JP5057731B2 - 表示装置、モジュール、及び電子機器 - Google Patents
表示装置、モジュール、及び電子機器 Download PDFInfo
- Publication number
- JP5057731B2 JP5057731B2 JP2006250691A JP2006250691A JP5057731B2 JP 5057731 B2 JP5057731 B2 JP 5057731B2 JP 2006250691 A JP2006250691 A JP 2006250691A JP 2006250691 A JP2006250691 A JP 2006250691A JP 5057731 B2 JP5057731 B2 JP 5057731B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- transistor
- electrode
- electrically connected
- gate
- capacitor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims description 390
- 238000003860 storage Methods 0.000 claims description 249
- 239000010408 film Substances 0.000 description 387
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 196
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 134
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 128
- 239000000463 material Substances 0.000 description 93
- 238000000034 method Methods 0.000 description 72
- 238000009832 plasma treatment Methods 0.000 description 66
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 47
- 230000002829 reductive effect Effects 0.000 description 44
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 40
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 33
- 230000006870 function Effects 0.000 description 29
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 27
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 27
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 27
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 description 25
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 23
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 23
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 23
- 150000002894 organic compounds Chemical class 0.000 description 23
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 20
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 description 18
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 17
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 17
- 239000002585 base Substances 0.000 description 17
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 17
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 16
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 15
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 14
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 14
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 14
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 13
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 13
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 13
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 13
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 13
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 13
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 description 12
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 12
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 12
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 12
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 12
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 11
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 11
- 238000005121 nitriding Methods 0.000 description 10
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 10
- NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N Titanium nitride Chemical compound [Ti]#N NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 9
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 9
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Substances [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 230000008569 process Effects 0.000 description 9
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 9
- 229910004286 SiNxOy Inorganic materials 0.000 description 8
- -1 a-InGaZnO Inorganic materials 0.000 description 8
- 239000011575 calcium Substances 0.000 description 8
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 8
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 8
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 8
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 8
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 7
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 7
