CN1637533A - 光传感元件、具有其的阵列衬底及液晶显示装置 - Google Patents

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Abstract

公开了一种具有简化结构的光传感元件，一种具有该光传感元件的阵列衬底和一种具有该光传感元件的LCD装置；该光传感元件包括第一电极、控制电极和第二电极。向第一电极施加交变的偏压。向控制电极施加截止电压。第二电极根据外部提供的光和偏压输出光致泄漏电流。因此，阵列衬底包括对应于一个像素的一个光传感开关元件，从而简化了阵列衬底的结构并且提高了开口率。

Description

光传感元件、具有其的阵列衬底及液晶显示装置
技术领域
本发明涉及一种光传感元件、具有该光传感元件的阵列衬底以及具有该光传感元件的液晶显示(LCD)装置。更具体地，本发明涉及一种具有简单结构和改善的开口率的光传感元件、具有该光传感元件的阵列衬底以及具有该光传感元件的LCD装置。
背景技术
通常，光传感元件探测从外部向电子装置提供的光，以判断光入射的位置。一种具有光传感元件的液晶显示(LCD)装置由Willem den Boer等公开于56.3 Society for Information Display(SID)上，其标题为“Active Matrix LCDwith Integrated Optical Touch Screen”。多个光传感元件设置为矩阵状，以产生与外部提供的光的位置对应的位置信息。这些光传感元件可以感应指纹。接触面板也可包括这些光传感元件。
LCD面板包括光传感元件以感应光。这些光传感元件可形成在LCD面板的阵列衬底上。
阵列衬底的像素区域并不小，以致光传感元件可能在阵列衬底上没有足够的空间。当透射式LCD装置或反射-透射式LCD装置包括光传感元件时，LCD装置的开口率将下降。此外，增加了形成在阵列衬底像素区域中的大量元件，从而阵列衬底的结构很复杂，因此降低了LCD装置的产量。更进一步，在像素区域中的元件之间会产生信号干扰。
本发明的目的是为了克服现有技术的上述问题和缺点。
发明内容
本发明提供一种具有简单结构并且使LCD装置的开口率得以改善的光传感元件。
本发明也提供一种具有上述光传感元件的阵列衬底。
本发明也提供一种具有上述光传感元件的LCD装置。
根据本发明特征的光传感元件包括：第一电极、控制电极和第二电极。向第一电极施加交变的偏压。向控制电极施加截止电压。第二电极根据外部提供的光和偏压输出光致泄漏电流。
根据本发明另一特征的光传感元件包括：第一电极、控制电极和第二电极。向第一电极施加交变的偏压。第二电极电性连接到控制电极，并根据外部提供的光和偏压输出光致泄漏电流。
根据本发明又一特征的光传感元件包括：第一电极、控制电极和第二电极。向第一电极施加交变的偏压。控制电极电性连接到第一电极。第二电极根据外部提供的光和偏压输出光致泄漏电流。
根据本发明特征的阵列衬底包括：透明衬底、多条栅极线、多条数据线、开关元件、多条读出线和光传感元件。栅极信号通过设置在透明衬底上的栅极线传输。数据信号通过设置在透明衬底上的数据线传输。开关元件形成在由栅极线和数据线限定的区域内。该开关元件的栅电极电性连接到栅极线中的一条，该开关元件的源电极电性连接到数据线中的一条。光传感元件形成在由栅极线、数据线和读出线限定的区域内。该光传感元件包括：接收交变的偏压的第一电极、接收截止电压的控制电极和第二电极。第二电极根据外部提供的光和偏压将光致泄漏电流示出至读出线之一。读出线设置在透明衬底上。
根据本发明另一特征的阵列衬底包括：透明衬底、多条栅极线、多条数据线、开关元件、多条读出线和光传感元件。栅极信号通过设置在透明衬底上栅极线传输。数据信号通过设置在透明衬底上的数据线传输。开关元件形成在由栅极线和数据线限定的区域内。该开关元件的栅电极电性连接到栅极线中的一条，该开关元件的源电极电性连接到数据线中的一条。光传感元件形成在由栅极线、数据线和读出线限定的区域内。该光传感元件包括：接收交变的偏压的第一电极、控制电极和电性连接到控制电极的第二电极。第二电极根据外部提供的光和偏压将光致泄漏电流输出至读出线之一。读出线设置在透明衬底上。
根据本发明又一特征的阵列衬底包括：透明衬底、多条栅极线、多条数据线、开关元件、多条读出线和光传感元件。栅极信号通过设置在透明衬底上的栅极线传输。数据信号通过设置在透明衬底上的数据线传输。开关元件形成在由栅极线和数据线限定的区域内。该开关元件的栅电极电性连接至栅极线中的一条，该开关元件的源电极电性连接到数据线中的一条。光传感元件形成在由栅极线、数据线和读出线限定的区域内。该光传感元件包括：接收交变的偏压的第一电极、电性连接到第一电极的控制电极和第二电极。第二电极根据外部提供的光和偏压将光致泄漏电流输出至读出线之一。读出线设置在透明衬底上。
根据本发明特征的LCD装置包括：上衬底、与上衬底对应的下衬底和液晶层。下衬底包括形成在由栅极线、数据线和读出线限定的区域内的光传感元件。该光传感元件具有：接收交变的偏压的第一电极、接收截止电压的控制电极以及根据外部提供的光和偏压将光致泄漏电流输出到读出线之一的第二电极。液晶层置于上、下衬底之间。
根据本发明的另一特征的LCD装置包括：上衬底、与上衬底对应的下衬底和液晶层。下衬底包括形成在由栅极线、数据线和读出线限定的区域内的光传感元件。该光传感元件具有：接收交变的偏压的第一电极、控制电极和电性连接到控制电极的第二电极。该第二电极根据外部提供的光和偏压将光致泄漏电流输出到读出线之一。液晶层置于上、下衬底之间。
依照本发明又一特征的LCD装置包括：上衬底、与上衬底对应的下衬底和液晶层。下衬底包括形成在由栅极线、数据线和读出线限定的区域内的光传感元件。该光传感元件具有：接收交变的偏压的第一电极、电性连接到第一电极的控制电极和第二电极。该第二电极根据外部提供的光和偏压将光致泄漏电流输出到读出线之一。液晶层置于上、下衬底之间。
偏压在第一电平和不同于第一电平的第二电平之间交变。第二电平可具有与第一电平相同或相反的极性。
