JPS5919351A - 半導体レ−ザヘキ開装置 - Google Patents
半導体レ−ザヘキ開装置Info
- Publication number
- JPS5919351A JPS5919351A JP57127531A JP12753182A JPS5919351A JP S5919351 A JPS5919351 A JP S5919351A JP 57127531 A JP57127531 A JP 57127531A JP 12753182 A JP12753182 A JP 12753182A JP S5919351 A JPS5919351 A JP S5919351A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor laser
- wafer
- microscope
- arrow
- cleavage
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
- H01L21/77—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate
- H01L21/78—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate with subsequent division of the substrate into plural individual devices
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、ダイヤモンドツールで半導体レーザウェーハ
上にヘキ開用の傷をつける半導体レーザヘキ開装置に関
するものである。
上にヘキ開用の傷をつける半導体レーザヘキ開装置に関
するものである。
ウェーハ上に製造された多数の半導体レーザ素子の動作
を１更用可能な状態とするためには、ウェーハ上からそ
れぞれの素子をとり出し、パッケージの中に入れる必要
がある。このウェーハから半導体レーザ素子を１個１個
とり出すだめには、ダイヤモンドツールで、ウェーハ上
の素子間の決められた位置に傷をつけ、その傷に沿って
ウェーハをヘキ開する作業が必要である。
を１更用可能な状態とするためには、ウェーハ上からそ
れぞれの素子をとり出し、パッケージの中に入れる必要
がある。このウェーハから半導体レーザ素子を１個１個
とり出すだめには、ダイヤモンドツールで、ウェーハ上
の素子間の決められた位置に傷をつけ、その傷に沿って
ウェーハをヘキ開する作業が必要である。
半４本レーザは、ウェーハからとり出す際のとのヘキ開
面を平行反応面として利用した共振によ多発光している
。一般に、半導体レーザはこのヘキ開面が数μｍの誤差
で正確な位置決めが必要とされる。
面を平行反応面として利用した共振によ多発光している
。一般に、半導体レーザはこのヘキ開面が数μｍの誤差
で正確な位置決めが必要とされる。
このように、半導体レーザヘキ開装置の精度は非常に高
精度なものが要求される。
精度なものが要求される。
第１図に今までの半導体レーザヘキ開装置の斜視図を示
す。ダイヤモンドツールを先端に取ｐ付けた軸１（以下
ダイヤモンドツールと呼ぶ）が筒２にバネ３で押されて
固定されている。このバネ３はダイヤモンドツール１の
接触圧を変化させるためネジ４によってバネ剛さを変化
できる構造となっている。ダイヤモンドツール１は矢印
５方向に回転可能な構造で、矢印６方向に移動可能な上
下方向移動台７に固定されている。このダイヤモンドツ
ール上下機構の駆動はモータ８によるネジ送シである。
す。ダイヤモンドツールを先端に取ｐ付けた軸１（以下
ダイヤモンドツールと呼ぶ）が筒２にバネ３で押されて
固定されている。このバネ３はダイヤモンドツール１の
接触圧を変化させるためネジ４によってバネ剛さを変化
できる構造となっている。ダイヤモンドツール１は矢印
５方向に回転可能な構造で、矢印６方向に移動可能な上
下方向移動台７に固定されている。このダイヤモンドツ