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 7
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 7
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 7
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 7
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 6
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 6
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 description 6
- 238000004518 low pressure chemical vapour deposition Methods 0.000 description 6
- 230000015654 memory Effects 0.000 description 6
- 239000012788 optical film Substances 0.000 description 6
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 6
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 6
- 238000005070 sampling Methods 0.000 description 6
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 6
- 229910017073 AlLi Inorganic materials 0.000 description 5
- PIGFYZPCRLYGLF-UHFFFAOYSA-N Aluminum nitride Chemical compound [Al]#N PIGFYZPCRLYGLF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910017911 MgIn Inorganic materials 0.000 description 5
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 5
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 5
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 5
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 5
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 5
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 5
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 5
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 5
- 239000012299 nitrogen atmosphere Substances 0.000 description 5
- AHLBNYSZXLDEJQ-FWEHEUNISA-N orlistat Chemical compound CCCCCCCCCCC[C@H](OC(=O)[C@H](CC(C)C)NC=O)C[C@@H]1OC(=O)[C@H]1CCCCCC AHLBNYSZXLDEJQ-FWEHEUNISA-N 0.000 description 5
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 5
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 5
- LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N silicon monoxide Chemical compound [Si-]#[O+] LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 230000005236 sound signal Effects 0.000 description 5
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 5
- 229910004261 CaF 2 Inorganic materials 0.000 description 4
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 4
- 239000000872 buffer Substances 0.000 description 4
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 4
- 150000004696 coordination complex Chemical class 0.000 description 4
- 229910052743 krypton Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000005499 laser crystallization Methods 0.000 description 4
- 230000036961 partial effect Effects 0.000 description 4
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 4
- 230000002441 reversible effect Effects 0.000 description 4
- 239000000565 sealant Substances 0.000 description 4
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 4
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 4
- UOCMXZLNHQBBOS-UHFFFAOYSA-N 2-(1,3-benzoxazol-2-yl)phenol zinc Chemical compound [Zn].Oc1ccccc1-c1nc2ccccc2o1.Oc1ccccc1-c1nc2ccccc2o1 UOCMXZLNHQBBOS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 3
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 3
- UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N Benzene Chemical group C1=CC=CC=C1 UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000008859 change Effects 0.000 description 3
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 3
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 3
- 230000009977 dual effect Effects 0.000 description 3
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 3
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 3
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052754 neon Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000003071 parasitic effect Effects 0.000 description 3
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 3
- 229910021332 silicide Inorganic materials 0.000 description 3
- FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N silicide(4-) Chemical compound [Si-4] FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052724 xenon Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 3
