CN1759432A - 显示装置及其驱动方法 - Google Patents

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Abstract

本发明揭示一种显示装置，开关用晶体管3连接在驱动用TFT的栅极端与漏极端之间，第1电容器2连接在驱动用TFT的栅极端与源极之间，第2电容器7的第1端连接在驱动用TFT的电流控制端，第2电容器7的第2端与驱动用TFT1的漏极端之间经开关用晶体管9连接，且与规定电压线Va之间经开关用晶体管8连接。这样一来，在包括有机EL显示装置等电流驱动发光元件的显示装置中，能抑制由驱动用TFT的阈值电压·移动度的偏差引起的非选择期间流过电流驱动发光元件的电流值的偏差。

Description

显示装置及其驱动方法
技术领域
本发明涉及用有机EL(电致发光)显示器和FED(场发射显示)等的电流驱动元件的显示装置及其驱动方法。
背景技术
近年来，有机EL显示器和FED等的电流驱动发光元件的研究开发在积极地进行。特别是有机EL显示器，作为以低电压、低电耗可发光的显示器，用作手机、PDA(个人数字助理)，引人注目。
作为有机EL显示器用的电流驱动像素电路构成，图22示出“Active MatrixPolyLED Display”(M.T.Johnson et al.，IDW’00，2000，p.235-238)及WO99/65011(国际公开日1999年12月16日)所示的电路构成。
图22所示的电路构成中，驱动用TFT(薄膜晶体管)101的源极端连接到电源线Vs，驱动用TFT101的栅极端通过电容器104连接到电源线Vs。在驱动用TFT101的漏极端与有机EL元件103的阳极之间配置开关用TFT102，有机EL元件103的阴极连接公共线Vcom。
另外，驱动用TFT101与开关用TFT102的连接点上连接选择用TFT106与开关用TFT105。选择用TFT106的源极端连接源极线Sj，开关用TFT105的源极端连接驱动用TFT101的栅极端。
这种构成中，在低的信号加到扫描线Gi时(选择期间)，开关用TFT102为断开状态，选择用TFT106与开关用TFT105为导通状态。这时，可从电源线Vs经驱动用TFT101和选择用TFT106向源极线Sj流过电流。如用连接到源极线Sj的未图示的源极驱动器电路的电流源控制这时的电流值，则设定驱动用TFT元件101的栅电压，使其源极驱动器电路规定的电流值流向驱动用TFT101。
另外，当高的信号加到扫描线Gi时(非选择期间)，选择用TFT106与开关用TFT105为断开状态，开关用TFT102为导通状态。在该非选择期间中，由电容器104保持上述选择期间中从源极线Sj对驱动用TFT101设定的电位。因此，非选择期间中，能向有机EL元件103流过驱动用TFT101设定的电流值。
另外，作为类似于此的电流驱动像素电路构成，图23示出“Polysilicon TFTDrivers for Light Emitting Polymer Display”(Simon W-B.Tam et al.，IDW’99，1999，p.175-178)和WO 98-48403(国际公开日1998年10月29日)所示的像素电路构成。
图23的电路构成，电容器111配置在驱动用的TFT108的源极端与栅极端之间，开关用TFT112配置在栅极端与漏极端之间，其漏极端上配置有机EL元件109的阳极。而且，驱动用TFT108的源极端与电源线Vs之间配置开关用TFT107，与源极线Si之间配置选择用TFT110。
这些选择用TFT110和开关用TFT107、112的栅极端上各连接控制丝Wi、Ri、扫描线Gi。
用图24所示的定时图说明该像素电路构成的动作如下。该定时图表示加到控制线Wi、Ri、扫描线Gi及源极线Si各线上的信号的时刻。
图24中，时间0～3t1表示选择期间，该选择期间中，控制线Ri的电位为高(GH)，使开关用TFT107为关断状态。此外，控制线Wi的电位为低(GL)，使选择用TFT110为导通状态。这样，选择期间中，为从源极线Sj经选择用TFT110和驱动用TFT108向有机EL元件流过电流的状态。
该选择期间中，时间0～2t1期间中，扫描线Gi的电位为高，使开关用TFT112为导通状态，因此，从连接在源极线Sj的未图示的源极驱动器电路向有机EL元件109流过电流。这时设定驱动用TFT108的栅极电位，使流过上述源极驱动器电路规定的电流值。
而且，时间2t1～3t1期间，开关用TFT112为关断状态，但驱动用TFT108的栅极电位由电容器111保持，该期间中也从源极线Sj向有机EL元件109流过电流。
时间3t1以后(非选择期间)中，开关用TFT110为关断状态，使开关用TFT107为导通状态。因此，非选择期间中，控制使设定的电流值从电源线Vs流向有机EL元件109。
然而，“Polysilicon TFT Drivers for Light Emitting Polymer Display”(IDW’99，p.175-178)中所示的上述像素电路构成中，存在由于驱动用TFT108的阈值电压·移动度的偏差，引起非选择期间中流过有机EL元件109的电流值偏差的问题。
为了解该电流值的偏差影响到何种程度，图23中的像素电路构成中，以下面表1所示出的5个条件摆动驱动用TFT108的阈值电压·移动度，用模拟求得流过有机EL元件109的电流值。其结果示出于图25。
[表1]
    Ioled(1)     Ioled(2)     Ioled(3)     Ioled(4)     Ioled(5)
阈值电压     平均值     下限     上限     上限     下限
移动度     平均值     下限     上限     下限     上限
图25的模拟中，设定选择期间为每0.24ms，设定在最初期间0.27ms～0.51ms之间向源极线Sj流过电源值0.1μA。以后每隔时间0.24ms，使流过源极线Sj的电流值以0.1μA刻度增加，直至0.9μA，  然后返回0，再次以0.1μA刻度增加。
即，上述模拟中的最初选择期间，是时间0.27～0.30ms之间，该选择期间中利用流过源极线Sj的电流值0.1μA规定驱动用TFT108的栅极电位，只在该期间设定流过有机EL元件109的电流值为0.1μA。在其后的非选择期间0.31～0.51ms中也保持这时的栅极电位，但非选择期间中流过有机EL元件109的电流值具有0.12～0.13μA的偏差。
该模拟中，以流过源极线Sj的电流值(0～0.9μA的10点)为横轴，以流过这些电流值后的非选择期间的有机EL元件109的电流值为纵轴，示出其偏差如图26。图26中，在流向源极线Sj 0.9μA电流后的非选择期间，流过有机EL元件的电流值偏差约在0.95～1.12μA(+5％～+24％)的范围内。
引起该偏差的原因在于，如图27所示，选择期间(约270～300μs之间)与非选择期间(此外的时间)中驱动用TFT108的源极·漏极间电压Vsd发生变化。图27示出用上述表1中所示的驱动用TFT108的5个阈值电压·移动度模拟的结果，各电压值Vsg(1)～Vsg(5)、Vsd(1)～Vsd(5)各自与表1中的Ioled(1)～Ioled(5)条件一致。
也就是说，图23的电路构成如图27所示，由于选择期间内的电流写入时(图24的时间0～2t1期间，图27的约时间270～290μs期间)开关用TFT112为导通状态，故驱动用TFT108的源极·漏极间电压Vsd与源极·栅极间电压Vsg一致。
这时的驱动用TFT108的源极·栅极间电压Vsg由驱动用TFT108的阈值电压·移动度决定。即在阈值1V时与2V时，发生1V左右的偏差。实际上，上述模拟结果中，对源极线Sj流过0.1μA电流时，源极·栅极间电压Vsg偏差在约1.4～3.6V的范围内。
然后，当开关用TFT112为关断时(约290μs以后)，虽然保持驱动用TFT108的源极·栅极间电位，但源极·漏极间电压Vsd发生变化。
特别在非选择期间后(约300μs以后)，源极·漏极间电压Vsd变化到6V左右。该电压Vsd根据有机EL元件109所加电压对电流特性，由对该有机EL元件109流过电流值0.1μA所必要的电压Voled决定。该模拟中，电压Voled为
Voled＝Vs-6V左右的特性。另外，由于有机EL元件109的所加电压对电流特性为二极管特性(电流值相对于所加电压呈指数函数增加)，即使流过有机EL元件的电流值数值程度不同，驱动用TFT108的源极·漏极间电压也偏差不大。
如果驱动用TFT108是理想的FET，则栅极·源间电位Vsg为一定，
在源极·漏极间电压Vsd＞栅极·源极间电位Vsg的条件满足时，源极·漏极间电压Vsd即使变化，流过源极·漏极间的电流值也不变化。然而，现实的TFT中如图28所示，栅极·源极间电位Vsg即使一定，如源极·漏极间电压Vsd增大，则流过源极·漏间的电流值也增加。另外，图28表示用上述表2中所示的驱动用TFT108的5个阈值电压·移动度条件模拟的结果，各电流值Itft(1)～Itft(5)各自与表2中的Ioled(1)～Ioled(5)的条件一致。
根据图28所示的结果，如由于驱动用TFT108的阈值电压·移动度，电流写入时的源极·漏极间电压Vsd发生偏差，则非选择期间的源极·漏极间电流发生偏差。结果，流过有机EL元件109的电流值也变化。
因此，如图29所示，用串联连接的驱动TFT108与有机EL元件109的电路，调整非选择期间的源极·漏极间电流偏差。这时，向驱动用TFT108的栅极端施加图27的电流写入时得到的驱动用TFT108的栅极·源极间电位Vgd，使电源电压Vs-Vcom变化，用上述驱动用TFT108的5个阈值电压·移动度条件模拟流过有机EL元件109的电流。图30示出该模拟结果。
图30中用向源极线Sj供给0.5μA电流时的驱动用TFT108的栅极·源极间电位Vgd。这时，设定图27所示的电流写入时的源极线Sj的电位，使利用驱动用TFT108的阈值电压·移动度条件变化，向有机EL元件109供给电流0.5μA，因此电源线Vs的电位一定(16V)的条件下，流过有机EL元件109的电流值变化了。
这样，由于驱动用TFT的阈值电压·移动度的偏差引起电流写入时的源极·漏极间电压Vsd偏差，作为结果非选择时流过有机EL元件的电流值发生偏差的现象，在图22所示的像素电路构成中也同样发生。这样一来，在以往的像素电路构成中，存在因驱动用TFT的阈值电压·移动度的偏差引起非选择期间流过有机EL元件的电流偏差的问题。
本发明为解决上述的问题而作，其目的在于提供能抑制因驱动用TFT的阈值电压·移动度的偏差引起的、非选择期间流过有机EL元件的电流值偏差的显示装置。
发明内容
本发明的第1方面的显示装置，如上所述其构成包括：连接在所述驱动用晶体管的电流控制端与电流输出端之间的第1开关用晶体管；连接在所述驱动用晶体管的电流控制端的第1电容器；一端即第1端连接在所述驱动用晶体管的电流控制端，另一端即第2端与驱动用晶体管的电流输出端之间经第2开关用晶体管连接，且与规定电压线之间经第3开关用晶体管连接的第2电容器。
根据用上述构成的像素电路构成及源极驱动器电路构成，在所述电路的驱动用晶体管的输出电流设定期间中，通过使第1开关用晶体管导通状态下向驱动用晶体管流过规定的电流，得到对应于该驱动用晶体管的阈值电压·移动度的偏差的电流控制端电位(电位Vx)。由第1电容器保持该电流控制端电位。
这时，第1电容器的第1端与第2电容器的第1端事先被连接，通过使第2开关用晶体管为关断、第3开关用晶体管为导通，第2电容器的第2端被连接到规定电压线(为对应于流过上述规定电流时的一定电位Va)上，该第2电容器保持电位Va-Vx。将以上作为第1期间。
接着，通过使第2开关用晶体管为导通、第3开关用晶体管为关断，将第2电容器第2端连接到上述驱动用晶体管的电流输出端(TFT的漏端或源端)。这时，作为初始状态，当驱动用晶体管的电流输出端电位为Va时，上述驱动用晶体管的电流控制端电位(TFT的栅极端)为Vx。
然后，通过对驱动用晶体管流过所要的电流值，所述驱动用晶体管的电流控制端电位(TFT的栅极端)发生变化。这时的电流控制端电位(TFT的栅极端)不取决于驱动用晶体管的阈值电压·移动度的偏差，而以驱动用晶体管的电流输入端-电流输出端电位大致相等的状态设定驱动用晶体管的电流控制端电位(TFT的栅极端)。
另外，在将所述驱动用晶体管配置在像素电路，当对电流驱动发光元件施加该规定电流时，电流驱动发光元件发生的电位降相等，因此在驱动用晶体管的电流输入端-电流输出端间电位大致相等的状态下，能设定驱动用晶体管的电流控制端电位(TFT的栅极端)，使输出规定的电流值。
