CN1704845A - 光敏聚合物及含有该聚合物的化学扩增的光刻胶组合物 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了用于采用短波长曝光光源形成高分辨率精细电路图案的光敏聚合物，及含有该聚合物的化学扩增的光刻胶组合物。所述光敏聚合物如以下式1所示，[式1]其中R1为氢原子，R2为氢原子（见图），R3为氯原子、溴原子、羟基、氰基、叔丁氧基、CH2NH2、CONH2、CH＝NH、CH(OH)NH2或C(OH)＝NH基团，R4为氢原子或甲基，1－x－y－z、x、y和z为构成所述光敏聚合物的每种重复单元的聚合度，x、y和z分别为0.01－0.8，且n为1或2。

Description

光敏聚合物及含有该聚合物的化学扩增的光刻胶组合物
技术领域
本发明涉及光敏聚合物及含有该聚合物的化学扩增的光刻胶组合物。更具体地，本发明涉及用于通过使用短波长的深度UV曝光光源来形成高分辨率精细电路图案的光敏聚合物，以及含有该聚合物的化学扩增的光刻胶组合物。
背景技术
由于3年内半导体集成电路的集成度增长了4倍，已经开发出了存储容量超过1GB的动态随机存取存储器(下文称为“DRAM”)。为了生产大容量的DRAM，需要开发能够形成线宽为0.18μm的精细光刻胶图案的光敏聚合物和光刻胶组合物。
通常，半导体生产过程中的光刻过程包括如下步骤：a)在半导体基体上均匀地涂覆包含光敏聚合物和溶剂的光刻胶组合物；b)对所述涂覆的光刻胶组合物进行前烘(soft baking)以驱除所述溶剂，从而在基体上形成抗蚀膜；c)将光掩膜(分划板(reticle))和形成有抗蚀膜的基体暴露于曝光光源，从而反复地将所述光掩膜的缩小图像投影到所述抗蚀膜；d)使用显影剂选择性地除去曝光的抗蚀膜；e)对显影后的抗蚀膜进行坚膜(hard-baking)从而使所述膜严格地粘附在所述基体上；f)根据所述坚膜后的抗蚀膜的图案对所述基体进行蚀刻；及g)在所述蚀刻步骤后将不需要的抗蚀膜剥离。
用于光刻过程的光刻胶组合物必须具备诸如对照射光的高分辨率、良好的光学灵敏度(optical sensitivity)和良好的透明度的特性，并且还必须具备诸如良好的对比度、较快的感光速度(photo-speed)、良好的热稳定性、粘附性和抗蚀性的特性。所述光敏性表示所述光刻胶对照射光的反应程度。如果光敏性良好，则每单位小时内与照射光反应的所述光刻胶组合物的量增加，从而提高生产率。为了提高光敏性，引入了含有光敏聚合物和光酸发生剂(photo-acid generator)的化学扩增的光刻胶组合物。如果将所述化学扩增的光刻胶组合物曝光，则所述光酸发生剂产生光酸，在所述光刻胶组合物上形成潜在的图像。所产生的光酸在曝光后的加热过程被活化，引起a)含在所述光刻胶组合物中的光敏聚合物的交联反应，或b)所述光敏聚合物的主链或取代在该主链上的官能团的解聚或脱保护。之后，所述光酸作为上述交联反应、解聚作用或脱保护作用的副产物产生，然后发生由其引起的链式反应，从而增强了所述光刻胶组合物的光敏性。所述分辨率定义为在最适合的操作条件下用所述光刻胶能形成的精细电路图案的最小尺寸，并且是评价光刻胶的重要指标。分辨率(R)在数学上定义为(κλ/NA)，其中κ是依赖于操作条件的参数，并且是所述光刻胶固有的物理性质，λ是照射光的波长(nm)，而NA是透镜的数值孔径(numeral aperture)。如上所示，在曝光过程中，通过使用较短波长的光源或具有较低参数(κ)的光敏聚合物和光刻胶组合物能获得较高的分辨率。
