CN1638083A - 切削槽的测量方法 - Google Patents

Abstract

提供一种切削槽的测量方法，用来对由第1切削刀片和第2切削刀片分段切削的第1切削槽和第2切削槽进行正确测量。该测量方法用来在实施下述两种工序时对形成于晶片上的第1切削槽和第2切削槽的位置进行测量，这两种工序一是通过第1切削机构在晶片的应切削区域形成指定深度的第1切削槽的工序，二是通过第1切削机构沿着第1切削槽形成第2切削槽的工序；当测量第1切削槽的位置时，由摄像机构对形成于晶片上的第1切削槽进行摄像来测量和基准线之间的位置关系，当测量第1切削槽的位置时，在形成第1切削槽之前于晶片的周边部分由第2切削机构形成测量槽，并通过摄像机构对该测量槽进行摄像来测量和基准线之间的位置关系。

Description

切削槽的测量方法

技术领域

本发明涉及对通过切削刀片来切削的切削槽、具体来说是对利用第1切削刀片和第2切削刀片来分段切削的第1切削槽和第2切削槽的位置分别进行测量的切削槽测量方法。

背景技术

在半导体器件制造工序中，通过在作为大致圆盘形状的半导体晶片表面呈格子状排列的被称为通道的分割预制线来划分多个区域，并在该所划分的区域上形成IC、LSI等的电路。然后，通过将半导体晶片沿着通道切断，对形成电路后的区域进行分割，制造出各个半导体芯片。

有一种半导体晶片，在通道的表面部分设置称为测试元件组(Teg)的测试用金属图案。这样，存在下述问题，即若采用切削硅等半导体原材料的切削刀片，对在通道上设置了Teg的半导体晶片进行切削，则对切削刀片产生阻塞，使半导体晶片受到损伤。

为了解决上述问题，近年来一般采用下述方法，这就是使用具备2个切削部件的切削装置，通过由安装于第1切削部件上的第1切削刀片形成用来除去通道上所设置的Teg的第1切削槽，使半导体原材料曝露，此后通过安装于第2切削部件上的第2切削刀片沿着第1切削槽形成用来切断半导体原材料的第2切削槽。

另外，在未设置上述Teg等的半导体晶片中，一般也采用下述方法，即使用具备2个切削部件的切削装置，通过安装于第1切削部件上的第1切削刀片沿着半导体晶片的通道形成V字状的第1切削槽，此后通过安装于第2切削部件上的第2切削刀片沿着V字状的第1切削槽形成用来切断的第2切削槽，以此在半导体芯片的周边形成倒角。

还有，切削装置为了利用切削刀片沿着半导体晶片的通道进行正确切削，通常具备用来检测应切削区域的摄像机构，进行定位以使被该摄像机构所形成的基准线和切削刀片相一致。

然而，安装切削刀片的旋转主轴因运转而产生的热量，由此引起热膨胀。其结果是，安装于旋转主轴上的切削刀片产生位移，偏离通道的中心。为此，实施下述调整作业，即通过在运转指定时间后，定期将切削槽定位于摄像机构的正下方，测量被摄像机构所形成的基准线和切削槽之间的偏差，来检测切削刀片的位移量，对应于该切削刀片的位移量调整切削部件也就是切削刀片的位置。

在上述摄像机构的基准线和切削槽之间的偏差测量过程中，存在下面的问题。

也就是说，对于由第1切削刀片所形成的第1切削槽，由于能够通过摄像机构进行摄像，因而可以测量第1切削槽和摄像机构的基准线之间的偏差，但是因为由第2切削刀片所形成的第2切削槽是沿着第1切削槽形成的，所以不能通过摄像机构来检测第2切削槽的位置，而无法测量第2切削槽和摄像机构的基准线之间的偏差。

还有，作为对通过切削刀片所切削的切削槽和被上述摄像机构所形成的基准线之间的偏差进行测量的方法已提出下述技术，即在半导体晶片的背面粘贴切割带，当由切削刀片对半导体晶片进行切削时，越过半导体晶片对切割带进行切削，并由摄像机构对形成于该切割带上的切削槽进行摄像，以此测量切削槽和被摄像机构所形成的基准线之间的偏差。(例如，参见专利文献1。)

