CN1747145A

CN1747145A - 薄基片支持器

Info

Publication number: CN1747145A
Application number: CN200510098329.7A
Authority: CN
Inventors: 米歇尔·皮埃什; 格扎维埃·吉尚拉
Original assignee: Alcatel NV
Current assignee: Alcatel CIT SA; Alcatel Lucent NV
Priority date: 2004-09-08
Filing date: 2005-09-07
Publication date: 2006-03-15
Also published as: FR2875054B1; JP2006080509A; EP1635381A3; US20060051893A1; EP1635381A2; FR2875054A1

Abstract

用于支持半导体基片的设备包括附着到包括冷却系统和电连接装置的处理室上的样品架。该设备进一步包括通过静电方式或者夹子固定到样品架并且与样品架电连接和热连接的中间部件。中间部件是可拆装的，其具有足够的硬度以允许对其支持的减薄的基片进行操作并且其包括基座，该基座包括具有比基片高的导电率的第一材料。覆盖该基底的第一层包括具有高介电强度的第二材料。将第一和第二电极设置在第一层上。覆盖第一层和电极的第二层包括具有高介电强度的第三材料。

Description

薄基片支持器

相关申请的交叉引用

本申请基于2004年9月8日提交的法国专利申请No.0451992，其全部内容通过参考引入本申请，并且本申请要求其优先权。

技术领域

本发明涉及半导体基片的等离子处理，特别地涉及蚀刻和/或等离子沉积。更准确地，本发明涉及用于厚度小于500μm的基片的支持器。

背景技术

在半导体工业中，对晶片形式的基片进行处理代表了制造过程中的一个重要方面。在将集成电路生成在厚半导体基片晶片，例如硅晶片上之后，后者需要通过机械动作将其减薄到它们的应用所要求的厚度。

减薄具有两个结果：

a)减薄到厚度为100μm量级或更少，原先刚性的基片变成柔性并且因此非常难以处理。

b)机械动作将材料的结构改变到10μm到30μm的深度：单晶体的基片结构变成无定形的。减薄的基片从而必须经受后续的处理以消除该层。

在现有技术的一个减薄方法中，在其上已生成集成电路的晶片的前表面被塑料材料膜所覆盖。晶片然后被引入到磨床中，在该磨床中由机械动作将该晶片的后表面减薄。减薄的晶片然后通过机械的或者化学的抛光动作经受第二次处理，以去除已经被减薄改变的表面层。

在上面两个步骤之后，半导体基片的减薄的表面被固定到一个支持器上，其中该支持器包括由金属框架支持的塑料材料膜。然后从基片的前表面上去除塑料材料膜。所支持的膜/基片组件然后被引入到锯床，其中锯刃经过所有切割线穿透整个基片的厚度，以便个体化仍固化到塑料材料膜的电路。然后，从锯床上去除所支持的膜/基片组件，并且电路已经安装到其封装中。该方法的主要缺点在于其会在电路的边缘产生硅碎片。这些由锯刃所产生的碎片会导致一些最后能够破坏电路的缺陷。

上面方法的变形，称为“研磨划片(DBG)”或者“减薄划片(DBT)”，减少了由锯刃所产生的缺陷的数量，但是不能完全消除它们。在减薄操作之前，厚半导体基片晶片从其前表面被部分地锯开，其中锯刃穿透到基片中的深度仅比基片的最终厚度稍大。晶片的前表面然后由保护性的塑料材料膜覆盖并且将厚晶片引入到磨床中，以通过机械动作将其减薄一直到锯切割的底部。电路从而被分开并且保留减薄的基片晶片的形式，其中减薄的基片晶片然后被机械地或者化学地抛光以去除已经变为无定形的层。

随后引入了一种新的技术，其包括将用来机械分离电路的锯替换为在电路之间加工或者等离子蚀刻一个沟槽。等离子蚀刻是一种需要通过物理化学现象来去除材料的动作，因此不会产生机械导致的缺陷。因此该操作可以导致最少的缺陷。无论在减薄之前或减薄之后，等离子蚀刻都可以有利地代替用于分离电路的锯刃，并且也可以代替用于去除在通过研磨的减薄之后已经变为无定形的硅层的抛光技术。

