CN2603811Y - 热处理装置 - Google Patents

Abstract

一种热处理装置，包含具有在上下方向分割的3个区域的反应容器、支持基片的基片保持器具、在反应容器的侧方的每个区域设置的加热器和控制部。在各控制部连接检测各自承担的区域的温度的温度检测部。中段区域的温度检测部也连接到对应于上下段的控制部。上下段的控制部在基片保持器具搬入时，以根据中段区域的温度检测部的温度检测值作为温度目标值，基于该区域的温度检测值进行运算，输出加热器的控制信号。

Description

热处理装置

                              技术领域

本实用新型涉及对于半导体晶片等基片进行热处理的热处理装置。

                              背景技术

有在半导体器件的制造工序中使用的、对多个半导体晶片(以下称为晶片)成批进行由例如CVD(化学汽相淀积)产生的成膜处理或氧化、扩散处理热处理装置。该装置使多个晶片以架状保持在称为晶片舟的保持器具中，其后例如将上述保持器具从下方侧搬入到立式热处理炉内，使处理气氛成为规定的温度的加热气氛，进行热处理。一般认为热处理炉是这样构成的，将被加热区域上下分割成多个，为了使各个区域能够控制温度，配备多个加热装置和各自对应的温度控制装置。

可是，本发明人一直在研究使用作为加热装置的碳金属丝加热器的如图8所示的立式热处理加热装置。图8中，标号101是下方侧开口的反应容器，在其周围，例如设置分割成上下3段的加热器200。加热器200由加热大部分热处理区域的主加热器202和在其上下设置的副加热器201、203构成。对于该装置，将以架状保持多个晶片W的晶片舟103通过开口部102被搬入到反应管101内时，在该晶片舟103的下端设置的盖体104堵塞开口部102，将反应管101内加热到规定温度，进行规定的热处理。

另外，为了分别检测各加热器200承担的热处理气氛的温度，在反应管101内侧，分别设置内部热电偶300(301-303)，还有在邻近各加热器200的部位分别设置外部热热电偶400(401-403)，以便将由各热电偶300、400得到的温度检测值读取到在各个加热器200(201-203)设置的控制部500(501-503)。即，控制部500(501-503)基于上述温度检测值和在各段设定的温度目标值，有可能分别进行对应的各个加热器200(201-203)的发热量控制。

可是，搬入晶片舟103时，下部侧的副加热器203附近，受到通过开口部102流入到反应管101内的外部气氛气的影响，与主加热器202附近相比，温度降低。在这样的状况下，从开口部102搬入冷(比反应管101内的气氛温度低)的晶片W和晶片舟103时，首先副加热器203附近的温度进一步降低，而且随着晶片舟103上升，主加热器202附近及其上部侧的副加热器201附近也受到影响而温度下降。

因而，加热器200附近的温度越在上部侧越高，另外，由于晶片W和晶片舟103的温度随着其位置上升，通过加热器200加温而徐徐升高，所以在加热器200附近的上下方向的温度分布根据晶片舟103的位置，就会每时每刻在变化。为此，由于下端部侧的副加热器203附近的温度因晶片舟103的搬入而急剧下降，所以控制部503起作用以使对副加热器203的电力投入增大。与此相对，主加热器202附近的温度由于晶片舟103的投入而降低，由于其程度比副加热器203附近少，由控制部502产生的电力投入量没有那么大。由此，主加热器202的温度控制和副加热器203的温度控制相互不同，而且根据在加热器200附近的上下方向的温度分布的变化，其不同法也变化，进一步地双方的区域温度变化相互影响。

这样的温度控制状态不同的现象在上端部侧的副加热器201和主加热器202之间也会产生，结果就产生了对于在晶片舟103的搬入(装载)结束后的各加热器200附近的温度稳定化花费时间这样的问题。搬入晶片舟103后，通常将反应管101内部升温直至规定的处理温度，如果升温前反应管101内的温度不稳定，则由于升温后的温度稳定化需要花费时间，最终生产率就会降低。

