CN1786780A - 光传感器、显示面板、以及显示装置 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种可提高可靠性的光传感器、具有该光传感器的显示面板、及具有该显示面板的显示装置。其中，光传感器包括控制元件和第二基片。控制元件具有形成在第一基片上的、由控制电极和第一电流电极及第二电流电极限定的、并具有第一长度的同时接收外部光的通道部。第二基片对应于所述通道部形成具有大于第一长度、小于控制电极第三长度的第二长度的入光部。因此，可以减少第一基片和第二基片之间的排列错误而导致的光传感器的电流泄漏，从而可提高可靠性。

Description

光传感器、显示面板、以及显示装置
技术领域
本发明涉及光传感器，更详细地说，涉及可提高可靠性的光传感器、具有该光传感器的显示面板、及具有该显示面板的显示装置。
背景技术
通常，液晶显示器包括透射内部光显示图像的透射型液晶显示器和透射所述内部光或反射外部光显示图像的反射-透射型液晶显示器等。
所述反射-透射型液晶显示器根据所述外部光的强度控制背光源的电源提供与否。具体地说，当所述外部光的强度弱时，所述液晶显示器用透射模块开启所述背光源，透射背光源射出的内部光显示图像。另外，当外部光强度强时，所述液晶显示器用反射模块关闭所述背光源，反射所述外部光显示图像。而且，对应所述透射模块和反射模块自动转换伽马电平，以提高画质。
像这样，感应所述外部光的强度，控制背光源的电源供给，以减少电功耗，而且，根据动作模块调整伽马电位，以提高画质。因此，在液晶显示器的显示面板形成感应外部光强度的光传感器，以实现如上所述的减少电功耗的液晶显示器。
发明内容
本发明的目的在于提供一种具有可靠性的光传感器。
本发明的另一目的在于提供一种形成所述光传感器的显示面板。
本发明的另一目的在于提供一种具有所述显示面板的显示装置。
根据实现本发明目的的光传感器，其包括控制元件和第二基片。所述控制元件形成于第一基片上，被控制电极和第一电流电极及第二电流电极所限定，并且具有拥有第一长度的接收外部光的通道部。所述第二基片对应于所述通道部形成具有大于所述第一长度且小于所述控制电极第三长度的第二长度的入光部。
所述入光部的第二长度包括所述第一基片和第二基片之间排列错误的差长度。具体地说，所述入光部的第二长度是以所述通道部第一长度为准向所述第一及第二电流电极侧分别扩张第一差的长度。
所述控制电极的第三长度是以所述入光部第二长度为基准向所述第一及第二电流电极侧分别扩张比所述第一差大的第二差的长度。
当所述通道部的第一长度为4μm左右时，所述第一差为7μm左右。当所述第一差为7μm左右时，所述第二差为10μm左右。
所述入光部由向所述通道宽度方向排列的多个辅助入光部组成。优选地，所述子窗口是以所述第二长度为长边的四边形，或所述子窗口是以所述第二长度为高的等边三角形，或以所述第二长度为高的直角三角形。
而且，所述入光部由向所述通道部的长度方向排列的多个子窗口组成。优选地，所述子窗口是以所述通道部的通道宽度为长边的四边形。
而且，所述入光部由点状的多个子窗口组成。
根据实现本发明另一目的的显示面板，其包括阵列基片、液晶层、及面对基片。
所述阵列基片的有效区域形成第一控制元件，传感区域形成具有第一长度通道部的第二控制元件。所述面对基片与所述阵列基片结合以接纳所述液晶层，并对应于所述传感区域形成具有比所述第一长度长、比所述第二控制元件的控制电极第三长度短的第二长度的传感窗口。
所述传感窗口的第二长度是以所述通道部的第一长度为基准分别向所述第二控制元件的第一及第二电流电极侧扩张第一差的长度。
所述控制电极的第三长度是以所述传感窗口的第二长度为基准分别向所述第一及第二电流电极侧扩张大于所述第一差的第二差的长度。
当所述通道部的长度为4μm左右时，所述第一差为7μm左右，所述第二差为10μm左右。
根据实现所述本发明另一目的的显示装置，其包括显示部、光感应部、驱动控制器、及光产生单元。
在所述显示部的第一基片形成多个像素电极，在第二基片上对应多个像素电极形成滤色器，以显示图像。所述光感应部在所述第一基片上形成具有第一长度通道部的控制元件，在所述第二基片上形成具有大于所述第一长度的第二长度的传感窗口，以感应外部光的光量。所述驱动控制器基于所述光感应部感应的光量输出驱动控制信号。所述光产生单元向所述显示部射出基于所述驱动控制信号控制的内部光。
这种光传感器和具有该光传感器的显示面板及显示装置，减少由光传感器的第一基片与第二基片之间排列错误而导致的泄漏电流，可以提高所述光传感器的可靠性。
附图说明
图1是根据本发明第一实施例的光传感器的平面图；
图2是沿着图1中的I-I′线截取的截面图；
图3是根据本发明第二实施例的光传感器的平面图；
图4是根据本发明第三实施例的光传感器的平面图；
图5是根据本发明第四实施例的光传感器的平面图；
图6是根据本发明第五实施例的光传感器的平面图；
图7是根据本发明第六实施例的光传感器的平面图；
图8是根据本发明第七实施例的光传感器的平面图；
图9是根据本发明第八实施例的光传感器的平面图；
图10是根据本发明第九实施例的光传感器的平面图；
图11是根据本发明第十实施例的光传感器的平面图；
图12是根据本发明第十一实施例的光传感器的平面图；
图13是根据本发明第十二实施例的光传感器的平面图；
图14是根据本发明实施例的显示面板部分的平面图；
图15是沿着图14中的II-II′线截取的截面图；
图16是根据本发明实施例的显示装置的简要平面图；以及
图17是示出图16所示的光感应器的动作的电路图。
具体实施方式
下面参照附图更加详细地说明本发明。
图1是根据本发明第一实施例的光传感器的平面图，图2是沿着图1中的I-I′线截取的截面图。
参照图1及图2，所述光传感器包括第一基片100、面对所述第一基片100的第二基片200、介入于所述第一及第二基片100、200之间的绝缘层300。