ール上下機構の駆動はモータ８によるネジ送シである。
本上下機構は固定架台９上のＹ方向移動台１０の上に配
置されており、ダイヤモンドツール１に矢印１１方向の
動きを与え、半導体レーザウェーハ１３上にヘキ開用の
傷をつける構造となっている。また、Ｙ方向移動台１０
の駆動はモータ１２よりネジ送シで駆動されている。半
導体レーザウェーハ１３は、真空吸着台１４上に固定さ
れており、その下部には、矢印１５方向にネジ１７で駆
動されるウェーハの初期設定時の位置決めに使用する回
転台１６が配置されている。この下部に矢印１８方向に
移動可能なＸ方向移動台１９が取り付いている。Ｘ方向
移動台１９は、手動ハンドル２０が取シ付いたネジ２１
駆動である。
置されており、ダイヤモンドツール１に矢印１１方向の
動きを与え、半導体レーザウェーハ１３上にヘキ開用の
傷をつける構造となっている。また、Ｙ方向移動台１０
の駆動はモータ１２よりネジ送シで駆動されている。半
導体レーザウェーハ１３は、真空吸着台１４上に固定さ
れており、その下部には、矢印１５方向にネジ１７で駆
動されるウェーハの初期設定時の位置決めに使用する回
転台１６が配置されている。この下部に矢印１８方向に
移動可能なＸ方向移動台１９が取り付いている。Ｘ方向
移動台１９は、手動ハンドル２０が取シ付いたネジ２１
駆動である。
とのＸ方向の移動量が半導体レーザ素子の平行ヘキ開面
の長さを決定する。また、Ｘ方向の移動量を計測する目
的で、ダイヤルゲージ２２が固定架台９上に取り付き、
測定子２４がＸ方向移動台１９と接触している。ヘキ開
の傷をつける状況を観測する為の顕微鏡２３が、半導体
ウエーノ・１３に対し矢印２５のななめ方向の向きに固
定架台９上に取り付いている。
の長さを決定する。また、Ｘ方向の移動量を計測する目
的で、ダイヤルゲージ２２が固定架台９上に取り付き、
測定子２４がＸ方向移動台１９と接触している。ヘキ開
の傷をつける状況を観測する為の顕微鏡２３が、半導体
ウエーノ・１３に対し矢印２５のななめ方向の向きに固
定架台９上に取り付いている。
しかしながら、上述した装置には、次のような欠点があ
る。
る。
（１）被観測物のウェーハ真上部に配置されているダイ
ヤモンドツール上下機構との干渉をさけるため顕微鏡が
ウェー７１に対し、ななめ方向の位置に取シ付いている
ので、正確なヘキ開位置を観測する目的で顕微鏡の倍率
を上げる時、ピントが合う部分が、視野内の一部となり
、観測不能となる。
ヤモンドツール上下機構との干渉をさけるため顕微鏡が
ウェー７１に対し、ななめ方向の位置に取シ付いている
ので、正確なヘキ開位置を観測する目的で顕微鏡の倍率
を上げる時、ピントが合う部分が、視野内の一部となり
、観測不能となる。
（２）顕微鏡は、主にヘキ開用の傷をつける様子を観測
する目的で使用されているが、本ヘキ開装置はダイヤモ
ンドツールを前後に移動させて傷をつける方式である為
、顕微鏡に対し、ダイヤモンドツールが前後に動き、視
野内に常に傷をつける状況が表われないので、常時観測
することは困難である。
する目的で使用されているが、本ヘキ開装置はダイヤモ
ンドツールを前後に移動させて傷をつける方式である為
、顕微鏡に対し、ダイヤモンドツールが前後に動き、視
野内に常に傷をつける状況が表われないので、常時観測
することは困難である。
（３）ヘキ開用の傷の位置を数μｍの精度で決める機構
がない。
がない。
以上のような理由で、本生導体レーザヘキ開装置では、
顕微鏡を高倍率とすることが困難で、さらに、ヘキ開の
傷の位置を正確に決定することができないので、半導体
レーザ素子を数μｍの高精度にヘキ開することが不可能
となっていた。
顕微鏡を高倍率とすることが困難で、さらに、ヘキ開の
傷の位置を正確に決定することができないので、半導体
レーザ素子を数μｍの高精度にヘキ開することが不可能
となっていた。
本発明は、この点に着目したもので、上述の半導体レー
ザ素子を数μｍの精度で位置決めヘキ開する傷を半導体
レーザ上に付は得る装置を提供するものである。
ザ素子を数μｍの精度で位置決めヘキ開する傷を半導体
