CN1765528A - 旋转式清洗装置和切割装置 - Google Patents

Abstract

一种旋转清洗装置，其转动通过胶带与环形框架成一体的晶片同时供给清洗水并进行晶片清洗。当保持外径不同的多种框架时，不需要更换旋转台的麻烦的操作。该清洗装置具有框架支持部26和晶片区域支持部27，用对应大径的框架的第一按压装置280和对应小径的框架的第二按压装置285构成在与框架支持部26之间夹持框架的按压装置28，由此，不用更换旋转台20能够保持外径不同的框架。

Description

旋转式清洗装置和切割装置

技术领域

本发明涉及边使晶片转动边供给清洗水、进行晶片清洗的旋转式清洗装置和安装了该旋转式清洗装置的切割装置。

背景技术

由线道划分、在表面形成多个器件的晶片，通过用切割装置使线道分离而切割成各个器件。在一般的切割装置中，具有：保持晶片用的夹紧台；具有切削保持于夹紧台的晶片的线道的切削刀片的切削装置；对用切削切割的晶片边转动边用清水清洗的旋转清洗装置。被切割的晶片通过切割胶带，以与切割架形成一体的状态保持于夹紧台上。而且，夹紧台边移动，晶片的线道受切削装置的作用边被纵横切削而分割成各个器件。分割后的器件，用切割胶带粘接，作为整体在保持着晶片的外形的状态被运送到清洗装置，由清洗水除去切屑等。(例如，参照特开2003-86543号公报)。

安装于切割装置的清洗装置，一般使用被称为旋转清洗装置的装置，其构成是在保持晶片的转动台转动的同时向转动的晶片喷清洗水。在该旋转清洗装置中，作为保持晶片的转动台，已知的结构如：在台的外周部轴支承设置能够转动的把重锤部和按压部成一体的按压摆，利用由转动台转动时的离心力使该重锤部向外周侧的旋转，由按压部和转动台夹持与晶片形成一体的框架(例如，参照实开昭61-86931号公报)。

但是，当在上述专利文献2公开的转动台(旋转台)上保持框架时，因为通过设于其外周部的按压摆的按压部保持框架，所以能够保持的框架的外径被予先确定，存在不能对应不同外径的多种框架的问题。

另外，在切削时保持晶片的夹紧台，因为可在基台上吸引固定该保持台，因此只要解除吸引，就比较容易与框架外径一致更换该保持台。然而，旋转台与夹紧台不同，在清洗晶片时必须以约100rpm～3000rpm的高速旋转，因此，通过吸引不能保持该台，必须用螺栓等牢固固定于台基础上。因而，要准备多个与框架的外径一致的旋转台，在清洗与不同外径的框架形成一体的晶片时，当每次要更换旋转台时，其更换操作相当费事，存在生产效率显著下降的问题。

发明内容

在此，本发明要解决的课题是，在旋转清洗装置中，当保持外径不同的多种框架时，不需要更换旋转台的麻烦的操作。

本发明涉及一种旋转清洗装置，其至少具有：保持通过胶带与框架形成一体的晶片的可转动的旋转台和向保持于旋转台上的晶片供给清洗水的清洗水供给喷嘴。该旋转台具有支持框架的框架支持部和支持晶片区域的晶片区域支持部。在框架支持部的外周配设按压装置，其具有，通过由旋转台的旋转产生的离心力在与框架支持部之间夹持框架的按压摆。在按压装置中，至少具有：具有按压大径框架的第一按压摆的第一按压装置和具有按压小径框架的第二按压摆的第二按压装置。在此，框架的大径、小径意味着在具有两种不同外径框架时外径相对的大小关系。另外，晶片区域意味着胶带之中的粘贴晶片的部分。

第一按压装置在框架支持部的外周的四个部位上等间隔地配设，第二按压装置在第二按压摆不与第一按压摆接触的位置上被等间隔地配设，是理想的。作为其一例例如构成，在框架支持部的外周形成向内周切开的切口部，把第二按压装置配设在切口部内。另外，在第二按压装置中具有限制第二按压摆摆动的制动器是理想的。

另外，本发明还提供一种切割装置，其至少具有：保持通过胶带与框架形成一体的晶片的夹紧台；切削保持于夹紧台上的晶片的切削装置；上述旋转清洗装置；把切削加工完的晶片从切削装置运送到旋转清洗装置的运送装置。

涉及本发明的旋转式清洗装置具有：具有按压大径框架的第一按压摆的第一按压装置和具有按压小径框架的第二按压摆的第二按压装置，因此第一按压装置能够按压大径框架，第二按压装置能够按压小径框架，所以能够在一个旋转台保持外径不同的两种框架清洗晶片。因而，不需要为与框架的外径一致而更换旋转台的工作，能够提高生产效率。

另外，在第一按压装置等间隔地配设在框架支持部的外周的四个部位上，而以第二按压摆与第一按压摆不接触方式等间隔地配设在第二按压装置的场合，能够稳定地保持大径的框架和小径的框架。

