JPH05134753A - 位置決め装置 - Google Patents
位置決め装置Info
- Publication number
- JPH05134753A JPH05134753A JP29912991A JP29912991A JPH05134753A JP H05134753 A JPH05134753 A JP H05134753A JP 29912991 A JP29912991 A JP 29912991A JP 29912991 A JP29912991 A JP 29912991A JP H05134753 A JPH05134753 A JP H05134753A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wafer
- positioning
- length measuring
- measuring device
- axis
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Control Of Position Or Direction (AREA)
- Length Measuring Devices With Unspecified Measuring Means (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 ウェハ位置決め装置等において、その可動部
の移動による重心位置変化に伴う変形や、温度及び湿度
等による変形の影響を受けないで、ウェハ等の位置を高
精度で測長できる構成を有する。 【構成】 位置決め装置は、ウェハ等の被位置決め物体
の位置決めを行うものであり、被位置決め物体に関する
領域を位置決めするための第１の測長器と、被位置決め
物体に関する前記領域以外の領域を位置決めするための
第２の測長器を備える。第１の測長器はレーザ測長器で
あり、被位置決め物体を保持する保持装置の側面を利用
して対応する測長用ミラーを有する。第２の測長器は、
例えばリニアスケールや他のレーザ測長器が用いられ
る。
の移動による重心位置変化に伴う変形や、温度及び湿度
等による変形の影響を受けないで、ウェハ等の位置を高
精度で測長できる構成を有する。 【構成】 位置決め装置は、ウェハ等の被位置決め物体
の位置決めを行うものであり、被位置決め物体に関する
領域を位置決めするための第１の測長器と、被位置決め
物体に関する前記領域以外の領域を位置決めするための
第２の測長器を備える。第１の測長器はレーザ測長器で
あり、被位置決め物体を保持する保持装置の側面を利用
して対応する測長用ミラーを有する。第２の測長器は、
例えばリニアスケールや他のレーザ測長器が用いられ
る。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は位置決め装置に関し、特
に、半導体集積回路の製造に使用される半導体装置、例
えば縮小投影露光装置や電子線描画装置等の試料台にお
いて利用されるものであり、高精度な位置決めに適した
構造を有する位置決め装置に関するものである。
に、半導体集積回路の製造に使用される半導体装置、例
えば縮小投影露光装置や電子線描画装置等の試料台にお
いて利用されるものであり、高精度な位置決めに適した
構造を有する位置決め装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】近年、半導体集積回路の高集積化に伴
い、半導体製造装置の性能向上が要求される。特に縮小
投影露光装置は、半導体集積回路の原画であるレティク
ルとウェハの相対位置を高精度で計測する必要があるた
め、ウェハ位置決め装置の精度向上が重要なっている。
現在のウェハ位置決め装置は、位置決めの駆動装置とし
て、粗動と微動の２系統を有し、最終的な位置決めを微
動により調整している。またウェハ位置決めのための位
置計測には、レーザ測長器を使用している。位置計測に
は１系統のレーザ測長装置を設けているだけであるた
め、高精度の測長を要求されないその他の測長の場合に
も、レーザ測長器を使用する。
い、半導体製造装置の性能向上が要求される。特に縮小
投影露光装置は、半導体集積回路の原画であるレティク
ルとウェハの相対位置を高精度で計測する必要があるた
め、ウェハ位置決め装置の精度向上が重要なっている。
現在のウェハ位置決め装置は、位置決めの駆動装置とし
て、粗動と微動の２系統を有し、最終的な位置決めを微
動により調整している。またウェハ位置決めのための位
置計測には、レーザ測長器を使用している。位置計測に
は１系統のレーザ測長装置を設けているだけであるた
め、高精度の測長を要求されないその他の測長の場合に
も、レーザ測長器を使用する。
【０００３】以下に、図５と図６を参照して、従来の典
型的なウェハ位置決め装置を具体的に説明する。図５は
ウェハ位置決め装置の平面図、図６は正面図である。縮
小投影露光装置等に使用されるウェハ位置決め装置は、