历史上，早在二十世纪80年代，就引入了使用高压水银灯形成分辨率为1μm的电路图案的G-line(436nm)曝光方法。并且还引入了能形成分辨率为0.5μm或更小的电路图案的I-line(365nm)曝光方法。此后，开发出了使用300nm或更短的短波长的曝光技术(例如使用波长248nm的光的KrF准分子激光法)，来大量生产分辨率小于0.5μm的256M DRAM。在所述曝光过程中使用通常称为“步进机(stepper)”的步进重复式对准仪设备。根据所用的曝光光源(如G-line(436nm)、I-line(365nm)、ArF(193nm)准分子激光、KrF(298nm)准分子激光等等)选用所述步进机。使用X-射线或EUV(极端紫外线)作为曝光光源的曝光设备正在研究和开发中。
如上所述，用于使用短波长光作为曝光光源的光刻过程的光刻胶组合物必须具备诸如良好的透明度、良好的光敏性和较高的分辨率的优良物理特性。然而，用于常规G-line(436nm)或I-line(365nm)曝光过程的，由重氮醌(quinonediazide)光活化化合物和苯酚-酚醛树脂构成的常规组合物吸收300nm或更小的照射光，并具有较低的透明度。同时，由常规G-line(436nm)或I-line(365nm)曝光过程形成的图案不稳定，并且不能形成陡直的图案。因此，需要即使在使用300nm或更小的曝光光源的情况下仍具有优良物理特性的化学扩增的光刻胶组合物。
在所述的化学扩增的光刻胶组合物中，负性光刻胶组合物包括可溶于碱性水溶液的结合树脂、交联试剂、光酸发生剂和溶剂(Jour，VacuumScience Technology.，Vol.B6，1988)。由所述光酸发生剂产生的光酸作为活化所述交联试剂的催化剂起作用，使得所述结合树脂变为不可溶的，并在后续的显影过程中形成负性电路图案。当所述常规光刻胶组合物包括作为结合树脂的酚醛树脂时，将三聚氰胺交联树脂和光酸发生剂暴露于248nm的KrF准分子激光或193nm的ArF准分子激光，所述酚醛结合树脂和三聚氰胺交联树脂的光吸收使所述电路图案反向锥化(tapered)(Jour，Vacuum Science Technology.，Vol.B7，1988)。因此，对替代所述化学扩增的负性光刻胶组合物的化学扩增正性光刻胶组合物tp进行了研究(Pro.Spie.，Vol 1262，p32，1990)。所述化学扩增的正性光刻胶组合物包含光敏聚合物、光酸发生剂和溶剂。在所述光刻胶膜的曝光部位，由所述光酸发生剂产生的光酸作为催化剂起作用，其促进了所述光敏聚合物的主链或取代在该主链上的官能团的解聚或脱保护，从而在后续的显影过程中形成正性图案。通常使用含有诸如聚乙烯酚(polyvinylphenol)衍生物的聚合物的抗蚀材料作为所述化学扩增的正性光刻胶组合物，其不能吸收300nm或更小波长的光。具体地，示例性的化学扩增的正性光刻胶组合物包括a)由H.Ito等(“Polymers in Electronics”，ACS Symposium Series，No.242，American Chemical Society，Washington，D.C.，1984，p.11)提供的包括用叔丁氧基羰基(t-BOC)封闭(blocked)的聚(羟基苯乙烯)和鎓盐(onium salt)的光刻胶材料，b)由Ueno等(36th Applied Physics Society Related JointMeeting，1989，1p-k-7)提供的包括聚(对苯乙烯氧四氢吡喃基)(poly(p-styreneoxytetrahydropyranyl))和所述光酸发生剂的光刻胶材料，及c)由Schlegel等(37th Japanese Applied Physics Society announcement，28p-ZE-4，1990)提供的由酚醛树脂、作为溶解抑制剂的叔丁氧基羰基保护的双酚-A以及焦棓酚甲烷磺酸酯构成的三组分光刻胶材料。日本已审查专利公开第1990-27660号，日本未审查专利公开第1993-232706号，日本未审查专利公开第1993-249683号，美国专利第4,491,628和5,310,619号等公开了与上述材料制备相关的技术。上述光刻胶组合物具有较高的分辨率，但当曝光过程和曝光后烘烤(PEB)过程之间存在曝光后延迟(PED)时，由于与基体的反应，在所述图案中可能存在footing现象。
