CN1649264A - 温度补偿式晶体振荡器 - Google Patents

Abstract

一种温度补偿式晶体振荡器，包括：晶体振动元件、在内部收存所述晶体振动元件的容器体、基于所述晶体振动元件的振动而控制振荡输出的IC元件、安装所述容器体且装载所述IC元件的基体、以及将温度补偿数据写入所述IC元件的写入控制端子。写入控制端子，由设置于所述基体上的金属体构成。

Description

温度补偿式晶体振荡器

技术领域

本发明是涉及一种作为通信器械及电子器械等的定时器件而使用的温度补偿式晶体振荡器。

背景技术

历来，晶体振荡器作为携带通信器械的定时器件而使用。

作为该历来的晶体振荡器，例如已知的有图13所示的结构。(例如，参照特开平10-98151号公报)。在该晶体振荡器中，内部收存有晶体振动元件的容器体123，将上面的中央区域的凹部125安装在下部具有多个外部端子的安装用基体121上。在由所述容器体123的下面与所述凹部125的内面所包围的区域内，收存有基于晶体振动元件的谐振频率而控制振荡输出的IC元件126。

而且，已知的还有如图14(a)及图14(b)所示的晶体振荡器(参照特开2000-99743号公报)。在该晶体振荡器中，在安装用基体121的下面中央区域，形成有凹部125。收存晶体振子的容器体123被安装在安装用基体121上。在安装用基体121的所述凹部125内，收存有基于晶体振子的谐振频率而控制振荡输出的IC元件126。

所述容器体123及所述安装用基体121，通常是由氧化铝陶瓷等陶瓷材料所构成。在其内部及表面上，形成有配线导体，可以通过采用历来周知的印刷电路基板叠层法来制作。而且，在这样的容器体123的下面及安装用基体121的上面，在分别对应的地方分别设置有多个接合电极，通过由导电性接合部件使这些接合电极与接合电极相接合，将容器体123固定在安装用基体121的上面。

而且，在所述IC元件126的内部，设置有基于对应于晶体振动元件的温度特性而制作的温度补偿数据、对晶体振荡器的振荡输出进行修正用的温度补偿电路。为了将这样的温度补偿数据存储于IC元件126内的存储器中，在安装用基体121的外侧面上，设置有写入控制端子127。在组装晶体振荡器之后，通过接触该写入控制端子127上的温度补偿数据写入装置的探针，可将温度补偿数据输入IC元件126，以此，能够将温度补偿数据存储于IC元件126内的存储器中。

在安装用基体121的外侧面，设置有为了配置写入控制端子127的多个凹部，在各凹部的内面上，覆盖形成有膜状的写入控制端子127。

然而，为了制作该安装用基体121，必须在切出安装用基体121的陶瓷制的母基板上设置凹部，并在其内面涂敷烧结的导体浆料，进而实施金属电镀等来覆盖膜状的写入控制端子127。所以，复杂的加工工序是不可少的，有温度补偿式晶体振荡器的生产性低的缺点。

发明内容

本发明鉴于上述问题而提出，其目的在于提供生产性优异的温度补偿式晶体振荡器。

而且，本发明另一目的在于提供在安装于母板时不产生大的散杂电容的温度补偿式晶体振荡器。

本发明又一目的在于提供在安装时处置简便的温度补偿式晶体振荡器。

本发明的温度补偿式晶体振荡器，包括：晶体振动元件，和在内部收存所述晶体振动元件的容器体，和基于所述晶体振动元件的谐振频率而控制振荡输出的IC元件，和支撑所述容器体且装载所述IC元件的基体，以及由设置在所述基体上的金属体构成(例如，金属柱状体(金属柱))并用于将温度补偿数据写入所述IC元件的写入控制端子。

根据该结构，在组装温度补偿式晶体振荡器时，在基体上仅安装由像金属柱那样的金属体所构成的写入控制端子，就能够制作温度补偿式晶体振荡器。即，不是像历来的技术那样，在将膜状的写入控制端子形成于基体的外侧面时需要烦琐的加工工序。由此，能够提高温度补偿式晶体振荡器的生产性。

所述基体具有上面、下面及侧面，最好将所述写入控制端子配置于所述上面及下面的至少任意一侧，而不配置于所述侧面。

而且，最好所述容器体与所述基体，在俯视图中实质上形成同一尺寸。

进而，最好所述基体，在俯视图中具有大体矩形的形状，进而包括分别配置在所述基体的四角的衬垫部件，所述写入控制端子配置于邻接的所述衬垫部件之间。

而且，最好所述容器体，通过将所述衬垫部件装载、固定于所述基体上。这时，最好所述IC元件，装载在所述基体的所述容器体一侧的上面。另外，最好所述写入控制端子，存在于所述容器体与所述基体之间，并且，该写入控制端子的一部分，从所述容器体的侧面与基体的侧面之间露出。

在该结构中，在基体的上面配置有写入控制端子，在基体与容器体之间，存在有IC元件及写入控制端子。由此，能够防止温度补偿式晶体振荡器的母板的配线与写入控制端子之间产生大的散杂电容。而且，在由焊锡焊接等将温度补偿式晶体振荡器装载于母板上时，不会由于熔融焊锡的一部分与写入控制端子相接触而引起短路，具有温度补偿式晶体振荡器的处置简便的优点。

而且，最好温度补偿式晶体振荡器进而包括设置在所述容器体下面的接合垫。在这种情况下，最好所述写入控制端子的上端部，通过接合部件接合于所述接合垫，由此，与所述容器体实行机械连接。根据这样的结构，能够提高基体与容器体的接合强度，能够维持温度补偿式晶体振荡器的高的可靠性。

在于所述基体在俯视图中具有大体矩形形状的情况下，最好所述衬垫部件是由在所述基体的所述容器体一侧的上面四角分别安装的4个金属体所构成。

还可以是所述容器体固定在所述基体的上面，所述IC元件装载在所述基体的下面。在这种情况下，最好在所述基体下面安装衬垫部件，所述写入控制端子在所述基体下面的外周区域中，在所述衬垫部件不存在的区域，从所述衬垫部件隔开安装。所述衬垫部件，具有作为与母板等接合的安装脚部的功能。

根据这样的结构，在基板的下面安装由金属柱等金属体所构成的写入控制端子。所以，在组装温度补偿式晶体振荡器时，仅通过将由金属柱等构成的写入控制端子安装在基体下面的规定位置，就能够制作温度补偿式晶体振荡器。由此，不需要像在基体的侧面形成膜状写入控制端子那样的烦琐的工序，就能够制造温度补偿式晶体振荡器。

