CN1750262A - 功率放大器模块 - Google Patents

功率放大器模块 Download PDF

Info

Publication number
CN1750262A
CN1750262A CNA2005100921587A CN200510092158A CN1750262A CN 1750262 A CN1750262 A CN 1750262A CN A2005100921587 A CNA2005100921587 A CN A2005100921587A CN 200510092158 A CN200510092158 A CN 200510092158A CN 1750262 A CN1750262 A CN 1750262A
Authority
CN
China
Prior art keywords
lead terminal
output
circuit
input
semiconductor element
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CNA2005100921587A
Other languages
English (en)
Inventor
宫地正之
长田贞雄
谷内宽直
太田顺道
岩切隆浩
酒谷知孝
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Panasonic Holdings Corp
Original Assignee
Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Matsushita Electric Industrial Co Ltd filed Critical Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Publication of CN1750262A publication Critical patent/CN1750262A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/34—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
    • H01L23/36—Selection of materials, or shaping, to facilitate cooling or heating, e.g. heatsinks
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
    • H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
    • H01L23/495—Lead-frames or other flat leads
    • H01L23/49541—Geometry of the lead-frame
    • H01L23/49562—Geometry of the lead-frame for devices being provided for in H01L29/00
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/58—Structural electrical arrangements for semiconductor devices not otherwise provided for, e.g. in combination with batteries
    • H01L23/64—Impedance arrangements
    • H01L23/66—High-frequency adaptations
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
    • H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
    • H01L25/07—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L29/00
    • H01L25/072—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L29/00 the devices being arranged next to each other
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/22—Secondary treatment of printed circuits
    • H05K3/28—Applying non-metallic protective coatings
    • H05K3/284—Applying non-metallic protective coatings for encapsulating mounted components
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2223/00—Details relating to semiconductor or other solid state devices covered by the group H01L23/00
    • H01L2223/58—Structural electrical arrangements for semiconductor devices not otherwise provided for
    • H01L2223/64—Impedance arrangements
    • H01L2223/66—High-frequency adaptations
    • H01L2223/6644—Packaging aspects of high-frequency amplifiers
    • H01L2223/665—Bias feed arrangements
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/45001—Core members of the connector
    • H01L2224/45099—Material
    • H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805—Shape
    • H01L2224/4809—Loop shape
    • H01L2224/48091—Arched
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/49—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
    • H01L2224/491—Disposition
    • H01L2224/4912—Layout
    • H01L2224/49171—Fan-out arrangements
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/49—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
    • H01L2224/491—Disposition
    • H01L2224/4912—Layout
    • H01L2224/49175—Parallel arrangements
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L24/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L24/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L24/49—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/19—Details of hybrid assemblies other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/1901—Structure
    • H01L2924/1904—Component type
    • H01L2924/19041—Component type being a capacitor
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/19—Details of hybrid assemblies other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/191—Disposition
    • H01L2924/19101—Disposition of discrete passive components
    • H01L2924/19107—Disposition of discrete passive components off-chip wires
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/30—Technical effects
    • H01L2924/301—Electrical effects
    • H01L2924/3011—Impedance
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/0058—Laminating printed circuit boards onto other substrates, e.g. metallic substrates
    • H05K3/0061—Laminating printed circuit boards onto other substrates, e.g. metallic substrates onto a metallic substrate, e.g. a heat sink

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Amplifiers (AREA)
  • Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)

Abstract

本发明公开了一种功率放大器模块。半导体装置包括：由输入引线端子(3)、输出引线端子(4)及高频接地引线端子(25)构成的多个外部连接引线端子(2)，连接在高频接地引线端子(25)上的散热板(5)，安装在散热板(5)上的半导体元件(1a)、半导体元件(1b)及电路基板(7)，以及密封半导体元件(1a)、半导体元件(1b)及电路基板(7)，密封散热板(5)而使该散热板(5)的背面至少有一部分露出的模制树脂(32)；放大输入到输入引线端子(3)的信号，再从输出引线端子(4)输出。因此，能提供特性稳定、小型而且能使制造成本下降的功率放大器模块。