专利文献1    特许第3280736号公报

然而，切削刀片存在下述问题，即因为其厚度较薄且不坚硬，所以如果切削半导体晶片的那种硬质材料，则有时从表面转向弯曲到背面进行切削，并且切割带上所形成的切削槽的位置和切削刀片的位置不一致。

发明内容

本发明是鉴于上述状况而做出的，其主要技术课题在于，提供一种切削槽的测量方法，用来正确测量由第1切削刀片和第2切削刀片分段切削的第1切削槽和第2切削槽。

为了解决上述主要的技术课题，根据本发明，提供一种切削槽的测量方法，其采用切削装置，该切削装置具备：卡盘工作台，用来保持晶片；第1切削机构，具备第1切削刀片，用来对保持于该卡盘工作台上的晶片施以切削加工；第2切削机构，具备第2切削刀片，用来对通过该第1切削机构所切削的区域进一步施以切削加工；摄像机构，具备基准线，用来检测应切削的区域；

当实施下述3种工序时，测量晶片上所形成的该第1切削槽和该第2切削槽的位置，上述3种工序一是通过该摄像机构对保持于卡盘工作台上的晶片应切削区域进行检测的工序，二是通过该第1切削机构在晶片的应切削区域形成指定深度的第1切削槽的工序，三是通过该第2切削机构沿着该第1切削槽形成第2切削槽的工序，

该测量方法的特征为，

当测量该第1切削槽的位置时，通过该摄像机构对形成于晶片上的该第1切削槽进行摄像，来测量和基准线之间的位置关系，

当测量该第2切削槽的位置时，在形成该第1切削槽之前于晶片的周边部分由该第2切削机构形成测量槽，通过该摄像机构对该测量槽进行摄像来测量和基准线之间的位置关系。

发明效果

根据本发明的切削槽测量方法，由于当测量第2切削槽的位置时，在形成第1切削槽之前于晶片的周边部分由该第2切削机构形成测量槽，并通过摄像机构对该测量槽进行摄像来测量和基准线之间的位置关系，因而可以对测量槽也就是第2切削槽和基准线之间的位置关系进行正确测量。

