CN1617230A - 提供磁存储装置的自由层中磁致伸缩控制的方法和设备 - Google Patents

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Abstract

本发明公开一种为磁存储装置的自由层提供磁致伸缩控制的方法和设备。自由层可使用相同目标成分，但是在不改变磁致伸缩比率ΔR/R的条件下通过改变相对厚度值来获得要求的磁致伸缩。该方法包括：形成被钉扎层；在所述被钉扎层上面形成隔离层；形成具有第一厚度的第一自由层；及形成具有第二厚度的第二自由层，选择所述第一厚度和第二厚度的比率来提供要求的磁致伸缩。

Description

提供磁存储装置的自由层中 磁致伸缩控制的方法和设备
技术领域
本发明大体上涉及用于磁存储装置的传感器，且特别涉及提供磁存储装置的自由层中磁致伸缩控制的方法和设备。
背景技术
磁记录是信息处理工业的关键一环。虽然早期磁带装置的基本原理已经有一百年了，且磁硬盘驱动器的基本原理也超过四十年了，但是技术革新的汇集继续扩展着磁记录产品的存储容量及性能。对于硬盘驱动器，由于第一盘驱动器用于数据存储，在所述磁介质上被写入数据位的面积密度(arealdensity)或密度已经增加了超过两百万倍的因子。由于对磁记录头、介质、驱动电子以及机械的改进，面积密度继续增长。
磁记录头已被认为是面积密度增长中最重要的因素。所述磁记录头向所述介质写入和随后从所述介质读取磁记录数据能够好到每平方英寸十亿比特(Gbit/in2)量级的数据密度的能力，这给硬盘驱动器提供了许多年以来仍然作为主流存储装置的能力。
计算平台的重要组成就是包括磁盘和磁带驱动的大容量存储装置，其中磁带驱动普遍用于例如数据备份。读写头被用于向所述记录介质写入磁数据和从所述记录介质读取磁数据。所述读写头与根据计算机程序运作的处理电路连接以实现读写功能。
一个磁致电阻(magnetoresistive，MR)传感器在磁场存在时改变阻值。因为来自被记录磁介质的磁场导致所述读取元件中磁化方向的变化，这相应地改变了传感器的阻值，则被记录数据可以从被记录磁介质中(例如一个磁盘中)读取。
通过作为被所述传感元件感应的磁通的强度和方向的函数的传感元件的阻值变化，一个磁致电阻(MR)传感器对磁场信号进行检测。常规MR传感器(例如那些用作在磁记录盘和磁带驱动中读取数据的MR读取头)基于体磁材料(典型地为坡莫合金)的各向异性磁致电阻(anisotropicmagnetoresistive，AMR)效应而工作。所述读取元件的阻值分量随着一角度的余弦平方而变化，所述角度为所述读取元件中磁化方向与通过所述读取元件的感应电流的方向之间的角度。因为来自所述被记录磁介质的外部磁场(信号场)引起所述读取元件中磁化方向的变化，这随后使所述读取元件的阻值产生变化，因此可以从磁介质(例如所述磁盘驱动器中的磁盘)读取被记录数据。这种阻值上的变化可以被用于检测记录在记录介质上的磁转变。
在过去的几年中，通过发现和开发出基于巨磁阻(GMR)效应(也被公知为自旋阀效应)的传感器，增加存储容量的期望变得有可能。在一个自旋阀传感器中，所述GMR效应随着所述被钉扎层的磁化和所述自由层的磁化之间角度的余弦而变化。因为来自被记录磁介质的外部磁场(或信号场)使所述自由层的磁化方向改变，这随后导致所述自旋阀传感器的阻值变化并且导致感应电流或电压相应地改变，因此可以从磁介质中读取被记录数据。
在例如磁盘和磁带驱动的大容量存储装置中经常可以找到利用所述GMR效应的磁传感器并且经常被叫做自旋阀传感器。在一个AFM被钉扎自旋阀中，所述被钉扎层被磁性钉扎或被邻近钉扎层定向。在一个自钉扎自旋阀中，所述被钉扎层的磁矩在制造过程中被钉扎，即所述磁矩由膜的特定厚度和成分来设定。
