在处理槽的处理位置以及在处理槽上面的备用位置之间；其中处理溶液储存在处理槽中，固定装置从处理位置升高到备用位置，进行基板的干燥处理。

根据本发明，将氢离子加入到去离子热水，从而使处理溶液的氢离子量大于通常存在于去离子水中的氢离子量。即，处理溶液是酸。结果，并没有发生伴随产生氢离子的化学反应，因为该反应还会使该处理溶液体系去稳定。此外，在处理位置中的固定装置将基板浸在处理溶液中，从而将热能从含去离子热水的处理溶液给予基板。该基板储存这一热能。

当固定装置上升到备用位置时，从处理溶液中拉出该基板。拉出的基板上具有附着其上的液滴，并将基板暴露于环境气氛。该环境气氛含有氧化基板所需的氧气。该氧化反应伴随产生氢离子。附着在基板上的液滴是处理溶液的液滴。因此，基板由于储存在基板内的热能而干燥，但没有发生基板的氧化。由于没有产生基板氧化物，该基板没有氧化物沉积物。结果，进行基板的干燥处理，同时又防止形成水印。

较好地，处理溶液是具有加入到去离子热水的酸的水溶液。向去离子热水添加酸，该酸电离产生氢离子。这样，氢离子可以适当加入到去离子热水。

较好地，该酸是一种强酸。强酸的优点是其大部分在处理溶液中电离，产生大量氢离子。这样，可以将大量氢离子加入到去离子热水中。

该酸可以是氯化物或氢氟酸。

通过选择加入的氯化物或氢氟酸，可以制得合适的处理溶液。

本发明的设备还包括一个加入装置，用来将酸加入到去离子热水。该加入装置能由去离子热水和酸产生处理溶液。

较好地，处理溶液温度至少为80℃，但低于100℃。然后，该处理溶液能给予基板足够的热能，实现优良的干燥性能。

本发明的设备还包括一个控制装置，用来控制处理溶液的供给以及固定装置的垂直运动，在处理槽中储存处理溶液，和将固定装置从处理位置升高到备用位置。这种控制装置将确保有效干燥基板。

该设备还包括围绕处理槽上部的外部槽，用来收集从处理槽溢流的处理溶液，处理溶液供给装置将处理溶液从其底部位置通入处理槽。这种结构不会使颗粒等从基板上分离而留在处理槽中，从而防止颗粒等再附着到基板上。

该设备还包括一个供给去离子热水的热水装置。该热水装置以常规方式提供去离子热水。

附加装置包括混合器。该混合器以常规方式制备处理溶液。

该设备还包括一个设置在处理槽上面的吹风机械装置，用来向下吹入惰性气体。这种结构可以有效干燥基板，同时阻止基板发生氧化。

吹风机械装置包括一个设置在其吹出平面上的ULPA滤器。这一滤器能从惰性气体中除去颗粒。

该设备还包括一个供给去离子水的装置，用来向处理槽供应去离子水。然后，基板在处理槽中接受去离子水清洁处理。

该设备还包括一个供给化学溶液的装置，用来向处理槽供应化学溶液。然后，基板在处理槽中接受化学处理。

在本发明另一个方面，提供一种基板处理方法，该方法包括以下步骤：将基板浸在具有加入到去离子热水的氢离子的处理溶液的步骤；和通过从处理溶液中拉出基板进行干燥处理的步骤。

根据本发明，将氢离子加入到去离子热水，使处理溶液的氢离子含量大于通常去离子水的氢离子含量。即，该处理溶液是酸。结果，由于使该处理溶液体系去稳定，因而不发生伴随有氢离子产生的化学反应。此外，将基板浸在处理溶液中，使基板储存从包含去离子热水的处理溶液转移的热能。

从处理溶液中拉出基板时，基板上具有附着的液滴，将基板暴露于环境气氛。该环境气氛含有氧化基板所需的氧气。该氧化反应伴随产生氢离子。附着在基板上的液滴是处理溶液的液滴。因此，基板由于其储存的热能而在进行干燥时没有发生氧化。由于没有产生基板氧化物，基板上没有氧化物沉积。结果，进行基板干燥处理时能防止形成水印。

