CN1747625A - 配线图案形成方法、tft用源电极和漏电极的形成方法 - Google Patents

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Abstract

提供一种配线图案的形成方法,其中包括:向被围堰图案镶边的图案形成区域中所定的部分喷出液体状导电性材料的液滴,形成将图案形成区域覆盖的导电性材料层的步骤(A)。若将沿着部分的X轴方向的长度定为L,将沿着Y轴方向长度定为M,则被喷出液滴的直径Ф,处于L以下和M以下。而且步骤(A)包括喷出液滴,使液滴的中心与围堰图案间距离至少为直径Ф的1/2倍位置上的步骤(a1)。通过用液滴喷出装置喷出液滴,设置TFT用源电极或漏电极。

Description

配线图案形成方法、TFT用源电极和漏电极的形成方法
技术领域
本发明涉及采用液滴喷出法的配线图案形成方法,具体讲涉及适于TFT用源电极和漏电极形成的配线图案形成方法。
背景技术
利用喷墨法形成金属配线的技术是已知的(例如参见专利文献1)。
专利文献1:特开2004-6578号公报
采用喷墨法形成TFT用源电极和漏电极的情况下,当将源电极和漏电极的形状镶边的围堰图案(bank pattern)形成之后,用液滴喷出装置向该围堰图案的内侧喷出导电性材料的液滴。这种情况下,喷出导电性材料的液滴需要使形成后的源电极和漏电极确实实现电学上的分离。
发明内容
本发明正是鉴于上述课题而提出的,其目的之一在于提供一种利用液滴喷出装置喷出液滴来设置TFT用的源电极和漏电极。
本发明的配线图案的形成方法,是采用液滴喷出法喷出液体状导电性材料的液滴,在基体上由围堰图案镶边、并具有第一方向的长度为L的同时与所述第一方向正交的第二方向长度为M的部分(section)的图案形成区域内设置配线图案的形成方法。这种配线图案形成方法,具有:向所述部分喷出直径处于所述L以下、同时处于所述M以下的所述液滴,形成将所述部分覆盖的所述导电性材料层的步骤(A)。而且所述步骤(A)包括喷出所述液滴,以使所述液滴的中心与所述围堰图案间距离至少为所述直径的1/2倍位置上的步骤(a1)。
根据上述构成可以获得的效果之一是,在围堰图案上不会产生液体状导电性材料的残渣。
所述步骤(A),优选包括在所述图案形成区域中仅在所述部分喷出所述液滴,依靠所述液滴的自身流动在所述图案形成区域形成所述导电性材料层的步骤(a2)。
根据上述构成可以获得的效果之一是,能够使在上述部分以外的上述图案形成区域部分的尺寸小于液滴的尺寸。
本发明的配线图案的形成方法,是用液滴喷出法喷出异种液体状导电性材料的液滴,在基体上由围堰图案镶边、并具有第一方向的长度为L的同时与所述第二方向的长度为M的部分的图案形成区域内层叠异种的导电层的配线图案形成方法。这种配线图案的形成方法,包括:向所述部分喷出具有处于所述L以下的同时处于所述M以下的直径的第一导电性材料的液滴,形成第一导电性材料层的第一步骤;烧成所述第一导电性材料层后形成第一导电层的第二步骤;向所述部分喷出具有所述直径的第二导电性材料的液滴,在所述第一导电层上形成第二导电性材料层的第三步骤;和烧成所述第二导电性材料层后形成第二导电层的第四步骤。而且,所述第一步骤和所述第三步骤中至少一个步骤,是喷出所述液滴使所述液滴的中心与所述围堰图案间距离至少为所述直径的1/2倍的位置上的步骤。
根据上述构成可以获得的效果之一是,在围堰图案上不会产生液体状导电性材料的残渣。
所述第一步骤和所述第三步骤中至少一个步骤,优选是在所述图案形成区域中仅在所述部分上喷出所述液滴,根据所述液滴的自身流动在所述图案形成区域上形成所述导电性材料层的步骤。
根据上述构成可以获得的效果之一是,能够使上述部分以外的上述图案形成区域部分的尺寸小于液滴的尺寸。
按照本发明的某个实施方式,TFT用源电极的形成方法,包含有上述配线图案形成方法。其中所述图案区域是形成源配线的区域,所述部分是所述源配线中形成源电极的区域。
根据上述构成可以获得的效果之一是,能够利用液滴喷出装置形成电学特性良好的TFT元件。
按照本发明的某个实施方式,TFT用漏电极的形成方法包含有上述配线图案形成方法。其中所述区域是形成漏配线的区域,所述部分是形成漏电极的区域。
根据上述构成可以获得的效果之一是,能够利用液滴喷出装置形成电学特性良好的TFT元件。