ウェハを保持し且つ要求される位置にウェハを移動させ
る試料台１と、試料台１の位置を計測することによりこ
の試料台にセットされたウェハの位置を計測するレーザ
測長系とを含む。試料台１の上には微動機構２が配置さ
れ、微動機構２の上にはトップテーブル３が配置され
る。トップテーブル３の上には、真空吸着作用によりウ
ェハ４を保持するウェハチャック５と、レーザ光を反射
するＸ平面ミラー６及びＹ平面ミラー７と、半導体集積
回路の原画であるレティクルとの相対位置を計測する相
対位置センサやレティクルのパターンをウェハ上で縮小
するための縮小レンズを透過した照明光の光量分布を測
定する照度センサ等を含むセンサ８が、所定の位置関係
にて配置される。また微動機構２には、Ｘ軸方向の微小
移動とＺ軸回りの微小回転移動を行うＸ軸圧電素子と、
Ｙ軸方向の微小移動を行うＹ軸圧電素子と、Ｚ軸方向の
微小移動とＸ軸及びＹ軸回りの微小回転移動を行う３本
のＺ軸圧電素子が設けられる。試料台１の下部に移動機
構が設けられる。試料台１は、Ｘ方向に移動できるよう
にＸテーブル９の上に配置される。Ｘテーブル９には、
Ｘ方向用モータ１０の回転変位をＸ軸方向の直線変位に
変換するＸ送りねじ１１と、試料台１のＸ軸方向移動を
案内するＸ軸ヨーイングガイド１２及び２本のＸ軸ピッ
チングガイド１３を備える。更に基台１４には、Ｙ方向
用モータ１５の回転変位をＹ軸方向の直線変位に変換す
るＹ送りねじ１６と、Ｙ軸方向移動を案内するＹ軸ヨー
イングガイド１７及び２本のＹ軸ピッチングガイド１８
が設けられる。その他に、Ｘテーブル９の上には試料台
１と共に移動するＺ方向のレベリング機構が配置され
る。
型的なウェハ位置決め装置を具体的に説明する。図５は
ウェハ位置決め装置の平面図、図６は正面図である。縮
小投影露光装置等に使用されるウェハ位置決め装置は、
ウェハを保持し且つ要求される位置にウェハを移動させ
る試料台１と、試料台１の位置を計測することによりこ
の試料台にセットされたウェハの位置を計測するレーザ
測長系とを含む。試料台１の上には微動機構２が配置さ
れ、微動機構２の上にはトップテーブル３が配置され
る。トップテーブル３の上には、真空吸着作用によりウ
ェハ４を保持するウェハチャック５と、レーザ光を反射
するＸ平面ミラー６及びＹ平面ミラー７と、半導体集積
回路の原画であるレティクルとの相対位置を計測する相
対位置センサやレティクルのパターンをウェハ上で縮小
するための縮小レンズを透過した照明光の光量分布を測
定する照度センサ等を含むセンサ８が、所定の位置関係
にて配置される。また微動機構２には、Ｘ軸方向の微小
移動とＺ軸回りの微小回転移動を行うＸ軸圧電素子と、
Ｙ軸方向の微小移動を行うＹ軸圧電素子と、Ｚ軸方向の
微小移動とＸ軸及びＹ軸回りの微小回転移動を行う３本
のＺ軸圧電素子が設けられる。試料台１の下部に移動機
構が設けられる。試料台１は、Ｘ方向に移動できるよう
にＸテーブル９の上に配置される。Ｘテーブル９には、
Ｘ方向用モータ１０の回転変位をＸ軸方向の直線変位に
変換するＸ送りねじ１１と、試料台１のＸ軸方向移動を
案内するＸ軸ヨーイングガイド１２及び２本のＸ軸ピッ
チングガイド１３を備える。更に基台１４には、Ｙ方向
用モータ１５の回転変位をＹ軸方向の直線変位に変換す
るＹ送りねじ１６と、Ｙ軸方向移動を案内するＹ軸ヨー
イングガイド１７及び２本のＹ軸ピッチングガイド１８
が設けられる。その他に、Ｘテーブル９の上には試料台
１と共に移動するＺ方向のレベリング機構が配置され
る。
【０００４】またレーザ測長系は、Ｘ軸レーザ測長器１
９とＹ軸レーザ測長器２０から構成される。Ｘ軸レーザ
測長器１９はＸ平面ミラー６に対向し、Ｙ軸レーザ測長
器２０はＹ平面ミラー７に対向する。レーザ測長系で
は、各平面ミラーの位置を測長してトップテーブル３の
位置を求め、その後各平面ミラー６，７とウェハチャッ
ク５の間の所定の距離に基づいてウェハ４の位置を最終
的に求める。
９とＹ軸レーザ測長器２０から構成される。Ｘ軸レーザ
測長器１９はＸ平面ミラー６に対向し、Ｙ軸レーザ測長
器２０はＹ平面ミラー７に対向する。レーザ測長系で
は、各平面ミラーの位置を測長してトップテーブル３の
位置を求め、その後各平面ミラー６，７とウェハチャッ
ク５の間の所定の距離に基づいてウェハ４の位置を最終
的に求める。
【０００５】上記の如く試料台１の周辺部は複雑な構成
を有し、微動機構２の各圧電素子やＸテーブル９等の配
置位置が、理想とする配置位置と必ずしも一致しない。
そのため、微動機構２の各圧電素子やＸ，Ｙ，Ｚの各モ
ータの作動によって可動部が移動したとき、可動部全体
の重心位置が変化したり、又は可動部が部分的に変形し
たりする。その結果、可動部の最上部に位置するトップ
テーブル３が変形する。トップテーブル３が変形する
と、測長の基準位置である各平面ミラー６，７とウェハ
チャック５との距離が微小変化し、ウェハ４の位置を高
精度に計測することが困難となる。
を有し、微動機構２の各圧電素子やＸテーブル９等の配