较好地，处理溶液是含有加入到去离子热水中的酸的水溶液。通过在去离子热水中加入酸，酸电离产生氢离子。这样，可以适当地将氢离子加入到去离子热水中。

较好地，酸是一种强酸。强酸的优点是其大部分能在处理溶液中电离，产生大量氢离子。这样，可以将大量氢离子加入到去离子热水中。

所述酸可以是氯化物或氢氟酸。通过选择加入的氯化物或氢氟酸，可以制备合适的处理溶液。

较好地，处理溶液温度至少为80℃，但低于100℃。然后，处理溶液能给予基板足够的热能，来实现优良的干燥性能。

进行干燥处理的步骤较好地在使惰性气体从基板上面向下流动的同时进行。然后，在抑制基板氧化的同时进行有效干燥。

本说明书还公开了本发明涉及的以下基板处理设备：

(1)用来干燥经过清洁处理的基板的基板处理设备，包括：处理槽；处理溶液供给装置，用来向处理槽供应包含去离子热水的处理溶液；能固定基板同时在处理槽位置和其上面位置之间垂直运动的升高装置；和控制装置，用来控制处理溶液供给装置以及升高装置，在处理槽储存处理溶液，以及从处理溶液拉出浸在处理溶液中的基板；所述处理溶液是酸。

根据在上面段落(1)陈述的本发明，由于处理溶液是酸，处理溶液的氢离子含量大于通常存在于去离子水中的氢离子含量。因此，这种设备具有类似于权利要求1所述的设备的功能。

附图简要说明

为说明本发明目的，在附图中给出几种优选形式，但是，应理解，本发明不限于附图所示的精确排列和设置。

图1是表示第一实施方式的基板处理设备外形的垂直剖面图；

图2是第一实施方式的基板处理设备的操作流程框图；(S6为拉出并干燥基板)

图3是表示第二实施方式的基板处理设备外形的垂直剖面图；

图4是第二实施方式的基板处理设备的操作流程框图。

具体实施方式

第一实施方式

下面结合附图说明本发明的一个实施方式。

图1是表示第一实施方式的基板处理设备外形的垂直剖面图。

这种基板处理设备用化学溶液对一组基板或晶片W进行清洁处理，用去离子水对晶片W进行清洁处理，用来从晶片W除去化学溶液，以及干燥处理，用来干燥附着在晶片W上的去离子水。

该基板处理设备包括一个用来固定晶片W的升高器1，用来对晶片W进行上述处理的处理槽3和容纳升高器1和处理槽3的室5。

升高器1具有三个水平延伸的支撑部件1a。该升高器1将晶片W以垂直状态固定，用支撑部件1a与晶片W的下边缘接触并支撑。升高器1通过驱动机械装置(未示出)在处理槽3的处理位置(图1中实线所示)和在处理槽3上面的备用位置(图1中虚线所示)之间垂直运动。升高器1对应于本发明中的固定装置。

处理槽3储存化学溶液、去离子水或含去离子水的处理溶液，以进行清洁处理和干燥处理。处理槽3包括排列在其底部的供应管7，向处理槽3供应处理溶液。一个外部槽9包围在处理槽3的上部，用来收集从处理槽3溢流的处理溶液。处理槽3还包括一个设置在槽最底部的排放口11，用来排出处理溶液。处理槽3对应于本发明的处理槽。

共用管13的末端连接到供应管7。处理溶液管15、去离子水管17和化学溶液管19相互平行连接到共用管13的另一末端区。这些处理溶液管15、去离子水管17和化学溶液管19上各自安装有电磁转换阀15a、17a和19a。共用管13和处理溶液管15对应于本发明中的处理溶液供给装置。共用管13和去离子水管17对应于本发明中的去离子水供给装置。共用管13和化学溶液管19对应于本发明中的化学溶液供给装置。共用管13用作处理溶液、去离子水和化学溶液的供给装置。

混合器21连接到处理溶液管15的另一端。氯化物源25通过流量控制阀23连接到该混合器21，而去离子水源33通过流量控制阀27和热水单元31连接到混合器21。

热水单元31有一个加热器(未示出)。该加热器进行温度控制，将从去离子水源33供给的去离子水加热到预定温度。热水单元31具有一个脱气器，用来从经过温度控制的去离子水中除去气泡等。该设备还包括一个去离子水槽，形成恒定温度的水浴。

