CN1618114A - 反射镜设备、曝光设备以及器件制造方法 - Google Patents

反射镜设备、曝光设备以及器件制造方法 Download PDF

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Abstract

本申请公开了一种反射镜设备、曝光设备以及器件制造方法。在通过反射引导曝光光线的曝光设备中，用在反射光学系统中的反射镜设备具有：一个具有一个反射所述曝光光线的反射表面的反射镜；用于散热冷却的散热板，被设置在离开所述反射镜的外表面的位置。所述散热板的设置确保入射到所述反射表面上并从该反射表面反射的所述曝光光线的通道区域。另外，用流过冷却管的冷却液体对各散热板进行温度控制。这样，可以抑制用在曝光设备的反射光学系统中的反射镜的温度上升，保持反射镜反射面的面形状的精度。

Description

反射镜设备、曝光设备以及器件制造方法
技术领域
本发明涉及用在半导体制造工艺中的曝光设备，更具体地，涉及使用远紫外光作为曝光光源的曝光设备，以及用在该曝光设备的反射光学系统中的反射镜设备。
背景技术
作为将光网(reticle，标记版，掩模)图案透射并转移到硅晶片上的投影曝光设备，已经提出了使用波长为13到14nm的远紫外(EUV)光作为曝光光源的设备。由于远紫外光在穿过物体时衰减很大，不能使用利用光学透镜的光学控制系统。因此，在上述使用远紫外光作为曝光光源的曝光设备中，用设置在真空中的多个反射镜来控制曝光光线(反射光学系统)。
这种曝光设备的反射光学系统包括一个用以将曝光光线从光源引导到一个反射性原图板(original plate)(以下称为“光网”)的曝光光线导入光学系统，以及用以将曝光图案通过从所述光网反射的曝光光线缩小投影到晶片上的缩小投影光学系统。各光学系统分别具有若干反射镜。图10A和10B是图示在上述反射光学系统中可用的普通凹面型反射镜的形状的示意图。该反射镜的反射面是凹面。但是，也可以使用凸面型反射镜。具有反射面的反射镜反射来自光源的曝光光线，所述反射面是通过用蒸气淀积或者溅射形成Mo-Si多层膜而获得的。
但是，在用上述反射镜反射曝光光线时，每一个表面的曝光光线的反射率是大约70％，剩下的光线被反射镜基材吸收而被转换为热。图11A和11B是说明反射镜中的温度上升的示意图。如图11A和11B所示，在曝光光线反射区域，温度上升约+10到20摄氏度。结果，即使使用热膨胀系数极小的反射镜材料，在曝光反射区的反射表面中也会发生约25nm的位移，在反射面的反射镜周边部分则会发生约50到100nm的位移。
另一方面，在设置在缩小投影光学系统中的投影光学系统反射镜，以及设置在曝光光线引入光学系统中的照射系统反射镜和光源反射镜中，反射面的形状的精度(以下成为“面形状的精度”)必须是1nm或者以下。
因此，从上述说明明显可知，由于热量导致反射镜反射面的位移，不能保证约1nm的面形状的极高精度。
在投影光学系统的情况下，上述反射镜面形状精度的降低导致图像形成性能和在晶片上的光照的质量下降。例如，在照射系统反射镜的情况下，面形状精度的降低导致光照质量下降，并且导致掩模上的曝光光线的光照均匀性下降。另外，在光源反射镜的情况下，面形状精度的降低导致由于光源的聚焦差而使光照质量降低。这样的质量下降会导致曝光设备的基本性能下降，比如曝光精度和生产能力的下降。
因此，希望抑制用在曝光设备的反射光学系统中的反射镜的温度上升。
发明内容
根据本发明的一个方面，提供曝光设备中的反射镜设备，其构成通过反射引导曝光光线的反射光学系统，它包括：具有反射曝光光线的反射面的反射镜；用于散热冷却的散热板，设置在离开反射镜外表面的地方，并确保入射到反射面并从反射面反射的曝光光线的通道区域；以及温度控制机构，用于对所述散热板进行温度控制。
