CN1786657A - 用于金属表面上的有机涂膜的厚度测量方法 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及一种用于金属表面上形成的有机涂膜(例如有机可焊保护膜)的厚度测量方法。在此方法中，测量形成于第一金属表面上的至少一个参考有机涂膜的吸收光谱，以及由吸收光谱来计算预定波长范围内的吸收强度。通过破坏性测量来测量参考有机涂膜的厚度。然后，基于参考有机涂膜的吸收强度和测得的厚度来确定相关性。测量所要测量的有机涂膜的吸收光谱。由所要测量的有机涂膜的吸收光谱来计算预定波长范围内的吸收强度，以及基于该相关性，来由有机涂膜的吸收强度来计算其厚度。

Description

用于金属表面上的有机涂膜的 厚度测量方法
相关申请
本申请基于并要求于2004年12月7日提交的韩国申请第2004-102610号的优先权，其全部内容结合于此作为参考。
技术领域
本发明涉及一种用于有机涂膜(coating film)的厚度测量方法，更具体地，涉及一种用于在具有较大表面粗糙度的金属焊盘(pad)例如铜焊盘上形成的亚微米级有机可焊保护膜的厚度测量方法。
背景技术
涂膜的厚度通常根据破坏性和非破坏性技术来测量。涂膜在破坏性分析中会丧失其功能，而在非破坏性技术中则保留其功能。破坏性技术对涂膜造成物理/化学破坏，其达到了使涂膜很难恢复的程度。而且，破坏性测量仅在受限的区域中执行，因而很难呈现整个涂膜的特性。
相反的是，非破坏性技术例如红外线(IR)分析被公认可用于分析厚度以及成分。非破坏性技术的优点在于使涂膜可保持其功能，并可实现快速分析。
尽管有这些优点，但非破坏性技术不适合作为用于金属表面上形成的有机涂膜(例如铜表面上形成的有机可焊保护(OrganicSolderability Preservative，OSP)膜)的厚度测量方法。这是因为形成于较粗糙金属表面上的有机涂膜的相当不规则的厚度的缘故，其妨碍了用标准校验(standardization)。
特别地，当是在蚀刻过的铜图样上形成的OSP膜时，用标准校验变得更加困难。所以，OSP膜的厚度使用了如下面将要参照图1a、图1b和图2所描述的最新的破坏性、间接测量技术来测量。
图1a示出了可涂覆OSP膜的芯片级封装(chip-scale package)10。如图1a所示，在上面安装有芯片14的衬底12的下侧上形成蚀刻的铜图样16，并且该铜图样经由内部电路(未示出)连接至芯片14。在铜图样16上涂覆OSP膜18，以提高可焊性。重要的是，考虑到电可靠性和可焊性，形成亚微米级的适当厚度的OSP膜18。
然而，由于OSP膜18形成于如图1b所示的铜图样16的粗糙表面(图1a中的放大的A部分)上，所以难以用非破坏性测量(例如光谱法)来测量OSP膜18的厚度。
因此，常规地，OSP膜厚度通过如图2所示的间接的、破坏性分析来测量。
参照图2，在S21中根据特定处理条件(例如，处理时间)，在衬底上形成厚度待测量的OSP膜。在此情况下，用于厚度测量的衬底在其上面形成有预定面积的铜图样，如现实当中所用到的那样，其表面粗糙度等于图1a中的铜膜的表面粗糙度。然后，在S23中用盐酸溶液将OSP膜完全溶解，制得有机溶液，然后在S25中对该有机溶液应用紫外线光谱法，以测量OSP材料的浓度。然后，在S27中基于测得的浓度(OSP材料的量)和OSP膜面积来计算OSP膜厚度。在S29中基于这些特定处理条件下制得的OSP膜厚度，来估算相同处理条件下实际生产的产品上的OSP膜的厚度。
然而，上述厚度测量方法只不过是特定处理条件下所执行的可靠性较差的间接测量技术。此外，该厚度测量方法由于各个处理条件要求不同的厚度数据，所以变得复杂。
发明内容
本发明旨在解决现有技术的上述问题，因此本发明的一个目的在于提供了一种用于有机涂膜的厚度测量方法，更具体地，一种用于在具有较大表面粗糙度的金属焊盘(例如铜焊盘)上形成的亚微米级有机可焊保护膜的厚度测量方法。