附图说明

图1是使用根据本发明的切削槽测量方法的切削装置一个实施方式的斜视图。

图2是作为被加工物的半导体晶片的斜视图。

图3是表示经由切割带将图2所示的半导体晶片支承于切割框架上状态的斜视图。

图4是简单表示构成图1所示的切削装置的第1主轴部件和第2主轴部件的说明图。

图5是图1所示的切削装置所装备的第1摄像机构、第2摄像机构及控制机构的概略结构框图。

图6是表示第1主轴部件的第1切削刀片及第2主轴部件的第2切削刀片和第1摄像机构及第2摄像机构所形成的基准线之间关系的说明图。

图7是通过构成图1所示的切削装置的第1主轴部件的第1切削刀片来形成第1切削槽的工序说明图。

图8是通过构成图1所示的切削装置的第1主轴部件的第1切削刀片及第2主轴部件的第2切削刀片来形成第1切削槽及第2切削槽的工序说明图。

图9是表示通过第1摄像机构对由第1切削刀片所形成的第1切削槽进行摄像状态的说明图。

图10是表示在半导体晶片上形成第1切削槽、第2切削槽及测量槽状态的说明图。

图11是表示通过第2摄像机构对由第2切削刀片所形成的测量槽进行摄像状态的说明图。

具体实施方式

下面，参照附图详细说明根据本发明的切削槽测量方法的最佳实施方式。

图1表示出，使用本发明的切削槽测量方法的切削装置一个实施方式的斜视图。

图示实施方式中的切削装置具备有固定底座2。在该固定底座2的侧面设置盒子装载机构3。盒子装载机构3具备：盒子装载座32，设置于固定底座2的侧面，可以沿着按上下方向所设置的2根导轨31、31进行滑动；升降机构33，用来使盒子装载座32沿着导轨31、31按上下方向(用箭头Z表示的方向)进行移动。然后，在盒子装载座32的上面装载用来收存作为被加工物的半导体晶片的盒子4。收存到该盒子4中的半导体晶片10如图2所示，在表面10a上呈格子状形成有多个通道(street)101，并且在由该多个通道101所划分出的多个区域上形成有IC、LSI等的电路102。该半导体晶片10如图3所示，粘贴于环形切割框架11上所安装的切割(dicing)带12表面。这种经由切割带12支承于切割框架11上的半导体晶片10被收存到上述盒子4中。

回到图1接着进行说明，图示实施方式中的切削装置具备被加工物运出运入机构5，用来将装载于上述盒子装载座32上的盒子4中所收存的加工前半导体晶片10运出，并且向盒子4运入加工后的半导体晶片10。被加工物运出运入机构5包括：手柄51，用来保持半导体晶片10；手柄支承构件52，用来支承该手柄51；手柄移动机构53，用来令支承于该手柄支承构件52上的手柄51按箭头Y表示的方向进行移动。手柄51采用薄板材料形成为叉形，并且在其表面形成有吸引保持孔511，与形成于内部且未图示的通路连通，并且该吸引保持孔511经由未图示的通路连通到未图示的吸引控制机构。手柄移动机构53包括：外螺纹杆531，在固定底座2的前面按箭头Y表示的方向延长设置，并进行支承使之可以旋转；脉冲电动机532，用来令该外螺纹杆531进行旋转，并可以正转及反转；对外螺纹杆531拧上设置于上述手柄支承构件52底端部的内螺纹孔521。因而，若将脉冲电动机532向一个方向进行旋转驱动，则手柄支承构件52所支承的手柄51向箭头Y1表示的方向移动，若将脉冲电动机532向另一方向进行旋转驱动，则手柄支承构件52所支承的手柄51按向箭头Y2表示的方向移动。也就是说，手柄移动机构53在进入位置、运出位置及保存位置上进行工作，该进入位置是使手柄51进入到上述盒子装载座32上所装载的盒子4内的位置，该运出位置是下述卡盘工作台的被加工物装载区域的上方位置，该保存位置是从该运出位置进行保存的位置。

图示实施方式中的切削装置具备：卡盘工作台机构6，用来保持由上述被加工物运出运入机构5所运出的被加工物；切削机构7，用来切削该卡盘工作台机构6上所保持的被加工物；清洗机构8，用来清洗由该切削机构7所切削的被加工物；被加工物运送机构9，用来将通过上述被加工物运出运入机构5所运出的被加工物运送到卡盘工作台机构6的下述卡盘工作台上，并且将该卡盘工作台上所保持的加工后被加工物运送到清洗机构8上。

卡盘工作台机构6具备：支承台61，固定于固定底座2上；2根导轨62、62，在该支承台61上沿着箭头X表示的方向平行设置；卡盘工作台63，设置于该导轨62、62上，可以按箭头X表示的方向进行移动，用来保持被加工物。该卡盘工作台63具备：吸附盘支承台631，设置于导轨62、62上，并且可以移动；吸附盘632，安装于该吸附盘支承台631上。吸附盘632连接到未图示的负压控制机构，能够适当使负压起作用。因而，装载于吸附盘632上作为被加工物的半导体晶片通过使未图示的负压控制机构进行工作，而被吸引保持到吸附盘632上。

另外，卡盘工作台机构6还具备卡盘工作台移动机构64，用来使卡盘工作台63沿着2根导轨62、62按箭头X表示的方向进行移动。卡盘工作台移动机构64包括：外螺纹杆641，平行设置于上述2根导轨62、62之间；未图示的内螺纹块，安装于吸附盘支承台631上，并拧到外螺纹杆641上；未图示的脉冲电动机等的驱动源，用来旋转驱动外螺纹杆641。因而，通过由未图示的脉冲电动机来转动外螺纹杆641，令卡盘工作台63按箭头X表示的方向进行移动。也就是说，卡盘工作台63可以从被加工物装载区域6a移动到加工区域6b中。还有，上述卡盘工作台机构6具备未图示的旋转机构，用来旋转吸附盘632。