因此，LCD面板包括对应于与一个像素的一个光传感薄膜晶体管(TFT)，从而简化了LCD面板的结构并提高了开口率。
附图说明
通过参照附图对本发明的示例性实施例进行详细描述，本发明的上述和其他优点将变得更清楚，其中：
图1是示出根据本发明示例性实施例的阵列衬底的光传感元件的电路图；
图2是示出根据本发明另一示例性实施例的光传感元件的平面图；
图3是示出根据本发明另一个示例性实施例的阵列衬底的平面图；
图4是沿图3的I-I′线的剖面图；
图5A至5E是示出根据本发明另一示例性实施例的阵列衬底的制造方法的平面图；
图6是示出根据本发明另一示例性实施例的光传感元件的电路图；
图7是示出根据本发明另一示例性实施例的阵列衬底的平面图；
图8A至8E是示出根据本发明另一示例性实施例的阵列衬底的制造方法的平面图；
图9是示出根据本发明另一示例性实施例的光传感元件的电路图；
图10是示出根据本发明另一示例性实施例的阵列衬底的平面图；
图11A至11E是示出根据本发明另一示例性实施例的阵列衬底的制造方法的平面图；以及
图12是示出根据本发明另一示例性实施例的光传感元件的电路图。
具体实施方式
下面，将参照附图对本发明进行详细描述。
图1是示出根据本发明示例性实施例的LCD面板的光传感元件的电路图。光传感元件设置在LCD面板的像素区域中。
参照图1，LCD面板包括栅极线GL、数据线DL、电性连接到栅极线GL和数据线DL的第一开关元件Q1、电性连接到第一开关元件Q1的液晶电容CLC以及第一存储电容CST1。LCD面板可以包括多个栅极线GL、多个数据线DL、多个第一开关元件Q1、多个液晶电容CLC以及多个第一存储电容CST1。LCD面板还包括：第一电源线VL1；第二电源线VL2；第二开关元件TS1，其感应外部提供的光的量以根据外部提供的光形成电流；第二存储电容CST2，其存储由从第二开关元件TS1向第二存储电容CST2施加的电流形成的电荷；第三开关元件TS2，其输出存储在第二存储电容CST2中的电荷；以及读出线ROL。LCD面板也可以包括多个第一电源线VL1、多个第二电源线VL2、多个第二开关元件TS1、多个第二存储电容CST2、多个第三开关元件TS2和多个读出线ROL。各个第二开关元件TS1、各个第二存储电容CST2和各个第三开关元件TS2形成光传感部件。
光传感部件的功能如下。首先，当外部提供的光入射到第二开关元件TS1时，分别向第二电源线VL2和第一电源线VL1施加负电压和正电压，以关断第二开关元件TS1。第二电源线VL2和第一电源线VL1分别电性连接到第二开关元件TS1的栅电极和漏电极。对应于其上入射外部提供的光的第二开关元件TS1的光致泄漏电流大于对应于第三开关元件TS2的光致泄漏电流。
由光致泄漏电流形成的电荷存储在第二存储电容CST2中，而关断第三开关元件TS2。电荷存储在第二存储电容CST2中直到导通第三开关元件TS2。
当向电性连接至第三开关元件TS2的栅电极的下一栅极线GQ+1施加具有高电平的栅极信号时，存储在第二存储电容CST2中的电荷通过第三开关元件TS2和读出线ROL输出到读出电路(未示出)。
在本实施例中，LCD面板包括光传感元件以感应光。光传感元件可以形成在LCD面板的阵列衬底上。然而，用于感应光的两个薄膜晶体管(TFT)和一个电容形成在阵列衬底的一个像素区域中，从而该阵列衬底的结构可能很复杂。
图2是示出根据本发明另一示例性实施例的光传感元件的平面图。
参照图2，具有光传感元件的LCD装置包括栅极线GL、数据线DL、第一开关元件Q1、液晶电容CLC、存储电容CST、第一电压线VL1、第二电压线VL2、第二开关元件Q2和读出线ROL。LCD装置可以包括多个栅极线GL、多个数据线DL、多个第一开关元件Q1、多个液晶电容CLC、多个存储电容CST、多个第一电压线VL1、多个第二电压线VL2、多个第二开关元件Q2和多个读出线ROL。
栅极线GL相对LCD装置在纵向方向上延伸，栅极信号GQ通过栅极线GL传输到第一开关元件Q1。数据线DL相对LCD装置在垂直方向上延伸，数据信号DP通过数据线DL传输到第一开关元件Q1。
第一开关元件Q1形成在由彼此相邻的栅极线GL和数据线DL限定的区域中。第一开关元件Q1的第一源电极电性连接到数据线DL，第一开关元件Q1的第一栅电极电性连接到栅极线GL。当通过栅极线GL向第一开关元件Q1施加具有高电平的栅极信号GQ时，第一开关元件Q1通过其第一漏电极将数据信号DP输出到液晶电容CLC和存储电容CST。
液晶电容CLC的第一接头电性连接到第一开关元件Q1的第一漏电极，并向液晶电容CLC的第二接头施加公共电压VCOM。从第一漏电极输出的数据信号DP存入液晶电容CLC中。
存储电容CST的第一接头电性连接到第一开关元件Q1的第一漏电极，并向存储电容CST的第二接头施加存储电压VST。当从第一漏电极输出的数据信号DP被存储到存储电容CST并且关断第一开关元件Q1时，存储在液晶电容CLC中的电荷放电，从而向液晶电容CLC施加所存储的电荷。
第一电压线VL1在纵向方向上延伸以将第一电压施加到第二开关元件Q2。第一电压是从外部向光传感元件提供的。第二电压线VL2在纵向方向上延伸以将第二电压施加到第二开关元件Q2。第二电压可以是从外部向光传感元件施加的。第一电压可以为偏压VDD，第二电压可以为截止电平电压VOFF。截止电平电压VOFF可以为偏压VDD的最小值。
第二开关元件Q2形成在由彼此相邻的传输偏压VDD的第一电压线VL1、传输截止电平电压VOFF的第二电压线VL2和读出线ROL限定的区域内。第二开关元件Q2的第二源电极电性连接到第一电压线VL1，第二开关元件Q2的第二栅电极电性连接到第二电压线VL2。当光入射到第二开关元件Q2时，在第二开关元件Q2的第二源电极和第二漏电极之间形成沟道，从而光致泄漏电流通过第二开关元件Q2的第二漏电极流入读出线ROL。光致泄漏电流是对应于预定位置的光传感信号。
读出线ROL在垂直方向上延伸，并将其为光致泄漏电流的光传感信号从第二开关元件Q2的第二漏电极输出到驱动集成电路中(未示出)。
