CN1790461A - 等离子显示装置及其驱动方法 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种等离子显示装置，其中具有：依次扫描并施加扫描脉冲的多个扫描电极(Y1～Y5)、通过与扫描脉冲对应地施加选址脉冲来选择显示像素的选址电极(A3)、生成扫描脉冲的扫描驱动电路、以及生成选址脉冲的选址驱动电路。选址脉冲分n阶(n为大于等于2的整数)上升，并且从其最低电压至最高电压的预定的期间和与其对应的扫描脉冲的前一扫描脉冲重叠。根据本发明，可减少生成选址脉冲时的功耗，并可通过该选址脉冲来稳定地选择显示像素。

Description

等离子显示装置及其驱动方法
技术领域
本发明涉及等离子显示装置及其驱动方法。
背景技术
等离子显示装置是一种大型平面显示装置，其作为家庭用的壁挂式电视已开始普及。为了进一步普及，要求其具有和CRT同等程度的显示质量和价格。
发明内容
本发明的目的在于减少生成选址脉冲时的功耗，并且通过该选址脉冲来稳定地选择显示像素。
本发明的一个方面提供一种等离子显示装置，其中具有：依次扫描并施加扫描脉冲的多个扫描电极、通过与扫描脉冲对应地施加选址脉冲来选择显示像素的选址电极、生成扫描脉冲的扫描驱动电路、以及生成选址脉冲的选址驱动电路。选址脉冲分n阶(n为大于等于2的整数)上升，并从其最低电压至最高电压的预定的期间和与其对应的扫描脉冲的前一扫描脉冲重叠。
通过使选址脉冲分n阶上升，可以减少功耗。另外，通过使得维持从最低电压上升了一阶的电压的期间和与其对应的扫描脉冲的前一扫描脉冲重叠，可以使选址脉冲的最高电压的期间变长，从而能够稳定地选择显示像素。
附图说明
图1是本发明第一实施方式的等离子显示装置的结构例的示意图；
图2是示出本发明第一实施方式的面板的结构例的立体分解图；
图3是本发明第一实施方式的各场结构例的示意图；
图4是用于说明复位期间、选址期间以及维持期间的动作例的时序图；
图5是选址期间内的选址电极的选址脉冲和Y电极的扫描脉冲的示意图；
图6是用于减少功耗的选址电极的选址脉冲和Y电极的扫描脉冲的示意图；
图7是本发明第一实施方式的选址电极的选址脉冲和Y电极的扫描脉冲的示意图；
图8是本发明第二实施方式的选址电极的选址脉冲和Y电极的扫描脉冲的示意图；
图9是本发明第三实施方式的选址电极的选址脉冲和Y电极的扫描脉冲的示意图；
图10是本发明第四实施方式的选址电极的选址脉冲和Y电极的扫描脉冲的示意图；
图11是本发明第五实施方式的选址电极的选址脉冲和Y电极的扫描脉冲的示意图；
图12是本发明第六实施方式的选址电极的选址脉冲和Y电极的扫描脉冲的示意图；
图13是本发明第七实施方式的选址电极的选址脉冲和Y电极的扫描脉冲的示意图；
图14是本发明第八实施方式的选址电极的选址脉冲和Y电极的扫描脉冲的示意图；
图15是本发明第九实施方式的选址电极的选址脉冲和Y电极的扫描脉冲的示意图；
图16(A)和16(B)是本发明第十实施方式的示意图；
图17(A)和17(B)是本发明第十一实施方式的示意图；
图18(A)和18(B)是本发明第十二实施方式的示意图。
具体实施方式
(第一实施方式)
图1是本发明第一实施方式的等离子显示装置的结构例的示意图。参考标号3是等离子显示面板，参考标号4是X驱动电路，参考标号5是Y(扫描)驱动电路，参考标号6是选址驱动电路，参考标号7是控制电路。
控制电路7控制X驱动电路4、Y驱动电路5以及选址驱动电路6。X驱动电路4向多个X电极X1、X2、…提供预定的电压。下面，将X电极X1、X2、…的每一个称为或者将它们总称为X电极Xi，i为后缀。Y驱动电路5向多个Y电极Y1、Y2、…提供预定的电压。下面，将Y电极Y1、Y2、…的每一个称为或者将它们总称为Y电极Yi，i为后缀。选址驱动电路6向多个选址电极A1、A2、…提供预定的电压。下面，将选址电极A1、A2、…的每一个称为或者将它们总称为选址电极Aj，j为后缀。
在面板3中，Y电极Yi和X电极Xi形成沿水平方向平行延伸的行，选址电极Aj形成沿垂直方向延伸的列。Y电极Yi和X电极Xi在垂直方向上交替配置。Y电极Yi和选址电极Aj形成i行j列的二维矩阵。显示单元Cij由Y电极Yi和选址电极Aj的交点以及与其对应相邻的X电极Xi构成。该显示单元Cij对应于像素，面板3可以显示二维图像。
图2是示出本发明第一实施方式的面板的结构例的立体分解图。参考标号1是前玻璃基板，参考标号2是后玻璃基板，参考标号13和16是电介质层，参考标号14是保护层，参考标号17是间隔壁(肋条)，参考标号18～20是荧光体。