                             发明内容

本实用新型是基于这样的事实而做的，其目的在于提供在分割成多个区域的热处理气氛气内进行基片的处理时，可以使各个区域的温度快速地稳定且可以谋求生产率提高的技术。

本实用新型是一种热处理装置，配备有分割成多个区域的反应容器、在支持多个基片的同时搬入到反应容器内的基片保持器具、在各个区域设置的加热装置、在各个区域设置的温度检测部和在各个区域设置且独立控制各加热装置的控制部，其特征在于，对应于一个区域的控制部，具有第一运算部，在上述基片搬入时，基于该对应于一个区域的温度检测部的温度检测值，以对应于其它区域的温度检测部的温度检测值为温度目标值进行运算，以其运算结果作为加热装置的控制信号而输出。

本实用新型是一种热处理装置，其特征在于温度检测部包含检测加热装置附近的温度的第1温度检测部，对应于上述其它区域的温度检测部的温度检测值是第1温度检测部的温度检测值。

本实用新型是一种加热处理装置，其特征在于温度检测部包含检测反应容器内的温度的第2温度检测部，对应于上述其它区域的温度检测部的温度检测值是第2温度检测部的温度检测值。

本实用新型是一种热处理装置，其特征在于对应于一个区域的控制部，进一步具有在热处理该基片时，第2运算部基于在该区域设定的温度目标值和对应于该区域的温度检测部的温度检测值进行运算，以其运算结果作为加热装置的控制信号而输出的。

本实用新型是一种热处理装置，其特征在于温度检测部具有检测加热装置附近温度的第1温度检测部和检测反应容器内温度的第2温度检测部，对应于一个区域的控制部的第1运算部在基片搬入时，以对应于其它区域的第1温度检测部或者第2温度检测部的温度检测值为温度目标值进行运算，以其运算结果作为加热装置的控制信号而输出，对应于一个区域的控制部进一步具有第2运算部在热处理基片时基于在该区域设定的温度目标值和对应于该区域的第1温度检测部和第2温度检测部的各温度检测值进行运算，以其运算结果作为加热装置的控制信号而输出的。

本实用新型是一种热处理装置，其特征在于，对应于一个区域的控制部的第1运算部基于校正值与对应于其它区域的温度检测部的温度检测值相加的值与对应于该区域的温度检测部的温度检测值的偏差进行运算，以其运算结果作为加热装置的控制信号而输出。

本实用新型是一种热处理装置，其特征在于，对应于一个区域的控制部的第1运算部在热处理基片时，使用在一个区域设定的温度目标值和对应于其它区域的温度目标值的偏差为校正值。

本实用新型是一种热处理装置，其特征在于，对应于一个区域的控制部的第1运算部基于上述偏差乘以规定的比例得到的值进行运算。

本实用新型是一种热处理装置，其特征在于，反应容器被构成为立式的同时，从反应容器的下方侧搬入基片保持器具，反应容器内在上下方向被至少分割成3段，上述的一个区域是最下段区域，上述其它区域是最上段以外的区域。

本实用新型是一种热处理方法，将支持多个基片的基片保持器具搬入到被分割成多个区域的反应容器内，通过分别对应于上述多个区域的加热装置加热各区域，其特征在于包括检测对应于各区域的温度的工序和基于温度目标值以及各个区域的温度检测值控制各加热装置的工序，在搬入上述基片保持器具时，用对应于其它区域的温度检测值作为一个区域的温度目标值，来控制加热装置。

本实用新型是一种加热方法，其特征在于在搬入上述基片保持器具时，在一个区域的温度目标值由对应于其它区域的温度检测值加上校正值算得的值构成。

本实用新型是一种热处理方法，其特征在于在搬入上述基片保持器具时，将在热处理基片时的一个区域中设定的温度目标值和对应于其它区域的温度目标值的差用作校正值。

本实用新型是一种加热方法，其特征在于在搬入上述基片保持器具时，控制对应于上述一个区域的加热装置时，基于将该区域的温度检测值和由对应于其它区域的温度检测值求得的温度目标值或者温度目标值加上校正值算得的值的偏差乘以规定的比例得到的值进行运算。