根据本发明的另一方面，提供一种使用上述反射镜设备用作其反射光学系统的曝光设备。另外，根据本发明的另一方面，提供一种使用上述曝光设备在半导体衬底上形成电路图案的器件制造方法。
结合附图阅读下面的详细说明，可以更加清楚本发明的其它特征和优点。在附图中，相同的附图标记表示相同的名称或者类似的部件。
附图说明
附图构成说明书的一部分，用于与说明书一起说明本发明的实施例，用于解释本发明的原理。
图1是一个示意剖面图，图示了根据本发明第一实施例的曝光设备的整体结构；
图2A和2B的示意图图示了根据第一实施例的光源单元的细节；
图3A和3B的示意图图示了根据第一实施例的反射镜冷却机构；
图4的框图图解了根据第一实施例的反射镜温度控制系统；
图5A和5B的示意图图解了根据第一实施例，在反射镜冷却机构进行温度控制的状态下，反射镜表面的温度分布；
图6的示意图图解了根据本发明第二实施例的反射镜冷却机构；
图7的示意图图解了根据本发明第三实施例的反射镜冷却机构；
图8的示意图图解了根据本发明第四实施例的反射镜冷却机构；
图9的示意图图解了根据第四实施例的反射镜冷却机构；
图10A和10B的示意图图解了普通凹面型反射镜的形状；
图11A和11B的示意图图解了图10A和10B中的反射镜中的温度上升；
图12的流程图表示半导体器件的制造流程；
图13的流程图表示图12中的晶片工艺的细节。
具体实施方式
下面结合附图详细描述本发明的优选实施例。
(第一实施例)
图1的示意剖面图图解了根据本发明第一实施例的曝光设备的结构。在图1中，附图标记1表示激励激光器。激光向一个作为光源的发光点发射(在该点处，光源材料是气化的、液化的或者雾化的(spray-gasified，喷雾气化))，以实现光源材料的原子的等离子体激发，从而发射远紫外光。在本实施例中，使用YAG固体激光器或者类似激光器作为激励激光器。
附图标记2表示光源单元，其结构中保持真空状态。图2A和2B图解了光源单元2的内部结构。附图标记2b表示光源，指出曝光光源的实际发光点。附图标记2a表示光源反射镜，其收集所有来自光源2b的光，并将光在发光方向反射，从而产生曝光光线2d。光源反射镜2a被设置为一个半球形反射镜，光源2b在中心位置。附图标记2e表示将液化发光元素Xe、喷雾液化发光元素Xe或者Xe气体提供到光源2b的位置的喷嘴。
附图标记3表示容纳整个曝光设备的真空室。附图标记4表示抽空真空室以保持真空状态的真空泵。附图标记5表示曝光光线导入单元，将曝光光线从光源单元2引入并对其整形。
曝光光线导入单元5具有反射镜5a到5d，对曝光光线进行均匀化并对其整形。
附图标记6表示光网台，在这里，作为曝光图案的反射原图板的原图板6a被放置在一个可动部件上。附图标记7表示一个缩小投影反射镜光学系统，其将从原图板6a反射来的曝光图案缩小投影到晶片上。在所述投影反射镜光学系统7中，曝光光线依次被反射镜7a到7e投影反射，最后，曝光图案按照预定的缩小比被缩小投影到所述晶片上。
附图标记8表示一个保持晶片8a的晶片台。晶片8a是要在上面缩小投影所述原图板6a上的曝光图案并对其曝光的Si衬底。该晶片台8的位置在关于XYZ和XY轴倾斜的和关于Z轴旋转的方向受到控制，以将晶片8a定位到预定的曝光位置。