下面，有关上述切削机构7予以说明。

切削机构7具备门式支承台71，固定于上述固定底座2上。该门式支承台71的设置为，跨越上述切削区域6b。在支承台71的侧面设置有沿着箭头Y表示的方向平行设置的2根导轨711、711，并且在该2根导轨711、711之间平行设置有2根外螺纹杆721a、721b。沿着该导轨711、711设置第1基部73a及第2基部73b，各自可以按箭头Y表示的方向进行滑动。在第1基部73a及第2基部73b上安装有未图示的驱动内螺纹滑块，各自拧到上述外螺纹杆721a及721b上，通过由脉冲电动机722a、722b转动该驱动内螺纹滑块，而可以沿着导轨711、711按箭头Y表示的方向移动第1基部73a及第2基部73b。

在上述第1基部73a及第2基部73b上分别沿着箭头Z表示的切削进给方向设置一对导轨731a及731b，并沿着该导轨731a及731b配置第1悬挂托架74a及第2悬挂托架74b，使之分别可以按箭头Z表示的切削进给方向进行滑动。在第1基部73a及第2基部73b上分别设置未图示的外螺纹杆，用来通过脉冲电动机75a及75b等的驱动源令其转动；并且在第1支承部74a及第2支承部74b上分别安装内螺纹滑块，将其拧到上述外螺纹杆上。因而，通过由脉冲电动机75a及75b来转动未图示的外螺纹杆，可以将第1悬挂托架74a及第2悬挂托架74b，沿着导轨731a及731b向垂直于上述吸附盘632的被加工物保持面的箭头Z表示的切削进给方向进行移动。

在上述第1悬挂托架74a及第2悬挂托架74b上，安装有作为第1切削机构的第1主轴部件76a以及作为第2切削机构的第2主轴部件76b。对于该第1主轴部件76a及第2主轴部件76b，将参照简单表示的图4予以说明。第1主轴部件76a及第2主轴部件76b包括：第1主轴套761a及第2主轴套761b，分别固定于第1悬挂托架74a及第2悬挂托架74b上；第1旋转主轴762a及第2旋转主轴762b，支承于该第1主轴套761a及第2主轴套761b上，并且可以分别旋转；第1切削刀片763a及第2切削刀片763b，安装于该第1旋转主轴762a及第2旋转主轴762b的一个端部；第1伺服电动机764a及第2伺服电动机764b，用来分别对第1旋转主轴762a及第2旋转主轴762b进行旋转驱动。这样所构成的第1主轴部件76a及第2主轴部件76b被设置为，第1切削刀片763a和第2切削刀片763b相互相对。也就是说，第1主轴部件76a及第2主轴部件76b配置于一条直线上，使各自的轴心朝向箭头Y表示的分度进给方向。还有，在图示的实施方式中，上述第1切削刀片763a形成为厚度例如是40μm左右，用来除去测试用的金属图案，并且第2切削刀片763b形成为厚度例如是20μm左右，用来切断。

在这样所构成的第1主轴部件76a及第2主轴部件76b中分别设置第1摄像机构77a及第2摄像机构77b。该第1摄像机构77a固定于第1主轴套761a上，第2摄像机构77b固定于第2主轴套761b上。第1摄像机构77a及第2摄像机构77b各自如图5所示，包括：照明机构771a、771b，用来对要摄像的区域进行照明；显微镜772a、772b，用来对要摄像的区域进行放大并投影；摄像器件(CCD)773a、773b，用来输出与从该显微镜772a、772b所入射的光的强度相对应的电信号。从摄像器件(CCD)773a、773b所输出的电信号被输送到由计算机构成的控制机构78中。控制机构78根据所输入的电信号执行图像处理等指定的处理，并在显示机构79上进行显示。还有，在显微镜772a、772b上分别如图6所示，形成有基准线La、Lb，并调整该基准线La、Lb，以使上述第1切削刀片763a和第2切削刀片763b相一致。