最好所述写入控制端子的下端，位于作为安装脚部的所述衬垫部件的下端的上方，所述写入控制端子的下端，由用于密封所述IC元件的所述树脂材料的延伸部所覆盖。根据这样的结构，由于能够确保安装温度补偿式晶体振荡器的母板的配线与写入控制端子之间为一定的距离，所以能够防止在这些部件之间产生大的散杂电容。另外，在由焊锡焊接等将温度补偿式晶体振荡器装载于母板上时，能够有效地防止由于熔融焊锡的一部分与写入控制端子相接触而引起短路等所不好的情况，使温度补偿式晶体振荡器的处置简便。

在所述基体在俯视图中具有大体矩形的形状的情况下，最好作为所述安装脚部的衬垫部件，是由在所述基体下面的四角部安装的4个金属体(例如金属柱)所构成。

另一方面，最好所述温度补偿式晶体振荡器，进而包括密封所述IC元件、同时在外周部具有延伸至所述基体的外周部的延伸部的树脂材料。另外，最好所述衬垫部件，具有沿所述基体上面或下面开口的缝隙。在这种情况下，最好该树脂材料，插入所述衬垫部件的缝隙以及所述衬垫部件与所述写入控制端子之间的间隙。

根据这样的结构，可以由所述树脂材料增强IC元件、写入控制端子、以及衬垫部件等对于基体的接合强度。此外，还能够由树脂材料对IC电路的形成面进行良好的保护，能够维持高的温度补偿式晶体振荡器的机械强度及可靠性。

在设置有多个衬垫部件的情况下，所述缝隙可以在邻接的衬垫部件之间划分，而且，还可以沿着基体的外周部设置“U”字形或“C”字形的一个衬垫部件，在这种情况下，这一个衬垫部件自身也可以划分所述缝隙。

所述IC元件，也可以由为矩形的倒装晶片IC构成。在这种情况下，最好用于密封IC元件的所述树脂是由透明材料构成，同时该IC元件的至少一个(最好为两个)端面，在被所述树脂材料覆盖的状态下，从衬垫部件的缝隙向着外部空间。由此，能够直接看到IC元件对于基体的接合，在制品的检查时，能够通过目测而容易地确认IC元件的接合状态。检测操作能够简便良好地进行。

最好所述写入控制端子在所述基体的上面或下面(最好是它们的外周区域)，配置于所述衬垫部件的缝隙内。在这种情况下，最好写入控制端子的侧面与所述衬垫部件的侧面之间的间隔，被设定为从所述基体的外方向内方逐渐扩大，在衬垫部件与写入控制端子之间的间隙内，流入所述树脂材料的一部分。

根据这样的结构，在由树脂密封IC元件时，流体状态的树脂能够容易且迅速地流入写入控制端子与衬垫部件之间。由此，能够由树脂材料增强特别是写入控制端子及衬垫部件对于基体的接合强度，能够维持温度补偿式晶体振荡器高的机械强度及可靠性。

进而，最好将邻接的写入控制端子的侧面之间的间隔，设定得从所述基体的外方向内方逐渐扩大，在邻接的写入控制端子之间的间隙内流入所述树脂材料的一部分。

根据这样的结构，在邻接的写入控制端子的侧面之间，能够容易且迅速地流入树脂材料，能够由树脂材料有效地增强邻接的写入控制端子对于基体的接合强度。这样，能够维持温度补偿式晶体振荡器高的机械强度。

而且，最好所述基体在俯视图中具有大体矩形的形状，并设置有2N个(N为自然数)所述写入控制端子，这些2N个写入控制端子，沿所述基体的平行的2边各配置N个、对于与所述2边平行的中心线呈线对称而配置。根据这样的结构，由2N个写入控制端子中一侧方与数据写入装置的探针接触，在向IC元件中写入温度补偿数据时，来自探针所施加的力能够在容器体的两侧取得很好地平衡。因此，写入时能够良好地保持容器体，同时能够有效地防止由于与探针的接触产生的偏离应力所引起的写入控制端子的破损。

本发明的上述以及其它的目的、特征及效果，通过以下参照附图的实施例的说明，能够得到进一步的理解。

附图说明

图1是本发明的第一实施例的温度补偿式晶体振荡器的分解立体图。

图2是图1的温度补偿式晶体振荡器的截面图。

图3是用于说明上述第一实施例的温度补偿式晶体振荡器的变形例的分解立体图。

图4(a)是用于说明上述第一实施例的温度补偿式晶体振荡器的另一变形例的分解立体图，图4(b)是在图4(a)的晶体振荡器中设置的安装基体的俯视图。

图5(a)及图5(b)分别是上述第一实施例的又一变形例的图。

图6是用于说明本发明的第一实施例的温度补偿式晶体振荡器的制造方法一例的分解立体图。

图7是本发明的第二实施例的温度补偿式晶体振荡器的分解立体图。

图8是图7的温度补偿式晶体振荡器的截面图。

图9是图7的温度补偿式晶体振荡器的仰视图。

图10是用于说明上述第二实施例的温度补偿式晶体振荡器的变形例的仰视图。

图11是用于说明上述第二实施例的温度补偿式晶体振荡器的其它变形例的仰视图。

图12(a)及图12(b)是分别表示上述第二实施例的另一其它变形例的仰视图。

图13是用于说明先行技术的分解立体图。

图14(a)是用于说明先行技术的分解立体图，图14(b)是将该先行技术中的安装用基体上下反转表示的立体图。

具体实施方式

图1是本发明的第一实施例的温度补偿式晶体振荡器的分解立体图。图2是图1的温度补偿式晶体振荡器的截面图。该温度补偿式晶体振荡器，具有将在内部收存晶体振动元件5的矩形容器体1、通过衬垫部件12装载固定于矩形的安装用基体6的结构。在安装用基体6的下面，具有多个外部端子10，在其上面设置有IC元件7。

所述容器体1，例如由：由玻璃陶瓷、氧化铝陶瓷等陶瓷材料所构成的基板2、由42合金及科瓦铁镍钴合金、磷青铜等金属所构成的密封圈3、以及由与该密封圈3同样的金属构成的盖体4所构成。该容器体1，通过在所述基板2的上面安装密封圈3并在其上面装载、固定盖体4而构成，在位于密封圈3的内侧的基板2的上面安装晶体振动元件5。

该容器体1，是在其内部，具体地，在由基板2的上面和密封圈3的内面与盖体4的下面所围成的空间内，收存晶体振动元件5，并进行气密性密封的容器。分别在基板2的上面，设置有与晶体振动元件5的振动电极相连接的一对装载垫2a等，在基板2的下面设置有与后面叙述的衬垫部件12相连接的多个接合电极2b。这些装载垫2a与接合电极2b等，通过基板2表面的配线导体及基板2内部形成的通孔导体等，在相对应的部件之间相互构成电连接。