当截止电平电压VOFF、偏压VDD和光分别施加到第二开关元件Q2的第二栅电极、第二开关元件Q2的源电极以及第二开关元件Q2的第二源电极和第二漏电极之间的区域时，光传感信号通过第二开关元件Q2的第二漏电极输出到读出线ROL上。
例如，当没有光入射到第二开关元件Q2的第二源电极和第二漏电极之间的空间时，即使将在约-7.5V和约15V之间交变的偏压VDD施加到第二开关元件Q2的第二源电极上，光致泄漏电流也不会在第二开关元件Q2的第二源电极和第二漏电极之间流动。
当光入射到第二开关元件Q2的第二源电极和第二漏电极之间的空间，并且将在约-7.5V和约15V之间交变的偏压VDD施加到第二开关元件Q2的第二源电极时，光致泄漏电流在第二开关元件Q2的第二源电极和第二漏电极之间流动，从而光致泄漏电流流经读出线ROL，因此形成光传感信号。电性连接到读出线端部的读出集成电路(未示出)根据光传感信号生成位置信息。
当光传感信号的电平较弱时，可以在读出线和读出集成电路(未示出)之间设置附加的放大器或噪声滤波器。
第一电压线VL1、第二电压线VL2、第二开关元件Q2和读出线ROL可以形成于附加板上，以构成图案识别面板。图案识别面板可以感应指纹。接触面板也可以包括该图案识别面板。
图3是示出根据本发明另一示例性实施例的阵列衬底的平面图，图4是沿图3的I-I′线的剖面图。
参照图3和图4，阵列衬底包括透明衬底105、栅极线112、数据线122、第一开关元件Q1、存储电容CST、第一电压线114、第二开关元件Q2、读出线126、像素电极160和限定反射区域和开放窗口134的反射片170。阵列衬底可以包括多个栅极线112、多个数据线122、多个第一开关元件Q1、多个存储电容CST、多个第一电压线114、多个第二开关元件Q2、多个读出线126、多个像素电极160和多个反射片170。
栅极线112在纵向方向上延伸，并在垂直方向上排列。数据线122在垂直方向上延伸，并在纵向方向上排列。彼此相邻的栅极线112和数据线122限定多个区域。
各个栅极线112和各个数据线122都设置在透明衬底上。第一开关元件Q1形成在由栅极线112和数据线122限定的区域之一中。第一开关元件Q1包括电性连接到栅极线112的第一栅电极113、电性连接到数据线122的第一源电极123以及与第一源电极123相间隔的第一漏电极124。第一栅电极113设置在第一源电极123和第一漏电极124之间，并与第一源电极123和第一漏电极124电绝缘。
存储电容CST包括由与栅极线112相同的层形成的第一存储线114和由与数据线122相同的层形成的第一漏电极124。
第一电压线114和第二电压线118设置在透明衬底上。第一和第二电压线114和118在纵向方向上延伸，并在垂直方向上排列。
读出线126设置在透明衬底上。读出线126基本上平行于数据线122延伸，并在纵向方向上排列。
第二开关元件Q2包括与第一电压线114电性连接的第二栅电极，与读出线126电性连接的第二漏电极和与读出线126间隔的第二源电极。
像素电极160包括氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)等。像素电极160设置在由彼此相邻的栅极线112和数据线122限定的区域内。像素电极160通过第一孔132电性连接到第一漏电极124。
反射片170形成在像素电极160上以限定反射外部提供的光的反射区域和开放窗口134。人工光穿过开放窗口134。反射片170包括与第二开关元件Q2对应的第二孔136，从而外部提供的光入射到第二源电极和第二漏电极之间的空间。
图5A至5E是示出根据本发明另一示例性实施例的阵列衬底的制造方法的平面图。
参照图3和5A，诸如钽(o)、钛(Ti)、钼(Mo)、铝(Al)、铬(Cr)、铜(Cu)、钨(W)等的金属沉积在透明衬底105上。所沉积的金属被构成图案以形成栅极线112、第一栅电极113、存储线114、第一电压线116、第二栅电极117和第二电压线118。
栅极线112在纵向方向上延伸，并在垂直方向上排列。第一栅电极113电性连接到栅极线112。存储线114、第一电压线116和第二电压线118基本上平行于栅极线112排列。第二栅电极117与第一电压线116电性连接。
氮化硅(SiNx)沉积在具有栅电极113的透明衬底105上。氮化硅(SiNx)可以通过等离子增强化学气相沉积法(PECVD)沉积。无定形硅层和就地(in-situ)注入N+掺杂剂的N+无定形硅层(N+amorphous silicon layer)形成在栅绝缘层119上。无定形硅层和N+无定形硅层被构成图案以在栅绝缘层119上形成对应于第一栅电极113和第二栅电极117的第一有源层117c和第二有源层117d。第一和第二有源层117c和117d包括半导体层117a和欧姆接触层117b。部分去除与第二电压线118对应的栅绝缘层119以形成第四孔119a。
栅绝缘层119可以设置成覆盖在透明衬底105的整个表面上。或者，栅绝缘层119也可以设置在栅极线112和栅电极113上。
参照图5B，诸如钽(Ta)、钛(Ti)、钼(Mo)、铝(Al)、铬(Cr)、铜(Cu)、钨(W)等的金属沉积在具有栅绝缘层119的透明衬底105上。
所沉积的金属被构成图案以形成数据线122、第一源电极123、第一漏电极124、读出线126、第二漏电极127和第二源电极128。第一漏电极124与电容线114部分交叠以形成存储电容CST。
数据线122在垂直方向上延伸，并在纵向方向上排列。第一源电极123与数据线122电性连接。第一漏电极124与第一源电极123相间隔。
读出线126在垂直方向上延伸，并在纵向方向上排列。第二漏电极127与读出线126电性连接。第二源电极128与第二漏电极127相间隔，并且通过第四孔119a与第二电压线118电性连接。