Description

功率放大器模块
技术领域
本发明涉及一种功率放大器模块，尤其涉及一种用于安装在移动通信机器基地站的发信功率放大器等中的功率放大器模块。
背景技术
使用功率放大器模块作为构成安装在移动通信机器基地站的发信功率放大器的元件。图12是显示安装在移动通信机器基地站的发信功率放大器的电路结构之一例的图。图10(a)是显示现有功率放大器模块的外形之一例的立体图。图10(b)是显示图10(a)所示的现有功率放大器模块中除去金属盖的结构之一例的图。图11是显示现有功率放大器模块之一例的电路图。
如图12所示，安装在基地站的发信功率放大器，是使例如三级左右的输出功率不同的放大器串联而构成的。例如，现有发信功率放大器包括：连接在输入端子上的初级功率放大器125、放大初级功率放大器125的输出的中级功率放大器126及放大中级功率放大器126的输出的最后一级功率放大器127。
在图12所示的现有发信功率放大器中使用的是，从初级、中级到最后一级功率一个比一个大的元件。功率放大器模块，用于初级功率放大器125等需要的饱和输出低于等于30W的部分的情况很多。现在，使用300MHz到3000MHz带内的频率作为移动通信机器的频率，随着移动通信机器的高频化，需要功率放大器模块高频工作。
参照图10(a)、图10(b)说明现有功率放大器模块的结构。
在现有功率放大器模块中，把安装了电阻、电容器等无源器件的电路基板107焊接在散热板105上，往外部突出的外部连接引线端子102安装在电路基板107的配线图案上。封装了的半导体元件114a、半导体元件114b直接焊接在散热板105上。该半导体元件114a、半导体元件114b，连接在电路基板107上的配线图案上。该功率放大器模块中，安装了覆盖电路基板107上面的金属盖115，使该金属盖115嵌入在散热板105中。在金属盖115和散热板105中设有为了用螺钉连接在外部的散热器等上的凹部130。散热板105，起到把在封装的半导体元件114a、半导体元件114b中产生的热散热，使该半导体元件114a和半导体元件114b高频接地的作用。
接着，说明现有功率放大器模块的电路结构。
在图11中，输入电路部110、级间电路部112及输出电路部111由电路基板107构成。
输入电路部110，由封装(树脂密封)了的第一半导体元件114a的输入匹配电路116和输入偏置电路117构成。输出电路部111，由封装了的第二半导体元件114b的输出匹配电路123和输出偏置电路124构成。级间电路部112，由第一半导体元件114a的输出匹配电路118和输出偏置电路119、第二半导体元件114b的输入匹配电路121和输入偏置电路122、以及设在输出匹配电路118和输入匹配电路121间的直流阻挡电路120构成。一般使用电容器作为直流阻挡电路120。一般来说，在输入偏置电路和输出偏置电路中的各个电路中，在离与主电路(各匹配电路)的连接点有1/4波长远的配线图案上安装其一端已高频接地的电容器，以便从信号通过的主电路一侧看到偏置电路一侧的阻抗为无限大。
补充说明一下，不限于功率放大器模块，如果高频接地不稳定，功率放大器有时就会振动。特别是在现有功率放大器模块中，根据散热板105和金属盖115的接触情况，高频接地会不稳定。
对于这种高频接地的不稳定性，在日本公开专利公报特开2003-347444号公报上所记载的功率放大器模块中，在散热板105的边缘的一部分设有连接器件，在金属盖115侧面部的一部分设有孔部，连接器件与孔部连接，使散热板105和金属盖115焊接起来，实现了很高的稳定性。
《专利文献1》日本公开专利公报特开2003-347444号公报
然而，记载在专利文献1上的功率放大器模块有可能是这样的，通过焊接使散热板105和金属盖115焊在一起的时候，把电阻、电容器等固定在电路基板107上的焊锡融解，电路基板107的配线图案和这些无源器件的连接就解除了。
在现有功率放大器模块的结构中，图10(a)所示的外部连接引线端子102和金属盖115间形成了开口部131，从而有金属异物通过该开口部131插入，因电气短路而破坏功率放大器模块的可能性。再说，如果开口部131的大小一样，频率一高，从开口部131发出去的无用辐射级就高，这也是一个问题。
还有这样的问题，因为散热板105、金属盖115等的材料费和加工费用很高，制造工序又很复杂，所以成本很高。
发明内容
本发明正是为解决这些问题而研究开发出来的。其目的在于：以低价格提供一种具有稳定的高频特性的功率放大器模块。