在所述容器体1的基板2是由玻璃陶瓷、氧化铝陶瓷等陶瓷材料所构成的情况下，例如，可以在于陶瓷粉末中添加、混合适当的有机溶剂等而得到的陶瓷印刷电路基板的表面等上，由历来所周知的网版印刷等方法涂敷作为配线导体(配线图案)的导体浆料，同时将它们多层叠层后压力成形，之后经高温烧结而制作。

而且，容器体1的密封圈3及盖体4，可以采用历来所周知的金属加工法，将42合金等金属成形为规定的形状而制作。所得到的密封圈3，被钎焊于基板2上预先覆盖的导体层上。接着，使用导电性黏结剂将晶体振动元件5安装、固定在基板2上，之后，由周知的电阻焊接等将盖体4接合在密封圈3的上面，由此组装容器体1。在这样由电阻焊接等接合密封圈3与盖体4的情况下，在密封圈3与盖体4的表面，预先覆盖Ni电镀层或Au电镀层等。

另一方面，在容器体1的内部收存的晶体振动元件5，在以规定的晶体轴所切割的晶体片的两主面上覆盖、形成有一对振动电极。当来自外部的规定电压，通过一对振动电极而施加于晶体片上时，该晶体片以规定频率发生厚度滑动振动。

所述晶体振动元件5，通过导电性黏结剂将一对振动电极与基板2上所对应的装载垫2a进行电连接而装载于基板2的上面，由此使晶体振动元件5与容器体1同时实行电连接与机械连接。

最好容器体1的盖体4通过容器体1及安装用基体6的配线导体(配线图案)而电连接于安装用基体6的下面所配置的接地端子用的外部端子10。由此，通过盖体4的接地，能够赋予屏蔽功能，所以对于来自外部的不需要的电气作用，能够对晶体振动元件5与后述的IC元件7进行良好的保护。

装载、固定有容器体1的安装用基体6，被形成为在俯视图上具有与容器体1大体相同尺寸的矩形形状，在俯视图上与容器体1相重合。在该安装用基体6上面的4个角部，分别站立设置有衬垫部件12，在这些安装用基体6上面，在由衬垫部件12所包围的中央区域，装载有IC元件7。

所述安装用基体6，是在其上面通过IC元件7及衬垫部件12而支撑容器体1的部件，由玻璃布基材环氧树脂及聚碳酸酯，环氧树脂，聚酰亚胺树脂等树脂材料以及玻璃陶瓷、氧化铝陶瓷等陶瓷材料等制成平板状而形成。

而且，在所述安装用基体6的上面站立设置的衬垫部件12，可以由铜等金属材料形成四方柱状的金属柱(金属体的一例)所形成。该衬垫部件12，其下端部与安装用基体6的配线导体6a实行电气、机械连接，在上端部，通过焊锡等导电性接合材料8与容器体1下面的接合电极2b实行电气、机械连接。

在所述衬垫部件12的上端面，为了使与容器体1的接合用的导电性接合材料的接合性良好，例如，可以覆盖规定厚度的镍镀层及金镀层。

而且，在所述安装用基体6的下面，设置有4个外部端子10(电源电压端子，接地端子，振荡输出端子，及振荡控制端子)。这些外部端子10，在将温度补偿式晶体振荡器装载于母板(未图示)等外部电气电路上时，由焊锡焊接等与外部电气电路的电路配线实行电连接。

在4个外部端子10中，最好接地端子与振荡输出端子相邻配置。由此能够有效地防止由振荡输出端子输出的振荡信号的杂波干涉。

在安装用基体6的上面的中央区域，覆盖、形成多个电极垫6b，在这些电极垫6b的形成区域，装载着IC元件7。

作为所述IC元件7，例如，可以使用在下面具有与安装用基体6的配线导体6a一一对应的多个连接垫7a的矩形的倒装片型IC等。在IC元件7的电路形成面(下面)上，设置有检测周围温度状态的感温元件(热敏电阻)，用于储存补偿晶体振动元件5的温度特性的温度补偿数据的存储器，基于温度补偿数据、对应于温度变化而对晶体振动元件5的振动特性进行修正的温度补偿电路，以及连接于该温度补偿电路、生成规定的振荡输出的振荡电路等。该振荡电路所生成的振荡输出，在向外部输出后，例如，可以作为时钟信号等基准信号而利用。

而且，所述IC元件7的大体平行配置的两个端面7b、7b，在被树脂材料13所覆盖的状态下，比相邻接的衬垫部件12间更临近外部空间。这两个端面7b、7b，在容器体1及安装用基体6的外周的稍微内侧，例如安装用基体6的外周仅1μm～500μm的内侧，沿安装用基体6的外周而配置。在这种情况下，关于与所述IC元件7的一对端面7b、7b相垂直方向X的安装用基体6的宽度尺寸，被设置为与IC元件7的一边的长度大体相等。因此，能够构成小型的温度补偿式晶体振荡器的整体结构。

在邻接的衬垫部件12-12间的安装用基体6的上面，还可以配置去除杂波用的芯片状电容器15等芯片部件(IC元件以外的电子部品元件)。在图1中，与一对端面7b、7b中的一方相邻接配置有电容器15。即使在这种情况下，也可通过将另一方端面7b在安装用基体6的外周极为接近地配置，达到温度补偿式晶体振荡器小型化的目的。

所述IC元件7，通过焊锡及金凸块等导电性接合材料9，将其下面设置的连接垫7a与上面对应的电极垫6b分别接合。由此，在安装用基体6上安装IC元件7，IC元件7内的规定电路，通过容器体1的配线导体及安装用基体6的配线导体等，与晶体振动元件5及外部端子10等实行电连接。

安装用基体6，在由玻璃布基材环氧树脂所构成的情况下，可以在由玻璃丝编织而形成的玻璃布基体材料上、含浸环氧树脂的液体状前驱体，同时将该前驱体在高温下聚合而形成基底。在该基底的表面，贴附铜箔等金属箔，由历来周知的光蚀刻等加工成规定的图案，以此形成由金属柱构成的衬垫部件12及配线导体6a。

而且，当在所述安装用基体6上、通过衬垫部件12而装载、固定容器体1时，在衬垫部件12的上面，通过焊锡等导电性部件8与容器体1下面的对应接合电极2b相接。之后，通过对导电性部件8施加热使其熔融，将衬垫部件12与接合电极2b实行电气、机械连接。由此，将容器体1安装于安装用基体6上。