根据本实用新型，在将基片搬入到反应容器内时，由于一个区域的温度控制跟踪其它区域的温度控制，所以在搬入基片后，快速地使反应容器内的温度稳定。例如其后使反应器内的温度升温直至处理温度时，快速地稳定到处理温度。另外，本实用新型在基片搬入时的各区域的温度与处理时的各区域的温度相同的场合也适用。

                              附图说明

图1是表示本实用新型的热处理装置的实施方式的纵断面图。

图2是表示根据本实施方式使用的控制部及其关联部位的方框图。

图3是表示在上述控制部内设置的第1运算部的内部构成的方框图。

图4是表示在上述控制部内设置的第2运算部的内部构成的方框图。

图5是表示本实施方式中的温度的经时变化和使用的运算部的关系的作用说明图。

图6是用于说明上述第1运算部的作用的作用说明图。

图7是表示晶片舟搬入时的各外部热电偶的温度变化情况的特性图。

图8是表示以往的热处理装置的全体构造的纵断面图。

                              具体实施方式

图1是将本实用新型适用于立式热处理装置的实施方式的全体构成图。首先，对于该立式热处理装置的全体构成进行简单描述，该装置例如装备有由例如两端开口的内管1a和上端闭塞的外管1b构成的例如石英制双重构造的反应管1。反应管1内在上下方向被划分为3个区域Z₁、Z₂、Z₃。在反应管1的周围，筒状的绝热体21设置固定到基体22上，在该绝热体21的内侧设置有作为加热装置的例如由电阻发热体构成的加热器3和炉顶加热器31。加热器3例如上下分割3段(3a、3b、3c)，设置在绝热体21的侧壁，炉顶加热器31设置在炉顶部位。而且加热器3a对应于区域Z₁，加热器3b对应于区域Z₂，加热器3c对应于区域Z₃分别设置。

加热器3(3a-3c)中的中段区域Z₂的加热器3b如图1所示形成反应管1内大部分的热处理气氛，可以说是主加热器，在其上下配置的加热器3a和3c分别形成反应管1的上端部和下端部的热处理气氛，可以说是比主加热器3b小的小型副加热器。作为加热器3的材料，例如可以使用将通过使用多个线径约10微米的高纯度的碳纤维束编织形成的碳金属丝密封在陶瓷如外径十几个毫米的透明石英管中的材料。另外，加热器3不限于此，例如铁—钽—碳合金等金属体也可以。

内管1a和外管1b在下部侧支持在筒状的歧管23上，在该歧管23设置供气管24以使供给口在内管1a的内侧的下部区域开口，同时连接排气管25以便从内管1a和外管1b之间排气，排气管25的一端侧连接到没有图示的真空泵上。在该例中，由内管1a、外管1b和歧管23构成反应容器。

进一步地，设置盖体11以便歧管23的下端开口部堵塞，该盖体11设置在晶片架的升降机12上。在盖体11上连接保温单元13和在晶片架的升降机12上设置的驱动部14，设置贯通保温单元13内部而设置的旋转轴15和构成利用该旋转轴15而旋转自由地保持其下端的基片保持器具的晶片舟16。晶片舟16的构成能够架状保持作为多个基片的晶片W，另外，保温单元13的构成组合了石英翅片等绝热单元13a和发热体单元13b等。

在内管11a设置热电偶用的细石英管40，在该石英管40内，例如设置作为在各个区域Z₁-Z₃内的内部温度检测部的3个内部热电偶(第2温度检测部)4(4a、4b、4c)，以便分别检测分成3段的各加热器3(3a、3b、3c)承担的区域Z₁、Z₂、Z₃的温度。另外，在加热器3(3a、3b、3c)附近，外部热电偶(第1温度检测部)5(5a、5b、5c)设置在各区域Z₁-Z₃中，该热电偶是分别检测加热器3(3a、3b、3c)的温度的外部温度检测部。

