CN1637756A - 批量生产移交支持系统及半导体制造系统 - Google Patents

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Abstract

一种通过网路(20)将管理在半导体装置的试制过程中生成或取得的信息的试制管理计算机(10)和管理半导体装置的批量生产的批量生产管理计算机(30)连接的批量生产移交支持系统，将批量生产移交源管理计算机(10)接收的质量和制法信息移交给批量生产移交目的地计算机(30)，同时，机差改正信息输入接收装置(14)接收对因批量生产移交源和批量生产移交目的地的半导体制造装置之间的机差而引起的半导体装置的产品质量的差异进行修正的机差改正信息的输入，利用机差改正信息提供装置(16)将该接收的机差改正信息存储到批量生产移交目的地管理计算机(30)可访问的数据库(40)中。

Description

批量生产移交支持系统及半导体制造系统
技术领域
本发明涉及支持将半导体装置交付批量生产的批量生产移交支持系统及进行半导体装置的批量生产移交的半导体制造系统。
背景技术
近年来，多数半导体器件制造商将以SOC(在片系统)为代表的系统LSI作为主力产品制造。该系统LSI大多在开始生产时就决定了其一生的生产数量。因此，对于半导体器件的制造商，为了获取最大利润，即使是生产新产品，从一开始就以适当的批量进行生产并在短时间内完成生产，这一点很重要。因此，在试制完成后，希望迅速转向批量生产。
过去，通过移交质量信息和制法信息来进行新产品的批量生产移交。但是，实际的批量生产移交只有质量信息和制法信息是不够的。这是因为，因半导体制造装置(以下简称‘制造装置’)的制造商不同或制造装置的规格不同、即制造装置间存在‘机差’故半导体器件的产品不同。
作为解决该机差的方法，有美国Intel公司的精密复制(CopyExactly)(例如，参照非专利文献1)。该方法是通过一次大量购入同一制造商的制造装置并使该制造装置的规格完全一致来尽可能减小机差。
【非专利文献】
“利用0.25微米加工技术生产业界第1个闪速存储器”，平成10年2月3日，平成15年12月9日检索，因特网址<URL:http://www.intel.co.jp/jp/intel/pr/press98/025FLASH.htm>
但是，上述方法因必须一次投入大量的资金故几乎所有的半导体器件制造商实际上都不能采用。
因此，在实际批量生产移交时，将从事新产品开发或试制的工程师派往批量生产移交单位，去解决上述机差的问题。即，通过该工程师的工作经验去解决上述机差的问题，通过在批量生产移交单位生产出和试制品相同的产品来进行批量生产移交。
此外，因半导体装置的制造工艺有很多精密加工，故和其它制造领域相比容易受机差的影响，必须解决上述机差的问题。
发明内容
本发明是为了解决上述问题而提出的，其目的在于提供一种批量生产移交支持系统及半导体制造系统，可以顺利地进行半导体装置的批量生产移交。
本发明的批量生产移交支持系统是通过网路将管理在半导体装置的试制过程中生成或取得的信息的批量生产移交源管理计算机和管理半导体装置的批量生产的批量生产移交目的地管理计算机连接的批量生产移交支持系统，其特征在于：
将批量生产移交源管理计算机接收的质量和制法信息移交给批量生产移交目的地计算机，同时，机差改正信息输入接收装置接收对因批量生产移交源和批量生产移交目的地的半导体制造装置之间的机差而引起的半导体装置的产品质量的差异进行修正的机差改正信息的输入，利用机差改正信息提供装置将该接收的机差改正信息存储到批量生产移交目的地管理计算机可访问的数据库中。
在本发明的批量生产移交支持系统中，当数据库与批量生产移交目的地计算机连接时，批量生产移交目的地管理计算机通过数据库登录装置将经网路接收的机差改正信息登录到数据库中，将由检索要求数据输入接收装置接收的检索要求数据作为检索关键词，利用数据检索装置对数据库存储的机差改正信息进行检索，再输出检索结果数据。
此外，在本发明的批量生产移交支持系统中，当数据库与批量生产移交源管理计算机连接时，批量生产移交源管理计算机通过数据库登录装置将从存储装置读出的机差改正信息登录到数据库中，当经网路接收到由批量生产移交目的地管理计算机发送的检索要求数据时，将接收的检索要求数据作为检索关键词，利用数据库检索装置对数据库存储的机差改正信息进行检索，再向批量生产移交目的地管理计算机发送检索结果数据，批量生产移交目的地管理计算机经网路接收从批量生产移交源管理计算机发送来的检索结果数据，并输出接收的检索结果数据。
在本发明的批量生产移交支持系统中，当无论是批量生产移交源管理计算机还是批量生产移交目的地管理计算机，数据库都是与和网路连接的远端计算机连接时，批量生产移交源管理计算机向远端计算机发送从存储装置读出的机差改正信息，远端计算机通过数据库登录装置将经网路接收的机差改正信息登录到数据库中，当经网路接收到由批量生产移交目的地管理计算机发送的检索要求数据时，将接收的检索要求数据作为检索关键词，利用数据库检索装置对数据库存储的机差改正信息进行检索，再向批量生产移交目的地管理计算机发送检索结果数据，批量生产移交目的地管理计算机经网路接收从批量生产移交源管理计算机发送来的检索结果数据，并输出接收的检索结果数据。
在本发明的批量生产移交支持系统中，上述批量生产移交目的地计算机接收从批量生产得到的机差改正信息，并将其登录到批量生产移交源管理计算机可访问的数据库中。
本发明如上所述，通过除了质量信息和制法信息之外还移交机差改正信息，可以顺利地进行半导体装置的批量生产移交。此外，通过对基于作为检索结果数据的机差改正信息的制造方法数据进行修正，可以使批量生产制造的半导体装置产品和批量生产移交时的质量信息相同，可以顺利地进行半导体装置的批量生产移交。
附图说明
图1是用来说明本发明实施形态1的半导体装置的制造工作流程的图。
图2是表示移交给批量生产线的质量信息和制法信息的图。
图3是表示移交给批量生产线的机差改正信息的图。
图4是用来说明本发明实施形态1的批量生产移交支持系统的方框图。
图5是用来说明本发明实施形态1的第2变形例的方框图。
图6是用来说明本发明实施形态1的第3变形例的方框图。
图7是用来说明本发明实施形态2的批量生产移交支持系统的方框图。
图8是用来说明本发明实施形态2的第2变形例的方框图。
图9是用来说明本发明实施形态2的第3变形例的方框图。
图10是用来说明本发明实施形态3的批量生产移交支持系统的方框图。
图11是用来说明本发明实施形态3的第2变形例的方框图。
图12是用来说明本发明实施形态3的第3变形例的方框图。
图13是用来说明本发明实施形态4的机差改正信息生成装置的方框图。
图14是用来说明本发明实施形态5的半导体制造系统的方框图。
图15是用来说明本发明实施形态5的变形例的方框图。
图16是用来说明本发明实施形态6的半导体制造系统的方框图。
图17是用来说明本发明实施形态6的变形例的方框图。
图18是用来说明本发明实施形态7的半导体制造系统的方框图。
图19是用来说明本发明实施形态7的变形例的方框图。
图20是表示本发明实施形态8的已登录在数据库中的机差改正信息的图。
图21是用来说明本发明实施形态9的蚀刻加工的机差改正的概念图。
图22是用来说明本发明实施形态9的变形例的方框图。
发明的具体实施方式
实施形态1.
首先，在本发明的实施形态1中，说明半导体器件制造商的半导体装置的制造工作流程。
图1是在本发明的实施形态1中，用来说明半导体器件制造商的半导体装置的制造工作流程的图。
如图1所示，设计者和顾客之间讨论半导体装置的规格，规格决定后，便进行电路模拟试验和电路设计。电路设计一结束，便做成各层的电路图形数据。做成的图形数据送给半导体器件制造商的掩膜设计部门或掩膜业者，加工成掩膜数据。然后，掩膜业者根据该掩膜数据做成光掩膜。与该光掩膜的制作并行，进行使用了工艺模拟的工艺设计，决定首次试制规格方案。
在该首次试制规格方案的基础上，担任像晶体管或电容那样的模块和将该模块集成后的产品的整个工艺设计的集成工程师(以下称作‘I-Eng’)和从事像光刻或干腐蚀那样的元器件技术工作的元器件工程师(以下称作E-Eng)等许多工程师进行详细的讨论。
具体地说，I-Eng进行和基础工艺不同的点的抽出、和现有的制造标准不同的点的抽出、弱点的提出、PQC(工艺质量控制)标准的检验和晶片边缘设计，在此基础上做成临时的工艺流程。I-Eng进而和E-Eng一起进行对已做成的临时工艺流程的讨论、特殊规格的探讨、风险分配和对PQC项目和数量的探讨。E-Eng在担任的元器件技术的范围内，抽出和基础工艺及现有的制造标准不同的点，同时，决定处理装置(制造装置)，并进行工艺开发。
I-Eng和E-Eng在该工艺开发阶段，进行工艺条件的优化，同时取得该条件优化数据，对该工艺条件进行分配以取得工艺裕度数据。
接着，当达到可试制的阶段时，E-Eng做成制造标准文件和制造装置用制法。在制造装置用制法做成后，开始半导体装置的试制。
在该工艺开发和试制阶段，I-Eng和E-Eng一起进行PQC数据的取得、晶片外观的确认、晶片里面的确认、上述弱点的确认和晶片边缘的确认。此外，E-Eng在该阶段进行形状加工和CD(临界尺寸)、微粒、静电、剥离、平坦化、洗净、材料、热预算等主要技术的开发和改正。即，对于逐渐明朗化的规格，必要时，将可作为半导体装置评估的试制品送给顾客，在顾客系统上进行运行确认。若运行确认没问题，则经过试制认定结束试制。然后，从提高质量率和生产效率的观点出发，对试制认定完了的工艺进行调整、即进行工艺微调。接着，进行可靠性评估，当达到顾客可作为商品接收的阶段时，取得商用产品的认定，批量试制宣告完成。
其次，进行向批量生产线的批量生产移交。
这里，在本发明中，为了顺利地进行从试制线向批量生产线的批量生产移交，除了质量信息和制法信息(后述)之外，还要移交在开发、试制阶段取得的机差改正信息(后述)。即，在过去，将作为经验存在于从事新产品开发和试制的工程师的头脑中的、用来改正因制造装置间的机差引起的半导体装置产品的差异的机差改正信息移交给移交目的地。
而且，在批量生产移交完成后，开始批量生产线的半导体装置的批量生产。
再有，不仅有像上述那样从试制线对批量生产线进行批量生产移交的情况，还有从某半导体器件制造商的一个批量生产线(一个批量生产厂)对另一个批量生产线(另一个批量生产厂)进行批量生产移交的情况。例如，有将顾客过问较多的产品在多个批量生产厂生产的情况。这时，有必要在早期完成一生的生产而不必等待其他公司的加入，希望顺利地进行批量生产移交，为此，可以使用本发明。
但是，特别对于利用了90nm节点之后的新一代工艺的半导体装置，有时，为了提高投资效率，多个半导体器件制造商由各公司出资设立共同开发公司，在该共同开发公司内进行基础的主要工艺的开发，各半导体器件制造商拥有该开发成果。这时，虽然说是各半导体器件制造商的批量生产，因从新产品和新工艺的观点来看，完全相当于新的生产线，所以，同一公司内批量生产移交业务不同，有必要从一开始执行上述制造工作流程。因此，有必要在该制造工作流程中实现业务效率化。
此外，最先进的半导体器件的开发大多是制造装置和加工规格的最佳条件的组合的结果。本发明者从试制品的质量信息观点出发，注意到一个过去从来没有注意到的事实，即，使像装置详细数据那样的下述机差改正信息在制造条件中综合反映出来是很有效的。
图2是表示移交给批量生产线的质量信息和制法信息的图。
图2所示的质量信息和制法信息是批量生产移交时移交的一般的信息。
如图2所示，在质量信息中包含与器件特性、尺寸或膜厚有关的数据。制法信息包含作为制造标准的基础文件数据和为了实现该制造标准而对制造装置下载的制造装置用制造方法。基础文件数据包含加工规格数据、电路设计规则、TEG(测试要素组：test element group)设计数据、工程管理用的PQC(加工质量控制)数据和电路设计/掩膜的变更/修正等。
图3是表示移交给批量生产线的机差改正信息的图。
这里，机差改正信息是在开发/试制阶段由批量生产移交源生成或取得的详细信息。在本发明中，机差改正信息是用来修正因批量生产移交源的制造装置和批量生产移交目的地的制造装置之间产生的‘机差’而造成的由批量生产移交源制造的半导体装置的质量和由批量生产移交目的地制造的半导体装置的质量之间的差异的信息。
如图3所示，机差改正信息包含基本技术数据、新开发内容关联数据、形状匹配数据、器件特性匹配数据、掩膜做成数据和装置详细数据。
再有，在本实施形态1中，图3所示的所有的机差改正信息都移交给管理批量生产工程的计算机，但在后述的实施形态2、3中，只有检索出来的机差改正信息才根据需要移交给管理批量生产工程的计算机。
基本技术数据包含使加工条件(气体流量、压力、温度、高频电力)变化而取得的加工裕度数据、条件优化数据、表示芯片的配置位置的散布矩阵(shot matrix)数据(包含虚拟散布)、表示不能取得芯片的晶片边缘部分的利用方法的边缘设计数据及其确认数据和各层的开口率数据。
新开发内容关联数据包含表示新开发的技术的背景的数据、表示开发时已调整的内容的数据、确认开发结果的数据、与新导入的设备(例如制造装置)及其安全性有关的数据、与新引入的材料和确认该材料引入之前的背景及该材料的安全性有关的数据和具有新器件结构的部分截面SEM图片数据。
形状匹配数据是和新开发内容关联数据有关的数据，包含决定有必要进行形状匹配的调整项目及其目标数据和为了实现该数据而展开的加工工艺的详细数据。
器件特性匹配数据包含表示为了使与晶体管/电容/电阻等半导体器件(模块)有关的特性、工作裕度和可靠性变成所要求的值而以栅极周围为中心调整了隔离子的形状、线宽(包含栅极长度)和离子注入条件的内容的数据。
掩膜做成数据包含在图形数据的基础上做成的掩膜数据和做成该掩膜数据的每一步都必需要的光接近效应数据。