- IYZMXHQDXZKNCY-UHFFFAOYSA-N 1-n,1-n-diphenyl-4-n,4-n-bis[4-(n-phenylanilino)phenyl]benzene-1,4-diamine Chemical compound C1=CC=CC=C1N(C=1C=CC(=CC=1)N(C=1C=CC(=CC=1)N(C=1C=CC=CC=1)C=1C=CC=CC=1)C=1C=CC(=CC=1)N(C=1C=CC=CC=1)C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 IYZMXHQDXZKNCY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- DHDHJYNTEFLIHY-UHFFFAOYSA-N 4,7-diphenyl-1,10-phenanthroline Chemical compound C1=CC=CC=C1C1=CC=NC2=C1C=CC1=C(C=3C=CC=CC=3)C=CN=C21 DHDHJYNTEFLIHY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052779 Neodymium Inorganic materials 0.000 description 2
- GQPLMRYTRLFLPF-UHFFFAOYSA-N Nitrous Oxide Chemical compound [O-][N+]#N GQPLMRYTRLFLPF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920001609 Poly(3,4-ethylenedioxythiophene) Polymers 0.000 description 2
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000007983 Tris buffer Substances 0.000 description 2
- 238000009825 accumulation Methods 0.000 description 2
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N acrylic acid group Chemical group C(C=C)(=O)O NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- UBSJOWMHLJZVDJ-UHFFFAOYSA-N aluminum neodymium Chemical compound [Al].[Nd] UBSJOWMHLJZVDJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 2
- UFVXQDWNSAGPHN-UHFFFAOYSA-K bis[(2-methylquinolin-8-yl)oxy]-(4-phenylphenoxy)alumane Chemical compound [Al+3].C1=CC=C([O-])C2=NC(C)=CC=C21.C1=CC=C([O-])C2=NC(C)=CC=C21.C1=CC([O-])=CC=C1C1=CC=CC=C1 UFVXQDWNSAGPHN-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 2
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 2
- XJHCXCQVJFPJIK-UHFFFAOYSA-M caesium fluoride Chemical compound [F-].[Cs+] XJHCXCQVJFPJIK-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 239000002041 carbon nanotube Substances 0.000 description 2
- 229910021393 carbon nanotube Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 2
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 2
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 2
- 239000000284 extract Substances 0.000 description 2
- 239000011152 fibreglass Substances 0.000 description 2
- 238000007667 floating Methods 0.000 description 2
- 239000007850 fluorescent dye Substances 0.000 description 2
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000002484 inorganic compounds Chemical class 0.000 description 2
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 2
- PQXKHYXIUOZZFA-UHFFFAOYSA-M lithium fluoride Chemical compound [Li+].[F-] PQXKHYXIUOZZFA-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 2
- IBHBKWKFFTZAHE-UHFFFAOYSA-N n-[4-[4-(n-naphthalen-1-ylanilino)phenyl]phenyl]-n-phenylnaphthalen-1-amine Chemical group C1=CC=CC=C1N(C=1C2=CC=CC=C2C=CC=1)C1=CC=C(C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC=CC=2)C=2C3=CC=CC=C3C=CC=2)C=C1 IBHBKWKFFTZAHE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QEFYFXOXNSNQGX-UHFFFAOYSA-N neodymium atom Chemical compound [Nd] QEFYFXOXNSNQGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000010955 niobium Substances 0.000 description 2
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 2
- 229920002620 polyvinyl fluoride Polymers 0.000 description 2
- 230000004044 response Effects 0.000 description 2
- 239000003566 sealing material Substances 0.000 description 2
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 2
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 2
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 2
- POILWHVDKZOXJZ-ARJAWSKDSA-M (z)-4-oxopent-2-en-2-olate Chemical compound C\C([O-])=C\C(C)=O POILWHVDKZOXJZ-ARJAWSKDSA-M 0.000 description 1
- UHXOHPVVEHBKKT-UHFFFAOYSA-N 1-(2,2-diphenylethenyl)-4-[4-(2,2-diphenylethenyl)phenyl]benzene Chemical group C=1C=C(C=2C=CC(C=C(C=3C=CC=CC=3)C=3C=CC=CC=3)=CC=2)C=CC=1C=C(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 UHXOHPVVEHBKKT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VFMUXPQZKOKPOF-UHFFFAOYSA-N 2,3,7,8,12,13,17,18-octaethyl-21,23-dihydroporphyrin platinum Chemical compound [Pt].CCc1c(CC)c2cc3[nH]c(cc4nc(cc5[nH]c(cc1n2)c(CC)c5CC)c(CC)c4CC)c(CC)c3CC VFMUXPQZKOKPOF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FQJQNLKWTRGIEB-UHFFFAOYSA-N 2-(4-tert-butylphenyl)-5-[3-[5-(4-tert-butylphenyl)-1,3,4-oxadiazol-2-yl]phenyl]-1,3,4-oxadiazole Chemical compound C1=CC(C(C)(C)C)=CC=C1C1=NN=C(C=2C=C(C=CC=2)C=2OC(=NN=2)C=2C=CC(=CC=2)C(C)(C)C)O1 FQJQNLKWTRGIEB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YLYPIBBGWLKELC-RMKNXTFCSA-N 2-[2-[(e)-2-[4-(dimethylamino)phenyl]ethenyl]-6-methylpyran-4-ylidene]propanedinitrile Chemical compound C1=CC(N(C)C)=CC=C1\C=C\C1=CC(=C(C#N)C#N)C=C(C)O1 YLYPIBBGWLKELC-RMKNXTFCSA-N 0.000 description 1