X电极Xi和Y电极Yi在前玻璃基板1上形成。在它们上面覆盖着用于对放电空间进行绝缘的电介质层13。而且在电介质层13上还覆盖着MgO(氧化镁)保护层14。另一方面，选址电极Aj被形成在与前玻璃基板1正对配置的后玻璃基板2上。在其上覆盖着电介质层16。并在该电介质层16上覆盖着荧光体18～20。在间隔壁17的内面涂敷着按每种颜色排列成条纹状的红、蓝、绿等颜色的荧光体18～20。通过X电极Xi和Y电极Yi之间的放电来激发荧光体18～20从而使各种颜色发光。Ne+Xe潘宁气体等被封装在前玻璃基板1和后玻璃基板2之间的放电空间内。
图3是本发明第一实施方式的各场结构例的示意图。参考标号21～30为子场，参考标号31为复位期间，参考标号32为选址期间，参考标号33为维持期间。
图像例如以60场/秒形成。1场例如由第一子场21、第二子场22、…、第十子场30形成。各子场21～30由复位期间31、选址期间32以及维持(持续放电)期间33构成。
图4是用于说明复位期间31、选址期间32以及维持期间33的动作例的时序图。在复位期间31中，向X电极Xi和Y电极Yi施加预定的电压，并进行显示单元Cij的初始化。
在选址期间32中，对Y电极Y1、Y2、…依次扫描并施加扫描脉冲，并与该扫描脉冲对应地向选址电极Aj施加选址脉冲，由此来选择显示像素。若与Y电极Yi的扫描脉冲相对应地生成选址电极Aj的选址脉冲，则该Y电极Yi和X电极Xi的显示单元就被选择。若不与Y电极Yi的扫描脉冲对应地生成选址电极Aj的选址脉冲，则该Y电极Yi和X电极Xi的显示单元不被选择。一旦与扫描脉冲相对应地生成选址脉冲，就会在选址电极Aj和Y电极Yi之间发生选址放电，并以此为触发在X电极Xi和Y电极Yi之间发生放电，从而负电荷被存储在X电极Xi中，正电荷被存储在Y电极Yi中。
在维持期间33内，在X电极Xi和Y电极Yi之间施加相位相反的维持脉冲，从而在选中的显示单元的X电极Xi和Y电极Yi之间进行维持放电并发光。在图3的各子场21～30中，X电极Xi和Y电极Yi之间的维持脉冲数(维持期间33的长度)不同。由此可决定灰度值。
图5是选址期间32中选址电极Aj的选址脉冲和Y电极Yi的扫描脉冲的示意图。在图5的上部示出了Y电极Y1～Y5和选址电极A1～A5的二维矩阵。记号“○”表示选址电极A1～A5的选址脉冲被生成，从而在Y电极Y1～Y5和选址电极A1～A5之间发生了选址放电的位置。
在图5的下部示出了与上述二维矩阵对应的选址电极A3的选址脉冲和Y电极Y1～Y5的扫描脉冲。扫描脉冲为负的脉冲，其对Y电极Y1～Y5依次扫描并被施加在其上。选址电极A3的选址脉冲在Y电极Y1、Y3、Y5的扫描脉冲的情况下生成，而在Y电极Y2、Y4的扫描脉冲的情况下不生成。即，在Y电极Y1、Y3、Y5的扫描脉冲和选址电极A3的选址脉冲之间发生选址放电，Y电极Y1、Y3、Y5的显示单元被选择，从而在此后的维持期间33内点亮。该选址脉冲从最低电压(地电平GND)通过一阶上升至最高电压Va，并从最高电压Va通过一阶下降至最低电压(地电平GND)。用于生成该选址脉冲的选址电源电压相对于地电平GND为固定的电压Va。
在上述的点亮模式中，例如如果着眼于选址电极A3的话，在选择选址电极A3和Y电极Y3的交点(A3、Y3)时，邻接的交点(A3、Y3)和(A4、Y3)没被选择。因此，在选址电极A2～A3之间以及选址电极A3～A4之间出现线间电容。而且，由于选址电极A3自身重复点亮/点灭(ON/OFF)，例如交点(A3、Y1)点亮、交点(A3、Y2)点灭等，所以选址电源电压的功耗大。因此，若减少子场数虽会导致图像质量下降，但可以降低功耗。
图6是用于减少功耗的选址电极Aj的选址脉冲和Y电极Yi的扫描脉冲的示意图，与图5相比，选址电极Aj的选址脉冲不同。例如，选址电极A3的选址脉冲分两阶从最低电压(地电平GND)上升至最高电压Va，然后分两阶从最高电压Va下降至最低电压(地电平GND)。即，从地电平GND上升至电压Va/2，再从电压Va/2上升至电压Va。然后从电压Va下降至电压Va/2，再从电压Va/2下降至地电平GND。用于生成该选址脉冲的选址电源电压相对于地电平GND为电压Va和Va/2的脉冲电压。
说明该选址脉冲的功耗。功耗P被表示为P＝CV2/2。在图5的情况下，由于选址脉冲的电压为Va，所以功耗P为CVa2/2。
接下来，说明图6情况下的功耗。各阶的功耗P被表示为：P＝C×(位移电压)×(到达电压)/2。从地电平GND向电压Va/2的第一阶上升的功耗P1＝C×(Va/2)×(Va/2)/2＝CVa2/8。从电压Va/2向电压Va的第二阶上升的功耗P2＝C×(Va/2)×Va/2＝CVa2/4。从电压Va向电压Va/2的第一阶下降的功耗P3＝C×(Va/2)×(Va/2)/2＝CVa2/8。这里，使用电能回收电路来回收第一阶下降的电能P3，并使用该回收的电能P3来用于第一阶和第二阶上升的电能P1和P2。由于从电压Va/2向地电平GND的第二阶下降是将选址电极A3连接并箝位在地电平GND上，所以不消耗电能。一个选址脉冲整体的功耗P＝P1+P2-P3＝Cva2/4。