在等离子蚀刻技术中，一个光刻步骤应用到半导体基片的一个表面上，从而划分出要被暴露给等离子的区域，并且因此从那些由光敏树脂掩膜保护而不受等离子蚀刻的部分中蚀刻出来。半导体基片放置在位于封罩中的样品架中。在封罩内在包含如SF₆的氟化物的低压气体中产生等离子。同时，对样品架进行负极化以加速正离子对基片表面的轰击，这加速了材料的蚀刻并且加强了蚀刻的垂直性。

在蚀刻过程中，对基片加热，从而增加了其表面的温度。为了避免损坏基片中的光敏树脂蚀刻掩膜和电子电路，基片必须在整个蚀刻操作中被冷却以保持其温度低于80摄氏度到100摄氏度。为了冷却基片，其通过机械的或者静电的方式与带有冷却系统的样品架的表面保持接触，并且将氦气注入到样品架的上表面和基片的下表面之间。气体把热从基片传导到样品架。

为了有效导热，氦气的压力必须大于大约10毫巴。尽管这个压力在厚基片的情况下不会引起问题，但是它会使减薄的基片晶片变形，特别地当它们包括个体化电路时。因此在减薄之后将基片晶片可逆地固定到刚性的支持器上是非常重要的。

第一个技术是使用粘性的聚合物膜将减薄的基片晶片固定到刚性的支持器上。

已经建议了通过具有在受到高温时会失去其粘性的特性的膜(称作热胶带)将减薄的基片固定到具有标准厚度的半导体基片上，这应该使得能够得到个体化的电路。实际上，将电路从它们的支持器上分离而完全不破坏它们是非常困难的，膜一旦被加热将保持比薄硅的机械力更大的粘力。

还已经设想了通过具有当其通过石英被紫外线辐射时会失去其粘性的特性的膜(称作UV胶带)将减薄的基片固定到厚为大约1mm的刚性的石英片上。这种技术具有两个主要的缺点。首先，与硅(156W/m.K)相比，石英是非常差的热导体(其导热率是1W/m.K)。因此，其热阻因此非常的高，并且硅基片的表面迅速地达到超过80摄氏度到100摄氏度的温度。唯一的解决方法是降低蚀刻的速度，这又降低了生产率。石英还是电绝缘的，这意味着基片不能通过静电方式保持在样品架上。

第二个技术包括通过静电方式将减薄的基片晶片固定到移动架上。

文件US-2002/110,449建议将基片固定到可传送的支持器上，且该基片在处理步骤期间及不同处理步骤之间保持固定在支持器上。该支持器包括陶瓷形式的介电材料，例如石英，玻璃，铝或者钛氧化物，以及钡钛酸盐。其集成了用于产生和积累能够产生静电力的电荷的电路。

这个系统具有两个主要的缺点。首先，0.3毫米到2.5毫米厚的陶瓷具有高热阻。如果可传送的支持器通过机械方式固定到样品架上，氦气的压力将使得薄陶瓷在其中心变形。变形会引起不均匀的热传导(更多的热被传导到中心)，并且引起非常高的风险：使遭受变形的硅基片恶化。

因此，在下一个处理步骤之前将电极充电，仅当积累在电极中的电荷在整个操作过程中保持在那里时，静电系统才能够工作。在在真空中的在使用等离子媒质干蚀刻以及在从30kHz到13.56MHz的频率交替基片极化的操作的当前条件下，没有永久加电的电极会放电，导致基片中保留的静电力的损失。

文件US-2004/037,692描述了一种移动基片架，用于防止其中基片的温度能够超过400摄氏度(例如，在其后表面上沉积金属或者将基片焊接到基座上)的基片处理。基片架包括基座，基座优选地包括其热导率不是很高且覆盖了一层绝缘材料(SiO₂，Si₃N₄)的陶瓷半导体材料(AlO₂，Kapton，SiC)。该被设计为在高温时使用的基片架不能有效地冷却基片以保持其温度低于80摄氏度。