该设备供给由热水单元31加热到预定温度的去离子热水。这一实施方式中，去离子水的温度设定在85℃。但是，去离子热水的温度不限于此，而可以进行适当选择。考虑到干燥晶片W的性能，去离子热水的温度宜为80℃或更高，但低于100℃。

混合器21将氯化物混入由热水单元31供给的去离子热水。在本说明书中，有加入到去离子热水的酸的水溶液称作“处理溶液”。混合器21对应于本发明中的添加装置。

上面注出的去离子水源33还连接到去离子水管17的另一端。

化学溶液源35连接到化学溶液管19的另一端。在这一实施方式中，设备包括一个化学溶液源35。然而，这种结构可以改进，根据晶片W的处理目的，可以包括两种或更多种的化学溶液源35。

化学溶液的例子包括APM(氨-过氧化氢混合物)，HPM(盐酸-过氧化氢混合物)，FPM(氢氟酸-过氧化氢混合物)，DHF(稀氢氟酸)和O₃/DIW(臭氧水)。选择其中合适的一种。

管39连接到排放口11。管39上安装有一个电磁转换阀39a。打开转换阀39a，从处理槽3排出液体。

外部槽9在其底部形成外部槽的排放口9a。有电磁转换阀41a的管41连接到外部槽排放口9a。打开转换阀41a，从外部槽9排出液体。

吹风机械装置43安装在室5的顶部。吹风机械装置43为扁平盒状，其一面连接到氮气源45。吹风机械装置43有一个穿孔的底部，限定出吹出风的平面。因此，吹风机械装置43的结构用来以恒定速率将氮气向下吹过该吹出风的平面。氮气是惰性气体的一个例子，采用吹风机械装置43可吹出不同类型的合适惰性气体。

ULPA(超低渗透空气[暖通领域翻译成超高空气效])滤器43a安装在吹出风的平面上。ULPA滤器43a从氮气中除去细颗粒。

吹风机械装置43能绕轴P作枢轴旋转。当吹风机械装置43旋转到打开室5顶部(即，吹风机械装置43位于图1虚线所示位置时)，晶片W被装入设备和从设备取出。当吹风机械装置43关闭室5顶部(即，吹风机械装置43位于图1实线所示位置)时室5处于密封状态。这种状态下，设备可以对晶片W进行预定处理。

控制器51设置在基板处理设备内部，用来根据预定处理条件来整体控制晶片W的处理。具体地，控制器51使吹风机械装置43作枢轴旋转运动，使升高器1作垂直运动，以控制加入和取出晶片W以及晶片W的位置。控制器51通过操作转换阀15a、17a和19a来控制供给处理溶液、去离子水和化学溶液，来适当选择输送到共用管13的液体。控制器51还通过操作转换阀39a和41a来控制液体从处理槽3和外部槽9的排放。此外，控制器51操作热水单元31，以控制获得的去离子热水的温度。控制器51操作流量控制阀23和27，以控制加入到去离子热水的氯化物量(即，去离子热水与氯化物的比例)。控制器51还操作氮气源45，以控制氮气的吹出。这种控制器51由对基板处理进行各种计算的中央处理单元(CPU)，以及储存预定处理条件和各种基板处理所需信息的储存介质构成。控制器51对应于本发明中的控制装置。

参照图2说明具有上述结构的基板处理设备的操作例子。图2是第一实施方式中基板处理设备的操作流程图。除非另外指出，下面各部件的操作由控制器51控制。

<步骤S1>装入基板：

吹风机械装置43绕轴P作枢轴旋转，打开室5顶部。基板输送机械装置(未示出)将基板或晶片W装入该基板处理设备，升高器1从基板输送机械装置接受晶片W。基板输送机械装置运动离开该装置后，吹风机械装置43再次作枢轴旋转，关闭室5顶部。这样使得室5的内部处于密封状态。

<步骤S2>用去离子水清洁基板：

固定基片W的升高器1下降到处理槽3中的处理位置。此时，已在处理槽3中储存有去离子水。因此，将晶片W浸在去离子水中。

具体地，只打开转换阀17a和41a。结果，去离子水从去离子水源33通过去离子水管17、共用管13和供应管7供给处理槽3。在处理槽3中产生的水流从晶片W表面分离化学溶液，颗粒等，并将这些不需要的物质分散到去离子水中。被这样污染的去离子水通过从处理槽3顶部溢流，从该处理槽3排出，收集在外部槽9中。通过洗涤附着在从处理槽3取出的晶片W上的化学溶液和其它物质，进行清洁处理。收集在外部槽9的去离子水通过管41排出。

