CN1787193A - 深沟槽型功率mos管静电保护结构制造方法 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种深沟槽型功率MOS管的静电保护结构制造方法。首先淀积静电保护结构多晶硅，再形成静电保护结构中的一个PN结，在形成源的同时形成PN结的另一极，从而形成所需的静电保护结构，不必为形成静电保护结构而进行专门的光刻工序。可以减少工艺步骤，降低成本。
Description
技术领域
本发明涉及一种功率MOS晶体管的制造方法，特别是涉及一种深沟槽型功率MOS管的静电保护结构的制造方法。
背景技术
随着功率MOS器件的发展，人们对器件的性能有更高的要求。其中静电保护结构(Electricity Static Discharge，简称ESD)是很重要的一项。在功率MOS器件中增加ESD，已有方法是在原有制造MOS器件工艺流程中通过增加专门用于形成ESD的光刻工序，然后通过离子注入的方法形成ESD的PN结，从而形成ESD。这样的方法步骤较多，不利于提高性能的同时降低成本。
发明内容
本发明要解决的技术问题是提供一种深沟槽型功率MOS管的ESD制造方法，它可以减少工程步骤，降低成本。
为解决上述技术问题，本发明所述的一种深沟槽型功率MOS管的静电保护结构制造方法，包括以下步骤：第一步，在深沟槽型功率MOS的阱形成后，对硅表面进行氧化，形成氧化硅膜；第二步，在形成的氧化硅膜上淀积一层多晶硅膜；第三步，对形成的多晶硅膜进行全面的离子注入；第四步，对多晶硅膜刻蚀，去除静电保护结构区域以外的多晶硅膜；第五步，对MOS管的源区和静电保护结构区域进行光刻；第六步，对MOS管的源区和静电保护结构区域进行注入。
本发明的深沟槽型功率MOS管的ESD制造方法是通过ESD多晶硅淀积，然后再通过离子注入在ESD多晶硅上形成ESD中的PN结中的其中一极，在随后的源注入工序中，在形成源的同时形成ESD中PN结的另一极，从而形成了所需的ESD，不必为形成ESD而进行专门的光刻工序。可以减少工艺步骤，在不增加很多成本的同时有效提高器件的性能。
附图说明
图为本发明深沟槽型功率MOS管ESD制造方法工艺流程图。
具体实施方式
在制造深沟槽型功率MOS的阱形成工序结束后，在1000℃的环境下对硅表面进行氧化，形成一层厚度为200nm～800nm的SiO2膜。在形成的SiO2膜上用减压化学气相淀积的方法进行多晶硅膜的成长，形成一层200nm～800nm的多晶硅膜。对该形成的多晶硅膜进行全面的离子注入，对于P型MOS管的ESD多晶硅膜全面注入磷，注入剂量为2E14，能量为40Kev，注入后该ESD多晶硅膜为N型。对于N型MOS管，ESD多晶硅膜全面注入硼，注入后该ESD多晶硅膜为P型。注入后的极性根据器件类型而定。采用干法刻蚀的方法，对ESD多晶硅膜进行刻蚀，以去除ESD区域以外的多晶硅膜。对MOS管的源区进行光刻，同时对ESD区域进行光刻。对MOS管的源区进行注入时，对ESD区域也进行注入，注入硼，注入剂量为5E15，注入能量为40Kev。从而在ESD多晶硅膜上形成ESD所需的PN结结构。
Claims (5)
1.一种深沟槽型功率MOS管的静电保护结构制造方法，其特征在于，包括以下步骤：
第一步，在深沟槽型功率MOS的阱形成后，对硅表面进行氧化，形成氧化硅膜；
第二步，在形成的氧化硅膜上淀积一层多晶硅膜；
第三步，对形成的多晶硅膜进行全面的离子注入；
第四步，对多晶硅膜刻蚀，去除静电保护结构区域以外的多晶硅膜；
第五步，对MOS管的源区和静电保护结构区域进行光刻；
第六步，对MOS管的源区和静电保护结构区域进行注入。
2.根据权利要求1所述的深沟槽型功率MOS管的静电保护结构制造方法，其中第一步中氧化硅膜的厚度为200nm～800nm。
3.根据权利要求1所述的深沟槽型功率MOS管的静电保护结构制造方法，其中第二步中多晶硅膜的沉积采用化学气相淀积的方法。
4.根据权利要求1所述的深沟槽型功率MOS管的静电保护结构制造方法，其中第二步中淀积的多晶硅膜的厚度为200nm～800nm。
5.根据权利要求1所述的深沟槽型功率MOS管的静电保护结构制造方法，其中第四步中所述的刻蚀为干法刻蚀。
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Cited By (3)
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|---|---|---|---|---|
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| CN105355626A (zh) * | 2015-10-09 | 2016-02-24 | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 | 沟槽型mosfet的esd结构及工艺方法 |
| CN110557969A (zh) * | 2018-04-03 | 2019-12-10 | 深圳市汇顶科技股份有限公司 | 阻变式存储器的制造方法和阻变式存储器 |
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Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN103187288A (zh) * | 2011-12-29 | 2013-07-03 | 立新半导体有限公司 | 一种带有静电保护功能的沟槽半导体功率器件的制备方法 |
| CN103187288B (zh) * | 2011-12-29 | 2016-08-10 | 立新半导体有限公司 | 一种带有静电保护功能的沟槽半导体功率器件的制备方法 |
| CN105355626A (zh) * | 2015-10-09 | 2016-02-24 | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 | 沟槽型mosfet的esd结构及工艺方法 |
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| CN110557969A (zh) * | 2018-04-03 | 2019-12-10 | 深圳市汇顶科技股份有限公司 | 阻变式存储器的制造方法和阻变式存储器 |
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