还有，基片通过在处理过程中不需要外部供电的静电系统固定到基片架上。该系统包括布置在由包含移动离子(硼硅酸盐玻璃)或者具有高介电常数(钡钛酸盐或者锶钛酸盐)的材料所组成的功能层里的金属电极。为了固定基片，将电压加载到两个电极的端子。移动离子被加载的电场所转移并且产生单独的电偶极子。由电偶极子产生的多个单独电场的总和产生了高电场，该高电场在消除电压后还能继续保持。正是这个保持的电场在处理期间将基片固定到基片架上。

在真空等离子媒质中的且在从30kHz到13.56MHz的频率上基片交替极化的干蚀刻操作的当前条件下，这个解决方案不能使用，因为交替电压的结果是翻转了电偶极子，从而取消了固定基片的电场，该基片也不能再固定在基片架上。

美国专利6,268,994公开了一个适于支持样品的夹盘，其带有冷却系统并且包括两个部分，一个导电基座和一个框架，它们通过插入在导电基座的开孔中的栓紧固在一起。这两部分电连接并热连接。导电基座和框架之间的结合可以通过环氧胶，导热的油脂或钎焊来实现。样品静电地固定在基座上，其中基座包括由第一绝缘层，导体层和第二绝缘层依次覆盖的导体部分。该夹盘不能解决操作薄的或者易碎的样品的问题。

发明内容

本发明建议的设备不具有现有技术设备的缺点，并且适于支持减薄半导体基片晶片以在使用等离子媒质的真空中进行处理。特别地，本发明的设备提供了用于基片的刚性支持器，其可以紧固到基片并且可以从基片上移除，以便可以对其更加容易地进行处理。而且，本发明的设备能够将基片的温度在处理过程中一直保持在80摄氏度以下。最后，本发明的设备必须允许在处理之后，很容易地并且完全地释放基片，这样在那里可以使用切割以形成电路。

本发明包括用于支持半导体基片的设备，该设备包括附着到包括冷却系统和电连接装置的处理室的样品架，其中该设备还包括通过静电方式或者借助于夹子固定到样品架上并且与样品架电连接和热连接的中间部件，该中间部件是可拆装的，具有足够的硬度以允许操作其支持的减薄基片，并且包括：

-包括具有比基片更高的导电率的第一材料的基座，

-覆盖基座并且包括具有高介电强度的第二材料的第一层，

-设置在第一层上的第一和第二电极，以及

-覆盖第一层和电极并且包括具有高介电强度的第三材料的第二层。

中间部件是可拆装的，并且具有足够的硬度以允许操作其支持的减薄基片。

本发明的设备有利地允许将中间部件和薄基片的组合固定到样品架并且将其从那分离的频度和单独操作基片的频度具有相同的大小级别。本发明允许使用未加更改的标准设备(机器臂，室门，基片架，传送盒等)，并通过传统的将氦气以合理的泄漏率注入到中间部件下面的冷却系统来冷却中间部件。

以上述方式获得的中间部件-基片组件和只减薄之前的基片在尺寸上具有相同的级别，即150毫米或者200毫米的直径，中间部件-基片组件和减薄之前的基片在厚度上也具有相同级别，并且中间部件-基片组件的重量小于500克。中间部件-基片组件是轻的并且容易传送而不会存在损坏减薄的基片的危险。

构成中间部件的基座的材料必须具有比基片高得多的导热率，并且优选地具有尽可能高的导热率，以促使由基片的等离子处理所产生的热疏散到冷却的样品架。在本发明的第一个实施例中，第一种材料是金属，优选地是铜或铝。

由介电材料组成的第一层将电极同基座绝缘。该材料必须能够耐受却又不阻断大约几千伏的电压。组成第一层的材料也必须具有尽可能高的导热率，以至于不会在基片和中间部件的基座之间产生热障。这两个标准必须同时进行优化，当然如果可能的话。在第二个具体实施例中，所述第二种材料是氧化铝Al₂O₃，例如，形成在基座表面或电极表面的一层阳极氧化铝，取决于它们哪些是铝制的。