附图说明
图1是表示用本实施方式的图案形成方法形成的源配线和漏电极的示意图。
图2是表示本实施方式的器件制造装置的示意图。
图3是表示本实施方式的液滴喷出装置的示意图。
图4(a)和(b)是表示本实施方式的液滴喷出装置中的喷头的示意图。
图5是表示本实施方式的液滴喷出装置中的控制装置的方框图。
图6(a)~(c)是与图7中U’-U断面对应的图,表示本实施方式的TFT元件制造工序的图。
图7是表示包围本实施方式的二维形状的图案形成区域的示意图。
图8(a)~(d)是与图7中U’-U断面对应的图,表示本实施方式的配线图案形成方法的图。
图9是表示用本实施方式的配线形成方法形成的TFT元件,和形成了TFT元件的基板元件侧基板的示意图。
图10(a)~(c)是表示本实施方式的电子仪器的示意图。图中:
AP1、AP2…开口部,S…表面,1…器件制造装置,8A…导电性材料,8B…导电性材料层,10…基体,10A…基板,10B…元件侧基板,12…HMDS层,18…围堰图案,24SA…第一部分,24D…图案形成区域,24S…图案形成区域,33…源配线,33A…第一部分,33B…第二部分,34…栅极配线,35…半导体层,36…像素电极,37D…接合层,37S…接合层,41P…取向膜,42…栅极绝缘膜,44…TFT元件,44D…漏电极,44G…栅极电极,44S…源电极,45…层间绝缘层,45A…第二绝缘层,45B…第二绝缘层,45C…接触孔,46…围堰图案,100…液滴喷出装置,114…喷头,118…喷嘴。
具体实施方式
图1表示的多个源配线33和多个漏电极44D,分别与本发明的“配线图案”对应。这些多个的源配线33和漏电极44D,可以用后述的器件制造装置1(图2)形成。
多个源配线33中的每个均包含多个第一部分33A和多个第二部分33B。多个第一部分33A中的每个,均是沿着A轴方向延伸的条状部分。另一方面,多个第二部分33B中的每个,均是从对应的第一部分33A向B轴方向突出的部分。其中所述A轴方向和B轴方向,是互相垂直的方向。而且A轴方向和B轴方向,也是规定被固定在基体10(图3)上的座标系的方向。此外正如后述那样,与A轴方向和B轴方向二者平行的一个面,是基板10A的表面S(图6)。
多个第一部分33A中的每个,均由互相连接的宽幅部分33AW和窄幅部分3AN构成。窄幅部分33AN沿着B轴方向的长度(即宽度),比宽幅部分33AW的长度短。另外,源配线33在窄幅部分33AN中与后述的栅极配线34(图6)借助于栅极绝缘膜42交叉。
多个第二部分33B中的每个,也是后述的F元件44(图9)中的源电极44S。
(A.配线图案形成用油墨)
以下说明形成源配线33用的导电性材料。这里所述“导电性材料”是一种“液体状材料”,也被称作“配线图案形成用油墨”。导电性材料含有分散剂、和被分散剂分散的导电性微粒。本实施方式的导电性微粒,是平均粒径约10纳米的银粒子。而且将平均粒径从1纳米至100纳米的粒子也记作“纳米粒子”。按照这种表述方法,本实施方式的导电性材料含有银纳米粒子。
其中导电性微粒的粒径优选为1纳米以上1.0微米以下。若为1.0微米以下,则液滴喷出装置的喷嘴118(图4)产生堵塞的可能性小。而且若为1纳米以上,则由于导电性微粒与涂敷材料之间的体积比适当,所以在得到的膜中有机物的比例也适当。
作为分散剂(或溶剂),只要能够分散导电性微粒而不产生凝聚的就无特别限制。例如,除水之外还可以举出甲醇、乙醇、丙醇、丁醇等醇类,正庚烷、正辛烷、癸烷、十二碳烷、十四碳烷、甲苯、二甲苯、甲基异丙基苯、杜烯、茚、双戊烯、四氢萘、十氢萘、环己基苯等烃类化合物,或乙二醇二甲醚、乙二醇二乙醚、乙二醇甲基乙基醚、二甘醇二甲醚、二甘醇二乙醚、二甘醇甲基乙基醚、1,2-二甲氧基乙烷、双(2-甲氧基乙基)醚、对二噁烷等醚类化合物,以及亚丙基碳酸酯、γ-丁内酯、N-甲基-2-吡咯烷酮、二甲基甲酰胺、二甲基亚砜环己酮等极性化合物。从导电性微粒的分散性和分散液的稳定性以及容易用于液滴喷出法等观点来看,这些化合物当中优选水、醇类、烃类化合物、醚类化合物,作为更优选的分散剂可以举出水和烃类化合物。