置位置が、理想とする配置位置と必ずしも一致しない。
そのため、微動機構２の各圧電素子やＸ，Ｙ，Ｚの各モ
ータの作動によって可動部が移動したとき、可動部全体
の重心位置が変化したり、又は可動部が部分的に変形し
たりする。その結果、可動部の最上部に位置するトップ
テーブル３が変形する。トップテーブル３が変形する
と、測長の基準位置である各平面ミラー６，７とウェハ
チャック５との距離が微小変化し、ウェハ４の位置を高
精度に計測することが困難となる。
【０００６】上記の問題を解決するため、従来、トップ
テーブル３の厚みを厚くし、剛体性を高める方法が合っ
た。この解決策では、装置全体が大型化し、振動の問題
を誘発する。また他の解決策として、トップテーブルと
下部の可動部との間に弾性ヒンジ等を介設することによ
り、可動部の変形をトップテーブルに伝えないように構
成することも考えられている。しかし、この解決策で
は、温度や湿度の変化によりトップテーブル自体が伸縮
変形するのを防ぐことができない。このような問題は、
ウェハの大型化に伴い、トップテーブル３の寸法が大き
くなり、各平面ミラー６，７とウェハチャック５の間の
距離が増すので、特に大きな問題となってくる。
テーブル３の厚みを厚くし、剛体性を高める方法が合っ
た。この解決策では、装置全体が大型化し、振動の問題
を誘発する。また他の解決策として、トップテーブルと
下部の可動部との間に弾性ヒンジ等を介設することによ
り、可動部の変形をトップテーブルに伝えないように構
成することも考えられている。しかし、この解決策で
は、温度や湿度の変化によりトップテーブル自体が伸縮
変形するのを防ぐことができない。このような問題は、
ウェハの大型化に伴い、トップテーブル３の寸法が大き
くなり、各平面ミラー６，７とウェハチャック５の間の
距離が増すので、特に大きな問題となってくる。
【０００７】なお、その他の関連技術としては、特開昭
６１−４２９３０号及び実願昭６２−３５９８９号等を
挙げることができる。
６１−４２９３０号及び実願昭６２−３５９８９号等を
挙げることができる。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】前述の如く、ウェハ４
及びウェハチャック５の大型化、トップテーブル３の大
型化に伴って、温度や湿度が原因でトップテーブル３の
変形し、ウェハの高精度位置計測の信頼性が低下するこ
とが顕著になるおそれがある。そこで、ウェハ及びウェ
ハチャックの大型化、トップテーブルの大型化の場合に
も、ウェハの高精度位置計測を可能とする測定系が要求
される。
及びウェハチャック５の大型化、トップテーブル３の大
型化に伴って、温度や湿度が原因でトップテーブル３の
変形し、ウェハの高精度位置計測の信頼性が低下するこ
とが顕著になるおそれがある。そこで、ウェハ及びウェ
ハチャックの大型化、トップテーブルの大型化の場合に
も、ウェハの高精度位置計測を可能とする測定系が要求
される。
【０００９】本発明の目的は、ウェハ位置決め装置等の
可動部の移動による重心位置変化に伴う変形や、温度及
び湿度等による変形の影響を受けないで、ウェハ等の位
置を高精度で測長できる構成を有した位置決め装置を提
供することにある。
可動部の移動による重心位置変化に伴う変形や、温度及
び湿度等による変形の影響を受けないで、ウェハ等の位
置を高精度で測長できる構成を有した位置決め装置を提
供することにある。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明に係る位置決め装
置は、ウェハ等の被位置決め物体の位置決めを行う位置
決め装置であり、被位置決め物体に関する領域を位置決
めするための第１の測長器と、被位置決め物体に関する
前記領域以外の領域を位置決めするための第２の測長器
を備えるように構成される。
置は、ウェハ等の被位置決め物体の位置決めを行う位置
決め装置であり、被位置決め物体に関する領域を位置決
めするための第１の測長器と、被位置決め物体に関する
前記領域以外の領域を位置決めするための第２の測長器
を備えるように構成される。
【００１１】前記の構成において、好ましくは、第１の
測長器はレーザ測長器であり、被位置決め物体を保持す
る保持装置の側面を利用して対応するレーザ測長用ミラ
ーが配置される。
測長器はレーザ測長器であり、被位置決め物体を保持す
る保持装置の側面を利用して対応するレーザ測長用ミラ
ーが配置される。
【００１２】前記の構成において、好ましくは、第２の
測長器はリニアスケールである。
測長器はリニアスケールである。
【００１３】前記の構成において、第２の測長器は、被
位置決め物体を保持する保持装置を支持する支持装置の
側面を平面ミラーとして利用する他のレーザ測長器であ
る。
位置決め物体を保持する保持装置を支持する支持装置の
側面を平面ミラーとして利用する他のレーザ測長器であ
る。
【００１４】
【作用】本発明による位置決め装置では、被位置決め物