这时的驱动用晶体管的电流控制端电位，在第1电容器与第2电容器的连接断开时保持在第1电容器上，在未断开连接时保持在第1电容器和第2电容器上。将以上作为第2期间。
然后，在所述像素电路的非选择期间，驱动用晶体管的电流输入端-电流输出端间电位虽发生变化，但变化后的电位不取决于驱动用晶体管的阈值电压·移动度的偏差，而为一定，因此，能抑制流过驱动用晶体管的电流输入端-电流输出端间的电流值的偏差。
本发明的第2方面的显示装置，如上所述其构成包括：连接在所述驱动用晶体管的电流控制端与电流输入端之间的第1开关用晶体管；连接在所述驱动用晶体管的电流控制端的第1电容器；一端即第1端连接在所述驱动用晶体管的电流控制端，另一端即第2端与驱动用晶体管的电流输入端之间经第2开关用晶体管连接，且与规定电压线之间经第3开关用晶体管连接的第2电容器。
根据用上述构成的像素电路构成及源极驱动器电路构成，在所述电路的驱动用晶体管的输出电流设定期间中，通过使第1开关用晶体管导通状态下向驱动用晶体管流过规定的电流，得到对应于该驱动用晶体管的阈值电压·移动度的偏差的电流控制端电位(电位Vx)。由第1电容器保持该电流控制端电位。
这时，第1电容器的第1端与第2电容器的第1端事先被连接，通过使第2开关用晶体管为关断、第3开关用晶体管为导通，第2电容器的第2端被连接到规定电压线(为对应于流过上述规定电流时的一定电位Va)上，该第2电容器保持电位Va-Vx。将以上作为第1期间。
接着，通过使第2开关用晶体管为导通、第3开关用晶体管为关断，将第2电容器第2端连接到上述驱动用晶体管的电流输入端(TFT的漏极端或源极端)。这时，作为初始状态，当驱动用晶体管的电流输入端电位为Va时，上述驱动用晶体管的电流控制端电位(TFT的栅极端)为Vx。
然后，通过对驱动用晶体管流过所要的电流值，所述驱动用晶体管的电流控制端电位(TFT的栅极端)发生变化。这时的电流控制端电位(TFT的栅极端)不取决于驱动用晶体管的阈值电压·移动度的偏差，而以驱动用晶体管的电流输入端-电流输出端间电位大致相等的状态设定驱动用晶体管的电流控制端电位(TFT的栅极端)。
另外，在将所述驱动用晶体管配置在像素电路中时，当对电流驱动发光元件施加该规定电流时，电流驱动发光元件发生的电位降相等，因此在驱动用晶体管的电流输入端-电流输出端间电位大致相等的状态下，能设定驱动用晶体管的电流控制端电位(TFT的栅极端)，使输出规定的电流值。
这时的驱动用晶体管的电流控制端电位，在第1电容器与第2电容器的连接断开时保持在第1电容器上，在未断开连接时保持在第1电容器和第2电容器上。将以上作为第2期间。
然后，在所述像素电路的非选择期间，驱动用晶体管的电流输入端-电流输出端间电位虽发生变化，但变化后的电位不取决于驱动用晶体管的阈值电压·移动度的偏差，而为一定，因此，能抑制流过驱动用晶体管的电流输入端-电流输出端间的电流值的偏差。
上述驱动电路构成也可用作直接驱动所述电流驱动发光元件的像素电路构成，作为设定像素电路中配置的驱动用晶体管的输出电流的源极驱动器电路构成也是有效的。
在用作源极驱动器电路构成时，上述显示装置中，每个源极驱动器电路包括由第1电容器、第2电容器、第1开关用晶体管、第2开关用晶体管及第3开关用晶体管组成的结构是有效的。
特别是，在用作源极驱动器电路构成时，为控制像素电路中配置的电流驱动发光元件的供给电流，配备另外的晶体管较好。而且，用构成源极驱动器电路的驱动用晶体管设定该像素电路的晶体管的输出电流。
在用作像素电路构成时，显示装置中也可构成每个像素电路包括由第1电容器、第2电容器、第1开关用晶体管、第2开关用晶体管及第3开关用晶体管组成的结构。
特别是，根据上述的像素电路构成，通过将由第1电容器、第2电容器、第1开关用晶体管、第2开关用晶体管及第3开关用晶体管组成的结构，全部配置在像素电路侧，则驱动该像素电路的源极驱动器电路可使用与以往相同结构的电路。
另外，由于可减少第1电容器与第2电容器之间发生的杂散电容，故可缩短驱动用晶体管的电流写入时间。
另外，在显示装置中，可以构成为，由第1电容器、第2电容器、第1开关用晶体管、第2开关用晶体管及第3开关用晶体管组成的结构，其一部分配置在像素电路侧，另一部分配置在含有源极驱动器电路的像素电路的外侧。
根据上述构成，通过将由第1电容器、第2电容器、第1开关用晶体管、第2开关用晶体管及第3开关用晶体管组成的结构的一部分配置在含有源极驱动器电路的像素电路的外侧，与将全部配置在像素电路侧时相比较，可以抑制每个像素电路的必要的电容器和晶体管数目的增加。因此，在底面发射构成(形成TFT元件的透明基板侧出射光的构成)中，与以往相比，不必提高电流驱动发光元件每单位面积的发光强度，能避免其辉度半衰期寿命的降低。另外，在顶面发光构成(形成TFT元件的透明基板的反面侧出射光的构成)中，由于不增加像素中配置的元件数，故能缩小像素大小达到与以往技术相同的尺寸。
另外，上述显示装置中，可构成为，电流驱动发光元件、驱动用晶体管、及第1电容配置在像素电路侧，第2电容器、第1开关用晶体管、第2开关用晶体管及第3开关用晶体管配置在含有源极驱动器电路的像素电路的外侧，同时，包括连接所述驱动用晶体管的电流控制端与第2电容器的第1端的连接线。
根据上述构成，可提供将由第1电容器、第2电容器、第1开关用晶体管、第2开关用晶体管及第3开关用晶体管组成的结构的一部分配置在含有源极驱动器电路的像素电路的外侧的显示装置的具体构成。
但是，在连接驱动用晶体管的电流控制端与第2电容器的第1端的连接线上容易带有杂散电容。而且，配置在像素中的电容器与连接线的杂散电容加在一起成为第1电容器的电容量。
因此，第2电容器的容量小时，有必要使第2端的电位变大。然而，使第2电容器的第2端电位变大，意味着驱动用晶体管的源极·漏极间电位偏差大，并不理想，有必要加大第2电容器的容量。这时，驱动用晶体管的电流写入时间变长。
因此，或多或少地使像素面积变狭，与以往相比，存在有必要使电流驱动发光元件的平均单位面积的发光辉度提高的问题，但，第2电容器与第1开关用晶体管构成的电路紧挨着像素配置，考虑了多个像素共用的构成。
例如，如对每2个像素配置一个第2电容器与第1开关用晶体管组成的结构，则可以缩短连接驱动用晶体管的电流控制端与第2电容器的第1端的连接线。
其结果，由于抑制了连接线的杂散电容，因此即使第2电容器的容量用得小，驱动用晶体管的源极·漏极间电位也没有大的偏差，故能缩短驱动用晶体管的电流写入时间。
另外，上述显示装置中，可以将电流驱动发光元件、驱动用晶体管、第1开关用晶体管、第1电容器、及第2电容器配置在像素电路侧，将第2开关用晶体管、及第3开关用晶体管配置在含有源极驱动器电路的像素电路的外侧，同时，包括连接驱动用晶体管的电流输出端与第2电容器的第2端的连接线。
上述构成中，也能提供将第1电容器、第2电容器、第1开关用晶体管、第2开关用晶体管及第3开关用晶体管组成的结构的一部分配置在含有源极驱动器电路的像素电路的外侧的显示装置的具体构成。
另外，上述显示装置中能做成进一步包括供给关断电位的关断电位线，上述连接线经第4开关用晶体管连接关断电位线的构成。
根据上述的构成，对成为暗状态的像素，能从上述关断电位线通过第4开关用晶体管和上述连接线或源极线，将使驱动用晶体管充分关断的关断电位提供到驱动用晶体管的电流控制端，因此，使暗状态的辉度充分低，可提高显示装置的对比度。
另外，本发明的第1方面的驱动方法，如上所述其构成包括：第1电容器的一端即第1端连接到所述驱动用的晶体管的电流控制端，在所述驱动用晶体管的电流写入期间，第2电容器的一端即第1端连接到第1电容器的第1端，在第1期间，将第2电容器的另一端即第2端连接规定电压线，连接所述驱动用晶体管的电流控制端与电流输出端，将这时的所述驱动用晶体管的电流控制端电位保持在第1电容器和第2电容器上，在第2期间，切断所述驱动用晶体管的电流控制端与电流输出端的连接，将第2电容器的第2端的连接、从与所述规定电压线的连接转换到与所述驱动用晶体管的电流输出端的连接，修正所述驱动用晶体管的电流控制端电位，将这时的所述驱动用晶体管的电流控制端电位保持在第1电容器上，在所述驱动用晶体管的电流读出期间，利用所述第1电容器保持的驱动用晶体管的电流控制端电位，控制所述驱动用晶体管的输出电流。
根据上述驱动方法，在像素电路及源极驱动器电路的驱动用晶体管的电流写入期间中的第1期间，通过向驱动用晶体管流过规定的电流，得到对应于该驱动用晶体管的阈值电压·移动度的偏差的电流控制端电位(电位Vx)。该电流控制端电位保持在第1电容器和第2电容器上。这时，第1电容器的第1端与第2电容器的第1端相连接，第2电容器的第2端连接到规定电压线(对应流过上述规定电流时的一定电位Va)上，该第2电容器保持电位Va-Vx。
接着，在第2期间，将第2电容器的第2端连接到驱动用晶体管的电流输出端(TFT的漏极端或源极端)。这时，当驱动用晶体管的电流输出端电位Va时，驱动用晶体管的电流控制端电位(TFT的栅极端)为上述电位Vx。
然后，通过对驱动用晶体管流过所要的电流值，驱动用晶体管的电流控制端电位(TFT的栅极端)发生变化。这时的电流控制端电位(TFT的栅极端)不取决于驱动用晶体管的阈值电压·移动度的偏差，以驱动用晶体管的电流输入端-电流输出端间电位大致相等的状态设定驱动用晶体管的电流控制端电位(TFT的栅极端)。此外，对电流驱动发光元件加上该规定电流时，由于电流驱动发光元件发生的电位降相等，故能在驱动用晶体管的电流输入端-电流输出端间电位大致相等的状态下设定驱动用晶体管的电流控制端电位(TFT的栅极端)，使输出规定的电流值。
这时的驱动用晶体管的电流控制端电位，在第1电容器与第2电容器的连接断开时保持在第1电容器上，在未断开连接时保持在第1电容器和第2电容器上。
然后，在所述驱动用晶体管的电流读出期间，驱动用晶体管的电流输入端-电流输出端间电位虽发生变化，但变化后的电位不取决于驱动用晶体管的阈值电压·移动度的偏差，而为一定，因此，能抑制流过驱动用晶体管的电流输入端-电流输出端间的电流值的偏差。
另外，本发明的第2方面的驱动方法，如上所述其构成包括：第1电容器的一端即第1端连接到所述驱动用的晶体管的电流控制端，在所述驱动用晶体管的电流写入期间，第2电容器的一端即第1端连接到第1电容器的第1端，在第1期间，将第2电容器的另一端即第2端连接规定电压线，连接所述驱动用晶体管的电流控制端与电流输出端，将这时的所述驱动用晶体管的电流控制端电位保持在第1电容器和第2电容器上，在第2期间，切断所述驱动用晶体管的电流控制端与电流输入端的连接，将第2电容器的第2端的连接、从与所述规定电压线的连接转换到与所述驱动用晶体管的电流输入端的连接，修正所述驱动用晶体管的电流控制端电位，将这时的所述驱动用晶体管的电流控制端电位保持在第1电容器上，在所述驱动用晶体管的电流读出期间，利用所述第1电容器保持的驱动用晶体管的电流控制端电位，控制所述驱动用晶体管的输出电流。
根据上述驱动方法，在像素电路及源极驱动器电路的驱动用晶体管的电流写入期间中的第1期间，通过向驱动用晶体管流过规定的电流，得到对应于该驱动用晶体管的阈值电压·移动度的偏差的电流控制端电位(电位Vx)。该电流控制端电位保持在第1电容器和第2电容器上。这时，第1电容器的第1端与第2电容器的第1端相连接，第2电容器的第2端连接到规定电压线(对应流过上述规定电流时的一定电位Va)上，该第2电容器保持电位Va-Vx。
接着，在第2期间，将第2电容器的第2端连接到驱动用晶体管的电流输入端(TFT的漏极端或源极端)。这时，当驱动用晶体管的电流输入端电位Va时，驱动用晶体管的电流控制端电位(TFT的栅极端)为上述电位Vx。
然后，通过对驱动用晶体管流过所要的电流值，驱动用晶体管的电流控制端电位(TFT的栅极端)发生变化。这时的电流控制端电位(TFT的栅极端)不取决于驱动用晶体管的阈值电压·移动度的偏差，以驱动用晶体管的电流输入端-电流输出端间电位大致相等的状态设定驱动用晶体管的电流控制端电位(TFT的栅极端)。
另外，在将驱动用晶体管配置在像素电路时，对电流驱动发光元件加上该规定电流时，由于电流驱动发光元件发生的电位降相等，故能在驱动用晶体管的电流输入端-电流输出端间电位大致相等的状态下设定驱动用晶体管的电流控制端电位(TFT的栅极端)，使输出规定的电流值。
这时的驱动用晶体管的电流控制端电位，在第1电容器与第2电容器的连接断开时保持在第1电容器上，在未断开连接时保持在第1电容器和第2电容器上。
然后，在所述像素电路的非选择期间，驱动用晶体管的电流输入端-电流输出端间电位虽发生变化，但变化后的电位不取决于驱动用晶体管的阈值电压·移动度的偏差，而为一定，因此，能抑制流过驱动用晶体管的电流输入端-电流输出端间的电流值的偏差。