所述第一基片100包括形成在第一底部基片101的光控制元件(a-Si TFT)110。
所述光控制元件110形成由第一金属层形成的栅极111、由第二金属层形成的源极113、及漏极114、夹在所述栅极111和所述源极及漏极113、114之间的半导体层112。所述半导体层112由活性层112a及阻抗性接触层112b组成。在所述半导体层112对应于所述源极及漏极113、114形成除去所述阻抗性接触层112b的一部分以露出所述活性层112a的通道部CH(channel：CH)。所述通道部CH具有第一长度L1和第一宽度W1。对应于入射到所述通道部CH的外部光的能量改变所述通道部CH的阻抗，并由此改变所述通道部的电流，以感应外部光量。
在所述栅极111上形成栅极绝缘层，在所述源极及漏极113、114上形成钝化层103。
所述第二基片200包括在第二底部基片201和所述底部基片201上形成的遮光层210。在所述遮光层210上对应于所述光控制元件110通道部CH形成传感窗口。所述传感窗口211具有第二长度L2和第二宽度W2。
所述光控制元件110与所述控制窗口211之间的关系如下。所述传感窗口211的第二长度L2大于所述通道部CH的第一长度L1。所述传感窗口211的第二宽度W2包括所述通道部CH的第一宽度W1。
具体地说，考虑所述第一基片100和所述第二基片200之间的排列错误(Align-Miss)，所述传感窗口211的第二长度L2包括以所述第一长度L1为基准分别向所述源极及漏极113、114侧扩张的第一差ΔL1。
根据所述传感窗口211形成包括所述第一差的第二长度L2产生所述排列错误时，外部光易于入射到所述通道部CH。优选地，当所述第一长度L1为4μm左右时，所述第一差ΔL1为7μm以上，由此，所述传感窗口211的第二长度L2为18μm以上。
为了防止从所述第一底部基片101下部射出的光通过所述传感窗口212而泄漏，所述光控制元件110的栅极111大小大于所述传感窗口211的大小。优选地，所述栅极111以从所述传感窗口211的边缘扩张第二差ΔL2的第三长度L3形成。优选地，所述传感窗口211的第二长度L2为18μm以上时，所述栅极111的所述第三长度L3约为38μm以上。
图3是根据本发明第二实施例的光传感器的平面图。
参照图3，在第一基片100形成光控制元件。所述光控制元件120形成由第一金属形成的栅极121、由第二金属形成的源极123、及漏极124、所述栅极121和所述源极及漏极123、124之间的半导体层122。所述半导体层122上对应于所述源极及漏极123、124形成除去所述阻抗性接触层的一部分以露出所述活性层的通道部(channel)CH。
如图所示，随着所述源极及漏极123、124形成蜂巢状，被所述源极及漏极123、124限定的所述通道部CH的宽度W1以Z字形变宽。因此，随着所述通道部CH的长度L1与宽度W1比例的增大也提高光控制元件120的特性。所述光控制元件120对应于入射到所述通道部CH的外部光能量改变所述通道部CH的阻抗，并由此改变所述通道部CH的电流量，以感应外部光量。
在所述第二基片200上，遮光层210限定对应于所述光控制元件120的传感窗口211。所述传感器211具有第二长度L2和第二宽度W2。
所述光控制元件120与所述传感窗口211的关系如下。对应于所述光控制元件120的通道部第一宽度W1形成所述传感窗口211的第二长度L2。而且，考虑到所述第一基片100与第二基片200之间的排列错误，所述传感窗口211的第二长度L2包括第一差ΔL1。
具体地说，考虑到所述第一基片100与所述第二基片200之间的排列错误，所述传感窗口211的第二长度L2以所述第一宽度W1为基准分别向所述源极及漏极123、124侧包括第一差ΔL1。
随着所述传感窗口211以包括所述第一差ΔL1的第二长度L2形成发生所述排列错误时，外部光易于入射到所述通道部CH。优选地，当所述第一及第二基片100、200之间的排列错误为7μm左右时，所述第一差ΔL1为7μm以上。
为了防止光通过所述传感窗口泄漏光，所述光控制元件120的栅极121大小大于所述传感窗口211的大小。优选地，所述栅极111以从所述传感窗口211边缘延伸第二差ΔL2的第三长度L3形成。优选地，所述第二差ΔL2大于所述第一差ΔL1。例如，优选地，当所述传感窗口211的长度L2约为18μm以上时，所述栅极121的所述第三长度L3为38μm以上。
图4至图13是以图1所示的光传感器为基准的多种光传感器实施例的平面图。图4至图13示出的光传感器与图1所示的光传感器相同的结构赋予相同的图面标号。
图4是根据本发明第三实施例的光传感器的平面图。
参照图4，所述光传感器包括形成有光控制元件110的第一基片100和形成有所述传感窗口212的第二基片200。
所述光控制元件110上形成由第一金属层形成的栅极111、由第二金属层形成的源极113、及漏极114、所述栅极111和所述源极及漏极113、114之间形成的半导体层112。所述半导体层112包括对应于所述源极及漏极113、114形成的通道部CH。
所述第二基片200包括第二底部基片201和形成在所述第二底部基片201上的遮光层210。在所述遮光层210的对应于所述光控制元件110的通道部CH形成传感窗口212。
所述传感窗口212具有第二长度L2和第二宽度W2。如图所示，所述传感窗口212的所述第二宽度W2小于所述通道部CH的第一宽度W1。
考虑到所述第一基片100与所述第二基片200之间的排列错误，所述传感窗口212的第二长度L2包括以所述第一长度L1为基准分别向所述源极及漏极113、114侧扩张的第一差ΔL1。
另外，为了防止从所述第一底部基片101的下部射出的光通过所述传感窗口212泄漏，所述光控制元件110的栅极111大小大于所述传感窗口212的大小。
图5是根据本发明第四实施例的光传感器的平面图。
参照图5，所述光传感器包括形成光控制元件110的第一基片100、形成所述传感窗口的第二基片200。