为了实现上述目的，本发明提供了一种用于有机涂膜的厚度测量方法，所述方法包括以下步骤：测量形成于第一金属表面上的至少一个参考有机涂膜的吸收光谱；由所述有机涂膜的吸收光谱来计算预定波长范围内的吸收强度；通过破坏性测量来测量所述参考有机涂膜的厚度；基于所述参考有机涂膜的吸收强度和测得的厚度来确定吸收强度与膜厚度之间的相关性；测量形成于第二金属表面上的、所要测量的有机涂膜的吸收光谱；由所要测量的有机涂膜的吸收光谱来计算所述预定波长范围内的吸收强度；以及基于吸收强度与膜厚度之间的相关性，来由所要测量的有机涂膜的吸收强度来计算其厚度。
所要测量的有机涂膜可有利地可涂覆在由于蚀刻而具有高表面粗糙度的金属表面上，其中所述参考有机涂膜和所要测量的有机涂膜在金属上形成，具有在相等的蚀刻条件下产生的表面粗糙度。
优选地，所述参考有机涂膜可以是有机可焊保护膜，以及其中所要测量的有机涂膜可以是形成于印刷电路板的铜图样上的有机可焊保护膜。
优选地，所述参考有机涂膜可以包括多个参考有机涂膜，所述多个参考有机涂膜包含优选地以不同的量涂覆于单位表面面积上的有机材料。
优选地，所述吸收光谱可通过红外线光谱法来测量，以及所述预定波长范围可对应于所述参考有机涂膜的主要成分的吸收峰值范围。
在本发明的一个特定实施例中，通过破坏性测量来测量所述参考有机涂膜的厚度的步骤可包括：溶解所述第一金属表面上的所述参考有机涂膜；分析所述溶液中的有机材料的浓度；以及基于分析出的浓度来计算所述参考有机涂膜的厚度，其中，分析所述溶液中的有机材料的浓度的步骤可通过红外线光谱法来进行。
在本发明的另一个特定实施例中，所述厚度测量方法还可包括：在高度抛光的晶片上形成均匀厚度的标准材料膜；测量所述标准材料膜的吸收光谱；由所述标准材料膜的吸收光谱来计算所述预定波长范围内的吸收强度；以及计算所述标准材料膜的吸收强度与所述有机涂膜的吸收强度之间的比率，其中，确定吸收强度与膜厚度之间的相关性的步骤确定了吸收强度的所述比率与膜厚度之间的相关性，以及其中，由其吸收强度来计算所要测量的有机涂膜的厚度的步骤基于所述标准材料膜的吸收强度与所要测量的有机涂膜的吸收强度之间的所述比率来计算所述有机涂膜的厚度。
通过利用形成于光滑表面上的标准材料膜、基于由于金属表面粗糙度造成的厚度变化来测量有机涂膜的厚度，可以有效地减少由外部影响所导致的任何误差。
在此情况下，所述晶片可以是硅晶片，所述标准材料可以是二萘嵌苯(perylene)，以及测量所述标准材料膜的吸收光谱的步骤可通过红外线光谱法来执行。
附图说明
通过下面结合附图的详细描述，可以更清楚地理解本发明的上述及其它的目的、特征和其它优点，附图中：
图1a是示出常规的芯片级封装的剖视图；
图1b是示出图1a所示的芯片级封装的衬底的焊盘表面的剖视图；
图2是示出用于OSP膜的常规厚度测量方法的流程图；
图3a和图3b是示出本发明的用于有机涂膜的厚度测量方法的流程图；
图4是示出根据本发明的一个优选实施例的用于有机涂膜的厚度测量方法的流程图；
图5是示出可用于本发明的IR光谱仪系统的示意图；
图6a是示出本发明的参考有机涂膜的IR吸收光谱的曲线图；
图6b是示出本发明的参考有机涂膜的IR吸收强度与厚度之间的相关性的曲线图；
图7a是示出本发明的标准材料膜(例如，二萘嵌苯)的IR吸收光谱的曲线图；
图7b是示出本发明的参考有机涂膜与标准材料膜的IR吸收强度比与参考有机涂膜厚度之间的相关性的曲线图；以及
图8是示出本发明的对OSP膜的FIB分析估算的视图。
具体实施方式
以下将参照附图给出本发明的详细描述。
图3a和图3b是示出本发明的用于有机涂膜的厚度测量方法的流程图。
可将本发明的用于有机涂膜的厚度测量方法细分为：通过利用参考有机涂膜来计算吸收强度与厚度之间的相关性的过程(图3a)，和基于计算出的相关性来测量有机涂膜的厚度的过程(图3b)。