回到图1接着进行说明，上述清洗机构8设置于将上述盒子装载台32和卡盘工作台63的被加工物装载区域6a连结起来的延长线上，由具有旋转式工作台81的众所周知的旋转式清洗·干燥机构来构成。上述被加工物运送机构9包括：吸附垫片91；垫片支承构件92，用来支承该吸附垫片91；垫片移动机构93，用来令支承于该垫片支承构件92上的吸附垫片91按箭头Y表示的方向进行移动。吸附垫片91连接到未图示的吸引机构。垫片支承构件92通过气缸921来支承吸附垫片91，并且可以按上下方向进行移动。垫片移动机构93包括：外螺纹杆931，按箭头Y表示的方向延伸设置于上述门式支承台71上，并进行支承使之可以旋转；脉冲电动机932，用来令该外螺纹杆931进行旋转，并且可以正转及反转；对外螺纹杆931拧上设置于上述垫片支承构件92底端部的内螺纹孔922。因而，若将脉冲电动机932向一个方向进行旋转驱动，则垫片支承构件92所支承的吸附垫片91向箭头Y1表示的方向移动，若将脉冲电动机932向另一方向进行旋转驱动，则垫片支承构件92所支承的吸附垫片91按向箭头Y2表示的方向移动。

下面，主要根据图1，说明上述切削装置的切削加工处理动作。

在开始切削加工之前，将收存了指定片数的加工前半导体晶片10(经由切割带12支承于切割框架11上的半导体晶片10)的盒子4装载到盒子装载台32上。然后，若接通切削加工开始开关(未图示)，则使盒子装载机构3的升降机构3进行工作，将盒子装载台32上所装载的盒子4定位到运出运入位置上。若盒子4定位到运出运入位置上，则使被加工物运出运入机构5进行工作，向箭头Y1表示的方向移动手柄51令其进入盒子4内，对装载于指定框架上的半导体晶片10进行保持。进行工作将手柄51向箭头Y2表示的方向移动，定位于作为被加工物装载区域6a上方的运出位置。在此期间，使被加工物运送机构9的垫片移动机构93进行工作，将吸附垫片91定位到被加工物装载区域6a的上方。其结果是，被定位于运出位置的手柄51上所支承的半导体晶片10定位到吸附垫片91的下侧，该吸附垫片已被定位到被加工物装载区域6a上。接着，使被加工物运送机构9的气缸921进行工作，让吸附垫片91下降到与半导体晶片10相接的位置。然后，使未图示的吸引机构进行工作，对支承半导体晶片10的切割框架11进行吸引保持。若是通过吸附垫片91对支承半导体晶片10的切割框架11进行了吸引保持，则使被加工物运出运入机构5进行工作，将手柄51向箭头Y2表示的方向进行移动，并将手柄51定位到设置有清洗机构8的保存位置上。接着，使被加工物运送机构9的气缸921进行工作，降下对支承半导体晶片10的切割框架11进行吸引保持的吸附垫片91，把半导体晶片10装载到已被定位于被加工物装载区域6a的卡盘工作台机构6的卡盘工作台63上。然后，将利用吸附垫片91支承半导体晶片10的切割框架11的吸引保持加以解除，并且使未图示的吸引控制机构进行工作，在卡盘工作台63上吸引保持半导体晶片10。还有，经由切割带12来支承半导体晶片10的切割框架11通过安装于卡盘工作台63上且未图示的框架支承机构来支承。

