CN1931551A - 切削装置和加工方法 - Google Patents

Abstract

本发明提供能够使切削机构不停止而高效地进行切削的切削装置和加工方法。该切削装置具有：第1吸盘台和第2吸盘台，互相邻接设置，分别保持被加工物；第1切削进给机构和第2切削进给机构，在切削进给方向上分别对该第1吸盘台和第2吸盘台进行切削进给；对位机构，检测该第1吸盘台和第2吸盘台上所保持的被加工物的应加工区域；以及切削机构，对该第1吸盘台和第2吸盘台上所保持的被加工物实施切削加工；清洗机构，对该第1吸盘台和该第2吸盘台上所保持的被加工物进行清洗；以及干燥机构，对利用该清洗机构清洗后的被加工物进行干燥。

Description

切削装置和加工方法

技术领域

本发明涉及用于对半导体晶片等被加工物进行切削的切削装置和加工方法。

背景技术

例如，在半导体晶片制造工序中，在大致为圆板形状的半导体晶片的表面上，在由形成为格子状的所谓划片线的预定分割线划分的多个区域形成IC、LSI等电路，通过沿预定分割线来分割形成有该电路的各区域，来制造单个半导体芯片。对半导体晶片进行分割的分割装置，一般采用作为划片装置的切削装置。该切削装置包括：吸盘(チヤツクテ一ブル)台，用于保持被加工物；对位机构，用于检测被该吸盘台保持的被加工物的应切削区域；以及切削机构，用于切削由吸盘台保持并对准位置的被加工物。

然而，上述切削装置存在的问题是，由于在实施了对被吸盘台保持的被加工物的应切削区域进行检测的对位作业之后，进行切削作业，所以在对位作业结束前切削机构处于停止状态，因此作业效率低。

为了解决这样的问题，提出了以下切削装置，该切削装置具备2个吸盘台，在对被一个吸盘台保持的被加工物实施切削作业期间，对被另一个吸盘台保持的被加工物进行对位作业，能够使切削机构不停止而高效率地进行切削(例如，参见专利文献1)。

[专利文献1](日本)特开2003-163178号公报。

在上述切削装置上设有对已切削的被加工物进行清洗、干燥的清洗干燥机构，对切削后的被加工物进行清洗、干燥。然而，被加工物的清洗和干燥需要相当长的时间，如果清洗和干燥所需的时间比切削时间长，则需要使切削机构停止，在生产效率方面有需要改善的余地。

发明内容

本发明是针对上述事实而提出的方案。其主要技术课题是提供能够使切削机构不停止而高效进行切削的切削装置和加工方法。

为了解决上述主要技术问题，根据本发明，切削装置具有：第1吸盘台和第2吸盘台，互相邻接设置，分别保持被加工物；第1切削进给机构和第2切削进给机构，在切削进给方向上分别对该第1吸盘台和第2吸盘台进行切削进给；对位机构，检测该第1吸盘台和第2吸盘台上所保持的被加工物的应加工区域；以及切削机构，对该第1吸盘台和第2吸盘台上所保持的被加工物实施切削加工，其特征在于，

具有：清洗机构，对该第1吸盘台和该第2吸盘台上所保持的被加工物进行清洗；以及干燥机构，对利用该清洗机构清洗后的被加工物进行干燥。

上述切削机构具有第1切削机构和第2切削机构。

并且，根据本发明，则提供这样一种加工方法，该加工方法使用的切削装置具有：第1吸盘台和第2吸盘台，互相邻接设置，分别保持被加工物；第1切削进给机构和第2切削进给机构，在切削进给方向上分别对该第1吸盘台和第2吸盘台进行切削进给；对位机构，检测该第1吸盘台和第2吸盘台上所保持的被加工物的应加工区域；以及切削机构，对该第1吸盘台和第2吸盘台上所保持的被加工物实施切削加工；清洗机构，对该第1吸盘台和该第2吸盘台上所保持的被加工物进行清洗；以及干燥机构，对利用该清洗机构清洗后的被加工物进行干燥；