装置详细数据将在后面详述，简单说包含长期变化性能调整数据、NPW(假晶片等非产品晶片)控制数据、无尘室的净化控制数据、装置维护数据、以发光监视器技术为代表的加工过程监测技术数据。
该机差改正信息如上所述，由I-Eng或E-Eng等工程师生成或取得，由该工程师输入终端等，并登录到批量生产移交目的地计算机能访问的数据库中(后述)。再有，在后述的实施形态4中有详细叙述，装置详细数据也可以灵活使用EES生成。批量生产移交目的地的工程师必要时可以检索并得到登录在该数据库中的机差改正信息。机差改正信息的输入可以在试制过程中逐次进行，不必等到试制完成之后。
此外，该机差改正信息可以包含不成功的事例和未完成的事例。这里，不成功的事例和未完成的事例除了已成为正式报告书的数据之外，还包括为了以改正为目的而进行的评估结果数据、未加改正的没有采纳的评估结果数据或实验数据和因存在评估方法的问题而未通过检验的结果数据等。因此，批量生产移交目的地的工程师不仅可以检索并取得成功的事例和完成的事例，还可以检索并取得不成功的事例和未完成的事例。因此，当在批量生产移交目的地作出对策时，可以防止再发生过去已发生过的不良现象，不会因重复执行同样的实验而浪费时间，可以提高工作效率。这对于共同开发公司向委托者(半导体器件制造商)进行批量生产移交特别合适。
图4是用来说明本发明实施形态1的批量生产移交支持系统的方框图。
如图4所示，作为批量生产移交源计算机10的管理试制线的试制管理计算机和作为批量生产移交目的地计算机30的管理批量生产线的批量生产管理计算机经网络20连接。批量生产管理计算机30与该批量生产管理计算机30能访问的数据库40连接，在该数据库40中登录有图3所示的机差改正信息。该机差改正信息例如按产品名称或晶片ID登录。即，将产品名称或晶片ID作为检索关键词，可以检索数据库40登录的机差改正信息。再有，网络20可以是有线，也可以是无线。
试制管理计算机10经网络与多个终端2a、2b、---连接。终端2a、2b、---是用来向试制管理计算机10输入质量信息、制法信息和机差改正信息的。
试制管理计算机10具有通过终端2a、2b、---接收质量信息和制法信息的输入的质量/制法信息输入接收装置11、将该接收的质量信息和制法信息存储在存储装置17中的质量/制法信息存储装置12和经网络20对批量生产管理计算机30发送该质量信息和制法信息的质量/制法信息发送装置13。
此外，试制管理计算机10进而具有通过终端2a、2b、---接收机差改正信息的输入的机差改正信息输入接收装置14、将该接收的机差改正信息存储在存储装置17中的质量/制法信息存储装置15和使该读出的机差改正信息登录在数据库40中的机差改正信息提供装置16，即，经网络20对批量生产管理计算机30发送机差改正信息的机差改正信息发送装置16。
再有，存储装置17也可以设在试制管理计算机10的外部。试制管理计算机10也可以具有多个存储装置17，分别将质量信息、制法信息和机差改正信息存储在各存储装置中。
批量生产管理计算机30具有经网络20接收质量信息和制法信息的质量/制法信息接收装置31和将该接收的质量/制法信息存储在存储装置33中的质量/制法信息存储装置32。
此外，批量生产管理计算机10进而具有通过网络20接收机差改正信息并将该接收机差改正信息登录到数据库40中的数据库登录装置34、接收像产品名称或晶片ID那样的检索要求数据的输入的检索要求数据输入接收装置35、在接收了该检索要求数据的输入时检索已将该接收的检索要求数据作为检索关键词登录到数据库40中的机差改正信息并输出作为该检索结果的机差改正信息的数据检索装置36和将该接收的机差改正信息存储在存储装置33中的检索结果数据存储装置37。
其次，说明上述批量生产移交支持系统的动作并详细说明使用了上述批量生产移交支持系统的批量生产移交。
首先，说明质量信息和制法信息的移交。
试制完成后，当从事新产品开发/试制的工程师(I-Eng、E-Eng)利用终端2a、2b、---输入质量信息和制法信息时，该输入的质量信息和制法信息由试制管理计算机10的质量/制法信息接收装置11接收。该接收的质量信息和制法信息由质量/制法信息存储装置12存储在存储装置17中。该存储的质量信息和制法信息由质量/制法信息发送装置13从存储装置33中读出，经网络对批量生产管理计算机30发送。由试制管理计算机10的质量/制法信息发送装置13发送的质量信息和制法信息经网络20由批量生产管理计算机30的质量/制法信息接收装置31接收。该接收的质量信息和制法信息由质量/制法信息存储装置32存储在存储装置33中并输出。该输出的制法信息中的制造装置用制法数据(以下简称‘制法数据’)在必要时进行格式变化后，下载到批量生产线的制造装置中。因此，质量信息和制法信息便移交给批量生产线。
其次，说明机差改正信息的移交。
试制完成后或在试制途中，当上述工程师(I-Eng、E-Eng)利用终端2a、2b、---和产品名称及晶片ID一起输入机差改正信息时，该输入的机差改正信息由试制管理计算机10的机差改正信息接收装置14接收。该接收的机差改正信息由机差改正信息存储装置15存储在存储装置17中。该存储的机差改正信息由机差改正信息提供装置16从存储装置17中读出，该读出的机差改正信息经网络20对批量生产管理计算机30发送。该发送的机差改正信息经网络20由批量生产管理计算机30的数据库登录装置34接收，接收的机差改正信息由该数据库登录装置34按产品名称及晶片ID登录到数据库40中。因此，机差改正信息便移交给批量生产线。
在因机差的存在而使由批量生产线制造的半导体装置的质量和试制品不同、即制造的半导体装置的质量和质量信息不同的情况下，当由批量生产线的工程师向与批量生产管理计算机30连接的终端(省略图示)输入像产品名称和晶片ID那样的检索要求数据时，该检索要求数据由批量生产管理计算机30的检索要求数据输入接收装置35接收。将该接收的检索要求数据(即，产品名称或晶片ID)作为检索关键词，由数据检索装置36检索已登录到数据库40中的机差改正信息，并输出作为检索结果的机差改正信息，同时，作为该检索结果数据的机差改正信息由检索结果数据存储装置37存储在存储装置33中。
然后，批量生产线的工程师从输出的机差改正信息中选择必要的机差改正信息，并根据该选出的机差改正信息修正制造装置用制法数据，再将该修正的制造装置用制法数据下载到制造装置中。或者，批量生产线工程师根据选出的机差改正信息改变制造装置中设定的参数(也叫‘常数’)。这样，通过根据机差改正信息进行制法数据的修正或装置的参数的变更来修正试制线和批量生产线的制造装置间存在的机差。由此，若能使批量生产线制造的半导体装置的质量和试制品相同，则批量生产移交宣告完成。
再有，批量生产线的工程师在必要时也可以要求追加试制(后述实施形态也一样)。
具体地说，虽然没有图示，但批量生产管理计算机30可以进而具有追加试制要求数据输入装置和经网络20对试制管理计算机10发送该接收的追加试制要求数据的追加试制要求数据发送装置，同时，试制管理计算机10进而可以具有接收并输出该发送的追加试制要求数据的追加试制要求数据接收装置。
而且，当批量生产线工程师向终端(未图示)输入追加试制要求数据时，该输入的追加试制要求数据被追加试制要求数据输入装置接收，该接收的追加试制要求数据由追加试制要求数据发送追装置经网络20对试制管理计算机10发送。该发送的追加试制要求数据由追加试制要求数据接收装置接收并输出。然后，从事试制的工程师根据该输出追加试制要求数据执行半导体装置的试制。该追加试制的质量信息和制法信息及机差改正信息由进行试制的工程师输入终端2a，如上述那样移交给批量生产管理计算机30。
如以上说明的那样，在本实施形态1中，当从试制线移交给批量生产线时，与质量信息和制法信息一起，移交在试制阶段生成或取得的机差改正信息。因此，批量生产线工程师可以使用批量生产管理计算机30检索并取得登录在数据库40中的用于实现和试制品相同的质量的必要的机差改正信息。因此，伴随制造装置间的机差必然产生问题，但是，在问题发生时即使不将从事新产品开发或试制的工程师派往批量生产移交目的地，也可以由批量生产线工程师顺利地进行批量生产移交。
此外，可以通过相互提供机差改正信息对批量生产线的工程师进行咨询。因此，批量生产线的工程师不需要询问从事开发/试制的工程师。
再有，在本实施形态1中，说明了从试制线向批量生产线进行批量生产移交的情况，但像上述那样，从某半导体器件制造商的一条批量生产线(一个批量生产工厂)向另一条批量生产线(另一个批量生产工厂)进行批量生产移交的情况也适用于本实施形态1(后述的实施形态也一样)。
此外，从共同开发公司向作为委托者的各半导体器件制造商进行批量生产移交的情况也适用于本实施形态1(后述的实施形态也一样)。
通过将包含上述不成功的事例和未完成的事例的所有的开发信息作为机差改正信息移交给各半导体器件制造商，可以防止各半导体制造商在新技术新产品开发时容易出现的再发生过去的不良现象和重复同样的实验，不会浪费时间。以往，这些不成功的事例和未完成的事例都没有进行技术移交而默默无闻地消失了，本发明却解决了这一问题。
此外，通过将基本技术数据作为机差改正信息移交给各半导体器件制造商，各半导体器件制造商可以把握产品和工艺的正常状态，同时，可以缩短发生不正常情况时的分析判断的时间。
此外，通过将包含使用内容的装置详细数据作为机差改正信息移交给半导体器件制造商，可以再现利用了该装置详细数据的半导体装置的质量。因此，可以高精度再现半导体装置的质量。
其次，说明实施形态1的第1变形例。
在上述实施形态1中，说明了批量生产试制完成后批量生产移交的情况。近年来，因半导体装置的产品寿命有进一步缩短的倾向，故要求缩短半导体装置的开发/试制和批量生产移交所要的时间。因此，为了满足该要求，在本第1变形例中，说明一边使用实施形态1的批量生产移交支持系统在试制线上进行批量生产试制一边在批量生产线上逐步确认该再现性的情况。
在批量生产试制中，工程师通过终端2a、2b、---逐次输入试制过程中的质量信息和制法信息。进而，工程师通过终端2a、2b、---将在批量生产试制中生成或取得的机差改正信息和产品名称或晶片ID一起逐次输入。
如上所述，输入的试制过程中的质量信息和制法信息被试制管理计算机10接收，并经网络20对批量生产管理计算机30发送。该发送的质量信息和制法信息被批量生产管理计算机30接收并输出。
该输出的制法信息中的制造装置用制法数据在必要时经格式变换后，可以下载到批量生产线制造装置中。而且，可以确认试制线中的批量试制的再现性，即对由批量生产线制造的半导体装置的质量和试制线试制过程中的质量信息的差异可以在批量生产线上确认。
另一方面，输入的机差改正信息由试制管理计算机10接收，并经网络20对批量生产管理计算机30发送。该发送的机差改正信息被批量生产管理计算机30接收，并按产品名称或晶片ID登录在数据库40中。
当在批量生产线中得不到批量试制的重现性(即，试制过程中的质量的重现性)时，当批量生产线的工程师从终端输入像产品名称或晶片ID那样的检索要求数据时，如上所述，该输入的检索要求数据被批量生产管理计算机30接收，并将该接收的检索要求数据作为检索关键词检索登录在数据库40中的机差改正信息，并输出作为检索结果的机差改正信息。
然后，批量生产线工程师根据该输出的机差改正信息修正制造装置用制法数据，并将该修正后的制法数据下载到制造装置中。或者，批量生产线工程师根据输出的机差改正信息改变制造装置中设定的参数。这样，通过根据机差改正信息进行制法数据的修正或参数的变更，去校正试制线和批量生产线的制造装置间的存在的机差。因此，在批量生产线上可以得到批量试制的重现性。
如以上说明的那样，在本第1变形例中，试制线上的批量试制和批量生产线的批量生产移交(再现性确认)以很小的时间延迟并行进行。因此，与像实施形态1那样在批量试制完了之后进行批量生产移交的情况比较，可以缩短半导体装置的开发/试制和批量生产移交所要的时间。
其次，说明实施形态1的第2变形例。
本第2变形例像上述第1变形例那样，在批量试制的再现性确认时，当批量生产线工程师取得了优秀成果时，将该工程师输入的机差改正信息登录在数据库40中，该登录的机差改正信息可由试制管理计算机10检索并取得。下面，以和实施形态1不同的部分为中心进行说明。
图5是用来说明本发明实施形态1的第2变形例的方框图。
如图5所示，批量生产管理计算机30的数据库登录装置34接收已输入的机差改正信息，并将该接收的机差改正信息登录在数据库40中。此外，批量生产管理计算机30进而具有检索结果数据发送装置45，该装置在读出存储在存储装置33中的检索结果数据后，经网络20对试制管理计算机10发送作为该读出的检索结果的机差改正信息。此外，试制管理计算机10进而具有经网络20对批量生产管理计算机30发送从终端2a、2b、---输入的检索要求数据的检索要求数据发送装置18a、接收检索结果数据的检索结果数据接收装置18b和使该检索结果数据存储在存储装置17中的机差改正信息存储装置18c。
当由批量生产线工程师取得或生成的机差改正信息和产品名称或晶片ID一起输入终端时，该输入机差改正信息由数据库登录装置34接收，并登录到数据库40中。
当由试制/开发生产线的工程师经终端2a、2b、---输入像产品名称和晶片ID那样的检索要求数据时，该输入的检索要求数据由试制管理计算机10的检索要求数据发送装置18a经网络20对批量生产管理计算机30发送。该发送的检索要求数据被检索要求数据输入接收装置35接收。将该接收的检索要求数据作为检索关键词，由数据检索装置36检索已登录到数据库40中的机差改正信息，该检索结果数据由检索结果数据存储装置37存储在存储装置33中。该存储的检索结果数据由检索结果数据发送装置45从存储装置33中读出，该读出的检索结果数据经网络20对试制管理计算机30发送。该发送的检索结果数据被检索结果数据接收装置18b接收并输出。该接收的检索结果数据由检索结果数据存储装置18c存储在存储装置17中。