发明内容
因此，本发明的目的是提供即使当曝光过程和PEB过程之间存在PED时也不产生footing现象的光敏聚合物，以及含有该聚合物的化学扩增的光刻胶组合物。本发明的另一目的是提供用于借助短波长曝光光源形成高分辨率精细电路图案的光敏聚合物，以及含有该聚合物的化学扩增的光刻胶组合物。
为实现这些和其它目的，本发明提供以下式1所示的光敏聚合物，
[式1]
Figure A20051007480600111
其中R1为氢原子，R2为氢原子、 或
Figure A20051007480600113
R3为氯原子、溴原子、羟基、氰基、叔丁氧基、CH2NH2、CONH2、CH＝NH、CH(0H)NH2或C(OH)＝NH基团，R4为氢原子或甲基，1-x-y-z、x、y和z为构成所述光敏聚合物的每种重复单元的聚合度，x、y和z分别为0.01-0.8，且n为1或2。同时，本发明提供包括式1所示的光敏聚合物、光酸发生剂和有机溶剂的化学扩增的光刻胶组合物。
发明的详细说明
参照以下的详细说明可以更好、更完整地理解本发明及其具有的多种优点。
本发明的光敏聚合物用于制备化学扩增的光刻胶组合物，并如以下式1所示。
[式1]
在式1中，R1为氢原子，R2为氢原子、 或
Figure A20051007480600123
R3为氯原子、溴原子、羟基、氰基、叔丁氧基、CH2NH2、CONH2、CH＝NH、CH(OH)NH2或C(0H)＝NH基团，R4为氢原子或甲基，1-x-y-z、x、y和z为构成所述光敏聚合物的每种重复单元的聚合度，x、y和z分别为0.01-0.8，且n为1或2。
所述光敏聚合物可在诸如偶氮二异丁腈(AIBN)的引发剂和诸如四氢呋喃(THF)的有机溶剂存在条件下通过封闭基团取代的苯乙烯单体的聚合来制备，优选通过乙烯聚合来制备。优选地，所制备的光敏聚合物具有3,000-30,000的平均分子量以及1.01-3.00的多分散性。如果其平均分子量和多分散性超过上述范围，则光刻胶层的物理特性变差，难以形成光刻胶层或图案对比度下降。
本发明光敏聚合物的优选实例如以下式1a到式1d所示。
[式1a]
[式1b]
Figure A20051007480600132
[式1c]
[式1d]
Figure A20051007480600141
在式1a到式1d中，1-x-y-z、x、y和z为构成所述光敏聚合物的每种重复单元的聚合度，且x、y和z分别为0.01-0.8。
式1所示的光敏聚合物提高了所述光刻胶膜的耐干式蚀刻的性能。在曝光过程中，所述光敏聚合物被所述光酸发生剂产生的光酸脱保护，且其溶解性提高，而所述膜的未曝光部分具有足够的溶剂抑制性能。因此，所述光刻胶组合物的对比度和分辨率提高，并且即使采用短波长的曝光光源也能形成精细的电路图案。此外，即使当曝光过程和PEB过程之间存在PED时也不产生footing现象。
本发明的化学扩增的光刻胶组合物包括a)式1所示的光敏聚合物，b)用于产生光酸的光酸发生剂，c)有机溶剂，及如果需要，包括各种添加剂。优选的所述光敏聚合物的量为占所述化学扩增的光刻胶组合物总量的0.1-50重量％，且更优选地，所述光敏聚合物的量为占所述化学扩增的光刻胶组合物总量的1-50重量％。如果所述光敏聚合物的量少于0.1重量％，则由于所述涂层形成的抗蚀膜很薄，难以形成具有所需厚度的图案，而如果所述光敏聚合物的量高于50重量％，则其涂层的均匀度下降。
通过曝光，所述光酸发生剂产生诸如H+的光酸组分，其引起了化学扩增作用。本发明可广泛地使用常规光酸发生剂。可使用硫鎓盐、诸如碘鎓的鎓盐、N-亚氨基磺酸盐、诸如
Figure A20051007480600142