而且，对应于各段的区域Z₁-Z₃的加热器3(3a、3b、3c)，设置用于控制供应电力的电力供应部20(20a、20b、20c)以及各个电力供应部20(20a、20b、20c)的供应电力并控制各加热器3(3a、3b、3c)的发热量的控制部6、7、8。对于后面详细叙述的关联部位的布线构成做简单说明，内部热电偶4(4a、4b、4c)和外部热电偶5(5a、5b、5c)连接到各自对应的各段的区域Z₁-Z₃的任一一个控制部6、7、8，从在加热器3b承担的中段区域Z₂设置的外部热电偶5b延伸的信号在中途分支，不仅连接到控制部7，也连接到控制部6和8。另外，在绝热体21的炉顶部设置的炉顶加热器3的构成和加热器3(3a、3b、3c)一样，也设置热电偶32，从控制部33通过电力供应部34，通过控制对加热器31的给电量，进行发热量的调节。

在加热器3(3a、3b、3c)和与其连接的控制部6、7、8中，之所以形成如上的布线构造，是因为在各段区域Z₁-Z₃中分别控制加热器3时，在其它部位利用对应于构成主加热器的加热器3b的外部热电偶5b的温度检测值，在加热器3a和3c中进行所谓的跟踪控制时，使转换运用成为可能。以下一边参照图2，一边对于构成本实施方式的要点的加热器3的控制系统的构成进行说明。

首先，控制部6、8有必要如上所述根据情况使用2个运算方法。为此，控制部6具有第1运算部61和第2运算部62，控制部8具有第1运算部81和第2运算部82。没有转换运算方法的必要的控制部7只有第2运算部72(71方便地空缺)。即，控制部6、8进行跟踪控制部7(正确地，跟踪由控制部7承担的区域Z₂得到的温度检测值)的运算时，使用控制部6、8的第1运算部61、68。为此，从上述外部热电偶5b延伸的信号线分别在控制部6连接到第1运算部61，在控制部8连接到第1运算部81。

另一方面，第2运算部62、72、82为了基于由在对应的每个区域Z₁-Z₃设置的内部热电偶4(4a、4b、4c)和外部热电偶5(5a、5b、5c)得到的温度检测值和分别在各区域Z₁-Z₃专用设定的温度目标值进行运算，在第2运算部62(72，82)连接内部热电偶4a(4b，4c)、外部热电偶5a(5b，5c)和目标值输出部63(73，83)。而且在第1运算部61、81或者第2运算部62、72、82输出的运算结果是作为控制信号输出到电力供应部20(20a、20b、20c)。另外，控制部6(8)通过转换部64(84)能够使用或选择第1运算部61(81)或者第2运算部62(82)。

在此，说明第1运算部61、81的构成，但由于它们具有同一的构造，所以以第1运算部81为例，参照图3进行说明。图3中标号811是比较运算部，标号812是校正值输出部，比较运算部811以在中段区域Z₂设置的外部热电偶5b的温度检测值为温度目标值，相对于该温度目标值，加上由校正值输出部812输出的校正值，进一步减去在下段区域Z₃设置的外部电耦5c的温度检测值。上述校正值可以说是用于校正在中段区域Z₂和下段区域Z₃处理时的目标温度差的静态校正要素。具体地说，该校正值例如作为由在后述的第2运算部72、82采用的目标值输出部73、83输出的双方的温度目标值的差值而求得。