因此，图6的两阶梯选址脉冲的功耗为图5的一阶梯选址脉冲的功耗的1/2。后面，将参照图16等来说明电能回收电路的详细情况。
如上所述，通过使选址脉冲分两阶上升和下降，可减少功耗。但是，与图5的情况相比，图6情况下的选址脉冲的最高电压Va的期间Ta变短，从而由此会产生无法进行稳定的选址放电的问题。
图7是本发明第一实施方式的选址电极Aj的选址脉冲和Y电极Yi的扫描脉冲的示意图，与图6相比，两阶梯选址脉冲的时序不同。下面，以与Y电极Y3的扫描脉冲相对应的选址电极A3的选址脉冲为例来进行说明。在Y电极Y3的前一Y电极Y2的扫描脉冲的期间T1中，选址脉冲从地电平GND上升至电压Va/2并维持该电压Va/2。然后，一旦Y电极Y3的扫描脉冲下降，选址脉冲就从电压Va/2上升至电压Va并维持电压Va。然后将，一旦选址脉冲从电压Va下降至电压Va/2，并维持电压Va/2。之后，一旦选址脉冲从电压Va/2下降至地电平GND，Y电极Y3的扫描脉冲就上升。
与图6的情况一样，选址脉冲的上升和下降分两阶进行。向第一阶的电压Va/2的上升在选择前一Y电极Y2的扫描脉冲时进行。向第二阶的电压Va的上升在选择Y电极Y3的扫描脉冲时进行。向第一阶的电压Va/2的下降在选择Y电极Y3的扫描脉冲时进行。向第二阶的地电平GND的下降在选择Y电极Y3的扫描脉冲时进行。
该选址脉冲用于在与Y电极Y3的扫描脉冲之间进行选址放电。选址脉冲维持从其最低电压GND上升了一阶的电压Va/2的期间T1和与其对应的Y电极Y3的扫描脉冲的前一个Y电极Y2的扫描脉冲的期间重叠。由此，与图6的情况相比，选址脉冲的最高电压Va的期间Ta变长，可以进行稳定的选址放电。并且，与图6的情况一样，通过设为两阶梯选址脉冲，可以减少功耗。在期间T1中，由于选址脉冲的电压为Va/2，较低，所以不会错误地对Y电极Y2发生选址放电。因此，根据本实施方式，既可以降低选址期间的功耗，又可以实现稳定的选址放电。
(第二实施方式)
图8是本发明第二实施方式的选址电极Aj的选址脉冲和Y电极Yi的扫描脉冲的示意图，与图7相比，两阶梯选址脉冲的时序不同。以与Y电极Y3的扫描脉冲相对应的选址电极A3的选址脉冲为例来进行说明。一旦Y电极Y3的扫描脉冲下降，选址脉冲就从地电平GND上升至电压Va/2并维持该电压Va/2。然后，选址脉冲从电压Va/2上升至电压Va并维持电压Va。之后，一旦选址脉冲从电压Va下降至电压Va/2，Y电极Y3的扫描脉冲就上升。之后，选址脉冲从电压Va/2下降至地电平GND。即，在Y电极Y3的扫描脉冲的后一个Y电极Y4的扫描脉冲的期间T2中，选址脉冲维持电压Va/2，再下降至地电平GND。
与图7的情况一样，选址脉冲的上升和下降分两阶进行。向第一阶的电压Va/2的上升在选择Y电极Y3的扫描脉冲时进行。向第二阶的电压Va的上升在选择Y电极Y3的扫描脉冲时进行。向第一阶的电压Va/2的下降在选择Y电极Y3的扫描脉冲时进行。向第二阶的地电平GND的下降在选择后一个Y电极Y4的扫描脉冲时进行。
该选址脉冲用于在与Y电极Y3的扫描脉冲之间进行选址放电。选址脉冲在下降时维持比最低电压GND高一阶的电压Va/2的期间和与其对应的Y电极Y3的扫描脉冲的后一个Y电极Y4的扫描脉冲的期间T2重叠。由此，与图6的情况相比，选址脉冲的最高电压Va的期间Ta变长，可以进行稳定的选址放电。并且，与图7的情况一样，通过设为两阶梯选址脉冲，可以减少功耗。另外，在期间T2中，由于选址脉冲的电压为Va/2，较低，所以不会错误地对Y电极Y4发生选址放电。因此，根据本实施方式，既可以降低选址期间的功耗，又可以实现稳定的选址放电。
(第三实施方式)
图9是本发明第三实施方式的选址电极Aj的选址脉冲和Y电极Yi的扫描脉冲的示意图，与图7相比，两阶梯选址脉冲的电压不同。在图7中，选址脉冲的上升和下降分两阶进行，比其最低电压GND高一阶的电压Va/2大约为其最高电压Va的1/2。在本实施方式中，选址脉冲的上升和下降分两阶进行，比其最低电压GND高一阶的电压Va/4小于其最高电压Va的1/2。
以在选址电极A3的选址脉冲和Y电极Y3的扫描脉冲之间进行选址放电的情况为例进行说明。在Y电极Y3的扫描脉冲的前一个Y电极Y2的扫描脉冲的期间T1中，选址脉冲从地电平GND上升至电压Va/4并维持该电压Va/4。之后，一旦Y电极Y3的扫描脉冲下降，选址脉冲就从电压Va/4上升至电压Va并维持电压Va。之后，选址脉冲从电压Va下降至电压Va/4并维持电压Va/4。之后，一旦选址脉冲从电压Va/4下降至地电平GND，Y电极Y3的扫描脉冲就上升。