该加工方法包括：

第1对位工序，在该第1吸盘台上保持被加工物，利用该对位机构检测该第1吸盘台上所保持的被加工物的应切削区域；

第2对位工序，在该第2吸盘台上保持被加工物，利用该对位机构检测该第2吸盘台上所保持的被加工物的应切削区域；

第1切削工序，利用该切削机构切削该第1对位工序已结束的、该第1吸盘台上所保持的被加工物；

第2切削工序，在该第1切削工序结束后，利用该切削机构切削该第2对位工序已结束的、该第2吸盘台上所保持的被加工物；

第1清洗工序，在实施该第2切削工序期间，对该第1切削工序已结束的被加工物，在将其保持在该第1吸盘台上的状态下，利用该清洗机构进行清洗；

第1干燥工序，从该第1吸盘台中搬出该第1清洗工序已结束的被加工物，将其传送到该干燥机构，利用该干燥机构来对被加工物进行干燥；

在进行该第1干燥工序时，在该第1吸盘台上保持下一个被加工物，之后依次进行该第1对位工序、该第1切削工序、该第1清洗工序、第1干燥工序，

第2清洗工序，对该第2切削工序已结束的被加工物，在将其保持于该第2吸盘台上的状态下，利用该清洗机构进行清洗；

第2干燥工序，从该第2吸盘台中搬出该第2清洗工序已结束的被加工物，将其传送到该干燥机构，利用该干燥机构来对被加工物进行干燥；

在实施该第2干燥工序时，由该第2吸盘台来保持下一个被加工物，之后依次实施该第2对位工序、该第2切削工序、该第2清洗工序、第2干燥工序。

发明效果

本发明的切削装置，因为具有清洗机构，用来清洗由第1吸盘台和第2吸盘台保持的被加工物，所以能够把清洗工序分散为：对由第1吸盘台保持的、切削后的被加工物进行清洗的第1清洗工序；以及对由第2吸盘台进行保持的切削后的被加工物进行清洗的第2清洗工序。所以，能够缩短第1清洗工序或第2清洗工序和干燥工序所需的时间，使其短于用一台清洗干燥机构实施的清洗工序和干燥工序所需的时间。因此，能够在实施切削工序期间实施清洗和干燥工序。所以，能够使第1切削机构和第2切削机构不停止而高效地进行切削，提高生产率。

附图说明

图1是将按本发明构成的切削装置的一部分断开来显示的立体图。

图2是图1所示的切削装置的主要部分立体图。

图3是表示图1所示的切削装置的第1切削机构和第2切削机构的立体图。

图4是图2中的A-A剖面图。

图5是表示图1所示的切削装置上配备的第1切削机构的切削刀片和第2刀机构的切削刀片的切削位置的说明图。

图6是表示图1所示的切削装置上配备的清洗机构的另一实施方式的立体图。

图7是采用图6所示的清洗机构的清洗工序的说明图。

具体实施方式

以下参照附图，详细说明按照本发明构成的切削装置和加工方法的最佳实施方式。

图1是将按本发明构成的切削装置的一部分断开来显示的立体图。

图1所示的切削装置具有大致直方体状的装置外壳2。在该装置外壳2上设置了吸盘台机构3，使吸盘台机构3保持半导体晶片等被加工物并在箭头符号X所示的切削进给方向上移动。参照图2，说明该吸盘台机构3。

图示的实施方式的吸盘台机构3具有设在上述外壳2内的、在基座20的上面互相邻接地设置的第1导轨31a和第2导轨31b。该第1导轨31a和第2导轨31b分别由一对轨道部件311、311构成，沿图中箭头X所示的切削进给方向设置成互相平行。在该第1导轨31a和第2导轨31b上，将第1支持基座32a和第2支持基座32b分别设置成可沿第1导轨31a和第2导轨31b移动。也就是说，在第1支持基座32a和第2支持基座32b上分别设置了被导向沟槽321、321，使该被导向沟槽321、321嵌合到构成第1导轨31a和第2导轨31b的一对轨道部件311、311上，由此使第1支持基座32a和第2支持基座32b能够沿着第1导轨31a和第2导轨31b移动。

在第1支持基座32a和第2支持基座32b上分别设置了第1圆筒部件33a和第2圆筒部件33b；在该第1圆筒部件33a和第2圆筒部件33b的上端，将第1吸盘台34a和第2吸盘台34b分别设置成可旋转。该第1吸盘台34a和第2吸盘台34b由如多孔性陶瓷那样的适当的多孔性材料构成，连接在未图示的吸附机构上。所以，利用未图示的吸附机构，将第1吸盘台34a和第2吸盘台34b有选择地连通到吸附源上，从而对放置面341、341上所放置的被加工物进行吸附保持。并且，分别利用第1圆筒部件33a和第2圆筒部件33b内所设置的脉冲马达(未图示)，来使第1吸盘台34a和第2吸盘台34b进行适当的旋转。而且，在第1圆筒部件33a和第2圆筒部件33b的上端部，具有分别插入第1吸盘台34a和第2吸盘台34b的孔；设置了第1罩子部件35a和第2罩子部件35b，用来分别遮盖上述第1支持基座32a和第2支持基座32b。在该第1罩子部件35a和第2罩子部件35b的上面设置了第1刀片检测机构36a和第2刀片检测机构36b，用于分别检测下述的切削刀片的位置。