在比较运算部811的输出侧设置乘法部813，相对于其输出值(偏差)乘以规定系数k。如已述的，由于控制部8对应的下段Z₃离反应管1a下方侧开口部最近，易于受到随晶片舟16一起流入的冷空气的影响，和中段区域Z₂相比，需要升温的加热输出增加。考虑这样的情况，乘法部为了将来自比较运算部811的输出的增加部分反映到输出值，如上所述，相对于输出值q1，进行乘以规定的系数k的所谓的动态校正。在乘法部813中，系数k的值例如采用1.2(对应于冷气影响小的上段区域Z₁的第1运算部61例如为0.8)。相对于该输出值，进行对于积分单元I1、比例单元P1、微分单元D1的各种运算(PID运算)，通过混合部814，按照上述偏差q1，输出用于电力供应的输出值B1。

接着，说明第2运算部62、72、82的构成，但由于和上述第1运算部的情况一样，都具有相同的构造，所以以第2运算部82为例，参照图4进行说明。该第2运算部82将内部热电偶4c的温度检测值编入到主回路，进行将外部热电偶5c的温度检测值编入到小回路的级取控制并得到控制信号B2，标号821-824表示比较运算部、I1表示积分单元、P2表示比例单元、D2表示积分单元。

可是，到目前为止一直说明的控制部6实际上是由CPU、存储程序的ROM和记录温度设定值的存储器等构成的，或是通过各运算程序运行软件的，但本实施方式以硬件构成进行这样的运算也可以。另外，从转换部84(64)的第1运算部81(61)到第2运算部82(62)的转换定时例如可以定为搬入晶片舟16后，在升温前，检测反应容器内的温度稳定时，或者搬入晶片舟16后，经过规定时间后等，其相反的转换定时例如可以定为加工后反应容器内降温到规定的温度时等。

下面，对于上述的实施方式的作用进行说明。

对在上述装置中的晶片W的加热用在该反应管1侧方设置的加热器3和在上部侧设置的炉顶加热器31进行。本实施方式的要点由于在于分割而设置的加热器3(3a、3b、3c)的控制方式，所以着眼于该要点参照图5进行说明。首先，将作为基片的晶片W装载成架状的晶片舟16在图5的t1时刻，通过晶片舟的升降机12上升而开始被搬入到反应容器(反应管1和歧管23)。此时反应管1内加热以便达到已经规定的温度例如约600℃，对应于上下段区域Z₁、Z₃的控制部6、8在转换部64、84可以选择第1运算部61、81，以便如上所述跟踪中段区域Z₂的温度控制。

首先晶片舟16的上端部一开始进入反应容器内，则由于晶片舟16和晶片W分别位于反应容器外而变冷，为此，作为副加热器3c承担的范围的反应容器的下段区域Z₃的温度暂且下降。另外作为主加热器3b承担的范围的中段区域Z₂的温度也受到冷的晶片舟16的影响而降低，中段区域Z₂的温度下降比下段区域Z₃的温度下降程度小。而且，晶片舟16到达中段区域Z₂时，该中段区域Z₂的温度也下降。由于此时晶片舟16和晶片W随着上升而慢慢地电使反应容器内升温，中段区域Z₂比晶片舟16搬入前的温度更低，但不如下段区域Z₃低。

这样，在晶片舟16搬入反应容器内时，下段区域Z₃最冷，中段区域Z₂也冷，上段区域Z₁稍冷。由于外部热电偶5c的温度降低，所以对应于下段区域Z₃的控制部8向副加热器3c的电力供应将急剧增加，由于作为温度目标值的中段区域Z₂的温度检测值也降低，但随着该降低，向副加热器3c的电力供应量的增加稍微受到抑制。其后，随着中段区域Z₂的温度检测值的上升，下段的副加热器3c的温度上升。而且，在中段区域Z₂，外部热电偶5b的温度超过温度目标值而成为过冲的状态，以后，外部热电偶5b的温度朝着温度目标值下降。跟踪像中段区域Z₂这样的温度变化，控制对下段区域Z₃的副加热器3c的电力供应量，使副加热器3c的温度与中段区域Z₂的副加热器3b的温度的收敛一致而收敛为温度目标值。