本实施方式与第一实施方式一样，既可以减少选址期间的功耗，又可以实现稳定的选址放电。在第一实施方式的期间T1中，选址脉冲的电压为Va/2。由于面板面内的差异，每一显示单元的选址电极和Y电极之间的放电电压值会有所不同。由此，即使为电压Va/2，也有可能出现错误地发生选址放电的显示单元。因此，在本实施方式的期间T1中，通过使选址脉冲的电压为更低的Va/4，可以防止错误地对Y电极Y2发生选址放电的情形。
(第四实施方式)
图10是本发明第四实施方式的选址电极Aj的选址脉冲和Y电极Yi的扫描脉冲的示意图，与图8相比，两阶梯选址脉冲的电压不同。在图8中，选址脉冲的上升和下降分两阶进行，比其最低电压GND高一阶的电压Va/2大约为其最高电压Va的1/2。在本实施方式中，选址脉冲的上升和下降分两阶进行，比其最低电压GND高一阶的电压Va/4小于其最高电压Va的1/2。
以在选址电极A3的选址脉冲和Y电极Y3的扫描脉冲之间进行选址放电的情况为例进行说明。一旦Y电极Y3的扫描脉冲下降，选址脉冲就从地电平GND上升至电压Va/4并维持该电压Va/4。之后，选址脉冲从电压Va/4上升至电压Va并维持电压Va。之后，一旦选址脉冲从电压Va下降至电压Va/4，Y电极Y3的扫描脉冲就上升。之后，选址脉冲从电压Va/4下降至地电平GND。即，在Y电极Y3的扫描脉冲的后一个Y电极Y4的扫描脉冲的期间T2中，选址脉冲维持电压Va/4，再下降至地电平GND。
本实施方式与第二实施方式一样，既可以减少选址期间的功耗，又可以实现稳定的选址放电。在第二实施方式的期间T2中，选址脉冲的电压为Va/2。由于面板面内的差异，每一显示单元的选址电极和Y电极之间的放电电压值会有所不同。由此，即使为电压Va/2，也有可能出现错误地发生选址放电的显示单元。因此，在本实施方式的期间T2中，通过使选址脉冲的电压为更低的Va/4，可以防止错误地对Y电极Y4发生选址放电的情形。
(第五实施方式)
图11是本发明第五实施方式的选址电极Aj的选址脉冲和Y电极Yi的扫描脉冲的示意图，与图7相比，本实施方式的不同点在于采用了三阶梯选址脉冲。在图7中，选址脉冲的上升和下降为两阶，但在本实施方式中，选址脉冲的上升和下降为三阶。
以与Y电极Y3的扫描脉冲相对应的选址电极A3的选址脉冲为例来进行说明。在Y电极Y3的扫描脉冲的前一个Y电极Y2的扫描脉冲的期间T11内，选址脉冲从地电平GND上升至电压Va/3并维持该电压Va/3，然后从电压Va/3上升至2Va/3并维持该电压2Va/3。之后，一旦Y电极Y3的扫描脉冲下降，选址脉冲就从电压2Va/3上升至电压Va并维持电压Va。之后，选址脉冲从电压Va下降至电压2Va/3并维持电压2Va/3。之后，选址脉冲从电压2Va/3下降至电压Va/3并维持电压Va/3。之后，选址脉冲从电压Va/3下降至地电平GND。之后，Y电极Y3的扫描脉冲上升。
选址脉冲从其最低电压GND上升至比其最高电压Va低一阶的电压2Va/3并维持该电压2Va/3的期间T11和与其对应的Y电极Y3的扫描脉冲的前一个Y电极Y2的扫描脉冲重叠。由此，选址脉冲的最高电压Va的期间Ta变长，可以进行稳定的选址放电。并且，在期间T11中，由于选址脉冲的电压为Va/3或2Va/3，较低，所以不会错误地对Y电极Y2发生选址放电。因此，本实施方式与第一实施方式一样，既可以降低选址期间的功耗，又可以实现稳定的选址放电。另外，与第一实施方式的两阶梯选址脉冲相比，本实施方式的三阶梯选址脉冲可以更多地减少功耗。
(第六实施方式)
图12是本发明第六实施方式的选址电极Aj的选址脉冲和Y电极Yi的扫描脉冲的示意图，与图11相比，三阶梯选址脉冲的时序不同。在图11中，使选址脉冲的上升时间与前一扫描脉冲重叠，但在本实施方式中，使选址脉冲的下降时间与后一扫描脉冲重叠。
以与Y电极Y3的扫描脉冲相对应的选址电极A3的选址脉冲为例来进行说明。一旦Y电极Y3的扫描脉冲下降，选址脉冲就从地电平GND上升至电压Va/3并维持该电压Va/3。之后，选址脉冲从电压Va/3上升至2Va/3并维持该电压2Va/3。之后，选址脉冲从电压2Va/3上升至电压Va并维持电压Va。之后，一旦选址脉冲从电压Va下降至电压2Va/3，Y电极Y3的扫描脉冲就上升。之后，选址脉冲从电压2Va/3下降至电压Va/3并维持该电压Va/3。之后，选址脉冲从电压Va/3下降至地电平GND并维持地电平GND。
选址脉冲在下降时维持比其最高电压Va低一阶的电压2Va/3并从该电压下降至其最低电压GND的期间T12和与其对应的Y电极Y3的扫描脉冲的后一个Y电极Y4的扫描脉冲重叠。由此，选址脉冲的最高电压Va的期间Ta变长，可以进行稳定的选址放电。并且，在期间T12中，由于选址脉冲的电压为Va/3或2Va/3，较低，所以不会错误地对Y电极Y2发生选址放电。因此，本实施方式与第五实施方式一样，通过三阶的选址脉冲，既可以降低功耗，又可以实现稳定的选址放电。
(第七实施方式)