参照图5C，将具有光致抗蚀剂的有机材料涂覆在具有数据线122、第一源电极123、第一漏电极124、读出线126、第二漏电极127和第二源电极128的透明衬底105上以形成有机绝缘层130。或者，可以通过旋涂工艺将有机材料涂覆在透明衬底105上。部分去除对应于由栅极线112和数据线122确定的像素的有机绝缘层130，以形成第一孔132、开放窗口134和第二孔136。第一漏电极124通过第一孔132被部分暴露。透明衬底105或栅绝缘层119通过开放窗口134被部分暴露。对应于第二栅电极117的半导体层117a通过第二孔136被部分暴露。
参照图5D，在具有第一孔132、开放窗口134和第二孔136的有机绝缘层130上形成多个凹陷142和凸起144，以形成浮凸图案146。在具有浮凸图案146的有机绝缘层130上形成钝化层150。反射片170的反射率通过浮凸图案146而得以改善。或者，也可以省略浮凸图案146。
参照图5E，像素电极160形成在钝化层150上。像素电极160通过第一孔132与第一漏电极124电性连接。将ITO涂覆在钝化层150上并构成图案，以形成像素电极160。或者，像素电极160可以通过直接构成图案而形成。像素电极160与数据线122和栅极线112相间隔。或者，像素电极160可以部分地与数据线122或栅极线112重叠。
反射片170形成在像素电极160的部分上以完成阵列衬底。反射片170限定开放窗口134。打开与第二孔136对应的反射片170，以使外部提供的光入射到第二漏电极127和第二源电极128之间的空间。用于使液晶定向的定向层(未示出)形成在反射片170上。
反射片170可以形成在对应于像素的有机绝缘层130上。或者，反射片170也可以形成在有机绝缘层130的整个表面上。
图6是示出根据本发明另一示例性实施例的光传感元件的电路图。除了第二电压线和第二开关元件之外，图6所示的光传感元件与图2所示的相同。因此，同样的附图标记用于表示与图2中相同或相似的部件，并省略进一步的说明。
参照图6，具有光传感元件的LCD面板包括栅极线GL、数据线DL、第一开关元件Q1、液晶电容CLC、存储电容CST、第一电压线VL1、第二开关元件Q2和读出线ROL。LCD面板可以包括多个栅极线GL、多个数据线DL、多个第一开关元件Q1、多个液晶电容CLC、多个存储电容CST、多个第一电压线VL1、多个第二开关元件Q2和多个读出线ROL。
栅极线GL在纵向方向上延伸，并且栅极信号GQ通过栅极线GL传输到第一开关元件Q1。数据线DL在垂直方向上延伸，并且数据信号DP通过数据线DL传输到第一开关元件Q1。
开关元件Q1形成在由彼此相邻的栅极线GL和数据线DL限定的区域内。第一开关元件Q1的第一源电极与数据线DL电性连接，第一开关元件的第一栅电极与栅极线GL电性连接。当向第一开关元件Q1施加具有高电平的栅极信号GQ时，第一开关元件Q1导通，从而数据信号通过第一开关元件Q1的第一漏电极输出到液晶电容CLC和存储电容CST。
液晶电容CLC的第一接头电性连接到第一开关元件Q1的第一漏电极，并且向液晶电容CLC的第二接头施加公共电压VCOM。从第一开关元件Q1的第一漏电极输出的数据信号DP存入液晶电容CLC中。
存储电容CST的第一接头电性连接到第一开关元件Q1的第一漏电极。向存储电容CST的第二接头施加存储电压VST。当从第一漏电极输出的数据信号DP存储到存储电容CST并且关断第一开关元件Q1时，存储在液晶电容CLC中的电荷放电，从而存储电荷被施加到液晶电容CLC。
第一电压线VL1在纵向方向上延伸，以向第二开关元件Q2施加偏压VDD。偏压VDD是从外部向光传感元件施加的。
第二开关元件Q2形成在由彼此相邻的第一电压线VL1和读出线ROL限定的区域内。第二开关元件Q2的第二源电极电性连接到第一电压线VL1，第二开关元件Q2的第二栅电极电性连接到第二开关元件Q2的第二漏电极和读出线ROL。当光入射到第二开关元件Q2时，在第二开关元件Q2的第二源电极和第二漏电极之间形成沟道，从而光致泄漏电流通过第二开关元件Q2的第二漏电极流入读出线ROL。光致泄漏电流是对应于预定位置的光传感信号。
读出线ROL在垂直方向上延伸，并将其为光致泄漏电流的光传感信号从第二开关元件Q2的第二漏电极输出到驱动集成电路(未示出)。
在运行中，当偏压VDD和光分别施加到第二开关元件Q2的第二源电极以及第二开关元件Q2的第二源电极和第二漏电极之间的区域上时，光传感信号通过第二开关元件Q2的第二漏电极输出到读出线ROL。
例如，当没有光入射到第二开关元件Q2的第二源电极和第二漏电极之间的空间时，即使将在约-7.5V和约15V之间交变的偏压VDD施加到第二开关元件Q2的第二源电极上，光致泄漏电流也不会在第二开关元件Q2的第二源电极和第二漏电极之间流动。
当光入射到第二开关元件Q2的第二源电极和第二漏电极之间的空间，并且将在约-7.5V和约15V之间交变的偏压VDD施加到第二开关元件Q2的第二源电极上时，光致泄漏电流在第二开关元件Q2的第二源电极和第二漏电极之间流动，从而光致泄漏电流流经读出线ROL，因此形成光传感信号。电性连接至读出线端部的读出集成电路(未示出)根据光传感信号生成位置信息。或者，可以省略第二电压线VL2以增加LCD装置的开口率。
当光传感信号的电平较弱时，可以在读出线和读出集成电路(未示出)之间设置附加的放大器或噪声滤波器。
或者，第一电压线VL1、第二开关元件Q2和读出线ROL可以形成在一个附加板上以形成图案识别面板。图案识别面板可以感应指纹。接触面板也可以包括该图案识别面板。
图7是示出根据本发明另一示例性实施例的阵列衬底的平面图。除了第二电压线和第二开关元件之外，图7所示的阵列衬底与图3所示的相同。因此，同样的附图标记用于表示与图3中相同或相似的部件，并省略进一步的说明。
参照图7，阵列衬底包括透明衬底、栅极线212、数据线222、与栅极线212和数据线222电性连接的第一开关元件Q1、存储电容CST、第一电压线218、第二开关元件Q2、读出线226、像素电极260和限定反射区域和开放窗口234的反射片270。阵列衬底可以包括多个栅极线212、多个数据线222、多个第一开关元件Q1、多个存储电容CST、多个第一电压线218、多个第二开关元件Q2、多个读出线226、多个像素电极260和多个反射片270。