附图标记9表示一个光网台支承件，其将光网台6支承到设备安装面上。附图标记10表示投影系统主体，其将所述缩小投影反射镜光学系统7支承到所述设备安装面上。附图标记11表示一个晶片台支承件，用于将所述晶片台8支承到设备安装面上。另外，还提供了用于测量光网台5和缩小投影反射镜光学系统7之间，以及缩小投影反射镜光学系统7和晶片台(它们分别由光网台支承件9、投影系统主体10和晶片台支承件11支承)之间的相对位置，并持续地将这些部件保持在预定的相对位置的装置(未图示)。另外，所述光网台支承件9、所述投影系统主体10和所述晶片台支承件11都设置有一个用来隔绝设备安装面的振动的固定件(未图示)。
附图标记12表示一个光网储存器，在这里将来自设备外部的原图板(光网)6a临时存储到设备内。在光网储存器12中，将相应于不同的图案和不同的曝光条件的光网存储在气密密封的容器中。附图标记13表示光网更换器，用于从光网储存器12中选择要用的光网并输送选中的光网。
附图标记14表示具有可绕XYZ和Z轴旋转的旋转手柄的光网对准单元。该光网对准单元14接纳来自光网更换器13的原图板6a，并180度旋转输送所述光网，使得原图板6a上的对准标记进入设置在光网台6的端部的光网对准观测器15的视野内。然后，参照所述缩小投影反射镜光学系统7，相对于对准标记在XYZ轴旋转方向轻轻移动原图板6a，从而进行对准。也就是，通过在XY偏移方向和Z轴旋转方向轻轻移动原图板6a，将原图板6a中的对准标记与对准标记15a对准。这样，当原图板6a被固定到光网台6上时，原图板参照投影系统被对准。对准的原图板6a被吸附到光网台6上。
附图标记16表示一个晶片储存器，在这里，将来自设备外部的晶片8a临时存储在设备内。在晶片储存器16中，将多个晶片存储在一个容器中。附图标记17表示一个晶片输送机械手，它从晶片储存器16中选择要进行曝光处理的晶片并将选择的晶片输送到一个晶片机械预对准温度控制单元18。晶片机械预对准温度控制单元18对晶片旋转方向的进给进行粗控制，同时将晶片温度控制到曝光设备内的受控温度。附图标记19表示一个晶片喂送手，其将在所述晶片机械预对准温度控制单元18中完成了对准和温度控制的晶片送到所述晶片台8。
附图标记20和21表示闸阀，其作为将光网和晶片从设备外部插入的闸门开关机构。附图标记22也表示一个闸阀，其仅在下述情况下进行开关：晶片从中取出的设备中，包括晶片储存器16和晶片机械预对准温度控制单元18的空间与曝光空间被一个隔墙隔开了。这样，由于设备的内部被一个隔墙隔开，向大气开放的空间被限制到一个最小值，从而可以迅速地恢复真空平行状态(vacuum parallel status)。
从光源单元2引入曝光光线并对其整形的曝光光线导入单元5的反射镜5a到5d，以及缩小投影系统7的反射镜7a到7e，分别具有用蒸汽淀积或者溅射形成Mo-Si多层膜而得到的反射面，并用所述反射面反射来自光源的曝光光线。此时，所述反射镜反射面的反射率约为70％，剩下的光被反射镜基材吸收而被转换为热。结果，如参照图11A和11B所述，在曝光光线反射区域，温度上升约10到20摄氏度。由于这个温度上升，即使使用热膨胀系数极小的反射镜材料，在反射面的反射镜周边部分也会发生约50到100nm的位移。因此，在光源单元2、曝光光线导入单元5和缩小投影反射镜光学系统7中，不能保证各反射镜的面形状的精度，而在这些部分中要求约1nm的极高的面形状精度。
在投影光学系统的情况下，上述反射镜面形状精度的降低导致图像形成性能和在晶片上的光照的质量下降，并且导致曝光光线导入单元5在掩模上的曝光光线的照射和照射均匀性下降。另外，在光源单元2中光源反射镜的面形状精度下降的情况下，光源的聚焦变差，从而使光照质量降低。
在本实施例中，为了解决由于反射镜中温度上升而产生的问题，提供一个反射镜冷却机构以抑制反射镜中的温度上升，以保持反射镜的面形状的精度。注意，由于反射镜的形状在各个部分不同，图示了一个用于圆柱凹面反射镜的冷却机构，作为代表性冷却机构。也就是，为光源单元2、曝光光线导入单元5以及缩小投影反射镜光学系统7中的各反射镜提供一个将在下面描述的冷却机构。