的二砜(其中R为-H、-CH3或-C(CH3)3)、诸如 的双芳基磺酰基重氮甲烷(其中R为-H、-CH3或-C(CH3)3)、诸如 的芳基羰基芳基磺酰基重氮甲烷(其中R为-H、-CH3或-C(CH3)3)，或其混合物作为所述酸发生剂。硫鎓盐的例子包括下列化合物但并不局限于此。
Figure A20051007480600153
Figure A20051007480600161
鎓盐的例子包括如下化合物但并不局限于此。
Figure A20051007480600171
示例性的N-亚氨基磺酸盐包括
Figure A20051007480600172
和
Figure A20051007480600173
化合物。
优选地，光酸发生剂的量为所述化学扩增的光刻胶组合物总量的0.1-50重量％，更优选所述光酸发生剂的量为0.1-30重量％。如果所述光酸发生剂的量低于0.1重量％，则由于通过曝光产生的酸组分很少，因而难以使所述封闭基团脱保护，而如果所述光酸发生剂的量超过50重量％，则由于所述抗蚀膜的吸收增加使得所述图案产生斜面(slope)。
可用各种用于常规光刻胶组合物的有机溶剂作为本发明光刻胶组合物的有机溶剂。示例性的有机溶剂包括乳酸乙酯、乙二醇单乙醚醋酸酯、丙二醇单甲醚醋酸酯、乙醚醋酸酯、乙酸正丁酯、甲基异丁基酮、3-乙氧基丙酸乙酯、3-甲氧基丙酸甲酯、二甘醇单乙醚、2-庚酮、双丙酮醇、β-甲氧基异丁酸甲酯、丙二醇单甲醚、丙二醇单甲基丙酸酯(propyleneglycolmonomethylpropionate)、乳酸甲酯、乳酸丁酯、丙酮酸乙酯、γ-丁内酯及其混合物。
如果必要，除所述光敏聚合物、光酸发生剂、有机溶剂外，本发明的光刻胶组合物还可包括溶解抑制剂。所述溶剂抑制剂降低了抗蚀膜未曝光部分的溶解度，使所述未曝光部分和曝光部分的溶解度差异变大，从而增强对比度。本发明的光刻胶组合物可使用常规的溶解抑制剂。所述溶解抑制剂的量优选为所述光敏聚合物的0.1-50重量％。
使用本发明的化学扩增的光刻胶组合物能在基体上形成光刻胶图案。首先，用例如旋涂机将所述化学扩增的光刻胶组合物旋涂在诸如硅晶片或铝晶片的基体上，在该基体上形成光刻胶层。因为其中的光敏聚合物的溶解度较低，因此所述光刻胶层即使用碱性水溶液处理也基本不溶。然后将所述光刻胶层暴露于短波长光源。所述光刻胶组合物的光酸发生剂与光反应产生光酸。通过额外的加热过程使用于抑制显影的封闭基团(所述光敏聚合物主链的侧基)脱保护，所述加热过程诱导所述光产生的酸的化学扩增。因此，曝光部分对显影溶液的溶解度大大增加，使所述曝光部分和未曝光部分之间产生溶解度差异。和与所述G-line光和I-line光反应的常规正性化学扩增的光刻胶组合物相比，本发明的化学扩增的光刻胶组合物具有更加良好的分辨率。
以下提供了优选的实施例用于更好地理解本发明。然而，本发明并不局限于以下实施例。
实施例1 聚(HS-co-pEES-co-苯乙烯-co-CBCPS)(式1a)的合成
a) 4-氰基甲基苯乙烯(CyMS)的合成
如以下反应1a所示，将49.01g氰化钠(NaCN)、70.07g水和50.96g乙醇加入装有机械搅拌的500ml 4-颈烧瓶中，并将溶液的温度升高到60℃以使NaCN完全溶解。向所述溶液中缓慢加入87.05g 4-氯甲基苯乙烯，并使反应在60-70℃温度条件下进行3小时。反应完成后，将所述溶液冷却至40℃，向其中加入100g二乙醚，并分离二乙醚层。将分离的有机层用300g水萃取三次。水层用50g二乙醚萃取，并将二乙醚萃取液加入所述有机层中。分离的有机层用硫酸镁干燥一天，随后用蒸发器除去所述有机溶剂得到深紫色的4-氰基甲基苯乙烯。产物收率为80％。
[反应1a]
Figure A20051007480600191
b) 4-(3-氰基-二-1，5-叔丁氧基羰基-戊基)苯乙烯(CBCPS)的合成
