CN1661915A - 高频选择电路、高频模块以及无线通信装置 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及一种高频选择电路，其具有对应于频带不同的多个通信系统而准备的2个以上的高频开关(SW1、SW2)，以及对上述2个以上的高频开关(SW1、SW2)的切换进行控制的控制电路(DEC1)，上述共同的天线端子(ANT3)，经具有直流可通过的滤波器功能的匹配电路(MAT1)与上述高频开关(SW1、SW2)各自的共同端子(ANT1、ANT2)连接。在一方的高频开关(SW1)中的1个线路闭合时，能够使得该高频开关(SW1)的其他线路，以及其他高频开关(SW2)的所有线路都变为断开状态。

Description

高频选择电路、高频模块以及无线通信装置
技术领域
本发明涉及一种特别适用于多频段对应移动无线终端的高频选择电路、包含有该高频选择电路的高频模块以及安装有该高频模块的无线通信装置。
背景技术
近年来，有人提出一种采用在1台移动电话机内安装2个以上通信系统的多频段方式的移动电话机的提案。由于多频段方式的移动电话机，能够选择适于地域以及使用目的等的通信系统进行发送接收，因此，作为一种便利性较高的移动电话机被人们所期待。例如，作为通信带域不同的多个通信系统，安装有GSM(Global System for Mobile communication)方式与DCS(Digital Cellular System)方式这两种方式的双频段方式的移动电话机。
图16为一般的GSM/DCS方式的双频段移动电话机的高频模块RFM100的方框图。
该高频模块FRM100，具有发送接收系统DCS的发送接收系统TX、接收系统RX，与发送接收系统GSM的发送系统TX、接收系统RX，同时，还具有将频带不同的2个发送接收系统GSM/DCS，分频成各个发送接收系统GSM以及DCS，在各个发送接收系统DCS、GSM中分别进行发送系统TX与接收系统RX之间的切换的高频选择电路ASM100。
GSM发送系统TX，将功率放大电路AMP100所放大的发送信号，通过低通滤波器所构成的匹配电路MAT100，提供给高频选择电路ASM100。提供给高频选择电路ASM100的高频信号，如下所述，作为经由高频开关、分频电路(duplexer)从天线ANT作为高频信号发送出去。上述动作在DCS发送系统TX中也一样。
另外，GSM接收系统RX，经高频选择电路ASM100取出通过天线ANT所接收到的高频信号，在带通滤波器BPF300中去除接收带域附近的非需要信号。通过了带通滤波器BPF300的信号，被RX侧低噪声放大器AMP300所放大，输入到信号处理系统中。上述动作在DCS接收系统RX中相同。
但是，根据今后的市场动向，可以预想使用移动电话终端进行高品质的声音或图像等的数据传送，为了与其相对应，码分多址连接方式的CDMA(Code Division Multiple Access)，或以高速的数据传送率或通信信道的多路复用为特征的称作下一代通信系统UMTS(Universal MobileTelecommunications System)的能够进行大容量数据传送的通信系统的构建正在不断发展中。
为了与这样的多通信系统相协调，产生了在1个模块中与更多频段相对应的需要。例如对GSM850/GSM900/DCS/PCS(Personal CommunicationServices)/UMTS等多频段方式等的要求越来越高。
这样，在多频段/模式不断发展，产生了在1个高频模块中需要与更多频段/模式进行对应的情况下，需要与频段/模式数成比例的高频模块安装基板的表层空间，要求高频选择电路ASM100越来越实现小型化。
另外，最近，以小型化、低损耗化为目的，使用高频半导体开关，例如GaAs-SW(镓砷开关)开关，作为在高频选择电路ASM100的内部进行发送接收切换的高频开关的构成也正在被讨论。
在与这样的作为使用高频半导体开关的多频段/模式的GSM850/GSM900/DCS/PCS/UMTS等多频段方式相对应的情况下，通常，如图17所示，必须准备具有将通过带域的低频段侧与高频段侧的发送接收系统进行分频的分频电路DIPX1，以及与分频电路DIPX1相连接，进行例如GSM850/GSM900的发送接收中的发送系统TX与接收系统RX之间的切换的高频开关SW1，以及与分频电路DIPX1相连接，进行例如DCS/PCS/UMTS的发送接收中的发送系统TX与接收系统RX之间的切换的高频开关SW2的高频选择电路ASM。另外，此时上述高频开关SW2，为了与作为不同的2个模式的GSM方式与CDMA方式或UMTS方式对应，必须使用满足良好的线性以及耐功率性的高频开关。
另外，在不使用分频电路时，如图18所示，必须准备具有与天线端子相连接，例如将GSM850/GSM900/DCS/PCS/UMTS各自的发送，接收切换到发送系统TX与接收系统RX的1个高频开关SW3的高频选择电路ASM。
使用上述图17的分频电路DIPX1的构成中，如果将高频开关SW1、SW2并联，则由于能够与多数的频段对应，因此，可以不增加各个高频开关SW1、SW2的端子数(共同端子以外的发送接收用端子数)。
这一特性，在不需要设计制造多种不同的高频开关这一点来说，能够缩短该高频开关或包含有上述高频开关的高频模块的设计、制造期间，进一步还能够降低制造费用，非常有利。
但是，由于需要分频电路DIPX1部件，因此必须准备它的设置空间。因此，存在与上述的小型化要求不一致的问题。
另外，还存在由于插入分频电路DIPX1，产生了发送系统/接收系统的天线共同端子与各个高频开关的共同端子之间的功率通过损耗。
另外，上述如图18所示，省略分频电路，增加高频开关的端子数的这种构成，由于各个所要求的规格不同频段数不同，因此必须准备分别与各个频段数相对应的高频开关。因此，必须设计制造多种高频开关，缺点较多。
发明内容
本发明的目的在于，提供一种不需要设计、制造多种不同的高频开关，实现低费用化，能够进一步缩短高频开关或使用上述高频开关的高频选择电路的设计、制造期间的高频选择电路。
另外，本发明的目的在于，提供一种能够降低天线共同端子与高频开关的之间的路线数的通过损耗，确保高衰减量的高频选择电路。
另外，本发明的目的在于，提供一种包含有对应于多频段的高频选择电路的低价的高频模块以及无线通信装置。
本发明的高频选择电路，具有对应于上述多个通信系统而准备的2个以上的高频开关，以及对上述2个以上的高频开关的切换进行控制的控制电路，以及设置在上述2个以上的高频开关各自的天线侧端子与上述共同的天线端子之间，可通过直流的匹配电路。上述控制电路，在将任一个高频开关的1个线路闭合时，进行控制使得该高频开关的其他线路，以及其他高频开关的所有线路都变为断开状态。
这样，不使用分频电路，共同的天线端子经直流可通过匹配电路与高频开关连接，上述控制电路，在将任一个高频开关连接在与1个发送系统或接受系统连接的端子上时，进行控制使得该高频开关的其他线路，以及其他高频开关的所有线路都变为断开状态。通过这样，通过与发送系统或接收系统相连接的端子流入到高频开关中的信号，不会进入到该高频开关的其他线路以及其他高频开关的所有线路中。因此，能够对天线端子所输出的信号电平大幅降低这一问题防范于未然。
另外，通过该构成，由于能够将2个以上现有的高频开关组合起来，因此，不需要为了与多频段/模式对应，而特意逐次设计·制造端子数目个不同的多种类/多模式的高频开关，通过构成部件的共通化，能够降低高频选择电路的费用、设计、制造期间以及使用该高频选择电路的高频模块的设计、制造期间。