这样，本发明的第1与第2方面的驱动方法，对缩小构成像素电路的驱动用晶体管的电流写入时与读出时电流值的差异有用。另外，也对缩小构成源极驱动器电路的驱动用晶体管的电流写入时与读出时电流值的差异有用。
在后者的情况下，通过将晶体管(不同于所述驱动用晶体管的、对各像素电路电流驱动发光元件控制供给电流的晶体管)与电流驱动发光元件配置成矩阵形状，用驱动用晶体管的电流写入所述晶体管的输出电流值，能使所述电流驱动发光元件的显示均匀化。
此外，本发明的第1与第2方面的驱动方法中，在第2期间，当第2电容器的第2端电位为上述Va时，电流控制端电位(TFT的栅极端)为上述电位Vx，因此，假如在第2期间第2电容器的第2端预先连接到上述规定的电压线上，然后，则断开第2电容器的第2端与规定电压线的连接为好。这样一来，能缩短第2期间中第2电容器的第2端到达最终电位的时间，能驱动更多的栅极线，能显示更多的像素。
也就是说，由于该最终电位是接近于规定电压线的电位Va，因此，预先以第2电容器的第2端电位作为电位Va，就能缩短达到最终电位的时间。
这种本发明的驱动方法的较好的驱动例，在对第1驱动方法的应用中，切断驱动用晶体管的电流控制端与电流输出端的连接后，在第2电容器的第2端原样地与规定电压线连接下与驱动用晶体管的电流输出端连接，以该电位作为规定电压线的电位Va之后，成为从规定电压线断开第2电容器的第2端的连接的驱动方法。
此外，在对第2方面的驱动方法的应用中，切断驱动用晶体管的电流控制端与电流输入端的连接后，在第2电容器的第2端原样地与规定电压线连接下与驱动用晶体管的电流输入端连接，以该电位作为规定电压线的电位Va之后，成为从规定电压线断开第2电容器的第2端的连接的驱动方法。
本发明的其他目的、特征、以及优点，将通过以下所示的说明而充分了解。此外，本发明的利益通过参照附图的以下说明而明白。
附图说明
图1示出本发明的一实施形态，是表示实施形态1的显示装置中的像素电路的构成的电路图。
图2示出上述像素电路的控制线中的动作定时的波形图。
图3示出上述像素电路中，有关驱动用TFT的源极-栅极间电位和源极-漏极间电位的变化的模拟结果的曲线图。
图4示出上述像素电路中，流过有机EL元件的电流值的模拟结果的曲线图。
图5示出上述像素电路中，流过有机EL元件的电流值的模拟结果的曲线图。
图6示出实施形态1的显示装置中的像素电路的与图1不同构成的电路图。
图7示出实施形态2的显示装置的构成的电路图。
图8示出实施形态2的显示装置中的像素电路及源极驱动器电路的构成电路图。
图9示出上述像素电路及源极驱动器电路的控制线的动作定时波形图。
图10示出上述像素电路中，流过有机EL元件的电流值的模拟结果的曲线图。
图11示出实施形态3的显示装置中的像素电路及源极驱动器电路的构成电路图。
图12示出上述像素电路及源极驱动器电路的控制线的动作定时波形图。
图13示出上述像素电路中，流过有机EL元件的电流值的模拟结果的曲线图。
图14示出实施形态4的显示装置中的像素电路及源极驱动器电路的构成电路图。
图15示出上述源极驱动器电路的控制线的动作定时波形图。
图16示出上述源极驱动器电路中，有关驱动用TFT的源极-栅极间电位和源极-漏极间电位的变化的模拟结果的曲线图。
图17示出上述源极驱动器电路中，流过驱动用TFT的源极-漏极间的电流值的模拟结果的曲线图。
图18示出使图1所示的像素电路与图14所示的源极驱动器电路组合时的显示装置中各控制线的动作定时波形图。
图19示出在使图1所示的像素电路与图14所示的源极驱动器电路组合的电路构成中，有关源极驱动器电路的驱动用TFT的源极-栅极间电位和源极-漏极间电位的变化的模拟结果的曲线图。
图20示出在使图1所示的像素电路与图14所示的源极驱动器电路组合的电路构成中，流过像素电路的有机EL元件的电流值的模拟结果的曲线图。
图21示出实施形态4的显示装置中的源极驱动器电路的与图14不同构成的电路图。
图22示出以往的显示装置的像素电路构成例的电路图。
图23示出以往的显示装置的像素电路另一构成例的电路图。
图24示出上述以往的像素电路的控制线的动作定时的波形图。
图25示出上述以往的像素电路中流过有机EL元件的电流值的模拟结果的曲线图。
图26示出上述以往的像素电路中流过有机EL元件的电流值的模拟结果的曲线图。
图27示出上述以往的像素电路中有关驱动用TFT的源极-栅极间电位和源极-漏极间电位的变化的模拟结果的曲线图。
图28示出驱动用TFT中源极·漏极间电压Vsd与流过源极·漏极间的电流值的关系的曲线图。
图29示出串联连接驱动用TFT与有机EL元件的电路构成的电路图。
图30示出用图29的电路通过模拟来研究非选择期间的驱动用TFT的源极·漏极间电流的偏差时的结果的曲线图。
图31示出实施形态5的显示装置中的像素电路及源极驱动器电路的构成的电路图。
图32示出上述像素电路及源极驱动器电路的控制线的动作定时的波形图。
图33示出上述像素电路及源极驱动器电路中流过驱动用TFT的源极·漏极间的电流值的模拟结果的曲线图。
图34示出实施形态6的显示装置中的像素电路及源极驱动器电路的构成的电路图。
图35示出上述像素电路及源极驱动器电路的控制线的动作定时的波形图。
图36示出上述像素电路及源极驱动器电路中流过驱动用TFT的源极·漏极间的电流值的模拟结果的曲线图。
图37示出实施形态6的显示装置中的另一像素电路及源极驱动器电路的构成的电路图。
图38示出实施形态7的显示装置中的像素电路及源极驱动器电路的构成的电路图。
图39示出上述像素电路及源极驱动器电路的控制线的动作定时的波形图。
图40示出图8的像素电路及源极驱动器电路中有关驱动用TFT的源极-栅极间电位和源极-漏极间电流的变化的模拟结果的曲线图。
图41示出实施形态8的显示装置中的像素电路和源极驱动器电路以及其他电路的构成的电路图。
图42示出上述像素电路及源极驱动器电路的控制线的动作定时的波形图。
图43示出图41的像素电路和源极驱动器电路中有关驱动用TFT的源极-漏极间电位和源极-漏极间电流的变化的模拟结果的曲线图。
图44示出实施形态9的显示装置中的像素电路和源极驱动器电路以及其他电路的构成的电路图。
图45示出上述像素电路和源极驱动器电路以及其他电路的控制线的动作定时的波形图。
具体实施方式
根据图1至图21、图31至图45，说明本发明的实施形态如下。此外，本发明不限于此。
本发明所用的开关元件可用低温多晶硅TFT或CG(连续晶粒)硅TFT构成，本实施形态中采用CG硅TFT。
这里，CG硅TFT的构成例如发表在“4.0-in.TFT-OLED Displays and aNovel Digital Driving Method”(SID’00 Digest，pp.924-927，半导体能源研究所)中，CG硅制造工艺例如发表在“Continuous Grain Silicon Technology andIts Application for Active Matrix Display”(AM-LCD 2000，pp.25-28，半导体能源研究所)中。也就是说，CG硅TFT的构成及其制造工艺都是已知的、故这里省略其详细说明。
另外，对实施形态所用的电光学元件即有机EL元件，其构成例如发表在
“Polymer Light-Emitting Diodes for use in Flat panel Display”(AM-LCD’01，pp.211-214，半导体能源研究所)中，是公知的、故这里省略其详细说明。
[实施形态1]
本实施形态1中，说明将本发明的第1特征的构成应用于像素电路的情况。
本实施形态1的显示装置如图1所示，各像素电路Aij中，在电源线Vs与公用线Vcom之间串联连接配置驱动用晶体管即驱动用TFT1与电光学元件即有机EL元件(电流驱动发光元件)6。驱动用TFT1控制对有机EL元件6的供给电流。
驱动用TFT1的栅极端(电流控制端)经第1开关用晶体管即开关用TFT3连接源极线Sj。驱动用TFT1的栅极端(电流控制端)连接第1电容器2和第2电容器7的一端。第1电容器2的另一端连接驱动用TFT1的源极端(电流输入端)和电源线Vs。第2电容器7的另一端经第3开关用晶体管即开关用TFT8连接规定电压线Va，第2开关用晶体管即开关用TFT9连接源极线Sj。在下面的说明中，对第1电容器2和第2电容器，规定与驱动用TFT1的栅极侧的连接端为第1端，与第1端相反侧的端为第2端。
开关用TFT3和开关用TFT8的栅极端连接控制线Ci，开关用TFT9的栅极端连接控制线Gi。
在驱动用TFT1的漏极端(电流输出端)与有机EL元件6的阳极之间，配置开关用TFT4，该开关用TFT4的栅极端连接控制线Ri。驱动用TFT1与开关用TFT4之间的连接点，经开关用TFT5连接源极线Sj，该开关用TFT5的栅极端连接控制线Wi。
这些控制线Ci、Gi、Wi中的任一个作为第2配线(栅极线)也可以，这些开关用TFT3、9、5中任一个作为选择用TFT也可以。此外，本实施形态中有时将控制线Gi表述为栅极线Gi。
该电路构成中，驱动用TFT1的栅极端经开关用TFT3、源极线Sj和开关用TFT5连接到驱动用TFT1的漏极端。第2电容器7的第2端经开关用TFT9、源极线Sj和开关用TFT5连接到驱动用TFT1的漏极端。
上述的本发明的手段中，不只是第1开关用TFT即开关用TFT3直接连接驱动用TFT的电流控制端与电流输出端间的情况，也含有通过源极线Sj、开关用TFT5间接连接的情况。
另外，也不只是第2开关用TFT即开关用TFT9直接连接第2电容器的第2端与电流输出端间的情况，也含有通过上述那样源极线Sj、开关用TFT5间接连接的情况。
参照示出控制线Ri、Wi、Ci、Gi及源极线Sj的动作定时的图2说明上述显示装置的像素电路Aij的动作如下。
本实施形态1的驱动方法(本发明的第1驱动方法)中，在选择期间(即，驱动用晶体管的电流写入期间)即时间0～5t1之间，控制线Ri的电位为高，开关用TFT4为关断状态，控制线Wi的电位为低，开关用TFT5为导通状态。
然后，第1期间(时间t1～2t1)中，控制线Ci的电位为高，开关用TFT3、8为导通状态。结果，通过开关用TFT3、5连接驱动用TFT1的栅极端(电流控制端)与漏极端(电流输出端)。另外，第2电容器7的第2端通过开关用TFT8连接到规定电压线Va。这时，从电源线Vs通过驱动用TFT1、开关用TFT5、源极线Sj向未图示的源极驱动器电路流过一定的电流。
此外，上述第1期间从时间0开始也无关系，在图2中用虚线示出。
其后(时间2t1以后)，控制线Ci的电位为低，开关用TFT3、8为关断状态。这是因为开关TFT3与开关TFT9不会同时导通，实际上必要的期间比t1更短。这时第1期间设定的源极线Sj的电位，用第1电容器2和第2电容器7来保持。
接着，在第2期间(时间3t1～4t1)，控制线Gi的电位为高，开关用TFT9为导通状态。结果，第2电容器7的第2端通过开关用TFT9、5与驱动用TFT的漏极连接。这时从电源线Vs通过驱动用TFT1、开关用TFT5、源极线Sj向未图示的源极驱动器电路流过的所要的电流。
上述第2期间设定的驱动用TFT1的源极·栅极间电位，其后(时间4t1以后)通过控制线Gi的电位为低，开关用TFT9为关断状态，由第1电容器2和第2电容器7保持。另外，其后控制线Ri到达为低，控制线Wi到达为高的时间4t1～5t1，是因为开关用TFT9确实成为关断状态后，选择期间结束，因此必要的时间比t1短就可。
由上述，该像素电路Aij的选择期间结束，到了下一个像素电路A(i+1)j的选择期间，图3示出模拟上述像素电路Aij的驱动用TFT1的源极·栅极间电位Vsg，源极·漏极间电位Vsd的变化的结果。另外，图3中示出的各源极·漏极间电位Vsd(1)～Vsd(5)和源极·栅极间电位Vsg(1)～Vsg(5)，驱动用TFT1的阈值电压·移动度的特性相当于下面表2所示的条件。
 [表2]
    Ioled(1)     Ioled(2)     Ioled(3)     Ioled(4)     Ioled(5)
    Vsg(1)     Vsg(2)     Vsg(3)     Vsg(4)     Vsg(5)
    Vsd(1)     Vsd(2)     Vsd(3)     Vsd(4)     Vsd(5)
阈值电压     平均值     下限     上限     上限     下限
移动度     平均值     下限     上限     下限     上限
图3中，时间460～470μs相当于上述第1期间。由图3可见，该期间中驱动用TFT1源极·漏极间电位Vsd(1)～Vsd(5)与源极·栅极间电位Vsg(1)～Vsg(5)相一致。