首先，如图3a所示，本发明的厚度测量方法首先是在S31中测量参考金属表面上的参考有机涂膜的吸收光谱。此处，上面形成有参考有机涂膜的参考金属表面是具有预定金属表面面积的衬底。该金属表面与上面形成有实际上要测量的有机涂膜的金属表面处于相同条件之下。当实际要测量的有机涂膜是蚀刻的铜表面上形成的OSP膜时，优选地，使该参考金属表面与该蚀刻的铜表面处于相同蚀刻条件下被表面粗糙化。用于测量吸收光谱的光谱法包括但不限于IR光谱法。
接下来，在S32中由该参考有机涂膜所测得的吸收光谱来计算特定波长范围内的吸收强度。测量吸收强度的波长范围优选地选自于包括与参考有机涂膜的主要成分相对应的吸收峰值的范围。例如，在OSP膜的厚度测量中，优选的波长范围是与CH3 -原子团相对应的约1230到1290cm-1。
在算出吸收强度之后，在S33中通过典型的破坏性测量来测量参考有机涂膜的厚度。在此步骤中，将金属表面上的参考有机涂膜溶解，然后分析该溶液中的有机材料的浓度，从而可基于分析出的浓度来计算该有机涂膜的厚度。即，当将有机材料涂覆在已知的表面面积上时，由分析出的浓度来计算其体积，可基于表面面积和其体积来测量该有机材料的厚度。这样，可通过IR光谱法来分析有机材料的浓度。
在S34中，计算参考有机涂膜的吸收强度与厚度之间的相关性。该吸收强度包含了厚度信息，并基本上与厚度尺度成正比。所计算的参考有机涂膜的吸收强度与厚度之间的相关性可用于将所要实际测量的有机涂膜的吸收强度转换成厚度。例如一优选实施例，可以获取关于另一形成于光滑衬底上的标准材料膜的吸收强度比，然后计算吸收强度比与厚度之间的相关性，以实现更精确的厚度测量。后面将参照图4来描述该测量。
可将如上面参照图3a所述的用于参考有机涂膜的吸收强度与厚度之间的相关性的计算过程应用于多个涂膜，以提高精确度。这样，优选地，将不同量的有机材料涂覆到单位表面面积上，使得参考有机涂膜具有不同的厚度。
基于如上所计算的吸收强度与厚度之间的相关性，用于测量要测量的有机涂膜的厚度的过程如图3b所示的那样来执行。
首先，在S35中，在要测量的有机涂膜上执行吸收光谱测量。优选地，用与对参考有机涂膜所采用的方式相同的方式的IR光谱法来执行该光谱测量。该实际要测量的有机涂膜可以是亚微米级的，形成于铜表面(例如印刷电路板的焊盘)上的OSP膜。
接下来，在S36中由要测量的有机涂膜的吸收光谱来计算特定波长范围内的吸收强度。计算吸收强度的特定波长范围与计算参考有机涂膜的吸收强度的波长范围相同。例如，在OSP膜的厚度测量中，特定波长范围优选地是与CH3 -原子团相对应的约1230到1290cm-1。
最后，在S37中，基于参考有机涂膜的吸收强度与厚度的相关性，由要测量的有机涂膜的吸收强度来计算其厚度。由于该方法基于如上所述的吸收强度与厚度的相关性来直接测量相同材料的有机涂膜，所以不要求以与要测量的有机涂膜相同的过程来形成参考有机涂膜。
此外，因为要实际测量的有机涂膜可分布于不同的区域上，而不是限于特定区域，所以直接测量在常规的非破坏性测量中是不可能的。所以，估算是基于由测量各个衬底上形成的有机涂膜的厚度所获得的结果来进行的。然而，本发明提供了可行的方法，能够直接测量不同形状和尺寸的各种区域上形成的有机涂膜的厚度。
如图4所示，本发明的测量方法还可通过使用标准材料膜而采用吸收强度校准过程。由图4中的过程算出的吸收强度比可用作一种用于更精确测量要以如图3a和图3b所述的测量方法进行测量的有机涂膜的厚度的手段。下面将联系图3a和图3b来描述该过程。
首先，参照图4，该吸收强度校准程序首先是在S41中在晶片上形成均匀厚度的标准材料膜。该晶片可具有光滑表面，该光滑表面不同于图3a和图3b中所用的粗糙金属表面，而是被高度抛光成非常低的表面粗糙度。标准材料膜可由与该有机涂膜不同的材料制成，并且优选地可采用任何可涂覆成均匀厚度的材料(例如二萘嵌苯)。
在S42中，对标准材料膜执行吸收光谱测量。可按照前面描述的图3a和图3b中的吸收光谱测量那样来使用IR光谱法。然后在S43中计算标准材料膜在特定波长范围内的吸收强度。因为使用不同的材料，所以标准材料膜的特定波长范围可不同于图3a和图3b中的波长范围。