体を搭載するチャック部材の側面に直接に被位置決め物
体の位置計測を行う第１測長器の測長用ミラーを設ける
ことにより、位置決め装置の重心位置変化や、トップテ
ーブルの変化、更に温度、湿度の変化に伴う試料台の変
形の影響を受けることなく、高精度な被位置決め物体の
位置計測が可能になり、被位置決め物体が大型化して
も、被位置決め物体を高精度で位置決めすることができ
る。また精度が要求されない他の測長には、第２の測長
を利用して測長を行う。
体を搭載するチャック部材の側面に直接に被位置決め物
体の位置計測を行う第１測長器の測長用ミラーを設ける
ことにより、位置決め装置の重心位置変化や、トップテ
ーブルの変化、更に温度、湿度の変化に伴う試料台の変
形の影響を受けることなく、高精度な被位置決め物体の
位置計測が可能になり、被位置決め物体が大型化して
も、被位置決め物体を高精度で位置決めすることができ
る。また精度が要求されない他の測長には、第２の測長
を利用して測長を行う。
【００１５】
【実施例】以下に、本発明の実施例を添付図面に基づい
て説明する。図１及び図２は本発明に係る位置決め装置
の第１実施例を示し、図１は平面図、図２は正面図であ
る。この位置決め装置は、ウェハ位置決め装置である。
図１及び図２において、ウェハ位置決め装置の基本的構
成は、図５及び図６で説明したウェハ位置決め装置と同
じである。ここで、構成の概略を再度説明する。試料台
１の上には、Ｘ，Ｙ，θの各方向の移動機構及びレベリ
ング機構を構えた微動機構２が配置され、微動機構２の
上にはトップテーブル３が配置される。トップテーブル
３の上には、ウェハ４を保持するウェハチャック５と各
種のセンシングを行うセンサ８が配置される。試料台１
はＸテーブル９の上に配置される。Ｘテーブル９には、
Ｘ方向用モータ１０及びＸ送りねじ１１と、Ｘ軸ヨーイ
ングガイド１２及び２本のＸ軸ピッチングガイド１３を
備える。更に基台１４には、Ｙ方向用モータ１５及びＹ
送りねじ１６と、Ｙ軸ヨーイングガイド１７及び２本の
Ｙ軸ピッチングガイド１８が設けられる。レーザ測長系
として、更に、Ｘ軸レーザ測長器１９とＹ軸レーザ測長
器２０が配置される。
て説明する。図１及び図２は本発明に係る位置決め装置
の第１実施例を示し、図１は平面図、図２は正面図であ
る。この位置決め装置は、ウェハ位置決め装置である。
図１及び図２において、ウェハ位置決め装置の基本的構
成は、図５及び図６で説明したウェハ位置決め装置と同
じである。ここで、構成の概略を再度説明する。試料台
１の上には、Ｘ，Ｙ，θの各方向の移動機構及びレベリ
ング機構を構えた微動機構２が配置され、微動機構２の
上にはトップテーブル３が配置される。トップテーブル
３の上には、ウェハ４を保持するウェハチャック５と各
種のセンシングを行うセンサ８が配置される。試料台１
はＸテーブル９の上に配置される。Ｘテーブル９には、
Ｘ方向用モータ１０及びＸ送りねじ１１と、Ｘ軸ヨーイ
ングガイド１２及び２本のＸ軸ピッチングガイド１３を
備える。更に基台１４には、Ｙ方向用モータ１５及びＹ
送りねじ１６と、Ｙ軸ヨーイングガイド１７及び２本の
Ｙ軸ピッチングガイド１８が設けられる。レーザ測長系
として、更に、Ｘ軸レーザ測長器１９とＹ軸レーザ測長
器２０が配置される。
【００１６】上記の構成において、ウェハチャック５の
平面形状は、図１に示す如く、例えば正方形の形状を有
する。このウェハチャック５の形状によって、Ｘ軸レー
ザ測長器１９に対向する面５ＡとＹ軸レーザ測長器２０
に対向する面５Ｂが形成され、これらの面５Ａ，５Ｂに
はそれぞれ平面ミラーが設けられる。この平面ミラー
は、例えば面５Ａ，５Ｂに直接に加工される。従って、
Ｘ軸レーザ測長器１９から与えられるレーザ光２３は平
面ミラー５Ａで反射され、Ｙ軸レーザ測長器２０から与
えられるレーザ光２４は平面ミラー５Ｂで反射される。
平面ミラー５Ａ，５Ｂを作るに当たって、例えば、各面
にカニゼンメッキを施し、その面を鏡面加工することに
より平面ミラーを形成する。
平面形状は、図１に示す如く、例えば正方形の形状を有
する。このウェハチャック５の形状によって、Ｘ軸レー
ザ測長器１９に対向する面５ＡとＹ軸レーザ測長器２０
に対向する面５Ｂが形成され、これらの面５Ａ，５Ｂに
はそれぞれ平面ミラーが設けられる。この平面ミラー
は、例えば面５Ａ，５Ｂに直接に加工される。従って、
Ｘ軸レーザ測長器１９から与えられるレーザ光２３は平
面ミラー５Ａで反射され、Ｙ軸レーザ測長器２０から与
えられるレーザ光２４は平面ミラー５Ｂで反射される。
平面ミラー５Ａ，５Ｂを作るに当たって、例えば、各面
にカニゼンメッキを施し、その面を鏡面加工することに
より平面ミラーを形成する。
【００１７】上記構成に加えて、本装置にはＸリニアス
ケール２１とＹリニアスケール２２が設けられる。
ケール２１とＹリニアスケール２２が設けられる。
【００１８】本装置では、Ｘ軸レーザ測長器１９及びＹ
軸レ−ザ測長器２０と、Ｘリニアスケール２１及びＹリ