图3A图示了反射镜的总体视图，该反射镜上安装了根据第一实施例的反射镜冷却机构。图3B是一个示意剖面图，用于说明将图3A中的反射镜和冷却机构容纳在一个反射镜筒中的状态。如图3A和3B所示，散射板25a到25e离开反射镜30的曝光光线反射部分而设置。注意，散热板25a和25b是与反射镜的凹面形状相应的球形散热板。另外，散热板25a到25e连接到冷却管23a到23e，并提供/收集对于各散热板优化的用作温度冷却介质的冷却剂24a到24e。注意，在本实施例中，使冷却剂循环，但是，也可以使用另一种冷却介质，比如可以使用冷却气体。
另外，如图3B所示，在圆柱形凹面反射镜中，反射镜30通过一个反射镜支承件32被支持在所述反射镜筒31中。另外，在所述反射镜筒31中，由一个散热板支承件25a支持所述散热板25a和25b，由一个散热板支承件25f支持所述散热板25c到25e。此时，在散热板25a和25b之间，确保了用于来往于反射镜30的反射面的曝光光线2d的通道区域。
图4是一个框图，图示了根据第一实施例的反射镜温度控制系统。在图4中，附图标记26表示一个液体温度检测单元，它检测在通过辐射冷却反射镜30的热量之后被排放的各冷却剂24a到24e的温度。附图标记27表示一个反射镜温度检测单元，它通过连接到反射镜30的温度计27a监测反射镜30的表面温度。附图标记28表示一个冷却剂温度控制单元，它将循环冷却剂24a到24e控制到一个目标温度。附图标记29表示一个曝光光量控制单元，其控制发光定时和曝光量。注意，向反射镜温度检测单元27提供温度信息的温度计27a可以被设置在反射镜30的多个位置处。
在这种结构中，通过反射镜温度检测单元27测量反射镜30的表面温度，同时，用液体温度检测单元26检测排出的冷却剂24a到24e的温度。另外，由曝光光量控制单元29检测发射到反射镜30的曝光光线的曝光光量信息。根据来自所述各单元的这些检测信号以及曝光光量信息，冷却剂温度控制单元28确定冷却剂24a到24e的目标温度，并将冷却剂24a到24e控制到这些目标温度值。
另外，由于对多个散热板15进行独立的温度控制，希望将温度计27a设置在反射镜表面上靠近各散热板的位置处。另一方面，如果温度计27a的数量是一个，或者数量少于散热板的数量，则预先测量反射镜上的温度分布，根据测量的温度分布来预测多个位置处的温度。也就是，将反射镜表面的温度分布存储到一个表中，根据反射镜温度的测量结果和测量位置预测反射镜表面的温度分布，然后确定冷却剂温度，从而实现对各散热板的温度控制。
另外，所述冷却剂温度控制单元28预测冷却剂温度，以对各散热板控制冷却剂温度，从而将反射镜温度控制到目标温度(例如23摄氏度)，并控制冷却剂温度。温度的控制例如是通过检测反射镜温度的变化，并对液体温度进行前馈控制而完成的。另外，如下获得控制值：
(1)用所述反射镜温度检测单元测量反射镜温度，用所述液体温度检测单元26测量反射镜冷却剂出口侧的温度。
(2)从(1)中的测量结果计算反射镜和冷却剂的温度变化量和变化率(反射镜温度或者冷却剂温度按单位时间的变化量)。
(3)基于(2)中的计算结果获得在目标时间内将反射镜温度控制到目标温度所需的冷却速度，并基于该冷却速度确定一个为提供的冷却剂(提供的冷却介质温度)设置的温度，并计算变化率。
(4)基于所述温度和在(3)中获得的变化率，确定冷却剂温度控制单元28中冷却剂的温度命令值。
(5)实时地执行(1)到(4)。