预定时间过后，关闭转换阀17a，打开转换阀39a，从处理槽3排出去离子水。当这一排放操作完成后，再次关闭转换阀39a，结束去离子水清洁处理。

<步骤S3>用化学溶液清洁基板：

然后，打开转换阀19a。将化学溶液从化学溶液源35供给处理槽3。晶片W浸在化学溶液中，用化学溶液进行清洁处理。预定时间过后，关闭转换阀19a，打开转换阀39a，从处理槽3排出化学溶液。当这一排放操作完成后，再次关闭转换阀39a，结束化学溶液清洁处理。

<步骤S4>用去离子水清洁基板：

按照和步骤S2相同的过程，用去离子水清洁晶片W。

<步骤S5>将基板浸在加入了氯化物的去离子热水中：

按预定量打开流量控制阀23和27，并打开转换阀15a。以预定流速从氯化物源25将氯化物供给混合器21。以预定流速从热水单元31将去离子热水供给混合器21。去离子热水已由热水单元31加热到预定温度(85℃)。混合器21将氯化物混入去离子热水，产生处理溶液。将产生的处理溶液通过处理溶液管15和共用管13供给处理槽3。将晶片W浸在该处理溶液中，从而将热能从处理溶液转移到晶片W。晶片W储存这一热能。

此时，将晶片W浸在具有加入到去离子热水中的氯化物的处理溶液。因此，处理溶液的氢离子含量大于通常存在于去离子水中的氢离子含量。即该处理溶液为酸。结果，该化学反应伴随产生氢离子，即，由前面所示化学式(1)和化学式(2)表示的化学反应还使处理溶液体系去稳定，并受到抑制，使得没有氢离子产生。

由于氯化物是一种强酸，其大部分在处理溶液中电离，产生大量氢离子。

从处理溶液包含的去离子水中产生氢氧离子的反应受到抑制，因为它伴随产生氢离子。因此，在处理溶液中的氢氧离子的摩尔数小于去离子水中的。

已知氢氧离子能侵蚀晶片W的表面并蚀刻晶片W。结果，与晶片W浸在去离子热水中相比，晶片W浸在处理溶液时减少晶片W的蚀刻量。

<步骤S6>拉出基板：

升高器1从处理位置升高到备用位置。氮气从吹风机械装置43向下吹出。

将从处理溶液中拉出的晶片W暴露于环境气氛。吹风机械装置43从晶片W的上面向下吹出氮气。晶片W上有附着的处理溶液液滴。这些液滴被储存在晶片W内的热能以及向下的氮气流迅速蒸发。

此时，附着在晶片W上的液滴是处理溶液的液滴。因此，也抑制了在液滴中伴随产生氢离子的反应。

晶片W的氧化反应伴随产生氢离子。因此，也抑制了晶片W的氧化反应。在这一实施方式中，包围晶片W的气氛是通过吹风机械装置43供给的氮气。但是，即使在该气氛中存在氧气，也不会发生晶片W的氧化，并且没有产生晶片W的氧化物。当液滴蒸发时，没有氧化物沉积在晶片W上，从而防止形成水印。