在容器体1与安装用基体6之间，存在有多个为了在IC元件7中写入温度补偿数据的写入控制端子11。

所述写入控制端子11与所述衬垫部件12同样，可以由铜等金属材料形成四方柱状的金属柱(金属体的一例)所形成。这些写入控制端子11，被安装在安装用基体6的上面，从容器体1的侧面与安装用基体6的侧面之间向外部空间露出各侧面的一部分。

衬垫部件12与写入控制端子11，可以由同样的成形方法配置在安装用基体6上。例如，可以在安装用基体6上面的全部区域上形成金属膜后，通过由蚀刻等形成图案，以此使衬垫部件12与写入控制端子11能够在一个工序中一并完成。这种情况下的金属膜，可以是一层膜，也可以是多层金属层叠层(laminate)的多层结构。而且，通过在安装用基体6上选择性地生成金属膜，能够使衬垫部件12与写入控制端子11在一个工序中一并完成。进而，在金属膜是由一层膜构成的情况下，可以通过在安装用基体6的上面印刷规定图案的金属材料，形成金属膜的图案，以此将衬垫部件12与写入控制端子11一并形成。作为其它的方法，还可以在安装用基体6上面的规定位置上接合金属片，将该金属片作为衬垫部件12及写入控制端子11而使用。

衬垫部件12及写入控制端子11，没有必要形成严格的柱状，也可以是锥台形状(例如四棱台，圆锥台等)。更具体地，衬垫部件12及写入控制端子11可以是由所谓凸块形成。

写入控制端子11沿安装用基体6的边缘并排设置，通过安装用基体6的配线导体6a等与IC元件7相连接。在本实施例中，写入控制端子11的个数是设置2N个(N为自然数)，例如4个。这4个写入控制端子11沿安装用基体6的平行的2边各配置2个，对于与所述2边平行的中心线呈线对称而配置。

在组装温度补偿式晶体振荡器之后，在这些写入控制端子11上，从一侧与温度补偿数据写入装置的探针16接触，通过写入与晶体振动元件5的温度特性相对应的温度补偿数据，将温度补偿数据存储于IC元件7的存储器内。

此时，由于4个写入控制端子11沿安装用基体6的平行的2边各配置2个并且对于与所述2边平行的中心线呈线对称而配置，所以能够在安装用基体6和容器体1的两侧以取得很好平衡而施加来自探针16的力。因此，在写入时能够良好地保持安装用基体6与容器体1，同时能够有效地防止由于与探针16的接触产生的偏离应力所引起的写入控制端子11的破损，能够进行稳定的写入操作。

写入控制端子11的外侧面，为了与探针16接触而必须有充分的面积。因此，最好写入控制端子11能够具有0.2mm以上(更好为0.3mm以上)的高度(厚度)。但是，写入控制端子11的高度(厚度)应该在衬垫部件12的高度(厚度)以下。

最好写入控制端子11的上端部，通过接合部件接合于在容器体1的下面设置的虚拟接合垫(未图示)，这样，写入控制端子11与容器体1机械连接。由此，能够提高安装用基体6与容器体1的接合强度，可维持温度补偿式晶体振荡器的高可靠性。

密封IC元件7的树脂材料13，例如，由环氧树脂等所构成。该树脂材料13的外周部，形成延伸至安装用基体6的外周部的延伸部。该延伸部插入邻接的衬垫部件12-12之间的缝隙以及衬垫部件12与写入控制端子11之间的间隙(最好填充)，其一部分也由IC元件7的端面7b所覆盖。

这样，通过将树脂材料13插入邻接的衬垫部件12-12之间的缝隙以及衬垫部件12与写入控制端子11之间的间隙(最好填充)，能够增强IC元件7、写入控制端子11、衬垫部件12对于安装用基体6的安装强度。与此同时，能够由树脂材料13良好地保护IC元件7的电路形成面，能够维持温度补偿式晶体振荡器的机械强度以及高可靠性。

最好由透明材料形成树脂材料13。由此，即使是比邻接的衬垫部件12-12之间更临近外部空间的IC元件7的端面7b、也被树脂材料13所覆盖，也能够透过透明的树脂材料13直接观察到对于安装用基体6的接合部。结果是，在制品的检查等时，能够由目测等容易地确认IC元件7的接合状态，使检查具有良好的操作性。

因此，上述温度补偿式晶体振荡器，由焊锡焊接等装载于母板等外部配线基板上，由IC元件7的温度补偿电路对振荡输出进行修正的同时，通过输出与晶体振动元件5的共振频率相对应的振荡信号，可发挥温度补偿式晶体振荡器的作用。

根据以上本实施例的温度补偿式晶体振荡器，能够在金属柱上形成为了将温度补偿数据写入IC元件7的写入控制端子11，同时，该写入控制端子11的一部分从容器体1的侧面与安装用基体6的侧面之间露出。根据这样的结构，在组装温度补偿式晶体振荡器时，仅通过在安装用基体6的上面的规定位置上安装由金属柱所构成的写入控制端子11，就能够制作温度补偿式晶体振荡器。所以，不需要为了在安装用基体6的外侧形成凹部和在这样的凹部的内壁面上形成膜状的写入控制端子等烦琐的加工工序。结果是能够提高温度补偿式晶体振荡器的生产性。

而且，由于是在安装用基体6的上面安装写入控制端子11，所以不会在安装有温度补偿式晶体振荡器的母板的配线与写入控制端子11之间产生大的散杂电容。当然，在由焊锡焊接等将温度补偿式晶体振荡器装载于母板上时，不会由熔融焊锡的一部分与写入控制端子11接触而引起短路。所以，具有温度补偿式晶体振荡器的处置简便的优点。

图3是为了说明所述第一实施例中温度补偿式晶体振荡器的变形例的分解立体图。在上述实施例中，多个写入控制端子11分为两组，沿着安装用基体6的平行的两边而配置。与此相比，在图3的变形例中，多个写入控制端子11是沿着安装用基体6的一边6c配置为一列。在这种情况下，在与所述一边6c相对向的另一边6d的两端所配置的衬垫部件12-12之间有空的空间。所以，在该空间内能够配置芯片状的电容器等芯片部件。由此，能够容易地设计IC元件7的端面7b，使其极为接近安装用基体6的外周而配置，能够使温度补偿式晶体振荡器的X方向的尺寸与IC元件7有相同的程度。

图4(a)是用于说明所述第一实施例中温度补偿式晶体振荡器的另一变形例的分解立体图，图4(b)是安装用基体6的俯视图。在该变形例中，与图3的情况相同，写入控制端子11沿安装用基体6的一边6c配列，在与所述一边对向的另一边6d附近，不设置写入控制端子11。而且，在所述其它边6d的两端配置的衬垫部件12-12之间有空的空间，在安装用基体6的上面，配置芯片状电容器15等芯片部件(IC元件以外的电子部品元件)。进而，IC元件7的一对端面7b、7b中任意一个都是很接近安装用基体6的外周而配置。