ニアスケール２２とにより、位置計測が行われる。Ｘリ
ニアスケール２１とＹリニアスケール２２は、主に試料
台１の位置計測を行い、試料台１に搭載されているセン
サ８等の出力を得る動作、及びウェハ４を搬入・搬出の
位置に移動する動作など、ウェハ領域以外の比較的に高
精度な位置計測や位置決めを必要としない移動時の位置
計測を行う。またＸ軸レーザ測長器１９とＹ軸レーザ測
長器２０は、前述の如くウェハチャック５の側面の平面
ミラー５Ａ，５Ｂを利用して高精度な位置計測や位置決
めを必要とするウェハ領域内で位置計測を行う。こうし
て、Ｘ軸レーザ測長器１９とＹ軸レーザ測長器２０のレ
ーザ光を反射させる平面ミラーをウェハチャック５の側
面に直接加工することにより、その取付部品による余分
なスペースを排除する。従って、ウェハ領域内の各位置
と平面ミラーの距離が最小となる。以上のように、ウェ
ハ４の位置決めについては、ウェハ４に最も近い箇所で
あるウェハチャック５の側面に平面ミラーを設けること
によって位置計測を行うようにしたため、トップテーブ
ル３が位置計測に介在しない。このため、トップテーブ
ル３が大型になったとしても、ウェハの位置決めには何
の影響も与えず、極めて精度の高い位置決めを行うこと
ができる。
軸レ−ザ測長器２０と、Ｘリニアスケール２１及びＹリ
ニアスケール２２とにより、位置計測が行われる。Ｘリ
ニアスケール２１とＹリニアスケール２２は、主に試料
台１の位置計測を行い、試料台１に搭載されているセン
サ８等の出力を得る動作、及びウェハ４を搬入・搬出の
位置に移動する動作など、ウェハ領域以外の比較的に高
精度な位置計測や位置決めを必要としない移動時の位置
計測を行う。またＸ軸レーザ測長器１９とＹ軸レーザ測
長器２０は、前述の如くウェハチャック５の側面の平面
ミラー５Ａ，５Ｂを利用して高精度な位置計測や位置決
めを必要とするウェハ領域内で位置計測を行う。こうし
て、Ｘ軸レーザ測長器１９とＹ軸レーザ測長器２０のレ
ーザ光を反射させる平面ミラーをウェハチャック５の側
面に直接加工することにより、その取付部品による余分
なスペースを排除する。従って、ウェハ領域内の各位置
と平面ミラーの距離が最小となる。以上のように、ウェ
ハ４の位置決めについては、ウェハ４に最も近い箇所で
あるウェハチャック５の側面に平面ミラーを設けること
によって位置計測を行うようにしたため、トップテーブ
ル３が位置計測に介在しない。このため、トップテーブ
ル３が大型になったとしても、ウェハの位置決めには何
の影響も与えず、極めて精度の高い位置決めを行うこと
ができる。
【００１９】次に図３及び図４を参照して他の実施例に
ついて説明する。図３はウェハ位置決め装置の平面図、
図４は正面図である。図３及び図４において、図１及び
図２で説明した要素と同一の要素には、同一の符号を付
す。図３及び図４において、このウェハ位置決め装置で
は、Ｘ軸レーザ測長器１９及びＹ軸レーザ測長器２０の
各台座２５に段差を設けて、台座２５のそれぞれにて、
高い段にＸ軸レーザ測長器１９及びＹ軸レーザ測長器２
０を配置して、低い段には試料台用Ｘ軸レーザ測長器２
６と試料台用Ｙ軸レーザ測長器２７が配置される。一
方、試料台１の各試料台用レーザ測長器２６，２７に対
向する面には、平面ミラー１Ａ，１Ｂを設ける。かかる
構成によって、試料台用Ｘ軸レーザ測長器２６からのレ
ーザ光２８が平面ミラー１Ａによって反射され、試料台
用Ｙ軸レーザ測長器２７からのレーザ光が平面ミラー１
Ｂによって反射されるように構成される。台座２５に
は、各試料台用レーザ測長器２６，２７から出射される
レーザ光が透過できるように孔３０が形成される。
ついて説明する。図３はウェハ位置決め装置の平面図、
図４は正面図である。図３及び図４において、図１及び
図２で説明した要素と同一の要素には、同一の符号を付
す。図３及び図４において、このウェハ位置決め装置で
は、Ｘ軸レーザ測長器１９及びＹ軸レーザ測長器２０の
各台座２５に段差を設けて、台座２５のそれぞれにて、
高い段にＸ軸レーザ測長器１９及びＹ軸レーザ測長器２
０を配置して、低い段には試料台用Ｘ軸レーザ測長器２
６と試料台用Ｙ軸レーザ測長器２７が配置される。一
方、試料台１の各試料台用レーザ測長器２６，２７に対
向する面には、平面ミラー１Ａ，１Ｂを設ける。かかる
構成によって、試料台用Ｘ軸レーザ測長器２６からのレ
ーザ光２８が平面ミラー１Ａによって反射され、試料台
用Ｙ軸レーザ測長器２７からのレーザ光が平面ミラー１
Ｂによって反射されるように構成される。台座２５に
は、各試料台用レーザ測長器２６，２７から出射される
レーザ光が透過できるように孔３０が形成される。
【００２０】上記構成において、位置計測は、高精度な
計測・位置決めを必要とするウェハ領域内では、Ｘ軸レ
ーザ測長器１９とＹ軸レーザ測長器２０によって行い、
前記実施例と同様にウェハチャック５の側面の平面ミラ
ー１Ａ，１Ｂの位置を計測する。ウェハ領域以外の位置
計測では、別の試料台用Ｘ軸レーザ測長器２６と試料台