另外，即使在上段区域Z₁的副加热器3a中，也跟踪中段区域Z₂的主加热器3b的温度的变化并控制电力供应量，使副加热器3a的温度与中段区域Z₂的主加热器3b的温度的收敛一致而收敛为温度目标值。另外，副加热器3c(3a)收束的温度如图3所示，由于进行中段区域Z₂的温度检测值加上校正值的运算，所以例如在热处理时(处理时)，如果下段区域Z₃的温度目标值比中段区域Z₂高例如10℃，则下段区域Z₃的副加热器3c收敛的温度比主加热器3b的温度高10℃。

于是，在t2时刻晶片舟16的搬入结束直至t3时刻反应容器内的各区域的温度稳定时，控制部6、8从第1运算部61、81转换到第2运算部62、82并进行加热器3a、3c的电力的控制。接着，从t3时刻开始升温，加热到规定的处理温度后，在t4时刻(详细地说，各区域稳定到处理温度后)，对于晶片W进行热处理。作为该热处理的一个例子，可以列举出例如将反应容器内维持在约800℃，在从气体供应管23向反应容器内供应规定的成膜气体的同时，从排气管25真空排气并维持在规定的真空度，对晶片W进行成膜处理的处理。另外，从第1运算部61、81到第2运算部62、82的转换在升温途中或者稳定到加工温度时进行也可以。在t5时刻，在晶片W表面形成规定的成膜时，例如降温直至搬入时的温度为约600℃后，例如在t6时刻，以和搬入时相反的次序进行晶片舟16的搬出。

如至此一直叙述的，根据上述实施方式，在多个分割而设置的加热器3(3a、3b、3c)的温度控制中，承担上下段区域Z₁、Z₂的加热控制的控制部6、8以晶片W搬入时中段区域Z₂的温度检测值为温度目标，基于它和自己的区域Z₁、Z₃的温度快速检测值进行温度控制。为此，使各区域Z₁-Z₃的温度稳定到温度目标值。例如，在下段区域Z₃的副加热器3c附近，虽然因晶片舟16的搬入温度降低，但由于作为温度目标值的中段区域Z₂的主加热器3b附近的温度也下降，所以温度目标值和温度检测值的偏差减少，可以缓慢抑制副加热器3c的发热量的增加。而且，副加热器3c附近的温度超过本来的温度而过冲，这次副加热器3c的发热量可能减少(温度可能降低)，由于副加热器3c的发热量跟踪主加热器3b附近的温度，所以像以往一样，与温度目标值一定的情况相比，可以缓慢进行温度的降低。该结果抑制温度的上下摆动而快速软着陆为温度目标值。另外，即使对应上段区域Z₁的副加热器3a附近的温度，由于跟踪主加热器附近的温度，温度也快速稳定到温度目标值。

进一步地，在冷的晶片舟16和晶片W搬入到反应容器内时，根据各区域Z₁-Z₃的温度受到来自晶片区域16和晶片W的影响的程度，在控制部6、8的第1运算部61、81中，编入对于中段区域Z₂的控制部7的跟踪比例。例如在上述例子中，由于上段区域Z₁受到的影响的程度比中段区域Z₂受到的影响的程度小，还有下段区域Z₃受到的影响的程度比中段区域Z₂受到的影响的程度大，所以上段区域Z₁的控制部6的跟踪比例设定为0.8，下段区域Z₃的控制部8的跟踪比例设定为1.2。图6表示中段区域Z₂的外部热电偶5b的温度检测值的变化和改变跟踪比例为5％、30％、100％时的上段区域Z₁的各温度检测值，从该图可以看出，上段区域Z₁的外部热电偶5a的温度检测值的变化幅度随跟踪比例增加而增加，随跟踪比例减少而减少。因而，如上述的实施方式，通过调整副加热器3a、3c对主加热器3b的温度控制的跟踪比例，可以分别在上段区域Z₁、下段区域Z₃进行与晶片舟16搬入时反应容器内的温度分布平衡的温度控制，从该方面，各区域的温度也快速稳定为温度目标值。而且，由于晶片舟16搬入后各区域的温度稳定时间在很大程度上左右生产率，因此该实施形式能够提高生产率。