本发明的功率放大器模块，包括：由输入引线端子、输出引线端子及高频接地引线端子构成的多个外部连接引线端子，连接在所述高频接地引线端子上的散热板，安装在所述散热板上的半导体元件和电路基板，以及密封所述半导体元件和所述电路基板，密封所述散热板至少使其背面的一部分露出的模制树脂；放大输入到所述输入引线端子的信号，再从所述输出引线端子输出。
在该功率放大器模块中，因为用树脂密封半导体元件和电路基板这一做法来代替把金属盖盖在电路部分，所以与现有功率放大器模块相比更稳定地确保高频接地。不但能减少加工费，而且能尺寸越小，材料费越低。再说，因为模块本身不形成开口部，所以来自外部的无用物不会混入，与现有技术相比，还能使可靠性提高。
在所述散热板上安装有多个所述半导体元件，这样就能适当地调整各个半导体元件的输出功率，从而有效地放大输入信号。
所述多个半导体元件中的至少两个或两个以上的半导体元件形成在同一个芯片上，这样就能使芯片的电气特性的偏差比半导体元件设在相互不同的芯片上的情况小，从而能很容易进行电路的调整。
也可以是这样的，为大于等于2的整数的N个所述半导体元件在所述散热板上串联，还包括：设在所述电路基板上、连接在所述输入引线端子上、向所述半导体元件中的第一半导体元件输出信号的输入电路部，与设在所述电路基板上、设在所述N个半导体元件之间的N-1个级间电路部，以及接收所述N个半导体元件中由第N个所述半导体元件输出的信号、设在所述电路基板上、连接在所述输出引线端子上的输出电路部。
也可以是这样的，所述输入电路部包括：连接在所述输入引线端子上、向所述N个半导体元件中的第一半导体元件输出信号的第一输入匹配电路和连接在所述第一输入匹配电路上的第一输入偏置电路；所述级间电路部中的每一个级间电路部包括：接收前一级的所述N个半导体元件的各个元件的输出的第一输出匹配电路，连接在所述第一输出匹配电路上的第一输出偏置电路，向后一级的所述N个半导体元件中的各个元件输出信号的第二输入匹配电路，连接在所述第二输入匹配电路上的第二输入偏置电路，以及设在所述第一输出匹配电路和所述第二输入匹配电路间的直流阻挡电路；所述输出电路部包括：接收所述N个半导体元件中由第N个半导体元件输出了的信号、连接在所述输出引线端子上的第二输出匹配电路和连接在所述第二输出匹配电路上的第二输出偏置电路。
在所述第一输入偏置电路、所述第二输入偏置电路、所述第一输出偏置电路以及所述第二输出偏置电路中都未设有电容器，就能使模块的尺寸比现有技术下的还小。在这种情况下，电容器设在功率放大器模块的外部偏置电路上。
也可以是这样的，所述第一输入偏置电路、所述第一输出偏置电路、所述第二输入偏置电路以及所述第二输出偏置电路，分别连接在除了所述输入引线端子、所述输出引线端子以及所述高频接地引线端子以外的所述多个外部连接引线端子上。
离所述输出引线端子越近，所述N个半导体元件的各个元件的输出功率越大，若这样功率便阶段地放大。因此能使功率增益大一些。
所述输入电路部同时起到调整输入阻抗的作用和供给电压的作用，连接在一条所述输入引线端子上，这样做，与输入匹配电路和输入偏置电路分别连接在不同的引线端子上的情况相比，就能减少外部连接引线端子的个数。
所述输出电路部同时起到调整输出阻抗的作用和供给电压的作用，连接在一条所述输出引线端子上，这样做，与输出匹配电路和输出偏置电路分别连接在不同的引线端子上的情况相比，就能减少外部连接引线端子的个数。
安装在所述散热板上的所述半导体元件只有1个，还包括：设在所述电路基板上、连接在所述输入引线端子上，向所述半导体元件输出信号的输入电路部和设在所述电路基板上、接收所述半导体元件的输出、连接在所述输出引线端子上的输出电路部，这样就非常适合用在半导体元件的尺寸较大、功率较高的用途上。
在所述输入引线端子和所述输出引线端子之间至少配有一条所述高频接地引线端子，这样就能减少输入信号和输出信号的空间结合等。
也可以是这样的，从俯视图上看，所述模制树脂成型为多角形状，所述多个外部连接引线端子配置在所述多角形的同一个边内。
也可以是这样的，所述多个外部连接引线端子中的至少一个外部连接引线端子，配置为与其他外部连接引线端子面对面的样子。
从实用角度来看，最好是从所述输入引线端子和输出引线端子看到的阻抗都是50Ω。
-发明的效果-
根据本发明的功率放大器模块，因为不需要设置覆盖半导体元件和电路基板的金属盖，所以能够实现稳定的高频接地；因为外部连接引线端子部分没有开口部，所以异物不会混入，能够实现稳定的特性；通过将偏置电路的无源元件设在外部，把配线的长度尽可能弄短，还可能小型化；直接材料(材料)费用、加工费用也很低，能够实现低价格。
附图说明
图1(a)是显示从本发明的第一实施例所涉及的功率放大器模块中除去模制树脂的结构之一例的图，图1(b)是显示从侧面看本实施例的功率放大器模块的例子的图。