栅极线212在纵向方向上延伸，并在垂直方向上排列。数据线222在垂直方向上延伸，并在纵向方向上排列。栅极线212和数据线222限定多个区域。
各个栅极线212和各个数据线222都设置在透明衬底上。第一开关元件Q1形成在由彼此相邻的栅极线212和数据线222限定的区域内。第一开关元件Q1包括电性连接到栅极线212的第一栅电极213、电性连接到数据线222的第一源电极223和与第一源电极223相间隔的第一漏电极224。第一栅电极213设置在第一源电极223和第一漏电极224之间，并与第一源电极223和第一漏电极224电绝缘。
存储电容CST包括由与栅极线212相同的层形成的第一存储线214和由与数据线222相同的层形成的第一漏电极224。
第一电压线218设置在透明衬底上。第一电压线218在纵向方向上延伸，并在垂直方向上排列。
读出线226设置在透明衬底上。读出线226基本上平行于数据线222延伸，并在纵向方向上排列。
第二开关元件Q2包括第二栅电极、与读出线226电性连接的第二漏电极和与读出线226相间隔的第二源电极。第二栅电极217通过接触孔与第二漏电极227电性连接。
像素电极260包括诸如氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)等的透明导体材料。像素电极260设置在由彼此相邻的栅极线212和数据线222限定的区域内。像素电极260通过第一孔232与第一漏电极224电性连接，从而像素电极260电性连接到第一漏电极224。
反射片270形成在像素电极260上以限定反射外部提供的光的反射区域和开放窗口234。人工光穿过开放窗口234。反射片270包括与第二开关元件Q2对应的第二孔236，从而外部提供的光入射到第二源电极和第二漏电极之间的空间。
图8A至8E是示出根据本发明另一示例性实施例的阵列衬底的制造方法的平面图。
参照图7和8A，诸如钽(Ta)、钛(Ti)、钼(Mo)、铝(Al)、铬(Cr)、铜(Cu)、钨(W)等的金属沉积在由玻璃或陶瓷构成的透明衬底上。所沉积的金属被构成图案以形成栅极线212、第一栅电极213、存储线214、第一电压线218和第二栅电极217。
栅极线212在纵向方向上延伸，并在垂直方向上排列。第一栅电极213与栅极线212电性连接。存储线214和第一电压线218基本上平行于栅极线212排列。第二栅电极217与第一电压线218相间隔。
氮化硅(SiNx)沉积在具有栅电极213的透明衬底上。氮化硅(SiNx)可以通过等离子增强化学气相沉积法沉积。无定形硅层和就地注入N+掺杂剂的N+无定形硅层形成在栅绝缘层(未示出)上。无定形硅层和N+无定形硅层被构成图案以在栅绝缘层(未示出)上形成分别对应于第一栅电极213和第二栅电极217的第一有源层217c和第二有源层217d。部分去除对应于第一电压线218的栅绝缘层(未示出)以形成第四孔219a。第一电压线218通过第四孔219a被部分暴露。
栅绝缘层(未示出)可以设置在透明衬底的整个表面上。或者，栅绝缘层(未示出)也可以设置在栅极线212和栅电极213上。
参照图8B，诸如钽(Ta)、钛(Ti)、钼(Mo)、铝(Al)、铬(Cr)、铜(Cu)、钨(W)等的金属沉积在具有栅绝缘层(未示出)的透明衬底上。
所沉积的金属被构成图案以形成数据线222、第一源电极223、第一漏电极224、读出线226、第二漏电极227和第二源电极228。第一漏电极224部分地与电容线214重叠以形成存储电容CST。
数据线222在垂直方向上延伸，并在纵向方向上排列。第一源电极223与数据线222电性连接。第一漏电极224与第一源电极223相间隔。
读出线226在垂直方向上延伸，并在纵向方向上排列。第二漏电极227与读出线226电性连接。第二源电极228与第二漏电极227相间隔，并通过第四孔219a与第二电压线218电性连接。
参照图8C，将具有光致抗蚀剂的有机材料涂覆在具有数据线222、第一源电极223、第一漏电极224、读出线226、第二漏电极227和第二源电极228的透明衬底上，以形成有机绝缘层(未示出)。或者，可以通过旋涂工艺将有机材料涂覆在透明衬底上。部分去除对应于由栅极线212和数据线222确定的像素的有机绝缘层(未示出)，以形成第一孔232、开放窗口234和第二孔236。第一漏电极224通过第一孔232被部分暴露。透明衬底或栅绝缘层(未示出)通过开放窗口234被部分暴露。第二有源层217d通过第二孔236被部分暴露。外部提供的光可以通过第二孔236入射到第二有源层217d上。
参照图8D，在具有第一孔232、开放窗口234和第二孔236的有机绝缘层(未示出)上形成多个凹陷242和凸起244，以构成浮凸图案246。在具有浮凸图案246的有机绝缘层(未示出)上形成钝化层。反射片270的反射率通过浮凸图案246而得以改善。或者，也可省略浮凸图案246。
参照图8E，像素电极260形成在钝化层上。像素电极260通过第一孔232与第一漏电极224电性连接。可以通过在钝化层上涂覆ITO并对所涂覆的ITO构成图案而形成像素电极260。或者，像素电极260也可以通过直接构成图案而形成。像素电极260与数据线222和栅极线212相间隔。或者，像素电极260可以与数据线222或栅极线212部分重叠。
反射片270形成在像素电极260的部分上以完成阵列衬底。反射片270限定开放窗口234。打开与第二孔236对应的反射片270，以使外部提供的光入射到第二漏电极227和第二源电极228之间的空间。用于使液晶定向的定向层(未示出)形成在反射片270上。
反射片270可以形成在对应于像素的有机绝缘层(未示出)上。或者，反射片270也可以形成在有机绝缘层(未示出)的整个表面上。
图9是示出根据本发明另一示例性实施例的光传感元件的电路图。除了第二电压线和第二开关元件之外，图9所示的光传感元件与图2所示的相同。因此，同样的附图标记用于表示与图2中相同或相似的部件，并省略进一步的说明。