所述光控制元件110上形成由第一金属层形成的栅极111、由第二金属层形成的源极113及漏极114、所述栅极111和所述源极及漏极113、114之间形成的半导体层112。所述半导体层112包括对应于所述源极及漏极113、114形成的通道部CH。
所述第二基片200包括第二底部基片201和形成在所述第二底部基片201上的遮光层210。所述遮光层210上对应于所述光控制元件110的通道部形成辅助传感窗口213a。
如图所示，在具有第二长度L2和第二宽度W2的基准区域内向所述通道部CH的长度方向排列多个所述辅助传感窗口213a。所述辅助传感窗口213a是以所述第二宽度W2为长边的四边形。考虑到所述第一基片100和所述第二基片200之间的排列错误，所述基准区域的所述第二长度L2具有第一差ΔL1。
另外，为了防止从所述第一底部基片101的下部射出的光通过所述辅助传感器213a泄漏，所述光控制元件110的栅极111大小大于所述辅助传感窗口213a形成的基准区域。
图6是根据本发明第五实施例的光传感器的平面图。
参照图6，所述光传感器包括形成光控制元件110的第一基片100、形成所述传感窗口的第二基片200。
所述光控制元件110上形成由第一金属层形成的栅极111、由第二金属层形成的源极113及漏极114、所述栅极111和所述源极及漏极113、114之间形成的半导体层112。所述半导体层112包括对应于所述源极及漏极113、114形成的通道部CH。
所述第二基片200包括第二底部基片201和形成在所述第二底部基片201上的遮光层210。在所述遮光层210上对应于所述光控制元件110的通道部CH形成第一及第二辅助传感窗口214a、214b。
所述第一及第二辅助传感窗口214a、214b形成在具有所述第二长度L2和第二宽度W2的基准区域两端部。所述第一及第二辅助传感窗口214a、214b是以所述第二长度为长边L2的四边形。考虑到所述第一基片100与所述第二基片200之间的排列错误，所述第二长度L2包括第一差ΔL1。
另外，为了防止从所述第一底部基片101的下部射出的光通过所述传感窗口214a、214b泄漏，所述光控制元件110的栅极111大小大于形成所述辅助传感窗口214a、214b的基准区域。
图7是根据本发明第六实施例的光传感器的平面图。
参照图7，所述光传感器包括形成光控制元件110的第一基片100、形成所述传感窗口的第二基片200。
所述光控制元件110上形成由第一金属层形成的栅极111、由第二金属层形成的源极113及漏极114、所述栅极111和所述源极及漏极113、114之间形成的半导体层112。所述半导体层112包括对应于所述源极及漏极113、114形成的通道部CH。
所述第二基片200包括第二底部基片201和形成在所述第二底部基片201上的遮光层210。在所述遮光层210上对应于所述光控制元件110的通道部CH形成辅助传感窗口215a。
如图所示，所述辅助传感窗口215a是在具有第二长度L2和第二宽度W2的基准区域向所述通道部CH的宽度方向排列多个的结构。所述辅助传感窗口215a是以所述第二长度L为长边的四边形。考虑到所述第一基片100与第二基片200之间的排列错误，所述第二长度L2包括第一差ΔL1。
另外，为了防止从所述第一底部基片101的下部射出的光通过所述传感窗口215a泄漏，所述光控制元件110的栅极111大小大于形成所述辅助传感窗口215a的基准区域。
图8是根据本发明第七实施例的光传感器的平面图。
参照图8，所述光传感器包括形成光控制元件110的第一基片100、形成所述传感窗口的第二基片200。
在所述光控制元件110形成由第一金属层形成的栅极111、由第二金属层形成的源极113及漏极114、所述栅极111和所述源极及漏极113、114之间形成的半导体层112。所述半导体层112包括对应于所述源极及漏极113、114形成的通道部CH。
所述第二基片200包括第二底部基片201和形成在所述第二底部基片201的遮光层210。在所述遮光层210上对应于所述光控制元件110的通道部CH形成点状辅助传感窗口216a。所述辅助传感窗口216a为四边形。
如图所示，所述辅助传感窗口216a均匀直线排列在具有第二长度L2和第二宽度W2的基准区域内。考虑到所述第一基片100与所述第二基片200之间的排列错误，所述第二长度L2包括第一差ΔL1。
另外，为了防止从所述第一底部基片101下部射出的光通过所述辅助传感窗口216a泄漏，所述光控制元件110的栅极111大小大于形成所述辅助传感窗口216a的基准区域。
图9是根据本发明第八实施例的光传感器的平面图。
参照图9，所述光传感器包括形成光控制元件110的第一基片100、形成所述传感窗口217的第二基片200。
在所述光控制元件110形成由第一金属层形成的栅极111、由第二金属层形成的源极113及漏极114、所述栅极111和所述源极及漏极113、114之间形成的半导体层112。所述半导体层112包括对应于所述源极及漏极113、114形成的通道部CH。
所述第二基片200包括第二底部基片201和形成在所述第二底部基片201的遮光层210。在所述遮光层210上对应于所述光控制元件110的通道部CH形成点状辅助传感窗口217a。所述辅助传感窗口217a为四边形。
如图所示，所述辅助传感窗口217a以Z字形排列在具有第二长度L2和第二宽度W2的基准区域。考虑到所述第一基片100和所述第二基片200之间的排列错误，所述第二长度L2包括第一差ΔL1。
另外，为了防止从所述第一底部基片101下部射出的光通过所述辅助传感窗口217a泄漏，所述光控制元件110的栅极111大小大于形成所述辅助传感窗口217a的基准区域。
图10是根据本发明第九实施例的光传感器的平面图。
参照图10，所述光传感器包括形成光控制元件110的第一基片100、形成所述传感窗口的第二基片200。