在第2变形例中，将在批量生产线上得到的机差改正信息登录到数据库40中，可以由试制管理计算机10检索并取得。因此，可以并行地进行试制线和批量生产线的开发，所以，可以进一步缩短半导体装置的开发/试制和批量生产移交所要的时间。
其次，说明实施形态1的第3变形例。
在上述实施形态1及实施形态1的第2变形例中，将由试制线的终端2a输入且存储在存储装置17中的所有的机差改正信息都移交给批量生产线。即，将存储在存储装置17中的所有的机差改正信息都登录到数据库40中。但是，若机差改正信息的信息量大，也有不将所有的机差改正信息移交给批量生产线而只将大量的机差改正信息的一部分移交给批量生产线的情况。这时，有可能在登录到数据库40的机差改正信息中没有批量生产线的工程师想要的信息。
此外，即使存储在存储装置17中的所有的机差改正信息都移交给批量生产线(登录到数据库40中)，和部分移交的情况一样，也有可能在已登录到数据库40的机差改正信息中没有批量生产线的工程师想要的信息。
在本第3变形例中，批量生产线向试制线要求并取得和已移交的机差改正信息不同的机差改正信息(以下，称作‘补充机差改正信息’)。作为具体的事例，有在对从无尘室取出的加工套件(例如，聚焦环：focus ring)进行氟酸洗净、纯水洗净进而在烘干炉中烘干的工序中将像洗净时间、烘干时间和炉内的温度那样的机差改正信息移交给批量生产线的情况。但是，有时，在批量生产线中，加工套件横放在烘干炉中进行烘干，会在加工套件上残存水印(干燥痕迹)，该水印会对产品产生坏的影响。当登录在数据库40中的机差改正信息没有关于炉中加工套件的放置方式(在试制线上，加工套件在炉中是垂直放置进行烘干的)的信息时，批量生产线可以向试制线要求补充机差改正信息。当试制管理计算机10的存储装置17没有存储时，让试制线的工程师从终端2输入。
图6是用来说明本发明实施形态1的第3变形例的方框图。
如图6所示，当批量生产线工程师判断数据库40中没有所要的机差改正信息时，从终端输入要求补充机差改正信息的补充机差改正信息要求数据(以下称‘要求数据’)。该输入的要求数据被批量生产管理计算机30的补充机差改正信息要求数据输入接收装置301接收。该接收的要求数据由补充机差改正信息要求数据发送装置302经网络20对试制管理计算机10发送。该发送的要求数据被试制管理计算机10的补充机差改正信息要求数据接收装置19a接收。补充机差改正信息提供装置19b将接收的要求数据作为检索关键词检索存储装置17存储的机差改正信息，由该检索得到的补充机差改正信息经网络20对批量生产管理计算机30发送。该发送的补充机差改正信息被批量生产管理计算机30的数据库登录装置34接收，并登录到数据库40中。因此，批量生产线工程师可以得到补充机差改正信息。
此外，也存在像上述那样存储装置17没有存储补充机差改正信息的情况。这时，显示装置(未图示)显示显示要求补充机差改正信息的内容，敦促试制线工程师进行输入。当试制线工程师通过终端2a、2b、---输入补充机差改正信息时，该输入的补充机差改正信息被补充机差改正信息输入接收装置19c接收。该接收的补充机差改正信息由补充机差改正信息提供装置19b对批量生产管理计算机30发送。
实施形态2.
图7是用来说明本发明实施形态2的批量生产移交支持系统的方框图。
如图7所示，存储机差改正信息的数据库40不像实施形态1那样与批量生产管理计算机30连接，而与试制管理计算机10连接。再有，批量生产管理计算机30可经网络对数据库40进行访问。在本实施形态2中，根据需要移交必要的机差改正信息。以和实施形态1不同的部分为中心进行说明。
在作为批量生产移交源的管理试制线的试制管理计算机10中，机差改正信息提供装置16具有从存储装置17中读出由机差改正信息存储装置15存储在该存储装置17中的机差改正信息并将该读出的机差改正信息按产品名称或晶片ID登录到数据库40中的数据库登录装置16a、经网络20接收像产品名称或晶片ID那样的检索要求数据的检索要求数据接收装置16b和在该检索要求数据接收装置16b接收了检索要求数据时将该接收的检索要求数据作为检索关键词检索登录在数据库40中的机差改正信息并经网络20将该作为检索结果的机差改正信息对批量生产管理计算机30发送的数据检索装置16c。
管理作为批量生产移交目的地的批量生产线的批量生产管理计算机30具有在检索要求数据输入接收装置35接收了像产品名称或晶片ID那样的检索要求数据的输入时，经网络20对试制管理计算机10发送已接收的检索要求数据的检索要求数据发送装置38和经网络20接收并输出作为检索结果的机差改正信息的检索结果数据接收装置39。批量生产管理计算机30的检索结果数据存储装置37使由检索结果数据接收装置39接收的作为检索结果的机差改正信息存储在存储装置33中。
其次，说明使用了上述批量生产移交支持系统的批量生产移交。
关于质量信息和制法信息的移交，因和实施形态1一样，故省略其说明。
下面，说明根据需要进行机差改正信息的移交。
试制完成后或在试制途中，当工程师(I-Eng、E-Eng)利用终端2a、2b、---和产品名称及晶片ID一起输入机差改正信息时，该输入的机差改正信息由试制管理计算机10的机差改正信息接收装置14接收。该接收的机差改正信息由机差改正信息存储装置15存储在存储装置17中。该存储的机差改正信息由机差改正信息提供装置16的数据登录装置16a从存储装置17中读出，该读出的机差改正信息按产品名称及晶片ID登录到数据库40中。
在批量生产移交时，在因机差的存在而使半导体装置的质量和试制品不同的情况下，当由批量生产线的工程师向与批量生产管理计算机30连接的终端(省略图示)输入像产品名称和晶片ID那样的检索要求数据时，该输入的检索要求数据由批量生产管理计算机30的检索要求数据输入接收装置35接收。该接收的检索要求数据经网络20由检索要求数据发送装置38对试制管理计算机10发送。当该发送的检索要求数据经网络20被试制管理计算机10的检索要求数据接收装置16接收时，将该接收的检索要求数据作为检索关键词，由数据检索装置16c检索已登录到数据库40中的机差改正信息，并经网络20由数据检索装置16c对批量生产管理计算机30发送作为检索结果的机差改正信息。该发送的作为检索结果数据的机差改正信息经网络20被批量生产管理计算机30的检索结果数据接收装置39接收并输出，由检索结果数据存储装置37将该接收的机差改正信息存储在存储装置33中。因此，根据需要将机差改正信息移交给批量生产线。
然后，批量生产线的工程师根据输出的机差改正信息对制造装置用制法数据进行修正，并将该修正后的制法数据下载到制造装置中。或者，批量生产线工程师根据选出的机差改正信息改变制造装置中设定的参数。这样，通过根据机差改正信息进行制法数据的修正或装置的参数的变更来修正试制线和批量生产线的制造装置间存在的机差。由此，若能使批量生产线制造的半导体装置的质量和试制品相同，则批量生产移交宣告完成。
如以上说明的那样，在本实施形态2中，当从试制线移交给批量生产线时，根据需要，与质量信息和制法信息一起，移交在试制阶段生成或取得的机差改正信息。因此，批量生产线工程师可以使用批量生产管理计算机30检索并取得登录在数据库40中的用于实现和试制品相同的质量的必要的机差改正信息。因此，即使不将从事新产品开发或试制的工程师派往批量生产移交目的地，也可以由批量生产线工程师顺利地进行批量生产移交。
其次，说明实施形态2的第1变形例。
如在上述实施形态1的第1变形例中说明了的那样，要求缩短半导体装置的开发/试制和批量生产移交所要的时间。因此，为了满足该要求，在本第1变形例中，说明一边使用实施形态2的批量生产移交支持系统在试制线上进行批量生产试制一边在批量生产线上逐步确认该再现性的情况。
在批量生产试制中，工程师通过终端2a、2b、---逐次输入试制过程中的质量信息和制法信息。进而，工程师通过终端2a、2b、---将在批量生产试制中生成或取得的机差改正信息和产品名称或晶片ID一起逐次输入。
如上所述，输入的质量信息和制法信息被试制管理计算机10接收，并经网络20对批量生产管理计算机30发送。该发送的质量信息和制法信息被批量生产管理计算机30接收、输出并存储。
作为该输出的制法信息的制造装置用制法数据在必要时经格式变换后，可以下载到批量生产线制造装置中。而且，在批量生产线上可以确认试制线中的批量试制的再现性。
另一方面，输入的机差改正信息由试制管理计算机10接收，并按产品名称或晶片ID登录在数据库40中。
当在批量生产线中得不到批量试制的重现性(即，试制过程中的质量的重现性)时，当批量生产线的工程师从终端输入像产品名称或晶片ID那样的检索要求数据时，如上所述，该输入的检索要求数据被批量生产管理计算机30接收，并经网络20对试制管理计算机10发送。当试制管理计算机10接收了该发送的检索要求数据时，将该接收的检索要求数据作为检索关键词检索登录在数据库40中的机差改正信息，并经网络20对批量生产管理计算机30发送作为检索结果的机差改正信息。该发送的机差改正信息由批量生产管理计算机接收并输出。
然后，批量生产线工程师根据该输出的机差改正信息修正制造装置用制法数据，并将该修正后的制法数据下载到制造装置中。或者，批量生产线工程师根据输出的机差改正信息改变制造装置中设定的参数。这样，通过根据机差改正信息进行制法数据的修正或参数的变更，去校正试制线和批量生产线的制造装置间的存在的机差。因此，在批量生产线上可以得到批量试制的重现性。
如以上说明的那样，在本第1变形例中，试制线上的批量试制和批量生产线的批量生产移交(再现性确认)以很小的时间延迟并行进行。因此，与像实施形态2那样在批量试制完了之后进行批量生产移交的情况比较，可以缩短半导体装置的开发/试制和批量生产移交所要的时间。
其次，说明实施形态2的第2变形例。
本第2变形例像上述实施形态1的第2变形例那样，在像上述第1变形例那样的批量试制的再现性确认时，当批量生产线工程师取得了优秀成果时，将该工程师输入的机差改正信息登录在数据库40中，该登录的机差改正信息可由试制管理计算机10检索并取得。下面，以和实施形态2不同的部分为中心进行说明。
图8是用来说明本发明实施形态2的第2变形例的方框图。
如图8所示，批量生产管理计算机30进而具有接收机差改正信息的输入的机差改正信息输入接收装置46、使该接收的机差改正信息存储在存储装置33中的机差改正信息存储装置47和从存储装置33中读出该存储的检索结果数据后经网络20对试制管理计算机10发送作为该读出的检索结果的机差改正信息的机差改正信息提供装置48。试制管理计算机10的数据库登录装置16a经网络20接收机差改正信息并将该接收的机差改正信息登录到数据库40中。试制管理计算机10进而具有将作为数据检索装置16c的检索结果数据的机差改正信息存储在存储装置17中并输出的检索结果数据存储装置18a。
当由批量生产线工程师取得或生成的机差改正信息和产品名称或晶片ID一起输入终端时，该输入机差改正信息由机差改正信息输入装置46接收，该接收的机差改正信息由机差改正信息存储装置47存储在存储装置33中。该存储的机差改正信息由机差改正信息提供装置48读出，该读出的机差改正信息经网络20对试制管理计算机10发送。该发送的机差改正信息被数据库登录装置16a接收，该接收的机差改正信息利用该数据库登录装置16a按产品名称和晶片ID登录到数据库40中。
当试制/开发线工程师通过终端2a、2b、---输入像产品名称或晶片ID那样的检索要求数据时，该输入的检索要求数据被检索要求数据接收装置16b接收。将该接收的检索要求数据作为检索关键词，由数据检索装置16c检索已登录到数据库40中的机差改正信息，该检索结果数据由检索结果数据存储装置18a存储在存储装置17中。
在第2变形例中，将在批量生产线上得到的机差改正信息登录到数据库40中，可以由试制管理计算机10检索并取得。因此，可以并行地进行试制线和批量生产线的开发，所以，可以进一步缩短半导体装置的开发/试制和批量生产移交所要的时间。
其次，说明实施形态2的第3变形例。
在本第3实施例中，和上述实施形态1的第3实施例一样，批量生产线可以对试制线要求并得到补充机差改正信息。
图9是用来说明本发明实施形态2的第3变形例的方框图。
如图9所示，当批量生产线工程师判断数据库40中没有所要的机差改正信息时，从终端输入要求补充机差改正信息的补充机差改正信息要求数据(以下称‘要求数据’)。该输入的要求数据被批量生产管理计算机30的补充机差改正信息要求数据输入接收装置301接收。该接收的要求数据由补充机差改正信息要求数据发送装置302经网络20对试制管理计算机10发送。该发送的要求数据被试制管理计算机10的补充机差改正信息要求数据接收装置19a接收。试制管理计算机10的数据库登录装置16a将接收的要求数据作为检索关键词检索存储装置17存储的机差改正信息，将由该检索得到的补充机差改正信息登录到数据库40中。因此，批量生产线工程师可以得到补充机差改正信息。
此外，也存在存储装置17没有存储补充机差改正信息的情况。这时，显示装置(未图示)显示要求补充机差改正信息的内容，敦促试制线工程师进行输入。当试制线工程师通过终端2a、2b、---输入补充机差改正信息时，该输入的补充机差改正信息被补充机差改正信息输入接收装置19c接收。该接收的补充机差改正信息由数据库登录装置16a登录到数据库40中。
再有，数据库登录装置16a也可以在向数据库40登录的同时，经网络20对批量生产管理计算机30发送补充机差改正信息。该发送的补充机差改正信息被批量生产管理计算机30的检索结果数据接收装置39接收。
实施形态3.