最近，已经对磁隧道结传感器提出了许多应用，包括用于磁盘及磁致电阻随机访问存储器中的读取头。一个磁隧道结(magnetic tunnel junction，MTJ)是一种由一个绝缘阻挡分隔开的至少两个磁膜层组成的类型或磁致电阻装置。所述绝缘阻挡足够薄，能够使得电子量子机械地隧穿所述阻挡。MTJ的阻值直接关系到隧穿的可能性，其依赖于所述磁化层磁化矢量的相对取向。因为所述磁化矢量的取向依赖于所施加的场，则所述MTJ器件的阻值在存在磁场时产生变化。
自旋阀传感器和MTJ器件包括组合为单个结构的至少三层薄材料。一个自由层用作传感层。所述自由层通过待读取数据位的表面上方。响应于所述盘上的磁图案，它自由地旋转。邻近所述自由层设置一个隔离层。在一个GMR传感器中，所述隔离层为导体，例如铜。在MTJ器件中，所述隔离层为一个绝缘层，例如Al2O3。所述被钉扎层是如上所述保持固定磁取向的材料层。
自由层磁致伸缩是实现良好的传感器性能而需要进行控制的关键参数之一。一自由层通常使用双层结构(例如CoFe和NiFe)来形成。现在对于自由层的双层结构的磁致伸缩控制通过改变一个层(例如NiFe或CoFe层)的成分来完成。但是，改变层的成分非常费时费钱，但当改变传感器设计时其仍经常要求这样做。
可以看到需要一个为磁存储装置的自由层提供磁致伸缩控制的方法和设备。
发明内容
为了克服上述现有技术中的限制，并且克服在阅读和理解本说明书时变得明显的其它限制，本发明公开了一种为磁存储装置的自由层提供磁致伸缩控制的方法和设备。
通过对所述自由层提供相同的目标成分，但是在基本不改变磁致伸缩比率ΔR/R的条件下改变相对厚度值来获得要求的磁致伸缩，本发明解决了上述问题。
根据本发明原理的方法包括：形成被钉扎层；在所述被钉扎层上面形成隔离层；形成具有第一厚度的第一自由层并且形成具有第二厚度的第二自由层，选择所述第一厚度和第二厚度的比率来提供要求的磁致伸缩。
在本发明的另一个实施例中，提供一种磁传感器。所述磁传感器包括：被钉扎层；形成在所述被钉扎层上面的隔离层；形成在所述隔离层上面的、具有第一厚度的第一自由层和形成在所述第一自由层上面的、具有第二厚度的第二自由层，其中通过选择所述第一厚度和第二厚度的比率来提供要求的磁致伸缩。
在本发明的另一个实施例中，提供一种磁隧道结传感器。所述磁隧道结传感器包括磁隧道结装置，该装置包括：被钉扎层；形成在所述被钉扎层上面的绝缘层；形成在所述绝缘层上面的、具有第一厚度的第一自由层和形成在所述第一自由层上面的、具有第二厚度的第二自由层，其中通过选择所述第一厚度和第二厚度的比率来提供要求的磁致伸缩；与所述磁隧道结装置连接的电流源；及磁致电阻检测器，其与所述磁隧道结装置连接，用于根据所述第一和第二自由层的磁定向来检测通过所述磁隧道结装置的电阻。
在本发明的另一个实施例中，提供一种磁存储系统。所述磁存储系统包括：可移动磁记录介质；用于检测在所述可移动磁记录介质上磁信号的磁传感器，包括：被钉扎层，形成在所述被钉扎层上面的隔离层，形成在所述隔离层上面的、具有第一厚度的第一自由层和形成在所述第一自由层上面的、具有第二厚度的第二自由层，其中通过选择所述第一厚度和第二厚度的比率来提供要求的磁致伸缩；磁致电阻检测器，其与所述磁传感器连接，用于根据所述第一和第二自由层的磁定向来检测通过所述磁传感器的电阻；及驱动装置，其与所述磁传感器连接，用于使所述传感器相对于所述介质移动。
在本发明的另一个实施例中，提供一种自旋阀传感器。所述自旋阀传感器包括双层自由层结构，所述双层自由层结构包括具有第一厚度的第一自由层和形成在所述第一自由层上面的、具有第二厚度的第二自由层，其中通过选择所述第一厚度和第二厚度的比率来提供要求的磁致伸缩；具有磁矩的铁磁性被钉扎层结构；布置在所述自由层结构和所述被钉扎层结构之间的非磁导体隔离层；连接所述被钉扎层结构的反铁磁性钉扎层，用于钉扎所述被钉扎层结构的磁矩；以与所述自由层结构相邻关系位于所述自由层结构两侧的硬磁薄膜；及邻近所述钉扎层结构的种子层结构。