该变形例的特征在于写入控制端子11的形状。该写入控制端子11与衬垫部件12同样，通过由历来周知的光蚀刻等对铜等金属材料的加工，形成三棱柱状的金属柱。而且，其一个侧面固定在安装用基体6的上面，使得从容器体1的侧面与安装用基体6的侧面之间向外部露出。

该变形例的特别重要的特征是，三棱柱状的写入控制端子11与衬垫部件12的侧面的间隙，设定得从IC元件7一侧向着安装用基体6的边缘而逐渐变窄。由此，在由树脂材料13密封IC元件7时，流体状的树脂材料13能够沿着衬垫部件12与写入控制端子11之间的间隙而良好地浸透、流入。其结果，是树脂材料13能够良好地进入(最好是填充)衬垫部件12与写入控制端子11之间的间隙，能够更有效地增强写入控制端子11及衬垫部件12等对于安装用基体6的安装强度。

在图4(a)及图4(b)所示的例中，邻接的写入控制端子11的对面的侧面与侧面之间相互平行，但也可以像如图5所示那样，邻接的写入控制端子11的对面的侧面间的距离，从安装用基体6的外方向内侧逐渐变宽，来取代上述结构。在这种情况下，在邻接的写入控制端子11的侧面之间，也能够容易且迅速地流入树脂材料13，能够以更高的生产性进行树脂材料13的填充，同时能够更有效地增强写入控制端子11对于安装用基体6的安装强度。

而且，即使写入控制端子11不是三棱柱状，也能够得到同样的效果。例如，也可以将写入控制端子11形成如图5(b)所示的大体为半圆柱状的金属柱，也可以由底面为梯形的四棱柱状而形成的金属柱构成写入控制端子11。

图6是为了说明本发明的第一实施例中温度补偿式晶体振荡器的优选制造方法的的分解立体图。图6所示的温度补偿式晶体振荡器的制造方法包括以下工序，准备在矩形基板领域31与舍代领域32相互邻接的状态下配置主基板30的工序，和在所述各基板领域31的角部安装多个衬垫部件12的同时、在同一基板领域31内邻接的衬垫部件12之间、安装一端延伸到舍代领域32的写入控制端子11的工序，和在主基板30的各基板领域31内不存在衬垫部件12及写入控制端子11的部位装载IC元件7、之后在衬垫部件12上安装收存晶体振动元件5的容器体1的工序，和通过在舍代领域32上配置的写入控制端子11的延伸部而将温度补偿数据写入IC元件7的工序，以及将主基板30沿各基板领域31的外周切断、并通过由舍代领域32对各基板领域31分离而得到写入控制端子11的切断面从安装用基体6与容器体1之间露出的多个温度补偿式晶体振荡器的工序。根据该制造方法，由于主基板30的各基板领域31中设置的写入控制端子11的一部分延伸到舍代领域32，所以温度补偿数据写入装置的探针与该延伸部接触，能够将温度补偿数据一并写入各基板领域31的IC元件7，能够使温度补偿式晶体振荡器制造工序简化。

另外，作为该制造方法的变形例，在所述主基板30的与IC元件7的安装面相反一侧的主面(主基板的下面)，在舍代领域32内，在写入控制端子11中设置有通过主基板30上形成的通孔导体而电连接的写入控制用垫，并通过从主基板30的下面使温度补偿数据写入装置的探针与控制用垫接触，能够将温度补偿数据写入IC元件7。在这种情况下，由于能够从不存在容器体1等主基板30的下面使温度补偿数据写入装置的探针与控制用垫接触，所以能够有效地防止所述探针与容器体1等接触不好的情况，使温度补偿数据的写入操作能够容易进行。

对于上述第一实施例，进而还可以进行以下变形。

例如，在上述实施例中，将衬垫部件12由金属柱所形成，但也可以使用与安装用基体6同样材质的绝缘材料，与所述安装用基体6一体形成衬垫部件12来取代上述结构。在这种情况下，可在衬垫部件12的上端面设置通过容器体1下面的接合电极2b与导电性部件8将衬垫部件12实行电气、机械连接的接合垫。而且，在衬垫部件12的侧面，最好形成用于将该接合垫与安装用基体6上的配线导体6a相电连接的配线导体。

而且，将容器体1与安装用基体6上的衬垫部件12相连接时所使用的导电性部件8，也不限于焊锡等一般的导电材料。例如，作为导电性部件8，也可以使用各向异性导电接合材料。在这种情况下，容器体1对于安装用基体6的安装操作极为简单，能够使温度补偿式晶体振荡器的组装工序进一步简化。

进而，在上述实施例中，是对在安装用基体6上面的四角部安装有4个衬垫部件12的情况为例进行的说明，但衬垫部件12的个数也不限于4个，例如，在由与安装用基体6相同的绝缘材料形成衬垫部件12的情况下，也可以由沿着安装用基体6的外周缘部形成“コ”字形的一个衬垫部件12支撑容器体1。在这种情况下，在由一个“コ”字形的衬垫部件12在安装用基体6的外周缘部形成的缝隙内，可以配置写入控制端子11。当然，也可以是由2个、3个、或5个以上的衬垫部件12支撑容器体1。

而且，在上述实施例中，是对装载、固定有容器体1的安装用基体6在俯视图上具有与容器体1大体相同尺寸的例进行的说明。但是，容器体1与安装用基体6的尺寸关系并非限定于完全相同的尺寸。具体地，可以将容器体1的长度及宽度尺寸，对于安装用基体的长度及宽度尺寸，分别设在85％～100％的范围内。

图7是本发明的第二实施例中温度补偿式晶体振荡器的分解立体图，图8是图7的温度补偿式晶体振荡器的截面图，图9是图7的温度补偿式晶体振荡器的从下方看的仰视图。在这些图中，与上述图1及图2所示的各部分相对应的部分，都用同样的符号表示。以下，对与第一实施例同样结构的部分，为了尽量地避免重复，省略一部分说明。

该实施例的温度补偿式晶体振荡器，具有内部收存晶体振动元件5的矩形容器体1与支撑该容器体1的支撑基体26。在该支撑基体26的下面，安装有IC元件7与作为多个衬垫部件的安装脚部22。容器体1的结构与第一实施例同样。

容器体1的盖体4，最好能够通过容器体1及支撑基体26的配线导体(配线图案等)26a与安装用基体6下面的接地用安装脚部22实行电连接。由此，通过盖体4的接地，能够赋予屏蔽功能，所以能够良好地保护晶体振动元件5及后述的IC元件7不受来自外部的无用电气的作用。