图10是用来说明本发明实施形态3的批量生产移交支持系统的方框图。
如图10所示，存储机差改正信息的数据库40是和试制管理计算机10及批量生产管理计算机30都不同的计算机，与经网络20连接的远端计算机50连接。再有，批量生产管理计算机30可经网络对数据库40进行访问。下面，在本实施形态3中，以和实施形态1、2不同的部分为中心进行说明。
试制管理计算机10的机差改正信息提供装置16利用机差改正信息存储装置15读出存储在存储装置17中的机差改正信息并经网络20将该读出的机差改正信息对远端计算机50发送。
远端计算机50具有经网络20接收从试制管理计算机10发送来的机差改正信息并将该接收的机差改正信息按产品名称或晶片ID登录到数据库40中的数据库登录装置51、经网络20接收检索要求数据的检索要求数据接收装置52、在该检索要求数据已被接收时检索登录在数据库40中的机差改正信息并输出作为该检索结果的机差改正信息的数据检索装置53和经网络20将作为该输出的检索结果的机差改正信息对批量生产管理计算机30发送的检索结果数据发送装置54。
批量生产管理计算机30的检索结果数据接收装置39经网络20接收由远端计算机50的检索结果数据发送装置54发送的作为检索结果的机差改正信息。
其次，说明上述批量生产移交支持系统的动作，并详细说明使用了上述批量生产移交支持系统的批量生产移交。
关于质量信息和制法信息的移交，因和实施形态1一样，故省略其说明。
下面，说明机差改正信息的移交。
试制完成后或在试制途中，当工程师(I-Eng、E-Eng)利用终端2a、2b、---和产品名称及晶片ID一起输入机差改正信息时，该输入的机差改正信息由试制管理计算机10的机差改正信息接收装置14接收。该接收的机差改正信息由机差改正信息存储装置15存储在存储装置17中。该存储的机差改正信息由机差改正信息提供装置16读出，该读出的机差改正信息经网络20对远端计算机50发送。该发送的机差改正信息经网络20由远端计算机50的数据库登录装置51接收，该接收的机差改正信息由该数据库登录装置51按产品名称及晶片ID登录到数据库40中。
在批量生产移交时，在因机差的存在而使半导体装置的质量和试制品不同的情况下，当由批量生产线的工程师向与批量生产管理计算机30连接的终端(省略图示)输入像产品名称和晶片ID那样的检索要求数据时，该输入的检索要求数据由批量生产管理计算机30的检索要求数据输入接收装置35接收。利用检索要求数据发送装置38，将该接收的检索要求数据经网络20对远端计算机50发送。该发送的检索要求数据经网络20被远端计算机50的检索要求数据接收装置52接收，将该接收的检索要求数据作为检索关键词，由数据检索装置53检索已登录到数据库40中的机差改正信息，并利用检索要求数据发送装置54将作为检索结果的机差改正信息经网络20对批量生产管理计算机30发送。作为该发送的检索结果的机差改正信息经网络20被批量生产管理计算机30的检索结果数据接收装置39接收并输出，该接收的机差改正信息由检索结果数据存储装置37存储在存储装置33中。因此，机差改正信息根据需要被移交给批量生产线。
然后，批量生产线的工程师根据输出的机差改正信息修正制造装置用制法数据，再将该修正的制造装置用制法数据下载到制造装置中。或者，批量生产线工程师根据输出的机差改正信息改变制造装置中设定的参数。这样，通过根据机差改正信息进行制法数据的修正或装置的参数的变更来修正试制线和批量生产线的制造装置间存在的机差。由此，若能使批量生产线制造的半导体装置的质量和试制品相同，则批量生产移交宣告完成。
如以上说明的那样，在本实施形态3中，当从试制线移交给批量生产线时，根据需要，与质量信息和制法信息一起，移交在试制阶段生成或取得的机差改正信息。因此，批量生产线工程师可以使用批量生产管理计算机30检索并取得登录在数据库40中的用于实现和试制品相同的质量的必要的机差改正信息。因此，即使不将从事新产品开发或试制的工程师派往批量生产移交目的地，也可以由批量生产线工程师顺利地进行批量生产移交。
其次，说明实施形态3的第1变形例。
如在上述实施形态1的第1变形例中说明了的那样，要求缩短半导体装置的开发/试制和批量生产移交所要的时间。因此，为了满足该要求，在本第1变形例中，说明一边使用实施形态3的批量生产移交支持系统在试制线上进行批量生产试制一边在批量生产线上逐步确认该再现性的情况。
在批量生产试制中，工程师通过终端2a、2b、---逐次输入试制过程中的质量信息和制法信息。进而，工程师通过终端2a、2b、---将在批量生产试制中生成或取得的机差改正信息和产品名称或晶片ID一起逐次输入。
如上所述，输入的质量信息和制法信息被试制管理计算机10接收，并经网络20对批量生产管理计算机30发送。该发送的质量信息和制法信息被批量生产管理计算机30接收、输出并存储。
作为该输出的制法信息的制造装置用制法数据在必要时经格式变换后，可以下载到批量生产线制造装置中。而且，在批量生产线上可以确认试制线中的批量试制的再现性。
另一方面，输入的机差改正信息由试制管理计算机10接收，经网络20对远端计算机50发送。该发送的机差改正信息被远端计算机50接收，并按产品名称或晶片ID登录在数据库40中。
当在批量生产线中得不到批量试制的重现性(即，试制过程中的质量的重现性)时，当批量生产线的工程师从终端输入像产品名称或晶片ID那样的检索要求数据时，如上所述，该输入的检索要求数据被批量生产管理计算机30接收，该接收的检索要求数据经网络20对远端计算机50发送。当试制管理计算机10接收了该发送的检索要求数据时，将该接收的检索要求数据作为检索关键词检索登录在数据库40中的机差改正信息，并经网络20对批量生产管理计算机30发送作为检索结果的机差改正信息。该发送的机差改正信息由批量生产管理计算机30接收并输出。
然后，批量生产线工程师根据该输出的机差改正信息修正制造装置用制法数据，并将该修正后的制法数据下载到制造装置中。或者，批量生产线工程师根据输出的机差改正信息改变制造装置中设定的参数。这样，通过根据机差改正信息进行制法数据的修正或参数的变更，去校正试制线和批量生产线的制造装置间的存在的机差。因此，在批量生产线上可以得到批量试制的重现性。
如以上说明的那样，在本第1变形例中，试制线上的批量试制和批量生产线的批量生产移交(再现性确认)以很小的时间延迟并行进行。因此，与像实施形态3那样在批量试制完了之后进行批量生产移交的情况比较，可以缩短半导体装置的开发/试制和批量生产移交所要的时间。
其次，说明实施形态3的第2变形例。
本第2变形例像上述实施形态1的第2变形例那样，在像上述第1变形例那样的批量试制的再现性确认时，当批量生产线工程师取得了优秀成果时，将该工程师输入的机差改正信息登录在数据库40中，该登录的机差改正信息可由试制管理计算机10检索并取得。下面，以和实施形态3不同的部分为中心进行说明。
图11是用来说明本发明实施形态3的第2变形例的方框图。
如图11所示，批量生产管理计算机30进而具有接收机差改正信息的输入的机差改正信息输入接收装置46、使该接收的机差改正信息存储在存储装置33中的机差改正信息存储装置47和从存储装置33中读出该存储的机差改正信息后经网络20对远端计算机50发送该读出的机差改正信息的机差改正信息提供装置48。远端计算机50的数据库登录装置51经网络20接收由机差改正信息提供装置48发送的机差改正信息，并将该接收的机差改正信息登录到数据库40中。试制管理计算机10进而具有经网络20将从终端2a、2b、---输入的检索要求数据对远端计算机50发送的检索要求数据发送装置18a、接收检索结果数据的检索结果数据接收装置18b和将该接收检索结果数据存储在存储装置17中的机差改正信息存储装置18c。
当批量生产线工程师将机差改正信息输入终端时，该输入机差改正信息由机差改正信息输入装置46接收，该接收的机差改正信息由机差改正信息存储装置47存储在存储装置33中。该存储的机差改正信息由机差改正信息提供装置48读出，该读出的机差改正信息经网络20对远端计算机50发送。该发送的机差改正信息被数据库登录装置51接收，并登录到数据库40中。
当试制/开发线工程师通过终端2a、2b、---输入像产品名称或晶片ID那样的检索要求数据时，该输入的检索要求数据被检索要求数据接收装置18a接收，该接收的检索要求数据经网络20对远端计算机50发送。该发送的检索要求数据被检索要求数据接收装置52接收，将该接收的检索要求数据作为检索关键词，由数据检索装置16c检索已登录到数据库40中的机差改正信息，该检索结果数据由检索结果数据存储装置54经网络20对试制管理计算机10发送。该发送的检索结果数据被检索结果数据接收装置18b接收，该接收的检索结果数据由检索结果数据存储装置18c存储在存储装置17中并输出。
在第2变形例中，将在批量生产线上得到的机差改正信息登录到数据库40中，可以由试制管理计算机10检索并取得。因此，可以并行地进行试制线和批量生产线的开发，所以，可以进一步缩短半导体装置的开发/试制和批量生产移交所要的时间。
其次，说明实施形态3的第3变形例。
在本第3实施例中，和上述实施形态1和2的第3实施例一样，批量生产线可以对试制线要求并得到补充机差改正信息。
图12是用来说明本发明实施形态3的第3变形例的方框图。
如图12所示，当批量生产线工程师判断数据库40中没有所要的机差改正信息时，从终端输入要求补充机差改正信息的补充机差改正信息要求数据(以下称‘要求数据’)。该输入的要求数据被批量生产管理计算机30的补充机差改正信息要求数据输入接收装置301接收。该接收的要求数据由补充机差改正信息要求数据发送装置302经网络20对试制管理计算机10发送。该发送的要求数据被试制管理计算机10的补充机差改正信息要求数据接收装置19a接收。补充机差改正信息提供装置19b将接收的要求数据作为检索关键词检索存储装置17存储的机差改正信息，经网络20将由该检索得到的补充机差改正信息对远端计算机50发送。该发送的补充机差改正信息由远端计算机50的数据库登录装置51接收并登录到数据库40中。因此，批量生产线工程师可以得到补充机差改正信息。
此外，也存在存储装置17没有存储补充机差改正信息的情况。这时，显示装置(未图示)显示要求补充机差改正信息的内容，敦促试制线工程师进行输入。当试制线工程师通过终端2a、2b、---输入补充机差改正信息时，该输入的补充机差改正信息被补充机差改正信息输入接收装置19c接收。该接收的补充机差改正信息由补充机差改正信息提供装置19b对远端计算机50发送。
再有，数补充机差改正信息提供装置19b在向远端计算机50发送补充机差改正信息的同时，还可以向批量生产管理计算机30发送补充机差改正信息。该发送的补充机差改正信息被批量生产管理计算机30的检索结果数据接收装置39接收。
实施形态4.