图13是本发明第七实施方式的选址电极Aj的选址脉冲和Y电极Yi的扫描脉冲的示意图，与图11相比，三阶梯选址脉冲的时序不同。在图11中，使选址脉冲的上升期间T11与Y电极Y2的扫描脉冲重叠，但在本实施方式中，使选址电极A3的选址脉冲维持从其最低电压GND上升了一阶的电压Va/3的期间T13和与其对应的Y电极Y3的扫描脉冲的前一个Y电极Y2的扫描脉冲重叠。
以与Y电极Y3的扫描脉冲相对应的选址电极A3的选址脉冲为例来进行说明。在Y电极Y3的扫描脉冲的前一个Y电极Y2的扫描脉冲的期间T13内，选址脉冲从地电平GND上升至电压Va/3并维持该电压Va/3。之后，一旦Y电极Y3的扫描脉冲下降，选址脉冲就从电压Va/3上升至2Va/3并维持该电压2Va/3。之后，选址脉冲从电压2Va/3上升至电压Va并维持电压Va。之后，选址脉冲从电压Va下降至电压2Va/3并维持电压2Va/3。之后，选址脉冲从电压2Va/3下降至电压Va/3并维持该电压Va/3。之后，选址脉冲从电压Va/3下降至地电平GND。之后，Y电极Y3的扫描脉冲上升。
选址脉冲维持从其最低电压GND上升了一阶的电压Va/3的期间T13和与其对应的Y电极Y3的扫描脉冲的前一个Y电极Y2的扫描脉冲重叠。由此，选址脉冲的最高电压Va的期间Ta变长，可以进行稳定的选址放电。并且，在期间T13中，由于选址脉冲的电压为Va/3，较低，所以不会错误地对Y电极Y2发生选址放电。因此，本实施方式与第五实施方式一样，通过三阶梯选址脉冲，既可以降低功耗，又可以实现稳定的选址放电。
(第八实施方式)
图14是本发明第八实施方式的选址电极Aj的选址脉冲和Y电极Yi的扫描脉冲的示意图，与图12相比，三阶梯选址脉冲的时序不同。在图12中，使选址脉冲的下降期间T12与Y电极Y4的扫描脉冲重叠，但在本实施方式中，使选址电极A3的选址脉冲维持比其最低电压GND高一阶的电压Va/3的期间T14和与其对应的Y电极Y3的扫描脉冲的后一个Y电极Y4的扫描脉冲重叠。
以与Y电极Y3的扫描脉冲相对应的选址电极A3的选址脉冲为例来进行说明。一旦Y电极Y3的扫描脉冲下降，选址脉冲就从地电平GND上升至电压Va/3并维持该电压Va/3。之后，选址脉冲从电压Va/3上升至2Va/3并维持该电压2Va/3。之后，选址脉冲从电压2Va/3上升至电压Va并维持电压Va。之后，选址脉冲从电压Va下降至电压2Va/3并维持电压2Va/3。之后，一旦选址脉冲从电压2Va/3下降至电压Va/3，Y电极Y3的扫描脉冲就上升。之后，选址脉冲从电压Va/3下降至地电平GND并维持地电平GND。
选址脉冲在下降时维持比其最低电压GND高一阶的电压Va/3的期间T14和与其对应的Y电极Y3的扫描脉冲的后一个Y电极Y4的扫描脉冲重叠。由此，选址脉冲的最高电压Va的期间Ta变长，可以进行稳定的选址放电。并且，在期间T14中，由于选址脉冲的电压为Va/3，较低，所以不会错误地对Y电极Y4发生选址放电。因此，本实施方式与第六及第七实施方式一样，通过三阶梯选址脉冲，既可以降低功耗，又可以实现稳定的选址放电。
(第九实施方式)
图15是本发明第九实施方式的选址电极Aj的选址脉冲和Y电极Yi的扫描脉冲的示意图，与图7相比，本实施方式的不同点在于选址脉冲的下降为一阶梯。在本实施方式中，从最高电压Va通过一阶下降至最低电压GND。期间T15相当于图7中选址脉冲的电压为Va/2的期间，在本实施方式中，使选址电极A3成高阻抗状态。通过使其为高阻抗状态，可使选址脉冲维持电压Va而不用变为选址电源电压Va/2。后面，将参照图18(A)和18(B)来说明其详细情况。
根据本实施方式，选址脉冲分两阶上升并通过一阶下降。本实施方式与第一实施方式一样，与图6的情况相比，既可以降低选址脉冲的功耗，又可以实现稳定的选址放电。并且，在本实施方式中，当选址脉冲下降时不进行电能回收，因此比第一实施方式的功耗大。但是，本实施方式与第一实施方式相比，选址脉冲的最高电压Va的期间Ta变长，从而可以实现稳定的选址放电。
(第十实施方式)
图16(A)和16(B)是本发明第十实施方式的示意图。图16(A)是示出选址驱动电路6(图1)的结构例的电路图，其中此选址驱动电路6是用于生成第一至第四实施方式的选址脉冲的，图16(B)是用于说明其电路动作的时序图。并且图16(B)示出了第一和第二实施方式的选址脉冲的例子。
首先说明图16(A)的选址驱动电路的结构。选址驱动电路具有电源电路1601和选址驱动器1602。在第一和第二实施方式中，电压Va1和Va2为电压Va/2。在第三和第四实施方式中，电压Va1＝Va/4，电压Va2＝3Va/4。
开关SW1连接在电压Va2和电容1612的下端之间。开关SW2连接在电容1612的下端和地电平之间。二极管1611的阳极连接在电压Va1上，阴极与电容1612的上端连接。二极管1611的阴极电压为选址电源电压Vb。