上述的“液体状材料”是指具有能以液滴形式从液滴喷出装置的喷嘴118(图4)喷出的粘度的材料。其中所述液体状材料不论水性或油性均可。只要具有能从喷嘴喷出的足够流动性(粘度),混入固体物质后总体上是流体的即可。液体状材料的粘度优选为1mPa·s以上和50mPa·s以下。采用液滴喷出法以液滴形式喷出液体状材料时,粘度若处于mpa·s以上则喷嘴周边部分难于产生污染,而粘度若处于50mPa·s以下则喷嘴的堵塞频度进一步降低,能够顺利地喷出液滴的缘故。
此外,液体状材料的表面张力优选处于0.02N/m以上和0.07N/m以下。用液滴喷出法喷出导电性材料时,表面张力一旦处于0.02N/m以上,油墨对喷嘴的湿润性因为更佳而不易产生飞行弯曲。若处于0.07N/m以下则因喷嘴尖端的弯月面的形状更稳定而使液滴的体积和喷出时间的控制将会变得更加容易。为了调整表面张力,可以在不使与物体的接触角显著降低的范围内,向上述液体状材料(分散液)中微量添加含氟、硅酮系、非离子系等表面张力调节剂。非离子系表面张力调节剂将起着使油墨对物体的湿润性提高,改善膜的流平性,防止膜产生微小凹凸等作用。上述表面张力调节剂,必要时可以含有醇类、醚类、酯类、酮类等有机化合物。
(B.器件制造装置的全体结构)
以下说明本实施方式的器件制造装置。图2所示的器件制造装置1,是液晶显示装置制造装置的一部分。而且器件制造装置1,包括液滴喷出装置100、净化炉150和输送装置170。液滴喷出装置100,是向基体10(图3)喷出导电性材料的液滴,在基体10上设置导电性材料层的装置。另一方面,净化炉150是使由液滴喷出装置100设置的导电性材料层活化,形成导电层的装置。
输送装置170备有叉部、使叉部上下移动的驱动部和自行走部。而且输送装置170按照液滴喷出装置100、净化炉150的顺序使基体10接受各自的处理,输送基体10。以下就液滴喷出装置100详细说明其结构和功能。
如图3所示,液滴喷出装置100是所谓的喷墨装置。具体讲,液滴喷出装置100具有保持导电性材料8A的储罐101、管道110、基座GS、喷头部件103、台架106、第一位置控制装置104、第二位置控制装置108、控制装置112、支持部件104a、和加热器140。
喷头部件103保持喷头114(图4)。喷头114根据来自控制装置112的驱动信号喷出导电性材料8A的液滴。而且喷头部件103中的喷头114事先由管道110与储罐101连接,因此可以从储罐101向喷头114供给导电性材料8A。
台架106提供固定基体10用的平面。台架106的这种平面与X轴方向和Y轴方向平行。此外,台架106具有利用吸引力将基体10的位置固定的功能。
第一位置控制装置104,被支持部件104a固定在距离底座GS所定高度的位置上。这种第一位置控制装置104,具有根据来自控制装置112的信号,使喷头部件103沿着X轴方向和与X轴方向垂直的Z轴方向移动的功能。此外,第一位置控制装置104还有沿着与Z轴平行的轴旋转,使喷头部件103旋转的功能。其中在本实施方式中,Z轴方向是与垂直方向(即重力加速度的方向)平行的方向。
第二位置控制装置108,根据来自控制装置112的信号使台架106在基座GS上沿着Y轴方向移动。这里所述Y轴方向是与X轴方向和Z轴方向二者均垂直的方向。
具有上述功能的第一位置控制装置104的构成和第二位置控制装置108的构成,能够利用线型马达和伺服马达的公知的XY机器人加以实现。因此这里省略对其构成的详细说明。另外,在本说明书中,也将第一位置控制装置104和第二位置控制装置108表记为“机器人”或“扫描部分”。
而且本实施方式中的X轴方向、Y轴方向和Z轴方向,与喷头部件103和台架106中一方对另一方相对移动的方向一致。这些当中,也将X轴方向称为“扫描方向”。而且也将Y轴方向称为“非扫描方向”。而且规定X轴方向、Y轴方向和Z轴方向的XYZ座标系的假想原点,被固定在液滴喷出装置100的基准部分上。此外,本说明书中所述X座标、Y座标和Z座标是指在这种XYZ座标系中的座标。而且所述假想的原点,不仅固定在基准部分上,而且也可以固定在台架106上,或者也可以被固定在喷头部件103上。
如上所述,第一位置控制装置104使喷头部件103沿着X轴方向移动。第二位置控制装置108使基体10与添加106一起在Y轴方向移动。其结果,喷头114与基体10的相对位置将发生变化。更具体讲,借助于这些动作,使喷头部件103、喷头114或者喷嘴118(图4),对于基体10一边保持与Z轴方向具有所定距离,一边X轴方向和Y轴方向相对移动,即相对扫描。“相对移动”或“相对扫描”是指喷出导电性材料8A液滴的一侧与弹落来自其中液滴的一侧(被喷出部)中至少一方相对于他方作相对移动。