图示的实施方式中的吸盘台机构3具有第1切削进给机构37a和第2切削进给机构37b，用于使第1吸盘台34a和第2吸盘台34b分别沿着第1导轨31a和第2导轨31b在图2中箭头X所示的切削进给方向上移动。第1切削进给机构37a和第2切削进给机构37b具有：阳螺杆371，在分别构成第1导轨31a和第2导轨31b的一对轨道部件311、311之间平行地设置；轴承372，用于保持阳螺杆371的一个端部并使其能够旋转；以及脉冲马达373，连结在阳螺杆371的另一端上，对该阳螺杆371进行正转或反转驱动。这样构成的第1切削进给机构37a和第2切削进给机构37b分别使阳螺杆371与形成在上述第1支持基座32a和第2支持基座32b上的阴螺纹322螺合。所以，第1切削进给机构37a和第2切削进给机构37b，分别对脉冲马达373进行驱动，以对阳螺杆371进行正转或反转驱动，由此能够使上述第1支持基座32a和第2支持基座32b上设置的第1吸盘台34a和第2吸盘台34b分别沿着第1导轨31a和第2导轨31b，在图2中的箭头X所示的切削进给方向上移动。

以下参照图2，继续说明。图示的实施方式中的切削装置具有横跨上述第1导轨31a和第2导轨31b而设置的门型支持构架4。该门型支持构架4具有：第1柱部41，设在第1导轨31a的侧方；第2柱部42，设在第2导轨31b的侧方；支持部43，将第1柱部41和第2柱部42的上端进行连结，沿着与箭头X所示的切削进给方向相垂直的、箭头Y所示的分度进给方向设置。在中央部设置了开口44，以便上述第1吸盘台34a和第2吸盘台34b移动。第1柱部41和第2柱部42的上端部分别形成较大的宽度，在该上端部分别设置了开口411和421，以便下述切削机构的主轴单元移动。在上述支持部43的一个面上沿着箭头Y所示的分度进给方向设置了一对导轨431、431；在另一个面上如图4所示，沿着与纸面相垂直的方向(图1中箭头Y所示的分度进给方向)设置了一对导轨432、432。

图示的实施方式中的切削装置具有第1对位机构5a和第2对位机构5b，该第1对位机构5a和第2对位机构5b设置成可沿着上述门型支持构架4的支持部43上所设置的一对导轨431、431移动。第1对位机构5a和第2对位机构5b分别具有：移动块51；用于使该移动块51沿着一对导轨431、431移动的移动机构52、52；以及安装在移动块51上的摄像机构53、53。在移动块51、51上设置了分别与上述一对导轨431、431相嵌合的被导向沟槽511、511。通过使该被导向沟槽511、511与一对导轨431、431相嵌合，可使移动块51、51沿着一对导轨431、431移动。

移动机构52、52分别具有：阳螺杆521，在一对导轨431、431之间平行地设置；轴承522，用于保持阳螺杆521的一个端部并使其能够旋转；以及脉冲马达523，连结在阳螺杆521的另一端上，用于对该阳螺杆521进行正转或反转驱动。这样构成的移动机构52、52，分别使阳螺杆521与在上述移动块51、51上所形成的阴螺纹512螺合。所以，移动机构52、52分别对脉冲马达523进行驱动，对阳螺杆521进行正反或反向驱动，由此能够使移动块51、51沿着一对导轨431、431，在图2中箭头Y所示的分度进给方向上移动。

分别安装在上述移动块51、51上的摄像机构53、53分别具有摄像器件(CCD)，把拍摄的图像信号发送给未图示的控制机构。

在构成上述门型的支持构架4的支持部43的另一个面(设置了上述第1对位机构5a和第2对位机构5b的面、和相反侧的面)上，设置了第1切削机构6a和第2切削机构6b。以下参照图3和图4，详细说明第1切削机构6a和第2切削机构6b。第1切削机构6a和第2切削机构6b分别具有分度移动基坐61、切入移动基座62和主轴单元63。分度移动基座61，在一个面上，设置了与上述支持部43的另一个面上所设置的一对导轨432、432相嵌合的被导向沟槽611、611，通过使该被导向沟槽611、611与一对导轨432、432相嵌合，即可使分度移动基座61能够沿一对导轨432、432移动。并且，在分度移动基座61的另一个面上，如图4所示，沿着箭头Z所示的切入进给方向(与第1吸盘台34a和第2吸盘台34b的放置面341相垂直的方向)，设置了一对导轨612、612(在图4中仅表示一个导轨)。而且，在分度移动基座61、61的一个面上，设置了下述能够插入分度进给机构的阳螺杆的退刀槽613、613，并在上下方向上设置台阶。