装载、固定有容器体1的支撑基体26，被形成为在俯视图上具有与容器体1大体相同尺寸的矩形形状，在俯视图上与容器体1相重合。沿着该支撑基体26下面的外周，安装有多个安装脚部22与多个写入控制端子11。在本实施例中，所述安装脚部22各自安装、站立支撑在设置在基体26下面外周的4个角部。在支撑基体26的一边26A附近，在邻接的一对安装脚部22(配置在边26A的两端的安装脚部)之间的缝隙内，接近并排设置有2个写入控制端子11。而且，在与边26A相对面的另一边26B附近的另外邻接的一对安装脚部22(配置在边26B的两端的安装脚部)之间，接近并排设置有另外2个写入控制端子11。在支撑基体26的下面，由4个安装脚部22与4个(2×2个)写入控制端子11所包围的中央区域，装载有IC元件7。

所述支撑基体26，是用于在其上面支撑上述容器体1、同时在其下面安装IC元件7、写入控制端子11及安装脚部22的基体。该支撑基体26，由玻璃布基材环氧树脂或聚碳酸酯、环氧树脂、聚酰亚胺树脂等树脂材料，或玻璃陶瓷、氧化铝陶瓷等陶瓷材料制成平板状而形成。

在所述支撑基体26的下面站立设置的多个安装脚部22，分别可以由铜等金属材料形成四方柱状的金属柱(金属体的一例)所形成。该安装脚部22，具有作为外部端子的作用。即，安装脚部22，在将温度补偿式晶体振荡器安装于母板(未图示)等外部配线基板上时，可以通过焊锡焊接等与外部电路的电路配线实行电连接。

4个安装脚部22，分别具有电源电压端子、接地端子、振荡输出端子、以及振荡控制端子的功能。在这些安装脚部22的下面，为了使外部配线基板与接合所使用的焊锡等有良好的接合状态，例如，以规定的厚度覆盖镍镀层及金镀层等。

最好将4个安装脚部22中的接地用安装脚部22与振荡用安装脚部22邻接配置。这样，能够有效地防止杂波对从振荡输出端子所输出的振荡信号的干扰。

IC元件7的大体平行配置的2个端面7b、7b，在由树脂材料13所覆盖的状态下，比邻接的安装脚部22之间更临近外部。这2个端面7b，在比容器体1及支撑基体26外周部的稍微靠内侧，例如，比支撑基体26外周部仅靠内侧1μm～500μm，沿支撑基体26外周部而配置。在这种情况下，对于与所述IC元件7的一对端面7b相垂直的X方向的支撑基体26的宽度尺寸，设计得与IC元件7的一边的长度大体相等。因此，能够使温度补偿式晶体振荡器的整体结构小型化。

在支撑基体26的下面的中央区域，覆盖、形成有多个电极垫26b，在这些电极垫26b的形成区域装载有IC元件7。即，在IC元件7的电路形成面上设置的连接垫7a，通过焊锡及金凸块等导电性接合材料9与电极垫26b相连接。这样，将IC元件7安装在支撑基体26的下面，由此，使IC元件7内的规定电路通过容器体1的配线图案及支撑基体26的配线图案等而与晶体振动元件5及安装脚部22等实行电连接。

所述支撑基体26，在由玻璃布基材环氧树脂构成的情况下，可以在由玻璃丝编织形成的玻璃布基体材料中含浸环氧树脂的液体状前驱体，同时将该前驱体在高温下聚合而形成。在该基底的表面，贴附铜箔等金属箔，用历来周知的光蚀刻等加工为规定的图案，而形成由金属柱构成的安装脚部22及配线导体26a。

另外，在支撑基体26的下面，安装有多个用于将温度补偿数据写入IC元件7中的写入控制端子11。

写入控制端子11，与前面所述的安装脚部22同样，由铜等金属材料成形为柱状的金属柱所形成。对于该写入控制端子11的长度尺寸，该写入控制端子11的下端比安装脚部22的下端位于上方位置且稍短。另外，各写入控制端子11被安装在支撑基体26的下面，其侧面的一部分从邻接的安装脚部22之间向外部空间露出。

安装脚部22及写入控制端子11，可以由同样的形成方法配置在支撑基体26的下面。例如，可以是在支撑基体26的下面的整个区域形成金属膜之后，通过由蚀刻形成图案，而将安装脚部22及写入控制端子11在同一工序中一并形成。这种情况下的金属膜，可以是一层膜，也可以是多层金属膜叠层(laminate)的多层膜。另外，通过在支撑基体26上选择性地生成金属膜，也能够使安装脚部22与写入控制端子11在一个工序中一并形成。进而，在金属膜是由一层膜构成的情况下，可以通过在支撑基体26的上面印刷规定图案的金属材料来形成金属膜，也能够使安装脚部22与写入控制端子11在一个工序中一并形成。作为其它的方法，还可以在支撑基体26上面的规定位置上接合金属片，将该金属片作为安装脚部22及写入控制端子11而使用。

安装脚部22及写入控制端子11，没有必要形成严格的柱状，也可以是锥台形状(例如四棱台，圆锥台等)。更具体地，安装脚部22及写入控制端子11可以是由所谓凸块形成。

写入控制端子11，沿支撑基体26的边缘而设置，通过支撑基体26的配线导体26a等而与IC元件7实行电连接。在本实施例中，写入控制端子11的个数被设置为2N个(N为自然数)，例如4个。这4个写入控制端子11沿支撑基体26的平行的2边各配置2个，对于与所述2边平行的中心线呈线对称配置。

在组装温度补偿式晶体振荡器之后，在这些写入控制端子11中，从一侧与温度补偿数据写入装置的探针16接触，通过写入与晶体振动元件5的温度特性相对应的温度补偿数据，可将温度补偿数据存储于IC元件7的存储器内。

在这种情况下，由于4个写入控制端子11沿支撑基体26的平行的2边各配置2个，并对于与所述2边平行的中心线呈线对称而配置，所以来自探针16的力能够平衡地施加在容器体1的两侧。因此，写入时能够良好地保持支撑基体26与容器体1，同时能够有效地防止由于与探针16的接触而产生的偏离应力所引起的写入控制端子11的破损。

写入控制端子11的外侧面，为了与探针16接触，必须有充分的面积。因此，最好写入控制端子11能够具有0.2mm以上(更好为0.3mm以上)的高度(厚度)。但是，写入控制端子11的高度(厚度)应该在安装脚部22的高度(厚度)以下。

根据以上本实施例的温度补偿式晶体振荡器，仅在支撑基体26的下面的规定位置上安装由金属柱所构成的写入控制端子11，就能够使写入控制端子11与其它构成元件一体化。所以，不需要为了在安装用基体6的外侧形成凹部、在这样的凹部的内壁面上形成膜状的写入控制端子等烦琐的加工工序。结果是能够提高温度补偿式晶体振荡器的生产性。