控制装置112,被构成得能够接受来自外部信息处理装置的喷出数据。控制装置112将接收的喷出数据储存在内部存储装置202(图5)中,同时能够根据储存的喷出数据,控制第一位置控制装置104、第二位置控制装置108和喷头114。这里所述“喷出数据”是指应当喷出导电性材料8A的液滴的相对位置的数据。本实施方式中,喷出数据具有位映像数据的数据形式。
通过具有上述构成,液滴喷出装置100根据喷出数据使喷头114的喷嘴118(图4)相对于基体10作相对移动,同时从喷嘴118朝着被设定的弹落位置喷出导电性材料8A的液滴。另外,有时也将液滴喷出装置100产生的喷头114的相对移动,和导电性材料8A的液滴从喷嘴118中的喷出称作“涂布扫描”或“喷出扫描”。
另外,在本说明书中,也将弹落导电性材料8A的液滴的部分记作“被喷出部”。而且也将弹落的液滴湿润扩展的部分记作“被涂布部分”。在因对基底的物体实施表面改质处理使导电性材料8A呈现所需接触角而形成的部分中,也有“被喷出部”和“被涂布部分”中的任何部分。但是,即使不进行表面改质处理,基底的物体表面对导电性材料8A也呈现所需的疏液性或亲液性(即弹落的导电性材料8A在基底物体的表面上呈现所需的接触角)的情况下,基底物体的表面本身也可以是“被喷出部”或“被涂布部分”。而且在本说明书中,也将“被喷出部”记作“靶”或“收容部分”。
现在回到图3,加热器140是将基体10灯退火用的红外线灯。加热器140的电源的接通和切断也由控制装置112加以控制。
另外,所述利用喷墨法形成层、膜或图案,是指包括采用上述的液滴喷出装置100,在所定的物体或物体表面上形成层、膜或图案的工序的方法。
(C.喷头)
以下详细说明喷头114。如图4(a)所示,喷头114是具有多个喷嘴118的喷墨头。而且喷头114在喷头部件103中被承载器103A所固定。如图4(b)所示,喷头114备有振动板126、和规定喷嘴118的开口的喷嘴板128。此外,储液槽129的位于在振动板126与喷嘴板128之间,这种储液槽129中经常充满通过孔131由未图示的外部储罐供给的导电性材料8A。
此外,多个隔壁位于振动板126与喷嘴板128之间。而且被振动板126、喷嘴板128和一对隔壁包围的部分是内腔120。内腔120由于是与喷嘴118对应设置的,所以内腔120的数目与喷嘴118的数目相同。经位于一对隔壁之间的供给口130,向内腔120中供给来自储液槽129的导电性材料8A。而且在本实施方式中,喷嘴118的直径大约为27微米。
此外,在振动板126上,各振动元件124位于分别与内腔120对应。每个振动元件124,均包括压电元件和夹持压电元件的一对电极。控制装置112,通过对此一对电极之间施加驱动电压,可以从对应的喷嘴118中喷出导电性材料8A的液滴D。其中从喷嘴118喷出的材料的体积,在0pl(皮升,即毫微升)以上与42 pl以下之间可变。其中通过改变驱动电压的波形(所谓可变点工艺)可以实现液滴D的体积的变化。而且,可以将喷嘴118的形状调整得使喷嘴118朝着Z轴方向喷出导电性材料8A的液滴D。
本说明书中,也将包括一个喷嘴118、与喷嘴118对应的内腔120、和与内腔120对应的振动元件124的部分记作“喷出部127”。按照这种记载,一个喷头114具有与喷嘴118数目相同的喷出部127。喷出部127也可以具有电热变换元件中材料以代替压电有机。即,喷出部127也可以具有利用由电热变换元件的材料之热膨胀性质喷出材料的构成。但是,采用压电元件的喷出,由于对被喷出的液体状材料不加热,所以具有对液体状材料的组成不易产生影响的优点。
(D.控制部分)
以下说明控制装置112的构成。如图5所示,控制装置112备有输入缓冲存储器200、存储装置202、处理部204、扫描驱动部206和喷头驱动部208。输入缓冲存储器200与处理部204连接得可以互相通信。处理部204、存储装置202、扫描驱动部206和喷头驱动部208,被连接得可以互相通信。
扫描驱动部206,被连接得可以使第一位置控制装置104和第二位置控制装置108互相通信。同样,喷头驱动部208与喷头被连接得可以互相通信。