用Ｙ軸レーザ測長器２７と、レーザ光を反射させる平面
ミラー５Ａ，５Ｂを備えた試料台５とによって位置計測
を行う。この第２の実施例によれば、試料台５の微小変
形の影響を受けることなく直接ウェハ４の位置計測がで
きるので、高精度の位置決めが可能となる。
計測・位置決めを必要とするウェハ領域内では、Ｘ軸レ
ーザ測長器１９とＹ軸レーザ測長器２０によって行い、
前記実施例と同様にウェハチャック５の側面の平面ミラ
ー１Ａ，１Ｂの位置を計測する。ウェハ領域以外の位置
計測では、別の試料台用Ｘ軸レーザ測長器２６と試料台
用Ｙ軸レーザ測長器２７と、レーザ光を反射させる平面
ミラー５Ａ，５Ｂを備えた試料台５とによって位置計測
を行う。この第２の実施例によれば、試料台５の微小変
形の影響を受けることなく直接ウェハ４の位置計測がで
きるので、高精度の位置決めが可能となる。
【００２１】なお、前記の実施例において、レーザ測長
器２６，２７の配置位置の高さを高くして、ウェハチャ
ック５の平面ミラー５Ａ，５Ｂを利用してレーザ光を反
射できるように構成することもできる。かかる構成によ
れば、例えばウェハチャック５の平面ミラー５Ａにレー
ザ測長器１９，２６からのレーザ光を照射し、その反射
光を測定することにより、２つの測定に基づき、ウェハ
チャック５の微小な回転を計測することができる。上記
と同様な計測を、平面ミラー５Ａ，５Ｂの２つの平面ミ
ラーに対して行うことにより、ウェハチャック５の微小
傾斜を計測することができる。
器２６，２７の配置位置の高さを高くして、ウェハチャ
ック５の平面ミラー５Ａ，５Ｂを利用してレーザ光を反
射できるように構成することもできる。かかる構成によ
れば、例えばウェハチャック５の平面ミラー５Ａにレー
ザ測長器１９，２６からのレーザ光を照射し、その反射
光を測定することにより、２つの測定に基づき、ウェハ
チャック５の微小な回転を計測することができる。上記
と同様な計測を、平面ミラー５Ａ，５Ｂの２つの平面ミ
ラーに対して行うことにより、ウェハチャック５の微小
傾斜を計測することができる。
【００２２】前記実施例では、ウェハ位置決め装置につ
いて説明したが、ウェハ以外の他のものでも同様に適用
することができる。
いて説明したが、ウェハ以外の他のものでも同様に適用
することができる。
【００２３】前記の位置決め装置は、例えば半導体製造
装置に適用される。また前記位置決め装置の２系統の測
長系は、被加工物の加工領域と加工領域以外の領域の２
つの領域を有する工作機械にも適用することができる。
装置に適用される。また前記位置決め装置の２系統の測
長系は、被加工物の加工領域と加工領域以外の領域の２
つの領域を有する工作機械にも適用することができる。
【００２４】なお２系統の測長系を有する位置決め装置
の構成において、測長系を切り替える場合において、原
点リセットを行う構成を設けることが望ましい。
の構成において、測長系を切り替える場合において、原
点リセットを行う構成を設けることが望ましい。
【００２５】
【発明の効果】以上の説明で明らかなように本発明によ
れば、次の効果を奏する。 １．ウェハの位置を、トップテーブルを介在させること
なく、直接に計測することが可能なので、高精度な位置
決めが可能となる。 ２．ウェハチャックの側面又は試料台の側面を、測長用
平面ミラーとすることにより試料台の小形化が可能とな
り、位置決め装置を小形化することができる。更に半導
体製造装置を小形化できる。 ３．以上の効果により軽量化を達成でき、駆動時の加振
力低減が可能となり、装置のウェハ処理能力を向上でき
る。 ４．また、高精度計測を要する必要ストロークの減少、
及び必要精密加工面積の減少により、作業性を向上でき
る。
れば、次の効果を奏する。 １．ウェハの位置を、トップテーブルを介在させること
なく、直接に計測することが可能なので、高精度な位置
決めが可能となる。 ２．ウェハチャックの側面又は試料台の側面を、測長用
平面ミラーとすることにより試料台の小形化が可能とな
り、位置決め装置を小形化することができる。更に半導
体製造装置を小形化できる。 ３．以上の効果により軽量化を達成でき、駆動時の加振
力低減が可能となり、装置のウェハ処理能力を向上でき
る。 ４．また、高精度計測を要する必要ストロークの減少、
及び必要精密加工面積の減少により、作業性を向上でき
る。
【図１】本発明の第１実施例の位置決め装置の平面図で
ある。
ある。
【図２】本発明の第１実施例の位置決め装置の正面図で
ある。
ある。
【図３】本発明の第２実施例の位置決め装置の平面図で
ある。
ある。
【図４】本発明の第２実施例の位置決め装置の正面図で
ある。
ある。
【図５】従来の位置決め装置の平面図である。
【図６】従来の位置決め装置の正面図である。
１ 試料台 １Ａ，１Ｂ 平面ミラー ２ 微動機構 ３ トップテーブル ４ ウェハ ５ ウェハチャック ５Ａ，５Ｂ 平面ミラー ９ Ｘテーブル １９ Ｘ軸レーザ測長器 ２０ Ｙ軸レーザ測長器 ２１，２２ リニアスケール ２６ 試料台用Ｘ軸レーザ測長器 ２７ 試料台用Ｙ軸レーザ測長器