该第一绝缘层与电极接触。例如，电极可能采取导电材料薄层的形式，这特别地可以通过在第一绝缘层上沉积导电材料来获得。在第三个实施例中，电极是由金属制成的，优选地为铜或铝。

用能够耐受却不会阻断几千伏的电压的第二绝缘层覆盖电极，而且第二绝缘层是非常好的热导体，以便能够有助于冷却基片。为该第二绝缘层选择的材料必须符合类似那些应用到第一绝缘层材料的电和热的标准。但是，由于该材料在本地受到等离子的恶化动作，所以使用能够易于拆装和替代的材料是有利的。在第四个实施例中，第三材料是柔性的聚合物。在一个变形中，柔性聚合物是粘性聚合物。在另一个变形中，柔性聚合物从聚四氟乙烯(PTFE)，聚氯乙烯(PVC)，聚乙烯(PE)和聚酰胺(PA)中选择。

第二绝缘层可以包括聚合物膜，例如其优选地在与电极接触的一侧是粘性的，或者第二绝缘层可以包括通过涂胶机能够沉积的并且使用合适的溶剂，例如聚酰胺可以化学消除的材料。同样重要的是，该绝缘层上面的表面是非常平整的，以至于不会在其所支持的减薄的基片内产生压力。

本发明的设备具有许多的优点。首先，中间部件可以由比石英便宜的材料制成，例如铝盘。其次，其对缺陷，例如划痕不是很敏感，而这些缺陷会损坏石英并使得石英失去一些透明度。第三，其不需要特定的环境，例如在石英和对紫外辐射敏感的膜的情况下需要的非光化性的光线。最后，在磨损的情况下，更换上部介电体是非常容易的，特别地如果上部介电体是聚合物膜或者是通过涂胶机沉积的话。

在本发明的一个实施例中，基片通过静电方式固定到中间部件并且中间部件通过静电方式固定到样品架。样品架包括电极，其中电极之间加载了几千伏的电压以至于中间部件通过加载的电压所产生的静电压力被支持在样品架上。通过静电方式将中间部件固定到样品架上类似于如上所述的将基片固定到中间部件上。电极之间加载了几千伏的电压以至于中间部件被支持在样品架上。

在这种情况下，中间部件优选地为盘状，其具有和基片尺寸相同级别的大小。

在另一个实施例中，基片通过静电方式固定到中间部件上而中间部件通过夹子固定到样品架上。术语“夹子”表示任何可以对中间部件施加压力并且起到将中间部件按压在样品架上的固定装置，其还能够通过中和该压力将中间部件从样品架上分离。这种类型的固定装置特别地在文档EP-1263025中进行了描述。

在该实施例中，中间部件是直径比基片的尺寸稍大的盘，以为夹子提供承载区域。

在这种情况下，所述基座优选地具有至少1毫米的厚度，并且更优选地具有1毫米到2毫米的厚度，以使其被夹子的夹片夹住。

根据本发明的第一个方面，一个增压的氦气膜形成在中间部件和样品架之间。一股用作实现热交换的注入气体的氦气被引导向样品架的上表面和中间部件的下表面，以用该气体扫过表面并且形成永久的气体膜。

根据第二个方面，一个增压的氦气膜形成在中间部件和基片之间。氦气同样被引入到中间部件的上表面和基片的下表面之间。

为了提供有效的热交换，氦气的气压必须至少为10毫巴。

由于等离子是气态的并且是导电媒质，在气体注入之后立刻重新建立静电压力。因为静电压力，硅基片被压向中间部件，并且其表面产生的热在最优的条件下疏散。在处理结束的时候，气体和等离子的注入停止了，并且中间部件触点上的电压被移除。然后从机器上移除承载减薄的基片的中间部件。

如果需要，中间部件-基片组件可以放置在机器外部所提供的部件里，例如样品架，其两个电流触点之间加载与用于保持基片的极性相反的电压。这时候可以完全释放基片并且为下一步操作做好准备。