在前述实施形态1～3中，试制管理计算机10的机差改正信息输入接收装置14接收工程师从终端2a、2b、---输入的机差改正信息。在本发明的实施形态4中，灵活使用EES(设备工程系统)生成作为机差改正信息之一的装置详细数据。
这里，装置详细数据如图3所示，包含表示制造装置的各无尘室的处理片数的数据、表示NPW(虚拟晶片等非产品晶片)的控制(干燥控制)数据、包括表示无尘室内的干洗控制的数据和表示无尘室内的湿洗或装置构成部件的更换的装置维护数据的使用经历数据、表示制造装置的构成的数据、表示从制造装置到工厂主排气管的距离和工厂的提升力(冷却水温度、惰性气体的压力等)的设置状况数据、以发光监视器为代表的加工监视器数据和微粒数据。
图13是用来说明本发明实施形态4的机差改正信息生成装置的方框图。
如图13所示，作为机差改正信息生成装置的EES80具有制造装置81、EES服务器82和EES终端83。构成EES80的制造装置81、EES服务器82和EES终端83经网络分别与试制管理计算机10连接。试制管理计算机10如在实施形态1～3说明了的那样，经网络20与批量生产管理计算机(未图示)连接。
制造装置81具有对EES服务器82发送表示该制造装置81的动作或状态变化的DEE(详细设备事件)数据的DEE数据发送装置81a。这里，作为DEE数据，例如，可以列举晶片ID数据、表示晶片处理时间、气体供给阀门的开闭信号、门阀的开闭信号、泵的ON/OFF信号、大气压开关的ON/OFF信号、晶片传送臂的检测信号和晶片的位置检测信号的数据。
DEE服务器82具有接收由DEE数据发送装置81发送的DEE数据的DEE数据接收装置82a、从该接收的DEE数据中选择必要的DEE数据并根据该选择的DEE数据生成装置详细数据、同时将该生成的装置详细数据存储在存储装置82d中的装置详细数据生成装置82b和从该存储装置82d中读出该存储了的装置详细数据再经网络对试制管理计算机10发送该读出的装置详细数据的装置详细数据发送装置82c。
装置详细数据生成装置82b例如根据选出多个晶片ID数据生成表示用于无尘室空气调节(干燥)所要的虚拟晶片的片数的NPW控制数据。此外，该生成装置82b例如根据泵的ON/OFF信号或大气压开关的ON/OFF信号等生成表示无尘室内的湿洗周期的使用经历数据。
EES终端83是对EES服务器进行各种输入的终端。和终端2a、2b、---一样，由工程师从EES终端83输入装置详细数据，该输入的数据被试制管理计算机10接收。
其次，说明上述机差改正信息生成装置的动作、即装置详细数据的生成和输入。
若在构成试制线的制造装置81、即与试制管理计算机10连接的制造装置81中进行晶片处理，则产生DEE数据。该产生的DEE数据按每一个晶片的处理或多个晶片的处理，由DEE数据发送装置81a对EES服务器82发送。该发送的DEE数据由EES服务器82的DEE数据接收装置82a接收，由装置详细数据生成装置82b从该接收的DEE数据中选择必要的DEE数据，根据该选择的DEE数据生成装置详细数据。该生成的装置详细数据由装置详细数据生成装置82b存储在存储装置82d中。该存储的装置详细数据由装置详细数据发送装置82c读出，将该读出的装置详细数据对试制管理计算机10发送。该发送的装置详细数据被试制管理计算机10的机差改正信息输入接收装置14接收，该接收的装置详细数据作为机差改正信息被接收。作为该接收的机差改正信息的装置详细数据由机差改正信息存储装置15存储在存储装置17中。
关于此后进行的对数据库的登录和机差改正信息的检索，因和前述的实施形态1～3一样，故省略说明。
如以上说明的那样，在本实施形态4中，根据制造装置81产生的DEE数据生成作为机差改正信息的装置详细数据，并由试制管理计算机10的机差改正信息接收装置14接收该生成的装置详细数据。而且，将该装置详细数据登录到数据库40中，可以使用批量生产管理计算机30进行检索。因此，批量生产线工程师可以取得作为机差改正信息的装置详细数据，并进行机差修正。
与此同时，批量生产线工程师可以把握构成批量生产线的制造装置的调整区域和性能区域。例如，在因维修而更换了石英部件后，可以根据在哪一道工序更换了几个(几次)石英部件推测出无尘内配置的石英部件的消耗量，而且，还可以推测出依赖于该消耗量减少加工余量的可能性。
本实施形态4可以适用于上述进行从一条批量生产线(一个批量生产工厂)到另一条批量生产线(另一个批量生产工厂)的批量生产移交的情况，即，可以适用于在多个批量生产工厂铺开生产的情况。这时，可以根据从刚才讲的铺开批量生产的一条生产线(一个批量生产工厂)的多个制造装置取得的DEE数据生成装置详细数据。因此，与在试制线中生成装置详细数据的情况相比，可以生成更多的装置详细数据，批量生产线工程师可以取得很多装置详细数据来作为机差改正信息。
此外，本实施形态4也可以适用于像上述那样对作为共同开发公司的委托者的半导体器件制造商进行批量生产移交的情况。这时，在作为委托者的各半导体器件制造商的批量生产线上，即使引入新的制造装置，也可以早期把握该制造装置的调整区域和性能区域。
但是，为了使制造装置在批量生产线上实际运行，像上述那样，不仅有在批量生产移交时存在于批量生产移交源和批量生产移交目的地的制造装置之间的装置间机差，还有在批量生产移交之后在同一制造装置内产生的装置内机差。装置内机差是指制造装置现在的性能相对制造装置开始时的性能的差，例如，因制造装置的长期变化或故障引起的变化的情况很多。对于产生该装置内机差的情况，和产生上述装置间机差的情况一样，因半导体装置的质量不同，故也有必要管理制造装置的装置内机差。
本实施形态4可以适用于产生这样的装置内机差的情况。即，为了修正因装置内机差引起的半导体装置的质量的差异，在本实施形态4中，可以有效地使用由EES80生成的作为机差改正信息的装置详细数据。换言之，可以在批量生产移交后使用批量生产管理计算机30检索并取得已登录在数据库40中的作为机差改正信息的装置详细数据。因此，即使不将从事新产品开发或试制的工程师派往批量生产移交目的地，也可以由批量生产线工程师去修正因装置内机差引起的半导体装置的质量的差异。
再有，在本实施形态4中说明了的机差改正信息生成装置可以适用于后述的半导体制造系统。即，由作为机差改正信息生成装置的EES80生成的装置详细数据被半导体制造系统的试制管理计算机10的机差改正信息输入接收装置14作为机差改正信息接收。
实施形态5.
图14是用来说明本发明实施形态5的半导体制造系统的方框图。
如图14所示，管理试制线的试制管理计算机10和管理批量生产线的批量生产管理计算机30经网络20连接。批量生产管理计算机30与批量生产管理计算机30可访问的数据库40连接，该数据库40登录有上述机差改正信息(参照图3)。该机差改正信息例如按产品名称或晶片ID登录。即，将产品名称或晶片ID作为检索关键词，检索登录在数据库40中的机差改正信息。
如在实施形态1中说明的那样，试制管理计算机10经网络与终端2a、2b、---连接。此外，试制管理计算机10具有质量/制法信息输入接收装置11、质量/制法信息存储装置12、质量/制法信息发送装置13、机差改正信息输入接收装置14、机差改正信息存储装置15、机差改正信息提供装置16和存储装置17。
批量生产管理计算机30经网络与试验/检查装置5和制造装置7连接。试验/检查装置5和制造装置7分别有多个，该多个试验/检查装置5和制造装置7构成批量生产线。
如在实施形态1中说明的那样，批量生产管理计算机30具有质量/制法信息接收装置31、质量/制法信息存储装置32、存储装置33、数据库登录装置34、检索要求数据输入接收装置35、数据检索装置36和检索结果数据存储装置37。
进而，批量生产管理计算机30具有接收由试验检/查装置5发送的试验/检查结果数据的试验/检查结果数据接收装置41和判别该接收的试验/检查结果数据是否满足规定的基准并在不满足时生成检索要求数据的检索要求数据生成装置42。具体地说，检索要求数据生成装置42从存储装置33中读出由试制管理计算机10移交的质量信息，该读出的质量信息与上述试验/检查结果数据比较，若相等，则判别满足规定的基准。
批量生产管理计算机30的检索要求数据输入接收装置35接收由检索要求数据生成装置42生成的检索要求数据。当该检索要求数据输入接收装置35接收了检索要求数据时，数据检索装置36检索登录在数据库40中的机差改正信息。
进而，批量生产管理计算机30具有从存储装置33读出由质量/制法信息存储装置32存储在存储装置33中的制法信息中的制法数据再将该读出的制法数据对制造装置7发送的制法数据发送装置61、读出由检索结果数据存储装置37存储在存储装置33中的机差改正信息再根据该读出的机差改正信息修正制法数据的制法数据修正装置62和将由该制法修正装置62修正后的制法数据(以下称‘修正制法数据’)对制造装置7发送的修正制法数据发送装置63。
试验/检查装置5是对利用制造装置7施加了规定的处理的半导体装置或晶片进行试验/检查的装置，例如，进行电气试验的逻辑测试装置或存储器测试装置、测长SEM装置等。试验/检查装置5具有将表示半导体装置的质量的试验/检查结果数据对批量生产管理计算机30发送的试验/检查结果数据发送装置55。
制造装置7是执行基于制法数据的处理的装置，例如，CVD装置、PVD装置、蚀刻装置、CMP装置、退火装置等。制造装置7具有接收由批量生产管理计算机30的制法数据发送装置61发送的制法数据并将该接收的制法数据存储在存储装置74中的制法数据接收装置71、接收由批量生产管理计算机30的修正制法数据发送装置62发送的修正制法数据的修正制法数据接收装置72和通过将该接收的修正制法数据存储在存储装置74中去改写制法数据的制法数据改写装置73。
其次，说明上述半导体制造系统的动作，并详细说明使用了上述半导体制造系统的半导体装置的制造方法。
首先，说明质量信息和制法信息的移交。
试制完成后，当从事新产品开发/试制的工程师利用终端2a、2b、---输入质量信息和制法信息时，该输入的质量信息和制法信息由试制管理计算机10的质量/制法信息输入接收装置11接收。该接收的质量信息和制法信息由质量/制法信息存储装置12存储在存储装置17中。该存储的质量信息和制法信息由质量/制法信息发送装置13从存储装置33中读出，经网络20对批量生产管理计算机30发送。该发送的质量信息和制法信息经网络20由批量生产管理计算机30的质量/制法信息接收装置31接收。该接收的质量信息和制法信息由质量/制法信息存储装置32存储在存储装置33中。该存储的制法信息中的制造装置用制法数据由制法数据发送装置61从存储装置33中读出，该读出的制法数据必要时经格式变换后对制造装置发送。该发送的制法数据被制造装置7的制法数据接收装置72接收，该接收的制法数据存储在存储装置75中。因此，质量信息和制法信息便移交给批量生产线。
关于机差改正信息的移交，因和在实施形态1中说明了的内容一样，故省略说明。
接着，在制造装置7中，根据移交的制法数据执行规定的处理工序。
处理执行后，将半导体装置或晶片(未图示)传送给试验/检查装置5，在该试验/检查装置5中进行半导体装置或晶片的试验/检查。试验/检查完成后，由试验检/查结果数据发送装置55对批量生产管理计算机30发送表示半导体装置的质量的试验/检查结果数据。该发送的试验/检查结果数据被批量生产管理计算机30的试验/检查结果数据接收装置41接收，由检索要求数据生成装置42判别该接收的试验/检查结果数据是否满足规定的基准。这里，当满足基准时，批量生产线制造的半导体装置的质量和试制品的质量没有差异，即，批量生产线制造的半导体装置的质量和试制品的质量相同，从而完成批量生产移交。另一方面，当不满足基准时，批量生产线制造的半导体装置的质量和试制品的质量不同，如以下说明的那样，检索并取得用来修正该质量的差异的机差改正信息。