在S44中，计算所算出的标准材料膜的吸收强度与在图3a的步骤S32中所计算的吸收强度之间的比率。在图3b的S37中，计算吸收强度比与厚度之间的相关性。然后，在图3b的S37中，产生要测量的有机涂膜与标准材料膜之间的吸收强度比，从而可基于在图3a的前面的步骤中所计算的相关性来计算更精确的膜厚度。
通过利用标准材料膜的吸收强度与参考有机涂膜的吸收强度之间的比率，可以更精确地测量形成于粗糙表面上的所要测量的有机涂膜的厚度，以及校准在通过IR辐射的吸收光谱测量过程中的任何干扰影响，其中，标准材料膜是以均匀厚度形成于光滑晶片(具有非常小的表面粗糙度)上。
图5是示出可用于本发明的IR光谱仪系统50的示意图。
如图5所示，IR光谱仪系统50包括IR源51，用于发射IR辐射到形成于金属衬底16上的有机涂膜18上。有机涂膜18部分地吸收IR源51所发射的IR辐射，同时反射IR辐射的剩余部分到检测器53。通过放大器55放大由检测器53所检测到的IR信号，然后经由A/D转换器57将其发送到计算机59。计算机59用于根据FR-IR光谱法来绘制IR光谱曲线图，并可储存吸收强度与厚度之间的相关性数据(如上面参照图3a、图3b和图4所描述的那样)，以及用于由吸收光谱来提供要测量的有机涂膜18的厚度信息的程序。
下面将通过实例来更详细地描述本发明。
实例1
将四(4)个10cm2的铜叠层板(copper laminated plate)制备为厚度测量中所用的衬底。清洁这些叠层板的铜表面，然后在与用于常规铜焊盘的相同的条件下蚀刻铜表面。将烷基苯咪唑(Alkil-benzene-imidazole)水溶液涂覆到这4个铜叠层板的表面上，持续不同的时间周期，然后从铜叠层板清除水份，以制备四个参考有机涂膜A到D。
根据FT-IR技术，由这四个参考有机涂膜测量到IR吸收光谱。从测得的IR吸收光谱由积分算出1230到1290cm-1范围内的吸收强度。有机涂膜表现出15、99.5、153、和160的吸收强度值。图6a是示出关于参考有机涂膜D的IR吸收光谱的曲线图。
然后，将各有机涂膜倒入100ml烧杯，向烧杯中添加25ml的0.5％盐酸溶液，将烧杯摇3到5分钟，以将OSP膜彻底地溶解成有机溶液，然后，将每份有机溶液倒入石英玻璃格(cell)中。通过IR光谱仪，测得与0.5％盐酸溶液相对应的269到279nm的最大吸收强度。通过利用该吸收强度和铜膜的表面面积，算出每个膜厚度。结果，分别地测量出有机涂膜的厚度为0.5μm、0.7μm、1.0μm、和1.5μm。
然后，计算各个有机涂膜的厚度与吸收强度之间的相关性，用图6b中的曲线图来表示其结果。厚度与吸收强度之间的相关性(相关性α)可用实线来标记。
然后，从未知厚度的OSP膜来测量IR光谱，该OSP膜由与有机涂膜相同的材料制成。在相同的波长范围上，其吸收强度是53。基于上述相关性α，计算出该OSP膜的厚度约为0.42μm。
实例2
实例2应用至本发明的厚度测量方法，是通过将从实例1获得的参考有机涂膜的吸收强度与厚度之间的相关性，基于外部标准材料的吸收强度信息，来转换成吸收强度比与厚度之间的更精确的相关性。
首先，将二萘嵌苯涂覆到高度抛光的Si晶片上，涂覆厚度为1.2μm，并通过IR光谱法来执行吸收光谱测量。将测到的光谱绘制于图7a中。测量1380到1520cm-1波长范围内的吸收强度，并且将实例1中测得的参考有机涂膜的吸收强度除以二萘嵌苯的吸收强度(约765)，以得到吸收强度比。与有机涂膜相关的吸收强度比是0.02、0.13、0.2、和0.21。吸收强度-厚度相关性α′被绘制在图7b的曲线图中。在实例2中，图7b曲线图中所绘制的吸收强度-厚度相关性α′可按照下面的等式1来表示：
膜厚度(μm)＝{(OSP膜的吸收强度)/(二萘嵌苯的吸收强度)+0.0085}/0.1542                              等式1