另外，由于不需要使用以前的这种电路构成中所必需的分频电路，因此，能够降低天线共同端子与高频开关的各个端子之间的通过损耗。
如果选定低损耗的元件作为上述匹配电路，还能够实现损耗较少的高频选择电路。
作为优选方式，在通过上述控制电路，将任一个高频开关的1个线路闭合，将该高频开关的其他线路，以及其他高频开关的所有线路都断开的状态下，上述天线侧端子为1V以上。通过这样，能够提高高频开关的天线侧端子，与上述断开的端子之间的绝缘性。
如果上述高频开关，是通过半导体集成电路元件所形成的，那么与以前将构成高频开关的多个二极管、电感元件、电容元件，分别安装在多层基板的上面，或内置在多层基板中的情况相比，就能够使高频开关小型化。另外，通过减少构成开关的部件个数，能够缩短制造工序。伴随着小型化与制造工序的缩短，还能够降低费用。
另外，上述匹配电路用来取得与天线的阻抗匹配，因此直流可通过是其前提，所以通常使用低通型滤波器。通过在共同的天线端子与2个以上的高频开关各自的线路中配置低通型滤波器，能够由通过带域来实现高域的高衰减量，从而能够降低高频开关中被输入了大信号时所产生的不需要的高次谐波成分。
作为优选方式，在上述高频选择电路的发送接受端子到天线之间的信号线路中，连接对发送信号的高次谐波信号进行衰减的滤波器电路。
上述滤波器电路，例如是低通型或带通型滤波器。
通过这样插入滤波器电路，能够去除从发送用功率放大器(图中为显示)所产生的高次谐波。另外，在开关电路到天线端子直接的线路中，有效地衰减高频开关电路的开关所引起产生的高次谐波失真成分。另外，接近高频选择电路的内部，和/或具有与高频选择电路相连接的发送系统或接收系统的场所相靠近，发送系统与接收系统之间的绝缘性不充分的情况下，能够通过低通滤波器的功能。有效地对从发送系统经接收系统通过到天线端子的高次谐波成分进行衰减。
本发明的高频选择电路，可以在与上述高频开关的天线侧端子以外的发送电路和/或接收电路相连接的端子中，连接有对上述各个通信系统的发送信号和/或接收信号进行分频/合频的分频电路。
为了多频段对应，通过在各个开关电路的特定端子上，分别连接对通过带域不同的多个发送接收信号进行分频或合频的分频电路，可以在高频开关的切换数以上分割通过带域不同的多个频带，与多频段化相对应。
另外，作为优选方式，上述共同的天线端子与上述高频开关之间，具有对高压浪涌进行衰减的高通滤波器或带通滤波器。
这样的高频选择电路中，能够通过高通滤波器或带通滤波器来衰减天线端子所输入的过渡的高压浪涌，与受动部件相比，能够提高对耐高压浪涌较低的高频半导体集成电路的破坏的可靠性。另外，通过变更构成高通滤波器或带通滤波器的元件值，能够起到取得天线端子与开关电路之间的阻抗匹配的作用。
本发明的高频选择电路，上述2个以上的高频开关中，任一个高频开关的天线侧端子，可以与上述共同的天线端子直接连接。通过直接连接，高频开关的天线侧端子，与上述共同的天线端子之间，能够通过直流。
因此，即使在该构成中，与上述通过直流可通过匹配电路相连接方式一样，能够确保高频开关的天线侧端子与被断开的端子之间的绝缘性。
另外，可以让上述所有高频开关的天线侧端子，与上述共同天线端子直接连接。
这种情况下，虽然不存在匹配电路，但也能够确保高频开关的天线侧端子与被断开了的端子之间的绝缘性。
另外，本发明的高频选择电路，具有对应于上述多个通信系统而准备的2个以上的高频开关，以及对上述2个以上的高频开关的切换进行控制的控制电路；上述高频开关的天线侧端子以外的端子的一部分或被开放，或与500Ω以上的高阻抗元件连接，或与500Ω以上的高阻抗电路连接；上述控制电路，在任一个高频开关连接到与上述发送系统或接收系统相连接的端子上时，进行控制，以使其他高频开关被上述开放，或与500Ω以上的高阻抗元件连接，或与500Ω以上的高阻抗电路连接的端子连接。
上述控制电路，在任一个高频开关连接到与上述发送系统或接收系统相连接的端子上时，进行控制，将其他高频开关，连接到上述开放的端子，或与高阻抗元件或高阻抗电路相连接的端子上。通过该控制，能够防止通过与上述发送系统或接收系统相连接的端子流入到高频开关中的信号，经其他高频开关进入到其他发送系统或接收系统中，从而能够对天线端子所输出的信号电平的降低防范于未然。
另外，根据该构成，由于能够将2个以上现有的高频开关组合起来，因此，不需要为了与多频段/模式对应，而特意逐次设计、制造端子数不同的多种类/多模式的高频开关，通过构成部件的共通化，能够降低高频选择电路的费用、设计、制造期间以及使用该高频选择电路的高频模块的设计、制造期间。
另外，上述“开放端子”，还可以被称作是与具有无穷大阻抗的元件相连接的端子。通过开放端子，不需要重新增加用于高阻抗化的电路，能够实现高频选择电路的小型化、低费用化。
另外，通过使上述高阻抗元件或电路，具有500Ω以上的负荷阻抗，能够使任一个高频开关中的与闭合的上述发送系统或接收系统相连接的端子，与其他高频开关中与上述高阻抗元件或高阻抗电路相连接的端子或上述开放端子之间的绝缘性为20dB以上。因此，能够充分得到上述混入防止效果。
该混入防止效果，在不使用分频电路，而将共同的天线端子与上述2个以上的高频开关直接连接的电路方式中也能够发挥出来。该构成中，由于能够降低分频电路的损耗，因此能够实现高频开关的低损耗化。
另外，在共同的天线端子与上述2个以上的高频开关各自的天线侧端子之间设有分频电路的方式中，通过多次使用同一构成的高频开关，能够实现部件的共通化，实现上述高频开关的低费用化，缩短设计期间。
另外，在上述高频开关，通过半导体集成电路元件形成的情况下，能够进一步实现小型化与低消耗功率化。
另外，本发明的高频模块，通过将以上所说明的本发明的高频选择电路，安装在电介质层与导体层交互层积而成的多层基板的表面上，能够实现高功能化、低损耗化以及模块全体的小型化与低费用化。
进一步，通过将构成上述高频选择电路的匹配电路、分频电路和/或滤波器电路形成在上述多层基板的内部，能够提高安装密度，与更多的多频段/多模式对应，实现模块全体的进一步小型化与低费用化。
另外，如果将形成在上述多层基板的内部的匹配电路、分频电路和/或滤波电路的图形，配置为从多层基板的上方看不重叠，就能够防止匹配电路之间的干扰，实现良好的滤波器特性，实现低损耗化，降低高次谐波成分。
另外，本发明的无线通信装置，安装有以上所述的高频模块，通过这样，能够作为一种与多频段/多模式对应的高功能、小型的无线通信装置。
参照附图通过下面的实施方式的说明，能够对本发明的上述以及其他优点、特征以及效果更加明确。
附图说明
图1为表示本发明的高频选择电路的一例电路方框图。
图2为高频半导体开关的模式电路图。
图3为表示构成高频半导体开关的晶体管的基本动作的曲线图。
图4为图1中所示的本发明的高频选择电路的详细的电路方框图。
图5为根据具有低通型滤波器功能的匹配电路的有无来说明本发明的效果的图。
图6为根据具有低通型滤波器功能的匹配电路的有无来说明本发明的效果的图。
图7为本发明的另一种实施方式的相关高频选择电路的方框图。
图8为图7的高频选择电路的电路图。
图9为本发明的另一种实施方式的相关高频选择电路的方框图。
图10为图9的高频选择电路的电路图。
图11为本发明的高频开关的方框图。
图12为表示包含有本发明的高频开关的高频选择电路的一例的图。
图13为表示包含有本发明的高频开关的高频选择电路的另一例示意图。
图14为表示本发明的相关高频模块的内部构造的部分切除的立体图。
图15为说明本发明的相关高频模块的内部构造的概要剖视图。
图16为高频模块的方框图。
图17为以前的天线开关模块的方框图。
图18为以前的天线开关模块的方框图。
具体实施方式
<高频选择电路>
图1为用来表示本发明多频段对应移动电话终端机的高频选择电路的一例的电路方框图。