フロントページの続き (51)Int.Cl.5 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｌ 21/027 21/68 Ｆ 8418−4Ｍ
Claims (4)
- 【請求項１】 被位置決め物体の位置決めを行う位置決
め装置において、前記被位置決め物体に関する領域を位
置決めするための第１の測長器と、被位置決め物体に関
する前記領域以外の領域を位置決めするための第２の測
長器を備えることを特徴とする位置決め装置。 - 【請求項２】 請求項１記載の位置決め装置において、
前記第１の測長器はレーザ測長器であり、被位置決め物
体を保持する保持装置の側面を利用して対応するレーザ
測長用ミラーが配置されることを特徴とする位置決め装
置。 - 【請求項３】 請求項１記載の位置決め装置において、
前記第２の測長器はリニアスケールであることを特徴と
する位置決め装置。 - 【請求項４】 請求項１記載の位置決め装置において、
前記第２の測長器は、被位置決め物体を保持する保持装
置を支持する支持装置の側面を平面ミラーとして利用す
る他のレーザ測長器であることを特徴とする位置決め装
置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29912991A JPH05134753A (ja) | 1991-11-14 | 1991-11-14 | 位置決め装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29912991A JPH05134753A (ja) | 1991-11-14 | 1991-11-14 | 位置決め装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05134753A true JPH05134753A (ja) | 1993-06-01 |
Family
ID=17868503
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP29912991A Pending JPH05134753A (ja) | 1991-11-14 | 1991-11-14 | 位置決め装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05134753A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6720680B1 (en) | 1999-02-04 | 2004-04-13 | Nikon Corporation | Flat motor device and its driving method, stage device and its driving method, exposure apparatus and exposure method, and device and its manufacturing method |
| EP0977244A3 (en) * | 1998-07-29 | 2005-06-15 | Canon Kabushiki Kaisha | Stage system and stage driving method for use in exposure apparatus |
| JP2006203113A (ja) * | 2005-01-24 | 2006-08-03 | Nikon Corp | ステージ装置、ステージ制御方法、露光装置及び方法、並びにデバイス製造方法 |
| JP2008053365A (ja) * | 2006-08-23 | 2008-03-06 | Dainippon Printing Co Ltd | 基板露光装置及び基板露光方法 |
| CN102564371A (zh) * | 2011-12-19 | 2012-07-11 | 苏州工业园区格比机电有限公司 | 一种汽车踏板检具及其检测方法 |
| JP2012134484A (ja) * | 2010-12-20 | 2012-07-12 | Asml Netherlands Bv | 較正データ更新方法及びデバイス製造方法 |
-
1991
- 1991-11-14 JP JP29912991A patent/JPH05134753A/ja active Pending
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0977244A3 (en) * | 1998-07-29 | 2005-06-15 | Canon Kabushiki Kaisha | Stage system and stage driving method for use in exposure apparatus |