在实例2中，当OSP膜(其厚度未知)的吸收强度如在实例1中根据等式1是53时，算出该OSP膜的厚度约为0.5μm。
为了检查测量结果的精确性，根据一种非破坏性测量(例如FIB分析)来测量OSP膜的厚度。图8示出了根据FIB分析所测量的OSP膜的厚度估算结果。OSP膜厚度约0.4μm至0.7μm，显示实例2的结果非常精确，接近平均值。实例1的结果也符合FIB分析的估算范围。
如本文所描述的，本发明提供了一种测量方法，可产生参考有机涂膜的吸收强度与厚度之间的相关性，并基于该相关性，通过非破坏性技术直接地测量要实际测量的有机涂膜的厚度。与现有技术的间接的、破坏性测量相比，本发明的测量方法直接地测量所要测量的有机涂膜的厚度，同时保留了该有机涂膜的功能，因而确实可用作一种用标准测量有机涂膜的厚度测量的技术。
以上所述仅为本发明的优选实施例而已，并不用于限制本发明，对于本领域的技术人员来说，本发明可以有各种更改和变化。凡在本发明的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。

Claims (12)

1.一种用于有机涂膜的厚度测量方法，所述方法包括以下步骤：
测量形成于第一金属表面上的至少一个参考有机涂膜的吸收光谱；
由所述参考有机涂膜的吸收光谱来计算预定波长范围内的吸收强度；
通过破坏性测量来测量所述参考有机涂膜的厚度；
基于所述参考有机涂膜的吸收强度和测得的厚度来确定吸收强度与膜厚度之间的相关性；
测量形成于第二金属表面上的、所要测量的有机涂膜的吸收光谱；
由所要测量的有机涂膜的吸收光谱来计算所述预定波长范围内的吸收强度；以及
基于吸收强度与膜厚度之间的所述相关性，由所要测量的有机涂膜的吸收强度来计算其厚度。
2.根据权利要求1所述的厚度测量方法，其中，所述参考有机涂膜和所要测量的有机涂膜在金属上形成，具有在相等的蚀刻条件下产生的表面粗糙度。
3.根据权利要求1所述的厚度测量方法，其中，所述参考有机涂膜是有机可焊保护膜，以及
其中，所要测量的有机涂膜是形成于印刷电路板的铜图样上的有机可焊保护膜。
4.根据权利要求1所述的厚度测量方法，其中，所述参考有机涂膜包括多个参考有机涂膜，所述多个参考有机涂膜包括以不同的量涂覆于单位表面面积上的有机材料。
5.根据权利要求1所述的厚度测量方法，其中，所述吸收光谱通过红外线光谱法来测量。
6.根据权利要求1所述的厚度测量方法，其中，所述预定波长范围对应于所述参考有机涂膜的主要成分的吸收峰值范围。
7.根据权利要求1所述的厚度测量方法，其中，通过破坏性测量来测量所述参考有机涂膜的厚度的步骤包括：
溶解所述第一金属表面上的所述参考有机涂膜；
分析所述溶液中的有机材料的浓度；以及
基于所分析出的浓度来计算所述参考有机涂膜的厚度。
8.根据权利要求7所述的厚度测量方法，其中，分析所述溶液中的有机材料的浓度的步骤通过红外线光谱法来进行。
9.根据权利要求1所述的厚度测量方法，还包括：
在高度抛光的晶片上形成均匀厚度的标准材料膜；
测量所述标准材料膜的吸收光谱；
由所述标准材料膜的吸收光谱来计算所述预定波长范围内的吸收强度；以及
计算所述标准材料膜的吸收强度与所述有机涂膜的吸收强度之间的比率，
其中，确定吸收强度与膜厚度之间的相关性的步骤确定了所述吸收强度的所述比率与所述膜厚度之间的所述相关性，以及
其中，由所要测量的有机涂膜的吸收强度来计算其厚度的步骤基于所述标准材料膜的吸收强度与所要测量的有机涂膜的吸收强度之间的所述比率来计算所述有机涂膜的厚度。
10.根据权利要求9所述的厚度测量方法，其中，所述晶片是硅晶片，以及所述标准材料是二萘嵌苯。
11.根据权利要求10所述的厚度测量方法，其中，吸收强度与膜厚度之间的所述相关性由以下等式确定：
膜厚度(μm)＝{(有机可焊保护膜的吸收强度)/(二萘嵌苯的吸收强度)+0.0085}/0.1542，