在所述光控制元件110形成由第一金属层形成的栅极111、由第二金属层形成的源极113及漏极114、所述栅极111和所述源极及漏极113、114之间形成的半导体层112。所述半导体层112包括对应于所述源极及漏极113、114形成的通道部CH。
所述第二基片200包括第二底部基片201和形成在所述第二底部基片201上的遮光层210。在所述遮光层210上对应于所述光控制元件110的通道部CH形成辅助传感窗口218a。
如图所示，多个所述辅助传感窗口218a排列在具有第二长度L2和第二宽度W2的基准区域。所述辅助传感窗口218a是以所述第二长度L2为高的等边三角形，并以正方向及反方向交替排列。考虑到所述第一基片100与所述第二基片200之间的排列错误(Align-Miss)，所述第二长度L2包括第一差ΔL1。
另外，为了防止从所述第一底部基片101下部射出的光通过所述辅助传感窗口218a泄漏，所述光控制元件110的栅极111大小大于形成所述辅助传感窗口218a的基准区域。
图11是根据本发明第十实施例的光传感器的平面图。
参照图11，所述光传感器包括形成光控制元件110的第一基片100、形成所述传感窗口的第二基片200。
在所述光控制元件110形成由第一金属层形成的栅极111、由第二金属层形成的源极113及漏极114、所述栅极111与所述源极及漏极113、114之间形成的半导体层112。所述半导体层112包括对应于所述源极及漏极113、114形成的通道部CH。
所述第二基片200包括第二底部基片201和形成在所述第二底部基片201上的遮光层210。在所述遮光层210上对应于所述光控制元件110的通道部CH，形成辅助传感窗口219a。
如图所示，多个所述辅助传感窗口219a排列在具有第二长度L2和第二宽度W2的基准区域。所述辅助传感窗口219a是以所述第二长度L2为高的直角三角形，并以正方向及反方向交替排列。考虑到所述第一基片100与所述第二基片200之间的排列错误，所述第二长度L2包括第一差ΔL1。
另外，为了防止从所述第一底部基片101下部射出的光通过所述辅助传感窗口219a泄漏，所述光控制元件110的栅极111大小大于形成所述辅助传感窗口219a的基准区域。
图12是根据本发明第十一实施例的光传感器的平面图。
参照图12，所述光传感器包括形成光控制元件110的第一基片100、形成所述传感窗口的第二基片200。
所述光控制元件110上形成由第一金属层形成的栅极111、由第二金属层形成的源极113及漏极114、所述栅极111与所述源极及漏极113、114之间形成的半导体层112。所述半导体层112包括对应于所述源极及漏极113、114形成的通道部CH。
所述第二基片200包括第二底部基片201和形成在所述第二底部基片201上的遮光层210。在所述遮光层210上对应于所述光控制元件110的通道部CH形成点状的辅助传感窗口220a。所述辅助传感器220a为圆形。
如图所示，所述辅助传感窗口220a均匀排列在具有第二长度L2和第二宽度W2的基准区域。考虑到所述第一基片100与所述第二基片200之间的排列错误，所述第二长度L2包括第一差ΔL1。
另外，为了防止从所述第一底部基片101下部射出的光通过所述辅助传感窗口220a泄漏，所述光控制元件110的栅极111大小大于形成所述辅助传感窗口220a的基准区域。
图13是根据本发明第十二实施例的光传感器的平面图。
参照图13，所述光传感器包括形成光控制元件110的第一基片100、形成所述传感窗口的第二基片200。
所述光控制元件110上形成由第一金属层形成的栅极111、由第二金属层形成的源极113及漏极114、所述栅极111与所述源极及漏极113、114之间形成的半导体层112。所述半导体层112包括对应于所述源极及漏极113、114形成的通道部CH。
所述第二基片200包括第二底部基片201和形成在所述第二底部基片201上的遮光层210。所述遮光层210上对应于所述光控制元件110的通道部CH形成点状辅助传感窗口221a。所述辅助传感器221a为圆形。
如图所示，所述辅助传感窗口220a以Z字形排列在具有第二长度L2和第二宽度W2的基准区域。考虑到所述第一基片100与所述第二基片200之间的排列错误，所述第二长度L2包括第一差ΔL1。
另外，为了防止从所述第一底部基片101下部射出的光通过所述辅助传感窗口221a泄漏，所述光控制元件110的栅极111大小大于形成所述辅助传感窗口221a的基准区域。
图14是根据本发明实施例的显示面板的部分的平面图。
参照图14，所述显示面板包括阵列基片400和滤色器基片500。
所述阵列基片400包括有效区域AA和光传感区域SA。在所述有效区域AA形成多条数据线DL和多条栅极线GL、连接于所述数据线DL和栅极线GL的多个控制元件410、连接于所述控制元件410的像素电极430。
在所述光传感区域SA形成连接于所述多条传感数据线SDL和传感栅极线SGL的多个光控制元件450。
所述滤色器基片500的对应于所述有效区域AA的第一区域形成滤色器520，对应于所述光传感器SA的第二区域形成传感窗口511。所述滤色器520填充到被所述遮光层510限定的像素空间。所述滤色器520响应于入射光显示原有色彩，其包括R(RED)、G(GREEN)、及B(BLUE)滤色器。
图15是沿着图14中的II-II′线截取的截面图。
参照图14及图15，所述显示面板包括阵列基片400、面对所述阵列基片的滤色器基片500、介入于所述阵列基片400与所述滤色器基片500之间的液晶层600。
所述阵列基片400包括透明基片401、控制元件410、液晶电容器CLC用像素电极430及光控制元件450。
所述控制元件410具有第一栅极411、第一半导体层412、第一源极413及第一漏极414。所述第一栅极411形成在透明基片401上，在所述第一栅极上形成栅极绝缘层402。所述第一半导体层412对应于形成所述第一栅极411的区域形成在所述栅极绝缘层402上。