- PZLZJGZGJHZQAU-UHFFFAOYSA-N 3-(4-tert-butylphenyl)-4-(4-ethylphenyl)-5-(4-phenylphenyl)-1,2,4-triazole Chemical compound C1=CC(CC)=CC=C1N1C(C=2C=CC(=CC=2)C(C)(C)C)=NN=C1C1=CC=C(C=2C=CC=CC=2)C=C1 PZLZJGZGJHZQAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OGGKVJMNFFSDEV-UHFFFAOYSA-N 3-methyl-n-[4-[4-(n-(3-methylphenyl)anilino)phenyl]phenyl]-n-phenylaniline Chemical group CC1=CC=CC(N(C=2C=CC=CC=2)C=2C=CC(=CC=2)C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC=CC=2)C=2C=C(C)C=CC=2)=C1 OGGKVJMNFFSDEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920002799 BoPET Polymers 0.000 description 1
- 229920000298 Cellophane Polymers 0.000 description 1
- 241000284156 Clerodendrum quadriloculare Species 0.000 description 1
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 1
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N Lithium Chemical compound [Li] WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910019015 Mg-Ag Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000005041 Mylar™ Substances 0.000 description 1
- 229910000583 Nd alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- ZCQWOFVYLHDMMC-UHFFFAOYSA-N Oxazole Chemical compound C1=COC=N1 ZCQWOFVYLHDMMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 1
- 229910000577 Silicon-germanium Inorganic materials 0.000 description 1
- FZWLAAWBMGSTSO-UHFFFAOYSA-N Thiazole Chemical compound C1=CSC=N1 FZWLAAWBMGSTSO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LEVVHYCKPQWKOP-UHFFFAOYSA-N [Si].[Ge] Chemical compound [Si].[Ge] LEVVHYCKPQWKOP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CUJRVFIICFDLGR-UHFFFAOYSA-N acetylacetonate Chemical compound CC(=O)[CH-]C(C)=O CUJRVFIICFDLGR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000009471 action Effects 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 229910052783 alkali metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000272 alkali metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001340 alkali metals Chemical class 0.000 description 1
- CSDREXVUYHZDNP-UHFFFAOYSA-N alumanylidynesilicon Chemical compound [Al].[Si] CSDREXVUYHZDNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000004982 aromatic amines Chemical class 0.000 description 1
- 229910052785 arsenic Inorganic materials 0.000 description 1
- RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N arsenic atom Chemical compound [As] RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GPBUGPUPKAGMDK-UHFFFAOYSA-N azanylidynemolybdenum Chemical compound [Mo]#N GPBUGPUPKAGMDK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000006399 behavior Effects 0.000 description 1
- WZJYKHNJTSNBHV-UHFFFAOYSA-N benzo[h]quinoline Chemical group C1=CN=C2C3=CC=CC=C3C=CC2=C1 WZJYKHNJTSNBHV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GQVWHWAWLPCBHB-UHFFFAOYSA-L beryllium;benzo[h]quinolin-10-olate Chemical compound [Be+2].C1=CC=NC2=C3C([O-])=CC=CC3=CC=C21.C1=CC=NC2=C3C([O-])=CC=CC3=CC=C21 GQVWHWAWLPCBHB-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 1
- XZCJVWCMJYNSQO-UHFFFAOYSA-N butyl pbd Chemical compound C1=CC(C(C)(C)C)=CC=C1C1=NN=C(C=2C=CC(=CC=2)C=2C=CC=CC=2)O1 XZCJVWCMJYNSQO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WUKWITHWXAAZEY-UHFFFAOYSA-L calcium difluoride Chemical compound [F-].[F-].[Ca+2] WUKWITHWXAAZEY-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 229910001634 calcium fluoride Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000001413 cellular effect Effects 0.000 description 1
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 description 1
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 1
- 229920001940 conductive polymer Polymers 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- XCJYREBRNVKWGJ-UHFFFAOYSA-N copper(II) phthalocyanine Chemical compound [Cu+2].C12=CC=CC=C2C(N=C2[N-]C(C3=CC=CC=C32)=N2)=NC1=NC([C]1C=CC=CC1=1)=NC=1N=C1[C]3C=CC=CC3=C2[N-]1 XCJYREBRNVKWGJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 1