图3中，时间480～490μs相当于上述第2期间。由图3可见，与该期间中驱动用TFT1的阈值电压·移动度的条件不一致无关，源极·漏极间电位Vsd大致为相同的值。
这是因为，在前面的第1期间，第2电容器7的第2端连接到一定电位Va，然后，通过该第2端连接到驱动用TFT1的漏极端，向第1和第2电容器存储电荷，使驱动用TFT1的源极·漏极间电位Vs-Va时，源极·栅极间电位成为上述图12的第1期间的源极·栅极间电位。
由此，可以不决定于驱动用TFT1的阈值电压·移动度的偏差，设定驱动用TFT1的源极·漏极间电位Vs-Va时，驱动用TFT1的源极·栅极间电位成为上述第1期间的源极·栅极间电位。该状态下从电源线Vs通过驱动用TFT1、开关用TFT5、源极线Sj对未图示的源极驱动器电路流过所要的电流。由此，这时发生的源极·栅极间电位Vsg如果不取决于驱动用TFT的阈值电压·移动度的偏差，驱动用TFT1的源极·漏极间电位是一定的话，则设定使从驱动用TFT1流动大致一定的电流。
然后，如图3所示，在非选择期间(即驱动用晶体管的电流读出：时间约500μs以后)中，驱动用TFT1的源极·漏极间电位变化。然而，因该驱动用TFT1的负荷即有机EL元件6呈现二极管的特性，即使电流值多少有点不一致，电位降也大致一定。因此，驱动用TFT1的漏极端电位不取决于驱动用TFT1的阈值电压·移动度的偏差而大致一定，驱动用TFT1的源极·漏极间电压为大致一定。结果，能不取决于驱动用TFT1的阈值电压·移动度而抑制流过有机RL元件6的电流值的偏差。
另外，通过以上述一定电位Va作为根据上述有机EL元件的所加电压-电流特性预想的电位(该电流值的有机EL的阳极电位)，上述驱动用TFT1的电流写入时与读出时的源极·漏极间电压大致相同，因此较为理想。
用模拟求出流过该有机EL元件6的电流值的结果，示于图4和图5。
图4的模拟中，设定选择期间为每0.32ms，在最初时间0.35ms～0.67ms之间设定电流值0.1μA流向源极线Sj。此后，每0.32ms时间以0.1μA刻度增加流向源极线Sj的电流值，直到0.9μA，然后返回到0，再次以0.1μA刻度增加。
该模拟中以流到源极线Sj的电流值(0～0.9μA的10点)作为横轴，以给予这些电流值后的非选择期间的流过有机EL元件6的电流值作纵轴，示出该偏差的是图5。图5中，向源极线Sj流过0.9μA的电流的非选择期间中，流过有机EL元件的电流值发生偏差的范围约在0.97～1.01μA(+8％～+13％)间。
这与图26示出的以往技术中的模拟结果(+5％～+24％的偏差，即幅度19％的偏差)相比，为充分地小，证明本发明的手段是有效的(+8％～+13％的偏差，即幅度5％的偏差)。
此外，本发明的像素电路构成中，为进一步抑制上述偏差，使第1和第2电容器2、7的绝对电容量及其相对比值、一定电位Va的值、驱动用TFT1的栅极宽度等最佳化是有效的。
例如，第2电容器7的容量C2与第1电容器2的容量C1之间的比C2/C1，其比值越大，越能抑制为得到第2期间引起的源极·栅极间电位Vsg的变化所必要的源极·漏极间电位的偏差。这时，由于能抑制取决于驱动用TFT1的阈值电压·移动度的源极·漏极间电位的偏差，并能抑制非选择期间流过有机EL元件6的电流值的偏差，因此较为理想。
但是，当各电容器的容量的绝对值过小时，各电容器保持的电位受到连接在该电容器上的开关用TFT3、8、9的栅极端电位变化的影响，结果，使非选择期间流过有机EL元件6的电流值发生偏差，故并不理想。
另外，第1期间提供的一定电位Va的值与电源线Vs的电位差Vs-Va，设定得稍大于非选择时设定的源极·漏极间电位Vsd，或大致相同地设定。但在电位差Vs-Va设定得过大，电流写入时与非选择时的源极·漏极间电位Vsd变化过大，与源极线Sj供给的电流值相比，实际上流过有机EL元件6的电流值过小，因此不好。
另外，关于驱动用TFT1的栅极宽度W，过大时，驱动用TFT1的源极·栅极间电位变得过小，栅极电位的变动使非选择期间流过有机EL元件6的电流值发生偏差，因此不好。另外，栅极宽度过小时，为得到必要的电流所需要的源极·漏极间电位变得过大，也并不好。
对于本实施形态1所用的有机EL元件，在图1所示的像素电路Aij中，C1＝1000fF、C2＝500fF、Vs＝16V、Va＝10V、W＝12μm时，流过有机EL元件的电流值的偏差为最小(1％左右)，是合适的。
这些第1和第2电容器2、7绝对容量C1、C2及其比值，一定电位Va的值，驱动用TFT1的栅极宽度W，因与应驱动的有机EL元件的特性，必要的辉度，所用的驱动用TFT1的特性有关，因此在实际设计显示板时，有必要修改并重复模拟之后来决定。
另外图1的像素电路构成中，为连接驱动用TFT1的栅极端与漏极端，将开关用TFT3连接到源极线Sj，但也可直接连接到驱动用TFT1的漏极端。这对将第2电容器的第2端连接到驱动用TFT1的漏极端用的开关用TFT9也一样，开关用TFT3、9直接连接到驱动用TFT1的漏极端也可以。
另外，也可将有机EL元件配置在驱动用TFT的源极端。这时，如图6所示，驱动用TFT1’为n型TFT，有机EL元件6’的阴极连接到驱动用TFT1’的源极端。另外，上述图6的构成中，开关用TFT4’和开关用TFT5’都形成n型TFT，与图1所示的像素电路构成不同。
另外，开关用TFT3连接到驱动用TFT1’的漏极端。开关用TFT9也一样。
图6所示的像素电路构成中，其他的配线、动作与图1相同，故对与图1相同的构成标注相同的编号，这里省略其说明。
[实施形态2]
本实施形态2中，说明将本发明的第1特征的构成应用于像素电路和源极驱动器电路中时的第1例。
本实施形态2的显示装置，是将本发明的特征部分分割配置在成像素电路和源极驱动器电路的构成。因此，上述显示装置如图7所示，像素电路Aij配置在第1配线即源极线Sj(j＝1～m的整数)与第2配线即栅极线Gi(I＝1～n的整数)交叉的区域中，源极驱动器电路50连接到源极线Sj，栅极驱动电路51连接到栅极线Gi。
上述显示装置中，图8示出含有本发明的特征构成的像素电路Aij与源极驱动器电路50的输出级即源极驱动器电路输出端电路Dj的构成。
本实施形态2的显示装置中，如图8所示，像素电路Aij配置在源极线Sj与栅极线Gi交叉的区域，各像素电路Aij中，配置有源元件即驱动用TFT11与电光学元件即有机EL元件16。该驱动用TFT11与有机EL元件16串联地配置在电源线Vs与公共线Vcom之间。
然后，在驱动用TFT11的栅极端(电流控制端)上连接第1电容器12的一端，(第1端)，第1电容器12的另一端(第2端)连接到驱动用TFT11的源极端(电流输入端)和电流线Vs。
另外，该像素电路构成中，配置平行于源极线Sj的第3配线即信号线Tj，驱动用TFT11的栅极端经开关用TFT15连接在信号线Tj。
另外，在驱动用TFT11的漏极端(电流输出端)与有机EL元件16的阳极之间配置开关用TFT13，驱动用TFT11与开关用TFT13之间的连接点经开关用TFT14连接到源极线Sj。
构成像素电路Aij的开关用TFT15、14、13的栅极端连接到各自控制线Gi、Wi、Ri。
源极驱动器电路50对应于多个像素电路A1j～Anj配置1个输出端电路Dj。输出电路Dj如图8所示，第2电容器25的一端(第1端)连接信号线Tj，再在信号线Tj与源极线Sj之间配置第1开关用晶体管即开关用TFT22。此外，在第2电容器25的另一端(第2端)与规定电压线Va之间配置第3开关用晶体管即开关用TFT23，在第2电容器25的第2端与源极线Sj之间配置第2开关用晶体管即开关用TFT24。此外，在信号线Tj与关断电位线Voff之间配置第4开关用晶体管即开关用TFT21。
上述输出端电路Dj中，控制线Ej连接在开关用TFT21的栅极端，控制线Cj连接在开关用TFT22、23的栅极端，控制线Bj连接在开关用TFT24的栅极端。
参照表示控制线Ri、Wi、Gi、Ci、Ej、Bi及源极线Sj的动作定时的图9，说明上述显示装置的像素电路Aij和输出端电路Dj的动作如下。
本实施形态2的驱动方法(本发明的第1驱动方法)中，在像素电路Aij的选择期间即时间0～5t1之间，控制线Ri的电位为高(GH)，开关用TFT13为关断状态，控制线Wi的电位为低(GL)，开关用TFT14为导通状态。
像素电路Aij在第1期间(时间t1～2t1)中，控制线Gi的电位为高，开关用TFT15为导通状态，使驱动用TFT11栅极端电连接到信号线Tj。这样，达到第1电容器12和第2电容器25连接到驱动用TFT11栅极端的状态。
在此前后，输出端电路Dj中，控制线Cj的电位为高，开关用TFT22、23为导通状态。结果，驱动用TFT11的栅极端与漏极端通过开关用TFT15、22、14电连接。此外，第2电容器25的第2端通过开关用TFT23连接到规定电压Va。这时，电源线Vs通过驱动用TFT11、开关用TFT14、源极线Sj从电流输出端Ij流出电流。
然后，为用第1电容器12和第2电容器25保持这时的源极线Sj的电位，使控制线Cj的电位为低，开关用TFT22、23为关断状态。
这时，利用第1电容器12和第2电容器25，使驱动用TFT11的栅极不取决于驱动用TFT11的阈值电压·移动度，在第2电容器25的第2端电位Va时，保持先前的一定电流(第1期间中驱动用TFT11的源极·漏极间流过的电流)流过那样的电位。
其次，在第2期间(时间3t1～4t1)中，使控制线Bj的电位为高，开关用TFT24为导通状态。结果，第2电容器25的第2端通过开关用TFT24、14连接驱动用TFT11的漏极端。这时，电源线Vs通过驱动用TFT11、开关用TFT14、源极线Sj从电流输出端流出所要的电流。
这样，在第2期间中，不取决于驱动用TFT11的阈值电压·移动度，在驱动用TFT11的源极·漏极间电位为电位Vs-Va时，设定对驱动用TFT11流过上述电流。然后通过对驱动用TFT11流过所要的电流，在驱动用TFT11的源极·漏极间电位大致一定的条件下能设定驱动用TFT11的源极·栅极间电位。
该第2期间的驱动用TFT11的源极·栅极间电位，然后，在时间4t1，通过使控制线Gi的电位为低，开关用TFT15为关断状态，由第1电容器12所保持。
此后，在时间5t1，通过使控制线Bj的电位为低，开关用TFT24为关断状态，切断第2电容器25与源极Sj的电连接，通过使控制线Wi的电位为高，开关用TFT14为关断状态，切断驱动用TFT11的漏极端与源极线Sj的电连接。而且，使控制线Ri的电位为低，开关用TFT13为导通状态，成为从驱动用TFT11向有机EL元件16流过电流的状态。
以上，结束像素电路Aij的选择期间，到了下一个像素电路A(i+1)j的选择期间。
图10示出用图8所示的像素电路构成和源极驱动器电路的输出端电路构成，以模拟求出流过有机EL元件16的电流值的结果。
图10的模拟中，设定选择期间为每0.55ms，在最初时间0.06ms～0.61ms之间设定电流值0.1μA流向源极线Sj。此后，每0.55ms时间以0.1μA刻度增加流向源极线Sj的电流值，直到0.9μA，然后返回到0，再次以0.1μA刻度增加。
比较图10与实施形态1中所示的图4可见，如本实施形态2那样将本发明的特征构成的一部分配置在源极驱动器电路的构成，也与将全部配置在像素电路的实施形态1的构成一样，能减弱驱动用TFT11的阈值电压·移动度的偏差影响，抑制非选择期间流过有机EL元件16的电流值的偏差。
另外，比较图8的像素电路构成与实施形态1所示图1的像素电路构成可见，本实施形态2的构成中，由于将开关用TFT和电容器配置在源极驱动器电路侧，故在底面发射构成(在形成TFT元件的透明基板侧发射光的构成)的显示装置中，能得到加大对每个像素可能配置的有机EL元件的面积的效果。
其结果，因能抑制有机EL元件的平均单位面积的发光辉度，故可延长有机EL元件的辉度半衰期寿命。
另外，在顶面发射构成(与形成TFT元件的透明基板相反侧发射光的构成)中，由于不增加对像素配置的元件数，故可缩小像素大小到与以往技术同样的大小。
另外，本实施形态2中，在非选择期间的有机EL元件16的电流值为0时，如图9的期间6t1～10t1所示，只要使控制线Ej的电位为高，开关用TFT21为导通状态，对信号线Tj供给关断电位Voff就可。这时，控制线Cj、控制线Bj的电位为低。
其结果，上述期间(6t1～10t1)，由于信号线Tj为关断电位，故如图10的5.01～5.56ms所示，流过有机EL元件16的电流值大致为0。