上述切入移动基座62具有：在上下方向上延伸的被支持部621、以及从该被支持部621的下端起拐直角而水平延伸的安装部622。如图4所示，在被支持部621上的安装部622侧面上，设置了被导向沟槽623、623(在图4中仅表示出一个被导向沟槽)，用于与设在上述分度移动基座61的另一面上的一对导轨612、612相嵌合；通过使该被导向沟槽623、623与一对导轨612、612相嵌合，能够使切入移动基座62沿着一对导轨612、612在箭头Z所示的切入进给方向上移动。由此，安装在上述分度移动基座61上的切入移动基座62，如图2所示，安装部622从安装有门型支持构架4的上述分度移动基座61的另一面侧通过开口44，向安装有上述第1对位机构5a和第2对位机构5b的一面侧突出设置。

上述主轴单元63分别安装在形成第1切削机构6a和第2切削机构6b的切入移动基座62的安装部622的下面。该主轴单元63分别如图3所示，具有：主轴外壳631；被该主轴外壳631可旋转地保持的旋转主轴632；安装在该旋转主轴632的一端上的切削刀片633；供给切削水的切削水供给管634；以及对旋转主轴632进行旋转驱动的未图示的伺服马达。旋转主轴632的轴线方向沿着箭头Y所示的分度进给方向设置。由此，形成切入移动基座62的安装部622上所安装的主轴单元63，如图2所示，设置成接近上述第1对位机构5a和第2对位机构5b。并且，第1切削机构6a的切削刀片633和第2切削机构6b的切削刀片633设置成互相对置。

图示的实施方式中的第1切削机构6a和第2切削机构6b，如图3所示具有分度进给机构64、64，该分度进给机构64、64用于使上述分度移动基座61、61沿着一对导轨432、432在箭头Y所示的分度进给方向上移动。分度进给机构64、64分别具有：平行地设在一对导轨432、432之间的阳螺杆641；将阳螺杆641的一个端部可旋转地支持的轴承642；以及脉冲马达643，与阳螺杆641的另一端连结，并将该阳螺杆641进行正转或反转驱动。而且，阳螺杆641、641设置在与上述分度移动基座61、61上所设置的退刀槽613、613分别对应的高度位置上。这样构成的分度进给机构64、64分别使阳螺杆641、641与形成在上述分度移动基座61、61上的阴螺纹614、614螺合。所以，分度进给机构64、64分别对脉冲马达643、643进行驱动，以对阳螺杆641、641进行正向或反向驱动，由此，能够使分度移动基座61、61沿着一对导轨432、432，在图2中箭头Y所示的分度进给方向上移动。在该分度移动基座61、61移动时，阳螺杆641、641插通分度移动基座61、61上所设置的退刀槽613、613，从而允许分度移动基座61、61移动。

并且，如图3和图4所示，图示的实施方式中的第1切削机构6a和第2切削机构6b具有切入进给机构65、65，该切入进给机构65、65用于使上述切入移动基座62、62沿着一对导轨612、612在箭头Z所示的切入进给方向上移动。切入进给机构65、65分别具有：与一对导轨612、612平行地设置的阳螺杆651；将阳螺杆651的一个端部可旋转地支持的轴承652；以及脉冲马达653，连结在阳螺杆651的另一端上，对该阳螺杆651进行正向或反向驱动。这样构成的切入进给机构65、65，分别使阳螺杆651与形成在上述切入移动基座62的被支持部621上的阴螺纹622a螺合。所以，切入进给机构65、65分别对脉冲马达653进行驱动，以对阳螺杆651进行正向或反向驱动，由此能够使切入移动基座62沿着一对导轨622、622在图2中箭头Z所示的切入进给方向上移动。