在本发明的另一个实施例中，提供一种自旋阀传感器。所述自旋阀传感器包括双层自由层结构，所述双层自由层结构包括具有第一厚度的第一自由层和形成在所述第一自由层上面的、具有第二厚度的第二自由层，其中通过选择所述第一厚度和第二厚度的比率来提供要求的磁致伸缩；具有磁矩的自钉扎层结构；布置在所述自由层结构和所述自钉扎层结构之间的非磁导体隔离层；以与所述自由层结构相邻关系位于所述自由层结构两侧的硬磁薄膜；及邻近所述钉扎层结构的种子层结构。
在本发明的另一个实施例中，提供一种磁传感器。所述磁传感器包括：提供固定磁定向的装置；双层装置，布置在所述用于提供固定磁定向的装置上，用于传感磁场，所述双层装置包括用于提供可自由旋转磁化的第一和第二装置，所述第一装置具有第一厚度用于传感磁场而所述第二装置具有第二厚度用于传感磁场；一装置，其用于分隔提供钉扎场的装置与双层装置，其中选择所述第一厚度和第二厚度的比率来提供要求的磁致伸缩。
在所附的权利要求书中具体地指出了作为本发明特征的新颖性的这些和其它各种优点和特性，形成了其一部分。但是，为了更好地理解本发明、以及本发明的优点和使用本发明获得的目的，可以参考形成了其另一部分的附图及与随附的描述，其中对根据本发明的装置的特定示例进行了表示和描述。
附图说明
现在参考附图，其中所有图中相同的附图标记代表相应的部件。
图1表示根据本发明实施例的存储系统；
图2表示根据本发明实施例的一个存储系统；
图3表示根据本发明实施例的安装在悬架上的滑动器；
图4表示根据本发明实施例的滑动器和磁头的ABS视图；
图5表示根据本发明实施例的GMR传感器的空气承载表面的视图；
图6表示根据本发明实施例的层结构；
图7表示根据本发明实施例的CoFe/NiFe比率的曲线图；
图8表示根据本发明实施例的传感器的CoFe/NiFe比率范围的dR/R曲线图；
图9表示根据本发明实施例的CoFe/NiFe比率范围的传感器阻值的曲线图；
图10表示根据本发明实施例的CoFe/NiFe比率范围的自由层的矫顽磁性的曲线图；
图11表示根据本发明实施例的CoFe/NiFe比率范围的自由层的硬轴矫顽磁性的曲线图；以及
图12为在所述磁存储装置的自由层中形成具有希望磁致伸缩的磁存储装置的流程图。
具体实施方式
在下面的实施例说明中，参考作为说明书一部分的附图，以示例的方式对本发明所使用的特定实施例进行说明。应该明白在不背离本发明的范围内可以在结构上作出变化而作出其它的实施例。
本发明提供一种提供磁存储装置的自由层中的磁致伸缩控制的方法和设备。对于自由层可以使用相同的目标成分，但是，在不改变磁致电阻率ΔR/R的条件下改变相对厚度值来获得所需的磁致伸缩。
图1表示根据本发明的存储系统100的示例。一换能器110处于一驱动装置120的控制下，从而所述驱动装置120控制所述变换器110的位置。所述变换器110在磁介质130上写入和读取数据。所述读出/写入信号被送到一数据通道140。信号处理器150控制所述驱动装置120并且处理所述数据通道140的信号以与外部输入/输出(I/O)170交换数据。I/O170例如可以为台式计算应用(其使用存储系统100)提供数据和控制管道。另外，介质平移器160由所述信号处理器150控制以使所述磁介质130相对于所述变换器110移动。本发明不想要特别限制存储系统100的类型或所述存储系统100中所用介质130的类型。