如比较该模拟结果与以往的图25的模拟结果，则可见图8所示的电路构成中通过用开关用TFT21，可使流过有机EL元件16的电流值接近于0。结果，可提高显示装置的对比度，因此较为理想。
[实施形态3]
本发明形态3中，说明将本发明的第1特征的构成应用于像素电路和源极驱动器电路中时的第2例。
本实施形态3的显示装置，也是将本发明的特征构成部分割配置在像素电路与源极驱动器电路的构成。因此，上述显示装置为与实施形态2同样地如图7所示的构成，这里省略其说明。
图11示出上述显示装置中含有本发明的特征构成的像素电路Aij和作为源极驱动器电路50的输出级的源极驱动输出端电路Dj的构成。
本实施形态3的显示装置如图11所示，像素电路Aij的构成中，用一条栅极线Gi代替实施形态2所示的图8的像素电路构成的3条控制线Gi、Wi、Ri，用n型TFT即开关用TFT14’代替p型TFT即开关用TFT14。即，图11所示的像素电路Aij中，利用栅极线Gi驱动开关用TFT13、15、14’。
另外，将电源线Sj从与源极线Sj平行的状态变更为与栅极线Gi平行的状态。其余部分，图11的电路与图8的电路相同，这里省略其详细说明。
参照图12示出的控制线Gi、Cj、Ej、Bj及源极线Sj的动作定时图，说明上述显示装置的像素电路Aij和输出端电路Dj的动作如下。
本实施形态3的驱动方法，像素电路Aij的选择期间中，在时间t1～5t1，使栅极线Gi的电位为高(GH)，开关用TFT13为关断状态，开关用TFT14’、15为导通状态。
该期间为驱动用TFT11的栅极端与信号线Tj连接，第1电容器12、第2电容器25连接到驱动用TFT11的栅极端的状态。
在此前后，输出端电路Dj在第1期间(时间t1～2t1)中，使控制线Cj的电位为高，开关用TFT22、23为导通状态。结果，驱动用TFT11的栅极端与漏极端通过开关用TFT15、22、14’相连接。另外，第2电容器25的第2端连接到规定电压线Va。
然后，电源线Vs经驱动用TFT11、开关用TFT14’、源极线Sj从电流输出端Ij流出一定电流。这时的源极线Sj的电位，在时间2t1，通过使控制线Cj的电位为低，开关用TFT22、23为关断状态，由第1电容器12和第2电容器25来保持。
这时，利用第1电容器12和第2电容器25，在驱动用晶体管用TFT11的栅极补偿驱动用TFT11的阈值电压·移动度，在第2电容器25的第2端电位为Va时，保持先前一定电流(第1期间中流过驱动用TFT11的源极·漏极间的电流)流过那样的电位。
接着，在第2期间(时间3t1～4t1)中，使控制线Bj的电位为高，开关用TFT24为导通状态。结果，第2电容器25的第2端经开关用TFT24、14’连接到驱动用TFT11的漏极。
这时，电源线Vs经驱动用TFT11、开关用TFT14’、源极线Sj，从电流输出端Ij流出所要的电流。这样一来，在上述第2期间，能不取决于驱动用TFT11的阈值电压·移动度，以驱动用TFT11的源极·漏极间电位为大致一定的状态，设定其栅极·源极间电位，对驱动用TFT11流过所要的电流。
该第2期间的驱动用TFT11的源极·栅极间电位，在其后时间t1，通过使控制线Bj的电位为低，开关用TFT24为关断状态，由第2电容器保持。
此后，在时间5t1通过使栅极线Gi的电位为低，开关用TFT15为关断状态，切断第1电容器12与信号线Tj的电连接，这时的信号线Tj的电位保持到第1电容器12上。同时，通过使开关用TFT14’为关断状态，切断驱动用TFT11的漏极端与源极Sj的电连接，同时，使开关用TFT13为导通状态，从驱动用TFT11向有机EL元件16流过电流的状态。
以上，结束像素电路Aij的选择期间，到了下一个像素电路A(i+1)j选择期间。
图13示出用上述图11所示的像素电路构成和源极驱动器电路的输出端电路构成，以模拟求得流过有机EL元件16的电流值的结果。
图13的模拟中，设定选择期间为每0.55ms，在最初时间0.06ms～0.61ms之间设定电流值0.1μA流向源极线Sj。此后，每0.55ms时间以0.1μA刻度增加流向源极线Sj的电流值，直到0.9μA，然后返回到0，再次以0.1μA刻度增加。
比较本实施形态3的模拟结果与表示以往技术的图25的模拟结果可见，即便如本实施形态3那样减少像素电路Aij的控制线的构成，也能减弱驱动用TFT11的阈值电压·移动度的偏差的影响，抑制非选择期间流到有机EL元件16的电流值的偏差。
另外，如比较本实施形态3的图11的像素电路构成与实施形态2中所示的图8的像素电路构成，则可见，因本实施形态3中控制线Gi只一条，在底面发射构成(在形成TFT元件的透明基板侧发射光的构成)的显示装置中，能对每个像素可配置的有机EL元件的面积做得更大，并可延长有机EL元件的辉度半衰期寿命，因此较理想。
[实施形态4]
本实施形态4中说明将本发明的特征构成应用于源极驱动器电路中时的例子。
图14示出本实施形态3的显示装置中源极驱动器电路的输出级即电流输出电路Fj的构成。上述电流输出电路Fj中的输出端Ij连接到例如图1所示的源极线Sj或图8和图11所示的电流输出端Ij。
电流输出电路Fj是将第1电容器32和第2电容器33的一端(第1端)连接到有源元件即驱动用TFT31的栅极端(电流控制端)的构成。第1电容器32的另一端(第2端)和驱动用TFT31的漏极端(电流输出端)连接到公共电极Vcom。
驱动用TFT31的栅极端和源极端(电流输入端)之间串联地配置开关用TFT34主开关用TFT35。
第2电容器33的另一端(第2端)与规定电压线Vb之间配置开关用TFT36，第2电容器33的第2端与驱动用TFT31的源极端之间串联配置开关用TFT37和开关用TFT35。
此外，电流输出电路Fj的输出端Ij与驱动用TFT31的源极端之间配置开关用TFT38。
控制线DCj连接到开关用TFT34、36的栅极端，控制线DPj、DWj、DRj分别连接到开关用TFT37、35、38的栅极端。
下面，参照示出控制线DRj、DWj、DCj、DPj和公共电流线Icom的动作定时图15，说明上述显示装置的源极驱动器电路的电流输出电路Fj的动作。
本实施形态4的驱动方法中，在电流设定期间即t1～5t1之间，使控制线DRj的电位为低，开关用TFT38为关断状态，控制线DWj的电位为高，开关用TFT35为导通状态。
然后，在第1期间(时间t1～2t1)中，使控制线DCj的电位为高，开关用TFT34、36为导通状态。结果，驱动用TFT31的栅极端与源极端通过开关用TFT34、35被电连接。另外，第2电容器33的第2端通过开关用TFT36连接到规定电压线Vb。这时，公共电流线Icom通过开关用TFT35、驱动用TFT31对公共电极Vcom流过一定电流。
然后，用第1电容器32和第2电容器33保持第1期间的公共电流线Icom的电位，因此，在时间2t1使控制线DCj的电位为低，开关TFT34、36为关断状态。
这时，利用第1电容器32和第2电容器33，在驱动用TFT31的栅极补偿该驱动用TFT31的阈值电压·移动度，在第2电容器33的第2端电位为Vb时，保持先前的一定电流(第1期间中流过驱动用TFT31的源极·漏极间的电流)流过那样的电位。
接着，在第2期间(时间3t1～4t1)中，控制线DPj的电位为高，开关用TFT37为导通状态。结果，第2电容器33的第2端通过开关用TFT37、35连接到驱动用TFT31的源极端。这时，公共电流线Icom通过开关用TFT35、驱动用TFT31，向公共电极Vcom流过所要的电流。
这样一来，第2期间中，不取决于驱动用TFT31的阈值电压·移动度，以驱动用TFT31的源极·漏极间电位为大致一定的状态，可设定栅极·漏极间电位，对驱动用TFT31流过所要的电流。
该第2期间的驱动用TFT31的栅极·漏极间电位，在时间4t1通过使控制线DPj的电位为低，开关用TFT37为关断状态，由第2电容器32和第2电容器33所保持。
然后，在时间5t1，使控制线DWj的电位为低，开关用TFT35为关断状态，切断公共电流线Icom与驱动用TFT31的源极端的电连接。而且，通过使控制线DRj的电位为高，开关用TFT38为导通状态，使从电流输出端Ij到驱动用TFT31流过所要电流的状态。
以上，结束该电流输出电路Fj的选择期间，到了下一个电流输出电路Fj+1的电流设定期间。
图16示出在上述电流输出电路Fj的选择期间中，以下面表3的条件改变驱动用TFT31的阈值电压·移动度，模拟驱动用TFT31的源极·漏极间电压Vsd与栅极·漏极间电压Vgd的结果。
                                                        [表3]
    Ioled(1)     Ioled(2)     Ioled(3)     Ioled(4)     Ioled(5)
    Vgd(1)     Vgd(2)     Vgd(3)     Vgd(4)     Vgd(5)
    Vsd(1)     Vsd(2)     Vsd(3)     Vsd(4)     Vsd(5)
阈值电压     平均值     上限     下限     上限     下限
移动度     平均值     上限     下限     下限     上限
图16中，时间0.61～0.62ms相当于第1期间。由图16可见，驱动用TFT31的源极·漏极间电位Vsd(1)～(5)与源极·栅极间电位Vsg(1)～(5)相一致。
此外，图16中，时间0.63～0.64ms相当于第2期间。由图16可见该期间中驱动用TFT31的源极·漏极间电位Vsd不取决于驱动用TFT的阈值电压·移动度的条件的差异，大致为相同的值。
也就是说，第2期间中，公共电流线Icom通过开关用TFT35、驱动用TFT31向公共电极Vcom流过所要电流，故能不取决于驱动用TFT的阈值电压·移动度的偏差，在驱动用TFT31的源极·漏极间电位为一定的条件下设定驱动用TFT31的栅极·漏极间电位Vgd。
结果，如果不取决于驱动用TFT31的阈值电压·移动度，使驱动用TFT31的源极·漏极间电位相等，则能实现能流过大致一定电流的电流输出电路。
然后，为电流输出电路Fj的读出期间，图16的模拟中，在电流输出端Ij与电源线Vs之间配置了电阻代替有机EL元件，但驱动用TFT31的输出电流值为大致一定，故该读出期间驱动用TFT31的源极·漏极间电压Vsd为大致一定。
这时，用表3所示的5个驱动用TFT31的阈值电压·移动度条件模拟驱动用TFT31的电流值偏差的结果，示出于图17中。
图17的模拟中，设定选择期间为每0.55ms，在最初时间0.06ms～0.65ms之间设定电流值0.1μA流向源极线Sj。此后，每0.55ms时间以0.1μA刻度增加流向源极线Sj的电流值，直到0.9μA，然后返回到0，再次以0.1μA刻度增加。
由图17的模拟结果可见，如果用本实施形态4的源极驱动器电路，则具有抑制由驱动用TFT31的阈值电压·移动度偏差引起的、流过驱动用TFT31的电流值的偏差(因在图17的时间3.6ms，电流值的偏差收敛于1.05～1.15μA的范围，即9％的偏差范围)的效果。
特别是输出电流在0.8μA前，不取决于驱动用TFT31的阈值电压·移动度的偏差，得到大致均匀的电流值。
可是，在将本发明的特征构成用作源极驱动器电路时，而且在像素电路中也用本发明的特征构成，较为理想。以下说明其例子。
也就是说，将实施形态1所示的图1的像素电路连接到图14的源极驱动器电路的电流输出端Ij，利用模拟来看其效果。
首先使供给图14和图1的各控制端的信号定时为如图18所示。
图19中示出用该驱动定时通过模拟研究图14的驱动用TFT31的源极·漏极间电位Vsd与源极·栅极间电位Vsg的结果。
图19中，时间0.61～0.65ms相当于图14的源极驱动器电路的驱动用TFT31的中流设定期间，时间0.70～0.75ms相当于图1的像素电路的选择期间。
此外，时间0.61～0.62ms相当于源极驱动器电路的驱动用TFT31的第1期间，但，这时驱动用TFT31的源极·漏极间电位Vsd与栅极·漏极间电位Vgd相一致。
接着，时间0.63～0.64ms相当于源极驱动器电路的驱动用TFT31的第2期间，但，这时驱动用TFT31的源极·漏极间电位Vsd一致，并不取决于驱动用TFT31的阈值电压·移动度。
接着，时间0.71～0.72ms相当于像素电路的第1期间。这时源极驱动器电路的驱动用TFT31的源极·漏极间电位Vsd，因像素电路的驱动用TFT1的阈值电压·移动度的偏差而发生偏差。结果，源极驱动器电路的驱动用TFT31的输出电流也发生偏差。
然而，相当于像素电路的第2期间的时间0.73～0.74ms中，源极驱动器电路的驱动用TFT31的源极·漏极间电位Vsd相一致，并不取决于像素电路的驱动用TFT1的阈值电压·移动度。结果，如图20所示，能抑制流过像素电路中配置的有机EL元件6的电流值的偏差。