输入缓冲存储器200,接受来自位于液滴喷出装置100外部的外部信息处理装置(未图示)的、喷出导电性材料8A的液滴D用的喷出信息。输入缓冲存储器200。向处理部204供给喷出数据,处理部204将喷出数据存储在存储装置202之中。图5中,储存装置202是RAM。
处理部204基于存储装置202内的喷出数据,将喷嘴118与被喷出部的相对位置的数据供给扫描驱动部206。而扫描驱动部206将根据此数据与喷出周期的台架驱动信号供给第二位置控制装置108。其结果,喷头部件103对于被喷出部的相对位置将会变化。另一方面,处理部204,基于存储在存储装置202中的喷出数据,将喷出导电性材料8A所需的喷出信号供给喷头114。其结果,可以从喷头114中对应的喷嘴118喷出导电性材料8A的液滴D。
控制装置112是包括CPU、ROM、RAM和总线的计算机。因此,控制装置112的上述功能,将由计算机执行的软件程序加以实现。当然,控制装置112也可以由专用电路(硬件)来实现。
(E.制造方法)
以下说明采用器件制造装置1制造液晶显示装置的方法。
首先准备图6(a)所示的基体10。如图6(a)所示,基体10备有具有透光性的基板10A、位于基板10A上的栅极配线34、将栅极配线34的二维形状镶边的围堰图案18、位于围堰图案18与基板10A之间的HMDS层12、覆盖栅极配线34的栅极绝缘膜42、借助于栅极绝缘膜42与栅极电极44G重叠的半导体层35、和位于半导体层35上的两个接合层37S、37D。另外,表面S是大体与A轴方向和B轴方向二者平行的面。
基体10的制造方法如下。
对由玻璃构成的基板10A的表面S进行HMDS处理,在基板10A的表面S上形成NMDS层12。这里所述HMDS处理,是指将六甲基二硅氮烷((CH3)3SiNHSi(CH3)3)作成蒸气状,使其在物体的表面上涂布的处理。利用旋涂法等在这样形成的HMDS层12上涂布丙烯树脂使其固化,形成有机感光性材料层。然后将HMDS层12和有机感光性材料层分别图案化,使应当设置栅极配线34的区域露出。被图案化的有机感光性材料层是围堰图案18。
在被围堰图案镶边的区域(表面S的一部分)上,用液滴喷出法赋予导电性材料8A。而且在将所赋予的导电性材料8A在净化炉中活化,形成栅极配线34。本实施方式中的栅极配线34(栅极电极44G)的厚度约1微米。此栅极配线34的厚度,与围堰图案18的厚度和基底HMDS层12厚度之和大体相等。
接着利用CVD法和图案化,形成覆盖栅极配线34和围堰图案18的栅极绝缘膜42、与栅极电极44G对应设置的半导体层35、在半导体层35上以所定间隔互相分离的位置上的两个接合层37S和37D。栅极绝缘膜42的厚度约为200纳米。半导体层35由无定形硅(a-Si)构成,半导体层35的厚度处于200~300纳米范围内。其中在半导体层35中,通过栅极绝缘膜42与栅极电极44G重合的部分将变成通道区域。另一方面,两个接合层37S和37D,由n+型无定形硅构成,两个接合层37S和37D的各自厚度均为大约50纳米。这两个接合层37S和37D,将分别与后面形成的源电极44S和漏电极44D连接。
另外,在图6(a)中,图示出栅极配线34中的栅极电极44G的一部分。
形成两个接合层37S和37D之后,如图6(b)所示,利用旋涂法涂布氟化聚酰亚胺前体并进行光固化,形成大约3微米(三千纳米)厚度的层间绝缘膜45,以将两个接合层37S和37D、半导体层35和栅极绝缘膜42覆盖。其中被涂布的氟化聚酰亚胺前体的量,被设定得使层间绝缘膜45能将基底的阶差吸收。因此,层间绝缘膜45的表面将变得平坦。
进而如图6(c)所示,将层间绝缘膜45图案化,使设置第一部分33A的部分、设置第二部分33B的部分和设置漏电极44D的部分,从层间绝缘膜45中除去。其结果,可以在层间绝缘膜45上形成与第一部分33A和第二部分33B对应的开口部AP1。同时也可以形成与漏电极44D对应的开口部AP2。将这样图案化成的层间绝缘膜45也将记作“围堰图案”。
在开口部AP1的底部露出的表面是“图案形成区域24S”,在开口部AP2的底部露出的表面是“图案形成区域24D”。图案形成区域24S的二维形状,与第一部分33A的部分和第二部分33B的二维形状一致。另一方面,图案形成区域24D的二维形状,与漏电极44D的二维形状一致。而且,图案形成区域24S、24D各自的二维形状,被围堰图案镶边。这里所述“二维形状”是指与A轴方向和B轴方向二者平行的假想平面(AB平面)上的形状。例如,所述第一部分33A的部分和第二部分33B的二维形状,是指投影在上述AB平面上的第一部分33A的部分和第二部分33B的形状。