首先，检索要求数据生成装置42生成检索要求数据，检索要求数据例如是产品名称或晶片ID。该生成的检索要求数据被检索要求数据接收装置35接收。
然后，如在实施形态1中说明了的那样，将该接收的检索要求数据作为检索关键词，由数据检索装置36检索已登录到数据库40中的机差改正信息，作为检索结果的机差改正信息由检索结果数据存储装置37存储在存储装置33中。这里，当登录多个机差改正信息时，例如，从新登录的信息开始由数据检索装置36按顺序输出。存储的机差改正信息由制法数据修正装置62读出，进而，由制法数据修正装置62根据该读出的机差改正信息去修正制法数据。修正的制法数据由修正制法数据发送装置63发送给制造装置7。该发送的修正制法数据被制造装置7的修正制法数据接收装置72接收，该接收的修正制法数据由制法数据改写装置73存储在存储装置74中。因此，制造装置7的制法数据被改写。
然后，在制造装置7中根据修正制法数据执行处理工序，在该试验/检查装置5中进行试验/检查。接着，如上所述，将试验/检查结果数据对批量生产管理计算机30发送，在批量生产管理计算机30中判别试验/检查结果数据是否满足规定的基准。当满足基准时，认为修正了上述质量的差异，从而完成批量生产移交。另一方面，当不满足基准时，再次执行机差改正信息的检索和取得。
如以上说明的那样，在本实施形态5中，当从试制线移交给批量生产线时，根据需要，与质量信息和制法信息一起，移交在试制阶段生成或取得的机差改正信息。而且，当批量生产线制造的半导体装置的质量和试制品的质量不同时，从数据库40中检索并取得用来修正该质量之差的机差改正信息，并根据取得的机差改正信息去修正制造装置7的制法数据，根据修正的制法数据进行半导体装置的制造。因此，即使不依靠从事新产品开发/试制的工程师和批量生产线工程师，也可以自动进行从试制线到批量生产线的移交，可以顺利地进行批量生产移交。
再有，可以和实施形态1的变形例一样，使用实施形态5的半导体制造系统，一边在试制线上进行批量生产试制，一边在批量生产线上逐步确认该批量生产试制的重现性(后述的实施形态6、7也一样)。
具体地说，当从终端2a逐次输入试制过程中的质量信息和制法信息及在试制时生成或取得的机差改正信息时，该输入的信息被试制管理计算机10接收，并经网络20对批量生产管理计算机30发送。该发送的质量信息和制法信息被批量生产管理计算机30接收。
接收的制法信息中的制造装置用制法数据发送给制造装置7。在制造装置7中，根据接收的制法数据执行处理工序。然后，在试验/检查装置5中进行半导体装置或晶片的试验/检查。将表示半导体装置的质量的试验/检查结果数据对批量生产管理计算机30发送，由检索要求数据生成装置42判别试验/检查结果数据是否满足规定的基准。这里，当满足基准时，认为得到了批量生产试制的重现性。另一方面，当不满足基准时，便没有得到了批量生产试制的重现性。如在上述实施形态5中说明了的那样，执行用来修正质量之差的机差改正信息的检索和取得。
这样，通过以很小的延迟并行进行试制线上的批量生产试制和批量生产线上的批量生产移交(重现性确认)，可以缩短半导体装置的开发/试制和批量生产移交所要的时间。
其次，说明实施形态5的变形例。
在上述实施形态5中，说明了根据已取得的机差改正信息修正制造装置的制法数据的情况。在本实施例中，就根据已取得的机差改正信息改变制造装置设定的参数的情况进行说明。下面，以和实施形态5不同的部分为中心进行说明。
图15是用来说明实施形态5的变形例的方框图。
如图15所示，批量生产管理计算机30进而具有从存储装置33读出预先存储在存储装置33中的作为制造装置设定的参数数据的数据和由检索结果数据存储装置37存储在存储装置33中的机差改正信息、再根据机差改正信息修正参数数据的装置参数修正装置64和对制造装置7发送该修正后的参数数据(以下称‘修正参数数据’)的修正参数数据发送装置65。
此外，经网络20与批量生产管理计算机30连接的制造装置7具有接收由批量生产管理计算机30的修正参数数据发送装置65发送的修正参数数据的修正参数数据接收装置75和通过将该接收的修正参数数据存储在存储装置74去改变参数数据的参数数据变更装置76。
其次，说明机差改正信息的检索、取得和制造装置的参数变更。
当批量生产管理计算机30的检索要求数据生成装置42判别试验/检查结果数据不满足规定的基准值且生成的检索要求数据被检索要求数据接收装置35接收时，如实施形态1说明了的那样，将该接收的检索要求数据作为检索关键字，由数据检索装置36检索登录在数据库40中的机差改正信息，作为检索结果的机差改正信息由检索结果数据存储装置37存储在存储装置33中。预先存储在存储装置33中的作为制造装置7设定的参数数据的数据和由检索结果数据存储装置37存储在存储装置33中的机差改正信息由装置参数修正装置64从存储装置33中读出，并根据机差改正信息修正参数数据。修正参数数据由修正参数数据发送装置65发送给制造装置7。该发送的修正参数数据被制造装置7的修正参数接收装置75接收，该接收的修正参数数据由参数变更装置76存储在存储装置74中。因此，可以改变制造装置7设定的参数数据。
通过本变形例，即使不依靠从事新产品开发/试制的工程师和批量生产线工程师，也可以自动进行从试制线到批量生产线的移交。
实施形态6.
图16是用来说明本发明实施形态6的半导体制造系统的方框图。
如图16所示，存储机差改正信息的数据库40不像实施形态5那样与批量生产管理计算机30，而与试制管理计算机10连接。再有，批量生产管理计算机30可通过网络20访问数据库40。在本实施形态6中，需要时移交必要的机差改正信息。下面，以和实施形态不同的部分为中心进行说明。
如在实施形态2中说明的那样，试制管理计算机10的机差改正信息提供装置16具有数据库登录装置16a、检索要求数据输入接收装置16b和数据检索装置16c。此外，批量生产管理计算机30具有质量/制法信息接收装置31、质量/制法信息存储装置32、存储装置33、数据库登录装置34、检索要求数据输入接收装置35、数据检索装置36和检索结果数据存储装置37。
进而，批量生产管理计算机30如在实施形态5中已说明的那样，具有接收由试验检/查装置5发送的试验/检查结果数据的试验/检查结果数据接收装置41和判别该接收的试验/检查结果数据是否满足规定的基准并在不满足时生成检索要求数据的检索要求数据生成装置42。
进而，批量生产管理计算机30如在实施形态5中已说明的那样，具有从存储装置33读出由质量/制法信息存储装置32存储在存储装置33中的制法信息中的制法数据再将该读出的制法数据对制造装置7发送的制法数据发送装置61、读出由检索结果数据存储装置37存储在存储装置33中的机差改正信息再根据该读出的机差改正信息修正制法数据的制法修正装置62和将由该制法修正装置62修正后的制法数据(以下称‘修正制法数据’)对制造装置7发送的修正制法发送装置63。此外，批量生产管理计算机30经网络20与试验/检查装置5和制造装置7连接。关于试验/检查装置5和制造装置7，因和实施形态5一样故省略说明。
其次，说明上述半导体制造系统的动作，并详细说明使用了上述半导体制造系统的半导体装置的制造方法。
关于质量信息和制法信息的移交，因和实施形态5一样故省略说明。
质量信息和制法信息移交后，制造装置7根据移交的制法数据执行规定的处理工序。
处理执行后，和实施形态5一样，由批量生产管理计算机30的检索要求数据生成装置42判别试验/检查结果数据是否满足规定的基准，当不满足基准时，批量生产线制造的半导体装置的质量和试制品的质量不同，如以下说明的那样，检索并取得用来修正该质量的差异的机差改正信息。
首先，检索要求数据生成装置42生成检索要求数据，检索要求数据例如是产品名称或晶片ID。该生成的检索要求数据被检索要求数据接收装置35接收。
然后，如在实施形态2中说明了的那样，由检索要求数据发送装置38将该接收的检索要求数据对试制管理计算机10发送。当该发送的检索要求数据被检索要求数据接收装置16b接收时，将该接收的检索要求数据作为检索关键词，由数据检索装置16c检索已登录到数据库40中的机差改正信息，作为检索结果的机差改正信息经网络20对批量生产管理计算机30发送。这里，当登录多个机差改正信息时，例如，从新登录的信息开始由数据检索装置36按顺序检索并输出。发送的检索结果数据被检索结果数据接收装置39接收，该接收的检索结果数据由检索结果数据存储装置37存储在存储装置33中。该存储的机差改正信息由制法修正装置62读出，进而，由制法数据修正装置62根据该读出的机差改正信息去修正制法数据。修正的制法数据由修正制法数据发送装置63发送给制造装置7。该发送的修正制法数据被制造装置7的修正制法数据接收装置72接收，该接收的修正制法数据由制法数据改写装置73存储在存储装置74中。因此，制造装置7的制法数据被改写。
然后，在制造装置7中根据修正制法数据执行处理工序，在该试验/检查装置5中进行试验/检查。接着，如上所述，将试验/检查结果数据对批量生产管理计算机30发送，在批量生产管理计算机30中判别试验/检查结果数据是否满足规定的基准。当满足基准时，认为修正了上述质量的差异，从而完成批量生产移交。另一方面，当不满足基准时，再次执行机差改正信息的检索和取得。
如以上说明的那样，在本实施形态6中，当从试制线移交给批量生产线时，与质量信息和制法信息一起，移交在试制阶段生成或取得的机差改正信息。而且，当批量生产线制造的半导体装置的质量和试制品的质量不同时，从数据库40中检索并取得用来修正该质量之差的机差改正信息，并根据取得的机差改正信息去修正制造装置7的制法数据，根据修正的制法数据进行半导体装置的制造。因此，即使不依靠从事新产品开发/试制的工程师和批量生产线工程师，也可以自动进行从试制线到批量生产线的移交，可以顺利地进行批量生产移交。
其次说明实施形态6的变形例。
在上述实施形态6中，说明了根据已取得的机差改正信息修正制造装置的制法数据的情况。在本实施例中，和实施形态5的变形例一样，就根据已取得的机差改正信息改变制造装置设定的参数的情况进行说明。下面，以和实施形态6不同的部分为中心进行说明。
图17是用来说明实施形态6的变形例的方框图。
如在实施形态5的变形例中说明了的那样，批量生产管理计算机30进而具有装置参数修正装置64和修正参数数据发送装置65。此外，经网络20与批量生产管理计算机30连接的制造装置7进而具有修正参数接收装置75和参数变更装置76。
其次，说明机差改正信息的检索、取得和制造装置的参数变更。
当批量生产管理计算机30的检索要求数据生成装置42判别试验/检查结果数据不满足规定的基准值且生成的检索要求数据被检索要求数据接收装置35接收时，如实施形态2说明了的那样，由检索要求数据发送装置38将该接收的检索要求数据对试制管理计算机10发送。当该发送的检索要求数据被检索要求数据接收装置16b接收时，将该接收的检索要求数据作为检索关键字，由数据检索装置16c检索登录在数据库40中的机差改正信息，作为检索结果数据的机差改正信息经网络20对批量生产管理计算机30发送。该发送的检索结果数据被检索结果数据接收装置39接收，该接收的检索结果数据由检索结果数据存储装置37存储在存储装置33中。预先存储在存储装置33中的作为制造装置7设定的参数数据的数据和由检索结果数据存储装置37存储在存储装置33中的机差改正信息由装置参数修正装置64从存储装置33中读出，并根据机差改正信息修正参数数据。修正参数数据由修正参数数据发送装置65发送给制造装置7。该发送的修正参数数据被制造装置7的修正参数接收装置75接收，该接收的修正参数数据由参数变更装置76存储在存储装置74中。因此，可以改变制造装置7设定的参数数据。
通过本变形例，即使不依靠从事新产品开发/试制的工程师和批量生产线工程师，也可以自动进行从试制线到批量生产线的移交。可以顺利地进行批量生产移交。
实施形态7.