图2是显示第一实施例所涉及的功率放大器模块之一例的电路图。
图3是显示本发明的功率放大器模块和设在其外部的电容器的图。
图4是显示从本发明的第二实施例所涉及的功率放大器模块中除去模制树脂的结构之一例的图。
图5是显示第二实施例所涉及的功率放大器模块之一例的电路图。
图6是显示在本发明的功率放大器模块中，设置了三个半导体元件的例子的图。
图7是显示从本发明的第三实施例所涉及的功率放大器模块中除去模制树脂的结构之一例的图。
图8是显示第三实施例所涉及的功率放大器模块之一例的电路图。
图9是显示本发明的各实施例所涉及的功率放大器模块的变形例的俯视图。
图10(a)是显示现有功率放大器模块的外形之一例的立体图，图10(b)是显示从图10(a)所示的现有功率放大器模块中除去金属盖的结构之一例的图。
图11是显示现有功率放大器模块之一例的电路图。
图12是显示设在移动通信机器的基地站的发信功率放大器的结构之一例的图。
符号说明
1-半导体元件；1a-第一半导体元件；1b-第二半导体元件；1c-第三半导体元件；2-外部连接引线端子；3-输入引线端子；4-输出引线端子；5-散热板；6-树脂模制区域；7-电路基板；8-焊线；9-金属线；10-输入电路部；11-输出电路部；12-级间电路部；13-半导体芯片；16-输入匹配电路；17、22-输入偏置电路；18-输出匹配电路；19、24-输出偏置电路；20-直流阻挡电路；21-输入匹配电路；23-输出匹配电路；25-高频接地引线端子；29-孔；32-模制树脂；C1～C6-电容器。
具体实施方式
(第一实施例)
图1(a)是显示从本发明的第一实施例所涉及的功率放大器模块中除去模制树脂的结构之一例的图，图1(b)是显示从侧面看本实施例的功率放大器模块的例子的图。本实施例的功率放大器模块起到放大输入在输入引线端子3的信号，再从输出引线端子4输出的作用。
如图1(a)、图1(b)所示，功率放大器模块包括：包括输入引线端子3、输出引线端子4及高频接地引线端子25的多个外部连接引线端子2，连接在高频接地引线端子25上的散热板5，安装在散热板5上的第一半导体元件1a和第二半导体元件1b，安装在散热板5上的电路基板7，以及密封第一半导体元件1a、第二半导体元件1b及电路基板7的模制树脂32。在第一半导体元件1a、第二半导体元件1b中分别设有多个有源元件(晶体管等)，该第一半导体元件1a和第二半导体元件1b分别形成在不同的半导体芯片上。模制树脂32，密封散热板5的一部分，至少使散热板5背面的一部分露出。图1(a)所示的虚线部分是树脂模制区域6。本实施例的功率放大器模块，第一半导体元件1a、第二半导体元件1b以及电路基板7由树脂模具成型。后面详细说明由此带来的作用和效果。
外部连接引线端子2，朝着同一个方向配置例如7条，中央外部连接引线端子2连接在散热板5上作为高频接地引线端子25。最好是输入引线端子3和输出引线端子4尽可能地离开着配置，以免空间结合。如图1(a)所示，在模具成型后的形状是四边形(或多角形)，外部连接引线端子2配置在该四边形(或多角形)的一边中的情况下，例如在该边的端部设置输入引线端子3；在该边的另一端部设置输出引线端子4。
在散热板5中未树脂密封的部分，设有用以连接在外部散热器等上的孔29。在电路基板7中形成有输入电路部10、级间电路部12及输出电路部11。下面说明具体电路结构。
图2是显示第一实施例所涉及的功率放大器模块之一例的电路图。如该图所示，输入电路部10从模块外部接收输入信号，再向第一半导体元件1a输出信号。第一半导体元件1a的输出被输入到级间电路部12，级间电路部12的输出被输入到第二半导体元件1b。第二半导体元件1b的输出被输入被输入到电路部11，放大的信号从连接在输出电路部11上的输出引线端子4输出来。
输入电路部10，由第一半导体元件1a的输入匹配电路16和输入偏置电路17构成；输出电路部11，由第二半导体元件1b的输出匹配电路23和输出偏置电路24构成。输入匹配电路16和输出匹配电路23，是为了把从输入引线端子看到的输入阻抗和从输出引线端子看到的输出阻抗分别调整为规定值的电路，由设在信号路径和接地之间的电容器等构成。在是基地站用功率放大器模块的情况下，将通常输出入阻抗调整设定为50Ω，且电容器的电容小于等于5pF的情况很多。
级间电路部12，由第一半导体元件1a的输出匹配电路18和输出偏置电路19，第二半导体元件1b的输入匹配电路21和输入偏置电路22，以及设在输出匹配电路18和输入匹配电路21之间的直流阻挡电路20构成。直流阻挡电路20一般具有电容器。在这种情况下的电容器，经常使用电容大于等于10pF且小于等于100pF左右的电容器。