参照图9，具有光传感元件的LCD面板包括栅极线GL、数据线DL、第一开关元件Q1、液晶电容CLC、存储电容CST、第二开关元件Q2和读出线ROL。LCD面板可以包括多个栅极线GL和GL+1、多个数据线DL、多个第一开关元件Q1、多个液晶电容CLC、多个存储电容CST、多个第二开关元件Q2和多个读出线ROL。
栅极线GL在纵向方向上延伸，并且栅极信号GQ通过栅极线GL传输到第一开关元件Q1。数据线DL在垂直方向上延伸，并且数据信号DP通过数据线DL传输到第一开关元件Q1。
开关元件Q1形成在由彼此相邻的栅极线GL和数据线DL限定的区域内。第一开关元件Q1的第一源电极与数据线DL电性连接，第一开关元件Q1的第一栅电极与栅极线GL电性连接。当向第一开关元件Q1施加具有高电平的栅极信号GQ时，第一开关元件Q1导通，从而数据信号通过第一开关元件Q1的第一漏电极输出到液晶电容CLC和存储电容CST。
液晶电容CLC的第一接头电性连接到第一开关元件Q1的第一漏电极，并且向液晶电容CLC的第二接头施加公共电压VCOM。从第一开关元件Q1的第一漏电极输出的数据信号DP存入液晶电容CLC中。
存储电容CST的第一接头电性连接到第一开关元件Q1的第一漏电极。向存储电容CST的第二接头施加存储电压VST。当从第一漏电极输出的数据信号DP存储到存储电容CST并且关断第一开关元件Q1时，存储在液晶电容CLC中的电荷放电，从而存储电荷被施加到液晶电容CLC。
第二开关元件Q2形成在由彼此相邻的栅极线GL和读出线ROL限定的区域内。第二开关元件Q2的第二源电极与下一栅极线GL+1电性连接，并且第二开关元件Q2的第二栅电极电性连接到第二开关元件Q2的第二漏电极和读出线ROL。当光入射到第二开关元件Q2时，在第二开关元件Q2的第二源电极和第二漏电极之间形成沟道，从而光致泄漏电流通过第二开关元件Q2的第二漏电极流入读出线ROL。光致泄漏电流是对应于预定位置的光传感信号。
读出线ROL在垂直方向上延伸，并将其为光致泄漏电流的光传感信号从第二开关元件Q2的第二漏电极输出到驱动集成电路(未示出)。
在运行中，当将下一栅极信号GQ+1和光分别施加到第二开关元件Q2的第二源电极以及第二开关元件Q2的第二源电极和第二漏电极之间的区域上时，光传感信号通过第二开关元件Q2的第二漏电极输出到读出线ROL。
例如，当没有光入射到第二开关元件Q2的第二源电极和第二漏电极之间的空间时，即使向第二开关元件Q2的第二源电极施加具有高电平的下一栅极信号GQ+1，光致泄漏电流也不会在第二开关元件Q2的第二源电极和第二漏电极之间流动。
当光入射到第二开关元件Q2的第二源电极和第二漏电极之间的空间，并且向第二开关元件Q2的第二源电极上施加具有高电平的下一栅极信号GQ+1时，光致泄漏电流在第二开关元件Q2的第二源电极和第二漏电极之间流动，从而光致泄漏电流流经读出线ROL，因此形成光传感信号。电性连接到读出线端部的读出集成电路(未示出)根据光传感信号产生位置信息。或者，可以省略第一电压线和第二电压线以增加LCD装置的开口率。
或者，第二开关元件Q2和读出线ROL可以形成在附加板上以形成图案识别面板。图案识别面板可以感应指纹。接触面板可以包括该图案识别面板。
图10是示出根据本发明另一实施例的阵列衬底的平面图。除了第一电压线、第二电压线和第二开关元件之外，图10所示的阵列衬底与图3所示的相同。因此，同样的附图标记用于表示与图3中相同或相似的部件，并省略进一步的说明。
参照图10，阵列衬底包括透明衬底、栅极线312、数据线322、与栅极线312和数据线322电性连接的第一开关元件Q1、存储电容CST、第二开关元件Q2、读出线326、像素电极360和限定反射区域和开放窗口334的反射片370。阵列衬底可以包括多个栅极线312、多个数据线322、多个第一开关元件Q1、多个存储电容CST、多个第二开关元件Q2、多个读出线326、多个像素电极360和多个反射片370。
栅极线312在纵向方向上延伸，并在垂直方向上排列。数据线322在垂直方向上延伸，并在纵向方向上排列。栅极线312和数据线和322限定多个区域。
各个栅极线312和各个数据线322都设置在透明衬底上。第一开关元件Q1形成在由彼此相邻的栅极线312和数据线322限定的区域内。第一开关元件Q1包括电性连接到栅极线312的第一栅电极313、电性连接到数据线322的第一源电极323和与第一源电极323相间隔的第一漏电极324。第一栅电极313设置在第一源电极323和第一漏电极324之间，并与第一源电极323和第一漏电极324电绝缘。
存储电容CST包括由与栅极线312相同的层形成的第一存储线314和由与数据线322相同的层形成的第一漏电极324。
读出线326设置在透明衬底上。读出线326基本上平行于数据线322延伸，并在纵向方向上排列。
第二开关元件Q2包括第二栅电极、与读出线326电性连接的第二漏电极和与读出线326相间隔的第二源电极。第二栅电极317通过接触孔与第二漏电极327电性连接。
像素电极360包括诸如氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)等的透明导体材料。像素电极360设置在由彼此相邻的栅极线312和数据线和322确定的区域内。像素电极360通过第一孔332与第一漏电极324电性连接，从而像素电极360电性连接到第一漏电极324。
反射片370形成在像素电极360上以限定反射外部提供的光的反射区域和开放窗口334。人造光穿过开放窗口334。反射片370包括与第二开关元件Q2对应的第二孔336，从而外部提供的光入射到第二源电极和第二漏电极之间的空间。
图11A至11E是示出根据本发明另一示例性实施例的阵列衬底的制造方法的平面图。
参照图10和11A，诸如钽(Ta)、钛(Ti)、钼(Mo)、铝(Al)、铬(Cr)、铜(Cu)、钨(W)等的金属沉积在由玻璃或陶瓷构成的透明衬底上。所沉积的金属被构成图案以形成栅极线312、第一栅电极313、存储线314和第二栅电极317。