- 230000005281 excited state Effects 0.000 description 1
- 239000011888 foil Substances 0.000 description 1
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 description 1
- RBTKNAXYKSUFRK-UHFFFAOYSA-N heliogen blue Chemical compound [Cu].[N-]1C2=C(C=CC=C3)C3=C1N=C([N-]1)C3=CC=CC=C3C1=NC([N-]1)=C(C=CC=C3)C3=C1N=C([N-]1)C3=CC=CC=C3C1=N2 RBTKNAXYKSUFRK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000002431 hydrogen Chemical class 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 229910052741 iridium Inorganic materials 0.000 description 1
- GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N iridium atom Chemical compound [Ir] GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UEEXRMUCXBPYOV-UHFFFAOYSA-N iridium;2-phenylpyridine Chemical compound [Ir].C1=CC=CC=C1C1=CC=CC=N1.C1=CC=CC=C1C1=CC=CC=N1.C1=CC=CC=C1C1=CC=CC=N1 UEEXRMUCXBPYOV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002346 layers by function Substances 0.000 description 1
- 239000003446 ligand Substances 0.000 description 1
- FUJCRWPEOMXPAD-UHFFFAOYSA-N lithium oxide Chemical compound [Li+].[Li+].[O-2] FUJCRWPEOMXPAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001947 lithium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000000040 m-tolyl group Chemical group [H]C1=C([H])C(*)=C([H])C(=C1[H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 1
- SJCKRGFTWFGHGZ-UHFFFAOYSA-N magnesium silver Chemical compound [Mg].[Ag] SJCKRGFTWFGHGZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001507 metal halide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000005309 metal halides Chemical class 0.000 description 1
- GALOTNBSUVEISR-UHFFFAOYSA-N molybdenum;silicon Chemical compound [Mo]#[Si] GALOTNBSUVEISR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- DCZNSJVFOQPSRV-UHFFFAOYSA-N n,n-diphenyl-4-[4-(n-phenylanilino)phenyl]aniline Chemical group C1=CC=CC=C1N(C=1C=CC(=CC=1)C=1C=CC(=CC=1)N(C=1C=CC=CC=1)C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 DCZNSJVFOQPSRV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- RUFLMLWJRZAWLJ-UHFFFAOYSA-N nickel silicide Chemical compound [Ni]=[Si]=[Ni] RUFLMLWJRZAWLJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910021334 nickel silicide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 description 1
- GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N niobium atom Chemical compound [Nb] GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910017464 nitrogen compound Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002830 nitrogen compounds Chemical class 0.000 description 1
- 229960001730 nitrous oxide Drugs 0.000 description 1
- 235000013842 nitrous oxide Nutrition 0.000 description 1
- 150000004866 oxadiazoles Chemical class 0.000 description 1
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 description 1
- 150000005041 phenanthrolines Chemical class 0.000 description 1
- IEQIEDJGQAUEQZ-UHFFFAOYSA-N phthalocyanine Chemical compound N1C(N=C2C3=CC=CC=C3C(N=C3C4=CC=CC=C4C(=N4)N3)=N2)=C(C=CC=C2)C2=C1N=C1C2=CC=CC=C2C4=N1 IEQIEDJGQAUEQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920000172 poly(styrenesulfonic acid) Polymers 0.000 description 1
- 229920000767 polyaniline Polymers 0.000 description 1
- 229920000728 polyester Polymers 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 229940005642 polystyrene sulfonic acid Drugs 0.000 description 1
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 1
- 125000002943 quinolinyl group Chemical group N1=C(C=CC2=CC=CC=C12)* 0.000 description 1
- 238000005215 recombination Methods 0.000 description 1
- 230000006798 recombination Effects 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 230000000717 retained effect Effects 0.000 description 1
- 229910052706 scandium Inorganic materials 0.000 description 1
- SIXSYDAISGFNSX-UHFFFAOYSA-N scandium atom Chemical compound [Sc] SIXSYDAISGFNSX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000003377 silicon compounds Chemical class 0.000 description 1
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 1
- 239000004575 stone Substances 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 1