注意，作为关于曝光光量控制的信息，在(4)中确定温度命令值时，以修正系数的形式添加一个对应于曝光光量的增加的温度变化的预测值。
被所述冷却剂温度控制单元28控制到目标温度的冷却剂24a到24e流过冷却管23a到23e，从而将散热板25a到25e冷却到适当的温度。这样，由于设置在靠近反射镜30的位置但是离开曝光光线反射部分的散热板25a到25e的表面温度和反射镜30的表面温度之间的差异，反射镜30被辐射冷却。
图5A和图5B的示意图图示了在散热板25a到25e的温度控制状态下，反射镜表面的温度分布。由冷却剂温度控制单元28将流过冷却管23a到23e的冷却剂24a到24e分别控制到最优化的温度。在图示的例子中，冷却剂24a和24b的液体温度被设置为约5摄氏度，冷却剂24c和24d的液体温度被设置为约10摄氏度，冷却剂24e则约为15摄氏度。
这样，随着具有各自的最优液体温度的冷却剂24a到24e流过散热板25a到25e，在曝光光线反射区域的高温部分，温度上升被抑制到约+2摄氏度。与传统的约+10到20摄氏度的温度上升相比，这种情况下的温度上升受到了极大的抑制。另外，对于反射镜的后表面的温度，与传统的约+5到3摄氏度的温度上升相比，温度上升被极大地抑制到约+1摄氏度。结果，整个反射镜的温度上升被抑制在1到2摄氏度之内。减小了热畸变，将面形状精度稳定在1nm或者更小。
注意，在第一实施例所描述的反射镜温度控制系统中，在反射镜基础部件中提供对象温度计(object thermometer)作为反射镜温度检测单元。但是，用于测量反射镜温度的装置不限于温度计。例如，可以在离开反射镜的位置设置一个辐射温度计，用于测量反射镜温度。
(第二实施例)
图6图示了根据本发明第二实施例的冷却机构。在图6中，对应于第一实施例(图3B)的组成部件具有相同的附图标记。在第一实施例中，为反射镜的曝光光线反射面和后表面设置了多个分立的散热板，分别优化的温度控制冷却介质通过各散热板。在第二实施例中，如图6所示，散热板125a和125b只是对于反射镜30的曝光光线反射面和后表面分开。注意，散热板125a有一个开口(未图示)，以确保来往于反射镜30的反射面的曝光光线2d的通道区域。另外，在入射到反射镜的曝光光线的量小且对光畸变的敏感度低时，最好使用这种形式的冷却机构。
例如，照射系统反射镜的灵敏度低于投影系统反射镜。另外，具有小的曝光光量的反射镜是在照射系统的光源中的最后一个反射镜附近的反射镜。也就是，照射系统中的“在入射到反射镜上的曝光光量小且对光畸变的敏感度低的部分”的反射镜、最后反射镜以及在最后反射镜附近的反射镜。
由于根据第二实施例的在使用散热板时的温度控制是简单地针对反射镜的前后表面进行的，与第一实施例的温度控制相比，这种控制更为简单。但是，控制的基本思想与第一实施例是相同的。注意，冷却介质的温度是基于反射镜的整个后表面上的温度的平均值和反射镜的整个前表面上的温度的平均值确定的。另外，在反射面一侧，由于由曝光光线的吸收而生成的热量大，提供到反射镜反射面一侧的散热板的冷却介质的温度必需被设置在与提供给后表面一侧的散热板的冷却介质相比较低的温度。
(第三实施例)
图7图示了根据本发明第三实施例的冷却机构。在图7中，与第一实施例(图3B)相应的组成部件具有相同的附图标记。在第一实施例中，冷却管直接连接到散热板，以直接冷却散热板。在第三实施例中，珀耳帖(Peltier)元件25a到25e作为固体传热部件，设置在散热板25a到25e和冷却管23a到23e之间。如图7所示，可以这样安排，使得用珀耳帖元件执行散热板的温度控制，用冷却管中的冷却介质冷却珀耳帖元件的后表面上的热辐射部分的温度上升。
(第四实施例)