开关SW3连接在二极管1611的阴极和选址电极A3之间。开关SW4连接在选址电极A3和地电平之间。选址电极A3通过面板电容Cp连接与X电极Xi及Y电极Yi连接。其他的选址电极A1、A2等也和选址电极A3一样，通过两个开关而连接在二极管1611的阴极和地电平上。
接下来，参照图16(B)来说明图16(A)中电路的动作。在时刻t1之前，开关SW1断开(OFF)，开关SW2闭合(ON)，开关SW3断开(OFF)，以及开关SW4闭合。由于开关SW4闭合，所以选址电极A3的电压为地电平GND。
接着，在时刻t1，开关SW3闭合，开关SW4断开。电容1612被充电至电压Va1，从而选址电源电压Vb及选址电极A3的电压变为电压Va1(例如Va/2)。
接着，在时刻t2，开关SW1闭合，开关SW2断开。选址电源电压Vb及选址电极A3的电压变为Va1+Va2的电压(例如Va)。
接着，在时刻t3，开关SW1断开，开关SW2闭合。选址电源电压Vb及选址电极A3的电压下降至Va1。选址电极A3的电能被回收到电容1612中。
接着，在时刻t4，开关SW1闭合，开关SW2断开，开关SW3断开，以及开关SW4闭合。选址电极A3的电压变为地电平GND。选址电源电压Vb变为Va1+Va2的电压(例如Va)。之后，通过重复上述动作，可以生成选址脉冲。
(第十一实施方式)
图17(A)和17(B)是本发明第十一实施方式的示意图。图17(A)是示出选址驱动电路6(图1)的结构例的电路图，其中此选址驱动电路6是用于生成第五至第八实施方式的选址脉冲的，图17(B)是用于说明其电路动作的时序图。
首先，说明图17(A)的电路结构。选址驱动电路具有电源电路1701和选址驱动器1702。电压Va1＝Va2＝Va3＝Va/3。开关SW5连接在电压Va3和电容1713的下端之间。开关SW2连接在电容1713的下端和地电平之间。开关SW1连接在电压Va2和电容1713的上端之间。二极管1711的阳极连接在电压Va1上，阴极与电容1712的上端连接。电容1712的下端连接与电容1713的上端连接。二极管1711的阴极电压为选址电源电压Vb。选址驱动器1702具有与图16(A)的选址驱动器1602相同的结构。
接下来，参照图17(B)来说明图17(A)中电路的动作。在时刻t1之前，开关SW1断开，开关SW2闭合，开关SW3断开，开关SW4闭合，以及开关SW5断开。由于开关SW4闭合，所以选址电极A3的电压为地电平GND。
接着，在时刻t1，开关SW3闭合，开关SW4断开。选址电源电压Vb及选址电极A3的电压变为电压Va1(＝Va/3)。
接着，在时刻t2，开关SW1闭合，开关SW2断开。选址电源电压Vb及选址电极A3的电压变为Va1+Va2的电压(＝2Va/3)。
接着，在时刻t3，开关SW1断开，开关SW5闭合。选址电源电压Vb及选址电极A3的电压变为Va1+Va2+Va3的电压(＝Va)。
接着，在时刻t4，开关SW1闭合。选址电源电压Vb及选址电极A3的电压变为2Va/3。选址电极A3的电能被回收到电容1712和1713中。
接着，在时刻t5，开关SW1断开，开关SW2闭合，以及开关SW5断开。选址电源电压Vb及选址电极A3的电压变为Va/3。选址电极A3的电能被回收到电容1712和1713中。
接着，在时刻t6，开关SW1闭合，开关SW2断开，开关SW3断开，以及开关SW4闭合。选址电极A3的电压变为地电平GND，选址电源电压Vb的电压变为2Va/3。
接着，在时刻t7，开关SW1断开。选址电极A3的电压维持地电平GND，选址电源电压Vb的电压变为Va。之后，通过重复上述动作，可以生成选址脉冲。
(第十二实施方式)
图18(A)和18(B)是本发明第十二实施方式的示意图。图18(A)是示出选址驱动电路6(图1)的结构例的电路图，其中此选址驱动电路6是用于生成第九实施方式的选址脉冲的，图18(B)是用于说明其电路动作的时序图。图18(A)的电路结构与图16(A)的相同。电压Va1＝Va2＝Va/2。
参照图18(B)来说明图18(A)中电路的动作。时刻t1和t2的动作与图16(B)中的相同。之后，在时刻t3，开关SW1断开，开关SW2闭合，以及开关SW3断开。选址电极A3变为高阻抗状态，并维持电压Va。选址电源电压Vb变为Va/2。
接着，在时刻t4，开关SW1闭合，开关SW2断开，以及开关SW4闭合。选址电极A3的电压变为地电平GND，选址电源电压Vb变为Va。之后，通过重复上述动作，可以生成选址脉冲。