图2表示根据本发明的多磁盘存储系统200的特殊实施例。在图2中，表示了一个硬盘驱动存储系统200。所述系统200包括一个支持并且旋转多个磁盘220的轴210。所述轴210由受到马达控制器230控制的马达280来旋转。一个组合读取和写入磁头270被安装在由悬架250和驱动臂240支持的滑动器260上。处理电路与读取/写入磁头270交换代表信息的信号，提供旋转所述磁盘220的马达驱动信号，并且提供使所述滑动器260运动到各个轨道的控制信号。虽然表示了一个多磁盘存储系统，根据本发明对一个单磁盘存储系统也一样适用。
所述悬架250和驱动臂240将所述滑动器260定位，使得读/写磁头270与磁盘220的表面形成换能关系。当所述磁盘220被所述马达280旋转时，所述滑动器260被支撑在所述盘220表面和所述ABS290之间的空气薄垫(空气轴承)上。然后读/写磁头270可以用于在磁盘220表面的多个圆形轨道上写入信息以及从该处读取信息。
图3表示安装在悬架322上的滑动器320。第一和第二焊料接头302和308分别将来自传感器318的引线连接到悬架322上的引线310和314，并且第三和第四焊料连接304和306分别将写入线圈(未显示)连接到悬架322上的引线312和316。
图4为滑动器400和磁头410的ABS视图。所述滑动器具有一个支持所述磁头410的中心轨420，和侧轨430和460。所述支持轨420、430和460从一个横轨440上延伸。关于所述磁盘的旋转，所述横轨440位于所述滑动器400的引导边缘450且所述磁头410位于所述滑动器400的跟踪边缘470。
上述图1-4所示典型磁记录盘驱动系统仅仅是为了说明的目的。存储系统可以包含很多记录介质和驱动装置，并且每个驱动装置可支持多个滑动器。另外，代替空气轴承滑动器，所述头的载体可维持所述头与所述盘接触或接近接触，例如液体轴承及其它接触和接近接触记录盘驱动器。
图5表示根据本发明实施例的GMR传感器500的空气轴承表面视图。GMR头用作高密度记录磁致电阻(MR)头是特别有利的，这是由于它们的高回读输出电压、线性响应、及对称的读取灵敏度曲线。
图5中表示出GMR传感器500的空气轴承表面视图，GMR传感器500包括被一个中心区516分开的端区512和514。一个自由层(自由铁磁层)518通过一个非磁性、导电隔离层522(典型地，主要是铜)而与一个被钉扎层(AP被钉扎铁磁层)520分开。根据本发明实施例的所述自由层518在下面将作详细描述。所述被钉扎层520的磁化可以通过与一个反铁磁(AFM)层524交换耦合而被固定。但是，在存在外来场的条件下，所述自由层518的磁化自由地旋转。自由层518、隔离层522、被钉扎层520和AFM层524全部形成在所述中心区516。
硬偏置层(hard bias layer)526和528分别形成在所述端区512和514，为所述自由层518提供纵向偏置。在所述基板510上设置种子层结构550，以促进随后邻近所述种子层结构550生长的各层(例如所述硬偏置层)的组织结构并增强晶粒生长。分别形成于所述硬偏置层526和528上的引线530和532给从一电流源534至所述GMR传感器500的感应电流Is的流动提供电连接。信号检测器540(其与所述引线530和532电连接)传感所述GMR传感器500由于受到外部磁场(例如，当一个盘上的场转换移动通过所述GMR传感器500时产生的场)所感应的变化而产生的阻值变化。在所述自由层518上可选择地设置一个盖(未显示)。也可以使用其它GMR传感器500的结构，并且本领域普通技术人员能够容易地使用这样的替换结构来适应本发明。
在所述GMR头传感器的三明治结构(即“传感自由层”，“导体间隔层”及“被钉扎层”)内，所述自由层的磁化是自由的，以响应来自所述介质的外部磁场。所述被钉扎层的磁化被钉扎在所述自由层磁化的大约90度。当传导电子通过所述隔离层在所述自由层和被钉扎层之间分散时，所述头的电阻响应于所述自由层和被钉扎层之间的磁化方向角度而改变。