其中，所述有机可焊保护膜的厚度是未知的。
12.根据权利要求9所述的厚度测量方法，其中，测量所述标准材料膜的吸收光谱的步骤通过红外线光谱法来执行。
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Cited By (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102564327A (zh) * 2010-11-08 2012-07-11 株式会社迪思科 测定方法及测定装置
CN102564328A (zh) * 2010-11-08 2012-07-11 株式会社迪思科 测定方法以及测定装置
CN103003664A (zh) * 2010-07-09 2013-03-27 K-空间协会公司 应用于透明基底的薄膜的实时温度、光学带隙、膜厚度和表面粗糙度测量
CN103075986A (zh) * 2013-01-11 2013-05-01 清华大学 一种用于测量薄膜厚度的方法
CN103398662A (zh) * 2013-08-09 2013-11-20 山东大学 10～100μm固体薄膜厚度的测量方法及装置
CN103837491A (zh) * 2012-11-21 2014-06-04 上海宝钢工业技术服务有限公司 带钢表面涂层含水率红外光谱测量模型的建立方法
CN104964651A (zh) * 2015-06-29 2015-10-07 成都印钞有限公司 凹印大张产品墨层厚度测量方法
CN108180846A (zh) * 2017-11-30 2018-06-19 广州兴森快捷电路科技有限公司 有机保焊膜的工艺控制方法及膜厚获取方法
CN108426531A (zh) * 2018-04-13 2018-08-21 清华大学深圳研究生院 一种复合膜厚度在线测量系统
CN108474732A (zh) * 2016-01-07 2018-08-31 阿科玛股份有限公司 测量高速移动的弯曲物体上沉积涂层厚度的不依赖于物体位置的方法
CN108801960A (zh) * 2017-05-01 2018-11-13 浩思特美容与个人护理创新公司 用于定量测量光防护作用的方法和系统
CN109708580A (zh) * 2019-01-23 2019-05-03 吉林大学 一种基于UV-vis液相吸收光谱表征伊利石微片层厚度的方法
CN111220103A (zh) * 2020-01-21 2020-06-02 珠海斗门超毅实业有限公司 线路板表面处理厚度的测量方法
JP2021107792A (ja) * 2019-12-27 2021-07-29 株式会社Sumco シリコン試料の炭素濃度評価方法およびこの方法に使用される評価装置、シリコンウェーハ製造工程の評価方法、シリコンウェーハの製造方法ならびにシリコン単結晶インゴットの製造方法

Families Citing this family (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008116389A (ja) * 2006-11-07 2008-05-22 Hitachi Ltd 電気機器の非破壊漏油腐食診断装置
US7915586B2 (en) * 2008-08-08 2011-03-29 The Boeing Company Method for performing mid-IR spectroscopy measurements to measure film coating thickness, weight and/or film composition
KR101242699B1 (ko) * 2010-12-28 2013-03-12 주식회사 포스코 코팅층의 도포량 측정 방법