其中在本实施方式中,由于围堰图案46含氟,所以围堰图案46对于导电性材料8A的疏液性,比图案形成区域24S、24D对于导电性材料8A的疏液性大。另外,在物体表面上液体状材料显示的接触角越大,物体表面对于液体状材料就会显示更大的疏液性。因此,在本实施方式中,在围堰图案46上导电性材料8A显示的接触角,比图案形成区域24S、24D上导电性材料8A显示的接触角大。这些接触角之差,优选处于30°以上。
而且图7所示的图案形成区域24S,具有一个第一部分24SA,和沿着A轴方向将第一部分24SA夹持的二个第二部分24SB。其中第一部分24SA与第二部分24SB互相连接着。而且第一部分24SA是与图1的第一部分33A和第二部分33B对应的区域。另一方面,两个第二部分24SB是第一部分24SA以外的图案形成区域24S的区域。本说明书中,将沿着A轴方向的长度记作L,将沿着B轴方向的长度记作M。本实施方式中,第一部分24SA的L约为30微米,第一部分24SA的M约为30微米。
另一方面,沿着图案形成区域24D的A轴方向的长度L约为30微米。而且沿着图案形成区域24D的B轴方向的长度M约为50微米。因此本实施方式中,沿着第一方向的长度为L,同时沿着与第一方向正交的第二方向的长度为M的四边形图案的部分,将变成M处于L以上大小的电极图案。
形成了图案形成区域24S、24D之后,利用液滴喷出装置100分别在图案形成区域24S、24D设置导电性材料层。
具体讲,首先在台架106上将基体10定位,使A轴方向与X轴方向一致,使B轴方向与Y轴4方向一致。这样一来,液滴喷出装置100将使喷嘴118与基体10的相对位置产生二维(X轴方向和Y轴方向)变化。而且如图8(a)所示,每当喷嘴118抵达与一个第一部分24SA对应的位置时,就会从喷嘴118喷出导电性材料8A的多个液滴D。其结果如图8(b)所示,导电性材料8A的多个液滴D就会弹落在一个第一部分24SA上并在其上湿润扩展。此外如图8(c)所示,通过使弹落在一个第一部分24SA上的多个液滴D湿润扩展,可以形成不仅覆盖一个第一部分24SA,而且也覆盖第二部分24SB的导电性材料层8B。
同样,每当喷嘴118抵达与一个图案形成区域24D对应的位置时,就会从喷嘴118喷出导电性材料8A的多个液滴D。其结果,导电性材料8A的多个液滴D就会弹落在一个图案形成区域24D上并在其上湿润扩展。而且通过使弹落在一个图案形成区域24D上的多个液滴D湿润扩展,可以形成一个图案形成区域24D的导电性材料层8B。
其中将从喷嘴118喷出的液滴D的直径记作Ф。本实施方式中液滴D的直径Ф处于M以下和L以下。具体讲,本实施方式中液滴D的直径Ф大约为20微米。其中只要没有特别限制,所述液滴D的直径是指液滴D在X轴方向和Y轴方向二者平行的平面(定为XY平面)上投影的液滴D的影像的直径。
本实施方式中,如图7和图8(b)所示,液滴喷出装置100喷出液滴D,使液滴D的大体中心处于与围堰图案46至少为直径Ф的1/2倍的距离之处。这样一来,液滴D不会与围堰图案46接触,能够弹落在图案形成区域24S、24D上。也就是说,若这样喷出液滴D,则在围堰图案46上不会产生液滴D的残渣。其结果,例如由于液滴D弹落得不会超越位于图案形成区域24S和图案形成区域24D之间的围堰层46,所以在最终形成的源电极44S(第二部分33B)与漏电极44D之间不会发生电学上的短路。其中所述“液滴D的中心”是指液滴D在上述XY平面上投影的液滴D的影像的中心。
此外在本实施方式中,当形成将图案形成区域24S覆盖的导电性材料层8B的情况下,在图案形成区域24S中仅对第一部分24SA喷出液滴D。也就是说,即使喷嘴118抵达图案形成区域24S中第二部分24SB,也不会从喷嘴118喷出任何液滴D。即使没有弹落在第二部分24SB的液滴D,而在第一部分24SA的液滴D,也会依靠自身的流动向第二部分24SB流入(湿润)。而且,液滴D的自身流动因毛细管作用而产生。