在此，图3是显示使用本实施例的功率放大器模块时配置在其外部的电容器之一例的图。将图11与图2、图3比较一下得知，在现有功率放大器模块中，直流阻挡电容器C1安装在输入匹配电路116中；直流阻挡电容器C2安装在输出匹配电路123中；在偏置电路中，在离信号通过的主电路(各匹配电路)有输入信号波长的1/4波长的配线图案上安装有一端高频接地的电容器C3～C6，与此不同，在本实施例所涉及的功率放大器模块中，该电容器C1～C6安装在功率放大器模块的外部。输入偏置电路17、输出偏置电路19、输入偏置电路22以及输出偏置电路24，分别连接在除了输入引线端子3、输出引线端子4及高频接地引线端子25以外的外部连接引线端子2上。在从各偏置电路到连接在其上的外部连接引线端子2的配线路径上未设电容器，以最短路径构成。因此，本实施例的功率放大器模块，能把尺寸弄得比现有技术下的还小。补充说明一下，在图3中，Pin是输入部；Pout是输出部；Vg1是第一半导体元件的输入偏置部；Vd1是第一半导体元件的输出偏置部；Vg2是第二半导体元件的输入偏置部；Vd2是第二半导体元件的输出偏置部。
接着，简单地说明本实施例所涉及的功率放大器模块的制造方法。
首先，根据需要在电路基板7中安装电阻、电容器等无源元件。接着，使第一半导体元件1a、第二半导体元件1b以及电路基板7通过焊接或导电粘接剂固定在散热板5上。接着，通过焊线8把输入电路部10和第一半导体元件1a的输入部连接起来。这时，最好是把输入电路部10和第一半导体元件1a的输入部高频地连接起来。同样，通过金属线9把输入电路部10和输入引线端子3高频地连接起来。在此，“高频地连接”意味着高频信号能以最小的损失通过。
接着，通过焊线8把输出电路部11和第二半导体元件1b的输出部高频地连接起来。通过金属线9把输出电路部11和输出引线端子4高频地连接起来。
接着，通过焊线8把级间电路部12和第一半导体元件1a的输出部高频地连接起来。通过焊线8把级间电路部12和第二半导体元件1b的输入部高频地连接起来。还通过金属线9把输入偏置电路17中与输入匹配电路16未连接的一端和外部连接引线端子2中的一条未连接的外部连接引线端子2电连接起来。在此，“电连接”意味着电流流过。
之后，通过金属线9把输出偏置电路19、输入偏置电路22及输出偏置电路24分别与未连接的外部连接引线端子2电连接起来。然后，用模制树脂32进行树脂模具成型，使散热板5背面的至少一部分露出。这样，就能制作出本实施例的功率放大器模块，连接焊线8、金属线9的顺序不根据上述顺序也不妨。
如上所述，在本实施例的功率放大器模块中，因为被模制树脂32密封，所以不需要在现有功率放大器模块中使用的金属盖和用以使金属盖粘结的焊接等，能稳定地确保高频接地。在本实施例的功率放大器模块中，因为外部连接引线端子的根本部分也被模制树脂密封，所以异物不会混入电路部分，能够得到稳定的高频特性。
再说，功率放大器模块，能通过将连接在偏置电路上的电容器或连接在输入匹配电路、输出匹配电路上的电容器设在外部，把尺寸控制得比现有功率放大器模块小。因此还能够对缩小整个通信装置的尺寸作出贡献。
在本实施例的功率放大器模块中，因为能通过密封功率放大器模块的最小限度的结构，减少材料费和加工费，所以实现了制造成本的大幅度下降。
补充说明一下，在本实施例所涉及的功率放大器模块中进行说明的是，外部连接引线端子2中中央引线端子成为连接在散热板5上的高频接地引线端子25的结构。不限于此，中央引线端子以外的引线端子也可以连接在散热板5上。也可以将多条引线端子连接在散热板5上。
补充说明一下，到此为止的说明中说的是，在从输入引线端子3到输出引线端子4的信号路径中设有两个半导体元件的例子。半导体元件也可以是1个，也可以是三个或三个以上。在排列两个或两个以上的半导体元件的情况下，只要设置包括晶体管的半导体元件即可，排列顺序是离输入引线端子3很近的一侧到输出引线端子4输出一个比一个大。
(第二实施例)
图4是显示从本发明的第二实施例所涉及的功率放大器模块中除去模制树脂的结构之一例的图。图5是显示第二实施例所涉及的功率放大器模块之一例的电路图。
本发明的第二实施例所涉及的功率放大器模块，是把安装在本发明的第一实施例所涉及的功率放大器模块中的第一半导体元件1a和第二半导体元件1b设在同一个半导体芯片13上的。从上方来看，5条外部连接引线端子2配置在模制树脂的同一条边内，互相朝着一样的方向延伸。外部连接引线端子2中中央引线端子成为连接在散热板5上的高频接地引线端子25。在图4、图5中，用同一个符号表示与图1、图2所示的第一实施例所涉及的功率放大器模块一样的部件，省略说明。