另外，在第二按压装置具有限制第二按压摆摆动的制动器，于是，在支持大径框架时，能够防止第二按压摆与大径的框架接触。

具有涉及本发明的旋转清洗装置的切割装置，能够清洗切削后的晶片，因此，能够用一台切割装置对分别与两种以上的框架成一体的切割后的晶片进行清洗，工作效率高。

附图说明

图1表示涉及本发明的切割装置的一实施例的立体图；

图2表示涉及本发明的旋转清洗装置的一实施例的立体图；

图3表示该旋转清洗装置的第一按压装置没保持大径的框架的状态的剖面图；

图4表示通过该第一按压装置保持大径的框架的状态的剖面图；

图5表示固定了该旋转清洗装置的第二按压摆的状态的剖视图；

图6表示通过该旋转清洗装置的第二按压装置保持小径的框架的状态的剖视图。

具体实施方式

图1所示的切割装置1是切割晶片并分割成各个器件并且进行清洗的装置，设置有旋转清洗装置2。切割对象是至少两种外径不同的晶片W1、W2，其分别被粘贴在封填框架F1、F2的开口部的胶带T1、T2的粘接面上，以通过胶带T1、T2与框架F1、F2成一体的状态被收纳于盒3内。

收纳于盒3内的晶片W1(W2)，通过运出运入装置4夹持框架F1(F2)，由于运出运入装置4向-Y方向移动放置于暂时放置区域5。之后，被第一运送装置6吸住，通过其转动，运送到夹紧台7，被吸引保持。

夹紧台7能够在X轴方向移动。在夹紧台7的移动路径之上，配设检测应该切削的线道的调准装置8以及具有切削刀9a的切削装置9。由于保持了晶片W1(W2)的夹紧台7向+X方向移动，晶片W1(W2)被放置于调准装置8的正下方。然后，通过构成调准装置8的摄像装置8a检测应该切削的线道，在进行了该线道与切削刀9a的Y轴方向的对位后，进而夹紧台7在+X方向移动，与此同时，切削刀9a高速旋转同时切削装置9下降，这样，高速旋转的切削刀9a切入被检测的线道，该线道被切削。

另外，保持于夹紧台7的晶片W1(W2)在X轴方向往复移动，同时在Y轴方向每次一个线道间隔分度移送切削装置9的同时每次切削一条线道，这样，切削同方向的全部线道。进而，使夹紧台7转动90度而使晶片W1(W2)转动90度之后，进行与上述相同的切削，于是纵横切削全部线道而切割分离成各个器件。此时，各个器件仍旧粘贴在胶带T1(T2)上，因此，作为全体，保持着晶片W1(W2)的外形。

切割后，作为整体保持晶片W1(W2)的外形的器件，以通过胶带T1(T2)与框架F1(F2)成一体的状态，由第二运送装置10运送到旋转清洗装置2。

如图2所示，旋转清洗装置2具有：保持通过胶带T1(T2)与框架F1(F2)成一体的晶片W1(W2)的旋转台20；向保持于旋转台20的晶片W1(W2)供给清洗水的供清洗水喷嘴21；喷出用于除去清洗水的空气的空气喷嘴22。

旋转台20通过轴部23与电机24连接，由电机24驱动能够转动。另外，电机24能够由空气活塞25升降，形成伴随电机24的升降旋转台20也升降的结构。

可保持在旋转台20的对象，如图2所示，至少是通过胶带T1与框架F1成一体的晶片W1和通过胶带T2与框架F2成一体的晶片W2。形成晶片W1比晶片W2外径大。与此相应，形成框架F1也比框架F2外径大。

旋转台20的构成包括：通过胶带T1与框架F1成一体的晶片W1以及通过胶带T2与框架F2成一体的晶片W2之中，支持框架F1及框架F2的部分的框架支持部26；支持晶片区域、即胶带T1之中粘贴晶片W1的部分及胶带T2之中粘贴晶片W2的部分的晶片区域支持部27；配设在框架支持部26的外周侧的按压装置28。按压装置28由第一按压装置280和第二按压装置285构成。在轴部23的周围配设清洗水罩29a，在其下方具有接收清洗水的清洗水接收部29b和排出滞留于清洗水接收部29b的用过的清洗水的排出部29c。

晶片区域支持部27由多孔材料制成，与没图示的吸引源连通，能够吸引保持晶片区域。另外，在框架支持部26，向内周侧切开环形的板状部的外周的一部分形成切口部26a，在外周边缘部配设第一按压装置280，在切口部26a配设第二按压装置285。第一按压装置280以及第二按压装置285分别配设多个。在图示的例，分别等间隔(等角度)并且互相交替各配设四个第一按压装置280和第二按压装置285。这样，能够稳定保持大径的框架F1和小径的框架F2。

第一按压装置280对应外径大的(大径的)框架F1，第二按压装置285对应外径小的(小径的)框架F2，用旋转台20能够分别保持外径不同的两种框架。第一按压装置280具有第一按压摆281，第二按压装置285，在不接触第一按压摆281的位置具有第二按压摆286。