返回到图2继续说明。图示的实施方式中的切削装置具有第1清洗机构7a和第2清洗机构7b，该第1清洗机构7a和第2清洗机构7b用于清洗分别被保持在第1吸盘台34a和第2吸盘台34b上的被加工物。第1清洗机构7a具有：清洗水供给机构71a，设在门型支持构架4的第1柱部41上；以及喷射咀72a，连接在该清洗水供给机构71a上。喷咀72a具有多个喷射孔，由管材形成，在与切削进给方向X相垂直的方向上延伸，设在第1吸盘台34a的移动路线上。第2清洗机构7b具有：清洗水供给机构71b，设在门型支持构架4的第2柱部42上；以及喷射咀72b，连接在该清洗水供给机构71b上。喷咀72b也和喷咀72a同样具有多个喷射孔，由管材形成，在与切削进给方向X相垂直的方向上延伸，设在第2吸盘台34b的移动路线上。

并且，图示的实施方式中的切削装置具有干燥机构8，用于干燥由上述第1清洗机构7a和第2清洗机构7b进行清洗后的被加工物。该干燥机构8由旋转甩干机构构成，设在第1吸盘台34a和第2吸盘台34b的图2所示的被加工物装卸位置的分度进给方向Y的延长线上。干燥机构8具有：旋转台机构81；包围该旋转台机构81而设置的清洗水接收机构82。旋转台机构81具有：旋转台811；对旋转台811进行旋转驱动的电动机812；以及支持该电动机812并使其能够在上下方向上移动的支持机构813。旋转台711具有由多孔性材料形成的吸附盘811a，该吸附盘811a与未图示的吸附机构相连通。所以，旋转台811在把被加工物即晶片放置到吸附盘811a上并利用未图示的吸附机构来产生负压力，由此来把被加工物保持在吸附盘811上。而且，在旋转台811上设置用于固定下述的环状框架的夹持器814。电动机812在其驱动轴812a的上端连结上述旋转台811。上述支持机构813具有：多个(在图示的实施方式中为3个)支持脚813a；以及多个(在图4的实施方式中为了3)气缸813b，分别连结该支持脚813a，安装在电动机812上。这样构成的支持机构813，通过气缸813b的动作，使电动机812和旋转台811在作为图2所示的上方位置即被加工物搬入/搬出位置和作为从图2所示的位置起规定量下方的下方位置即作业位置进行定位。

图示的干燥机构8具有空气供给机构83，该空气供给机构83用于向保持在上述旋转台811上的清洗后的被加工物喷射空气。空气供给机构83具有：空气喷咀831，用于向保持在旋转台811上的被加工物喷射空气；以及未图示的电动机，能够正转和反转，使该空气喷咀831摇动，该空气喷咀831连接在未图示的空气供给源上。

返回到图1，继续说明。在上述装置外壳2上，设置了：片盒机构9，用于存放半导体晶片等被加工物；被加工物搬出/搬入机构11，用于把该片盒机构9内存放的被加工物传送到暂放区10，并将切削作业结束后的被加工物搬入到片盒机构9内；以及被加工物传送机构12，用于在暂放区10和上述第1吸盘台34a、以及第2吸盘台34b和干燥机构8之间传送被加工物。片盒机构9将片盒91放置于未图示的升降机构的片盒台上。在片盒91内存放半导体晶片W，该半导体晶片粘贴在安装于环状框架13上的保护带14的表面上。并且，在装置外壳2上设置操作盘15。而且，在图示的实施方式中的切削装置中，使上述第1对位机构5a和第2对位机构5b位于前面而形成操作员的操作位置，操作盘15设在面对操作员的位置上。

图示的实施方式中的切削装置如上构成，以下参照图1和图2，说明对作为被加工物的半导体晶片进行切削的加工方法。

首先，使片盒机构9的未图示的升降机构动作，把片盒91定位于适当的高度上。把片盒91定位在适当高度之后，使被加工物搬出/搬入机构11进行动作，把片盒91内存放的半导体晶片W搬出到暂放区10。搬出到暂放区10的半导体晶片W在此进行中心位置对准。在暂放区10进行了中心位置对准的半导体晶片W通过被加工物传送机构12被传送到第1吸盘台34a上。这时第1吸盘台34a被定位到图2所示的被加工物装卸位置。放在第1吸盘台34a上的半导体晶片W通过未图示的吸附机构的动作，被吸附保持在第1吸盘台34a上(第1被加工物保持工序)。