该高频选择电路ASM1，是与1个共同天线端子ANT3相连接，对GSM850(850MHz带)、GSM900(900MHz带)、DCS(1800MHz带)、PCS(1900MHz带)、CDMA蜂窝(800MHz带)、UMTS(2100MHz带)、这6个通信系统进行切换的电路。
该高频选择电路ASM1，具有切换TX12(GSM850/900-TX)、RX1(GSM850-RX)、RX2(GSM900-RX)、TXRX5(CDMA蜂窝-TX/RX)的高频开关SW1，以及切换TX34(DCS/PCS-TX)、RX3(DCS-RX)、RX4(PCS-RX)、TXRX6(UMTS-TX/RX)的高频开关SW2。
高频开关SW1的天线侧端子ANT1与高频开关SW2的天线侧端子ANT2，都经直流能够通过的阻抗匹配电路MAT1，与上述共同天线端子ANT3相连接。
另外，还具有控制上述2个高频开关SW1、SW2的切换状态的控制电路(以下称作“解码电路”)DEC1。解码电路DEC1，将用于切换高频开关SW1、SW2的控制电压信号V1～V4、V5～V8分别提供给高频开关SW1、SW2。另外还可以是提供上述控制电压信号以外的控制电压信号的解码电路。
另外，TX12与高频开关SW1的路线中连接有对发送信号的高频成分进行衰减的低通滤波器LPF1，TX34与高频开关SW2的路线中连接有对发送信号的高频成分进行衰减的低通滤波器LPF2。这些滤波器LPF1、LPF2是为了去除发送用功率放大器(图中未显示)所发出的高次谐波而设置的低通滤波器。
上述高频开关SW1的发送系统端子TX12，与功率放大器(图中未显示)相连接，接收系统端子RX1、RX2与低噪声放大器(图中未显示)相连接，TXRX5端子与分频器(图中未显示)相连接。上述高频开关SW2的发送系统端子TX34，与功率放大器(图中未显示)相连接，接收系统端子RX3、RX4与低噪声放大器(图中未显示)相连接，TXRX6端子与分频器(图中未显示)相连接。
上述高频开关SW1、SW2，是通过在GaAs(镓砷)化合物、Si(硅)或Al2O3(蓝宝石)为主要成分的基板上，安装p-HEMT等半导体元件，并形成利用这些半导体元件的开关电路模型而形成的。
上述解码电路DEC1也一样，通过集成电路元件构成。
另外，图1、图4中所示的解码电路DEC1与上述高频开关SW1、SW2中的任一个或双方，可以通过1个集成电路元件来构成。这样，能够提高集成度，实现高频选择电路的进一步小型化与低消耗功率化。
作为上述高频开关SW1、SW2的开关特性，以下述特性为前提。
图2为包含有开关晶体管Q1～Q4(总称时用Q来表示)高频开关SW1(SW2一样)的模式电路图。
图3为开关晶体管Q的特性图。图3的横轴为栅—源极间电压Vgs，纵轴为漏极电流Id。开关晶体管Q，能够通过给栅—漏极之间加载电压Vgs为负值而截至，属于所谓的耗尽型。
表1说明天线输入端ANT上所加载的电压(本说明书中将该电压称作“控制偏压”)，与解码电路DEC1所提供的控制电压V1～V4，以及信号从天线输入端ANT1向各个端子(TX12、RX1、RX2、TXRX5)通过时的信号衰减量(以下称作“绝缘性”)之间的关系。表1中所示的绝缘性值是实测结果。
上述的高频开关SW1的电路中，在使解码电路DEC1所提供的控制电压V1～V4全部为低电平(0.02V)的情况下，如果降低加载给天线输入端ANT1上的控制偏压，那么从天线输入端ANT1到各个端子(TX12、RX1、RX2、TXRX5)的绝缘性就变为8～9dB的低值。因此，这种情况下，如果将控制电压V1～V4全部设为低电平，也无法将任一个端子断开。
【表1】
ANT1[V] 0.03  0.41  0.75  0.93  1.0  1.16  1.5
V1～V4[V] 0.02  0.02  0.02  0.02  0.02  0.02  0.02
ァィソレ一ション[dB]  900MHz 8.2  8.4  9.3  16.6  21.8  25.6  25.8
 1750MHz 8.3  8.4  9.3  15.4  18.0  19.8  19.9
 2170MHz 8.3  8.4  9.2  14.0  15.8  17.2  17.4
接下来，如果使控制电压V1～V4全部为低电平(0.02V)，给天线输入端ANT1加载高控制偏压，就能够增大天线输入端子ANT1到各个端子(TX12、RX1、RX2、TXRX5)的绝缘性。例如，根据表1，在加载控制偏压1V以上的电压时，能够确保天线输入端子ANT1到各个端子(TX12、RX1、RX2、TXRX5)的绝缘性为15dB以上。因此，能够使得全体端子断开。
另外，发明人实测出在控制电压V1～V4中的任一个为高电平(2.5V)的情况下，高频开关SW1的相应端子导通，同时，天线输入端子ANT中表现出某个大小(1V以上)的电压。
将该天线输入端子ANT1所表现出的电压，用作高频开关SW2的控制偏压。
也即，使高频开关SW1的控制电压V1～V4中的任一个为高电平(2.5V)，相应端子导通之后，上述天线输入端子ANT中表现出控制偏压。该控制偏压，能够经直流可通过的阻抗匹配电路MAT1或线圈，加载到高频开关SW2的天线输入端子ANT2上。通过给高频开关SW2加载控制偏压，能够保持各个端子(TX34、RX3、RX4、TXRX6)的绝缘性较大。因此，因此，能够使得高频开关SW2的全体端子断开。
与此相对，使高频开关SW2的控制电压V5～V8中的任一个为高电平(2.5V)，相应端子导通之后，上述天线输入端子ANT中表现出控制偏压。该控制偏压，能够经直流可通过的阻抗匹配电路MAT1或线圈，加载到高频开关SW1的天线输入端子ANT1上。通过给高频开关SW1加载控制偏压，能够保持各个端子(TX12、RX1、RX2、TXRX5)的绝缘性较大。因此，因此，能够使得高频开关SW1的全体端子断开。
如上所述，接下来，如果将高频开关SW1、SW2的任一个接点断开，就能够给天线输入端加载控制偏压，将该高频半导体开关的其他接点以及其他高频半导体开关的接点一起断开。
本发明利用上述高频半导体开关的特性，能够将两个高频半导体开关的天线输入端连接起来，像1个高频半导体开关那样进行动作。
接下来，对图1中的高频选择电路ASM1的动作进行说明。
图1中，如上所述，高频开关SW1的天线侧端子ANT1与高频开关SW2的天线侧端子ANT2，都经直流能够通过的阻抗匹配电路MAT1，与上述和天线相连接的共同天线端子ANT3相连接。
上述解码电路DEC1，在高频开关SW1将天线端子ANT1与发送系统端子TX12、接收系统端子RX1、接收系统端子RX2以及发送接收端子TXRX5中的任一个相连接时，进行控制将高频开关SW2的发送系统端子TX34、接收系统端子RX3、接收系统端子RX4以及发送接收端子TXRX6全部设为断开。
另外，上述解码电路DEC1，在高频开关SW2将天线端子ANT2与发送系统端子TX34、接收系统端子RX3、接收系统端子RX4以及发送接收端子TXRX6中的任一个相连接时，进行控制将高频开关SW1的发送系统端子TX12、接收系统端子RX1、接收系统端子RX2以及发送接收端子TXRX5全部设为断开。
根据上述控制，例如在进行GSM850或GSM900方式的发送时，通过上述高频开关SW1的控制，使得TX12-ANT1之间闭合，将功率放大器AMP1所放大的信号，传送给与天线ANT相连接的共同天线端子ANT3。此时，由于高频开关SW2的全部接点断开，因此，功率放大器AMP1所放大的信号不会流入到TX34(DCS/PCS-TX)、RX3(DCS-RX)、RX4(PCS-RX)、TXRX6(UMTS-TX/RX)电路中。也即，能够防止从高频开关SW1向共同天线端子ANT3流动的信号的一部分，经高频开关SW2混入到与高频开关SW2相连接的电路中。因此，能够防止从天线端子3所输出的信号电平的降低。