若是在卡盘工作台63上吸引保持住半导体晶片10，则将卡盘工作台63向箭头X的方向进行移动，并将安装有下述第1悬挂托架74a及第2悬挂托架74b的第1基部73a及第2基部73b向箭头Y的方向进行移动，把卡盘工作台63上的半导体晶片10定位到第1摄像机构77a及第2摄像机构77b的正下方，上述第1悬挂托架74a及第2悬挂托架74b安装有第1主轴部件76a及第2主轴部件76b。然后，通过第1摄像机构77a及第2摄像机构77b对半导体晶片10的表面进行摄像，分别检测半导体晶片10的表面所形成的通道101之中的至少1条，并将该分别检测出的通道101和第1切削刀片763a及第2切削刀片763b的箭头Y方向的位置对准。此时，在图示的实施方式中，第1基部73a及第2基部73b的箭头Y方向的位置根据由设置于支承台71上的1根线性刻度70得出的测量值进行精密控制。

接着，将吸引保持住半导体晶片10的卡盘工作台63移动到加工区域6b上。然后，如图7(a)所示，将第1主轴部件76a的第1切削刀片763a，定位到卡盘工作台63所吸引保持的半导体晶片10的通道上与图中最左侧通道101对应的位置上，带有指定的切削深度HI。此时，第2主轴部件76b的第2切削刀片763b被定位到半导体晶片10的图7(a)左方。接着，旋转第1切削刀片763a，同时按图7(a)中与图纸垂直的方向(图1中箭头X的方向)对卡盘工作台63进行切削进给，以此如图7(b)所示，沿着半导体晶片10的图中最左侧的通道101，形成指定深度HI的切削槽G1。借此，将形成于通道101表面的测试用金属图案除去。这样一来，若是沿着半导体晶片10的图7(b)中最左侧的通道101形成了切削槽G1，则将第1主轴部件76a的第1切削刀片763a，向图7中的右方只以相当于通道间隔的量进行分度进给，将其定位到与图7中从左数第2个通道101对应的位置上，并如上所述旋转第1切削刀片763a，对卡盘工作台63进行切削进给，以此沿着图7中从左数第2个通道101形成指定深度HI的第1切削槽G1。

如上所述，若是利用第1主轴部件76a的第1切削刀片763a，例如沿着2条通道形成了第1切削槽G1，则如图8(a)所示，将第1主轴部件76a的第1切削刀片763a，定位到与半导体晶片10的图中从左数第3个通道101对应的位置上，带有指定切削深度HI，并且将第2主轴部件76b的第2切削刀片763b，定位到与半导体晶片10的图中最左侧且形成有第1切削槽G1的通道101对应的位置上，带有达到切割带12的切削深度H2。因而，第2切削刀片763b如上所述，被定位到由第1切削刀片763a所形成的第1切削槽G1横向的中心位置上。接着，旋转第1切削刀片763a及第2切削刀片763b，同时按图8(a)中与图纸垂直的方向(图1中箭头X的方向)对卡盘工作台63进行切削进给。其结果是，如图8(b)所示，沿着半导体晶片10的图中最左侧的通道101所形成的第1切削槽G1，由第1切削槽G1的底部形成深度为H3的第2切削槽G2，并且沿着图中从左数第3个通道101形成指定深度HI的第1切削槽G1。通过反复进行上面的操作，沿着按半导体晶片10的指定方向所形成的通道101，形成第1切削槽G1及第2切削槽G2，并且半导体晶片10沿着通道101被切断。

而且，若继续进行上述切削作业，则因第1主轴部件76a的第1旋转主轴762a及第2主轴部件76b的第2旋转主轴762b进行运转产生的热而引起热膨胀。其结果是，安装于第1旋转主轴762a上的第1切削刀片763a及安装于第2旋转主轴762b上的第2切削刀片763b产生位移，偏离通道的中心。因此，需要测量第1切削刀片763a及第2切削刀片763b的位移，也就是第1切削槽G1及第2切削槽G2的位置，并修正偏差。这种测量每次例如对10条通道实施上述切削作业时都执行。下面，有关上述位移的测量方法进行说明。