密封IC元件7的树脂材料13，具有延伸至支撑基体26的外周部的延伸部。该延伸部插入邻接的安装脚部22-22之间的缝隙以及安装脚部22-写入控制端子11之间的间隙(最好填充)，其一部分也由IC元件7的露出面7b所覆盖。另外，由于写入控制端子11形成得比安装脚部22短，所以树脂材料13也由写入控制端子11的下面所覆盖。

这样，通过将树脂材料13的外周部插入邻接的安装脚部22-22之间的缝隙或安装脚部22与写入控制端子11之间的间隙(最好填充)，能够增强IC元件7、写入控制端子11以及安装脚部22等对于支撑基体26的安装强度。与此同时，能够由树脂材料13对IC元件7的电路形成面进行良好的保护，能够维持温度补偿式晶体振荡器的机械强度以及高的可靠性。

另外，如果由透明材料形成树脂材料13，则即使是比邻接的安装脚部22之间更临近外部的IC元件7的侧面被树脂材料13所覆盖，也能够透过透明的树脂材料13直接观察到对于支撑基体26的接合部。结果是在检查制品时等，能够由目测等容易地确认IC元件7的接合状态，使检查具有良好的操作性。

而且，所述树脂材料13的外周部，延伸到写入控制端子11的安装区域，也将写入控制端子11的下面覆盖。因此，能够确保安装有温度补偿式晶体振荡器的母板等配线与写入控制端子11之间为一定以上的距离。结果是防止产生大的散杂电容。另外，由于在写入控制端子11的下端与母板的配线之间存在有树脂材料13，所以在由焊锡焊接等将温度补偿式晶体振荡器装载于母板时，能够有效地防止由于熔融焊锡的一部分与写入控制端子相接触而引起短路等所不好的情况，这样，有温度补偿式晶体振荡器的处置简便的优点。

图10是用于说明上述第二实施例的温度补偿式晶体振荡器的变形例的仰视图。在上述实施例中，将多个写入控制端子11分为两组，沿着支撑基体26的平行的两边而配置。与此相比，在图10的变形例中，将多个写入控制端子11沿着支撑基体26的一边26B而配置。在这种情况下，在与所述一边26B对向的其它边26A的两端所配置的安装脚部22-22之间有空的空间。在该空的空间内，能够配置芯片状电容器等芯片部件(IC元件以外的电子部件)。在这种情况下，由于能够更有效地利用支撑基体26下面的空的区域，所以能够使温度补偿式晶体振荡器进一步小型化。

图11是用于说明上述第二实施例的温度补偿式晶体振荡器的其它变形例的仰视图。在该变形例中，与图10的情况相同，将写入控制端子11沿着支撑基体26的一边26A配置，在与所述一边对向的另一边26B附近不设置写入控制端子11。而且，在所述边26B的两端配置的安装脚部22-22之间的空的空间内，在安装用基体6的上面，安装有芯片状电容器15等芯片部件(IC元件以外的电子部件)。

该变形例的特征在于写入控制端子11的形状。写入控制端子11，与安装脚部22同样，可以由历来的光蚀刻等将对铜金属材料进行加工，作为三棱柱的金属柱而成形。而且，其长度尺寸形成得写入控制端子11的下端比安装脚部22的上端位于上方且稍短。而且，将该写入控制端子11的侧面的各一部分安装在支撑基体26的下面，从邻接的安装脚部22之间向外部露出。

该变形例的特别重要的特征，是三棱柱状的写入控制端子11与安装脚部22的侧面之间的间隙被设定为从IC元件7一侧向支撑基体26的边缘侧而逐渐变窄。由此，在由树脂材料13密封IC元件7时，液体状的树脂材料13能够良好地浸透、流入安装脚部22与写入控制端子11之间的间隙。其结果是液体状的树脂材料13能够良好地进入(最好是填充)安装脚部22与写入控制端子11之间的间隙，能够更有效地增强写入控制端子11与安装脚部22等对于支撑基体26的安装强度。

在图11所示的例中，邻接的写入控制端子11的相对向的侧面与侧面之间相互平行，但也可以如图12(a)所示，邻接的写入控制端子11的相对向的侧面与侧面之间的距离，从支撑基体26的外方向内方逐渐变宽，以取代上述结构。在这种情况下，树脂材料13也能够容易且迅速地流入邻接的写入控制端子11的侧面之间，能够以更好的生产性进行树脂材料13的填充，同时能够更有效地增强写入控制端子11对于支撑基体26的安装强度。

另外，写入控制端子11即使不是三棱柱状，也能够得到同样的效果。例如，写入控制端子11可以是由如图12(b)所示的大体半圆状的金属柱所形成，也可以是由构成底面为梯形的四棱柱的金属柱形成写入控制端子11。

对于上述第二实施例，进而，还可以实施以下的变形例。

例如，在上述实施例中，安装脚部22全部是由金属柱所形成，但也可以取代上述形式，使用与支撑基体26相同材质的绝缘材料将安装脚部22与支撑基体26一体形成。在这种情况下，在安装脚部22下面，可形成用于将温度补偿式晶体振荡器与母板等外部配线基板相连接的膜状外部端子。而且，在安装脚部22上面及侧面上，最好形成用于将该接合垫与支撑基体26的配线导体26a相电连接的配线导体。

另外，将IC元件7、写入控制端子11及安装脚部22等安装在支撑基体26下面所使用的导电性接合材料，也不限于焊锡等一般的导电性接合材料。例如，也可以使用各向异性导电接合材料等作为导电性接合材料。在这种情况下，IC元件7或安装脚部22等对于支撑基体26的安装操作极为简单，能够进一步简化温度补偿式晶体振荡器的组装工序。

进而，在上述实施例中，对于在支撑基体26下面的4角部安装了4个安装脚部22的例子进行的说明，但安装脚部22的个数并不限于4个。例如，在使用与支撑基体26相同材质的绝缘材料而形成安装脚部22的情况下，可以由沿着安装脚部22的外周形成“コ”字形的一个安装脚部22来支撑支撑基体26。在这种情况下，在由一个“コ”字形的安装脚部22在支撑基体26的外周缘所形成的缝隙内，可以配置写入控制端子11。当然，也可以是由2个、3个、或5个以上的安装脚部22来支撑支撑基体26。

进而，对于第一及第二实施例，都能够进行以下的变形。

而且，在上述实施例中，写入控制端子的个数是2N个，具体地是4个，但也可以不是4个，写入控制端子的个数可以是2个、6个，或奇数的3、5个等。

而且，在上述实施例中，容器体1的盖体4是通过密封圈3而接合于基板2上的，但也可以取代上述结构，在基板2的上面形成接合用的金属图案之后，对于该金属图案直接焊接盖体4。