作为第四实施例，图示了对散热板支承方法的改进。图8是一个示意图，图示了图6中的反射镜冷却机构，其中对其应用了根据第四实施例的散热板支承方法。另外，图9的示意图图示了图7中的反射镜冷却机构，其中对其应用了根据第四实施例的散热板支承方法。
在第一到第三实施例中，支承分立的多个散热板的散热板支承件25f和25g被固定到所述反射镜筒31上，反射镜支承件32被固定到该反射镜筒31上。在第四实施例中，为了防止散热板支承系统对反射镜支承系统的影响(散热板的机械畸变有可能被传递到反射镜支承系统)，如图8和图9所示提供一个与反射镜筒完全分开的散热板支承基座33。散热板支承基座33固定地保持支承各散热板的散热板支承件325f和325g。
根据上述各实施例，在稍微离开多个反射镜的外围的位置单独地提供多个温度受到控制的散热板，以在非接触状态下对反射镜进行辐射冷却。在这种方案中，反射镜的冷却可以在不对反射镜形成负载和畸变的情况下进行。也就是，可以将整个反射镜有效地和均匀地控制在预定的温度而不对反射镜反射面造成畸变。结果，防止了反射面形状精度的下降。在投影光学系统(缩小投影反射镜光学系统7)中，防止了图像形成性能和对晶片的照射的质量下降。在照射系统(曝光光线导入单元5)中，可以防止对掩模的照射和照射均匀性的下降。在光源反射镜(光源单元2)中，可以防止由于光源聚焦不好或者类似原因导致照射质量下降。这些优点提高了基本性能，比如曝光设备的曝光精度和生产率。
另外，根据上述各实施例，在反射镜的反射面一侧和后表面一侧提供了多个单独的散热板，它们的温度被控制到不同的温度。由于可以优化多个散热板在反射镜外围的布置，可以相应于反射镜各部分的温度进行辐射冷却。
另外，由于散热板在反射镜的曝光光线反射面一侧和后表面一侧被设置在大致沿着反射镜外部形状并离开反射镜表面预定距离的位置，可以在反射镜表面上进行均匀的辐射冷却。
另外，由于在反射镜基座部件或者在接近反射镜基座部件的位置设置温度测量器件，冷却介质的温度得到控制，以基于来自温度测量器件的温度测量信号对各散热板进行温度控制，所述散热板，以及扩展开来，所述整个反射镜，都可以被保持在预定的温度。
另外，根据第四实施例，由于散热板的表面温度由固定冷却器件比如珀耳帖(Peltier)元件进行控制，可以有效地实现散热板的温度控制。
(其他实施例)
下面描述使用上述曝光设备的器件制造方法的一个实施例。
图11A和11B图示了微器件(半导体芯片比如IC或者LSI，液晶板，CCD，薄膜磁头，微机械等)制造流程。在步骤1(电路设计)，设计半导体器件的器件图案。在步骤2(产生曝光控制数据)，基于设计的电路图案产生用于曝光设备的曝光控制数据。另一方面，在步骤3(晶片制造)，用硅等材料制造晶片。在步骤4(晶片工艺)，称为预处理，使用曝光设备和晶片，用光刻技术在晶片上形成实际电路，其中，在所述曝光设备中输入了上面准备的曝光控制数据。在接下来的步骤5(组装)，称为后处理，使用在步骤4形成的晶片制造半导体芯片。步骤5包括一个组装工艺(切割和焊接)、封装工艺(芯片封装)等。在步骤6(检查)，对在步骤5形成的半导体器件进行器件工作测试、寿命测试等。通过这些过程完成半导体器件的制造，然后发货(步骤7)。
图12图示了晶片工艺的详细流程。在步骤11(氧化)，对晶片表面进行氧化。在步骤12(CVD)，在晶片表面上形成绝缘膜。在步骤13(电极形成)，通过蒸汽电极在晶片上形成电极。在步骤14(离子注入)，在晶片中注入离子。在步骤15(抗蚀剂处理)，晶片被覆以光致抗蚀剂。在步骤16(曝光)，由上述曝光设备将电路图案曝光印制到晶片上。在步骤17(显影)，对曝光的晶片显影。在步骤18(蚀刻)，将显影出来的抗蚀剂图像以外的部分去除。在步骤19(抗蚀剂剥离)，将完成蚀刻之后不再需要的抗蚀剂去除。重复这些步骤，以在晶片上形成多层电路图案。