因此，不需要以前的将2个以上高频半导体开关并联进行多频段/多模式切换的情况下所必须的分频电路，从而使低损耗化成为可能。
同样，在进行GSM850方式的接收时，如果上述高频开关SW1使得RX1-ANT1之间闭合，则将从共同天线端子ANT3所接收到的信号，传送给RX1端子。此时也一样，由于高频开关SW1的天线侧端子ANT1与高频开关SW2的天线侧端子ANT2，经直流能够通过的阻抗匹配电路MAT1相连接，因此，天线侧端子ANT2被加载高频开关SW1的控制偏压，高频开关SW2的各个接点变为断开状态，因此，能够防止从共同天线端子ANT3向高频开关SW1流动的信号的一部分，混入到与高频开关SW2相连接的电路中。因此，能够防止接收信号电平的恶化。
在进行GSM900方式的接收时，CDMA蜂窝方式的发送接收端TXRX5中也一样。
接下来，在进行DCS/PCS方式的发送时，通过上述高频开关SW2的切换，使得TX34-ANT2之间闭合，将功率放大器AMP2所放大的信号，传送给与天线ANT相连接的共同天线端子ANT3。此时，由于高频开关SW1的全部接点断开，因此，功率放大器AMP1所放大的信号不会流入到TX12(GSM850/900-TX)、RX1(GSM850-RX)、RX2(GSM900-RX)、TXRX5(CDMA蜂窝-TX/RX)电路中。也即，能够防止从高频开关SW2向共同天线端子ANT3流动的信号的一部分，经高频开关SW1混入到与高频开关SW1相连接的电路中。因此，能够防止从天线端子3所输出的信号电平的降低。
同样，在进行DCS方式的接收时，如果上述高频开关SW2使得RX3-ANT2之间闭合，则将从共同天线端子ANT3所接收到的信号，传送给RX3端子。此时也一样，由于高频开关SW2的天线侧端子ANT2与高频开关SW1的天线侧端子ANT1，经直流能够通过的阻抗匹配电路MAT1相连接，因此，天线侧端子ANT1被加载高频开关SW2的控制偏压，高频开关SW1的各个接点变为断开状态。通过这样，能够防止从共同天线端子ANT3向高频开关SW2流动的信号的一部分，混入到与高频开关SW1相连接的电路中。因此，能够防止接收信号电平的恶化。
在进行PCS方式的接收时，UMTS方式的发送接收端TXRX6中也一样。
另外，高频开关SW1、SW2中，如果高频开关SW1例如通过具有对应于GSM方式的端口与对应于UMTS的端口的高频半导体开关构成，高频开关SW2也一样例如通过具有对应于GSM方式的端口与对应于UMTS的端口的高频半导体开关构成，就能够以低损耗来实现不同通信方式(GSM/UMTS)中的发送接收切换。能够通过高频半导体开关的各个端口来分别实现UMTS中所要求的线性与GSM中所要求的耐功率性以及低变形特性，从而能够实现对应多频段/模式的高频选择电路。
图4为图1中所示的实施例方框图的详细电路图。
匹配电路MAT1，在天线侧端子ANT1与共同天线端子ANT3之间，具有串联的分布常数线路L1，以及设置在分布常数线路L1与地之间的电容C1。经分布常数电路L1与高频开关SW1相连接。在天线侧端子ANT2与共同天线端子ANT3之间，具有串联的分布常数线路L2，以及与分布常数线路L2并联的电容C2。经该分布常数电路L2与高频开关SW2相连接。
这样的匹配电路MAT1，具有能够让直流通过的低通滤波器功能。另外，还可以使用芯片电感来代替分布常数线路L，电容C可以使用芯片电容器。
图5、图6中，说明了通过使匹配电路MAT1中具有低通滤波器功能，所得到的通过特性改善效果。
图5中显示了天线侧端子ANT2与共同天线端子ANT3之间直接连接的情况下的TX34的通过波形。图6中显示了，如图4的电路图所示，通过具有低通滤波器功能的电感匹配电路MAT1将天线侧端子ANT2与共同天线端子ANT3之间连接起来的情况下的TX34的通过波形。
图6的实施例中，以改善TX34(DCS/PCS-TX)的通过带域(1710～1910MHz)的3倍的频率(5130～5730MHz)的衰减量为目的，进行阻抗匹配电路的调整。
用数值来表示改善效果。在图5的没有匹配电路的情况下，5130MHz的衰减量为-19.8dB，5730MHz的衰减量为-18.5dB。与此相对，在图6的插入了具有低通滤波器功能的匹配电路的情况下，5130MHz的衰减量为-23.7dB，5730MHz的衰减量为-32.0dB。这样，通过插入具有低通滤波器功能的匹配电路，得到了大约-4～-12dB的衰减量改善效果。
以上的图1、图4中所示的高频选择电路中，高频开关SW1的天线侧端子ANT1与共同天线端子ANT3之间，插入了直流可通过的电感匹配电路，高频开关SW2的天线侧端子ANT2与共同天线端子ANT3之间，也插入了直流可通过的电感匹配电路。
但是，本发明中，还可以在天线侧端子ANT2与共同天线端子ANT3之间，插入直流可通过的电感匹配电路，将天线侧端子ANT1与共同天线端子ANT3之间直接连接。通过这样的构成，也能够在天线侧端子ANT1以及天线侧端子ANT2之间加载控制偏压。
另外，还可以在天线侧端子ANT1与共同天线端子ANT3之间，插入直流可通过的电感匹配电路，将天线侧端子ANT2与共同天线端子ANT3之间直接连接。
另外，还可以将将天线侧端子ANT1、ANT2与共同天线端子ANT3之间全部直接连接。
图7为说明天线侧端子ANT1、天线侧端子ANT2与共同天线端子ANT3之间直接连接的本发明的高频选择电路的一例方框图。
该高频选择电路的特征在于，在各个接收端子与高频开关SW11或SW12之间配置分频电路DIP10～DIP40，来实现进一步的多端口化。
该高频选择电路，作为多频段对应的一例，与GSM850(850MHz带)、GSM900(900MHz带)、DCS(1800MHz带)、PCS(1900MHz带)、CDMA蜂窝(800MHz带)、UMTS(2000MHz带)、GPS(1600MHz带)这7个通信系统对应。
图7的高频选择电路，具有对天线端子ANT1，将通过带域不同的多个发送接收系统分为各发送接收系统：CDMA蜂窝-Tx/Rx、DCS/PCS-Tx、GSM850-Rx，PCS-Rx这4组的高频开关SW11，以及对天线端子ANT2，将通过带域不同的多个发送接收系统分为各发送接收系统：GSM850/900-Tx、UMTS-Tx/Rx、GSM900-Rx，DCS-Rx、GPS这5组的高频开关SW12。
另外，ANT端子ANT1与ANT2，在共同天线端子ANT3处直接连接。该共同天线端子ANT3与天线ANT之间，连接有对ESD等高压浪涌进行衰减的ESD电路ESD10。
高频开关SW11中，连接有对CDMA蜂窝-Tx/Rx与DCS/PCS-Tx进行分频/合频的第1分频电路DIP10，以及对GSM850-Rx与PCS-Rx进行分频/合频的第2分频电路DIP20。
另外，高频开关SW12中，连接有对GSM850/900-Tx与UMTS-Tx/Rx进行分频/合频的第3分频电路DIP30，以及对GSM900-Rx与DCS-Rx进行分频/合频的第4分频电路DIP40。
另外，分频电路DIP10与DCS/PCS-Tx的端子之间，连接有去除发送信号的高次谐波成分的LPF10。另外，分频电路DIP30与GSM850/900-Tx的端子之间，也连接有去除发送信号的高次谐波成分的LPF20。
图8为说明上述高频选择电路的详细电路图。下面对图8的电路动作进行说明。