图18是用来说明本发明实施形态7的半导体制造系统的方框图。
如图18所示，存储机差改正信息的数据库40与和批量生产管理计算机30及试制管理计算机10都不相同的计算机、即和网络20连接的远端计算机50连接。再有，批量生产管理计算机30可通过网络20访问数据库40。在本实施形态7中，需要时移交必要的机差改正信息。下面，在本实施形态7中，以和实施形态5、6不同的部分为中心进行说明。
如在实施形态3中说明的那样，试制管理计算机10的机差改正信息提供装置16读出由机差改正信息存储装置15存储在存储装置17中的机差改正信息，再经网络20对远端计算机50发送该读出的机差改正信息。此外，远端计算机50具有数据库登录装置51、检索要求数据接收装置52、数据检索装置53和检索结果数据发送装置54。
进而，批量生产管理计算机30如在实施形态5、6中已说明的那样，具有接收由试验检/查装置5发送的试验/检查结果数据的试验/检查结果数据接收装置41和判别该接收的试验/检查结果数据是否满足规定的基准并在不满足时生成检索要求数据的检索要求数据生成装置42。
进而，批量生产管理计算机30如在实施形态5、6中已说明的那样，进而具有从存储装置33读出由质量/制法信息存储装置32存储在存储装置33中的制法信息中的制法数据再将该读出的制法数据对制造装置7发送的制法数据发送装置61、读出由检索结果数据存储装置37存储在存储装置33中的机差改正信息再根据该读出的机差改正信息修正制法数据的制法修正装置62和将由该制法修正装置62修正后的制法数据(以下称‘修正制法数据’)对制造装置7发送的修正制法发送装置63。此外，批量生产管理计算机30经网络20与试验/检查装置5和制造装置7连接。关于试验/检查装置5和制造装置7，因和实施形态5一样故省略说明。
其次，说明上述半导体制造系统的动作，并详细说明使用了上述半导体制造系统的半导体装置的制造方法。
关于质量信息和制法信息的移交，因和实施形态5一样故省略说明。
质量信息和制法信息移交后，制造装置7根据移交的制法数据执行规定的处理工序。
处理执行后，和实施形态5一样，由批量生产管理计算机30的检索要求数据生成装置42判别试验/检查结果数据是否满足规定的基准，当不满足基准时，批量生产线制造的半导体装置的质量和试制品的质量不同，如以下说明的那样，检索并取得用来修正该质量的差异的机差改正信息。
首先，检索要求数据生成装置42生成检索要求数据，检索要求数据例如是产品名称或晶片ID。该生成的检索要求数据被检索要求数据接收装置35接收。
然后，如在实施形态3中说明了的那样，由检索要求数据发送装置38经网络20将该接收的检索要求数据对远端计算机50发送。当该发送的检索要求数据经网络20被远端计算机50的检索要求数据接收装置52接收时，将该接收的检索要求数据作为检索关键词，由数据检索装置53检索已登录到数据库40中的机差改正信息，作为检索结果数据的机差改正信息由检索结果数据发送装置54经网络20对批量生产管理计算机30发送。这里，当登录多个机差改正信息时，例如，从新登录的信息开始由数据检索装置36按顺序检索并输出。作为发送的检索结果数据的机差改正信息经网络20被批量生产管理计算机30的检索结果数据接收装置39接收，该接收的机差改正信息由检索结果数据存储装置37存储在存储装置33中。该存储的机差改正信息由制法修正装置62读出，进而，由制法数据修正装置62根据该读出的机差改正信息去修正制法数据。修正的制法数据由修正制法数据发送装置63发送给制造装置7。该发送的修正制法数据被制造装置7的修正制法数据接收装置72接收，该接收的修正制法数据由制法数据改写装置73存储在存储装置74中。因此，制造装置7的制法数据被改写。
然后，在制造装置7中根据修正制法数据执行处理工序，在该试验/检查装置5中进行试验/检查。接着，如上所述，将试验/检查结果数据发送给终端4，在终端4判别试验/检查结果数据是否满足规定的基准。当满足基准时，认为修正了上述质量的差异，从而完成批量生产移交。另一方面，当不满足基准时，再次执行机差改正信息的检索和取得。
如以上说明的那样，在本实施形态7中，当从试制线移交给批量生产线时，根据需要，与质量信息和制法信息一起，移交在试制阶段生成或取得的机差改正信息。而且，当批量生产线制造的半导体装置的质量和试制品的质量不同时，从数据库40中检索并取得用来修正该质量之差的机差改正信息，并根据取得的机差改正信息去修正制造装置7的制法数据，根据修正的制法数据进行半导体装置的制造。因此，即使不依靠从事新产品开发/试制的工程师和批量生产线工程师，也可以自动进行从试制线到批量生产线的移交，可以顺利地进行批量生产移交。
其次，说明实施形态7的变形例。
在上述实施形态7中，说明了根据已取得的机差改正信息修正制造装置的制法数据的情况。在本实施例中，和实施形态5、6的变形例一样，就根据已取得的机差改正信息改变制造装置设定的参数的情况进行说明。下面，以和实施形态7不同的部分为中心进行说明。
图19是用来说明实施形态7的变形例的方框图。
如在实施形态5、6的变形例中说明了的那样，批量生产管理计算机30进而具有装置参数修正装置64和修正参数数据发送装置65。此外，经网络20与批量生产管理计算机30连接的制造装置7进而具有修正参数接收装置75和参数变更装置76。
其次，说明机差改正信息的检索、取得和制造装置的参数变更。
当批量生产管理计算机30的检索要求数据生成装置42判别试验/检查结果数据不满足规定的基准值且生成的检索要求数据被检索要求数据接收装置35接收时，如实施形态2说明了的那样，由检索要求数据发送装置38将该接收的检索要求数据对远端计算机50发送。当该发送的检索要求数据被检索要求数据接收装置52接收时，将该接收的检索要求数据作为检索关键字，由数据检索装置53检索登录在数据库40中的机差改正信息，作为检索结果数据的机差改正信息由检索结果数据发送装置54经网络20对批量生产管理计算机30发送。该发送的检索结果数据被检索结果数据接收装置39接收，该接收的检索结果数据由检索结果数据存储装置37存储在存储装置33中。预先存储在存储装置33中的作为制造装置7设定的参数数据的数据和由检索结果数据存储装置37存储在存储装置33中的机差改正信息由装置参数修正装置64从存储装置33中读出，并根据机差改正信息修正参数数据。修正参数数据由修正参数数据发送装置65发送给制造装置7。该发送的修正参数数据被制造装置7的修正参数接收装置75接收，该接收的修正参数数据由参数变更装置76存储在存储装置74中。因此，可以改变制造装置7设定的参数数据。
通过本变形例，即使不依靠从事新产品开发/试制的工程师和批量生产线工程师，也可以自动进行从试制线到批量生产线的移交。可以顺利地进行批量生产移交。
实施形态8.
图20是表示本发明实施形态8的已登录在数据库中的机差改正信息的图。
如图20所示，对机差改正信息，按像A、B、C---那样的优先顺序进行登录。该优先顺序将该机差改正信息对晶片的质量的影响程度作为基准来决定，当通过终端2a、2b、---或EES80输入机差改正信息时，将产品名称和晶片ID一起输入。
例如，在无尘室侧壁的堆积物的量多的成膜工序的情况下，有时，与堆积物的in-situ干清洗、湿清洗和伴随这些清洗的NPW有关的使用历史数据的优先顺序高。
此外，例如，在由发光监视器检测终点的蚀刻工序中，在检测该终点困难的情况下，有时，与发光监视器有关的工序监视信息的优先顺序高。
当对已登录在数据库40中的机差改正信息进行检索时，数据检索装置36、16c、53将检索要求数据作为检索关键词进行机差改正信息的检索，这时，从优先顺序高的机差改正信息开始按顺序进行检索。在像图17所示那样排列优先顺序的情况下，作为检索结果数据，数据检索装置36、16c、53输出优先顺序为A的线宽调整数据。然后，当遇到同一检索要求数据的检索要求时，输出优先顺序为B的隔离子形状调整数据。
这样，可以按照从事开发/试制的工程师设定的优先顺序，从批量生产管理计算机30中取得机差改正信息，所以，能够缩短使批量生产线制造的半导体装置的质量达到和试制品一样的时间。因此，可以顺利地进行批量生产移交和半导体装置的制造。
实施形态9.
图21是用来说明本发明实施形态9的蚀刻加工的机差改正的概念图。再有，关于机差改正信息的接收发送，因和上述实施形态5-8相同，故省略详细的说明。
如图21所示，用来决定蚀刻加工条件的数据通过EES服务器82从与蚀刻加工关联的装置(以下称‘关联装置’)发送。作为关联装置，例如，可以举出抗蚀剂膜厚测定装置84、暴光装置85、重合度(overlay)测定装置86、CD(临界尺寸)测定装置87和形状、线宽测定装置88等，这些关联装置经网络与ESS服务器连接。
各关联装置具有数据发送装置，该数据发送装置经网络对ESS服务器发送各种数据。具体地说，从抗蚀剂膜厚测定装置84发送膜厚测定数据，从暴光装置85发送Dose或offset等数据，从重合度测定装置86发送重合度测定数据，从CD测定装置87发送CD测定数据，从形状、线宽测定装置88发送形状、线宽测定数据。此外，从作为制造装置81的蚀刻装置，除了像在实施形态4中说明了的那样发送DEE数据之外，还发送表示蚀刻装置内的温度(卡盘温度、室壁温度、冷却水温度、热交换器温度等)、气体流量或高频电功率的数据。
ESS服务器82具有数据接收装置，该数据接收装置接收从关联装置发送的各种数据。此外，ESS服务器82像在实施形态4说明了的那样，根据从蚀刻装置81接收的DEE数据生成装置详细数据。进而，ESS服务器82向上述试制管理计算机10发送已接收的各种数据和已生成的装置详细数据。该发送的数据作为机差改正信息被接收装置14接收，并登录到数据库40中。该机差改正信息是例如在像使用不同的制造厂商的蚀刻装置那样存在装置间机差时用来修正因该装置间机差引起的质量的差异的信息，即，是用来得到同等质量(形状、线宽)的信息。
在使用作为批量生产线的制造装置7的蚀刻装置7进行蚀刻之后，通过使用形状、线宽测定装置5测定形状、线宽来进行质量的判断。质量的判断通过在批量生产管理计算机30中将移交的质量信息与测定结果比较来进行。当判断质量有差别时，如在上述实施形态5-8或其变形例中说明了的那样，通过根据机差改正信息进行蚀刻制法的修正或装置参数的变更，对质量的差异进行修正。例如，通过改变在制法中设定的卡盘温度或高频电功率，可以达到同等的质量(形状、线宽)。
这样，在本实施形态9中，可以取得从关联装置84-88得到的数据，可以把握包含已取得的数据的蚀刻装置的工艺条件。
其次，说明本实施形态9的变形例。
图22是用来说明本发明实施形态9的变形例的方框图。
如图22所示，在本变形例中，有效地利用EES90生成批量生产线的制造装置7的装置详细数据，将该生成的装置详细数据和作为机差改正信息的装置详细数据比较。EES90具有制造装置7和EES90服务器。和制造装置一样，EES服务器92经网络与批量生产管理计算机30连接。
制造装置7进而具有向EES92服务器发送DEE数据的DEE数据发送装置77。关于，DEE数据，因和实施形态4一样，故省略说明。
DEE服务器92具有接收由DEE数据发送装置77发送的DEE数据的DEE数据接收装置92a、从该接收的DEE数据中选择必要的DEE数据并根据选出的DEE数据生成装置详细数据、同时将该生成的装置详细数据存储在存储装置92d中的装置详细数据生成装置92b和从存储装置92d中读出该存储的装置详细数据再经网络将该读出的装置详细数据对批量生产管理计算机30发送的装置详细数据发送装置92c。
装置详细数据生成装置92b根据各阀门的动作信号将晶片移动阀门的动作信号将晶片移动时间、晶片停滞时间、从搬入室内到处理结束或搬出的时间(晶片处理状况时间)等作为装置详细数据生成。
批量生产管理计算机30进而具有经网络接收由装置详细数据发送装置92c发送的装置详细数据的装置详细数据接收装置66和将该接收的装置详细数据和作为检索结果的机差改正信息取得的装置详细数据比较的装置详细数据比较装置67。根据装置详细数据比较装置的比较结果，或者利用制法修正装置62修正制法数据，或者利用装置参数修正装置63修正参数数据。
这样，在本变形例中，可以有效地利用ESS90取得批量生产线的制造装置7的装置详细数据并通过将取得的装置详细数据和作为机差改正信息的装置详细数据比较来把握装置间的机差。通过修正制法或改变参数，可以使质量相同。通过该装置详细数据的比较，可以把握质量的差异是起因于因蚀刻装置之间的晶片温度的差引起的蚀刻速度的差。
再有，在本变形例中，是将由装置详细数据比较装置66从EES服务器92接收来的装置详细数据和作为机差改正信息的装置详细数据比较，但并不限于此，也可以与同一制造装置7以前接收的装置详细数据进行比较。由此，可以把握装置内的机差，可以在短期间内修正质量的差异。例如，可以把握质量的差异是起因于因蚀刻装置中的晶片温度的长期变化(装置内机差)引起的蚀刻速度的差。

Claims (17)

1.一种批量生产移交支持系统，是通过网路将管理在制造半导体装置的试制品的过程中生成或取得的信息的批量生产移交源管理计算机和管理半导体装置的批量生产的批量生产移交目的地管理计算机连接的批量生产移交支持系统，其特征在于，上述批量生产移交源管理计算机具有：
接收表示半导体装置的质量的质量信息的输入和用来实现该半导体装置的质量的制法信息的输入的质量/制法信息输入接收装置；