如上所述，对半导体晶片W进行吸附保持的第1吸盘台34a通过第1切削进给机构37a的动作，能够在第1对位机构5a下方即的对位区移动。然后，使第1对位机构5a的移动机构52动作，把第1对位机构5a的摄像机构53定位在第1吸盘台34a的正上方。如果把摄像机构53定位在第1吸盘台34a的正上方，则可利用摄像机构53来对保持在第1吸盘台34a上的半导体晶片W的表面进行摄像，检测出在半导体晶片W的表面上形成的切削区即划片线(预定切断线)。然后，使第1切削机构6a的分度进给机构64和第2切削机构6b的分度进给机构64动作，实施对位，使各个切削刀片633和由上述摄像机构53检测出的划片线对准位置(第1对位工序)。

在对保持在第1吸盘台34a上的半导体晶片W实施第1对位工序期间，使被加工物搬出/搬入机构11动作，把存放在片盒91内的半导体晶片W搬出到暂放区10。搬出到暂放区10的半导体晶片W在此进行中心位置对准。在暂放区8进行了中心位置对准的半导体晶片W，通过被加工物传送机构12而被传送到在被加工物装卸位置上定位的第2吸盘台34b上。放置在第2吸盘台34b上的半导体晶片W通过使未图示的吸附机构动作，被吸附到第2吸盘台34b上(第2被加工物保持工序)。

如果把半导体晶片W吸附保持在第2吸盘台34b上，则第2吸盘台34b通过第2切削进给机构37b的动作，在第2对位机构5b的下方即对位区移动。然后实施第2对位工序，即利用第2对位机构5b来检测被保持在第2吸盘台34b上的半导体晶片W的应切削区。而且，第2对位工序的实施方法与上述第1对位工序相同。

另一方面，如果上述第1对位工序结束，则把第1吸盘台34a移动到切削区，使第1切削机构6a的分度进给机构64动作，如图5所示，对第1切削机构6a的切削刀片633进行定位，使其位置对应于第1吸盘台34a上保持的半导体晶片W上所形成的中央的划片线，再使切入进给机构65动作，使切削刀片633下降，定位在规定的切入进给位置上。并且，使第2切削机构6b的分度进给机构64动作，对第2切削机构6b的切削刀片633进行定位，使其位置对应于第1吸盘台34a上保持的半导体晶片W上所形成的最端头的划片线，再使切入进给机构65动作，使切削刀片633下降，定位在规定的切入进给位置上。然后，在使第1切削机构6a的切削刀片633和第2切削机构6b的切削刀片633旋转的同时使第1切削进给机构37a动作，使第1吸盘台34a在图5中箭头X1所示的切削进给方向上移动，由此，保持在第1吸盘台34a上的半导体晶片W受到高速旋转的第1切削机构6a的切削刀片633和第2切削机构6b的切削刀片633的作用，沿着上述规定的划片线进行切削(第1切削工序)。在该第1切削工序中，从切削水供给管634、634向切削部供给切削水。

如上所述，如果沿着规定的划片线来对保持在第1吸盘台34a上的半导体晶片W进行切削，则使第1切削机构6a的分度进给机构64和第2切削机构6b的分度进给机构64动作，使第1切削机构6a和第2切削机构6b按照划片线的间隔量在图5中箭头Y1所示的分度进给方向上移动(分度进给工序)，实施上述第1切削工序。如上，通过反复进行分度进给工序和第1切削工序，即可沿着在规定方向上形成的全部划片线对半导体晶片W进行切削。如果沿着在规定方向上形成的全部划片线对半导体晶片W进行切削，则使保持半导体晶片W的第1吸盘台34a旋转90度。并且，通过对保持在第1吸盘台34a上的半导体晶片W反复实施上述分度进给工序和第1切削工序，即可沿着形成格子状的全部划片线对半导体晶片W进行切削，将其分割成单个芯片。而且，即使半导体晶片W被分割成单个芯片，也不会使芯片分散零乱，而是仍保持其晶片形态，这是因为半导体晶片被粘贴在环状框架13上所安装的保护带14上。

如果上述第1切削工序结束，则将对实施了上述第2对位工序的半导体晶片W进行保持的第2吸盘台34b向切削区移动。之后，进行了上述第1切削工序之后，利用第1切削机构6a和第2切削机构6b，和上述第1切削工序同样，对被保持在第2吸盘台34b上的半导体晶片W实施第2切削工序。

在实施上述第2切削工序期间，对结束了第1切削工序的半导体晶片W进行保持的第1吸盘台34a从加工区朝向被加工物装卸位置移动。这时，使第1清洗机构7a进行动作，从喷咀72a中喷射清洗水。其结果，从喷咀72a对实施了第1切削工序的半导体晶片W喷射清洗水，所以，附着在半导体晶片W上的切屑被清洗除掉。