レーザ上に付は得る装置を提供するものである。
上記の目的を達成する為に本発明では、視野内に回転可
能な基準線を取シ付け、移動台上に搭載した顕微鏡を半
導体レーザウェーハに対して上方向から出来るだけ近い
位置に配置し、半導体レーザウェーハを精密Ｘ、Ｙ移動
台の上に固定する構造とした。
能な基準線を取シ付け、移動台上に搭載した顕微鏡を半
導体レーザウェーハに対して上方向から出来るだけ近い
位置に配置し、半導体レーザウェーハを精密Ｘ、Ｙ移動
台の上に固定する構造とした。
第２図は、本発明による半導体レーザヘキ開装置の斜視
図である。
図である。
ダイヤモンド３１が、矢印３２方向に上下に動く上下機
構に取り付き同定架台３３の上に置かれている。このダ
イヤモンド上下機構はベアリング４９で支えられた支点
３４を中心にダイヤモンド３１が回転移動する構造で、
ダイヤモンド３１と反対位置に取シ付いたエアシリンダ
３５によシ駆動される。矢印３６方向に移動可能な回転
移動台３７上に配置された半導体レーザウェーハ３８は
Ｘ＃動台３９により矢印４０方向に、Ｙ移動台４１によ
シ矢印４２方向に動かされる。このＸ。
構に取り付き同定架台３３の上に置かれている。このダ
イヤモンド上下機構はベアリング４９で支えられた支点
３４を中心にダイヤモンド３１が回転移動する構造で、
ダイヤモンド３１と反対位置に取シ付いたエアシリンダ
３５によシ駆動される。矢印３６方向に移動可能な回転
移動台３７上に配置された半導体レーザウェーハ３８は
Ｘ＃動台３９により矢印４０方向に、Ｙ移動台４１によ
シ矢印４２方向に動かされる。このＸ。
Ｙ＃動台はそれぞれモータ４３，４４でネジ送シによシ
駆動されている。また、固定架台３３上には移動台４５
を下部に持った顕微鏡４６が半導体ウェーハ３８に対し
、真上の位置に取シ付いており、その接眼レンズ４７中
に細い基準線が矢印４８方向に顕微鏡４６視野内で回転
可能な状態で取シ付いている。
駆動されている。また、固定架台３３上には移動台４５
を下部に持った顕微鏡４６が半導体ウェーハ３８に対し
、真上の位置に取シ付いており、その接眼レンズ４７中
に細い基準線が矢印４８方向に顕微鏡４６視野内で回転
可能な状態で取シ付いている。
本装置による半導体レーザウェーハ上へのヘキ開用傷を
つける方法の順を以下に示す。
つける方法の順を以下に示す。
（１）ダイヤモンドツール３１とＸ移動台４１により半
導体レーザウェーハ３８上に傷をつける。
導体レーザウェーハ３８上に傷をつける。
（２）前記の傷に顕微鏡４６の視野内の基準線を移動台
４５と接眼レンズ４７の矢印４７方向の回転を用い一致
させる。
４５と接眼レンズ４７の矢印４７方向の回転を用い一致
させる。
（３）半導体レーザウェーハ３８のヘキ開位置を顕微鏡
４６の基準線にＸ移動台３９、回転移動台３７を用いて
合せる。
４６の基準線にＸ移動台３９、回転移動台３７を用いて
合せる。
（４）ダイヤモンドツール３１の上下移動と、Ｘ移動台
３９とＸ移動台４１を用い半導体レーザウェーハ３８の
ヘキ開位置に傷をつける。
３９とＸ移動台４１を用い半導体レーザウェーハ３８の
ヘキ開位置に傷をつける。
以上のような構造としたことによシ本装置では（１）顕
微鏡の倍率が１５０倍程度に高めることができ、半導体
ウェーハ上のヘキ開位置を正確に観測することができる
。
微鏡の倍率が１５０倍程度に高めることができ、半導体
ウェーハ上のヘキ開位置を正確に観測することができる
。
（２）顕微鏡の基準線により傷をつける位置を正確に得
ることができる。
ることができる。
（３１Ｘ、Ｙ移動台を半導体レーザウェーハの下に配置
することによシ、ダイヤモンドツールは上下のみの動き
となるので、ダイヤモンドツールの左右方向の剛性を高
めることができる。また、ダイヤモンドツールと顕微鏡
の相対位置が変化しないので、常にヘキ開用の傷をつけ
る状態を観測することが可能である。
することによシ、ダイヤモンドツールは上下のみの動き
となるので、ダイヤモンドツールの左右方向の剛性を高
めることができる。また、ダイヤモンドツールと顕微鏡