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MZLGASXMSKOWSE-UHFFFAOYSA-N tantalum nitride Chemical compound [Ta]#N MZLGASXMSKOWSE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JBQYATWDVHIOAR-UHFFFAOYSA-N tellanylidenegermanium Chemical compound [Te]=[Ge] JBQYATWDVHIOAR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- TVIVIEFSHFOWTE-UHFFFAOYSA-K tri(quinolin-8-yloxy)alumane Chemical compound [Al+3].C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1.C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1.C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1 TVIVIEFSHFOWTE-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
- 238000003079 width control Methods 0.000 description 1
- OYQCBJZGELKKPM-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[Zn+2].[O-2].[In+3] OYQCBJZGELKKPM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GWDUZCIBPDVBJM-UHFFFAOYSA-L zinc;2-(2-hydroxyphenyl)-3h-1,3-benzothiazole-2-carboxylate Chemical compound [Zn+2].OC1=CC=CC=C1C1(C([O-])=O)SC2=CC=CC=C2N1.OC1=CC=CC=C1C1(C([O-])=O)SC2=CC=CC=C2N1 GWDUZCIBPDVBJM-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- QEPMORHSGFRDLW-UHFFFAOYSA-L zinc;2-(2-hydroxyphenyl)-3h-1,3-benzoxazole-2-carboxylate Chemical compound [Zn+2].OC1=CC=CC=C1C1(C([O-])=O)OC2=CC=CC=C2N1.OC1=CC=CC=C1C1(C([O-])=O)OC2=CC=CC=C2N1 QEPMORHSGFRDLW-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
- G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
- G09G2300/00—Aspects of the constitution of display devices
- G09G2300/08—Active matrix structure, i.e. with use of active elements, inclusive of non-linear two terminal elements, in the pixels together with light emitting or modulating elements
- G09G2300/0809—Several active elements per pixel in active matrix panels
- G09G2300/0842—Several active elements per pixel in active matrix panels forming a memory circuit, e.g. a dynamic memory with one capacitor
- G09G2300/0852—Several active elements per pixel in active matrix panels forming a memory circuit, e.g. a dynamic memory with one capacitor being a dynamic memory with more than one capacitor
Description
まず、本実施形態の表示装置における画素回路の基本的構成について、図1を用いて説明する。
なお、発光素子として、EL素子を例に挙げて説明する。
実施の形態1では、第1及び第2の保持容量を並列に接続したが、直列に接続してもよい。そこで、本実施形態では、第1及び第2の保持容量を直列に接続した場合について説明する。本実施形態の表示装置における画素回路の基本的構成について、図17を用いて説明する。なお、発光素子として、EL素子を例に挙げて説明する。
本実施形態では、表示装置における信号線駆動回路や走査線駆動回路などの構成とその動作について説明する。
本実施形態では、本発明の表示装置に用いる表示パネルについて図79などを用いて説明する。なお、図79(A)は、表示パネルを示す上面図、図79(B)は図79(A)をA−A’で切断した断面図である。点線で示された信号線駆動回路7901、画素部7902、第1の走査線駆動回路7903、第2の走査線駆動回路7906を有する。また、封止基板7904、シール材7905を有し、シール材7905で囲まれた内側は、空間7907になっている。
本実施形態では、トランジスタを始めとする半導体装置を作製する方法として、プラズマ処理を用いて半導体装置を作製する方法について説明する。
本実施形態では、本発明の表示装置の駆動を制御するハードウェアについて述べる。
本実施形態では、本発明の表示装置を用いたELモジュール及びELテレビ受像機の構成例について説明する。
本発明の表示装置を用いた電子機器として、ビデオカメラ、デジタルカメラ等のカメラ、ゴーグル型ディスプレイ(ヘッドマウントディスプレイ)、ナビゲーションシステム、音響再生装置(カーオーディオ、オーディオコンポ等)、パーソナルコンピュータ、ゲーム機器、携帯情報端末(モバイルコンピュータ、携帯電話、携帯型ゲーム機、電子書籍等)、記憶媒体を備えた画像再生装置(具体的にはDigital Versatile Disc(DVD)等の記憶媒体を再生し、その画像を表示しうるディスプレイを備えた装置)等が挙げられる。それらの電子機器の具体例を図47に示す。
本実施形態では、本発明の表示装置における画素のレイアウトについて述べる。例えば、図1に示した画素回路について、そのレイアウト図を図86に示す。なお、図86に付した番号は、図1に付した番号と一致する。なお、レイアウト図は、図86に限定されない。
Claims (10)
- 発光素子と、第1乃至第5のトランジスタと、第1及び第2の保持容量と、信号線と、第1乃至第4の走査線と、第1及び第2の電源線と、容量線とを有し、
前記第1のトランジスタのゲート電極は、前記第2のトランジスタの第1の電極、前記第4のトランジスタの第2の電極、及び前記第1の保持容量の第1の電極と電気的に接続され、前記第1のトランジスタの第1の電極は、前記第1の電源線と電気的に接続され、前記第1のトランジスタの第2の電極は、前記第4のトランジスタの第1の電極及び前記第5のトランジスタの第1の電極と電気的に接続され、
前記第2のトランジスタのゲート電極は、前記第1の走査線と電気的に接続され、前記第2のトランジスタの第2の電極は、前記信号線と電気的に接続され、
前記第3のトランジスタのゲート電極は、前記第2の走査線と電気的に接続され、前記第3のトランジスタの第1の電極は、前記第1の保持容量の第2の電極及び前記第2の保持容量の第1の電極と電気的に接続され、前記第3のトランジスタの第2の電極は、前記容量線と電気的に接続され、
前記第4のトランジスタのゲート電極は、前記第3の走査線と電気的に接続され、
前記第5のトランジスタのゲート電極は、前記第4の走査線と電気的に接続され、前記第5のトランジスタの第2の電極は、前記発光素子の第1の電極と電気的に接続され、
前記第2の保持容量の第2の電極は、前記容量線と電気的に接続され、
前記発光素子の第2の電極は、前記第2の電源線と電気的に接続されていることを特徴とする表示装置。 - 発光素子と、第1乃至第6のトランジスタと、第1及び第2の保持容量と、信号線と、第1乃至第5の走査線と、第1乃至第3の電源線と、容量線とを有し、
前記第1のトランジスタのゲート電極は、前記第2のトランジスタの第1の電極、前記第4のトランジスタの第2の電極、及び前記第1の保持容量の第1の電極と電気的に接続され、前記第1のトランジスタの第1の電極は、前記第1の電源線と電気的に接続され、前記第1のトランジスタの第2の電極は、前記第4のトランジスタの第1の電極、前記第5のトランジスタの第1の電極、及び前記第6のトランジスタの第1の電極と電気的に接続され、
前記第2のトランジスタのゲート電極は、前記第1の走査線と電気的に接続され、前記第2のトランジスタの第2の電極は、前記信号線と電気的に接続され、