当晶片W完全干燥时，结束步骤S6的过程。

<步骤S7>取出基板：

吹风机械装置43绕轴P作枢轴旋转，打开室5的顶部。由升高器1固定的晶片W被传送到基板输送机械装置(未示出)，从基板处理设备输出。

因此，用第一实施方式的基板处理设备，将晶片W从具有加入到去离子热水的酸，用来干燥处理晶片W的处理溶液中拉出时，抑制了晶片W的氧化。结果，没有在晶片W上形成水印。

通过选择氯化物(强酸)作为加入的酸，提高了对基板氧化和蚀刻的抑制作用。

晶片W浸在处理溶液中时，该设备还可以抑制晶片W的蚀刻。

晶片W周围的气氛可通过从吹风机械装置43向下的氮气流转变为低氧含量气氛。这样能进一步抑制晶片W的氧化。

通过使用由热水单元加热到85℃的去离子热水，在将晶片W浸在处理溶液的同时供给晶片W足够的热能。这加强了干燥晶片W的性能。

提供混合器21，可以从去离子热水和氯化物适当制备处理溶液。

第二实施方式

下面参照附图说明本发明的第二实施方式。

图3是表示第二实施方式的基板处理设备外形的垂直剖面图。使用同样的附图标记来标注和第一实施方式中相同的部件，下面不再说明。

这种基板处理设备进行晶片W的清洁处理和干燥处理。

循环管61在排列在处理槽3底部的供应管7以及在外部槽9底部形成的外部槽排放口9a之间延伸并与它们连通。从外部槽排放口9a，按所指的次序，循环管61中排列有一个三通阀63，循环泵65，热水单元32和滤器67。去离子水源33连接到三通阀63的第三端。这种排列可以选择向处理槽3供给外部槽9中收集的液体和从去离子水源33供给的去离子水。支管连接到在外部槽排放口9a和三通阀63之间的循环管61，用来排出循环中的液体。该支管上安装有电磁转换阀69。循环管61对应于本发明中的处理溶液供给装置。

热水单元32与第一实施方式中的热水单元31相同，但是该热水单元32不仅控制去离子水的温度，而且还控制处理溶液的温度。提供滤器67，从处理溶液除去颗粒。

外部槽9中有延伸出的补充管71的向前端，用来补充处理溶液。处理溶液源75通过电磁转换阀73连接到补充管71。从处理溶液源75供给的处理溶液具有预定量的加入去离子水中的氯化物。

在基板处理设备内设置控制器52，根据预定处理条件对晶片W的处理进行总体控制。具体地，控制器52使吹风机械装置43作枢轴旋转运动以及使升高器1作垂直运动，来控制装入晶片W和取出晶片W，以及晶片W的位置。控制器52通过操作转换阀39a和69，控制从处理槽3和外部槽9排出的液体。此外，控制器52操作热水单元32，以控制循环中的处理溶液以及其它溶液的温度。控制器52操作转换阀73，以控制供应处理溶液，从而控制处理溶液的循环量。控制器52还操作氮气源45，以控制氮气的吹出。此外，控制器52操作三通阀63，用来选择循环处理溶液和去离子水。这种控制器52由对基板处理进行各种计算的中央处理单元(CPU)，以及储存预定处理条件和各种基板处理所需信息的储存介质构成。控制器52对应于本发明中的控制装置。

参照图4说明具有上面结构的基板处理设备的操作例子。除非另外指出，下面各部件的操作由控制器52控制。

<步骤T1>装入基板：

吹风机械装置43作枢轴旋转，打开室5顶部后，升高器1接受并固定装入室5的晶片W。

<步骤T2>用去离子水清洁基板：

具体地，将三通阀63切换到与去离子水源33连通。在这种状态下，关闭转换阀39a和73，只打开转换阀69。结果，从去离子水源33通过循环泵65、热水单元32和滤器67供给去离子水。从处理槽3顶部溢流的去离子水收集在外部槽9中。收集的去离子水通过支管排出，不进行循环。

预定时间过后，停止循环泵65，并打开转换阀39a，从处理槽3排出去离子水。排放结束后，再次关闭转换阀39a，结束去离子水清洁处理。

<步骤T3>补充处理溶液：

将三通阀63切换到与外部槽9连通，并关闭转换阀69。然后，打开转换阀73。结果，从处理溶液源75向外部槽9补充处理溶液，因此，向处理槽3间接供应处理溶液。当供应了预定量的处理溶液时，关闭转换阀73，结束补充处理溶液。

<步骤T4>循环处理溶液：

启动循环泵65，将处理溶液从外部槽9循环到处理槽3。处理溶液由热水单元32加热到预定温度(85℃)。

<步骤T5>将基板浸在处理溶液中：

当处理溶液达到预定温度时，升高器1从备用位置下降到处理位置。结果，由升高器1固定的晶片W浸入处理槽3的处理溶液。在预定时间内，处理溶液的热能被转移储存在晶片W中。

处理溶液是具有加入到去离子水中的氯化物的溶液。因此，如第一实施方式中，降低了晶片W的蚀刻量。

<步骤T6>拉出基板：

升高器1从处理物质升高到备用位置。吹风机械装置43向下吹出氮气至晶片W。从而干燥晶片W。如第一实施方式，附着在晶片W上的液滴是处理溶液的液滴。这样能有效防止形成水印。