根据上述器件制造方法，可以形成具有精细电路图案的器件。
如上所述，根据本发明，可以抑制用在曝光设备的反射光学系统中的反射镜的温度上升，从而可以保持反射镜反射面的面形状的精度。
由于在不脱离本发明的实质精神的前提下可以对本发明作出许多实施例，应当理解，本发明不限于这里所公开的具体实施例，只受所附权利要求的限制。
权利要求书
(按照条约第19条的修改)
1.曝光设备中的反射镜设备，构成通过反射引导曝光光线的反射光学系统，该反射镜设备包括：
一个具有一个反射所述曝光光线的反射表面的反射镜；
一个用于散热冷却的散热板，离开所述反射镜的外表面设置，并确保入射到所述反射表面上并从该反射表面反射的所述曝光光线的通道区域；以及
一个温度控制机构，用于对所述散热板进行温度控制。
2.如权利要求1所述的反射镜设备，其特征在于，基于来自安装在所述反射镜处的温度检测装置的检测信息，控制所述散热板的温度。
3.如权利要求1所述的反射镜设备，其特征在于，所述散热板是分立的，被设置在多个位置。
4.如权利要求3所述的反射镜设备，其特征在于，所述通道区域形成在所述分立的多个散热板之间。
5.如权利要求3所述的反射镜设备，其特征在于，对于所述反射镜的所述反射表面以及不同于所述反射表面的外表面，所述散热板是单独的。
6.如权利要求3所述的反射镜设备，其特征在于，所述分立的多个散热板分别具有沿着所述反射镜的所述外表面的形状的形状，并被设置在离开所述反射镜一个大致预定的距离的位置。
7.如权利要求3到5之一所述的反射镜设备，其特征在于，所述温度控制机构对所述分立的多个散热板单独进行温度控制。
8.如权利要求1所述的反射镜设备，其特征在于，所述温度控制机构通过循环冷却液体或者冷却气体来对所述散热板进行温度控制。
9.如权利要求8所述的反射镜设备，其特征在于，所述温度控制机构包括：
测量所述反射镜的温度的第一温度计；
测量所述冷却液体或者冷却气体的温度的第二温度计；
光量估测装置，用于根据曝光的光发射控制信息来估测入射到所述反射镜上的曝光光线的量；以及
温度控制器，基于所述第一温度计和所述第二温度计获得的温度信息，以及所述光量估测装置估算的曝光光线的光量，控制所述冷却液体或者冷却气体的温度。
10.如权利要求9所述的反射镜设备，其特征在于，所述第一温度计是离开所述反射镜一个预定距离设置的辐射温度计。
11.如权利要求1所述的反射镜设备，其特征在于，所述温度控制机构包括：
一个连接到所述散热板的固体冷却件；以及
循环机构，使冷却液体或者冷却气体循环以冷却所述固体冷却件。
12.如权利要求1所述的反射镜设备，还包括：
一个容纳所述反射镜的反射镜筒；
一个固定到所述反射镜筒上，将所述反射镜保持在所述反射镜筒中的预定位置的反射镜支承件；以及
一个固定到所述反射镜筒上，将所述散热板保持在相对于所述反射镜的预定位置的散热板支承件。
13.如权利要求1所述的反射镜设备，还包括：
一个容纳所述反射镜的反射镜筒；
一个固定到所述反射镜筒上，将所述反射镜保持在所述反射镜筒中的预定位置的反射镜支承件；以及
一个固定到与所述反射镜筒分开的支持基座上，将所述散热板保持在相对于所述反射镜的预定位置的散热板支承件。
14.一种曝光色环保，通过用一个反射光学系统引导曝光光线，用于将原图板上的图案转移到一个晶片上，其特征在于，设置在所述反射光学系统中的反射镜是如权利要求1所述的反射镜设备。
15.如权利要求14所述的曝光设备，其特征在于，所述反射光学系统是以下系统中的任何一种：光源装置的产生所述曝光光线的反射光学系统，将所述曝光光线引导到所述原图板的照射光学系统，以及将来自所述原图板的反射光投影到晶片上的投影光学系统。