首先，对于测量第1切削刀片763a的位移也就是第1切削槽G1的位置，予以说明。

为了测量第1切削刀片763a的位移，若是从切削开始或上次测量时，例如沿着10条通道101形成了第1切削槽G1，则将第10条所形成的第1切削槽G1定位到第1摄像机构77a的正下方。然后，若通过第1摄像机构77a对第1切削槽G1进行摄像，则如图5所示，根据由第1摄像机构77a所得到的摄像信号，控制机构78执行图像处理等指定的处理，并在显示机构79上显示图9所示的图像。图9所示的图像表明第1摄像机构77a的显微镜772a上所形成的基准线La和第1切削槽G1已偏离。表示出，第1旋转主轴762a产生热膨胀，安装于该第1旋转主轴762a上的第1切削刀片763a按轴向只位移了距离S1。这样一来，就可以测量第1切削刀片763a的位移。

下面，对于测量第2切削刀片763b的位移也就是第2切削槽G2的位置，予以说明。

为了检测第2切削刀片763b的位移也就是第2切削槽G2的位置，即便通过第2摄像机构77b对沿着半导体晶片10的通道101所形成的上述第2切削槽G2进行摄像，也因为第2切削槽G2如上所述是沿着第1切削槽G1形成的，而无法检测第2切削槽G2。因此，在本发明中，如下所述测量第2切削刀片763b的位移也就是第2切削槽G2的位置。

首先，如图10所示，在半导体晶片10的周边部分(未形成电路102的区域)，在形成第1切削槽G1之前由第2切削刀片763b形成测量槽G3。也就是说，将第1主轴部件76a及第2主轴部件76b向分度进给方向(图1中箭头Y的方向)移动，将第2主轴部件76b的第2切削刀片763b，定位到与未形成第1切削槽G1的通道101对应的位置上，带有指定的切削深度(可以比第1切削槽G1的深度H1浅)。然后，旋转第2切削刀片763b，并只以指定量对卡盘工作台63进行切削进给，以此在半导体晶片10的周边部分形成测量槽G3。接着，移动卡盘工作台63，将半导体晶片10的周边部分所形成的测量槽G3定位到第2摄像机构77b的正下方。然后，若通过第2摄像机构77b对测量槽G3进行摄像，则如图5所示，根据由第2摄像机构77b得到的摄像信号，控制机构78执行图像处理等指定的处理，并在显示机构79上显示图11所示的图像。图11所示的图像表明第2摄像机构77b的显微镜772b上所形成的基准线Lb和测量槽G3已偏离。表示出，第2旋转主轴762b产生热膨胀，安装于该第2旋转主轴762b上的第2切削刀片763b按轴向只位移了距离S2。这样一来，就可以测量第2切削刀片763b的位移也就是测量槽G3(即第2切削槽G2)的位置。

这样，由于当测量第2切削刀片763b的位移也就是第2切削槽G2的位置时，在半导体晶片10的周边部分(未形成电路12的区域)，于形成第1切削槽G1之前由第2切削刀片763b形成测量槽G3，并由第2摄像机构77b对该测量槽G3进行摄像来测量和基准线Lb之间的位置关系，因而可以正确测量第2切削刀片763b的位移(测量槽G3也就是第2切削槽G2和基准线Lb之间的位置关系)。也就是说，如果如上述公报中所记述的那样，通过第2摄像机构77b对由第2切削刀片763b形成于切割带12上的第2切削槽G2进行摄像，测量和基准线Lb之间的位置，来求取第2切削刀片763b的位移，则有时因第2切削刀片763b其厚度较薄且不坚硬，而若对半导体晶片那种硬质材料进行切削，则从表面转向弯曲到背面进行切削，并且形成于切割带12上的第2切削槽G2和第2切削刀片763b的位置不一致，而不能正确测量第2切削刀片763b的位移。然而，在本发明中，由于如上所述对形成于半导体晶片10周边部分表面的测量槽G3进行摄像来测量和基准线Lb之间的位置关系，因而可以正确测量第2切削刀片763b的位移。还有，由于在形成测量槽G3的半导体晶片10周边部分上未形成测试用的金属图案等，或者说即使形成也只是切削测量槽G3，因而没有对第2切削刀片763b产生堵塞使半导体晶片受到损伤的状况。