经网络对上述批量生产管理计算机发送由上述质量/制法信息接收装置接收的上述质量和制法信息的质量/制法信息发送装置；
接收修正因担任制造半导体装置的结构工序的半导体制造装置产生的机差引起的半导体装置的质量的差异的机差改正信息的输入的机差改正信息输入接收装置；
将由上述机差改正信息输入接收装置接收的上述机差改正信息存储在规定的存储装置中的机差改正信息存储装置；
从上述存储装置中读出由上述机差改正信息存储装置存储在上述存储装置中的上述机差改正信息再将其存储到上述批量生产移交目的地管理计算机可访问的数据库中的机差改正信息提供装置，
上述批量生产移交目的地管理计算机具有：
经上述网络接收由上述批量生产移交源管理计算机的上述质量/制法信息发送装置发送的上述质量和制法信息的质量/制法信息接收装置；
将由上述质量/制法信息接收装置接收的上述质量和制法信息存储在规定的存储装置中的质量和制法信息存储装置。
2.权利要求1记载的批量生产移交支持系统，其特征在于：
上述数据库与上述批量生产移交目的地管理计算机连接，
上述批量生产移交源管理计算机的上述机差改正信息提供装置从上述存储装置中读出由上述机差改正信息存储装置存储在上述存储装置中的上机差改正信息，再经网络将该读出的机差改正信息对上述批量生产移交目的地管理计算机发送，
上述批量生产移交目的地管理计算机具有：
将经上述网络接收的上述机差改正信息登录到上述数据库中的数据库登录装置；
接收规定的检索要求数据的输入的检索要求数据输入装置；
将由上述检索要求数据输入装置接收的上述检索要求数据作为检索关键词，检索存储在上述数据库中的上述机差改正信息，再输出检索结果数据的数据检索装置。
3.权利要求1记载的批量生产移交支持系统，其特征在于：
上述数据库与上述批量生产移交源管理计算机连接，
上述批量生产移交源管理计算机的上述机差改正信息提供装置具有：从上述存储装置中读出由上述机差改正信息存储装置存储在上述存储装置中的上机差改正信息，再将该读出的机差改正信息登录到上述数据库中的数据库登录装置；
当经网络接收了规定的检索要求数据时，将该接收的检索要求数据作为检索关键词，检索存储在上述数据库中的上述机差改正信息，再经上述网络对上述批量生产移交目的地管理计算机发送检索结果数据的数据检索装置，
上述批量生产移交目的地管理计算机具有：
接收上述检索要求数据的输入的检索要求数据输入装置；
经上述网络将由上述检索要求数据输入接收装置接收的上述检索要求数据对上述批量生产移交源管理计算机发送的检索要求数据发送装置；
经上述网络接收上述检索结果数据并输出该接收的检索结果数据的检索结果数据接收装置。
4.权利要求1记载的批量生产移交支持系统，其特征在于：
上述数据库经上述网络与和上述批量生产移交源管理计算机及上述批量生产移交目的地管理计算机都不同的计算机、即远端计算机连接，
上述批量生产移交源管理计算机的上述机差改正信息提供装置从上述存储装置中读出由上述机差改正信息存储装置存储在上述存储装置中的上机差改正信息，再经上述网络将该读出的机差改正信息对上述远端计算机发送，
上述远端计算机具有：
将经上述网络接收的上述机差改正信息登录到上述数据库中的数据库登录装置；
当经上述网络接收了规定的检索要求数据时，将该接收的检索要求数据作为检索关键词，检索存储在上述数据库中的上述机差改正信息，再经上述网络对上述批量生产移交目的地管理计算机发送检索结果数据的数据检索装置，
上述批量生产移交目的地管理计算机具有：
接收上述检索要求数据的输入的检索要求数据输入装置；
经上述网络将由上述检索要求数据输入接收装置接收的上述检索要求数据对上述远端计算机发送的检索要求数据发送装置；
经上述网络接收上述检索结果数据并输出该接收的检索结果数据的检索结果数据接收装置。
5.权利要求1记载的批量生产移交支持系统，其特征在于，上述批量生产移交目的地管理计算机进而具有：
接收从上述批量生产工序中得到的机差改正信息的输入的机差改正信息输入接收装置；
将由上述机差改正信息输入接收装置接收的上述机差改正信息存储在规定的存储装置中的机差改正信息存储装置；
从上述存储装置中读出由上述机差改正信息存储装置存储在上述存储装置中的上述机差改正信息再将其存储到上述批量生产移交目的地管理计算机可访问的数据库中的机差改正信息提供装置。
6.权利要求2记载的批量生产移交支持系统，其特征在于，上述批量生产移交目的地管理计算机进而具有：
接收要求登录在上述数据库的机差改正信息之外的补充机差改正信息的补充机差改正信息要求数据的输入的补充机差改正信息要求数据输入接收装置；
经上述网络将由上述补充机差改正信息要求数据输入接收装置接收的上述补充机差改正信息要求数据对上述批量生产移交源管理计算机发送的补充机差改正信息要求数据发送装置，
上述批量生产移交源管理计算机进而具有：
经上述网络接收上述补充机差改正信息要求数据的补充机差改正信息要求数据接收装置；
将上述补充机差改正信息要求数据作为检索关键词，检索存储在上述存储装置中的上述机差改正信息，经上述网络将从该检索得到的补充机差改正信息对上述批量生产移交目的地管理计算机发送的补充机差改正信息提供装置，
上述批量生产移交目的地管理计算机的上述数据库登录装置经上述网络接收上述补充机差改正信息，并将该接收的上述补充机差改正信息登录到上述数据库中。
7.权利要求6记载的批量生产移交支持系统，其特征在于：
上述批量生产移交源管理计算机进而具有追加机差改正信息输入接收装置，当存储在上述存储装置中的上述机差改正信息不包含上述补充机差改正信息时，接收上述追加机差改正信息的输入，
上述补充机差改正信息提供装置将由上述追加机差改正信息输入接收装置接收的上述追加机差改正信息对上述批量生产移交目的地管理计算机发送。
8.权利要求3记载的批量生产移交支持系统，其特征在于，上述批量生产移交目的地管理计算机进而具有：
接收要求除登录在上述数据库中的机差改正信息之外的补充机差改正信息的补充机差改正信息要求数据的输入的补充机差改正信息要求数据输入接收装置；
经上述网络将由补充机差改正信息要求数据输入接收装置接收的上述补充机差改正信息要求数据对上述批量生产移交源管理计算机发送的补充机差改正信息要求数据发送装置，
上述批量生产移交源管理计算机进而具有经上述网络接收上述补充机差改正信息要求数据的补充机差改正信息要求数据接收装置，
上述批量生产移交源管理计算机的上述数据库登录装置将上述补充机差改正信息要求数据作为检索关键词，检索存储在上述存储装置中的上述机差改正信息，并将从该检索得到的上述补充机差改正信息登录到上述数据库中。
9.权利要求8记载的批量生产移交支持系统，其特征在于：
上述批量生产移交源管理计算机进而具有追加机差改正信息输入接收装置，当存储在上述存储装置中的上述机差改正信息不包含上述补充机差改正信息时，接收上述追加机差改正信息的输入，
上述数据库登录装置将由追加机差改正信息输入接收装置接收的上述追加机差改正信息登录到上述数据库中。
10.权利要求4记载的批量生产移交支持系统，其特征在于，上述批量生产移交目的地管理计算机进而具有：
接收要求除登录在上述数据库中的机差改正信息之外的补充机差改正信息的补充机差改正信息要求数据的输入的补充机差改正信息要求数据输入接收装置；
经上述网络将由上述补充机差改正信息要求数据输入接收装置接收的上述补充机差改正信息要求数据对上述批量生产移交源管理计算机发送的补充机差改正信息要求数据发送装置，
上述批量生产移交源管理计算机进而具有：
经上述网络接收上述补充机差改正信息要求数据的补充机差改正信息要求数据接收装置；
将上述补充机差改正信息要求数据作为检索关键词，检索存储在上述存储装置中的上述机差改正信息，并将从该检索得到的上述补充机差改正信息对上述远端计算机发送的补充机差改正信息提供装置，
上述远端计算机的上述数据库登录装置经上述网络接收上述补充机差改正信息，并将该接收的上述补充机差改正信息登录到上述数据库中。
11.权利要求10记载的批量生产移交支持系统，其特征在于：
上述批量生产移交源管理计算机进而具有追加机差改正信息输入接收装置，当存储在上述存储装置中的上述机差改正信息不包含上述补充机差改正信息时，接收上述追加机差改正信息的输入，
上述补充机差改正信息提供装置将由上述追加机差改正信息输入接收装置接收的上述追加机差改正信息对上述远端计算机发送。
12.一种半导体装置的制造系统，是通过网路将管理在制造半导体装置的试制品的过程中生成或取得的信息的试制管理计算机和管理半导体装置的批量生产的批量生产管理计算机连接的半导体装置的制造系统，其特征在于，上述试制管理计算机具有：
接收表示半导体装置的质量的质量信息的输入和用来实现该半导体装置的质量的制法信息的输入的质量/制法信息输入接收装置；
经上述网络对上述批量生产管理计算机发送由上述质量/制法信息输入接收装置接收的上述质量和制法信息的质量/制法信息发送装置；
接收修正因担任制造半导体装置的主要任务的半导体制造装置产生的机差引起的半导体装置的质量的差异的机差改正信息的输入的机差改正信息输入接收装置；
将由上述机差改正信息输入接收装置接收的上述机差改正信息存储在规定的存储装置中的机差改正信息存储装置；
从上述存储装置中读出由上述机差改正信息存储装置存储在上述存储装置中的上述机差改正信息再将其存储到上述批量生产管理计算机可访问的数据库中的机差改正信息提供装置，
上述批量生产管理计算机具有：
经上述网络接收由上述质量/制法信息发送装置发送的上述质量和制法信息的质量/制法信息接收装置；
将由上述质量/制法信息接收装置接收的质量和制法信息存储在规定的存储装置中的质量/制法信息存储装置；
从上述存储装置读出由上述质量/制法信息存储装置存储在上述存储装置的制法信息中的制法数据，再将该读出的制法数据发送给上述批量生产中半导体制造装置的制法数据发送装置；
从上述存储装置读出由上述质量/制法信息存储装置存储在上述存储装置的质量信息，再将该读出的质量信息和由上述批量生产阶段的半导体制造装置制造的半导体装置的质量比较，当相差时生成检索要求数据的检索要求数据生成装置；
将由上述检索要求数据生成装置生成的上述检索要求数据作为检索关键词，检索存储在上述数据库中的上述机差改正信息，并取得检索结果数据的检索结果数据取得装置；
根据由检索结果数据取得装置取得的上述检索结果数据修正上述制法数据的制法数据修正装置；
将由上述制法数据修正装置修正了的制法数据发送给上述批量生产阶段的半导体制造装置的修正制法数据发送装置，
上述批量生产阶段的半导体制造装置具有：接收由上述修正制法数据发送装置发送的制法数据的修正制法数据接收装置；
通过将由上述修正制法数据接收装置接收的制法数据存储在规定的存储装置中去改写该半导体制造装置的制法数据的制法数据改写装置。
13.权利要求12记载的半导体制造系统，其特征在于：
上述批量生产管理计算机进而具有接收由上述批量生产阶段的半导体试验/检查装置发送的试验/检查结果的试验/检查结果接收装置，
上述检索要求数据生成装置将从上述存储装置读出的质量信息和由上述试验/检查结果接收装置接收的试验/检查结果比较，再生成上述检索要求数据。
14.权利要求12或13记载的半导体制造系统，其特征在于，上述批量生产管理计算机进而具有：
根据由上述检索结果数据取得装置取得的上述检索结果数据修正上述批量生产阶段的半导体制造装置用的参数数据的装置参数修正装置；
向上述批量生产阶段的半导体制造装置发送由上述装置参数修正装置修正后的参数数据的修正参数发送装置，
上述批量生产阶段的半导体制造装置进而具有：
接收由上述修正参数发送装置发送的参数数据的修正参数接收装置；
通过将由上述修正参数发送装置接收的参数数据存储在上述存储装置中去改变该半导体制造装置的参数数据的参数数据变更装置。
15.权利要求12或13记载的半导体制造系统，其特征在于：
进而具有经网络和上述试制管理计算机连接并生成机差改正信息的机差改正信息生成装置，
上述机差改正信息生成装置具有：
接收试制阶段的半导体制造装置的详细事件数据的事件数据接收装置；
根据由上述事件数据接收装置接收的详细事件数据生成装置详细数据的装置详细数据生成装置；
将由上述装置详细数据生成装置生成装置详细数据对上述试制管理计算机发送的装置详细数据发送装置，
上述试制管理计算机的上述机差改正信息输入接收装置接收由上述装置详细数据发送装置发送的装置详细数据，并将该接收的装置详细数据作为机差改正信息接收。
16.权利要求12或13记载的半导体制造系统，其特征在于：
上述试制管理计算机的上述机差改正信息输入接收装置和上述机差改正信息一起接收产品名称或晶片ID，
上述试制管理计算机的上述机差改正信息提供装置按照上述机差改正信息输入接收装置接收的产品名称和晶片ID将上述机差改正信息存储到上述数据库中，
上述批量生产管理计算机的上述检索要求数据生成装置将上述产品名称或晶片ID作为上述检索要求数据生成。
17.权利要求16记载的半导体制造系统，其特征在于：
上述试制管理计算机的上述机差改正信息输入接收装置进而和上述产品名称或晶片ID一起接收该机差改正信息的优先顺序的输入，
上述试制管理计算机的上述机差改正信息提供装置与上述机差改正信息输入接收装置接收的优先顺序相关联将上述机差改正信息存储到上述数据库中。
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