首先，对GPS信号(1600Mz频带)进行说明，由天线端子ANT所接收到的信号，经高频开关SW12与GPS端子相连接。由于从天线端子ANT2到GPS接收端之间的路线中除了高频开关SW12以外没有其他元件，因此，能够实现GPS信号的通过特性的低损耗化。
接下来，对CDMA蜂窝与DCS/PCS-Tx的情况进行说明。CDMA蜂窝-Rx信号，被天线端子ANT1所接收，通过高频开关SW11连接到CDMA蜂窝与DCS/PCS-Tx的共同端子上，又通过分频电路DIP10分给CDMA蜂窝端子。
分频电路DIP10，在CDMA蜂窝侧，由分布常数线路SL20与低通滤波器LPF40构成，DCS/PCS-Tx侧，由高通滤波器HPF20构成。低通滤波器LPF40，由分布常数电路以及与分布常数电路并联的电容，以及形成在分布常数电路与地之间的电容构成。高通滤波器HPF20。由串联的2个电容以及形成在电容的连接点与地之间的分布常数电路所构成。DCS/PCS-Tx线路中，在分频电路DIP10与DCS/PCS-Tx端子之间，构成有衰减发送信号的高次谐波成分的低通滤波器LPF10。通过该低通滤波器LPF10，能够将高频功率放大器所产生的高次谐波信号去除。
接下来，对GSM850-Rx与PCS-Rx的情况进行说明。天线端子ANT1所接收到的信号，通过高频开关SW11连接到GSM850-Rx与PCS-Rx的共同端子上，又通过分频电路DIP20分给各个接收端子。
分频电路DIP20，在PCS-Rx侧，由高通滤波器HPF10构成，在GSM850-Rx侧，由分布常数线路SL10与低通滤波器LPF30构成。如图所示，高通滤波器以及低通滤波器的构成可以与HPF20、LPF10相同。
接下来，对GSM850/900-Tx与UMTS的情况进行说明。UMTS-Rx信号，被天线端子ANT2所接收，通过开关电路12连接到GSM850/900-Tx与UMTS的共同端子上，又通过分频电路DIP30分给UMTS端子。
分频电路DIP30，在UMTS侧，由高通滤波器HPF30构成，在GSM850-Tx侧，由分布常数线路SL30与低通滤波器LPF50构成。如图所示，高通滤波器以及低通滤波器的构成可以与HPF20、LPF10相同。GSM850/900-Tx线路中，在分频电路DIP30与GSM850/900-Tx端子之间，构成有衰减发送信号的高次谐波成分的低通滤波器LPF20。通过该低通滤波器LPF20，能够将高频功率放大器所产生的高次谐波信号去除。
这样，通过SW12的切换来使用共同端子，通过分频电路DIP30，将GSM850/900-Tx与UMTS分开，从而能够与GSM850/900-Tx以及UMTS同时对应。也即，通过使用分频电路DIP30，能够不切换GSM850/900-Tx与UMTS这两个频段的开关状态，而保持同时发送接收的状态。
最后，对GSM900-Rx与DCS-Rx的情况进行说明。天线端子ANT2所接收到的信号，通过高频开关SW12连接到GSM900-Rx与DCS-Rx的共同端子上，又通过分频电路DIP40分给各个接收端子。
分频电路DIP40，在DCS-Rx侧，由高通滤波器HPF50构成，在GSM900-Rx侧，由分布常数线路SL40与低通滤波器LPF60构成。如图所示，高通滤波器以及低通滤波器的构成可以与HPF20、LPF10相同。
另外，共同天线端子ANT3与天线ANT之间，构成有对ESD等高压浪涌进行衰减的高通滤波器HPF40。高通滤波器HPF40，具有调整天线端子ANT与高频开关SW11、SW12之间的匹配的功能。高通滤波器HPF40的构成，可以如图所示与HPF20相同。
另外，本发明中的高频选择电路，在作为移动电话机所使用的情况下，虽然未在图中显示，还进一步在GSM850/900-Tx端子与DCS/PCS-Tx端子上，连接功率放大电路、自动功率控制电路、SAW滤波器等带通滤波器。另外，在CDMA端子与UMTS端子上，连接分频器、功率放大电路、自动功率控制电路、SAW滤波器等带通滤波器。另外，GSM850-Rx端子、900-Rx端子、DCS-Rx端子、PCS-Rx端子、GPS端子与SAW滤波器等带通滤波器相连接。
根据本发明，通过将上述高频模块内置在移动电话等无线通信装置中，就能够构成GSM/DCS/PCS系统与CDMA系统一体化的多频段移动电话，同时，还能够实现装置的小型化。
接下来，对天线侧端子ANT1与天线侧端子ANT2之间直接连接的本发明的高频选择电路的另一个例子进行说明。
图9为说明本发明的高频选择电路的一例方框图，该高频选择电路，作为多频段对应的一例，与GSM850(850MHz带)、GSM900(900MHz带)、DCS(1800MHz带)、PCS(1900MHz带)、CDMA蜂窝(800MHz带)、UMTS(2000MHz带)、GPS(1600MHz带)这7个通信系统对应。
图9的高频选择电路，具有将通过带域不同的多个发送接收系统分为各发送接收系统：CDMA蜂窝-Tx/Rx、DCS/PCS-Tx、GSM850-Rx，PCS-Rx这4组的高频开关SW110，以及同样将通过带域不同的多个发送接收系统分为各发送接收系统：GSM850/900-Tx、UMTS-Tx/Rx、GSM900-Rx，DCS-Rx、GPS这5组的高频开关SW120。上述高频开关SW110以及高频开关SW120，都将1个共同端子与3个端子进行切换。
高频开关SW110中的1个端子，连接有对GSM850-Rx与PCS-Rx进行分频/合频的第1分频电路DIP20。
另外，高频开关SW120的1个端子中，连接有对GSM850/900-Tx与UMTS-Tx/Rx进行分频/合频的第2分频电路DIP30，另一个端子中连接有对GSM900-Rx与DCS-Rx进行分频/合频的第3分频电路DIP40。
另外，高频开关SW110与DCS/PCS-Tx的端子之间，连接有去除发送信号的高次谐波成分的LPF10。另外，上述分频电路DIP30与GSM850/900-Tx的端子之间，也连接有去除发送信号的高次谐波成分的LPF20。
另外，ANT端子ANT1与ANT2直接连接。共同天线端子ANT3与天线ANT之间，连接有对ESD等高压浪涌进行衰减的ESD电路ESD10。
图10为说明图9中所示的高频选择电路的详细电路图。
首先，对GPS信号进行说明，由天线端子ANT2所接收到的信号，经高频开关SW120与GPS端子相连接。由于从天线端子ANT2到GPS接收端之间的路线中除了高频开关SW120以外没有其他元件，因此，能够实现GPS信号的通过特性的低损耗化。
接下来，对DCS/PCS-Tx信号的情况进行说明。DCS/PCS-Tx信号，被天线端子ANT1所接收，通过高频开关SW110连接到DCS/PCS-Tx端子上。在高频开关SW110与DCS/PCS-Tx端子之间，构成有衰减发送信号的高次谐波成分的低通滤波器LPF10。
通过该低通滤波器LPF10，能够将高频功率放大器所产生的高次谐波信号去除。
接下来，对CDMA蜂窝-Tx/Rx信号的情况进行说明。CDMA蜂窝-Tx/Rx信号，被天线端子ANT1所接收，通过高频开关SW110直接连接到CDMA蜂窝-Tx/Rx端子上。
接下来，对GSM850-Rx与PCS-Rx的情况进行说明。天线端子ANT1所接收到的信号，通过高频开关SW110连接到GSM850-Rx与PCS-Rx的共同端子上，又通过分频电路DIP20分给各个接收端子。分频电路DIP20，在PCS-Rx侧，由高通滤波器HPF10构成，在GSM850-Rx侧，由分布常数线路SL10与低通滤波器LPF30构成。