所述第一半导体层412包括形成在所述栅极绝缘层402上的第一活性层412a和形成在所述第一活性层412a上的第一阻抗性接触层412b。在所述第一半导体层412形成对应于所述第一源极及第一漏极413、414除去一部分所述第一阻抗性接触层412b的第一通道部CH1。在所述第一源极及第一漏极413、414上形成钝化层405。
所述液晶电容器用像素电极430通过除去形成在第一漏极414一定区域上的所述钝化层405的连接孔416与所述漏极414电连接。
所述光控制元件450具有第二栅极451、第二半导体层452、第二源极453及第二漏极454。所述第二栅极451形成在所述透明基片401上，在所述第二栅极451上形成栅极绝缘层402。所述第二半导体层452对应于形成所述第二栅极451的区域形成在所述栅极层402上。
所述第二半导体层452包括形成在所述栅极绝缘层402上的第二活性层452a、形成在所述第二活性层452a上的第二阻抗性接触层452b。所述第二半导体层452形成具有除去所述第二阻抗性接触层452b一定部分的第一长度L1的第二通道部CH2。在所述第二源极及第二漏极453、454上形成钝化层405。
在这里，所述栅极411、451、源极及漏极413、414、453、454由单金属层形成，或由多重金属层形成。所述金属层包括铝Al或铝合金等铝系列金属、银或银合金系列金属、铜或铜合金的铜系列金属、钼或钼合金的钼系列金属、包括铬Cr、钽Ta或钛Ti的金属。
所述滤色器基片500上形成透明基片501、遮光层510、滤色器层520、钝化层530、及共电极层540。
具体地说，所述遮光层510为遮光的层，其限定对应于所述像素电极430的单位像素区域的内部空间，且限定所述传感窗口511的区域。所述传感窗口511具有第二长度L2和第二宽度W2。
具体地说，考虑到所述阵列基片与所述滤色器基片400、500之间的排列错误，所述传感器的第二长度L2具有向第一长度L1的两侧分别扩张第一差ΔL1的长度。优选地，所述第一长度L1为4μm、所述第一差为7μm以上时，所述第二长度L2为18μm以上。
另外，所述光控制元件450的第二栅极451的第三长度L3大于所述传感窗口511的第二长度L2。这是因为，为了防止从所述第一底部基片401的下部射出的光通过所述传感窗口511泄漏。优选地，具有向所述第二长度L2两侧分别扩张大于第一差ΔL1的第二差ΔL2的长度。优选地，所述传感窗口211的第二长度L2为18μm以上时，所述第三长度L3为38μm以上。
所述滤色器层210包括红、绿、蓝滤色器，并充填到被所述遮光层210限定的所述内部空间内。
所述钝化层230形成在所述遮光层210和滤色器层210上，起到平坦化层及钝化层的作用。所述共电极层240为透明导电体层，向液晶电容器CLC的第二电极施加共电压。
图16是根据本发明实施例的显示装置的简要平面图。
参照图16，液晶显示面板100包括显示图像的显示区域DA及与所述显示区域DA相邻的第一及第二周边区域PA1、PA2。所述显示区域DA包括显示图像的有效区域AA和感应外部光强度的光传感区域SA。
所述有效区域AA形成连接在所述多条栅极线GL1、GL2、…、GLn-1、GLn和多条数据线DL1、DL2、…、DLm-1、DLm的多个控制元件TR1。在所述光传感区域SA形成包括根据外部光EL的强度输出第一电压V1的光控制元件TR2的光感应器730和复位所述光感应器730的复位器740。
在第一边缘区域PA1形成向所述多条栅极线GL1、GL2、…、GLn-1、GLn输出栅极信号的栅极驱动电路740。所述栅极驱动电路740由多个级SCR1、SCR2、…、SCRn、SCRn+1从属连接的一个移位寄存器形成。所述多个级SCR1、SCR2、…、SCRn、SCRn+1分别连接于多条栅极线GL1～GLn，并相对应的栅极线输出栅极信号。另外，所述最后一个级SRCn+1是驱动第n个级SRCn而具有的第一伪级。
与所述栅极驱动电路710相邻的所述第一边缘区域PA1具有施加第一驱动电压VON的第一驱动电压布线VONL及具有施加与所述第一驱动电压VON反转相位的第二驱动电压VOFF的第二驱动电压布线VOFFL。而且，进一步具有与所述第一驱动电压布线VONL相邻，向第一个级提供开始信号ST的开始信号布线STL。
在第二边缘区域PA2布置向多条数据线DL1、DL2、…、DLm-1、DLm输出数据信号的数据驱动电路720。而且，形成从所述光感应器730将第一电压V1变换为第二电压V2输出的引出部750。
图17是示出了图16所示的光感应器的动作的电路图。
参照16及图17，显示装置700包括光感应器730、复位器740、引出部750、驱动控制器760、及光产生单元800。
所述光感应器730包括多个所述光控制元件TR2和多个第一储能电容器CS1。所述各光控制元件TR2由连接在第一驱动电压布线VONL的漏极DE2、连接在所述第一储能电容器CS1的源极SE2及连接在提供第二驱动电压的第二驱动电压布线VOFFL的栅极GE2组成。
所述各第一储能电容器CS1由连接在所述第二驱动电压布线的第一电极LE1、连接在所述第一引出布线RL1上，并隔着绝缘层和所述第一电极面对的第二电极UE1组成。所述第一储能电容器CS1充电对应于从对应的所述光控制元件TR2输出的所述光电流IPH的第一电压V1。
所述第一引出布线RL1共同连接于所述第一储能电容器CS1上，充电到所述第一储能电容器CS1上的所述第一电压V1通过所述第一引出布线RL1被引出。
所述引出部750包括引出控制元件TR3和第二储能电容器CS2。所述引出控制元件TR3由接收引出信号的栅极GE3、连接在第一引出布线RL1上的漏极DE3、连接在所述第二储能电容器CS2上的源极SE3组成。当响应所述引出信号开通所述引出控制元件TR3时，从所述第一引出布线RL1提供的第一电压V1通过所述引出控制元件TR3变换成第二电压V2。