还有，上述第2切削刀片763b的位移测量在切削被加工物的过程中更换了切削刀片时，也加以实施。

如上所述，若是测量出第1切削刀片763a及第2切削刀片763b的位移，则将安装有下述第1悬挂托架74a及第2悬挂托架74b的第1基部73a及第2基部73b向图1中箭头Y的方向，分别只移动与上述偏离距离S1及S2相当的量并进行修正，上述第1悬挂托架74a及第2悬挂托架74b安装了第1主轴部件76a及第2主轴部件76b。此后，反复实施上述的切削作业、测量及修正控制。然后，若是沿着按半导体晶片10的指定方向所形成的通道101形成上述第1切削槽G1及第2切削槽G2，则使吸引保持住半导体晶片10的吸附盘63旋转90度，执行与上述相同的切削作业及测量作业，以此沿着按下述方向所形成的通道101形成上述第1切削槽G1及第2切削槽G2，上述方向与半导体晶片10上按指定方向所形成的通道101正交。这样一来，就沿着半导体晶片10上按指定方向所形成的通道101以及按与指定方向正交的方向所形成的通道101，形成上述第1切削槽G1及第2切削槽G2，借此半导体晶片10被分割成各个半导体芯片。还有，由于各个所分割的半导体芯片粘贴于切割带12上，因而不成为零乱状，仍维持半导体晶片10的样子。

如上所述，若切削作业结束，则将位于图1所示的加工区域6b的卡盘工作台63移动到被加工物装载区域6a上，并且解除半导体晶片10的吸引保持。然后，使被加工物运送机构9进行工作，利用吸附垫片91对支承半导体晶片10的切割框架11进行吸引保持，并运送到清洗机构8的旋转式工作台81上。在此期间，被加工物运出运入机构5的手柄51定位到作为被加工物装载区域6a上方的运出位置。运送到旋转式工作台81上的加工后半导体晶片10在此进行清洗及干燥。这样一来，若是对半导体晶片10进行了清洗及干燥，则使被加工物运送机构9进行工作，利用吸附垫片91对支承半导体晶片10的切割框架11进行吸引保持，将其定位到被加工物运出运入机构5的手柄51上方，该被加工物运出运入机构5的手柄51已被定位于作为被加工装载区域6a上方的运出位置。然后，降下吸附垫片91将半导体晶片10装载到手柄51上，将利用吸附垫片91支承半导体晶片10的切割框架11的吸引保持加以解除，同时在手柄51的上面对支承半导体晶片10的切割框架11进行吸引保持。接着，使加工物运出运入机构5进行工作，将手柄51上所保持的切割框架11支承的加工后半导体晶片10收存到盒子10的指定存放室中。

Claims (1)

1.一种切削槽的测量方法，

采用切削装置，该切削装置具备：卡盘工作台，用来保持晶片；第1切削机构，具备第1切削刀片，用来对保持于该卡盘工作台上的晶片施以切削加工；第2切削机构，具备第2切削刀片，用来对通过该第1切削机构所切削的区域再实施切削加工；摄像机构，具备基准线，用来检测应切削的区域；

当实施下述3种工序时，对形成于晶片上的该第1切削槽和该第2切削槽的位置进行测量，上述3种工序一是通过该摄像机构对保持于卡盘工作台上的晶片应切削区域进行检测的工序，二是通过该第1切削机构在晶片的应切削区域形成指定深度的第1切削槽的工序，三是通过该第2切削机构沿着该第1切削槽形成第2切削槽的工序，

其特征为，

当测量该第1切削槽的位置时，通过该摄像机构对形成于晶片上的该第1切削槽进行摄像，来测量和基准线之间的位置关系，

当测量该第2切削槽的位置时，在形成该第1切削槽之前，在晶片的外周边部分由该第2切削机构形成测量槽，通过该摄像机构对该测量槽进行摄像来测量和基准线之间的位置关系。

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