接下来，对GSM850/900-Tx与UMTS-Tx/Rx的情况进行说明。UMTS-Tx/Rx信号，被天线端子ANT2所接收，通过高频开关SW120连接到GSM850/900-Tx与UMTS-Tx/Rx的共同端子上，又通过分频电路DIP30分给UMTS端子与GSM850/900-Tx端子。分频电路DIP30，在UMTS侧，由高通滤波器HPF30构成，在GSM850/900-Tx侧，由分布常数线路SL30与低通滤波器LPF50构成。GSM850/900-Tx线路中，在分频电路DIP30与GSM850/900-Tx端子之间，构成有衰减发送信号的高次谐波成分的低通滤波器LPF20。
根据本发明，通过高频开关SW120的切换并经共同端子，通过分频电路DIP30，将GSM850/900-Tx与UMTS分开，通过采用这种方式，能够与GSM850/900-Tx以及UMTS同时对应。也即，通过使用分频电路DIP30，能够不切换GSM850/900-Tx与UMTS这两个频段的开关状态，而保持同时发送接收的状态。
最后，对GSM900-Rx与DCS-Rx的情况进行说明。天线端子ANT2所接收到的信号，通过高频开关SW120连接到GSM900-Rx与DCS-Rx的共同端子上，又通过分频电路DIP40分给各个接收端子。分频电路DIP40，在DCS-Rx侧，由高通滤波器HPF50构成，在GSM900-Rx侧，由分布常数线路SL40与低通滤波器LPF60构成。
另外，共同天线端子ANT3与天线ANT之间，构成有对静电放电ESD等高压浪涌进行衰减的高通滤波器HPF40。另外，该高通滤波器HPF40，具有调整天线端子ANT与高频开关SW110、SW120之间的匹配的功能。
本发明的高频选择电路中，上述高通滤波器HPF，都是由串联的2个电容以及形成在电容的连接点与地之间的分布常数线路所构成的，上述低通滤波器LPF，都是由分布常数线路以及与分布常数线路并联的电容、形成在分布常数线路与地之间的电容所构成的。
另外，本发明中的高频选择电路，在作为移动电话机所使用的情况下，在GSM850/900-Tx端子或DCS/PCS-Tx端子上，连接功率放大电路、自动功率控制电路、SAW滤波器等带通滤波器。
另外，在CDMA端子与UMTS端子上，连接分频器、功率放大电路、自动功率控制电路、SAW滤波器等带通滤波器。
另外，在GSM850-Rx端子、900-Rx端子、DCS-Rx端子、PCS-Rx端子、GPS端子上，连接SAW滤波器等带通滤波器。
图11为说明本发明的其他实施方式的相关构成高频选择电路的开关电路的方框图。
该开关电路，由对低频段类高频开关SW111、高频段类高频开关SW112以及上述2个高频开关SW111、SW112的切换状态进行控制的解码电路DEC1所构成。
高频开关SW111，通过上述解码电路DEC1的控制，将天线端子ANT1，与GSM850方式(850MHz带)、GSM900方式(900MHz带)的共同的发送系统端子TX1，与GSM850方式(850MHz带)的接收系统端子RX1、GSM900方式(900MHz带)的接收系统端子RX2，以及开放端子OPEN1切换连接。
上述开放端子OPEN1，可以不进行任何连接，也可以与500Ω以上的高阻抗元件(图中未显示)相连接。上述高阻抗元件，既可以例如是阻抗元件，又可以使用电感L以及电容C所构成的LC共振电路。
高频开关SW112，通过上述解码电路DEC1的控制，将天线端子ANT2，与DCS方式(1800MHz带)、PCS方式(1900MHz带)的共同的发送系统端子TX2，与DCS方式(1800MHz带)的接收系统端子RX3、PCS方式(1900MHz带)的接收系统端子RX4，UMTS方式(2000MHz带)的发送接收端子T/RX1以及开放端子OPEN2切换连接。
上述开关端子OPEN2，可以不进行任何连接，也可以与500Ω以上的高阻抗元件(图中未显示)相连接。上述高阻抗元件，既可以例如是阻抗元件，又可以使用电感L以及电容C所构成的LC共振电路。
上述高频开关SW111、SW112，是通过在GaAs(镓砷)化合物、Si(硅)或Al2O3(蓝宝石)为主要成分的基板上，安装p-HEMT等半导体元件，并形成利用这些半导体元件的开关电路模型而形成的。
上述解码电路DEC1也一样，是用于上述高频开关SW111、SW112的切换控制的电路，通过集成电路元件等构成。
另外，解码电路DEC1与上述高频开关SW1、SW2中的任一个或双方，可以通过1个集成电路元件来构成。这样，能够提高集成度，实现高频选择电路的进一步小型化与低消耗功率化。
接下来，参照图12的高频选择电路ASM2，对图11中的开关电路的动作进行说明。图12为高频选择电路ASM4的连接图。
图12中，上述高频开关SW111的天线端子ANT1与上述高频开关SW112的天线端子ANT2，相对与天线连接的共同天线端子ANT3直接连接。
上述高频开关SW111的发送系统端子TX1，与用来去除功率放大器所产生的高次谐波的低通滤波器LPF1，以及功率放大器AMP1(图中未显示)相连接，接收系统端子RX1与低噪声放大器AMP3(图中未显示)相连接。上述高频开关SW112的发送系统端子TX2，与用来去除功率放大器所产生的高次谐波的低通滤波器LPF2，以及功率放大器AMP2(图中未显示)相连接，接收系统端子RX3与低噪声放大器AMP4(图中未显示)相连接。另外，上述以外的发送系统端子也都与功率放大器相连接，上述以外的接收系统端子都与低噪声滤波器相连接，图中省略了显示。
上述解码电路DEC1，在高频开关SW111将天线端子ANT1与发送系统端子TX1、接收系统端子RX1、接收系统端子RX2中的任一个相连接时，进行控制使得高频开关SW112与OPEN2端子相连接。
上述解码电路DEC1，在高频开关SW112将天线端子ANT2与发送系统端子TX2、接收系统端子RX3、接收系统端子RX4以及发送接收端子T/RX1中的任一个相连接时，进行控制使得高频开关SW111与OPEN1端子相连接。
在GSM850方式或GSM900方式的发送时，通过上述高频开关SW111的切换，使得TX1-ANT1之间闭合，将功率放大器所放大的信号，传送给与天线相连接的共同天线端子ANT3。
此时，高频开关SW112，通过上述的解码电路DEC1的控制，与OPEN2端子相连接。
该连接的优点如下。在高频开关SW112与OPEN2端子相连接的情况下，由于该OPEN2端子电气开放或与500Ω以上的负荷阻抗相连接，因此，天线端子ANT2与高频开关SW112的发送系统端子TX2、接收系统端子RX3、接收系统端子RX4、发送接收端子T/RX1之间的绝缘性为20dB以上。因此，能够防止从高频开关SW111向共同天线端子ANT3流动的信号的一部分，经高频开关SW112混入到与高频开关SW112相连接的电路中。因此，能够防止天线端子3所输出的信号电平的降低。
同样，在GSM850方式的接收时，上述高频开关SW111使得RX1-ANT1之间闭合，将来自共同天线端子ANT3的接收信号传送给RX1端子。此时也一样，高频开关SW112与OPEN2端子相连接。OPEN2端子电气开放或与500Ω以上的负荷阻抗相连接，天线端子ANT2与高频开关SW112的发送系统端子TX2、接收系统端子RX3、接收系统端子RX4、发送接收端子T/RX1之间的绝缘性为20dB以上。因此，能够防止从共同天线端子ANT3向高频开关SW111流动的信号的一部分，混入到与高频开关SW112相连接的电路中。因此，能够防止接收信号电平的大幅降低。
在GSM900方式的接收时也与上述相同。
接下来，在DCS/PCS方式的接收时，上述高频开关SW112的TX2-ANT2之间闭合，将功率放大器AMP2所放大的信号传送给共同天线端子ANT3。此时，高频开关SW111与OPEN1端子相连接。