の相対位置が変化しないので、常にヘキ開用の傷をつけ
る状態を観測することが可能である。
以上によって、半導体レーザウェーハ上にヘキ開用の傷
を数μｍの精度でつける半専体し−ザヘキ開装置を得る
ことができた。
を数μｍの精度でつける半専体し−ザヘキ開装置を得る
ことができた。
また、高精度なヘキ開位置の位置決めが可能な本装置を
ウェーハからＬＳＩ素子の切シ出しの目的に灰用すれば
、切り出し部の寸法が少なくなることは明らかである。
ウェーハからＬＳＩ素子の切シ出しの目的に灰用すれば
、切り出し部の寸法が少なくなることは明らかである。
第１図は、従来の半纏体レーザヘキ開装置を示す斜視図
、第２図は、本発明による半導体レーザヘキ開装置を示
す斜視図である。 １．３１・・・ダイヤモンドツール、１３．３８・・・
半導体レーグウエーハ、１６．３７・・・回転移動台、
２３．４６・・・顕微鏡、１０．４１・・・Ｙ方向移動
台。 代理人 弁理士 薄田利幸 第 １ 図 菌 ｚ 図
、第２図は、本発明による半導体レーザヘキ開装置を示
す斜視図である。 １．３１・・・ダイヤモンドツール、１３．３８・・・
半導体レーグウエーハ、１６．３７・・・回転移動台、
２３．４６・・・顕微鏡、１０．４１・・・Ｙ方向移動
台。 代理人 弁理士 薄田利幸 第 １ 図 菌 ｚ 図
Claims (1)
- １、半導体レーザウェーハを搭載する回転移動台を上部
に取り付けた互いに直角方向に動く、２段に績まれた移
動台を固定架台上に配置し、半導体レーザウェーハ上に
ヘキ開用の傷をつけるダイヤモンドツールの上下機構と
、移動台を備え視野内に回転可能な基準線を持つ顕微鏡
を半導体レーザウェーハの真上の方向に位置する如く該
固定架台上に取り付け、本顕微鏡で、ヘキ開用の傷をつ
ける作業中のダイヤモンドツールを常時視野内に置き、
２段に槓まれだ移動台による半導体レーザウェーハの互
いに直角な２方向の移動とダイヤモンドツールの上下移
動により半導体レーザウェーハ上にヘキ開用の傷をつけ
ることを特徴とする半導体レーザヘキ開装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57127531A JPS5919351A (ja) | 1982-07-23 | 1982-07-23 | 半導体レ−ザヘキ開装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57127531A JPS5919351A (ja) | 1982-07-23 | 1982-07-23 | 半導体レ−ザヘキ開装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5919351A true JPS5919351A (ja) | 1984-01-31 |
Family
ID=14962319
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57127531A Pending JPS5919351A (ja) | 1982-07-23 | 1982-07-23 | 半導体レ−ザヘキ開装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5919351A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN100403507C (zh) * | 2004-01-08 | 2008-07-16 | 株式会社迪斯科 | 切削槽的测量方法 |
-
1982
- 1982-07-23 JP JP57127531A patent/JPS5919351A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN100403507C (zh) * | 2004-01-08 | 2008-07-16 | 株式会社迪斯科 | 切削槽的测量方法 |
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