16.一种使用如权利要求14所述的曝光设备在半导体衬底上形成电路图案的器件制造方法。

Claims (16)

1.曝光设备中的反射镜设备，构成通过反射引导曝光光线的反射光学系统，该反射镜设备包括：
一个具有一个反射所述曝光光线的反射表面的反射镜；
一个用于散热冷却的散热板，离开所述反射镜的外表面设置，并确保入射到所述反射表面上并从该反射表面反射的所述曝光光线的通道区域；以及
一个温度控制机构，用于对所述散热板进行温度控制。
2.如权利要求1所述的反射镜设备，其特征在于，基于来自安装在所述反射镜处的温度检测装置的检测信息，控制所述散热板的温度。
3.如权利要求1所述的反射镜设备，其特征在于，所述散热板是分立的，被设置在多个位置。
4.如权利要求3所述的反射镜设备，其特征在于，所述通道区域形成在所述分立的多个散热板之间。
5.如权利要求3所述的反射镜设备，其特征在于，对于所述反射镜的所述反射表面以及不同于所述反射表面的外表面，所述散热板是单独的。
6.如权利要求3所述的反射镜设备，其特征在于，所述分立的多个散热板分别具有沿着所述反射镜的所述外表面的形状的形状，并被设置在离开所述反射镜一个大致预定的距离的位置。
7.如权利要求3到5之一所述的反射镜设备，其特征在于，所述温度控制机构对所述分立的多个散热板单独进行温度控制。
8.如权利要求1所述的反射镜设备，其特征在于，所述温度控制机构通过循环冷却液体或者冷却气体来对所述散热板进行温度控制。
9.如权利要求8所述的反射镜设备，其特征在于，所述温度控制机构包括：
测量所述反射镜的温度的第一温度计；
测量所述冷却液体的温度的第二温度计；
光量估测装置，用于根据曝光的光发射控制信息来估测入射到所述反射镜上的曝光光线的量；以及
温度控制器，基于所述第一温度计和所述第二温度计获得的温度信息，以及所述光量估测装置估算的曝光光线的光量，控制所述冷却液体或者冷却气体的温度。
10.如权利要求9所述的反射镜设备，其特征在于，所述第一温度计是离开所述反射镜一个预定距离设置的辐射温度计。
11.如权利要求1所述的反射镜设备，其特征在于，所述温度控制机构包括：
一个连接到所述散热板的固体冷却件；以及
循环机构，使冷却液体或者冷却气体循环以冷却所述固体冷却件。
12.如权利要求1所述的反射镜设备，还包括：
一个容纳所述反射镜的反射镜筒；
一个固定到所述反射镜筒上，将所述反射镜保持在所述反射镜筒中的预定位置的反射镜支承件；以及
一个固定到所述反射镜筒上，将所述散热板保持在相对于所述反射镜的预定位置的散热板支承件。
13.如权利要求1所述的反射镜设备，还包括：
一个容纳所述反射镜的反射镜筒；
一个固定到所述反射镜筒上，将所述反射镜保持在所述反射镜筒中的预定位置的反射镜支承件；以及
一个固定到与所述反射镜筒分开的支持基座上，将所述散热板保持在相对于所述反射镜的预定位置的散热板支承件。
14.一种曝光色环保，通过用一个反射光学系统引导曝光光线，用于将原图板上的图案转移到一个晶片上，其特征在于，设置在所述反射光学系统中的反射镜是如权利要求1所述的反射镜设备。
15.如权利要求14所述的曝光设备，其特征在于，所述反射光学系统是以下系统中的任何一种：光源装置的产生所述曝光光线的反射光学系统，将所述曝光光线引导到所述原图板的照射光学系统，以及将来自所述原图板的反射光投影到晶片上的投影光学系统。
16.一种使用如权利要求14所述的曝光设备在半导体衬底上形成电路图案的器件制造方法。
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