另外,如上所述,在本实施方式中,向一个第一部分24SA喷出多个液滴D。这样一来,能够向第一部分24SA供给覆盖一个第一部分24SA及其两端的两个第二部分24SB用的充分体积的导电性材料8A。弹落在一个第一部分24SA的液滴D的数,也可以根据相邻的两个第二部分24SB的大小而变。
根据本实施方式,由于不会向第二部分24SB喷出液滴D,所以能够将第二部分24SB的宽度设计得比液滴D的直径小。其结果,由于得到的第一部分33A(图1)的宽度变窄,所以像素区域的开口面积(有助于显示的面积)将会增大。
进而如图8(d)所示,采用净化炉150将导电性材料8A活化后,得到导电性。具体讲,通过这种活化作用,将得到第一部分33A、第二部分33B和漏电极44D。其中第二部分33B的一端处于接合层37S的位置上,另一端与第一部分33A相连。而且漏电极44D位于接合层37S上。但是第二部分33B(源电极44S)和漏电极44D却被围堰图案隔开
本实施方式中,包括栅极电极44G、半导体层35、位于栅极电极44G与半导体层35之间的栅极绝缘膜42、接合层37S、借助于接合层37S与半导体层35连接的源电极44S、接合层37D、和借助于接合层37D与半导体层35连接的漏电极44D的部分,是TFT元件。而且,源电极44S是图1的第二部分33B。
进而利用光刻法形成将第一部分33A和第二部分33B覆盖的第二绝缘层45A,和将漏电极44D覆盖的第二绝缘层45B。此时,形成第二绝缘层45A和45B,以便将开口部AP1和AP2内的阶差吸收。若能这样,则在第二绝缘层45A和45B的表面,与围堰图案的表面之间不会产生阶差。此外形成第二绝缘层45B时,也同时形成将第二绝缘层45B贯通达到漏电极44D的接触孔45C。其中,接触孔45C具有在漏电极44D侧的开口直径比另一侧开口直径小的形状。即,接触孔45C具有锥体形状。
形成第二绝缘层45A和45B之后,采用溅射法等公知的图案化技术,在第二绝缘层45A和45B上,和围堰图案46上形成ITO膜,并将其图案化。这样一来,得到将第二绝缘层45A、45B,及围堰图案46覆盖的像素电极36。与此同时,使像素电极36与漏电极44D,借助于接触孔45C实现电连接。
而且通过涂布聚酰亚胺树脂后固化,以使像素电极36、围堰图案46、以及第二绝缘层45A和45B覆盖,形成聚酰亚胺树脂层。而且沿着所定方向对得到的聚酰亚胺树脂层表面进行摩擦,得到曲线41P。通过以上工序,得到如图9所示的元件侧基板10B。
进而借助于未图示的垫片将元件侧基板10B与未图示的对向基板粘合。在由隔离物(spacer)确保的元件侧基板10B与对向基板(未图示)之间的间隙中导入液晶材料后密封,得到液晶显示装置。
(E.电子仪器)
以下说明本发明的电子仪器的具体实例。图10(a)所示的移动电话机600,备有用本实施方式的制造方法制造的液晶显示装置601。图10(b)所示的便携式信息处理装置700,备有键盘701、信息处理装置主体703、和用本实施方式的制造方法制造的液晶显示装置702。这种便携式信息处理装置700的更具体的实例,是文字处理器、个人电脑。图10(c)所示的手表型电子仪器800,备有本实施方式的制造方法制造的液晶显示装置801。如此,图10(a)~图10(c)所示的电子仪器,由于备有本实施方式的制造方法制造的液晶显示装置,所以TFT特性良好,因而可以得到具有显示良好的液晶显示装置的电子仪器。
本实施方式的制造方法,适于制造液晶显示装置中的TFT用源电极·漏电极。而且本实施方式的制造方法,也可以适用于有机电致发光显示装置中的配线制造等,以及其他显示装置中的配线图案的制造上。此外,本实施方式的制造方法还可以适用于等离子体显示装置中的地址电极、或SED(表面传导电子发射显示器)或FED(场发射显示器)中的金属配线的制造上。
(变形例1)
按照上述实施方式,导电性材料8A含有银纳米微粒。但是代替银微粒,既可以用含有例如金、铜、铝、钯和镍中的至少一种金属的纳米微粒,也可以用这些氧化物以及导电性聚合物和超导体纳米微粒。此外,这些纳米微粒为了提高其分散性,还可以用有机物等将其涂布在表面上。
(变形例2)
按照上述实施方式,基板10A是玻璃基板。但是基板10A,也可以用具有透光性的塑料基板代替玻璃基板。此外,基板10A即使没有透光性,也能采用上述配线图案形成方法。例如,基板10A既可以是硅基板,也可以是由聚酰亚胺制成的柔性基板。