在本发明的一个特殊实施例中，第一电极基本上是采用盘的形状而第二电极基本上采用环绕第一电极的环状。为了与样品架建立电连续性，每一个电极都包括一个相应的延长部分，该延长部分由第一层覆盖以使其与中间部件的基座绝缘，并且该延长部分穿过中间部件的基座一直到达其后表面从而形成两个电接触点。在等离子处理机器的外面，基片被放置在带有两个电接触点的中间部件上，其中中间部件的两个电接触点朝向样品架的接触点。大约几千伏的电压在两个电极之间加载几分钟。然后基片由所加载的电压导致的静电压力被支持在中间部件上。然后将中间部件-基片组件插入到机器中并且通过静电方式或者借助于容易开启的夹子固定到样品架上。一旦其被放置到样品架上，在中间部件的电接触点和样品架的电接触点之间就建立起了电连续性，并且在电极之间建立了几千伏的电压。

在本发明的另一个实施例中，中间部件进一步包括：

-在相对于第一层的一侧上覆盖所述基座的第三层，其包括具有高介电强度的第四材料，

-形成在第三层上的第三电极和第四电极，以及

-覆盖第三层、第三电极和第四电极的第四层，其包括具有高介电强度的第五材料。

第三个绝缘层具有与基座相对侧上的第一绝缘层相同的功能，即，将电极与基座电绝缘。因此第四材料必须具有类似于组成第一绝缘层的第二材料的特性。第四材料优选地是氧化铝Al₂O₃，例如，在基座表面或者电极表面上形成的一层阳极氧化铝，取决于它们哪些是由铝制成的。

例如，第三电极和第四电极可以采取导电材料薄层的形式，其特别地可以通过在第三绝缘层上沉积导电材料来获得。这些电极最好由金属制成，优选地是铜或铝。

第四绝缘层具有与基座相对侧上的第二绝缘层相同的功能。因此第五材料必须具有类似于那些组成第二绝缘层的第三材料的特性。第二材料优选地是柔性的聚合物。在一个变形中，柔性聚合物是粘性聚合物。在另一个变形中，柔性聚合物可以从聚四氟乙烯(PTFE)，聚氯乙烯(PVC)，聚乙烯(PE)和聚酰胺(PA)中选择。

在本发明的一个特殊实施例中，第三电极基本上采取盘的形状而第四电极基本上采用环绕第三个电极的环状。为了与样品架建立电连续性，每一个电极都具有一个延长部分，该延长部分由第三层覆盖，以使其与中间部件的基座绝缘，并且该延长部分穿过中间部件的基座一直到达其后表面，从而形成两个电接触点。第三电极的延长部分最好与第一电极的延长部分共用，并且第四电极的延长部分最好与第二电极的延长部分共用。这样中间部件与样品架之间只有两个电接触点。

本发明进一步提供一种借助于上述设备操作半导体基片的方法。该方法包括以下步骤：

-将基片通过静电方式固定到中间部件上，

-将承载基片的中间部件引入到处理室中，

-将中间部件固定到样品架上，并附着到包括冷却系统和与中间部件进行电连接的装置的处理室上，

-在真空中在等离子媒质中处理基片，

-将样品架从承载被处理的基片的中间部件上分离，

-从中间部件上移除基片。

中间部件优选地静电地固定到样品架上。在电极之间加载几千伏的电压以至于中间部件被支持在样品架上。中间部件也可以借助于夹子固定到样品架上。

本发明具有允许在处理速度方面的最优条件下进行薄基片的等离子处理而不损坏它们的优点。首先，基片的温度可以保持在大约80摄氏度以下，而同时允许高处理速度。第二，本发明中可以不费力地取下个体化电路，并且因此不会在分离之后损坏它们。最后，不像在那些用对温度或紫外辐射敏感的膜将减薄的基片固定到石英支持器上的方法，在本发明的方法中，基片不会在等离子处理之前或之后遭受任何危险的操作。

附图说明

本发明的其它特征和优点将在以下通过非限制性的例子对实施例进行的描述的过程中，以及在附图中变得显而易见，其中在附图中：

-图1表示本发明的包括依照了本发明的一个实施例的中间部件的设备，

-图2表示图1中实施例的变形，

-图3表示依照了本发明的另一个实施例的中间部件。

具体实施方式

如图1所示，本发明的设备包括附着在处理室上的并且带有冷却系统的样品架1，其中冷却系统包括例如用于提供其热交换流体并且将流体疏散到热交换设备的管筒2以及该流体的通道3。固定在中间部件5a上的基片4放置在样品架1上。惰性热交换气体，例如氦气，被注入到样品架1的上表面和中间部件5a的下表面之间，以及基片4的下表面和中间部件5a的上表面之间以形成薄层6。