第一按压装置280，如图3所示，构成通过轴支承部282轴支承第一按压摆281。第一按压摆281由在与框架支持部26之间夹持按压框架F1的按压部281a和与按压部281a形成一体比按压部281a重量重的重锤部281b构成，能以轴支承部282为中心转动。因为重锤部281b比按压部281a重量重，所以，如图3所示，在旋转台20静止时，重锤部281b位于下方，按压部281a位于上方。

在清洗晶片W1时，如图4所示，把通过胶带T1与框架F1成一体的晶片W1放置于旋转台20，且使旋转台20下降。之后，当旋转台20高速旋转时(100rpm～3000rpm)，如图4所示，由此时的离心力重锤部281b以轴支承部282为支点向外周侧转动，这样，按压部281a向内周侧转动，因此，在与框架支持部26之间夹持框架F1。另外，此时，晶片W1通过胶带T1被吸引保持于晶片区域支持部27上。

在旋转台20高速旋转的状态，清洗水供给喷嘴21在水平方向摆动，其尖端部210，如图4所示，成为向着晶片W的表面的状态，当从清洗水供给喷嘴21喷出清洗水时，附着于晶片W的切削屑被除去。另外，清洗水喷出结束之后，没作图示，空气喷嘴22在水平方向转动，使其尖端部对向晶片W的表面喷出高压空气，由此，吹除清洗水，进行干燥处理。

如图4所示，支持与大径的框架F1成一体的晶片W1进行清洗时，通过第一按压装置280固定框架F，于是，此时，如图2所示的第二按压装置285，必须不妨碍支持大径的框架F1。因此，如图5所示，在第二按压装置285具有限制第二按压摆286摆动的制动器288。该制动器288具有游动镶嵌螺栓289的游嵌孔288a，只能在水平方向滑动该游嵌孔288a的宽度的量。如图5所示，当向框架支持部26的外周侧(图5中的箭头方向)滑动制动器288时，能够固定第二按压摆286不摆动。在图5所示的状态，按压部286a固定于框架支持部26下方，因此，即使在该状态支持大径的框架F1，框架F1也不与按压部286a接触。因而，在支持大径的框架F1时，第二按压装置285不会成为障碍。

另外，第二按压摆286通过轴支承部287轴支承，能够转动。第二按压摆286由在与框架支持部26之间夹持按压框架下的按压部286a和与按压部286a形成一体、比按压部286a重量重的重锤部286b构成，这点与第一按压装置280的情况相同。

另一方面，支持小径的框架F2时，如图6所示，向框架支持部26的内周侧(图6中的箭头方向)滑动制动器288，于是，第二按压摆286的固定状态解除，由重锤部286b的重量第二按压摆286转动，按压部286a位于框架支持部26上方的位置。而且，当旋转台20高速旋转时，由其离心力第二按压摆286继续向同方向转动，转动到图6中用双点划线表示的位置，在按压部286a与框架支持部26之间能够夹持小径的框架F2。

这样，因为第一按压装置280能够按压大径的框架F1，第二按压装置285能够按压小径的框架F2，所以，能够在一个旋转台20保持外径不同的两种框架清洗晶片。因而，不需要与框架外径一致更换旋转台20的操作，能够提高生产效率。

另外，在上述例中，说明了在切割装置中安装旋转式清洗装置的情况，然而，旋转式清洗装置既可以单台使用，也可以安装于另外的装置中。另外，不仅第一按压装置、第二按压装置，还可以配设保持具有其他外径的框架的第三按压装置、第四按压装置......。

Claims (5)

1.一种旋转清洗装置，其至少具有：保持通过胶带与框架形成一体的晶片的可转动的旋转台和向保持于该旋转台上的晶片供给清洗水的清洗水供给喷嘴，

该旋转台具有支持该框架的框架支持部和支持晶片区域的晶片区域支持部，在该框架支持部的外周配设按压装置，其具有，通过由该旋转台的旋转产生的离心力在与该框架支持部之间夹持该框架的按压摆，

在该按压装置中，至少具有：具有按压大径框架的第一按压摆的第一按压装置和具有按压小径框架的第二按压摆的第二按压装置。

2.如权利要求1所述的旋转清洗装置，其特征在于，上述第一按压装置在上述框架支持部的外周的四个部位上等间隔地配设，上述第二按压装置在上述第二按压摆不与上述第一按压摆接触的位置上等间隔地配设。

3.如权利要求2所述的旋转清洗装置，其特征在于，在上述框架支持部的外周，形成向内周切开的切口部，把上述第二按压装置配设在该切口部内。

4.如权利要求1、2或3所述的旋转清洗装置，其特征在于，在上述第二按压装置中，具有限制上述第二按压摆摆动的制动器。

5.一种切割装置，其至少具有：保持通过胶带与框架形成一体的晶片的夹紧台；切削保持于该夹紧台的晶片的切削装置；权利要求1、2、3或4所述的旋转清洗装置；把切削加工完的晶片从该切削装置运送到该旋转清洗装置的运送装置。

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