栅极线312在纵向方向上延伸，并在垂直方向上排列。第一栅电极313与栅极线312电性连接。存储线314基本上平行于栅极线312排列。第二栅电极317与栅极线312间隔。
氮化硅(SiNx)沉积在具有栅电极313的透明衬底上。氮化硅(SiNx)可以通过等离子增强化学气相沉积法沉积。无定形硅层和就地注入N+参杂物的N+无定形硅层形成在栅绝缘层(未示出)上。无定形硅层和N+无定形硅层被构成图案以在栅绝缘层(未示出)上形成对应于第一栅电极313和第二栅电极317的第一有源层317c和第二有源层317d。部分去除与栅极线312对应的栅绝缘层(未示出)以形成第四孔319a。栅极线312通过第四孔319a被部分暴露。栅极线312的部分可在垂直方向上凸出以在栅极线312的凸起部分上形成第四孔319a。
栅绝缘层(未示出)可以设置透明衬底的整个表面上。或者，栅绝缘层(未示出)也可以设置在栅极线212和栅电极213上。
参照图11B，诸如钽(Ta)、钛(Ti)、钼(Mo)、铝(Al)、铬(Cr)、铜(Cu)、钨(W)等的金属沉积在具有栅绝缘层(未示出)的透明衬底上。
所沉积的金属被构成图案以形成数据线322、第一源电极323、第一漏电极324、读出线326、第二漏电极327和第二源电极328。第一漏电极324部分地与电容线314重叠以形成存储电容CST。
数据线322在垂直方向上延伸，并在纵向方向上排列。第一源电极323与数据线322电性连接。第一漏电极324与第一源电极323相间隔。
读出线326在垂直方向上延伸，并在纵向方向上排列。第二漏电极327与读出线326电性连接。第二源电极328与第二漏电极327相间隔，并通过第四孔319a与栅极线312电性连接。
参照图11C，将具有光致抗蚀剂的有机材料涂覆在具有数据线322、第一源电极323、第一漏电极324、读出线326、第二漏电极327和第二源电极328的透明衬底上，以形成有机绝缘层(未示出)。或者，可以通过旋涂工艺将有机材料涂覆在透明衬底上。部分去除对应于由栅极线312和数据线322确定的像素的有机绝缘层(未示出)，以形成第一孔332、开放窗口334和第二孔336。第一漏电极324通过第一孔332被部分暴露。透明衬底或栅绝缘层(未示出)通过开放窗口334被部分暴露。第二有源层317d通过第二孔336被部分暴露。外部提供的光可以通过第二孔336入射到第二有源层317d上。
参照图11D，在具有第一孔332、开放窗口334和第二孔336的有机绝缘层(未示出)上形成多个凹陷342和凸起344，以构成浮凸图案346。在具有浮凸图案346的有机绝缘层(未示出)上形成钝化层。反射片370的反射率通过浮凸图案346而得以改善。或者，可以省略浮凸图案346。
参照图11E，像素电极360形成在钝化层上。像素电极360通过第一孔332与第一漏电极324电性连接。可以通过在钝化层上涂覆ITO并对所涂覆的ITO构成图案而形成像素电极360。或者，像素电极360也可以通过直接构成图案而形成。像素电极360与数据线322和栅极线312相间隔。或者，像素电极360可以与数据线322或栅极线312部分重叠。
反射片370形成在像素电极360的部分上以完成阵列衬底。反射片370限定开放窗口334。打开与第二孔336对应的反射片370，以使外部提供的光入射到第二漏电极327和第二源电极328之间的空间。用于使液晶定向的定向层(未示出)形成在反射片370上。
反射片370可以形成在对应于像素的有机绝缘层(未示出)上。或者，反射片370也可以形成在有机绝缘层(未示出)的整个表面上。
图12是示出根据本发明另一示例性实施例的光传感元件的电路图。除了第二电压线和第二开关元件之外，图12所示的光传感元件与图2所示的相同。因此，同样的附图标记用于表示与图2中相同或相似的部件，并省略进一步的说明。
参照图12，具有光传感元件的LCD面板包括栅极线GL、数据线DL、第一开关元件Q1、液晶电容CLC、存储电容CST、第一电压线VL1、第二开关元件Q2和读出线ROL。LCD面板可以包括多个栅极线GL、多个数据线DL、多个第一开关元件Q1、多个液晶电容CLC、多个存储电容CST、多个第一电压线VL1、多个第二开关元件Q2和多个读出线ROL。
栅极线GL在纵向方向上延伸，并且栅极信号GQ通过栅极线GL传输到第一开关元件Q1。数据线DL在垂直方向上延伸，并且数据信号DP通过数据线DL传输到第一开关元件Q1。
开关元件Q1形成在由彼此相邻的栅极线GL和数据线DL限定的区域内。第一开关元件Q1的源电极与数据线DL电性连接，第一开关电极的栅电极与栅极线GL电性连接。当向第一开关元件Q1施加具有高电平的栅极信号GQ时，第一开关元件Q1导通，从而数据信号通过第一开关元件Q1的漏电极输出到液晶电容CLC和存储电容CST。
液晶电容CLC的第一接头电性连接到第一开关元件Q1的漏电极，并且向液晶电容CLC的第二接头施加公共电压VCOM。从第一开关元件Q1的漏电极输出的数据信号DP存入液晶电容CLC中。
存储电容CST的第一接头电性连接到第一开关元件Q1的漏电极。向存储电容CST的第二接头施加存储电压VST。当从漏电极输出的数据信号DP存储到存储电容CST并且关断第一开关元件Q1时，存储在液晶电容CLC中的电荷放电，从而存储电荷被施加到液晶电容CLC。
第一电压线VL1在纵向方向上延伸，以向第二开关元件Q2施加偏压VDD。偏压VDD是由外部向光传感元件提供的。
第二开关元件Q2形成在由彼此相邻的第一电压线VL1和读出线ROL限定的区域内。第二开关元件Q2的源电极电性连接到第二开关元件Q2的栅电极和第一电压线VL1，并且第二开关元件Q2的漏电极电性连接到读出线ROL。当光入射到第二开关元件Q2时，在第二开关元件Q2的源电极和漏电极之间形成沟道，从而光致泄漏电流通过第二开关元件Q2的漏电极流入读出线ROL。光致泄漏电流是对应于预定位置的光传感信号。
读出线ROL在垂直方向上延伸，并将其为光致泄漏电流的光传感信号从第二开关元件Q2的漏电极输出到驱动集成电路(未示出)。