中间部件5a，这里采取盘的形状，包括由非常好的热导体诸如金属的材料，例如铜(热系数C_th＝401W/m.K)或者铝(C_th＝237W/m.K)所组成的基座7。组成基座7的材料的导热率必须很高，并且要比基片4的导热率高很多以将在基片4上由等离子处理所产生的热传导到氦气层6上。

基座7优选地由铝制成。基座7上用于容纳基片的那一侧的表面7a由具有高介电强度的绝缘材料，例如氧化铝Al₂O₃制成的层8所覆盖。该绝缘层可以特别地通过阳极化处理基座7上表面的铝来获得。层8被构成电极的导电层9所覆盖。层8的作用是将基座7的材料与导电层9电绝缘。只有几微米厚的不连续的导电层9优选地为一层铜。该导电层9包括两个同心电极，其中一个具有中心盘状的电极9a被具有环状的第二电极9b所环绕。导电层9具有两个延长部分9c，其通过层8与基座7保持电绝缘；其中一个延长中心盘9a而另一个在外围延长环9b。这些延长部分9c出现在中间部件5a的后表面上以形成两个电接触区域10。一旦中间部件5a被放到样品架1上，这些区域10与样品架1上的两个对应电连接11的末端接触，使得电压可以加载在电极9a和电极9b之间。

导电层9由具有高介电强度的材料所制成的第二绝缘层12保护。在本例中，使用了70μm到170μm厚的聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)膜，其与导电层9的上表面接触的下侧是粘性的。

在此实施例中，中间部件5a具有与基片4相同的直径D。基座7和覆盖其的层8、9、12中的每一个都具有相同的直径D。通过与将基片4固定到中间部件5a上相同的方法，中间部件5a可以使用包含在样品架1中的电极(没有示出)通过静电方式固定到样品架1上。

图2代表依照了前述实施例的一个变形的中间部件5b。在基座7上相对于基片的一侧的表面7b上，沉积了第三绝缘层13，且第三绝缘层13不被第一绝缘层8所覆盖。绝缘层13具有类似于层8的特性。其由具有高介电强度的绝缘材料，如氧化铝Al₂O₃制成。

只有几微米厚的并且优选为由铜制成的不连续的导电层14沉积在绝缘层13上。导电层14包括两个同心电极，其中一个具有中心盘状的电极14a被具有环状的第二电极14b所环绕。电极14a和电极14b分别与电极9a和电极9b的延长部分电连接，并且通过接触区域10从中间部件上出现。

导电层14由具有高介电强度的材料制成的第四绝缘层15保护。如同第二层12，绝缘层15可以包括厚约70μm到170μm的PET膜，其中PET膜在与导电层14的上表面接触的下侧是粘性的。

在此实施例中，中间部件5b具有与基片4相同的直径D。基座7和覆盖其的层13，14，15中的每一个具有相同的直径D。采用与使用同样包含在中间部件5b中的电极9a和电极9b通过静电方式将基片4固定到中间部件5b上相同的方法，可以使用包含在中间部件5b中的电极14a和电极14b通过静电方式将中间部件5b固定到样品架1上。

在图3所示的本发明的实施例中，类似于图1中的部件用相同的参考标号指示。该实施例与图1的不同在于：中间部件25具有比基片4大的直径D’，以使其能够被夹子固定到样品架1上。这种固定模式在文件EP-1263025中特别地进行了描述。基座27和第一绝缘层28具有与部件25相同的直径D’。导电层9和第二绝缘层12具有与基片4相同的直径D。因此第一绝缘层28在其外围具有厚度增加的部分28a，其厚度为层9和层12厚度之和，以补偿直径的差异。这种用于将部件25固定到样品架1上的装置放置在该厚度增加的部分28a上。