图7表示在图1所示的立式热处理装置中，由晶片舟16搬入反应容器内前的到加热器3a附近、主加热器3b附近、副加热器3c附近的温度分别稳定到575℃、573℃、560℃的状态进行晶片舟16的搬入时，模拟各加热器3a-3c附近的温度的经时变化的结果。可以看出，开始搬入晶片舟16后，直至各加热器3a-3c附近的温度稳定化的时间大约13分种，晶片W搬入时，各区域的温度在短时间内稳定。

另外，在第1运算部61、81的说明中，作为求得和上下段的各区域Z₁、Z₃中的中段区域的跟踪比例的运算方法，记载了乘以预订的系数k的方法，但在晶片舟16上升时，根据该晶片舟16的位置，使k发生变化也可以。另外，在本实施方式中，晶片W搬入时获得分别对应于各控制部6、7、8的内部热电偶4a-4c的温度检测值，在控制部6、8中，以中段区域Z₂内部热电偶4b的温度检测值为温度目标值，分别和内部热电偶4a、4c的温度检测值比较，根据其偏差，在进行副加热器3a、3c的温度控制的同时，在控制部7，根据专用的温度目标值和内部热电偶4b的温度检测值的偏差，也可以控制主加热器3b。进一步地，本实施方式只针对下段区域Z₃的副加热器3c，也可以进行以对应于中段区域Z₂的温度检测值为温度目标值的跟踪控制。

如上所述，根据本实用新型，在分割成多个区域的热处理气氛内，进行基片处理时，可以快速地使各区域每个温度稳定，可以谋求生产率的提高。

Claims (7)

1.一种热处理装置，装备有分割成多个区域的反应容器、在各个区域设置的加热装置、在各个区域设置的温度检测部、在各个区域设置的独立控制各加热装置的控制部，其特征在于对应于一个区域的控制部，具有第1运算部，在搬入上述基片时，基于该对应于一个区域的温度检测部的温度检测值，以对应于其它区域的温度检测部的温度检测值为温度目标值进行运算，以其运算结果作为加热装置的控制信号而输出；和第2运算部，在热处理基片时，基于在该区域设定的温度目标值和对应于该一个区域的温度检测部的温度检测值进行运算且以其运算结果为加热装置的控制信号而输出。

2.根据权利要求1的热处理装置，其特征在于，温度检测部包含检测加热装置附近的温度的第1温度检测部，对应于上述其它区域的温度检测部的温度检测值是第1温度检测部的温度检测值。

3.根据权利要求1的热处理装置，其特征在于，温度检测部包含检测反应容器内的温度的第2温度检测部，对应于上述其它区域的温度检测部的温度检测值是第2温度检测部的温度检测值。

4.根据权利要求1的热处理装置，其特征在于，对应于一个区域的控制部的第1运算部在基片搬入时，以对应于其它区域的第1温度检测部或者第2温度检测部的温度检测值为温度目标值进行运算，以其运算结果为加热装置的控制信号而输出，对应于一个区域的控制部的第2运算部在热处理基片时，基于在该区域设定的温度目标值和对应于该区域的第1温度检测部和第2温度检测部的各温度检测值进行运算，以其运算结果为加热装置的控制信号而输出。

5.根据权利要求1的热处理装置，其特征在于，对应于一个区域的控制部的第1运算部，基于对应于其它区域的温度检测部的温度检测值加上校正值的值和对应于该一个区域的温度检测部的温度检测值的偏差进行运算，以其运算结果为加热装置的控制信号而输出。

6.根据权利要求5的热处理装置，其特征在于，对应于一个区域的控制部的第1运算部在热处理基片时，将在一个区域设定的温度目标值和对应于其它区域的温度目标值的差用作校正值。

7.根据权利要求5的热处理装置，其特征在于，对应于一个区域的控制部的第1运算部基于上述偏差乘以规定的比例的值进行运算。

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