所述第二储能电容器CS2的第一电极LE2连接在所述第二驱动电压布线VOFFL上，第二电极UE2隔着绝缘层面对所述第一电极LE2，并连接在所述第二引出布线RL2上。所述第二储能电容器CS2上充电经过所述引出控制元件TR3的所述第二电压V2。
所述复位部740以预定时间间隔初始化所述光感应器400。所述复位部740包括由接收复位信号的栅极、连接在所述第一引出布线RL1上的漏极DE4及连接在所述第二驱动电压布线VOFFL上的源极SE4组成的复位控制元件TR4。
所述复位控制元件TR4响应于所述引出信号将充电到所述第一储能电容器CS1上的电荷通过所述第二驱动电压布线VOFFL放电到所述第二驱动电压VOFF。因此，所述复位控制元件TR4可以周期性初始化所述第一储能电容器CS1。
驱动控制器760由与所述引出部750电连接的一个op-amp(以下，称“比较器”)761组成。所述比较器761对已设定的标准电压VREF和从所述第二引出布线RL2输出的第二电压V2进行比较。所述比较器761根据所述标准电压VREF与所述第二电压V2的比较结果，输出所述第一控制电压V+或第二控制电压V-。
对应于所述驱动控制器的760的输出电压VOUT控制所述光产生单元800的动作。具体地说，当所述输出电压VOUT为所述第一控制电压V+时，所述光产生单元800切断所述内部光IL。而且，当所述输出电压VOUT为所述第二控制电压V-时，所述光产生单元800射出所述内部光IL。因此，所述显示装置700对应于外部光EL，控制是否射出所述内部光IL或其亮度程度，减少电功耗。
如上所述，本发明可以减少光传感器的第一基片和第二基片之间排列错误导致的电流泄漏，以提高所述光传感器的可靠性。
以上所述仅为本发明的优选实施例而已，并不用于限制本发明，对于本领域的技术人员来说，本发明可以有各种更改和变化。凡在本发明的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。
符号说明
100：第一基片    200：第二基片
110：光控制元件  111：栅极
210：遮光层      211：传感窗口

Claims (22)

1.一种光传感器，包括：
控制元件，形成在第一基片上，由控制电极的第一电流电极及第二电流电极限定，具有拥有第一长度接收外部光的通道部；以及
第二基片，对应于所述通道部，形成具有大于所述第一长度、小于所述控制电极第三长度的第二长度的入光部。
2.根据权利要求1所述的光传感器，其特征在于，所述通道部由非晶硅层形成。
3.根据权利要求1所述的光传感器，其特征在于，所述入光部的第二长度包括所述第一基片和第二基片之间的排列错误的差的长度。
4.根据权利要求3所述的光传感器，其特征在于，所述入光部的第二长度是以所述通道部长度的第一长度为基准向所述第一及第二电流电极侧分别扩张第一差的长度。
5.根据权利要求4所述的光传感器，其特征在于，所述控制电极的第三长度是以所述入光部的第二长度为基准向所述第一及第二电流电极侧分别扩张比所述第一差大的第二差的长度。
6.根据权利要求4所述的光传感器，其特征在于，当所述通道部的第一长度为4μm左右时，所述第一差为7μm左右。
7.根据权利要求5所述的光传感器，其特征在于，当所述第一差为7μm左右时，所述第二差为10μm左右。
8.根据权利要求1所述的光传感器，其特征在于，所述入光部由向通道宽度方向排列的多个辅助入光部组成。
9.根据权利要求8所述的光传感器，其特征在于，所述子窗口是以所述第二长度为长边的四边形。
10.根据权利要求8所述的光传感器，其特征在于，所述子窗口是以所述第二长度为高的等边三角形。
11.根据权利要求8所述的光传感器，其特征在于，所述子窗口是以所述第二长度为高的直角三角形。
12.根据权利要求1所述的光传感器，其特征在于，所述入光部由向所述通道部的长度方向排列的多个子窗口组成。
13.根据权利要求12所述的光传感器，其特征在于，所述子窗口是以所述通道部的通道宽度为长边的四边形。
14.根据权利要求1所述的光传感器，其特征在于，所述入光部由点状的多个子窗口组成。
15.根据权利要求1所述的光传感器，其特征在于，所述第一电流电极与所述第二电流电极具有蜂巢状，并且彼此面对。
16.一种显示面板，包括：
阵列基片，在有效区域形成第一控制元件，在传感区域形成具有拥有第一长度的通道部的第二控制元件；
液晶层；以及
面对基片，与所述阵列基片结合接纳所述液晶层，对应于所述传感区域形成具有比所述第一长度长、比所述第二控制元件的控制电极第三长度短的第二长度的传感窗口。
17.根据权利要求16所述的显示面板，其特征在于，所述传感窗口的第二长度是以所述通道部的第一长度为基准准分别向所述第二控制元件的第一及第二电流电极侧扩张第一差的长度。
18.根据权利要求17所述的显示面板，其特征在于，所述控制电极的第三长度是以所述传感窗口的第二长度为基准分别向所述第一及第二电流电极侧扩张大于所述第一差的第二差的长度。
19.根据权利要求18所述的显示面板，其特征在于，当所述通道部的第一长度为4μm左右时，所述第一差为7μm左右。
20.根据权利要求19所述的显示面板，其特征在于，当所述第一差为7μm左右时，所述第二差为10μm左右。
21.一种显示装置，包括：
显示部，在第一基片形成多个像素电极，在第二基片对应于所述像素电极形成滤色器，以显示图像；
光感应部，在所述第一基片形成具有第一长度的通道部，在所述第二基片形成具有大于所述第一长度的第二长度的传感窗口，感应外部光的光量；
驱动控制器，基于所述光感应部感应的光量输出驱动控制信号；
光产生单元，基于所述驱动控制信号向所述显示部射出被控制的内部光。
22.根据权利要求21所述的显示装置，其特征在于，所述第二长度小于所述控制元件的控制电极的第三长度。
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Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102099931A (zh) * 2008-03-24 2011-06-15 卡西欧计算机株式会社 光感测设备、光传感器以及显示设备