图6表示根据本发明实施例的层结构600。在图6中，表示了被钉扎层610、隔离层620和自由层630。所述自由层630是一个双层结构，其可包括例如CoFe层632和一个NiFe层634。所述自由层630的组合磁致伸缩需要被牢牢地控制以用于磁存储装置。通过改变所述层632、634中的一个(即NiFe目标)的成分，该控制已经预先完成。但是，根据本发明的实施例，更好的控制可以通过改变所述自由层630中层632、634间的厚度比来完成。图6表示一个自由层630，其中选择所述自由层632、634的相对厚度以具有提供所需磁致伸缩的比率。因此，不是通过改变第一和第二层632、634的目标成分，而是通过改变所述自由层632、634的相对厚度值以获得所需磁致伸缩，从而控制了所述自由层630的磁致伸缩。在图6中，所述第一自由层632设计为具有厚度t1640，并且所述第二自由层634设计为厚度是t2642。所述比率t1/t2决定所述磁致伸缩。本领域普通技术人员会认识到本发明并不意味着限制所述自由层632、634为特殊材料。然而，本发明的优选实施例包括选择厚度为t1的CoFe层632和设计厚度为t2的NiFe自由层634。
为了控制磁致伸缩而改变所述自由层632、634的相对厚度比率与改变例如CoFe/NiFe自由层630的成分相比更加简单且廉价。而且，对于所述改变自由层630的层632、634之间的相对厚度比率来控制磁致伸缩，能够选择满足自由层630要求的范围内的任何磁致伸缩值。相反，改变自由层632、634的成分来控制磁致伸缩，则要求使用许多目标成分来获得同样类型的磁致伸缩值。
图7表示根据本发明实施例的CoFe/NiFe自由层之间比率的曲线图700。图7显示可以通过改变自由层中CoFe/NiFe比率来实现更好地控制。在图7中，所述CoFe/NiFe淀积时间比率710从712处的约0.75变化到714处的1.35。复合磁致伸缩730从732处的-1.8×10-6变化到734处的-0.4×10-6。
图8为根据本发明实施例的用于传感器的CoFe/NiFe比率范围的dR/R的曲线图800。图8中，当外部磁场在高值和低值之间切换时，所述磁致伸缩比率(MR比率)830(dR/R)是阻值变化的百分比。图8表示随着CoFe/NiFe比率810的增加，所述MR比率830几乎为常数，即从12.95％到13.37％。
图9为根据本发明实施例的对于CoFe/NiFe比率范围的传感器阻值的曲线图900。在图9中，所述传感器阻值930不随着CoFe/NiFe比率910的增加而有明显的变化。对于CoFe/NiFe比率910从912处的约0.75到914处的1.05的范围，所述传感器阻值930从932处的23.3欧姆/平方变化到934处的23.4欧姆/平方。
图10为根据本发明实施例的对于CoFe/NiFe比率范围的自由层的矫顽磁性的曲线图1000。在图10中，所述矫顽磁性1030并不随着CoFe/NiFe比率1010的增加而显著增加。对于CoFe/NiFe比率1010的范围从1012处的约0.75到1014处的1.35，所述矫顽磁性1030从1032处的约6Oe变化到1034处的4.8Oe。
图11为根据本发明实施例的对于CoFe/NiFe比率范围的所述自由层硬轴矫顽磁性的曲线图1100。在图11中，随着CoFe/NiFe比率1110的增加，所述硬轴矫顽磁性1130相对保持常数。对于CoFe/NiFe比率1110的范围从1112处的约0.75到1114处的1.35，所述硬轴矫顽磁性从1132处的约1.1Oe变化到1134处的约0.95Oe。
图12为形成一个磁存储装置的流程图1200，磁存储装置的自由层中具有所需的磁致伸缩。在图12中，形成一个被钉扎层(1210)。在所述被钉扎层上形成一个隔离层(1220)。通过淀积第一自由层和第二自由层(例如CoFe和NiFe)来形成自由层，其中选择所述第一和第二自由层之间的厚度比率t1/t2来提供要求的磁致伸缩(1230)。