如图4所示，在本实施例的功率放大器模块中，输入引线端子3和第一半导体元件1a的输入偏置引线端子(连接在输入偏置电路上的外部连接引线端子)成为一个共同的端子；输出引线端子4和第二半导体元件1b的输出偏置引线端子成为一个共同的端子。换句话说，在本实施例的功率放大器模块中，假定第一实施例的功率放大器模块中的第一半导体元件1a的输入匹配电路和输入偏置电路共为同一个电路；假定第二半导体元件1b的输出匹配电路和输出偏置电路共为同一个电路。
配置该输入引线端子3和输出引线端子4作为5条外部连接引线端子2中的两端的引线端子，防止在输入信号和输出信号之间产生干扰。输入引线端子3和高频接地引线端子25之间的外部连接引线端子2，通过金属线9电连接在第一半导体元件1a的输出偏置电路上；输出引线端子4和高频接地引线端子25之间的外部连接引线端子2，通过金属线9电连接在第二半导体元件1b的输入偏置电路上。
下面，说明在本实施例所涉及的功率放大器模块中，在同一个半导体芯片上构成半导体元件的优点。
从外部供给第一半导体元件1a的输入偏置电路和第二半导体元件1b的输入偏置电路一样的电压。在此，考虑使200mA的电流流过第一半导体元件1a，使800mA的电流流过第二半导体元件1b的情况。这时，设从外部供给的电压为V1。
如果半导体芯片的薄片不同，则即使供给一样的电压V1，也会有200mA流过第一半导体元件1a而只有720mA流过第二半导体元件1b的情况、180mA流过第一半导体元件1a而800mA流过第二半导体元件1b的情况等，与流过各半导体元件的电流的设定值的偏差很大，流过各半导体元件的电流比例(1∶4)不是一定的。这是因为若晶片不同，则扩散情况和在其他处理中受到的影响也不同之故。
与此不同，如果半导体元件设在同一个半导体芯片上，流过各半导体元件的电流比例(1∶4)便一定，若把从外部供给的电压从V1变到V2，便能设定为给定的电流。
如上所述，在本实施例的功率放大器模块中，因为能使流过第一半导体元件1a和第二半导体元件1b的电流的误差很小，所以能够按照设定进行功率的放大工作。
在图5所示的例子中，因为输入引线端子3和第一半导体元件1a的输入偏置引线端子成为一个共同的端子；输出引线端子4和第二半导体元件1b的输出偏置引线端子成为一个共同的端子，所以既能够减少外部连接引线端子的数量，又能够缩小电路面积。
补充说明一下，图6是显示在本实施例的功率放大器模块中，设置了三个半导体元件(第一半导体元件1a、第二半导体元件1b及第三半导体元件1c)的例子的图。在本实施例所涉及的功率放大器模块中，以使用了两个半导体元件的结构进行了说明，不限于此，如图6所示，使用了三个串联的半导体元件的结构也可以。在这种情况下，在第二半导体元件1b和第三半导体元件1c之间追加级间电路部就行了。也可以使用四个或四个以上的半导体元件。
(第三实施例)
图7是显示从本发明的第三实施例所涉及的功率放大器模块中除去模制树脂的结构之一例的图。图8是显示本发明的第三实施例所涉及的功率放大器模块之一例的电路图。
本实施例所涉及的功率放大器模块，是在第一实施例所涉及的功率放大器模块中，设半导体元件为一个的情况。
在这种情况下，在电路基板7上只设有输入电路部10和输出电路部11。使用七到五条外部连接引线端子2就可构成。
再说，如果与第二实施例所涉及的功率放大器模块一样，设输入引线端子3和半导体元件1的输入偏置引线端子成为一个共同的端子，并且输出引线端子4和半导体元件1的输出偏置引线端子成为一个共同的端子，就能用三条外部连接引线端子2构成。
本实施例的功率放大器模块，适宜在半导体元件的输出功率如第一、第二实施例的功率放大器模块的第二半导体元件1b那样较大的情况等下使用。
补充说明一下，图9是显示本发明的各实施例所涉及的功率放大器模块的变形例的俯视图。在第一～第三实施例所涉及的功率放大器模块中说明的是，配置外部连接引线端子2，使外部引线连接端子2在同一条边内朝着同一方向延伸的结构。但是也可以这样配置，如图9所示，从上方来看外部连接引线端子中的至少一个外部连接引线端子与其他外部连接引线端子面对面。最好是这样的，在这种情况下，使设在互相面对面的每条边中的三个外部连接引线端子2中的一个外部连接引线端子为高频接地引线端子，输入引线端子和输出引线端子配置在互相面对面的边内。
-实用性-
综上所述，因为本发明的功率放大器模块能以稳定的特性、小型且低价格提供，所以可以用到设在移动通信机器的基地站的发信功率放大器等把微弱信号功率放大并输出的用途上。