进而，在上述实施例中，是在容器体1的基板2的上面直接安装密封圈3，但也可以取代上述结构，在基板2的上面一体安装由与基板2相同材质的陶瓷材料所构成的框体，之后再在该框体上安装密封圈3。

以上，对于本发明的实施例进行了详细的说明，但这些说明只不过是为了理解本发明的技术内容而使用的具体的例子，当然不应该解释为本发明限于这些具体的例子，本发明的精神及范围仅应由本发明的保护范围所限定。

本申请与2004年6月29日向日本专利局提出的专利申请2004-190923号，2004年1月29日向日本专利局提出的专利申请2004-020786号，2004年6月29日向日本专利局提出的专利申请2004-190923号，2004年1月29日向日本专利局提出的专利申请2004-22284号，以及2004年1月29日向日本专利局提出的专利申请2004-20785号相对应，这些申请的公开内容是由在这里所引用而组合的内容。

Claims (17)

1.一种温度补偿式晶体振荡器，其特征在于，包括：

晶体振动元件，和

在内部收存所述晶体振动元件的容器体，和

基于所述晶体振动元件的振动而控制振荡输出的IC元件，和

支撑所述容器体且装载所述IC元件的基体，以及

由设置在所述基体上的金属体构成并用于将温度补偿数据写入所述IC元件的写入控制端子。

2.根据权利要求1所述的温度补偿式晶体振荡器，其特征在于：所述容器体与所述基体，在俯视图中实质上形成同一尺寸。

3.根据权利要求1所述的温度补偿式晶体振荡器，其特征在于：所述基体，在俯视图中具有大体矩形的形状，

进而包括分别配置在所述基体的四角的衬垫部件，

所述写入控制端子配置于邻接的所述衬垫部件之间。

4.根据权利要求1所述的温度补偿式晶体振荡器，其特征在于：所述容器体，通过将所述衬垫部件装载、固定于所述基体上，

所述IC元件，装载在所述基体的所述容器体一侧的上面，

所述写入控制端子，存在于所述容器体与所述基体之间，并且，该写入控制端子的一部分，从所述容器体的侧面与基体的侧面之间露出。

5.根据权利要求4所述的温度补偿式晶体振荡器，其特征在于：进而包括具有密封所述IC元件、同时延伸至所述基体的外周的延伸部的树脂材料，

所述衬垫部件，具有沿所述基体上面开口的缝隙，

该树脂材料的延伸部，插入所述衬垫部件的缝隙、以及衬垫部件与写入控制端子之间的间隙。

6.根据权利要求5所述的温度补偿式晶体振荡器，其特征在于：所述写入控制端子，在所述容器体与所述基体之间，配置于所述衬垫部件的缝隙内，

所述写入控制端子的侧面与所述衬垫部件的侧面之间的间隔，被设定为从所述基体的外方向内方逐渐扩大，

在所述衬垫部件与所述写入控制端子之间的间隙内，流入所述树脂材料的一部分。

7.根据权利要求5所述的温度补偿式晶体振荡器，其特征在于：在所述容器体与所述基体之间，在所述衬垫部件的缝隙内，配置有多个写入控制端子，

相邻接的写入控制端子侧面之间的间隔，被设定为从所述基体的外方向内方逐渐扩大，

在相邻接的写入控制端子之间的间隙内，流入所述树脂材料的一部分。

8.根据权利要求4所述的温度补偿式晶体振荡器，其特征在于：进而包括设置在所述容器体下面的接合垫，

所述写入控制端子的上端部，通过接合部件接合于所述接合垫，由此与所述容器体实行机械连接。

9.根据权利要求4所述的温度补偿式晶体振荡器，其特征在于：所述基体，在俯视图中具有大体矩形的形状，

所述衬垫部件，由分别安装在所述基体的所述容器体上面四角的4个金属体所构成。

10.根据权利要求4所述的温度补偿式晶体振荡器，其特征在于：所述基体，在俯视图中具有大体矩形的形状，

设置有2N个(N为自然数)所述写入控制端子，

这些2N个写入控制端子，沿所述基体的平行的2边各配置N个，并对于与所述2边平行的中心线呈线对称而配置。

11.根据权利要求1所述的温度补偿式晶体振荡器，其特征在于：所述容器体，被固定在所述基体的上面，

所述IC元件，被装载在所述基体的下面，

进而包括安装在所述基体下面的衬垫部件，

所述写入控制端子，在所述基体下面的外周区域中的所述衬垫部件不存在的区域，从所述衬垫部件隔开安装。

12.根据权利要求11所述的温度补偿式晶体振荡器，其特征在于：进而包括密封所述IC元件、同时在外周部具有延伸至所述基体的外周部的延伸部的树脂材料，

所述衬垫部件，具有沿所述基体下面开口的缝隙，

该树脂材料的延伸部，插入所述衬垫部件的缝隙以及所述衬垫部件与所述写入控制端子之间的间隙。

13.根据权利要求12所述的温度补偿式晶体振荡器，其特征在于：所述写入控制端子，在所述基体下面的外周区域，配置于所述衬垫部件的缝隙内，

所述写入控制端子的侧面与所述衬垫部件的侧面之间的间隔，被设定为从所述基体的外方向内方逐渐扩大，

在所述衬垫部件与所述写入控制端子之间的间隙内流入所述树脂材料的一部分。

14.根据权利要求12所述的温度补偿式晶体振荡器，其特征在于：所述写入控制端子，在所述基体下面的外周区域，配置于所述衬垫部件的缝隙内，

邻接的写入控制端子的侧面之间的间隔，被设定为从所述基体的外方向内方逐渐扩大，

在邻接的写入控制端子之间的间隙内，流入所述树脂材料的一部分。

15.根据权利要求11所述的温度补偿式晶体振荡器，其特征在于：所述写入控制端子的下端位于所述衬垫部件下端的上方，

所述写入控制端子的下端，由所述树脂材料的延伸部所覆盖。

16.根据权利要求11所述的温度补偿式晶体振荡器，其特征在于：所述基体，在俯视图中具有大体矩形的形状，

所述衬垫部件，由在所述基体下面的四角安装的4个金属体所构成。

17.根据权利要求11所述的温度补偿式晶体振荡器，其特征在于：所述基体，在俯视图中具有大体矩形的形状，

设置有2N个(N为自然数)所述写入控制端子，

这些2N个写入控制端子，沿所述基体的平行的2边各配置N个，对于与所述2边平行的中心线呈线对称而配置。

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