<步骤S7>取出基板：

因此，用第二实施方式的基板处理设备，如第一实施方式，没有在晶片W上形成水印。还降低晶片W的蚀刻量。

能用第一实施方式中所述的混合器21分散第二实施方式中提供的处理溶液源75。

第二实施方式具有循环管61以及相关部件，形成处理溶液的循环系统。该系统的优点是能降低处理溶液的消耗量。

本发明不限于上述实施方式，可以进行如下的改进：

(1)上述各实施方式使用具有加入到去离子热水的氯化物的处理溶液。可以使用其它酸如氢氟酸来替代氯化物。替代物不限于酸，可以使用能在处理溶液中加入氢离子的其它物质。

(2)在第一实施方式中，使用混合器21来加入酸。替代方法有，通过将酸滴加在处理槽3内，可以将酸直接加入到处理槽3内的去离子热水中。当加入固态或气态酸时，可以采用适当的装置如气-液混合器。

(3)已描述采用前述各实施方式用处理溶液对用去离子水进行清洁处理后的基板进行干燥处理。然而，进行干燥处理之前的处理并不限于去离子水清洁处理，而可以根据对晶片W的处理目的进行变化。

本发明包括不偏离其精神或主要贡献的其它具体形式，因此，应参照权利要求书，而不是上面的说明书指出本发明的范围。

Claims

1.一种基板处理设备，它包括：

处理基板用的处理槽；

处理溶液供给装置，向所述处理槽供应具有加入到去离子热水的氢离子的处理溶液；

固定装置，在所述处理槽的处理位置以及在所述处理槽上面的备用位置之间垂直运动并且固定基板；

其中，所述处理溶液储存在所述处理槽中，所述固定装置从所述处理位置升高到所述备用位置，进行基板的干燥处理。

2.如权利要求1所述的设备，其特征在于，所述处理溶液是具有加入到去离子热水的酸的水溶液。

3.如权利要求2所述的设备，其特征在于，所述酸是一种强酸。

4.如权利要求2所述的设备，其特征在于，所述酸是氯化物和氢氟酸中的一种。

5.如权利要求2所述的设备，所述设备还包括添加装置，用来在去离子热水中加入所述酸。

6.如权利要求1所述的设备，其特征在于，所述处理溶液的温度为至少80℃，但低于100℃。

7.如权利要求1所述的设备，所述设备还包括控制装置，用来控制储存在所述处理槽内的所述处理溶液的供应，以及固定装置从所述处理位置上升至所述备用位置的垂直运动。

8.如权利要求1所述的设备，所述设备还包括包围所述处理槽上部的外部槽，用来收集从所述处理槽溢流的处理溶液，所述处理溶液供给装置将处理溶液从其底部位置通入到所述处理槽。

9.如权利要求1所述的设备，所述设备还包括热水单元，用来供应去离子热水。

10.如权利要求5所述的设备，其特征在于，所述添加装置包括一种混合器。

11.如权利要求1所述的设备，所述设备还包括设置在所述处理槽上面的吹风机械装置，用来将惰性气体向下吹出。

12.如权利要求11所述的设备，其特征在于，所述吹风机械装置包括设置在其吹出风的平面上的ULPA滤器。

13.如权利要求1所述的设备，所述设备还包括去离子水供给装置，用来将去离子水供给所述处理槽。

14.如权利要求1所述的设备，所述设备还包括化学溶液供给装置，用来将化学溶液供给所述处理槽。

15.一种基板处理方法，它包括以下步骤：

将基板浸在有加到去离子热水的氢离子的处理溶液的步骤；和

通过从处理溶液拉出基板，对基板进行干燥处理的步骤。

16.如权利要求15所述的方法，其特征在于，所述处理溶液是具有加入到去离子热水的酸的水溶液。

17.如权利要求16所述的方法，其特征在于，所述酸是一种强酸。

18.如权利要求16所述的方法，其特征在于，所述酸是氯化物和氢氟酸中的一种。

19.如权利要求15所述的方法，其特征在于，所述处理溶液温度为至少80℃，但低于100℃。

20.如权利要求15所述的方法，其特征在于，所述进行干燥处理的步骤在使惰性气体从基板上面向下流动的同时进行。