JP2013044729A (ja) * 2011-08-26 2013-03-04 Sumitomo Electric Ind Ltd 塗布状態測定方法
EP2905618A1 (en) * 2014-02-05 2015-08-12 Roche Diagnostics GmbH Use of rare metals as key components
US9810635B2 (en) * 2014-11-12 2017-11-07 Proportional Technologies, Inc. Method of accurate thickness measurement of boron carbide coating on copper foil
KR101944493B1 (ko) * 2016-10-26 2019-04-17 에이피시스템 주식회사 단면적 산출방법
CN111521142B (zh) * 2020-04-10 2022-02-01 金瓜子科技发展（北京）有限公司 漆面厚度的测量方法、装置及漆膜仪

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4355903A (en) * 1980-02-08 1982-10-26 Rca Corporation Thin film thickness monitor
US4808506A (en) * 1987-08-17 1989-02-28 Xerox Corporation Photoconductive imaging members with imidazole perinones
US4899055A (en) * 1988-05-12 1990-02-06 Tencor Instruments Thin film thickness measuring method
JPH05157519A (ja) * 1991-12-05 1993-06-22 Nippon Steel Corp 有機被覆鋼板表面の有機層の膜厚の赤外偏光変調高感度反射法による測定法
US5241366A (en) * 1992-03-04 1993-08-31 Tencor Instruments Thin film thickness monitor
JP3908472B2 (ja) * 2001-03-13 2007-04-25 株式会社東芝 膜厚測定方法及び段差測定方法

Cited By (24)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103003664A (zh) * 2010-07-09 2013-03-27 K-空间协会公司 应用于透明基底的薄膜的实时温度、光学带隙、膜厚度和表面粗糙度测量
CN103003664B (zh) * 2010-07-09 2015-04-15 K-空间协会公司 应用于透明基底的薄膜的实时温度、光学带隙、膜厚度和表面粗糙度测量
CN102564327B (zh) * 2010-11-08 2016-09-14 株式会社迪思科 测定方法及测定装置
CN102564328A (zh) * 2010-11-08 2012-07-11 株式会社迪思科 测定方法以及测定装置
CN102564327A (zh) * 2010-11-08 2012-07-11 株式会社迪思科 测定方法及测定装置
CN103837491B (zh) * 2012-11-21 2018-11-23 上海宝钢工业技术服务有限公司 带钢表面涂层含水率红外光谱测量模型的建立方法
CN103837491A (zh) * 2012-11-21 2014-06-04 上海宝钢工业技术服务有限公司 带钢表面涂层含水率红外光谱测量模型的建立方法
CN103075986A (zh) * 2013-01-11 2013-05-01 清华大学 一种用于测量薄膜厚度的方法