如上所述，在第一至第十二实施方式中，以选址脉冲的上升及下降为两阶或三阶的情况为例进行了说明，但也可以是四阶以上。具体地，使选址脉冲分n阶(n为大于等于2的整数)上升，并使得从其最低电压至最高电压的预定的期间(例如，维持从其最低电压上升了一阶的电压的期间)和与其对应的扫描脉冲的前一扫描脉冲重叠。另外，使选址脉冲分n阶(n为大于等于2的整数)下降，并使得从其最高电压至最低电压的预定的期间(例如，维持比其最低电压高一阶的电压的期间)和与其对应的扫描脉冲的后一扫描脉冲重叠。由此，可以使选址脉冲的最高电压Va的期间Ta变长，从而可以实现稳定的选址放电。并且，通过采用n阶梯选址脉冲，可以减少功耗。
另外，在第一、第二、第五至第八实施方式中，当从其最低电压至其最高电压分n阶上升时，每次以其最低电压和其最高电压的电压差之1/n来分n阶上升。同样，当选址脉冲分n阶从其最高电压下降至其最低电压时，每次以其最低电压和其最高电压的电压差之1/n来分n阶下降。
在第三和第四实施方式中，选址脉冲上升时的各阶的电压变化量不同，从其最低电压上升一阶的电压变化量低于其他阶的电压变化量。当将此适用于三阶梯选址脉冲上时，第一阶具有小于Va/3的电压变化量，第二阶和第三阶具有高于Va/3的相同的电压变化量。即，在选址脉冲上升时的各阶的电压变化量中，一部分(第二阶和第三阶)相同，一部分不同。
下降时也一样。即，选址脉冲下降时的各阶的电压变化量不同，从比其最低电压高一阶的电压下降至其最低电压的电压变化量低于其他阶的电压变化量。并且，在选址脉冲下降时的各阶的电压变化量中，一部分相同，一部分不同。
上述实施方式均仅为实施本发明的具体示例，不能据此来限定性地解释本发明的技术范围。即，本发明可以在不脱离其技术思想或其主要特征的范围内以各种方式实施。
本发明的实施方式例如可以有如下述的各种应用。
附记1：一种等离子显示装置，其中具有：依次扫描并施加扫描脉冲的多个扫描电极、通过与所述扫描脉冲对应地施加选址脉冲来选择显示像素的选址电极、生成所述扫描脉冲的扫描驱动电路、以及生成所述选址脉冲的选址驱动电路，并且
所述选址脉冲分n阶(n为2以上的整数)上升，并从其最低电压至最高电压的预定的期间和与其对应的扫描脉冲的前一扫描脉冲重叠。
附记2：如附记1所述的等离子显示装置，其中，所述预定的期间是维持从其最低电压上升了一阶的电压的期间。
附记3：如附记2所述的等离子显示装置，其中，所述选址脉冲从其最低电压上升至比其最高电压低一阶的电压并维持该电压的期间和与其对应的扫描脉冲的前一扫描脉冲重叠。
附记4：如附记1所述的等离子显示装置，其中，所述选址脉冲分两阶上升，并且从其最低电压上升了一阶的电压大约为其最高电压的1/2。
附记5：如附记1所述的等离子显示装置，其中，所述选址脉冲分两阶上升，并且从其最低电压上升了一阶的电压小于其最高电压的1/2。
附记6：如附记1所述的等离子显示装置，其中，当所述选址脉冲分n阶从其最低电压上升至其最高电压时，每次以其最低电压和其最高电压的电压差的1/n来分n阶上升。
附记7：如附记1所示的等离子显示装置，其中，所述选址脉冲上升时的各阶的电压变化量不同。
附记8：如附记1所述的等离子显示装置，其中，在所述选址脉冲上升时的各阶的电压变化量中，一部分相同，一部分不同。
附记9：如附记1所述的等离子显示装置，其中，所述选址脉冲从其最低电压上升一阶的电压变化量低于其他阶的电压变化量。
附记10：如附记1所述的等离子显示装置，其中，所述选址脉冲通过一阶下降。
附记11：如附记1所述的等离子显示装置，其中，所述选址脉冲分n阶下降，并且维持比其最高电压低一阶的电压并从该电压下降至其最低电压的期间和与其对应的扫描脉冲重叠。
附记12：一种等离子显示装置，其中具有：依次扫描并施加扫描脉冲的多个扫描电极；通过与所述扫描脉冲对应地施加选址脉冲来选择显示像素的选址电极；生成所述扫描脉冲的扫描驱动电路；以及生成所述选址脉冲的选址驱动电路，并且
所述选址脉冲分n阶(n为大于等于2的整数)下降，并从其最高电压至最低电压的预定的期间和与其对应的扫描脉冲的后一扫描脉冲重叠。
附记13：如附记12所述的等离子显示装置，其中，所述预定的期间是维持比其最低电压高一阶的电压的期间。
附记14：如附记13所述的等离子显示装置，其中，所述选址脉冲维持比其最高电压低一阶的电压并从该电压下降至其最低电压的期间和与其对应的扫描脉冲的后一扫描脉冲重叠。
附记15：如附记12所述的等离子显示装置，其中，所述选址脉冲分两阶下降，并且比其最低电压高一阶的电压大约为其最高电压的1/2。
附记16：如附记12所述的等离子显示装置，其中，所述选址脉冲分两阶下降，并且比其最低电压高一阶的电压小于其最高电压的1/2。
附记17：如附记12所述的等离子显示装置，其中，当所述选址脉冲分n阶从其最高电压下降至其低高电压时，每次以其最低电压和其最高电压的电压差的1/n来分n阶下降。
附记18：如附记12所述的等离子显示装置，所述选址脉冲从比其最低电压高一阶的电压下降至其最低电压的电压变化量低于其他阶的电压变化量。