如以下反应1b所示，将57.28g上述方法制备的4-氰基甲基苯乙烯和1.4g Triton表面活性剂加入装有机械搅拌的500ml 4-颈烧瓶中，随后用40g二噁烷溶解。保持反应器的温度为60℃的条件下，用约30分钟向溶液中缓慢加入102.54g丙烯酸叔丁基酯，并在搅拌下反应24小时。反应完成后，反应物用盐酸溶液中和，中和后的反应物用100g二乙醚和300g水萃取三次。水层用50g二乙醚萃取，并将二乙醚萃取液加入所述有机层中。分离的有机层用硫酸镁干燥一天，然后用蒸发器除去有机溶剂。所得产物在减压下蒸馏除去未反应的材料，并用甲醇重结晶得到淡黄色的CBCPS，收率60％。
[反应1b]
Figure A20051007480600201
c) 聚(HS-co-pEES-co-苯乙烯-co-CBCPS)的合成
如以下反应1c所示，将200ml四氢呋喃(THF)加入装有温度控制装置和氮气通入装置的500ml 4-颈烧瓶中，并通过通入氮气搅动30分钟。在25℃向该反应器中加入42.17g 4-乙酰氧基苯乙烯、53.83g 4-(1-乙氧基)-乙氧基苯乙烯、10.42g苯乙烯、15.98g上述方法中制备的CBCPS以及2.06g AIBN。将反应物的温度升高到40℃，并在氮气氛下将其搅拌30分钟。然后所述反应物的温度升高到60-70℃，并在回流条件下将其继续搅拌24小时。反应完成后，将所述反应物的温度冷却至室温(25℃)，并将反应物倾入2L己烷中得到沉淀。过滤所得沉淀，用2L己烷洗涤多次，并真空干燥。在烧瓶中将干燥后的聚合物用200ml甲醇溶解，向其中加入12.00ml的28重量％的NH3水溶液，并缓慢搅拌所得混合物。所述聚合物完全溶解后，将混合物继续搅拌30分钟。将搅拌后的溶液倾入2L水中得到沉淀。过滤所得沉淀，用2L纯水洗涤多次，并真空干燥2天，得到44.57g聚(HS-co-pEES-co-苯乙烯-co-CBCPS)。
[反应1c]
Figure A20051007480600211
在反应1c中，1-x-y-z、x、y和z与式1中的定义相同。
实施例2 聚(HS-co-pEES-co-pTBS-co-CBCPS)(式1b)的合成
如以下反应2所示，除了使用17.63g对-叔丁氧基-苯乙烯代替10.42g苯乙烯作为单体，使用2.27g AIBN作为引发剂，以及使用11.89ml的28重量％的NH3水溶液之外，采用与实施例1中所述相同的方法得到47.73g式1b的聚(HS-co-pEES-co-pTBS-co-CBCPS)。
[式2]
Figure A20051007480600221
在反应2中，1-x-y-z、x、y和z与式1中的定义相同。
实施例3 聚(HS-co-pEES-co-tBocS-co-CBCPS)(式1c)的合成 
a) 聚(HS-co-pEES-co-CBCPS)的合成
如以下反应3a所示，将200ml四氢呋喃(THF)加入装有回流冷却器、温度控制装置和氮气通入装置的500ml 4-颈烧瓶中，并通过通入氮气搅动30分钟。向反应器中加入58.39g 4-乙酰氧基苯乙烯、53.83g 4-(1-乙氧基)-乙氧基苯乙烯、15.98g实施例1(b)中制备的CBCPS以及2.23g作为引发剂的AIBN。将反应器的温度升高到40℃，并在氮气氛下将反应物搅拌30分钟。然后将反应器的温度升高到60-70℃，并在回流条件下将反应物继续搅拌24小时。反应完成后，将所述反应物的温度冷却至室温(25℃)，并将反应物倾入2L己烷中得到沉淀。过滤所得沉淀，用2L己烷洗涤多次，并真空干燥。在烧瓶中将干燥后的聚合物用200ml甲醇溶解，向其中加入17.48ml的28重量％的NH3水溶液，并缓慢搅拌所得混合物。所述聚合物完全溶解后，将混合物继续搅拌30分钟。将搅拌后的溶液倾入2L水中得到沉淀。过滤所得沉淀，用2L纯水洗涤多次，并真空干燥2天，得到55.77g聚(HS-co-pEES-co-CBCPS)。
[反应3a]
Figure A20051007480600231
在反应3a中，1-x-z、x和z与式1中的定义相同。
b) 聚(HS-co-pEES-co-tBocS-co-CBCPS)的合成
如以下反应3b所示，将200ml THF加入500ml的单颈烧瓶中，并加入55.77g聚(HS-co-pEES-co-CBCPS)、23.57g二叔丁基碳酸氢钠(di-tert-butyl-dicarbonate)和10.92g三乙胺。将反应物在25℃搅拌15小时。反应完成后，将反应物倾入2L水中得到沉淀。过滤所得沉淀，用2L水洗涤多次，并真空干燥2天，得到66.24g聚(HS-co-pEES-co-tBocS-co-CBCPS)。
[反应3b]
Figure A20051007480600241
在反应3b中，1-x-y-z、x、y和z与式1中的定义相同。
实施例4 聚(HS-co-pEES-co-tHPS-co-CBCPS)(式1d)的合成
如以下反应4所示，除了使用21.83g四氢吡喃基氧苯乙烯代替10.42g苯乙烯作为单体，使用2.39g AIBN作为引发剂，以及使用12.63m1的28重量％的NH3水溶液之外，采用与实施例1中所述相同的方法得到55.98g式1d的聚(HS-co-pEES-co-tHPS-co-CBCPS)。
[反应4]
Figure A20051007480600251
在反应4中，1-x-y-z、x、y和z与式1中的定义相同。
实施例5-14 化学扩增的光刻胶组合物的制备以及精细图案的形成
根据表1中所示的重量比例，将实施例1-4中制备的光敏聚合物和式2-5的光酸发生剂溶解在乳酸乙酯(EL，有机溶剂)中制得化学扩增的光刻胶组合物。以3000rpm将所得光刻胶组合物旋涂在硅基体上，并在130℃加热90秒以形成光刻胶层。将精细图案的光掩膜置于所述光刻胶层上，随后将所述光刻胶层暴露于波长248nm的光。此后，将所述光刻胶层在130℃烘烤90秒。烘烤后的晶片用2.38重量％四甲基氢氧化铵(TMAH)水溶液显影60秒，并用纯水洗涤，从而形成精细图案。检测所得精细电路图案的相对灵敏度和分辨率并列在表1中。
[式2]
[式3]
[式4]
[式5]
Figure A20051007480600264
对比实施例1和2 化学扩增的光刻胶组合物的制备和精细图案的形成
根据表1中所示的重量比例，将如下式6或7的光敏聚合物和式2或3的光酸发生剂溶解在乳酸乙酯(EL，有机溶剂)中制得化学扩增的光刻胶组合物。用所得的组合物通过与实施例5中所述相同的方法形成半导体电路图案。检测所得精细图案的相对灵敏度和分辨率并列在表1中。
[式6]
Figure A20051007480600271
[式7]
[表1]
                   光刻胶的组分                   图案的物理特性
  聚合物(重量份)  光酸发生剂(重量份)    溶剂(重量份)   薄层厚度(μm) 相对灵敏度(mJ/cm2)   分辨率(μm)
实施例5   式1b(100)     式2(5)     EL(550) 0.38 22 0.10
实施例6   式1b(100)     式3(5)     EL(550) 0.40 24 0.10
实施例7   式1b(100)     式4(5)     EL(550) 0.40 18 0.13
实施例8   式1b(100)     式2(3)式5(2)   EL(550) 0.39 22 0.13
实施例9   式1b(100)     式3(3)式5(2)   EL(550) 0.41 30 0.13
实施例10   式1c(100)     式2(5)   EL(550) 0.40 20 0.13
实施例11   式1c(100)     式3(5)   EL(550) 0.40 22 0.18