这时，源极驱动器电路电流读出时的源极电位最好是上述规定电压线的电位Vb。因此，只要使像素电路的规定电压线电位Va与上述规定电压线Vb相同就可。
这样，本发明的特征构成部分，既可用作源极驱动器电路的电流输出电路，也可用于像素电路。无论用在哪个电路，本发明都具有对驱动用TFT流过所要的电流而不取决于驱动用TFT的阈值电压·移动度的效果。
此外，当如图23那样从源极驱动器电路输入电流时，在与此一起使用的源极驱动器电路侧，如图21所示，最好全部以p型TFT构成所用的TFT31’和34’～38’。
此外，图21的电路构成，驱动用TFT31’的源极端连接到电源线Vs，是将从驱动用TFT31’输出电流的本发明的第1构成应用到源极驱动器电路的例子。
[实施形态5]
本实施形态5说明将本发明的第1特征构成应用到像素电路和源极驱动器电路时的第3例。
本实施形态5的显示装置也是将本发明的特征构成分开配置在像素电路和源极驱动器电路的构成。因此，显示装置为与实施形态2相同如图7所示的构成，这里省略其说明。
图31示出上述显示装置中含有本发明的特征构成的像素电路Aij与源极驱动器电路50的输出级即源极驱动输出端电路Dj的构成。
本实施形态5的显示装置中，如图31所示，像素电路配置在源极线Sj与栅极线Gi交叉的区域，各像素电路Aij中，配置有源元件即驱动用TFT41、电光学元件即有机EL元件48、第1开关用晶体管即开关用TFT42、第1电容器44以及第2电容器45。该驱动用TFT41与有机EL元件48串联配置在电源线Vs与公共线Vcom之间。
此外，在驱动用TFT41的栅极端(电流控制端)上连接第1电容器44和第2电容器45各自的一端(第1端)，第1电容器44的另一端(第2端)连接到驱动用TFT41的源极端(电流输入端)和电源线Vs。
另外，在驱动用TFT41的栅极端(电流输入端)与源极线Sj之间，配置第1开关用晶体管即开关用TFT42。
另外，与源极线Sj平行地配置第3配线即信号线(连接线)Tj，第2电容器的另一端(第2端)经开关用TFT43连接到信号线Tj。
另外，在驱动用TFT41的漏极端(电流输出端)与有机EL元件48的阳极之间配置开关用TFT46，在驱动用TFT41与开关用TFT46之间的连接点，经开关用TFT47接源极线Sj。
在构成该像素电路Aij的开关用TFT42、43的栅极端上连接各自的Ci、Gi，在开关用TFT46、47的栅极端上连接控制线Wi。
源极驱动器电路50中，对应于多个像素电路A1j～Anj配置一个输出端电路Dj。该输出电路Dj如图31所示，在信号线Tj与源极线Sj之间配置第2开关用晶体管即开关用TFT51。另外，在信号线Tj与规定电压线Va之间配置第3开关用晶体管即开关用TFT49。
输出端电路Dj中，控制线Cc接到开关用TFT49的栅极端，控制线Bc接到开关用TFT51的栅极端。
以下，参照表示控制线Wi、Gi、Ci、Cc、Bc及源极线Sj的动作定时的图32，说明上述显示装置的像素电路Aij和输出端电路Dj的动作。
本实施形态5的驱动方法中，在像素电路Aij的选择期间即时间t1～6t1之间，使控制线Wi的电位为高(GH)，开关用TFT46为关断状态，同时开关用TFT47为导通状态。另外，时间t1～5t1之间，控制线Gi的电位为高，开关用TFT43的电位为导通状态。
在像素电路Aij的选择期间的第1期间(时间t1～2t1)，控制线Ci的电位为高，开关用TFT42为导通状态，使驱动用TFT41的栅极端电连接到源极线Sj。这样一来，驱动用TFT41的栅极端与漏极端通过开关用TFT42、47电连接，电源线Vs通过驱动用TFT41、开关用TFT47、电源线Sj从电流输出端Ij流出一定电流。
在时间t1～3t1之间，输出端电路Dj的控制线Cc的电位为高，开关用TFT49为导通状态。结果，第2电容器45的第2端经开关用TFT43、信号线Tj、开关用TFT49，连接到规定电压线Va。
然后，为用第1电容器44和第2电容器45保持这时的源极线Sj的电位，使控制线Ci的电位为低，开关用TFT42为关断状态。
这时，利用第1电容器44和第2电容器45，驱动用TFT41的栅极端电位不取决于驱动用TFT41的阈值电压·移动度，在第2电容器45的第2端电位为Va时，保持先前一定电流(上述第1期间中流过驱动用TFT41的源极·漏极间的电流)流过那样的电荷。然后，控制线Cc为低，开关用TFT49为关断状态。
接着，在第2期间(时间4t1～5t1)中，控制线Bc的电位为高，开关用TFT51为导通状态。结果，第2电容器45的的第2端经开关用TFT43、51、47、连接到驱动用TFT41的漏极端。这时，电源线Vs经驱动用TFT41、开关用TFT47、源极线Sj，从电流输出端Ij流出所要的电流。
这样，在上述第2期间，不取决于驱动用TFT41的阈值电压·移动度，在驱动用TFT41的源极·漏极间电位为上述电位Vs-Va时，设定对驱动用TFT41流过上述电流(上述第1期间中流过驱动用TFT41的源极·漏极间的电流)。然后，通过对驱动用TFT41流过所要电流，能以驱动用TFT441的源极·漏极间电位大致一定的条件，设定驱动用TFT的栅极·源极间电位。
该第2期间的驱动用TFT41的源极·栅极间电位，在其后时间5t1，通过使控制线Gi的电位为低，开关用TFT43为关断状态，由第1电容器44和第2电容器45保持。
然后，在时间6t1，通过使Bc的电位为低，开关用TFT51为关断状态，切断信号线Tj与源极线Sj的电连接。而且，使控制线Wi的电位为低，开关用TFT47为关断状态，开关用TFT46为导通状态，从驱动用TFT41向有机EL元件流过电流的状态。
以上，结束像素电路Aij的选择期间，到了下一个像素电路A(i+1)j的选择期间。
图33示出用图31所示的像素电路构成和源极驱动器电路的输出端电路构成，以模拟求得流过有机EL元件48的电流值的结果。
图33的模拟中，设定选择期间为每0.27ms，在最初时间0.30ms～0.57ms之间设定电流值0.9μA流向源极线Sj。此后，设定每0.27ms时间以-0.1μA刻度减少流向源极线Sj的电流值，直到0μA，然后返回到0.9μA。
如比较本实施形态5的模拟结果(特别是时间0.30ms～1.9ms的结果)与以往的技术示出的图25的模拟结果，则可见，如本实施形态5那样，将第2开关用晶体管与第3开关用晶体管配置到源极驱动输出端电路Dj的构成，也能减弱驱动用TFT41的阈值电压·移动度的偏差的影响，抑制非选择期间流到有机EL元件48的电流值的偏差。
[实施形态6]
本实施形态6中，说明将本发明的第2特征构成应用于像素电路中的情况。
本实施形态6的显示装置，如图34所示，其各像素电路Aij中，驱动用晶体管即驱动用TFT63与电光学元件即有机EL元件69串联配置在电源线Vs与公共线Vcom之间。
驱动用TFT63的栅极端(电流控制端)经第1开关用晶体管即开关用TFT64与源极线Sj相连。第1电容器68和第2电容器67各自的一端(第1端)连接驱到动用TFT63的栅极端。第1电容器68的另一端(第2端)接到驱动用TFT63的漏极端(电流输出端)和有机EL元件69的阳极。第2电容器67的另一端(第2端)经第3开关用晶体管即开关用TFT65连接电源线(规定电压线)Vs，经第2开关用晶体管即开关用TFT66连接源极线Sj。
开关用TFT64和开关用TFT65的栅极端连接到控制线Ci，开关用TFT66的栅极端连接到控制线Gi。
在驱动用TFT63的源极端(电流输入端)与电源线Vs之间配置开关用TFT61，该开关用TFT61的栅极端连接控制线Ri。驱动用TFT63与开关用TFT61之间的连接点，经开关用TFT62与源极线Sj连接，该开关用TFT62的栅极端连接到控制线Wi。
以这些控制线Ci、Gi、Wi中的任一条作为第2配线(栅极线)也可以，以这些开关用TFT62、64、66中的任一个作为选择用TFT也可以。
该电路构成中，驱动用TFT63的栅极端经开关用TFT64、源极线Sj、及开关用TFT62，连接到驱动用TFT63的源极端。另外，第2电容器67的第2端经开关用TFT66、源极线Sj、及开关用TFT62连接到驱动用TFT63的源极端。
下面，参照表示控制线Ri、Wi、Ci、Gi及源极线Sj的动作定时的图35，说明上述显示装置的像素电路Aij的动作。
本实施形态6的驱动方法中，在作为选择期间的时间0～6t1之间，使控制线Ri的电位为高(GH)，开关用TFT61为关断状态，在时间t1～5t1之间，使控制线Wi的电位为低(GL)，开关用TFT62为导通状态。
然后，在第1期间(时间t1～2t1)中，使控制线Ci的电位为低，开关用TFT64、65为导通状态。结果，通过开关用TFT64、62连接驱动用TFT63的栅极端与源极端。另外，第2电容器67的第2端通过开关用TFT65连接电源线(规定电压线)Vs。这时，从未图示的源极驱动器电路经源极线Sj、开关用TFT62、驱动用TFT63向有机EL元件流过一定电流。
其后(时间2t1以后)，控制线Ci的电位为高，开关用TFT64、65为关断状态。这时，在第1期间设定的源极线Sj的电位由第1电容器68和第2电容器67保持。
接着，在第2期间(时间3t1～4t1)中，控制线Gi的电位为低，开关用TFT66为导通状态。结果，第2电容器67的第2端通过开关用TFT66、62连接到驱动用TFT63的源极端。这时从未图示的源极驱动器电路通过源极线Sj、开关用TFT62、驱动用TFT63向有机EL元件69流过所要的电流。
第2期间设定的驱动用TFT63的漏极·栅极间电位，其后(时间4t1以后)通过使控制线Gi的电位为高，开关用TFT66为关断状态，由第1电容器68和第2电容器67保持。
然后，使控制线Wi的电位为高，开关用TFT62为关断状态，控制线Ri的电位为低，开关用TFT61为导通状态。
以上，结束该像素电路Aij的选择期间，到了下一个像素电路A(i+1)j的选择期间。
另外，图34所示的源极驱动输出端电路Dj中，在关断电位线Voff与源极线Sj之间配置第4开关用晶体管即开关用TFT70。
然后，在控制线Ej连接到该开关用TFT70的栅极端，所选的有机EL元件69的电流值为0时，如图35所示，在上述第2期间(9t1～11t1)，控制线Ej为高，开关用TFT70为导通状态。这时，源极线Sj与源极驱动器电路电流输出电路的连接为断开状态，从关断电位线Voff向源极线供关断电位。
由于该关断电位与公共电极电位Vcom相等或更低，故该电位通过开关用TFT62成为驱动用TFT63的源极电位，或开关用TFT62成为关断状态，从而驱动用TFT63的栅极电位从源极端放电，驱动用TFT63的栅极电位从第1期间的电位下降，驱动用TFT63成关断状态。
图36示出用图34所示的像素电路构成和源极驱动器电路的输出端电路构成，以模拟求得流过有机EL元件69的电流值的结果。
图36的模拟中，设定选择期间为每1.08ms，在最初时间2.30ms～3.38ms之间设定电流值1.1μA流向源极线Sj。此后，设定每1.08ms时间以-0.12μA刻度减少流向源极线Sj的电流值，直到0μA，然后再返回到1.1μA。
如比较本实施形态6的模拟结果与以往的技术示出的图25的模拟结果，则可见，即便如本实施形态6那样控制驱动用TFT晶体管的电流控制端与电流输入端的构成，也能减弱驱动用TFT63的阈值电压·移动度的偏差的影响，抑制非选择期间流到有机EL元件69的电流值的偏差。
另外，图1的像素电路构成中，为对第2电容器的第2端提供规定电位Va，配置了电源线Va。但是，在将本发明的第2特征构成应用于像素电路中时，可以与电源线Vs共用规定电位线，故如图34所示不用电源线Va。
此外，如图37所示，将构成本发明的手段的驱动用TFT、第1电容器、第2电容器、第1开关用晶体管、第2开关用晶体管、及第3开关用晶体管的一部分配置在源极驱动器电路侧也是可能的。
即，在图37的像素电路构成Aij中，第1电容器98配置在驱动用TFT94的栅极·漏极间，第1开关用TFT95配置在驱动用TFT94的栅极端与源极线Sj之间，第2电容器97与开关用TFT93串联配置在驱动用TFT94的栅极端与信号线Tj之间。另外，有机EL元件96配置在驱动用TFT94的漏极端与公共电极Vcom之间，开关用TFT91配置在驱动用TFT94的源极端与电源线Vs之间，开关用TFT92配置在驱动用TFT94的源极端与源极线Sj之间。
此外，在源极驱动器电路输出端电路Dj中，第2开关用晶体管即开关用TFT100配置在信号线Tj与源极线Sj之间，第3开关用晶体管即开关TFT99配置在信号线Tj与规定电压线Vb之间。