| US6720680B1 (en) | 1999-02-04 | 2004-04-13 | Nikon Corporation | Flat motor device and its driving method, stage device and its driving method, exposure apparatus and exposure method, and device and its manufacturing method |
| JP2006203113A (ja) * | 2005-01-24 | 2006-08-03 | Nikon Corp | ステージ装置、ステージ制御方法、露光装置及び方法、並びにデバイス製造方法 |
| JP2008053365A (ja) * | 2006-08-23 | 2008-03-06 | Dainippon Printing Co Ltd | 基板露光装置及び基板露光方法 |
| JP2012134484A (ja) * | 2010-12-20 | 2012-07-12 | Asml Netherlands Bv | 較正データ更新方法及びデバイス製造方法 |
| US8903156B2 (en) | 2010-12-20 | 2014-12-02 | Asml Netherlands B.V. | Method of updating calibration data and a device manufacturing method |
| CN102564371A (zh) * | 2011-12-19 | 2012-07-11 | 苏州工业园区格比机电有限公司 | 一种汽车踏板检具及其检测方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR940003918B1 (ko) | 형상측정장치 | |
| JP4454917B2 (ja) | 多数の光学要素を有する光学システム | |
| JP4332486B2 (ja) | 時間を節約する高さ測定を用いた、基板にマスク・パターンを繰り返し投影する方法および装置 | |
| TW528881B (en) | Position measuring apparatus | |
| US7280225B2 (en) | Stage apparatus and control method including first and second measurement systems for measuring a stage position and a switching unit for switching between the measurement systems | |
| US4676649A (en) | Multi-axis gas bearing stage assembly | |
| JP2000049066A (ja) | 露光装置およびデバイス製造方法 | |
| KR19980019031A (ko) | 스테이지 장치(a stage apparatus) | |
| EP1749247A1 (en) | A measurement configuration based on linear scales able to measure to a target also moving perpendicular to the measurement axis | |
| US7495771B2 (en) | Exposure apparatus | |
| KR102645229B1 (ko) | 검사 지그 및 검사 방법 | |
| JPH05134753A (ja) | 位置決め装置 | |
| US6351313B1 (en) | Device for detecting the position of two bodies | |
| US7584072B2 (en) | Method for determining correction values for the measured values of positions of structures on a substrate | |
| JPH11125520A (ja) | 半導体ウエハ支持用部材及び半導体ウエハの平面度測定装置 | |
| JP3790902B2 (ja) | ステージ構造体 | |
| KR19980064153A (ko) | 스테이지 장치 및 투영광학장치 | |
| JPH04317Y2 (ja) | ||
| JPS62150106A (ja) | 位置検出装置 | |
| JPH05259263A (ja) | Ｘｙ微動ステージ | |
| JPH1047931A (ja) | ２次元測定装置 | |
| JP2007299805A (ja) | ギャップ検出値の校正方法 | |
| JP3046635B2 (ja) | 超高精度三次元測定機 | |
| JPH0237709A (ja) | 露光装置 | |
| JPH08241849A (ja) | 露光装置 |