(变形例3)
上述实施方式中,采用喷墨法形成具有银组成的一层结构的源电极44S和漏电极44D。但是,也可以改变上述制造方法,使源电极44S和漏电极44D的至少其中之一具有由异种导电性材料构成的多层结构,以此代替由银构成的单层结构。
例如也可以使源电极44S和漏电极44D至少其中之一,具有由银组成的基底层,和位于基底层上的由盖金属层组成的多层结构。盖金属层例如由镍组成,容易进行源电极44S、漏电极44D和其他配线之间的连接。而且形成这种多层结构的情况下,利用对应的液体状的导电性材料,分别进行上述实施方式中说明的喷出扫描操作就可以。
(变形例4)
上述实施方式中的围堰图案46是由氟代聚酰亚胺组成的。但是代替氟代聚酰亚胺,也可以用混合了含氟聚合物的丙烯系化学增幅型感光性抗蚀剂形成围堰图案46。

Claims (6)

1.一种配线图案的形成方法,是用液滴喷出装置喷出液体状导电性材料的液滴,在具有基体上由围堰图案镶边、第一方向长度为L的同时与所述第一方向正交的第二方向长度为M的部分的图案形成区域设置导电性材料层的配线图案形成方法,其特征在于,
具有向所述部分喷出其直径为所述L以下、同时所述M以下的所述液滴,形成将所述部分覆盖的所述导电性材料层的步骤(A),
所述步骤(A)包括喷出所述液滴,使所述液滴的中心与所述围堰图案间距离至少为所述直径1/2倍的位置上的步骤(a1)。
2.根据权利要求1所述的配线图案形成方法,其中所述步骤(A)包括在所述图案形成区域中仅在所述部分喷出所述液滴,依靠所述液滴的自身流动在所述图案形成区域形成所述导电性材料层的步骤(a2)。
3.一种配线图案的形成方法,是用液滴喷出装置喷出异种导电性材料的液滴,在具有由基体上围堰图案镶边、第一方向长度为L的同时所述第二方向长度为M的部分的图案形成区域层叠异种导电层的配线图案形成方法,其特征在于,包括:
向所述部分喷出具有处于所述L以下同时处于所述M以下直径的第一导电性材料的液滴,形成第一导电性材料层的第一步骤;
烧成所述第一导电性材料层,形成第一导电层的第二步骤;
向所述部分喷出具有所述直径的第二导电性材料的液滴,在所述第一导电层上形成第二导电性材料层的第三步骤;
烧成所述第二导电性材料层,形成第二导电层的第四步骤,其中
所述第一步骤和所述第三步骤中的至少一个步骤,是喷出所述液滴,使所述液滴的中心与所述围堰图案间距离至少为所述直径的1/2倍的位置上的步骤。
4.根据权利要求3所述的配线图案形成方法,其中所述第一步骤和所述第三步骤中的至少一个步骤,是在所述图案形成区域中仅在所述部分喷出所述液滴,依靠所述液滴的自身流动在所述图案形成区域形成所述导电性材料层的步骤。
5.一种TFT用源电极的形成方法,是包括权利要求1~4的任何一项中所述的配线图案形成方法的TFT用源电极的形成方法,其特征在于,
其中所述图案区域是形成源配线的区域,
所述部分是所述源配线中形成源电极的区域。
6.一种TFT用漏电极的形成方法,是包括权利要求1~4中任何一项记载的配线图案形成方法的TFT用漏电极的形成方法,
其中所述区域是漏配线形成区域,
所述部分是形成漏电极的区域。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH07195285A (ja) * 1993-12-29 1995-08-01 Bridgestone Corp ロボット制御装置
CN1245769C (zh) * 1999-12-21 2006-03-15 造型逻辑有限公司 溶液加工
JP4042497B2 (ja) * 2002-04-15 2008-02-06 セイコーエプソン株式会社 導電膜パターンの形成方法、配線基板、電子デバイス、電子機器、並びに非接触型カード媒体
JP2004160128A (ja) * 2002-11-11 2004-06-10 Sega Corp 電動マッサージ機の非常停止及び初期状態復帰方法
JP2005012173A (ja) * 2003-05-28 2005-01-13 Seiko Epson Corp 膜パターン形成方法、デバイス及びデバイスの製造方法、電気光学装置、並びに電子機器

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