Claims

1.用于支持半导体基片的设备，所述设备包括：样品架，附着到包括冷却系统以及电连接装置的处理室，其中所述设备进一步包括中间部件，其由静电方式或者借助于夹子固定到所述样品架并且与所述样品架建立电连接和热连接，所述中间部件是可拆装的，具有足够的硬度以允许对其支持的减薄的基片进行的操作，并且包括：

-包括具有比所述基片更高导电率的第一材料的基座，

-覆盖所述基座的第一层，其包括具有高介电强度的第二材料，

-设置在所述第一层的第一电极和第二电极，以及

-覆盖所述第一层和所述电极的第二层，其包括具有高介电强度的第三材料。

2.根据权利要求1所述的设备，其中所述第一材料为金属。

3.根据权利要求1所述的设备，其中所述电极是金属的。

4.根据权利要求2和3所述的设备，其中从铜和铝中选择所述金属。

5.根据权利要求1所述的设备，其中所述第一电极和第二电极的每一个具有各自的延长部分，该延长部分由所述第一层覆盖，将其与所述基座隔开，并且穿过所述基座直至其后表面，以便定义两个电接触点。

6.根据权利要求1所述的设备，其中所述第二材料为铝的氧化物。

7.根据权利要求1所述的设备，其中所述第三材料为柔性聚合物。

8.根据权利要求1所述的设备，其中所述第一电极基本上采用盘状，并且所述第二电极基本上采用围绕所述第一电极的环状。

9.根据权利要求1所述的设备，其中在所述中间部件和所述样品架之间形成增压的氦气膜。

10.根据权利要求1所述的设备，其中在所述中间部件和所述基片之间形成增压的氦气膜。

11.根据权利要求1所述的设备，其中所述中间部件通过夹子固定到所述样品架。

12.根据权利要求11所述的设备，其中所述中间部件为直径大于所述基片的盘。

13.根据权利要求11或12所述的设备，其中所述基座至少有1毫米厚。

14.根据权利要求1所述的设备，其中所述中间部件通过静电方式固定到所述样品架。

15.根据权利要求14所述的设备，其中所述样品架包括在其之间可以施加电压的电极。

16.根据权利要求14所述的设备，其中所述中间部件进一步包括：

-在相对于所述第一层的一侧上覆盖所述基座的第三层，其包括具有高介电强度的第四材料，

-形成在所述第三层上的第三电极和第四电极，以及

-覆盖所述第三层和所述第三电极和第四电极的第四层，其包括具有高介电强度的第五材料。

17.根据权利要求16所述的设备，其中所述第四材料是氧化铝Al₂O₃。

18.根据权利要求16或17所述的设备，其中所述电极是金属的。

19.根据权利要求18所述的设备，其中所述金属是铜或者铝。

20.根据权利要求16的设备，其中所述第三电极基本上采用盘状而所述第四电极基本上采用环绕所述第三电极的环状。

21.根据权利要求16所述的设备，其中所述第三电极和第四电极的每一个都包括各自的延长部分，该延长部分由所述第三层覆盖以使其与所述基座绝缘并且该延长部分穿过所述基座一直到达其后表面从而形成两个电接触点。

22.根据权利要求18所述的设备，其中所述第三电极和第四电极的延长部分分别与所述第一电极和第二电极的延长部分共用。

23.根据权利要求16所述的设备，其中所述第五材料是柔性的聚合物。

24.通过根据权利要求1所述的设备操作半导体基片的方法，所述方法包括以下步骤：

-将所述基片通过静电方式固定到中间部件上，

-将承载所述基片的所述中间部件引入到处理室中，

-将所述中间部件固定到样品架上，其附着到包括冷却系统和与所述中间部件进行电连接的装置的所述处理室上，

-在真空中在等离子媒质中处理所述基片，

-将所述样品架从承载该被处理的基片的所述中间部件上分离，

-从所述中间部件上去除所述基片。

25.根据权利要求24所述的方法，其中所述中间部件通过静电方式固定到所述样品架上。

26.根据权利要求24所述的方法，其中所述中间部件通过夹子固定到所述样品架上。