前記第3のトランジスタのゲート電極は、前記第2の走査線と電気的に接続され、前記第3のトランジスタの第1の電極は、前記第1の保持容量の第2の電極及び前記第2の保持容量の第1の電極と電気的に接続され、前記第3のトランジスタの第2の電極は、前記容量線と電気的に接続され、
前記第4のトランジスタのゲート電極は、前記第3の走査線と電気的に接続され、
前記第5のトランジスタのゲート電極は、前記第4の走査線と電気的に接続され、前記第5のトランジスタの第2の電極は、前記発光素子の第1の電極と電気的に接続され、
前記第6のトランジスタのゲート電極は、前記第5の走査線と電気的に接続され、前記第6のトランジスタの第2の電極は、前記第3の電源線と電気的に接続され、
前記第2の保持容量の第2の電極は、前記容量線と電気的に接続され、
前記発光素子の第2の電極は、前記第2の電源線と電気的に接続されていることを特徴とする表示装置。 - 発光素子と、第1乃至第4のトランジスタと、第1及び第2の保持容量と、信号線と、第1乃至第3の走査線と、第1及び第2の電源線と、容量線とを有し、
前記第1のトランジスタのゲート電極は、前記第2のトランジスタの第1の電極、前記第4のトランジスタの第2の電極、及び前記第1の保持容量の第1の電極と電気的に接続され、前記第1のトランジスタの第1の電極は、前記第1の電源線と電気的に接続され、前記第1のトランジスタの第2の電極は、前記第4のトランジスタの第1の電極及び前記発光素子の第1の電極と電気的に接続され、
前記第2のトランジスタのゲート電極は、前記第1の走査線と電気的に接続され、前記第2のトランジスタの第2の電極は、前記信号線と電気的に接続され、
前記第3のトランジスタのゲート電極は、前記第2の走査線と電気的に接続され、前記第3のトランジスタの第1の電極は、前記第1の保持容量の第2の電極及び前記第2の保持容量の第1の電極と電気的に接続され、前記第3のトランジスタの第2の電極は、前記容量線と電気的に接続され、
前記第4のトランジスタのゲート電極は、前記第3の走査線と電気的に接続され、
前記第2の保持容量の第2の電極は、前記容量線と電気的に接続され、
前記発光素子の第2の電極は、前記第2の電源線と電気的に接続されていることを特徴とする表示装置。 - 発光素子と、第1乃至第5のトランジスタと、第1及び第2の容量素子と、第1乃至第8の配線と、を有し、
前記第1のトランジスタのゲートは、前記第2のトランジスタの第1の端子に電気的に接続され、
前記第1のトランジスタのゲートは、前記第4のトランジスタの第2の端子に電気的に接続され、
前記第1のトランジスタのゲートは、前記第1の容量素子の第1の端子と電気的に接続され、
前記第1のトランジスタの第1の端子は、前記第6の配線と電気的に接続され、
前記第1のトランジスタの第2の端子は、前記第4のトランジスタの第1の端子と電気的に接続され、
前記第1のトランジスタの第2の端子は、前記第5のトランジスタの第1の端子と電気的に接続され、
前記第2のトランジスタのゲートは、前記第2の配線と電気的に接続され、
前記第2のトランジスタの第2の端子は、前記第1の配線と電気的に接続され、
前記第3のトランジスタのゲートは、前記第3の配線と電気的に接続され、
前記第3のトランジスタの第1の端子は、前記第1の容量素子の第2の端子と電気的に接続され、
前記第3のトランジスタの第1の端子は、前記第2の容量素子の第1の端子と電気的に接続され、
前記第3のトランジスタの第2の端子は、前記第8の配線と電気的に接続され、
前記第4のトランジスタのゲートは、前記第4の配線と電気的に接続され、
前記第5のトランジスタのゲートは、前記第5の配線と電気的に接続され、
前記第5のトランジスタの第2の端子は、前記発光素子の第1の電極と電気的に接続され、
前記第2の容量素子の第2の端子は、前記第8の配線と電気的に接続され、
前記発光素子の第2の電極は、前記第7の配線と電気的に接続されていることを特徴とする表示装置。 - 発光素子と、第1乃至第6のトランジスタと、第1及び第2の容量素子と、第1乃至第10の配線と、を有し、
前記第1のトランジスタのゲートは、前記第2のトランジスタの第1の端子に電気的に接続され、
前記第1のトランジスタのゲートは、前記第4のトランジスタの第2の端子に電気的に接続され、
前記第1のトランジスタのゲートは、前記第1の容量素子の第1の端子と電気的に接続され、
前記第1のトランジスタの第1の端子は、第7の配線と電気的に接続され、
前記第1のトランジスタの第2の端子は、前記第4のトランジスタの第1の端子と電気的に接続され、
前記第1のトランジスタの第2の端子は、前記第5のトランジスタの第1の端子と電気的に接続され、
前記第1のトランジスタの第2の端子は、前記第6のトランジスタの第1の端子と電気的に接続され、
前記第2のトランジスタのゲートは、前記第2の配線と電気的に接続され、
前記第2のトランジスタの第2の端子は、前記第1の配線と電気的に接続され、
前記第3のトランジスタのゲートは、前記第3の配線と電気的に接続され、
前記第3のトランジスタの第1の端子は、前記第1の容量素子の第2の端子と電気的に接続され、
前記第3のトランジスタの第1の端子は、前記第2の容量素子の第1の端子と電気的に接続され、
前記第3のトランジスタの第2の端子は、前記第10の配線と電気的に接続され、
前記第4のトランジスタのゲートは、前記第4の配線と電気的に接続され、
前記第5のトランジスタのゲートは、前記第5の配線と電気的に接続され、
前記第5のトランジスタの第2の端子は、前記発光素子の第1の電極と電気的に接続され、
前記第6のトランジスタのゲートは、前記第6の配線と電気的に接続され、
前記第6のトランジスタの第2の端子は、前記第9の配線と電気的に接続され、
前記第2の容量素子の第2の端子は、前記第10の配線と電気的に接続され、
前記発光素子の第2の電極は、前記第8の配線と電気的に接続されていることを特徴とする表示装置。 - 発光素子と、第1乃至第4のトランジスタと、第1及び第2の容量素子と、第1乃至第7の配線と、を有し、
前記第1のトランジスタのゲートは、前記第2のトランジスタの第1の端子と電気的に接続され、
前記第1のトランジスタのゲートは、前記第4のトランジスタの第2の端子と電気的に接続され、
前記第1のトランジスタのゲートは、前記第1の容量素子の第1の端子と電気的に接続され、
前記第1のトランジスタの第1の端子は、前記第5の配線と電気的に接続され、
前記第1のトランジスタの第2の端子は、前記第4のトランジスタの第1の端子と電気的に接続され、
前記第1のトランジスタの第2の端子は、前記発光素子の第1の電極と電気的に接続され、
前記第2のトランジスタのゲートは、前記第2の配線と電気的に接続され、
前記第2のトランジスタの第2の端子は、前記第1の配線と電気的に接続され、
前記第3のトランジスタのゲートは、前記第3の配線と電気的に接続され、
前記第3のトランジスタの第1の端子は、前記第1の容量素子の第2の端子と電気的に接続され、
前記第3のトランジスタの第1の端子は、前記第2の容量素子の第1の端子と電気的に接続され、
前記第3のトランジスタの第2の端子は、前記第7の配線と電気的に接続され、
前記第4のトランジスタのゲートは、前記第4の配線と電気的に接続され、
前記第2の容量素子の第2の端子は、前記第7の配線と電気的に接続され、
前記発光素子の第2の電極は、前記第6の配線と電気的に接続されていることを特徴とする表示装置。 - 請求項1、2、4、又は5のいずれか一項において、
前記第4のトランジスタと、前記第5のトランジスタとが、互いに異なる導電形式であることを特徴とする表示装置。 - 請求項1乃至7のいずれか一項において、
前記第2のトランジスタと、前記第3のトランジスタとが、互いに異なる導電形式であることを特徴とする表示装置。 - 請求項1乃至8のいずれか一項に記載の表示装置と、前記表示装置に電気的に接続されたFPCとを有するモジュール。
- 請求項1乃至8のいずれか一項に記載の表示装置又は請求項9に記載のモジュールを有する電子機器。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006250691A JP5057731B2 (ja) | 2005-09-16 | 2006-09-15 | 表示装置、モジュール、及び電子機器 |
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005269654 | 2005-09-16 | ||
JP2005269654 | 2005-09-16 | ||
JP2006250691A JP5057731B2 (ja) | 2005-09-16 | 2006-09-15 | 表示装置、モジュール、及び電子機器 |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2012105550A Division JP2012190032A (ja) | 2005-09-16 | 2012-05-04 | 表示装置、モジュール、電子機器、及び表示装置の駆動方法 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2007108733A JP2007108733A (ja) | 2007-04-26 |
JP2007108733A5 JP2007108733A5 (ja) | 2009-10-01 |
JP5057731B2 true JP5057731B2 (ja) | 2012-10-24 |
Family
ID=38034598