Claims (15)

1.一种功率放大器模块，其特征在于：包括：
由输入引线端子、输出引线端子及高频接地引线端子构成的多个外部连接引线端子，
连接在所述高频接地引线端子上的散热板，
安装在所述散热板上的半导体元件和电路基板，
以及密封所述半导体元件和所述电路基板，密封所述散热板至少使其背面的一部分露出的模制树脂；
放大输入到所述输入引线端子的信号，再从所述输出引线端子输出。
2.根据权利要求1所述的功率放大器模块，其特征在于：
在所述散热板上安装有多个所述半导体元件。
3.根据权利要求2所述的功率放大器模块，其特征在于：
所述多个半导体元件中的至少2个或2个以上的半导体元件形成在同一个芯片上。
4.根据权利要求1所述的功率放大器模块，其特征在于：
为大于等于2的整数的N个所述半导体元件在所述散热板上串联，还包括：
设在所述电路基板上、连接在所述输入引线端子上、向所述半导体元件中的第一半导体元件输出信号的输入电路部，设在所述电路基板上、设在所述N个半导体元件之间的N-1个级间电路部，以及接收所述N个半导体元件中由第N个所述半导体元件输出的信号、设在所述电路基板上、连接在所述输出引线端子上的输出电路部。
5.根据权利要求4所述的功率放大器模块，其特征在于：
所述输入电路部包括：连接在所述输入引线端子上、向所述N个半导体元件中的第一半导体元件输出信号的第一输入匹配电路和连接在所述第一输入匹配电路上的第一输入偏置电路；
所述级间电路部中的每一个级间电路部包括：接收前一级的所述N个半导体元件中的各个元件的输出的第一输出匹配电路，连接在所述第一输出匹配电路上的第一输出偏置电路，向后一级的所述N个半导体元件中的各个元件输出信号的第二输入匹配电路，连接在所述第二输入匹配电路上的第二输入偏置电路，以及设在所述第一输出匹配电路和所述第二输入匹配电路间的直流阻挡电路；
所述输出电路部包括：接收所述N个半导体元件中由第N个半导体元件输出了的信号、连接在所述输出引线端子上的第二输出匹配电路和连接在所述第二输出匹配电路上的第二输出偏置电路。
6.根据权利要求5所述的功率放大器模块，其特征在于：
在所述第一输入偏置电路、所述第二输入偏置电路、所述第一输出偏置电路以及所述第二输出偏置电路中都未设有电容器。
7.根据权利要求5所述的功率放大器模块，其特征在于：
所述第一输入偏置电路、所述第一输出偏置电路、所述第二输入偏置电路以及所述第二输出偏置电路，分别连接在除了所述输入引线端子、所述输出引线端子以及所述高频接地引线端子以外的所述多个外部连接引线端子上。
8.根据权利要求4所述的功率放大器模块，其特征在于：
离所述输出引线端子越近，所述N个半导体元件的各个元件的输出功率越大。
9.根据权利要求4所述的功率放大器模块，其特征在于：
所述输入电路部同时起到调整输入阻抗的作用和供给电压的作用，连接在一条所述输入引线端子上。
10.根据权利要求4所述的功率放大器模块，其特征在于：
所述输出电路部同时起到调整输出阻抗的作用和供给电压的作用，连接在一条所述输出引线端子上。
11.根据权利要求1所述的功率放大器模块，其特征在于：
安装在所述散热板上的所述半导体元件只有1个；
还包括：设在所述电路基板上、连接在所述输入引线端子上，向所述半导体元件输出信号的输入电路部，
和设在所述电路基板上、接收所述半导体元件的输出、连接在所述输出引线端子上的输出电路部。
12.根据权利要求1所述的功率放大器模块，其特征在于：
在所述输入引线端子和所述输出引线端子之间至少配有一条所述高频接地引线端子。
13.根据权利要求12所述的功率放大器模块，其特征在于：
从俯视图上看，所述模制树脂成型为多角形状，
所述多个外部连接引线端子配置在所述多角形的同一个边内。
14.根据权利要求1所述的功率放大器模块，其特征在于：
所述多个外部连接引线端子中至少有1个外部连接引线端子，配置为与其他外部连接引线端子面对面的样子。
15.根据权利要求1所述的功率放大器模块，其特征在于：
从所述输入引线端子和输出引线端子看到的阻抗都是50Ω。
CNA2005100921587A 2004-09-16 2005-08-23 功率放大器模块 Pending CN1750262A (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2004269537 2004-09-16
JP2004269537A JP2006086329A (ja) 2004-09-16 2004-09-16 電力増幅器モジュール