[第1清洗工序]

如果已进行了第1清洗工序，则使被加工物传送机构12动作，把保持在第1吸盘台34a上的已清洗完的半导体晶片W传送到干燥机构8的旋转台811上。通过使未图示的吸附机构动作，来把半导体晶片W吸附保持在旋转台811上。这时，旋转台811被定位在图2所示的被加工物搬入/搬出位置。然后，使旋转台811定位在下方位置即作业位置上，使电动机812动作，以使旋转台811例如以3000rpm的旋转速度进行旋转。这时，使空气供给机构83动作，从空气喷咀831喷出空气，并使空气喷咀831在半导体晶片W上摇动。其结果，附着在半导体晶片W上的清洗水被除去(第1干燥工序)。这样，被加工物传送机构12将实施了第1干燥工序的半导体晶片W将其从干燥机构搬出，传送到下一工序。

而且，如果将实施了上述第1清洗工序的第1吸盘台34a上的半导体晶片W传送到干燥机构8，则实施在第1吸盘台34a上保持下一个半导体晶片W的上述第1被加工物保持工序。之后，依次实施上述第1对位工序、第1切削工序、第1清洗工序和第1干燥工序。

另一方面，对实施了上述第2切削工序的半导体晶片W进行保持的第2吸盘台34b，在对保持在第1吸盘台34a上的下一个半导体晶片W实施第1切削工序期间，从加工区向被加工物装卸位置移动。这时，使第2清洗机构7b动作，从喷咀72b喷射清洗水。其结果，从喷咀72b向实施了第2切削工序的半导体晶片W喷射清洗水，所以附着在半导体晶片W上的切削屑被清洗除去(第2清洗工序)。

如果实施了第2清洗工序，则使被加工物传送机构12动作，将保持在第2吸盘台34b上的已清洗的半导体晶片W传送到干燥机构8的旋转台811上。并且，和上述第1干燥工序同样，实施第2干燥工序。这样，由被加工物传送机构12将实施了第2干燥工序的半导体晶片W从干燥机构搬出，传送到下一工序。

而且，如果实施了上述第2清洗工序的第2吸盘台34b上的半导体晶片W被传送到干燥机构8，则实施上述第2被加工物保持工序，把下一个半导体晶片W保持到第2吸盘台34b上。之后，依次实施上述第2对位工序、第2切削工序、第2清洗工序和第2干燥工序。

如上所述，图示的实施方式中的切削装置具有第1清洗机构7a和第2清洗机构7b，用于清洗保持在第1吸盘台34a和第2吸盘台34b上的被加工物，所以，可将清洗工序分散到第1清洗工序和第2清洗工序。因此，第1清洗工序或第2清洗工序及干燥工序所需的时间能够缩短，使其短于用一台清洗、干燥机构来实施的清洗工序和干燥工序所需的时间。因此，如图示实施方式那样，对于2台切削机构，即使在高效率地实施切削工序的情况下，也能够在实施切削工序期间，实施清洗和干燥工序。所以能够使第1切削机构6a和第2切削机构6b不停止而高效率地进行切削，能够提高生产率。

以下参照图6和图7，说明清洗机构的其他实施方式。

图6和图7所示的清洗机构70具有矩形清洗箱701。该清洗箱701具有上壁701a和两侧壁701b、701c以及两端壁701d、701e，下方敞开。在构成该清洗箱701的一个端壁701e上设有清洗水供给孔701f。在该清洗水供给孔701f上，连接构成未图示的清洗水供给机构的清洗水供给管702。而且，将清洗箱701的长度设定为大致上与第1吸盘台34a和第2吸盘台34b的直径相对应。也就是说，使其长度超过第1吸盘台34a和第2吸盘台34b上所保持的半导体晶片W。在这样构成的清洗箱701的上壁701a的背面上，设有超声波发生机构703。

为了利用如上构成的清洗机构70来清洗保持在第1吸盘台34a(第2吸盘台34b)上的已切削的半导体晶片W，如图6和图7所示，利用未图示的移动机构来把清洗箱701移动到在被加工物装卸位置上定位的第1吸盘台34a(第2吸盘台34b)的直径位置的上侧。之后，清洗箱701的另一端定位在与第1吸盘台34a(第2吸盘台34b)上所保持的半导体晶片W的表面有2～3mm左右的微小间隙的位置。然后，从清洗水供给管702向清洗箱701内供给清洗水，并使第1吸盘台34a(第2吸盘台34b)在箭头所示的方向上旋转。这时，使超声波发生机构703动作，向清洗箱701的清洗水施加超声波振动。其结果，保持在第1吸盘台34a(第2吸盘台34b)上的已切削的半导体晶片W，利用施加了超声波振动的清洗水来进行清洗。而且，也可以通过在图1和图2中箭头X所示的方向上移动第1吸盘台34a(第2吸盘台34b)，来清洗半导体晶片W的整面。