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2006250691A Expired - Fee Related JP5057731B2 (ja) | 2005-09-16 | 2006-09-15 | 表示装置、モジュール、及び電子機器 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5057731B2 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2014067039A (ja) * | 2005-09-16 | 2014-04-17 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 表示装置 |
Families Citing this family (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101197768B1 (ko) * | 2006-05-18 | 2012-11-06 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기전계발광표시장치의 화소 회로 |
EP1995818A1 (en) * | 2007-05-12 | 2008-11-26 | Huettinger Electronic Sp. z o. o | Circuit and method for reducing electrical energy stored in a lead inductance for fast extinction of plasma arcs |
US8354674B2 (en) * | 2007-06-29 | 2013-01-15 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device wherein a property of a first semiconductor layer is different from a property of a second semiconductor layer |
US8786793B2 (en) * | 2007-07-27 | 2014-07-22 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device and manufacturing method thereof |
JP5575475B2 (ja) * | 2007-12-19 | 2014-08-20 | パナソニック株式会社 | アクティブマトリクス型表示装置 |
US9047815B2 (en) | 2009-02-27 | 2015-06-02 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for driving semiconductor device |
JP5642447B2 (ja) * | 2009-08-07 | 2014-12-17 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
KR20130043063A (ko) | 2011-10-19 | 2013-04-29 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 및 반도체 장치의 제작 방법 |
JP5494684B2 (ja) * | 2012-01-20 | 2014-05-21 | セイコーエプソン株式会社 | 電子回路の駆動方法 |
CN103198794B (zh) | 2013-03-29 | 2015-12-02 | 京东方科技集团股份有限公司 | 像素电路及其驱动方法、有机发光显示面板及显示装置 |
JP6613116B2 (ja) * | 2014-12-02 | 2019-11-27 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置、及び半導体装置の作製方法 |
Family Cites Families (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3832415B2 (ja) * | 2002-10-11 | 2006-10-11 | ソニー株式会社 | アクティブマトリクス型表示装置 |
KR100490622B1 (ko) * | 2003-01-21 | 2005-05-17 | 삼성에스디아이 주식회사 | 유기 전계발광 표시장치 및 그 구동방법과 픽셀회로 |
JP4197287B2 (ja) * | 2003-03-28 | 2008-12-17 | シャープ株式会社 | 表示装置 |
KR100497246B1 (ko) * | 2003-04-01 | 2005-06-23 | 삼성에스디아이 주식회사 | 발광 표시 장치 및 그 표시 패널과 구동 방법 |
KR100502912B1 (ko) * | 2003-04-01 | 2005-07-21 | 삼성에스디아이 주식회사 | 발광 표시 장치 및 그 표시 패널과 구동 방법 |
KR100560780B1 (ko) * | 2003-07-07 | 2006-03-13 | 삼성에스디아이 주식회사 | 유기전계 발광표시장치의 화소회로 및 그의 구동방법 |
JP5162807B2 (ja) * | 2003-08-29 | 2013-03-13 | セイコーエプソン株式会社 | 電気光学装置及び電子機器 |
-
2006
- 2006-09-15 JP JP2006250691A patent/JP5057731B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2014067039A (ja) * | 2005-09-16 | 2014-04-17 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 表示装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2007108733A (ja) | 2007-04-26 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US10903244B2 (en) | Semiconductor device, display device, and electronic appliance | |
KR101278205B1 (ko) | 표시 장치 및 표시 장치의 구동방법 | |
JP5057731B2 (ja) | 表示装置、モジュール、及び電子機器 | |
JP5779670B2 (ja) | 半導体装置及び表示装置 | |
JP5917649B2 (ja) | 半導体装置、表示モジュール、及び電子機器 | |
US8477085B2 (en) | Semiconductor device and driving method thereof | |
JP5656321B2 (ja) | 半導体装置、表示装置、表示モジュール及び電子機器 | |
JP4999351B2 (ja) | 半導体装置及び表示装置 | |
JP2016042195A (ja) | 表示装置 | |
JP2019061286A (ja) | 表示装置 | |
JP2023162276A (ja) | 表示装置 | |
JP2019066896A (ja) | 半導体装置 | |
JP2017187798A (ja) | 表示装置 | |
JP2015007790A (ja) | 表示装置 | |
JP2014002417A (ja) | 半導体装置、表示装置、表示モジュール及び電子機器 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20090817 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20090817 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20120227 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20120313 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20120504 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20120529 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20120705 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20120724 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20120731 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20150810 Year of fee payment: 3 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5057731 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20150810 Year of fee payment: 3 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |