CN1685476A - 热处理装置和热处理方法 - Google Patents

Abstract

热处理装置包括具有上下方向上分割成三个区的反应容器、支撑基板的基板保持具、和针对每个区设在反应容器的侧方的加热器和控制部。在各控制部上连接着检测各自负责的区的温度的温度检测部。中段区的温度检测部还连接到对应于上下段区的控制部。上下段区的控制部，在基板保持具搬入时，以中段区中的温度检测部的温度检测值作为温度目标值基于该区的温度检测值来运算，并输出加热器的控制信号。

Description

热处理装置和热处理方法

技术领域

本发明涉及对半导体晶片等基板进行热处理的热处理装置及热处理方法。

背景技术

存在着在半导体器件的制造过程中所用的，对多个半导体晶片(以下称为晶片)一并进行例如CVD(化学气相沉积)的成膜处理或氧化、扩散处理这样的热处理的立式热处理装置。此一装置是把把多张晶片棚架状地保持于称为晶片匣的保持具中，然后从例如下方侧把前述保持具搬入例如立式的热处理炉内，把处理气氛弄成规定的温度的加热气氛，进行热处理者。一般来说热处理炉把被加热区上下地分割成多个，取为备有多个加热单元和对应于各个的温度控制单元的构成，以便可以针对各区进行温度控制。

可是本发明者研究了使用碳丝加热器作为加热单元的图8中所示的那种立式热处理装置。图8中，标号101是下方侧开口的反应容器，在其周围设有分割成例如上下三段的加热器200。加热器200由加热热处理区域的大部分的主加热器202、和设在其上下的副加热器201、203来构成。此一装置，如果把多张晶片保持成棚架状的晶片匣103经由开口部102被搬入反应管101内，则设在该晶片匣103的下端的盖体104堵住开口部102，把反应管101内加热到规定温度而进行规定的热处理。

此外，在反应管101的内侧，此外在各加热器200的附近部位分别设有内部热电偶300(301～303)和外部热电偶400(401～403)，以便分别检测各加热器200负责的热处理气氛的温度，构成为把从各热电偶300、400所得到的温度检测值取入针对各加热器200(201～203)所设置的控制部500(501～503)。也就是说，控制部500(501～503)基于前述温度检测值与针对各段所设定的温度目标值，针对对应的各加热器200(201～203)可进行单独的发热量控制。

可是，在晶片匣103的搬入时下部侧的副加热器203附近，受经由开口部102流入反应管101内的外部气氛的影响，与主加热器202附近相比温度降低。如果在这种状况下从开口部102搬入冷的(温度低于反应管101内的气氛)晶片W和晶片匣103，则首先副加热器203附近的温度进一步降低，然后随着晶片匣103的上升主加热器202附近和上部侧的副加热器201附近也受影响而温度降低。

因而加热器200附近的温度越往上部侧越高，此外晶片W和晶片匣103的温度随着其位置的上升被加热器200加温而慢慢地升高，所以加热器200附近的上下方向的温度分布就根据晶片匣103的位置时时刻刻地变化。因此下端部侧的副加热器203附近的温度因晶片匣103的搬入而急剧地降低所以控制部503作用以便加大向副加热器203的投入电力。与此相反主加热器202附近的温度虽然因晶片匣103的投入而降低但是由于其程度小于副加热器203附近所以控制部502的电力的投入量不那么大。这样一来主加热器202的温度控制与副加热器203的温度控制就相互不同，而且根据加热器200附近的上下方向的温度分布的变化其不同方式也变化，进而双方的区的温度变化相互影响。

这种温度控制状态不同的现象，在上端部侧的副加热器201与主加热器202之间也产生，结果存在着晶片匣103的搬入(装料)完毕后的各加热器200附近的温度的稳定化需要时间这样的问题。虽然晶片匣103搬入后，通常使反应管101内部升温到规定的处理温度，但是如果升温前反应管101内的温度不稳定则因为升温后的温度的稳定化需要时间，故最终生产率降低。

发明内容

本发明是基于这种情况而作成的，其目的在于提供一种在分割成多个区的热处理气氛内进行基板的热处理时，可以使各区的温度迅速地稳定，谋求生产率的提高的技术。

本发明是热处理装置，备有：分割成多个区的反应容器，支撑多个基板并且可以搬入反应容器内的基板保持具，针对每个区所设置的加热单元，针对每个区所设置的温度检测部，以及针对每个区所设置的、独立地控制各加热单元的控制部，其特征在于，对应于一个区的控制部包括：在前述基板的搬入时，基于对应于该一个区的温度检测部的温度检测值，以对应于其他区的温度检测部的温度检测值为温度目标值进行运算，以其运算结果为加热单元的控制信号并输出的第一运算部。

本发明是热处理装置，其特征在于，温度检测部包括检测加热单元附近的温度的第一温度检测部，对应于前述其他区的温度检测部的温度检测值是第一温度检测部的温度检测值。

本发明是热处理装置，其特征在于，温度检测部包括检测反应容器内的温度的第二温度检测部，对应于前述其他区的温度检测部的温度检测值是第二温度检测部的温度检测值。

本发明是热处理装置，其特征在于，对应于一个区的控制部，还包括在热处理基板时，基于该一个区中所设定的温度目标值与对应于该一个区的温度检测部的温度检测值进行运算，以其运算结果作为加热单元的控制信号输出的第二运算部。

本发明是热处理装置，其特征在于，温度检测部包括检测加热单元附近的温度的第一温度检测部、与检测反应容器内的温度的第二温度检测部，对应于一个区的控制部的第一运算部在基板的搬入时，以对应于其他区的第一温度检测部或第二温度检测部的温度检测值作为温度目标值进行运算，以其运算结果作为加热单元的控制信号输出，对应于一个区的控制部，还包括在热处理基板时，基于该一个区中所设定的温度目标值与对应于该一个区的第一温度检测部和第二温度检测部的各温度检测值进行运算，以其运算结果作为加热单元的控制信号输出的第二运算部。

本发明是热处理装置，其特征在于，对应于一个区的控制部的第一运算部基于把修正值加算于对应于其他区的温度检测部的温度检测值后的值与对应于该一个区的温度检测部的温度检测值的偏差量进行运算，以其运算结果作为加热单元的控制信号输出。

本发明是热处理装置，其特征在于，对应于一个区的控制部的第一运算部在热处理基板时以一个区中所设定的温度目标值与对应于其他区的温度目标值的差用作修正值。

本发明是热处理装置，其特征在于，对应于一个区的控制部的第一运算部基于把前述偏差量乘以规定的比率后得到的值进行运算。

本发明是热处理装置，其特征在于，反应容器构成为立式，并且基板保持具从反应容器的下方侧搬入，反应容器内上下方向上分割成至少三段，前述一个区是最下段区，前述其他区是除了最上段以外的区。

本发明是热处理方法，是把支撑多个基板的基板保持具搬入分割成多个区的反应容器内，靠分别对应于前述多个区的加热单元加热各区的热处理方法，其特征在于，其中包括：检测对应于各区的温度的工序，和基于温度目标值与各区的温度检测值控制各加热单元的工序，在前述基板保持具的搬入时，作为一个区中的温度目标值用对应于其他区的温度检测值而控制加热单元。

本发明是热处理方法，其特征在于，在前述基板保持具的搬入时，一个区中的温度目标值由把修正值加算于对应于其他区的温度检测值得到的值组成。

本发明是热处理方法，其特征在于，在前述基板保持具的搬入时，把热处理基板时的一个区中所设定的温度目标值与对应于其他区的温度目标值的差用作修正值。

本发明是热处理方法，其特征在于，在前述基板保持具的搬入时，在控制对应于前述一个区的加热单元之际，基于将规定的比率乘以该区的温度检测值、与根据对应于其他区的温度检测值求出的温度目标值或把修正值加算于温度目标值后得到的值的偏差量所得到的值进行运算。

如果用本发明，则因为在把基板搬入反应容器时，一个区的温度控制跟踪于其他区的温度控制，故搬入基板后，反应容器内的温度迅速地稳定。例如如果其后使反应容器内的温度升温到处理温度，则迅速地稳定于处理温度。再者本发明也可以运用于基板搬入时的各区的温度与处理时的各区的温度相同的场合。

附图说明

图1是表示根据本发明的热处理装置的实施方式的纵截面图。

图2是表示本实施方式中所使用的控制部及其关联部位的方框图。

图3是表示设在前述控制部内的第一运算部的内部构成的方框图。

图3是表示设在前述控制部内的第二运算部的内部构成的方框图。

图5是表示本实施方式中的温度的历时变化与使用的运算部的关系的作用说明图。

图6是用来说明前述第一运算部中的作用的作用说明图。

图7是表示晶片匣搬入时的各外部热电偶处的温度变化的情形的特性图。

图8是表示现有的热处理装置的总体结构的纵截面图。

具体实施方式

图1是把本发明运用于立式热处理装置的实施方式的总体构成图。首先就此一立式热处理装置的总体构成简单地描述，此一装置备有由例如两端开口的内管1a和上端封闭的外管1b组成的例如石英制的二重结构的反应管1。反应管1内上下方向划分成三个区Z₁、Z₂、Z₃。在反应管1的周围筒状的隔热体21固定地设置于基体22，在此一隔热体21的内侧设有作为加热单元的例如由电阻发热体组成的加热器3和顶棚加热器31。加热器3例如上下分成三段(3a、3b、3c)地设在隔热体21的侧壁上，顶棚加热器31设在顶棚部。而且加热器3a对应于区Z₁，加热器3b对应于区Z₂，加热器3c对应于区Z₃设置。

加热器3(3a～c)当中的中段区Z₂的加热器3b，如图1中所示是形成反应管1内的大部分热处理气氛的所谓主加热器，配置于其上下的加热器3a和3c分别是形成反应管1的上端部分和下端部分的热处理气氛的与主加热器3b相比小型的所谓副加热器。作为加热器3的素材，可以用例如把用线径10微米左右的高纯度的碳纤维束通过编织所形成的碳丝封固于陶瓷例如外径十几毫米的透明的石英管中者。再者加热器3不限于此也可以是例如铁-钽-碳合金等的金属体。

内管1a和外管1b在下部侧支撑于筒状的总管(manifold)23之上，在此一总管23上设有气体供给管24以便供给口开口于内管1a的内侧的下部区域，并且连接着一端侧连接于未画出的真空泵的排气管25以便从内管1a与外管1b之间排气。在此一例子中由内管1a、外管1b和总管23来构成反应容器。

进而设置盖体11以便堵住总管23的下端开口部，此一盖体11设在匣提升器12之上。在盖体11之上设有：保温单元13，与设在匣提升器12上的驱动部14连接并贯通保温单元13内部而设置的旋转轴15，以及靠此旋转轴15旋转自如地保持其下端的成为基板保持具的晶片匣16。晶片匣16取为可以把多个作为基板的晶片W保持成棚架状，此外保温单元13取为组合石英翅片等隔热单元13a和发热体单元13b等的构成。

在内管11a内，设有热电偶用的细的石英管40，在此一石英管40内，针对每个区Z₁～Z₃设有作为内部温度检测部的三个内部热电偶(第二温度检测部)4(4a、4b、4c)以便分别检测分割成例如三段的各加热器3(3a、3b、3c)负责的区Z₁、Z₂、Z₃的温度。此外，在加热器3(3a、3b、3c)附近针对各区Z₁～Z₃设有分别检测加热器3(3a、3b、3c)的温度的作为外部温度检测部的外部热电偶(第一温度检测部)5(5a、5b、5c)。

而且，对应于各段的区Z₁～Z₃的加热器3(3a、3b、3c)，设有供给电力的电力供给部20(20a、20b、20c)，和控制各个电力供给部20(20a、20b、20c)的供给电力而用来控制各加热器3(3a、3b、3c)的发热量的控制部6、7、8。虽然细节后述但是如果就关联部位的配线构成简单地进行说明，则内部热电偶4(4a、4b、4c)和外部热电偶5(5a、5b、5c)分别与对应的各段的区Z₁～Z₃的控制部6、7、8的某一个连接，从设在加热器3b负责的中段区Z₂的外部热电偶5b延伸的信号线在中途分支不仅连接到控制部7还连接到控制部6和8。此外设在隔热体21的顶棚部的顶棚加热器31中也是，取为与加热器3(3a、3b、3c)同样设有热电偶32，控制从控制部33经由电力供给部34对加热器31的供电量，借此进行发热量的调节的构成。

在加热器3(3a、3b、3c)和与之连接的控制部6、7、8中，取为上述这种配线结构的理由，是因为可在以下两种情况下交替运用：在针对各段的区Z₁～Z₃个别地控制加热器3的情况下，与在把对应于成为主加热器的加热器3b的外部热电偶5b的温度检测值在其他部位处利用，在加热器3a和3c处进行所谓跟踪控制的情况下。下面参照图2就成为本实施方式的主要部分的加热器3的控制系统的构成进行说明。

首先控制部6、8如上所述有必要分别使用两种运算方法。因此控制部6包括第一运算部61与第二运算部62，控制部8包括第一运算部81与第二运算部82。没有必要切换运算方法的运算部7仅有第二运算部72(71为了方便而省去编号)。也就是说，控制部6、8的第一运算部61、81在控制部6、8进行跟踪控制部7(正确地说是跟踪从控制部7负责的区Z₂得到的温度检测值)的运算之际使用。因此，从上述外部热电偶5b延伸的信号线分别在控制部6处向第一运算部61、在控制部8处向第一运算部81连接。

另一方面，因为第二运算部62、72、82基于从每个对应的区Z₁～Z₃中所设置的内部热电偶4(4a、4b、4c)和外部热电偶5(5a、5b、5c)所得到的温度检测值、与分别单独地各区Z₁～Z₃专用地所设定的温度目标值进行运算，故在第二运算部62(72、82)上连接着内部热电偶4a(4b、4c)、外部热电偶5a(5b、5c)和目标值输出部63(73、83)。而且取为由第一运算部61、81或第二运算部62、72、82所输出的运算结果作为控制信号向电力供给部20(20a、20b、20c)输出的构成。此外在控制部6(8)处靠切换部64(84)可以选择使用第一运算部61(81)或第二运算部62(82)中的某一个。

这里虽然说明了第一运算部61、81的构成，但是因为这些具有同一的结构，故以第一运算部81为例参照图3进行说明。图3中标号811是比较运算部，标号812是修正值输出部，在比较运算部811中，以设在中段区Z₂中的外部热电偶5b的温度检测值作为温度目标值对此一温度目标值加算从修正值输出部812所输出的修正值，进而减去设在下段的区Z₃上的外部热电偶5c的温度检测值。前述修正值是用来修正中段区Z₂和下段区Z₃处的处理时的目标温度之差的所谓静态修正要素。具体地说此一修正值作为例如后述的第二运算部72、82中所用的从目标值输出部73、83所输出的双方的温度目标值的差分值求出。

在比较运算部811的输出侧，设有对其输出值(偏差量)q1乘以规定的系数k的乘算部813。如上所述控制部8对应的下段区Z₃最接近于反应管1a的下方侧开口部，因为容易受到与晶片匣16一起流入的冷空气的影响，故与中段区Z₂相比升温所需的加热输出增多。考虑这种情况，在乘算部813中为了将来自比较运算部811的输出的增加量反映到输出值如上所述进行把输出值q1乘以规定的系数k的所谓动态修正。在乘算部813中，系数k的值例如1.2(对应于冷气的影响小的上段区Z₁的第一运算部61中例如0.8)被采用。对此一输出值进行关于积分要素I1、比例要素P1、微分要素D1的各种运算(PID运算)，经由混合部814输出用来进行对应于前述偏差量q1的电力供给的输出值B1。

接下来虽然说明第二运算部62、72、82的构成，但是因为与上述第一运算部的场合同样全都具有同一的结构，故以第二运算部82为例参照图4进行说明。此第二运算部82进行把内部热电偶4c处的温度检测值纳入主回路，把外部热电偶5c的温度检测值纳入局部回路的级联控制而得到控制信号B2，标号821～824表示比较运算部，I1表示积分要素，P2表示比例要素，D2表示微分要素。

可是，虽然至此说明的控制部6实际上是由CPU、储存程序的ROM和记录温度设定值的存储器来构成，或者由各运算程序以软件方式进行者，但是在本实施方式中也可以由硬件构成来进行这种运算。此外切换部84(64)中的从第一运算部81(61)向第二运算部82(62)的切换的定时，例如可以确定在把晶片匣16搬入后升温前检测到反应容器内的温度稳定时，或者把晶片匣16搬入后经过了规定时间后，其反向切换的定时可以确定为例如在处理后反应容器内降温到规定的温度时等。

接下来就上述实施方式的作用进行说明。

对上述装置中的晶片W加热，靠设在该反应管1的侧方侧的加热器3与设在上部侧的顶棚加热器31来进行。因为本实施方式中的主要部分在于分割设置的加热器3(3a、3b、3c)的控制方式，所以着眼于此一点还参照图5进行说明。首先把作为基板的晶片W棚架状地搭载的晶片匣16，在图5的t1时刻通过使匣提升器12上升而开始向反应容器(反应管1和总管23)内搬入。此时反应管1内已经加热到成为规定的温度例如600℃左右，在对应于上下段区Z₁、Z₃的控制部6、8中，如已经所述由切换部64、84选择第一运算部61、81以便跟踪中段区Z₂的温度控制。

首先如果晶片匣16的上端部一开始进入反应容器，则虽然由于晶片匣16和晶片W此前处于反应容器之外所以是冷的，因此作为副加热器3c的负责范围的反应容器的下段区Z₃的温度一度降低。此外作为主加热器3b的负责范围的中段区Z₂的温度虽然也受冷的晶片匣16的影响而降低，但是中段区Z₂的温度降低程度比下段区Z₃的温度降低要小。而且，晶片匣16一到达中段区Z₂，此一中段区Z₂的温度也降低。此时因为随着晶片匣16和晶片W在反应容器内上升慢慢地升温，虽然中段区Z₂成为低于晶片匣16搬入前的温度，但不像下段区Z₃那么低。

如果像这样晶片匣16被搬入反应容器内，则下段区Z₃最冷，中段区Z₂也冷，上段区Z₁稍微冷却。虽然在对应于下段区Z₃的控制部8中由于外部热电偶5c的温度降低所以向副加热器3c的供给电力急剧加大，但是由于作为温度目标值的中段区Z₂的温度检测值也降低所以根据此一降低向副加热器3c的电力供给量的增加稍受抑制。然后随着中段区Z₂的温度检测值的上升，下段的副加热器3c的温度提高。然后在中段区Z₂处外部热电偶5b的温度超过温度目标值而成为超调状态，以后外部热电偶5b的温度向温度目标值降低。跟踪于中段区Z₂的这种温度的行为对下段区Z₃的副加热器3c的电力供给量受到控制，副加热器3c的温度按照中段区Z₂的副加热器3b的温度的收敛而收敛于温度目标值。

此外上段区Z₁的副加热器3a中也是跟踪中段区Z₂的主加热器3b的温度的动作控制电力供给量，副加热器3a的温度按照中段区Z₂的主加热器3b的温度的收敛而收敛于温度目标值。再者副加热器3c(3a)收敛的温度，如图3中所示由于进行把修正值加算于中段区Z₂的温度检测值的运算，所以如果例如在热处理时(处理时)相比于中段区Z₂而下段区Z₃的温度目标值高例如10℃，则下段区Z₃的副加热器3c的收敛的温度成为比主加热器3b的温度高10℃的值。

然后在t2时刻晶片匣16的搬入结束，直到t3时刻如果反应容器内的各区的温度稳定，则控制部6、8从第一运算部61、81切换到第二运算部62、82而进行加热器3a、3c的电力控制。接着从t3时刻开始升温，加热到规定的处理温度后，在t4时刻(详细地说各区的处理温度稳定后)对晶片W进行热处理。作为此一热处理之一例，可以举出例如在反应容器内维持到800℃左右，从气体供给管23把规定的成膜气体供给到反应容器内并且从排气管25真空排气而维持于规定的真空度，对晶片W进行成膜处理的过程。再者从第一运算部61、81向第二运算部62、82的切换可以在升温中途也可以在稳定于处理温度时。在t5时刻如果在晶片W表面上形成了规定的成膜，例如降温到搬入时的温度600℃左右后，在例如t6时刻以与搬入时的相反的顺序进行晶片匣16的搬出。

如至此所述，如果用上述实施方式则在分成多个所设置的加热器3(3a、3b、3c)的温度控制中，负责上下段区Z₁、Z₃的加热控制的控制部6、8以在晶片W搬入时中段区Z₂的温度检测值作为温度目标值并基于它与各自本区Z₁、Z₃的温度检测值进行温度控制。因此，各区Z₁～Z₃的温度迅速地稳定于温度目标值。例如，就下段区Z₃的副加热器3c附近而言，虽然温度因晶片匣16的搬入而降低，但是因为作为温度目标值的中段区Z₂的主加热器3b附近的温度也降低，故温度目标值与温度检测值的偏差量减小，可以把副加热器3c的发热量的增加抑制得缓慢。然后副加热器3c附近的温度超过本来的温度目标值而超调，虽然这次副加热器3c的发热量减小(温度将降低)，但是由于副加热器3c的发热量跟踪主加热器3b附近的温度，所以与像历来那样温度目标值一定的场合相比可以和缓地进行温度的降低。结果，温度的上下的波动得到抑制而迅速地软着陆于温度目标值。此外就上段区Z₁的副加热器3a的温度而言也是由于跟踪主加热器3b附近的温度，所以温度迅速地稳定于温度目标值。

进而在冷的晶片匣16和晶片W被搬入反应容器内时，根据各区Z₁～Z₃的温度从晶片匣16和晶片W受影响的程度在控制部6、8的第一运算部61、81之中，纳入对中段区Z₂处的控制部7的跟踪比率。例如在上述的例子中，因为上段区Z₁受到的影响的程度小于中段区Z₂受到的影响的程度，此外下段区Z₃受到的影响的程度大于中段区Z₂受到的影响的程度，所以上段区Z₁处的控制部6的跟踪比率设定成0.8，下段区Z₃处的控制部8的跟踪比率设定成1.2。图6示出中段区Z₂的外部热电偶5b的温度检测值的变化，与把跟踪比率变成5％、30％、100％时的上段区Z₁的各温度检测值，从此一图中可以看出，上段区Z₁的外部热电偶5a的温度检测值的变化幅度在跟踪比率大时增加，在跟踪比率小时减小。因而像上述实施方式这样通过调整副加热器3a、3c的温度控制对主加热器3b的跟踪比率，可以在上段区Z₁、下段区Z₃的各个处进行平衡于晶片匣16的搬入时的反应容器内的温度分布的温度控制，因为这一点各区的温度也迅速地稳定于温度目标值。进而因为晶片匣16的搬入后的各区的温度稳定时间大大左右着生产率，所以在本实施方式中可以提高生产率。

图7示出在图1中所示的立式热处理装置中，从晶片匣16搬入反应容器内前的副加热器3a附近、主加热器3b附近、副加热器3c附近的温度分别稳定于575℃、573℃、560℃的状态进行晶片匣16的搬入时的各加热器3a～3c附近的温度的历时变化的仿真结果。看出从开始晶片匣16的搬入起到各加热器3a～3c附近的温度稳定化的时间大约为13分钟，在晶片W的搬入时各区的温度在短时间内稳定。

再者，虽然在第一运算部61、81的说明中，作为求出上下段的各区Z₁、Z₃中的与中段区的跟踪比率的运算方法，描述了乘以预先确定的系数k的方法，但是也可以在晶片匣16的上升时，根据该晶片匣16的位置使k变化。此外在本实施方式中，也可以在晶片W的搬入时取入分别对应于各控制部6、7、8的内部热电偶4a～4c的温度检测值，在控制部6、8中以中段区Z₂的内部热电偶4b的温度检测值作为温度目标值分别与内部热电偶4a、4c的温度检测值进行比较，根据其偏差量进行副加热器3a、3c的温度控制，并且在控制部7中根据专用的温度目标值与内部热电偶4b的温度检测值的偏差量控制主加热器3b。进而此外本实施方式也可以仅就下段区Z₃的副加热器3c，进行以对应于中段区Z₂的温度检测值作为温度目标值的跟踪控制。