CN101517746B (zh) * 2006-12-27 2011-09-07 卡西欧计算机株式会社 光传感器
CN103065549A (zh) * 2011-10-18 2013-04-24 三星显示有限公司 用于显示装置的保护面板以及包括该保护面板的显示装置
CN101458430B (zh) * 2007-12-11 2013-05-22 株式会社日本显示器西 光传感器和显示器
CN101135794B (zh) * 2006-09-01 2013-06-26 三星显示有限公司 液晶显示器及其驱动方法
CN109461371A (zh) * 2017-09-06 2019-03-12 群创光电股份有限公司 显示装置
CN110299380A (zh) * 2018-03-23 2019-10-01 群创光电股份有限公司 电子装置
CN110618527A (zh) * 2018-06-19 2019-12-27 苹果公司 具有可电调节光学层的电子设备

Families Citing this family (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007065243A (ja) * 2005-08-31 2007-03-15 Sanyo Epson Imaging Devices Corp 表示装置
TWI308315B (en) * 2005-12-23 2009-04-01 Innolux Display Corp Liquid crystal display and method for adjusting it
GB2439118A (en) * 2006-06-12 2007-12-19 Sharp Kk Image sensor and display
GB2439098A (en) * 2006-06-12 2007-12-19 Sharp Kk Image sensor and display
KR100912187B1 (ko) * 2006-06-30 2009-08-14 엘지디스플레이 주식회사 액정표시장치 및 이의 제조 방법
KR100878379B1 (ko) * 2006-07-12 2009-01-13 엡슨 이미징 디바이스 가부시키가이샤 액정 표시 장치
US20080061678A1 (en) * 2006-09-12 2008-03-13 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Light emitting device
WO2008050402A1 (fr) * 2006-10-24 2008-05-02 Panasonic Corporation Panneau à cristaux liquides, affichage à cristaux liquides et terminal portable
KR101340444B1 (ko) * 2006-12-23 2013-12-11 엘지디스플레이 주식회사 액정표시장치 및 제조방법
US20080157081A1 (en) * 2006-12-28 2008-07-03 Samsung Electronics Co., Ltd. Organic light emitting device and method for manufacturing the same
JP5289709B2 (ja) * 2007-01-09 2013-09-11 株式会社ジャパンディスプレイ 調光機能を備えた画像表示装置
JP4934457B2 (ja) * 2007-02-20 2012-05-16 株式会社 日立ディスプレイズ 画面入力機能付き画像表示装置
CN101281916B (zh) * 2007-04-06 2010-05-26 群康科技(深圳)有限公司 光感测器和显示装置
KR20080099594A (ko) * 2007-05-10 2008-11-13 삼성전자주식회사 광센서와, 이를 구비한 표시 패널 및 표시 장치
JP5200443B2 (ja) * 2007-07-30 2013-06-05 セイコーエプソン株式会社 有機トランジスタ及びアクティブマトリックス基板
US8350835B2 (en) * 2007-08-21 2013-01-08 Sharp Kabushiki Kaisha Display device
KR101274154B1 (ko) * 2008-12-19 2013-06-13 엘지디스플레이 주식회사 광센서를 이용한 터치방식의 전기영동 표시장치
KR20120124224A (ko) * 2011-05-03 2012-11-13 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
TWI452502B (zh) 2011-12-16 2014-09-11 Au Optronics Corp 觸控畫素陣列基板、觸控顯示面板與觸控畫素結構
CN112993076B (zh) * 2021-02-19 2023-01-10 京东方科技集团股份有限公司 光电子集成基板及其制备方法、光电子集成电路

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3200856B2 (ja) * 1991-02-12 2001-08-20 ソニー株式会社 固体撮像装置
JPH05198787A (ja) * 1991-11-08 1993-08-06 Canon Inc 固体撮像装置及びその製造方法