使用该像素电路Aij和源极驱动输出端电路Dj的驱动定时，与图31所示的像素电路相同，为图32所示的图，因此说明从略。
[实施形态7]
本实施形态7中说明将本发明的第2特征构成应用于像素电路和源极驱动器电路时的另一例。
本实施形态7的显示装置也是将本发明的特征构成部分分开配置在像素电路与源极驱动器电路中的构成。因此，上述显示装置与实施形态2相同，如图7所示的构成，这里省略其说明。
图38示出上述显示装置中含有本发明的特征构成的像素电路Aij与源极驱动器电路50的输出级即源极驱动器电路输出端电路Dj的构成。
本实施形态7的显示装置中，如图38所示，在源极线Sj与栅极线Gi交叉的区域上配置像素电路Aij，各像素电路Aij中，配置有源元件即驱动用TFT74、电光学元件即有机EL元件76、及第1电容器75。驱动用TFT74与有机EL元件76串联配置在电源线Vs与公共线Vcom之间。
另外，在驱动用TFT74的栅极端(电流控制端)连接第1电容器75的一端(第1端)，第1电容器75的另一端(第2端)连接到驱动用TFT74的漏极端(电流输出端)与有机EL元件76的阳极。
此外该像素电路构成中，与源极线Sj平行地配置第3配线即信号线Tj，驱动用TFT74的栅极端经开关用TFT73连接在信号线Tj。
还在驱动用TFT74的源极端(电流输入端)与电源线Vs之间配置开关用TFT71，驱动用TFT74与开关用TFT71之间的连接点经开关用TFT72接到源极线Sj。
构成该像素电路Aij的开关用TFT73、72、71、的栅极端上，各自连接控制线Gi、Wi、Ri。
源极驱动器电路50中，对应多个像素电路A1j～Anj，配置一个输出端电路Dj。输出端电路Dj如图38所示，第2电容器80的一端(第1端)连接在信号线Tj，在信号线Tj与源极线Sj之间配置第1开关用晶体管即开关用TFT77。第2电容器80的另一端(第2端)与规定电压Va之间配置第3开关用晶体管即开关用TFT78，第2电容器80的第2端与源极线Sj之间配置第2开关用晶体管即开关用TFT79。另外，在信号线Tj与关断电位线Voff之间配置第4开关用晶体管即开关用TFT81。
在输出电路Dj中，控制线Ej连接到开关用TFT81的栅极端，控制线Cc连接到开关用TFT77、78的栅极端，控制线Bc连接到开关用TFT79的栅极端。
以下，参照表示控制线Ri、Wi、Gi、Cc、Bc、Ej、及源极线Sj的动作定时的图39，说明显示装置的像素电路Aij中的动作。
本实施形态7的驱动方法中，在像素电路Aij的选择期间即时间0～6t1之间，使控制线Ri的电位为高(GH)，开关用TFT71为关断状态。在时间t1～5t1之间，使控制线Wi的电位为低(GL)，开关用TFT72为导通状态。这样，驱动用TFT74的源极端与源极线Sj成连接的状态。
像素电路Aij中，在时间t1～4t1间，控制线Gi的电位为低，开关用TFT73为导通状态，使驱动用TFT74的栅极端与信号线Tj电连接。这样，便成为第1电容器75和第2电容器80连接到驱动用TFT74的栅极端的状态。
输出端电路Dj中，在第1期间(时间t1～2t1)，控制线Cc的电位为高，开关用TFT77、78为导通状态。结果，驱动用TFT74的栅极端与源极端通过开关用TFT73、77、72成电连接。另外，第2电容器80的第2端经开关用TFT78连接到规定电压线Va。这时，从未图示的源极驱动器电路经源极线Sj、开关用TFT72、驱动用TFT74对有机EL元件流过一定电流。
然后，控制线Cc的电位为低，开关用TFT77、78为关断状态，用第1电容器75和第2电容器80保持这时的信号线Ti的电位。
这时，利用第1电容器75和第2电容器80中的存储的电荷，驱动用TFT74的栅极中不取决于该驱动用TFT74的阈值电压·移动度，在第2电容器80的第2端电位为Va时，保持先前的一定电流(第1期间中流过驱动用TFT74的源极·漏极间的电流)流过那样的电位。
接着，在第2期间(时间3t1～4t1)，控制线Bc的电位为高，开关用TFT79为导通状态。结果，第2电容器80的第2端经开关用TFT79、72连接到驱动用TFT74的源极端。这时，从未图示的源极驱动器电路通过源极线Sj、开关用TFT72、驱动用TFT74对有机EL元件76流过所要的电流。
这样一来，上述第2期间中，不取决于驱动用TFT74的阈值电压·移动度，在驱动用TFT74的源极·漏极间电位为上述电位Va-Vx(Vx为第2期间的有机EL元件76的阳极电压)时，设定对驱动用TFT74流过上述电流(上述第1期间中流过驱动用TFT74的源极·漏极间的电流)。然后，通过对驱动用TFT74流过所要电流，驱动用TFT74的源极·漏极间电位能以大致一定的条件设定驱动用TFT的栅极·源极间电位。
该第2期间中的驱动用TFT74的漏极·栅极间电位，其后在时间4t1，通过使控制线Gi的电位为高，开关用TFT73为关断状态，由第1电容器75的保持。
然后，在时间5t1，通过使Bc的电位为低，开关用TFT79为关断状态，切断第2电容器80与源极线Sj的电连接，通过使控制线Wi的电位为高，开关用TFT72为关断状态，切断驱动用TFT74的源极端与源极线Sj的电连接。而且，在时间6t1，控制线Ri的电位为低，开关用TFT71为导通状态，成为从驱动用TFT74向有机EL元件76流过电流的状态。
以上，结束像素电路Aij的选择期间，到了下一个像素电路A(i+1)j的选择期间。
另外，在图39的9t1～11t1所示的期间，控制线Ej的电位为高，开关用TFT81为导通状态，通过对信号线Tj供给关断电位Voff使信号线Tj为关断电位，从而，可使非选择期间的有机EL元件76的电流值大致为0。而该期间，控制线Cc的电位为低，控制线Bc的电位为高。
用该像素电路构成和源极驱动器电路的输出端电路构成，以模拟求得流过有机EL元件76的电流值的结果，得到与实施形态6相同的结果。
[实施形态8]
本实施形态8中，说明本发明的驱动方法的特征动作。本实施形态8的驱动方法，是解决如实施形态2中所示那样，将本发明的特征构成部分分开配置在像素电路与源极驱动器电路的构成中所产生的问题的方法。首先说明该问题。
实际的显示装置中，在配置在图8所示的像素电路Aij与源极驱动器电路输出端电路Dj之间的源极线Sj和信号线Tj之间，存在杂散电容。假定该杂散电容为5pf，图40示出模拟流过图8的像素电路AiJ的驱动用TFT11的电流Ip与源极·漏极间电位Vsd的变化的结果。
即，图40中，时间0.992～1.080ms间是选择期间，该期间中，控制线Ri为高，开关用TFT13为关断，控制线Wi为低，开关用TFT14为导通。此外，时间0.992～1.024ms之前是本发明的驱动方法的第1期间，该期间，栅极线Gi为高，开关用TFT15为导通状态，控制线Cj为高，开关用TFT22、23为导通状态。
这样一来，驱动用TFT11的栅极·漏极间被短路，将电容器12、25连接到栅极端，电容器25的第2端连接到规定电压线Va。这时，至驱动用TFT11的栅极·源极间电位Vsd达到稳定，需要20μs左右。然后，控制线Cj为低，开关用TFT22、23为关断状态，结束第1期间。
此外，时间1.034～1.074ms间是本发明的驱动方法的第2期间，该期间，控制线Bj为高，开关用TFT24为导通状态。
这时，由于第2电容器25的第2端电位接近Va，因此驱动用TFT11的源极·漏极间电位大致为Vs-Va。然后，以该源极·漏极间电位为大致一定的状态下，设定驱动用TFT11的源极·栅极间电位，故能不取决于驱动用TFT11的阈值电压·移动度，设定流过一定的电流。这时，至流过驱动用TFT11的源极·漏极间的电流达到稳定，需要30μs左右。然后，栅极线Gi为低，开关用TFT15为关断状态，结束选择期间。
在此后的非选择期间，如时间1.096ms以后所示那样，不取决于驱动用TFT11的阈值电压·移动度特性，驱动用TFT11的源极·漏极间电位Vsd及流过驱动用TFT11的源极·漏极间的电流Ip为一定。
另外，图40所示的各源极·漏极间电位Vsd(1)～Vsd(5)，及各源极·漏极间电流Ip(1)～Ip(5)，是以表2所示的条件使驱动用TFT11的阈值电压·移动度的特性变化的结果。
这样，如采用本驱动方法，则具有不取决于驱动用TFT11的阈值电压·移动度偏差，对有机EL元件16提供均匀电流，从而得到均匀显示那种效果。
但是，为此所需的选择期间要比在以往技术所示的图22的像素电路构成来得长。即图22的像素电路构成中，必要的选择期间仅为图40的第1期间，然而本发明的驱动方法中，需要图40的第1期间和第2期间。因此，本发明的驱动方法中，为缩短选择期间，就有必要缩短该第2期间。
图41中示出为实现这种驱动方法用的电路构成。图41所示的电路构成，与图8相同，是将本发明构成的第1特征构成分成像素电路Aij与源极驱动器电路输出端电路Dj的构成。图41中，对进行与图8相同动作的电容器和TFT等，标注与图8相同的部件编号，其详细说明从略。
图41的电路构成中，将存在于上述源极线Sj及信号线Tj的杂散电容表示为电容器17、18。另外，在信号线Tj中设有TFT19、20构成的保护电路。
该保护电路是在信号线Tj与电源线Vs之间设置n型TFT19，在信号线Tj与公共线Vcom之间设置p型TFT20的电路。在TFT19、20的栅极上提供各自的电位DL、DH。
因此，当信号线Tj的电位低于DL(正确地说是电位DL-TFT19的阈值电位)时，电流就从电源线Vs流到信号线Tj，保护该电位不低于它。反之，当信号线Tj的电位高于DH(正确地说是电位DL+TFT20的阈值电位)时，电流就从信号线Tj流到公共线Vcom，保护该电位不高于它。
图41的电路构成中，第1开关元件即开关用TFT22与第3开关元件即开关用TFT23的栅极线相分离，这些栅极线与各自的控制线Cc、Fc相连。此外，以信号线Bj作为Bc，这与图8不同，这意味着以信号线Bj作为不决定于源极线Sj的公共线。
用控制线Gi、Wi、Cc、Bc、Fc、Ej及源极线Sj的动作定时，图42示出图41的像素电路Aij和输出端电路Dj的动作。
即，在像素电路Aij的选择期间即时间t1～8t1之间，控制线Wi的电位为高(GH)，开关用TFT13为关断状态，开关用TFT14为导通状态。
像素电路Aij在第1期间(时间t1～4t1)中，控制线Gi的电位为高，开关TFT15为导通状态，使驱动用TFT11的栅极端与信号线Tj电连接。这样，成为第1电容器12和第2电容器25连接到驱动用TFT11的栅极端的状态。
与此前后，输出端电路Dj中，控制线Cc的电位为高，开关用TFT22为导通状态。另外，控制线Fc的电位也为高，开关用TFT23为导通状态。其结果，驱动用TFT11的栅极端与漏极端通过开关用TFT15、22、14电连接。另外，第2电容器25的第2端通过开关用TFT23连接到规定电压线Va。这时，电源线Vs经驱动用TFT11、开关用TFT14、源极线Sj从电流输出端流出一定电流。
然后，由于用第1电容器12和第2电容器25保持这时的源极线Sj的电位，在时间4t1，控制线Cc的电位为低，开关用TFT22为关断状态。
这时，利用第1电容器12和第2电容器25，驱动用TFT11的栅极端不取决于驱动用TFT11的阈值电压·移动度，在第2电容器25的第2端电位为Va时，保持先前的一定电流(第1期间中流过驱动用TFT11的源极·漏极间的电流)流过那样的电位。
接着，在第2期间(时间5t1～7t1)中，控制线Bc的电位为高，开关用TFT24为导通状态。结果，第2电容器25的第2端通过开关用TFT24、14连接到驱动用TFT11的漏极端。这时，电源线Sj经驱动用TFT11、开关用TFT14、源极线Sj从电流输出端Ij流出所要的电流。
但是，图42所示的本驱动方法中，控制线Fc在时间t1～6t1间为高，即使进入第2期间，开关用TFT23也为导通。因此，与图9所示的驱动方法不同，在第2期间即时间5t1～7t1中最初的5t1～6t1间也由规定电压Va对第2电容器25的第2端供给电压。而且，该电流以源极线Sj的电位作为Va(由于设定驱动用TFT11流过一定电流，故流过电源线Vs与规定电压线Va之间的电流仅作为上述一定电流)。
这样，图42所示的驱动方法中，预先以源极Sj的电位作为Va后，控制线Fc为低，开关用TFT23为关断。然后，在第2期间的剩余时间6t1～7t1，源极线Sj的电位依照驱动用TFT11的阈值电压·移动度变化，驱动用TFT11的源极·漏极间电位能以大致一定的条件设定驱动用TFT的栅极·源极间电位。
该第2期间的驱动用TFT11的源极·栅极间电位，在此后时间7t1，控制线Gi的电位为低，开关用TFT15为关断状态，从而，由第1电容器所保持。
然后，在时间8T1，通过控制线Bc的电位为低，开关用TFT24为关断状态，切断第2电容器25与源极线Sj的电连接，控制丝Wi的电位为低，开关用TFT14为关断状态，开关用TFT13为导通状态，成为从驱动用TFT11向有机EL元件16流过电流的状态。
这样，在图42的驱动方法中，与图9的驱动方法不同，在第2期间即时间5t1～7t1中最初的5t1～6t1之间，也由规定电压线Va对第2电容器25的第2端供给电压。因此，如图43示出的模拟结果那样，从第2期间的最初起，驱动用TFT11的源极·漏极间电位Vsd及流过驱动用TFT的源极·漏极间的电流Ip大致为一定。
然后，驱动用TFT11的源极·栅极间电位Vsg(随之驱动用TFT11的源极·漏极间电位Vsd)改变，使修正驱动用TFT11的阈值电压·移动度特性，通过使栅极线Gi为低，该电位保持在第1电容器12上，使非选择期间不取决于驱动用TFT11的阈值电压·移动度偏差，对有机EL元件16提供均匀的电流。
图43的模拟中，第2期间是时间0.618～0.634间的16μs，且在其最初的8μs之间，考虑到第2电容器25的第2端被短路到规定电位线Va时，可知与图9的驱动方法相比，图42的驱动方法中第2期间来得短。
另外，本发明的驱动方法中，没有必要延长第1期间直至驱动用TFT11的栅极·源极间电位Vsd稳定为止。
原因是，本发明驱动方法中，第1期间结束时，期望的偏差与以往技术的图22的像素电路构成的没有改变。而且，第2期间中，使源极线Sj电位为Va时，期望的偏差与以往技术的图22的像素电路构成的大致也没有改变。然后，第2期间中，源极线Sj电位从Va变化时的偏差比以往技术的图22的像素电路构成的来得少。
因此，驱动用TFT11的栅极·源极间电位Vsd即使以或多或少偏差的状态结束第1期间，也在第2期间通过修正该偏差，实现非选择期间不取决于驱动用TFT11的阈值电压·移动度偏差，对有机EL元件16提供均匀的电流。
这样一来，本发明的驱动方法的较好的驱动例中，由于可缩短第2期间的长度，缩短必要的选择期间，故可能驱动更多的栅极线Gi，显示更多像素数，因此效果是明显的。
[实施形态9]
作为解决上述图8的电路构成中选择期间加长的问题的另一手段，在应用本发明的第1构成的像素电路和源极驱动器电路中，将第2电容器配置在像素电路的近旁是有效的。
作为这种电路构成，有图44中示出的像素电路Aij和源极驱动输出端电路Dj及其他电路Bij。图44中，进行与图8同样动作的电容器和TFT等标注与图8相同的元件编号，并省略其详细说明。
图44的电路构成中，对每2个像素电路Aij，A(i+1)j，配置由第2电容器27和开关用TFT26构成的一个其他电路Bij。而且，在像素电路Aij，A(i+1)j的驱动用TFT11的栅极端与第2电容器27的第1端之间，配置开关用TFT25。这样一来，能缩短连接驱动用TFT11的栅极端与第2电容器27的接线，抑制该接线的杂散电容，即使缩小第2电容器27的电容量也能提高充分的效果。也就是说，与图41的第2电容器25的容量为2pf相对，图44的第2电容器27的容量为与第1电容器12相同的1pf。
用控制线Gi、Wi、Pi、Gi+1、Wi+1、Fc、Bc及源极线Sj的动作定时，图45示出图44所示的电路构成的动作。
即，图45的驱动定时中，在像素电路Aij的选择期间即时间t1～8t1间，控制线Wi的电位为高(GH)，开关用TFT13为关断状态，开关用TFT14为导通状态。
然后在第1期间(时间t1～4t1)，栅极线Gi的电位为高，开关用TFT25为导通状态。另外，控制线Fc的电位为高，源极驱动器电路的输出端电路Dj中的开关用TFT28为导通状态。再，控制线Pi的电位为高，开关用TFT26为导通状态。
其结果，驱动用TFT11的栅极与漏极端经开关用TFT25、26、14电连接。另外，第2电容器27的第2端经信号线Tj、开关用TFT28电连接到规定电压线Va。这时，电源线Va经驱动用TFT11、开关用TFT14、源极线Sj，从电流输出端Ij流出一定电流。
然后(时间4t1以后)，控制线Pi的电位为低，开关用TFT26为关断状态。这时，第1期间中设定的源极线Sj的电位，由第1电容器12和第2电容器27所保持。
第2期间(时间5t1～7t1)中，控制线Bc的电位为高，源极驱动器电路输出端电路Dj的开关用TFT29为导通状态。另外，控制线Fc在第2期间的最初(时间5t1～6t1)间保持高的状态，源极线Sj的电位为规定电位Va。
然后，在第2期间的剩余期间(时间6t1～7t1)，直至流过驱动用TFT11的源极·漏极间的电流Ip稳定为止，栅极线Gi的电位为低，开关用TFT27为关断状态。然后，控制线Bc的电位为低，开关用TFT29为关断状态，进入像素A(i+1)j的选择期间。
即，图44的驱动定时中，像素A(i+1)j的选择期间即时间9t1～16t1之间，控制线Wi+1的电位为高(GH)，开关用TFT13为关断状态，开关用TFT14为导通状态。
然后，第1期间(时间9t1～12t1)中，栅极线Gi+1的电位为高，开关用TFT25为导通状态。另外，控制线Fc的电位为高，开关用TFT28为导通状态。此外，控制线Pi的电位为高，开关用TFT26为导通状态。
结果，驱动用TFT11的栅极端与漏极端通过开关用TFT25、26、14相连接。另外，第2电容器27的第2端，通过信号线Tj、开关用TFT28连接到规定电压线Va。这时，电源线Vs经驱动用TFT11、开关用TFT14、源极线Sj，从电流输出端Ij流出一定电流。
其后(时间12t1以后)，控制线Pi的电位为低，开关用TFT26为关断状态。这时，上述第1期间中设定的源极线Sj的电位由第1电容器12和第2电容器27所保持。
第2期间(时间13t1～15t1)中，控制线Bc的电位为高，开关用TFT29为导通状态。另外，控制线Fc在第2期间的最初(时间13t1～14t1)间保持高的状态，源极线Sj的电位为规定电位Va。
然后，在第2期间的剩余期间(时间14t1～15t1)，直至流过驱动用TFT11的源极·漏极间的电流Ip稳定为止，栅极线Gi的电位为低，开关用TFT27为关断状态。
这样一来，通过对每2个像素Aij，A(i+1)j配置其他电路Bij，可构成本发明的手段。
另外，通过缩短驱动用TFT11的栅极端与第2电容器27之间的接线，抑制该接线的杂散电容，即使减小第2电容器27的电容量也能实现本发明手段的效果(不取决于驱动用TFT11的阈值电压·移动度特性的偏差，从驱动用TFT11对有机El元件16提供的电流为一定的效果)。
另外，与图1的像素电路构成相比，由于对每2个像素Aij，A(i+1)j减少必要的第2电容器27和开关用TFT26的数量，故具有增加相应部分孔径率等的效果。
上述各实施形态中所用的有机EL是高分子有机EL。用低分子有机EL形成有机EL元件时，掩膜蒸镀是必要的、用高分子有机EL形成有机EL元件时，可用喷墨工艺。在后者的情况下，形成疏水性的孔，其中，形成对应于每个驱动用TFT的亲水性的孔，但该孔不一定需要对每一个像素分开，将多个RGB各色像素配置在共同的孔中也可以。特别是如果将孔形成条状，其两端设置盛液的碟，则可不取决于RGB的像素间距，决定盛液的碟的大小，故较理想。
工业上的实用性
适用于采用有机EL显示板或FED等的电流驱动元件的显示装置中，能抑制非选择期间的流过电流驱动元件的电流值的偏差，从而提高显示品位。

Claims (12)

1.一种显示装置，包含电流驱动发光元件、以及驱动用晶体管，其特征在于，包括
连接在所述驱动用晶体管的电流控制端与电流输出端之间的第1开关用晶体管；
连接在所述驱动用晶体管的电流控制端的第1电容器；以及
一端即第1端连接在所述驱动用晶体管的电流控制端，另一端即第2端与驱动用晶体管的电流输出端之间经第2开关用晶体管连接，且与规定电压线之间经第3开关用晶体管连接的第2电容器。
2.一种显示装置，包含电流驱动发光元件、以及驱动用晶体管，其特征在于，包括
连接在所述驱动用晶体管的电流控制端与电流输入端之间的第1开关用晶体管；
连接在所述驱动用晶体管的电流控制端的第1电容器；以及
一端即第1端连接在所述驱动用晶体管的电流控制端，另一端即第2端与驱动用晶体管的电流输入端之间经第2开关用晶体管连接，且与规定电压线之间经第3开关用晶体管连接的第2电容器。
3.如权利要求1或2所述的显示装置，其特征在于，
由所述第1电容器，第2电容器，第1开关用晶体管，第2开关用晶体管，以及第3开关用晶体管构成的结构，包括在每个像素电路或每个源极驱动器电路中。
4.如权利要求3所述的显示装置，其特征在于，
由所述第1电容器，第2电容器，第1开关用晶体管，第2开关用晶体管，以及第3开关用晶体管构成的结构，包括在每个源极驱动器电路中，同时
各像素电路中包括控制所述电流驱动发光元件的供给电流的晶体管。
5.如权利要求1或2所述的显示装置，其特征在于，
由所述第1电容器，第2电容器，第1开关用晶体管，第2开关用晶体管，以及第3开关用晶体管构成的结构，一部分配置在像素电路侧，另一部分配置在包含源极驱动器电路的像素电路的外侧。
6.如权利要求5所述的显示装置，其特征在于，
在像素电路侧，配置电流驱动发光元件，驱动用晶体管，以及第1电容器，
在包含源极驱动器电路的像素电路的外侧，配置第2电容器，第1开关用晶体管，第2开关用晶体管，以及第3开关用晶体管，同时
包括连接所述驱动用晶体管的电流控制端与第2电容器的第1端的连接线。
7.如权利要求6所述的显示装置，其特征在于，
在像素电路侧，配置电流驱动发光元件，驱动用晶体管，以及第1电容器，
在像素电路的外侧，配置第2电容器，第1开关用晶体管，
在源极驱动器侧，配置第2开关用晶体管，及第3开关用晶体管，同时
包括连接所述第2电容器的第2端与所述第2开关用晶体管及第3开关用晶体管的连接线。
8.如权利要求5所述的显示装置，其特征在于，
在像素电路侧，配置电流驱动发光元件，驱动用晶体管，第1开关用晶体管，第1电容器，以及第2电容器，
在包含源极驱动器电路的像素电路的外侧，配置第2开关用晶体管，及第3开关用晶体管，同时
包括连接所述驱动用晶体管的电流输出端或电流输入端与第2电容器的第2端的连接线。
9.如权利要求6或8所述的显示装置，其特征在于，
进一步包括供给关断电位的关断电位线，
所述连接线经第4开关用晶体管连接到关断电位线。
10.一种显示装置的驱动方法，是包含电流驱动发光元件、以及驱动用晶体管的显示装置的驱动方法，其特征在于，
第1电容器的一端即第1端连接到所述驱动用的晶体管的电流控制端，
在所述驱动用晶体管的电流写入期间，第2电容器的一端即第1端连接到第1电容器的第1端，
在第1期间，将第2电容器的另一端即第2端连接规定电压线，连接所述驱动用晶体管的电流控制端与电流输出端，将这时的所述驱动用晶体管的电流控制端电位保持在第1电容器和第2电容器上，
在第2期间，切断所述驱动用晶体管的电流控制端与电流输出端的连接，将第2电容器的第2端的连接、从与所述规定电压线的连接转换到与所述驱动用晶体管的电流输出端的连接，修正所述驱动用晶体管的电流控制端电位，将这时的所述驱动用晶体管的电流控制端电位保持在第1电容器上，
在所述驱动用晶体管的电流读出期间，
利用所述第1电容器保持的驱动用晶体管的电流控制端电位，控制所述驱动用晶体管的输出电流。
11.一种显示装置的驱动方法，是包含电流驱动发光元件、以及驱动用晶体管的显示装置的驱动方法，其特征在于，
第1电容器的一端即第1端连接到所述驱动用的晶体管的电流控制端，
在所述驱动用晶体管的电流写入期间，第2电容器的一端即第1端连接到第1电容器的第1端，
在第1期间，将第2电容器的另一端即第2端连接规定电压线，连接所述驱动用晶体管的电流控制端与电流输入端，将这时的所述驱动用晶体管的电流控制端电位保持在第1电容器和第2电容器上，
在第2期间，切断所述驱动用晶体管的电流控制端与电流输入端的连接，将第2电容器的第2端的连接、从与所述规定电压线的连接转换到与所述驱动用晶体管的电流输入端的连接，修正所述驱动用晶体管的电流控制端电位，将这时的所述驱动用晶体管的电流控制端电位保持在第1电容器上，
在所述驱动用晶体管的电流读出期间，
利用所述第1电容器保持的驱动用晶体管的电流控制端电位，控制所述驱动用晶体管的输入电流。
12.如权利要求10或11所述的显示装置的驱动方法，其特征在于，
在所述第2期间，将第2电容器的第2端连接到所述驱动用晶体管的电流输出端后，切断与所述规定电压线的连接。
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