像以上这样如果用本发明，则可以在分割成多个区的热处理气氛内进行基板的处理，可以使各区的温度迅速地稳定化，可以谋求生产率的提高。

Claims (13)

1.一种热处理装置，其特征在于，备有：

分割成多个区的反应容器，

支撑多个基板并且搬入反应容器内的基板保持具，

针对每个区所设置的加热单元，

针对每个区所设置的温度检测部，以及

针对每个区所设置，独立地控制各加热单元的控制部，

对应于一个区的控制部具有：在所述基板的搬入时，基于对应于该一个区的温度检测部的温度检测值，以对应于其他区的温度检测部的温度检测值为温度目标值进行运算，以其运算结果为加热单元的控制信号输出的第一运算部。

2.如权利要求1所述的热处理装置，其特征在于，

温度检测部包括检测加热单元附近的温度的第一温度检测部，所述对应于其他区的温度检测部的温度检测值是第一温度检测部的温度检测值。

3.如权利要求1所述的热处理装置，其特征在于，

温度检测部包括检测反应容器内的温度的第二温度检测部，所述对应于其他区的温度检测部的温度检测值是第二温度检测部的温度检测值。

4.如权利要求1所述的热处理装置，其特征在于，

对应于一个区的控制部，还包括：

在热处理基板时，基于该一个区中所设定的温度目标值与对应于该一个区的温度检测部的温度检测值进行运算，以其运算结果作为加热单元的控制信号输出的第二运算部。

5.如权利要求1所述的热处理装置，其特征在于，

温度检测部包括：检测加热单元附近的温度的第一温度检测部，与检测反应容器内的温度的第二温度检测部，

对应于一个区的控制部的第一运算部，在基板的搬入时，以对应于其他区的第一温度检测部或第二温度检测部的温度检测值作为温度目标值进行运算，以其运算结果作为加热单元的控制信号输出，

对应于一个区的控制部，还包括：在热处理基板时，基于该一个区中所设定的温度目标值与对应于该一个区的第一温度检测部和第二温度检测部的各温度检测值进行运算，以其运算结果作为加热单元的控制信号输出的第二运算部。

6.如权利要求1所述的热处理装置，其特征在于，

对应于一个区的控制部的第一运算部，基于把修正值加算于对应于其他区的温度检测部的温度检测值得到的值与对应于该一个区的温度检测部的温度检测值的偏差量进行运算，以其运算结果作为加热单元的控制信号输出。

7.如权利要求6所述的热处理装置，其特征在于，

对应于一个区的控制部的第一运算部，在热处理基板时以一个区中所设定的温度目标值与对应于其他区的温度目标值的差用作修正值。

8.如权利要求6所述的热处理装置，其特征在于，

对应于一个区的控制部的第一运算部基于把所述偏差量乘以规定的比率得到的值进行运算。

9.如权利要求1所述的热处理装置，其特征在于，

反应容器构成为立式，并且基板保持具从反应容器的下方侧搬入，

反应容器内上下方向上分割成至少三段，所述一个区是最下段区，所述其他区是除了最上段以外的区。

10.一种热处理方法，把支撑多个基板的基板保持具搬入分割成多个区的反应容器内，靠分别对应于所述多个区的加热单元加热各区，其特征在于，该方法包括：

检测对应于各区的温度的工序，和

基于温度目标值与各区的温度检测值控制加热单元的工序，

在所述基板保持具的搬入时，作为一个区中的温度目标值用对应于其他区的温度检测值而控制加热单元。

11.如权利要求10所述的热处理方法，其特征在于，

在所述基板保持具的搬入时，一个区中的温度目标值由把修正值加算于对应于其他区的温度检测值后得到的值组成。

12.如权利要求11所述的热处理方法，其特征在于，

在所述基板保持具的搬入时，把热处理基板时的一个区中所设定的温度目标值与对应于其他区的温度目标值的差用作修正值。

13.如权利要求10所述的热处理方法，其特征在于，

在所述基板保持具的搬入时，在控制对应于所述一个区的加热单元之际，基于将规定的比率乘以该区的温度检测值与根据对应于其他区的温度检测值求出的温度目标值或把修正值加算于温度目标值得到的值之间的偏差量后所得到的值进行运算。

Images