CN103075986B (zh) * 2013-01-11 2015-04-29 清华大学 一种用于测量薄膜厚度的方法
CN103398662A (zh) * 2013-08-09 2013-11-20 山东大学 10～100μm固体薄膜厚度的测量方法及装置
CN103398662B (zh) * 2013-08-09 2016-04-06 山东大学 10～100μm固体薄膜厚度的测量方法及装置
CN104964651B (zh) * 2015-06-29 2017-06-30 成都印钞有限公司 凹印大张产品墨层厚度测量方法
CN104964651A (zh) * 2015-06-29 2015-10-07 成都印钞有限公司 凹印大张产品墨层厚度测量方法
CN108474732A (zh) * 2016-01-07 2018-08-31 阿科玛股份有限公司 测量高速移动的弯曲物体上沉积涂层厚度的不依赖于物体位置的方法
CN108474732B (zh) * 2016-01-07 2022-04-15 阿科玛股份有限公司 测量高速移动的弯曲物体上沉积涂层厚度的不依赖于物体位置的方法
CN108801960B (zh) * 2017-05-01 2022-12-13 浩思特美容与个人护理创新公司 用于定量测量光防护作用的方法和系统
CN108801960A (zh) * 2017-05-01 2018-11-13 浩思特美容与个人护理创新公司 用于定量测量光防护作用的方法和系统
CN108180846A (zh) * 2017-11-30 2018-06-19 广州兴森快捷电路科技有限公司 有机保焊膜的工艺控制方法及膜厚获取方法
CN108180846B (zh) * 2017-11-30 2020-11-17 广州兴森快捷电路科技有限公司 有机保焊膜的工艺控制方法及膜厚获取方法
CN108426531A (zh) * 2018-04-13 2018-08-21 清华大学深圳研究生院 一种复合膜厚度在线测量系统
CN109708580A (zh) * 2019-01-23 2019-05-03 吉林大学 一种基于UV-vis液相吸收光谱表征伊利石微片层厚度的方法
JP2021107792A (ja) * 2019-12-27 2021-07-29 株式会社Sumco シリコン試料の炭素濃度評価方法およびこの方法に使用される評価装置、シリコンウェーハ製造工程の評価方法、シリコンウェーハの製造方法ならびにシリコン単結晶インゴットの製造方法
JP7184032B2 (ja) 2019-12-27 2022-12-06 株式会社Sumco シリコン試料の炭素濃度評価方法およびこの方法に使用される評価装置、シリコンウェーハ製造工程の評価方法、シリコンウェーハの製造方法ならびにシリコン単結晶インゴットの製造方法
CN111220103A (zh) * 2020-01-21 2020-06-02 珠海斗门超毅实业有限公司 线路板表面处理厚度的测量方法

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Publication number Publication date
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JP2006162627A (ja) 2006-06-22
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KR100665003B1 (ko) 2007-01-09
US20060119867A1 (en) 2006-06-08
KR20060063435A (ko) 2006-06-12
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