以上根据图示的实施方式来说明了本发明，但本发明并不仅限于实施方式，而是在本发明的精神的范围内可以进行各种变形。例如在图示的实施方式中表示具有2台切削机构(第1切削机构6a和第2切削机构6b)的例子。但是，也可以用一台切削机构来切削保持在第1吸盘台34a上的被加工物和保持在第2吸盘台34b上的被加工物。并且，在图示的实施方式中，表示具有2个对位机构(第1对位机构5a和第2对位机构5b)的例子。但是，也可以用一个对位机构来检测保持在第1吸盘台34a上的被加工物和保持在第2吸盘台34b上的被加工物的应切削区。再者，在图示的实施方式中，表示具有2个清洗机构(第1清洗机构7a和第2清洗机构7b)的例子。但是也可以利用一个清洗机构来清洗保持在第1吸盘台34a上的已切削的被加工物和保持在第2吸盘台34b上的已切削的被加工物。

Claims (3)

1、一种切削装置，具有：第1吸盘台和第2吸盘台，互相邻接设置，分别保持被加工物；第1切削进给机构和第2切削进给机构，在切削进给方向上分别对该第1吸盘台和第2吸盘台进行切削进给；对位机构，检测该第1吸盘台和第2吸盘台上所保持的被加工物的应加工区域；以及切削机构，对该第1吸盘台和第2吸盘台上所保持的被加工物实施切削加工，其特征在于，

具有：清洗机构，对该第1吸盘台和该第2吸盘台上所保持的被加工物进行清洗；以及干燥机构，对利用该清洗机构清洗后的被加工物进行干燥。

2、如权利要求1所述的切削装置，其特征在于，上述切削机构具有第1切削机构和第2切削机构。

3、一种加工方法，该加工方法使用的切削装置具有：第1吸盘台和第2吸盘台，互相邻接设置，分别保持被加工物；第1切削进给机构和第2切削进给机构，在切削进给方向上分别对该第1吸盘台和第2吸盘台进行切削进给；对位机构，检测该第1吸盘台和第2吸盘台上所保持的被加工物的应加工区域；以及切削机构，对该第1吸盘台和第2吸盘台上所保持的被加工物实施切削加工；清洗机构，对该第1吸盘台和该第2吸盘台上所保持的被加工物进行清洗；以及干燥机构，对利用该清洗机构清洗后的被加工物进行干燥；

该加工方法包括：

第1对位工序，在该第1吸盘台上保持被加工物，利用该对位机构检测该第1吸盘台上所保持的被加工物的应切削区域；

第2对位工序，在该第2吸盘台上保持被加工物，利用该对位机构检测该第2吸盘台上所保持的被加工物的应切削区域；

第1切削工序，利用该切削机构切削该第1对位工序已结束的、该第1吸盘台上所保持的被加工物；

第2切削工序，在该第1切削工序结束后，利用该切削机构切削该第2对位工序已结束的、该第2吸盘台上所保持的被加工物；

第1清洗工序，在实施该第2切削工序期间，对该第1切削工序已结束的被加工物，在将其保持在该第1吸盘台上的状态下，利用该清洗机构进行清洗；

第1干燥工序，从该第1吸盘台中搬出该第1清洗工序已结束的被加工物，将其传送到该干燥机构，利用该干燥机构来对被加工物进行干燥；

在进行该第1干燥工序时，在该第1吸盘台上保持下一个被加工物，之后依次进行该第1对位工序、该第1切削工序、该第1清洗工序、第1干燥工序，

第2清洗工序，对该第2切削工序已结束的被加工物，在将其保持于该第2吸盘台上的状态下，利用该清洗机构进行清洗；

第2干燥工序，从该第2吸盘台中搬出该第2清洗工序已结束的被加工物，将其传送到该干燥机构，利用该干燥机构来对被加工物进行干燥；

在实施该第2干燥工序时，由该第2吸盘台来保持下一个被加工物，之后依次实施该第2对位工序、该第2切削工序、该第2清洗工序、第2干燥工序。

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