US7242449B1 (en) * 1999-07-23 2007-07-10 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and integral image recognition/display apparatus
GB0014961D0 (en) * 2000-06-20 2000-08-09 Koninkl Philips Electronics Nv Light-emitting matrix array display devices with light sensing elements
JP2002237614A (ja) 2000-11-28 2002-08-23 Canon Inc 光電変換装置及びその駆動方法並びに情報処理装置
FR2824665B1 (fr) * 2001-05-09 2004-07-23 St Microelectronics Sa Photodetecteur de type cmos
TW575849B (en) * 2002-01-18 2004-02-11 Chi Mei Optoelectronics Corp Thin film transistor liquid crystal display capable of adjusting its light source
CN1319421C (zh) * 2002-06-26 2007-05-30 明基电通股份有限公司 液晶显示器亮度的探测与调整方法
US6933532B2 (en) * 2003-03-28 2005-08-23 Eastman Kodak Company OLED display with photosensor
KR100954082B1 (ko) * 2003-04-08 2010-04-23 삼성전자주식회사 액정표시장치

Cited By (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101135794B (zh) * 2006-09-01 2013-06-26 三星显示有限公司 液晶显示器及其驱动方法
CN101517746B (zh) * 2006-12-27 2011-09-07 卡西欧计算机株式会社 光传感器
CN101458430B (zh) * 2007-12-11 2013-05-22 株式会社日本显示器西 光传感器和显示器
CN102099931B (zh) * 2008-03-24 2014-10-29 卡西欧计算机株式会社 光感测设备、光传感器以及显示设备
CN102099931A (zh) * 2008-03-24 2011-06-15 卡西欧计算机株式会社 光感测设备、光传感器以及显示设备
US10571734B2 (en) 2011-10-18 2020-02-25 Samsung Display Co., Ltd. Protective panel for display device and display device including the same
CN103065549A (zh) * 2011-10-18 2013-04-24 三星显示有限公司 用于显示装置的保护面板以及包括该保护面板的显示装置
CN103065549B (zh) * 2011-10-18 2016-01-20 三星显示有限公司 用于显示装置的保护面板以及包括该保护面板的显示装置
US10133111B2 (en) 2011-10-18 2018-11-20 Samsung Display Co., Ltd. Protective panel for display device and display device including the same
US11106076B2 (en) 2011-10-18 2021-08-31 Samsung Display Co., Ltd. Protective panel for display device and display device including the same
CN109461371A (zh) * 2017-09-06 2019-03-12 群创光电股份有限公司 显示装置
US10990790B2 (en) 2017-09-06 2021-04-27 Innolux Corporation Display device
CN110299380A (zh) * 2018-03-23 2019-10-01 群创光电股份有限公司 电子装置
US11574931B2 (en) 2018-03-23 2023-02-07 Innolux Corporation Display device with metal layer having pinhole
US11908869B2 (en) 2018-03-23 2024-02-20 Innolux Corporation Display device comprising a light shielding layer
CN110618527A (zh) * 2018-06-19 2019-12-27 苹果公司 具有可电调节光学层的电子设备
US11243403B2 (en) 2018-06-19 2022-02-08 Apple Inc. Electronic devices having electrically adjustable optical layers
CN110618527B (zh) * 2018-06-19 2022-03-01 苹果公司 具有可电调节光学层的电子设备

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Publication number Publication date
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