实施例12   式1c(100)     式3(3)式5(2)   EL(550) 0.41 18 0.18
实施例13   式1d(100)     式2(5)   EL(550) 0.40 18 0.18
实施例14   式1d(100)     式3(5)   EL(550) 0.42 20 0.24
  对比实施例1   式6(100)     式2(5)   EL(550) 0.40 20 0.24
  对比实施例2   式7(100)     式3(5)   EL(550) 0.41 20 0.24
表1中，相对灵敏度指最佳的能量值(Eop)。如表1中所示，与对比实施例1和2中制备的组合物相比，实施例5-14中制备的本发明的化学扩增的光刻胶组合物具备更为优良的分辨率。因此，即使使用248nm的曝光光源也能形成所述精细电路图案。如上所述，本发明的光敏聚合物和化学扩增的光刻胶组合物的优点是：即使在所述曝光过程和PEB过程之间存在PED也不会产生footing现象。同时，即使使用短波长的曝光光源，本发明的光敏聚合物和化学扩增的光刻胶组合物依然具有优良的分辨率，从而能形成精细的电路图案。
虽然本发明是参照优选的实施方案进行详细描述的，但本领域所属技术人员应当理解，可在不脱离所附权利要求限定的本发明基本精神和范围的条件下对其做出各种改变和替换。

Claims (10)

1.式1所示的光敏聚合物，
[式1]
Figure A2005100748060002C1
其中R1为氢原子，R2为氢原子、 或 R3为氯原子、溴原子、羟基、氰基、叔丁氧基、CH2NH2、CONH2、CH＝NH、CH(OH)NH2或C(OH)＝NH基团，R4为氢原子或甲基，1-x-y-z、x、y和z为构成所述光敏聚合物的每种重复单元的聚合度，x、y和z分别为0.01-0.8，且n为1或2。
2.如权利要求1所述的光敏聚合物，选自以下式1a到式1d所示的化合物，
[式1a]
[式1b]
[式1c]
[式1d]
其中，1-x-y-z、x、y和z为构成所述光敏聚合物的每种重复单元的聚合度，且x、y和z分别为0.01-0.8。
3.如权利要求1或2所述的光敏聚合物，其平均分子量为3,000-30,000，且多分散性为1.01-3.00。
4.化学扩增的光刻胶组合物，包括权利要求1-3中任一权利要求所述的光敏聚合物，光酸发生剂以及有机溶剂。
5.如权利要求4所述的化学扩增的光刻胶组合物，其中所述光酸发生剂选自：
Figure A2005100748060004C2
Figure A2005100748060007C1
及其混合物，其中R为-H、-CH3或-C(CH3)3。
6.如权利要求4或5所述的化学扩增的光刻胶组合物，其中所述有机溶剂选自：乳酸乙酯、乙二醇单乙醚醋酸酯、丙二醇单甲醚醋酸酯、乙醚醋酸酯、乙酸正丁酯、甲基异丁基酮、3-乙氧基丙酸乙酯、3-甲氧基丙酸甲酯、二甘醇单乙醚、2-庚酮、双丙酮醇、β-甲氧基异丁酸甲酯、丙二醇单甲醚、丙二醇单甲基丙酸酯、乳酸甲酯、乳酸丁酯、丙酮酸乙酯、γ-丁内酯及其混合物。
7.如权利要求4-6中任一权利要求所述的化学扩增的光刻胶组合物，其中所述光敏聚合物的含量为所述化学扩增的光刻胶组合物总量的0.1-50重量％。
8.如权利要求7所述的化学扩增的光刻胶组合物，其中所述光敏聚合物的含量为所述化学扩增的光刻胶组合物总量的1-50重量％。
9.如权利要求4-8中任一权利要求所述的化学扩增的光刻胶组合物，其中所述光酸发生剂的含量为所述化学扩增的光刻胶组合物总量的0.1-50重量％。
10.如权利要求9所述的化学扩增的光刻胶组合物，其中所述光酸发生剂的含量为所述化学扩增的光刻胶组合物总量的0.1-30重量％。
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