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN1750262A true CN1750262A (zh) 2006-03-22

Family

ID=36144443

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CNA2005100921587A Pending CN1750262A (zh) 2004-09-16 2005-08-23 功率放大器模块

Country Status (3)

Country Link
US (1) US20060076673A1 (zh)
JP (1) JP2006086329A (zh)
CN (1) CN1750262A (zh)

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101673721A (zh) * 2008-09-13 2010-03-17 铜陵丰山三佳微电子有限公司 大功率集成电路引线框架
CN101466197B (zh) * 2007-12-21 2012-11-14 艾利森电话股份有限公司 电路板及设置于其上的功放、双通道收发单元、无线基站
CN104681552A (zh) * 2013-11-29 2015-06-03 恩智浦有限公司 封装rf功率晶体管器件和rf功率放大器
CN106059518A (zh) * 2015-04-15 2016-10-26 三菱电机株式会社 放大器
CN108106825A (zh) * 2017-11-29 2018-06-01 中国直升机设计研究所 一种模型旋翼试验台旋转放大器
CN116830821A (zh) * 2021-02-05 2023-09-29 株式会社明电舍 电气装置

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6049126A (en) * 1995-12-14 2000-04-11 Nec Corporation Semiconductor package and amplifier employing the same
WO2003073627A1 (fr) * 2002-02-28 2003-09-04 Renesas Technology Corp. Circuit amplificateur de puissance haute frequence et composant electronique de communication

Cited By (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101466197B (zh) * 2007-12-21 2012-11-14 艾利森电话股份有限公司 电路板及设置于其上的功放、双通道收发单元、无线基站
CN101673721A (zh) * 2008-09-13 2010-03-17 铜陵丰山三佳微电子有限公司 大功率集成电路引线框架
CN104681552A (zh) * 2013-11-29 2015-06-03 恩智浦有限公司 封装rf功率晶体管器件和rf功率放大器
CN104681552B (zh) * 2013-11-29 2018-04-27 安普林荷兰有限公司 封装rf功率晶体管器件和rf功率放大器
CN106059518A (zh) * 2015-04-15 2016-10-26 三菱电机株式会社 放大器
CN106059518B (zh) * 2015-04-15 2018-11-13 三菱电机株式会社 放大器
CN108106825A (zh) * 2017-11-29 2018-06-01 中国直升机设计研究所 一种模型旋翼试验台旋转放大器
CN108106825B (zh) * 2017-11-29 2020-09-25 中国直升机设计研究所 一种模型旋翼试验台旋转放大器
CN116830821A (zh) * 2021-02-05 2023-09-29 株式会社明电舍 电气装置
CN116830821B (zh) * 2021-02-05 2024-03-08 株式会社明电舍 电气装置

Also Published As

Publication number Publication date
US20060076673A1 (en) 2006-04-13
JP2006086329A (ja) 2006-03-30

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN1512579A (zh) 半导体模块
US7449726B2 (en) Power semiconductor apparatus
US7982304B2 (en) Chip package structure
CN1750262A (zh) 功率放大器模块
CN1658736A (zh) 电路装置
JP2007235004A (ja) 半導体装置
US9000576B2 (en) Package structure and manufacturing method thereof
US9230891B2 (en) Semiconductor device
US20050151236A1 (en) Low profile package having multiple die
CN115428144A (zh) 用于高功率应用的功率模块
CN1449036A (zh) 树脂模制型器件及其制造装置
CN1336787A (zh) 陶瓷叠层器件
CN1855476A (zh) 半导体装置
US11721617B2 (en) Power module
CN1442902A (zh) 半导体器件及其制造方法
CN1409873A (zh) 功率晶体管模块和功率放大器及其制造方法
US11257739B2 (en) Semiconductor package with integrated passive electrical component
CN1372381A (zh) 开关电路装置
US20110278706A1 (en) Power Electronic Device Package
CN102280420B (zh) 半导体模块以及半导体装置
US20080019108A1 (en) Power Amplifier
CN1809925A (zh) 优化的多用途组件
CN1210797C (zh) 功率晶体管模块和功率放大器及其制造方法
CN1507053A (zh) 半导体集成电路器件
TWI765334B (zh) 具有集成電感器的功率半導體封裝及其製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C02 Deemed withdrawal of patent application after publication (patent law 2001)
WD01 Invention patent application deemed withdrawn after publication