或者，第一电压线VL1、第二开关元件Q2和读出线ROL可以形成在附加板上以构成图案识别面板。图案识别面板可以感应指纹。接触面板可以包括该图案识别面板。
LCD面板可以包括多个光传感元件。
或者，LCD装置可以是透射式LCD装置，反射式LCD装置或反射-透射式LCD装置。
根据本发明，LCD面板包括用于感应对应于一个像素的光的一个开关元件，从而简化了LCD面板的结构并且提高了开口率。
此外，减少各个像素的元件数量，以提高LCD面板的产量并且减少信号干扰。
参照多个实施例描述本发明的权利要求。然而，显而易见地，对于本领域技术人员来说，根据前面的描述，许多可替换的修改和变化是很明显的。因此，本发明涵盖落入所附权利要求的精神和范围内所有这些可替换的修改和变化。

Claims (27)

1、一种光传感元件，包括：
接收交变的偏压的第一电极；
接收截止电压的控制电极；和
根据外部提供的光和偏压输出光致泄漏电流的第二电极。
2、如权利要求1所述的光传感元件，其中光传感元件包括薄膜晶体管。
3、如权利要求1所述的光传感元件，其中光传感元件包括设置在第一和第二电极之间的沟道层，该沟道层对应于控制电极。
4、如权利要求3所述的光传感元件，其中沟道层包括无定形硅层。
5、如权利要求1所述的光传感元件，其中偏压在第一电平和不同于第一电平的第二电平之间交变。
6、如权利要求5所述的光传感元件，其中第二电平包括与第一电平相同的极性。
7、如权利要求5所述的光传感元件，其中第二电平包括与第一电平相反的极性。
8、如权利要求7所述的光传感元件，其中偏压在约-7.5V和约15V之间交变，并且光致泄漏电流对应于约1.3V。
9、一种光传感元件，包括：
接收交变的偏压的第一电极；
控制电极；和
与控制电极电性连接的第二电极，该第二电极根据外部提供的光和偏压输出光致泄漏电流。
10、如权利要求9所述的光传感元件，其中偏压在约-7.5V和约15V之间交变，并且光致泄漏电流对应于约1.3V。
11、如权利要求9所述的光传感元件，其还包括设置在第一和第二电极之间的无定形硅层。
12、一种光传感元件，包括：
接收交变的偏压的第一电极；
与第一电极电性连接的控制电极；和
根据外部提供的光和偏压输出光致泄漏电流的第二电极。
13、如权利要求12所述的光传感元件，其中偏压在约-7.5V和约15V之间交变，并且光致泄漏电流对应于约1.3V。
14、如权利要求12所述的光传感元件，其还包括设置在第一和第二电极之间的无定形硅层。
15、一种阵列衬底，包括：
透明衬底；
设置在透明衬底上以传输栅极信号的栅极线；
设置在透明衬底上以传输数据信号的数据线；
形成在由栅极线和数据线限定的区域内的开关元件，该开关元件的栅电极与栅极线电性连接，该开关元件的源电极与数据线电性连接；
设置在透明衬底上的读出线；和
形成在由栅极线、数据线和读出线限定的区域内的光传感元件，该光传感元件包括接收交变的偏压的第一电极、接收截止电压的控制电极以及根据外部提供的光和偏压将光致泄漏电流输出到读出线的第二电极。
16、如权利要求15所述的阵列衬底，其还包括传输偏压的第一电压线。
17、如权利要求16所述的阵列衬底，其还包括传输截止电压的第二电压线。
18、如权利要求15所述的阵列衬底，其中光传感元件包括无定形薄膜晶体管。
19、如权利要求15所述的阵列衬底，其还包括限定反射自然光的反射区域和透射人工光的开放窗口的反射片，并且其中读出线和光传感元件设置在反射区域内。
20、一种阵列衬底，包括：
透明衬底；
设置在透明衬底上以传输栅极信号的栅极线；
设置在透明衬底上以传输数据信号的数据线；
形成在由栅极线和数据线限定的区域内的开关元件，该开关元件的栅电极与栅极线电性连接，该开关电极的源电极与数据线电性连接；
设置在透明衬底上的读出线；和
形成在由栅极线、数据线和读出线限定的区域内的光传感元件，该光传感元件包括接收交变的偏压的第一电极、控制电极和与控制电极电性连接的第二电极，该第二电极根据外部提供的光和偏压将光致泄漏电流输出到读出线。
21、如权利要求20所述的阵列衬底，其还包括接收偏压的第一电压线。
22、如权利要求20所述的阵列衬底，其中第一电极与栅极线电性连接。
23、一种阵列衬底，包括：
透明衬底；
设置在透明衬底上以传输栅极信号的栅极线；
设置在透明衬底上以传输数据信号的数据线；
形成在由栅极线和数据线限定的区域内的开关元件，该开关元件的栅电极与栅极线电性连接，该开关元件的源电极与数据线电性连接；
设置在透明衬底上的读出线；和
形成在由栅极线、数据线和读出线限定的区域内的光传感元件，该光传感元件包括接收交变的偏压的第一电极、与第一电极电性连接的控制电极以及根据外部提供的光和偏压将光致泄漏电流输出到读出线的第二电极。
24、如权利要求23所述的阵列衬底，其还包括接收偏压的第一电压线。
25、一种液晶显示装置，包括：
上衬底；
与上衬底对应的下衬底，该下衬底包括形成在由栅极线、数据线和读出线限定的区域内的光传感元件，该光传感元件具有接收交变的偏压的第一电极、接收截止电压的控制电极以及根据外部提供的光和偏压将光致泄漏电流输出到读出线的第二电极；和
置于上、下衬底之间的液晶层。
26、一种液晶显示装置，包括：
上衬底；
与上衬底对应的下衬底，该下衬底包括形成在由栅极线、数据线和读出线限定的区域内的光传感元件，该光传感元件具有接收交变的偏压的第一电极、控制电极和与控制电极电性连接的第二电极；该第二电极根据外部提供的光和偏压将光致泄漏电流输出到读出线；和
置于上、下衬底之间的液晶层。
27、一种液晶显示装置，包括：
上衬底；
与上衬底对应的下衬底，该下衬底包括形成在由栅极线、数据线和读出线限定的区域内的光传感元件，该光传感元件具有接收交变的偏压的第一电极、与第一电极电性连接的控制电极以及根据外部提供的光和偏压将光致泄漏电流输出到读出线的第二电极；和
置于上、下衬底之间的液晶层。
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