附记19：如附记12所述的等离子显示装置，其中，所述选址脉冲分n阶上升，并且从其最低电压上升至比其最高电压低一阶的电压并维持该电压的期间和与其对应的扫描脉冲重叠。
附记20：一种等离子显示装置的驱动方法，其中，所述等离子显示装置具有：依次扫描并施加扫描脉冲的多个扫描电极；通过与所述扫描脉冲对应地施加选址脉冲来选择显示像素的选址电极，
该驱动方法具有生成所述扫描脉冲的扫描驱动步骤，和生成所述选址脉冲的选址驱动步骤，并且
所述选址脉冲分n阶(n为大于等于2的整数)上升，并从其最低电压至最高电压的预定的期间和与其对应的扫描脉冲的前一扫描脉冲重叠。

Claims (20)

1.一种等离子显示装置，其特征在于，
具有：依次扫描并施加扫描脉冲的多个扫描电极、通过与所述扫描脉冲对应地施加选址脉冲来选择显示像素的选址电极、生成所述扫描脉冲的扫描驱动电路、以及生成所述选址脉冲的选址驱动电路，并且
所述选址脉冲分n阶(n为2以上的整数)上升，并从其最低电压至最高电压的预定的期间和与其对应的扫描脉冲的前一扫描脉冲重叠。
2.如权利要求1所述的等离子显示装置，其特征在于，所述预定的期间是维持从其最低电压上升了一阶的电压的期间。
3.如权利要求2所述的等离子显示装置，其特征在于，所述选址脉冲从其最低电压上升至比其最高电压低一阶的电压并维持该电压的期间和与其对应的扫描脉冲的前一扫描脉冲重叠。
4.如权利要求1所述的等离子显示装置，其特征在于，所述选址脉冲分两阶上升，并且从其最低电压上升了一阶的电压大约为其最高电压的1/2。
5.如权利要求1所述的等离子显示装置，其特征在于，所述选址脉冲分两阶上升，并且从其最低电压上升了一阶的电压小于其最高电压的1/2。
6.如权利要求1所述的等离子显示装置，其特征在于，当所述选址脉冲分n阶从其最低电压上升至其最高电压时，每次以其最低电压和其最高电压的电压差的1/n来分n阶上升。
7.如权利要求1所示的等离子显示装置，其特征在于，所述选址脉冲上升时的各阶的电压变化量不同。
8.如权利要求1所述的等离子显示装置，其特征在于，在所述选址脉冲上升时的各阶的电压变化量中，一部分相同，一部分不同。
9.如权利要求1所述的等离子显示装置，其特征在于，所述选址脉冲从其最低电压上升一阶的电压变化量低于其他阶的电压变化量。
10.如权利要求1所述的等离子显示装置，其特征在于，所述选址脉冲通过一阶下降。
11.如权利要求1所述的等离子显示装置，其特征在于，所述选址脉冲分n阶下降，并且维持比其最高电压低一阶的电压并从该电压下降至其最低电压的期间和与其对应的扫描脉冲重叠。
12.一种等离子显示装置，其特征在于，
具有：依次扫描并施加扫描脉冲的多个扫描电极；通过与所述扫描脉冲对应地施加选址脉冲来选择显示像素的选址电极；生成所述扫描脉冲的扫描驱动电路；以及生成所述选址脉冲的选址驱动电路，
所述选址脉冲分n阶(n为大于等于2的整数)下降，并从其最高电压至最低电压的预定的期间和与其对应的扫描脉冲的后一扫描脉冲重叠。
13.如权利要求12所述的等离子显示装置，其特征在于，所述预定的期间是维持比其最低电压高一阶的电压的期间。
14.如权利要求13所述的等离子显示装置，其特征在于，所述选址脉冲维持比其最高电压低一阶的电压并从该电压下降至其最低电压的期间和与其对应的扫描脉冲的后一扫描脉冲重叠。
15.如权利要求12所述的等离子显示装置，其特征在于，所述选址脉冲分两阶下降，并且比其最低电压高一阶的电压大约为其最高电压的1/2。
16.如权利要求12所述的等离子显示装置，其特征在于，所述选址脉冲分两阶下降，并且比其最低电压高一阶的电压小于其最高电压的1/2。
17.如权利要求12所述的等离子显示装置，其特征在于，当所述选址脉冲分n阶从其最高电压下降至其低高电压时，每次以其最低电压和其最高电压的电压差的1/n来分n阶下降。
18.如权利要求12所述的等离子显示装置，其特征在于，所述选址脉冲从比其最低电压高一阶的电压下降至其最低电压的电压变化量低于其他阶的电压变化量。
19.如权利要求12所述的等离子显示装置，其特征在于，所述选址脉冲分n阶上升，并且从其最低电压上升至比其最高电压低一阶的电压并维持该电压的期间和与其对应的扫描脉冲重叠。
20.一种等离子显示装置的驱动方法，其中，所述等离子显示装置具有：依次扫描并施加扫描脉冲的多个扫描电极；通过与所述扫描脉冲对应地施加选址脉冲来选择显示像素的选址电极，该驱动方法的特征在于，
具有生成所述扫描脉冲的扫描驱动步骤，和生成所述选址脉冲的选址驱动步骤，并且
所述选址脉冲分n阶(n为大于等于2的整数)上升，并从其最低电压至最高电压的预定的期间和与其对应的扫描脉冲的前一扫描脉冲重叠。
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