该连接的优点如下。在高频开关SW111与OPEN1端子相连接的情况下，该OPEN1端子电气开放或与500Ω以上的负荷阻抗相连接，天线端子ANT1与发送系统端子TX1、接收系统端子RX1、接收系统端子RX2之间的绝缘性为20dB以上。因此，能够防止从高频开关SW112向共同天线端子ANT3流动的信号的一部分，混入到与高频开关SW111相连接的电路中。另外，还能够天线端子3所输出的信号电平的恶化。
同样，在DCS方式的接收时，上述高频开关SW112使得RX3-ANT2之间闭合，将来自共同天线端子ANT3的接收信号传送给RX3端子。此时也一样，高频开关SW111与OPEN1端子相连接。OPEN1端子电气开放或与500Ω以上的负荷阻抗相连接，天线端子ANT1与发送系统端子TX1、接收系统端子RX1、接收系统端子RX2之间的绝缘性为20dB以上。因此，能够防止从共同天线端子ANT3向高频开关SW112流动的信号的一部分，混入到与高频开关SW111相连接的电路中，从而能够防止接收信号电平的大幅降低。PCS方式的接收以及UMTS方式的发送接收时也一样。
接下来，参照另一个电路图13，对图11中的高频开关的动作进行说明。图13为使用分频电路DIPX1的高频选择电路ASM4的连接图。
图13的高频开关，与天线相连接的共同天线端子ANT3，与对低频段侧(GSM850、GSM900)与高频段侧(DCS、PCS、UMTS)频率进行分离的分频电路DIPX1相连接。分频电路DIPX1的低频段侧成为低通滤波器，高频段侧成为高通滤波器。
另外，分频电路DIPX1的让低频段侧频率通过的端子LB1，与上述高频开关SW111的天线端子ANT1相连接，且分频电路DIPX1的让高频段侧频率通过的端子HB1，与上述高频开关SW112的天线端子ANT2相连接。
上述高频开关SW111、SW112的构成以及连接状态与图12中所说明的相同。
对该图13中的高频开关的端子进行说明。
上述解码电路DEC1，在高频开关SW111将天线端子ANT1与发送系统端子TX1、接收系统端子RX1、接收系统端子RX2中的任一个相连接时，进行控制将高频开关SW112与OPEN2端子或非OPEN2端子的另一个端子，例如T/RX1端子相连接。
另外，上述解码电路DEC1，在高频开关SW112将天线端子ANT2与发送系统端子TX2、接收系统端子RX3、接收系统端子RX4以及发送接收端子T/RX1中的任一个相连接时，进行控制将高频开关SW111与OPEN1端子或非OPEN1端子的另一个端子，例如RX2端子相连接。
例如在进行GSM850或GSM900方式的发送时，上述高频开关SW111使得TX1-ANT1之间闭合，功率放大器AMP1所放大的信号，经上述高频开关SW111、分频电路DIPX1被传送给与天线ANT相连接的共同天线端子ANT3。此时，高频开关SW112的天线端子ANT2例如与T/RX1端子相连接。
与图12中所示的上述开关方式的情况不同，高频开关SW112不需要一定与OPEN2端子相连接。这是因为，天线端子4与各个高频半导体SW1、SW2之间配置有分频电路DIPX，通过这样，在低频段的发送接收时，可以将高频段的带域阻抗看作是无穷大。
通过使高频开关SW112与T/RX1端子相连接，GSM850/900方式的发送时，也能够进行UMTS的接收。
另外，如果不需要UMTS的同时接收，当然最好进行控制使得高频开关SW112与OPEN2端子相连接。
同样，在GSM850方式的接收时，上述高频开关SW111使得RX1-ANT1之间闭合，来自共同天线端子ANT3的接收信号，经分频电路DIPX1、高频开关SW111被传送给RX1端子。此时，高频开关SW112的天线端子ANT2例如与T/RX1端子相连接。
与图12中所示的上述开关方式的情况不同，高频开关SW112不需要一定与OPEN2端子相连接。这是因为，天线端子4与各个高频半导体SW1、SW2之间配置有分频电路DIPX1，通过这样，在低频段的发送接收时，可以将高频段的带域阻抗看作是无穷大。在GSM900方式的接收时也一样。
通过使高频开关SW112与T/RX1端子相连接，在GSM850方式的接收时，也能够进行UMTS的发送接收。
另外，如果不需要UMTS的同时发送接收，当然最好进行控制使得高频开关SW112与OPEN2端子相连接。
另外，在DCS/PCS方式的发送时，上述高频开关SW111使得TX2-ANT2之间闭合，功率放大器AMP2所放大的信号，经分频电路DIPX1被传送给与天线ANT相连接的共同天线端子ANT3。此时，高频开关SW111例如与RX2端子相连接。
与图12中所示的上述开关方式的情况不同，高频开关SW111不需要一定与OPEN1端子相连接。这是因为，天线端子4与各个高频半导体SW1、SW2之间配置有分频电路DIPX1，通过这样，在高频段的发送时，可以将高频段的带域阻抗看作是无穷大。
通过使高频开关SW112与RX2端子相连接，在DCS/PCS方式的发送时，也能够进行GSM900方式的接收。另外，如果不需要GSM900方式的同时接收，当然最好进行控制使得高频开关SW111与OPEN1端子相连接。
同样，在DCS方式的接收时，上述高频开关SW112使得RX3-ANT2之间闭合，来自共同天线端子ANT3的接收信号，经分频电路DIPX1被传送给RX3端子。此时，高频开关SW112例如与RX2端子相连接。通过使高频开关SW112与RX2端子相连接，从而在DCS方式的接收时，也能够进行GSM900的发送接收。
另外，与图12中所示的上述开关方式的情况不同，高频开关SW111不需要一定与OPEN1端子相连接。这是因为，天线端子4与各个高频半导体SW1、SW2之间配置有分频电路DIPX1，通过这样，在高频段的发送时，可以将低频段的带域阻抗看作是无穷大。在PCS方式的接收、UMTS方式的发送接收时也一样。
如上所述，本发明中，能够在不同的2个开关电路方式中，使用相同构成的高频开关SW111、SW112。
通过这样，不需要像以前那样，制造或采购对应于不同的开关电路方式的不同的高频半导体开关，从而能够降低各个高频半导体开关的制造成本/或采购成本。另外，由于不需要设计制造两种不同的高频半导体元件，还能够缩短高频半导体开关的制造期间，从而能够缩短开关电路、和/或包含有开关电路的高频模块的设计、制造期间。
<高频模块>
接下来，对安装有上述高频选择电路的高频模块进行说明。
图14为高频模块RFM1的部分切除立体图，图15为高频模块RFM1的概要剖视图。
如同14、15所示，高频模块RMF1，由电介质层与导体层层积而成的多层基板A所形成。
多层基板A，通过层积同一尺寸形状的电介质层11～17而构成。各电介质层11～17之间，形成有给定的图形所构成的导体层21。另外，电介质层11～17中，适当形成有用于构成或连接覆盖了多个层的电路所必需的过孔导体23。
电介质层11～17，例如通过低温烧制用陶瓷来形成，导体层21由银或铜等低阻抗导体形成。这样的多层基板是通过公知的多层陶瓷技术来形成的。例如，在陶瓷印刷电路基板的表面上涂布导电浆体，分别形成了构成上述各个电路的导体图形之后，层积这些印刷电路基板，在所期望的压强与温度下热压接烧制而形成。
在上述多层基板A的内部，形成有匹配电路MAT、低通滤波器LPF、分频电路DIP等的图形。这些图形被设置为，从多层基板A的上方看不重叠。通过这样，能够防止电路间的干扰，实现良好的滤波器特性，并实现低损耗化、降低高频成分。
本发明的高频模块RFM1的半导体开关SW1、SW2集成在一个芯片上。该芯片用“24”表示。芯片24，在多层基板A的上表面，通过比元件24的安装面积大的冲模焊盘26，使用Ag或AuSn与粘接剂混合而成的导电性粘接剂。或有机树脂类的非导电性粘接剂47，进行表面安装。
另外，高频开关SW1、SW2与解码电路DEC1可以集成在1个芯片24中。或者，也可以将解码电路DEC1作为其他芯片来安装。
之后，与GSM850/900-TX端子以及DCS/PCS-TX端子相连接的功率放大电路、自动功率控制电路、SAW滤波器等带通滤波器等，被一体化安装在本实施方式中所述的高频模块RFM1的内部。
另外，与CDMA蜂窝端子以及UMTS端子相连接的分频器、功率放大电路、自动功率控制电路、SAW滤波器等带通滤波器等，被一体化安装在本实施方式中所述的高频模块RFM1的内部。
另外，与GSM85-RX端子、GSM900-RX端子、DCS-RX端子、PCS-RX端子相连接SAW滤波器等带通滤波器等，被一体化安装在本实施方式中所述的高频模块RFM1的内部。
上述芯片24，为实现小型化、低损耗化，通过在以GaAS(镓砷)化合物为主要成分的基板上形成电路图形，具有GaAs J-FET构造的高频单块半导体集成电路元件形成。
之后，构成半导体开关SW1、SW2的芯片24的信号用端子或接地用端子，经焊接导线56或多层基板A表面的导体层21，与基板内置元件电连接。
在该多层基板A的上面，通过环氧树脂等密封树脂55进行密封，另外，在多层基板的下表面接近该多层基板的侧面的部分上，形成有信号用端子图形22作为LGA(围堰栅格阵列)方式的电极。
另外，还可以在多层基板A的上表面以及侧面，覆盖金属制盖子来代替密封树脂。金属制盖子，通过设置在多层基板A侧面的给定位置上的接地用端面电极与焊锡等导体进行固定。
这样，通过在安装有芯片24的面的下侧部分中，内置芯片24以外的电路元件，能够不增加基板大小，而实现能够对应于多频段的高频模块RFM1。
根据本发明，通过将上述高频模块使用在移动电话等无线通信装置中，能够构成GSM/DCS/PCS系统与CDMA系统一体化的多频段的无线通信装置，同时，还能够实现装置的小型化。

Claims (27)

1.一种高频选择电路，配置在共同的天线端子与频带或通信方式不同的多个通信系统的发送系统和/或接收系统之间，其特征在于，具有：
对应于上述多个通信系统而准备的2个以上的高频开关；
对上述2个以上的高频开关的切换进行控制的控制电路；以及
设置在上述2个以上的高频开关各自的天线侧端子，与上述共同的天线端子之间，可通过直流的匹配电路，
其中，上述控制电路，在将任一个高频开关的1个线路闭合时，进行控制以使该高频开关的其他线路，以及其他高频开关的所有线路都变为断开状态。
2.如权利要求1所述的高频选择电路，其特征在于：
在通过上述控制电路，将任一个高频开关的1个线路闭合，将该高频开关的其他线路，以及其他高频开关的所有线路都断开的状态下，上述天线侧端子为1V以上。
3.如权利要求1所述的高频选择电路，其特征在于：
上述高频开关，是通过半导体集成电路元件所形成的。
4.如权利要求1所述的高频选择电路，其特征在于：
上述直流可通过匹配电路，是低通型滤波器。
5.如权利要求1所述的高频选择电路，其特征在于：
在从上述高频选择电路的发送接受端子到天线的信号线路中，连接对发送信号的高次谐波信号进行衰减的滤波器电路。
6.如权利要求5所述的高频选择电路，其特征在于：
上述滤波器电路，是低通型或带通型滤波器。
7.如权利要求1所述的高频选择电路，其特征在于：
与上述高频开关的天线侧端子以外的发送电路和/或接收电路相连接的端子中，连接有对上述各个通信系统的发送信号和/或接收信号进行分频/合频的分频电路。
8.如权利要求1所述的高频选择电路，其特征在于：
上述共同的天线端子与上述高频开关之间，具有对高压浪涌进行衰减的高通滤波器或带通滤波器。
9.如权利要求1所述的高频选择电路，其特征在于：
上述2个以上的高频开关中，任一个高频开关的天线侧端子，与上述共同的天线端子直接连接。
10.如权利要求1所述的高频选择电路，其特征在于：
上述控制电路，用将任意一个或两个以上的高频开关一体化后的半导体集成电路元件实现。
11.一种高频选择电路，配置在共同的天线端子，与频带或通信方式不同的多个通信系统的发送系统和/或接收系统之间，其特征在于，具有：
对应于上述多个通信系统而准备的2个以上的高频开关；以及
对上述2个以上的高频开关的切换进行控制的控制电路，
其中，上述2个以上的高频开关各自的天线侧端子，与上述共同的天线端子直接连接，
上述控制电路，在将任一个高频开关的1个线路闭合时，进行控制以使得该高频开关的其他线路，以及其他高频开关的所有线路都变为断开状态。
12.如权利要求11所述的高频选择电路，其特征在于：
在通过上述控制电路，将任一个高频开关的1个线路闭合，将该高频开关的其他线路以及其他高频开关的所有线路都断开的状态下，上述天线侧端子为1V以上。
13.如权利要求11所述的高频选择电路，其特征在于：
上述高频开关，是通过半导体集成电路元件而形成的。
14.如权利要求11所述的高频选择电路，其特征在于：
在从上述高频选择电路的发送接受端子到天线的信号线路中，连接有对发送信号的高次谐波信号进行衰减的滤波器电路。
15.如权利要求14所述的高频选择电路，其特征在于：
上述滤波器电路，是低通型或带通型滤波器。
16.如权利要求11所述的高频选择电路，其特征在于：
与上述高频开关的天线侧端子以外的发送电路和/或接收电路相连接的端子中，连接有对上述各个通信系统的发送信号和/或接收信号进行分频/合频的分频电路。
17.如权利要求11所述的高频选择电路，其特征在于：
上述共同的天线端子与上述高频开关之间，具有对高压浪涌进行衰减的高通滤波器或带通滤波器。
18.如权利要求11所述的高频选择电路，其特征在于：
上述控制电路，用将任意一个或两个以上的高频开关一体化后的半导体集成电路元件实现。
19.一种高频选择电路，配置在共同的天线端子，与频带或通信方式不同的多个通信系统的发送系统和/或接收系统之间，其特征在于，具有：
对应于上述多个通信系统而准备的2个以上的高频开关；以及
对上述2个以上的高频开关的切换进行控制的控制电路，
其中，上述高频开关的天线侧端子以外的端子的一部分被开放，或与500Ω以上的高阻抗元件连接，或与500Ω以上的高阻抗电路连接；
上述控制电路，在将任一个高频开关连接到与上述发送系统或接收系统相连接的端子上时，进行控制以使其他高频开关连接到上述一部分的端子上。
20.如权利要求19所述的高频选择电路，其特征在于：
上述2个以上的高频开关各自的天线侧端子，与上述共同的天线端子直接连接。
21.如权利要求19所述的高频选择电路，其特征在于：
上述2个以上的高频开关各自的天线侧端子，与上述共同的天线端子之间设有分频电路。
22.如权利要求19所述的高频选择电路，其特征在于：
上述高频开关，是通过半导体集成电路元件所形成的。
23.如权利要求19所述的高频选择电路，其特征在于：
上述控制电路，用将任意一个或两个以上的高频开关一体化后的半导体集成电路元件实现。
24.一种高频模块，安装有权利要求1至权利要求23中任一项所述的高频选择电路，其特征在于：
构成上述高频选择电路的高频开关，被安装在电介质层与导体层交互层积而成的多层基板的表面上。
25.如权利要求24所述的高频模块，其特征在于：
构成上述高频选择电路的匹配电路、分频电路和/或滤波器电路形成在上述多层基板的内部。
26.如权利要求22所述的高频模块，其特征在于：
形成在上述多层基板的内部的匹配电路、分频电路和/或滤波器电路的图形，以从多层基板的上方看不重叠的方式配置。
27.一种无线通信装置，其特征在于：
安装有权利要求24中所述的高频模块。
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