因此，本发明提供了一种方法和设备，其提供磁存储装置的自由层中的磁致伸缩控制。对于CoFe和NiFe层使用相同的目标成分，但是改变相对厚度值来获得要求的磁致伸缩。还有，图8-12表示CoFe/NiFe比率的变化不会使根据本发明实施例的结构的特性劣化。
上面对本发明示例性实施例的描述仅仅用于说明和解释。并不打算详尽或限制本发明在公开的精确形式。由上述的启示能够进行多种修改和改进。本发明的范围要由所附权利要求书而不是这里的详细描述来限定。

Claims (17)

1.一种控制磁存储装置的自由层中磁致伸缩的方法，包括：
形成被钉扎层；
在所述被钉扎层上面形成隔离层；
形成具有第一厚度的第一自由层；及
形成具有第二厚度的第二自由层，选择所述第一厚度和第二厚度的比率来提供要求的磁致伸缩。
2.如权利要求1所述的方法，其中所述第一自由层由CoFe构成并且所述第二自由层由NiFe构成。
3.如权利要求1所述的方法，其中所述隔离层为一导体层。
4.如权利要求1所述的方法，其中所述隔离层为一绝缘层。
5.一种磁传感器，包括：
被钉扎层；
形成在所述被钉扎层上面的隔离层；
形成在所述隔离层上面的、具有第一厚度的第一自由层；及
形成在所述第一自由层上面的、具有第二厚度的第二自由层，其中选择所述第一厚度和第二厚度的比率来提供要求的磁致伸缩。
6.如权利要求5所述的传感器，其中所述第一自由层由CoFe构成并且所述第二自由层由NiFe构成。
7.如权利要求5所述的传感器，其中所述隔离层为一导体层。
8.如权利要求5所述的传感器，其中所述隔离层为一绝缘层。
9.一种磁隧道结传感器，包括：
磁隧道结装置，包括：
被钉扎层；
形成在所述被钉扎层上面的绝缘层；
形成在所述绝缘层上面的、具有第一厚度的第一自由层；及
形成在所述第一自由层上面的、具有第二厚度的第二自由层，其中通过选择所述第一厚度和第二厚度的比率来提供要求的磁致伸缩；
与所述磁隧道结装置连接的电流源；及
磁致电阻检测器，其与所述磁隧道结装置连接，用于基于所述第一和第二自由层的磁取向来检测通过所述磁隧道结装置的电阻。
10.如权利要求9所述的磁隧道结传感器，其中所述第一自由层由CoFe构成并且所述第二自由层由NiFe构成。
11.一种磁存储系统，包括
可移动磁记录介质；
在所述可移动记录介质上用于检测磁信号的磁传感器，包括：
被钉扎层；
形成在所述被钉扎层上面的隔离层；
形成在所述隔离层上面的、具有第一厚度的第一自由层；及
形成在所述第一自由层上面的、具有第二厚度的第二自由层，其中通过选择所述第一厚度和第二厚度的比率来提供要求的磁致伸缩；
磁致电阻检测器，其与所述磁传感器连接，用于基于所述第一和第二自由层的磁取向来检测通过所述磁传感器的电阻；及
驱动装置，其与所述磁传感器连接，用于使所述传感器相对于所述介质移动。
12.如权利要求11所述的磁存储装置，其中所述第一自由层由CoFe构成并且所述第二自由层由NiFe构成。
13.一种自旋阀传感器，包括：
双层自由层结构，所述双层自由层结构包括形成为具有第一厚度的第一自由层和形成在所述第一自由层上面的、具有第二厚度的第二自由层，其中通过选择所述第一厚度和第二厚度的比率来提供要求的磁致伸缩；
具有磁矩的铁磁性被钉扎层结构；
布置在所述自由层结构和所述被钉扎层结构之间的非磁导体隔离层；
连接至所述被钉扎层结构的反铁磁性钉扎层，用于钉扎所述被钉扎层结构的磁矩；
以与所述自由层结构相邻关系位于所述自由层结构两侧的硬磁薄膜；及
邻近所述钉扎层结构的种子层结构。
14.如权利要求13所述的自旋阀传感器，其中所述第一自由层由CoFe构成并且所述第二自由层由NiFe构成。
15.一种自旋阀传感器，包括：
双层自由层结构，所述双层自由层结构包括具有第一厚度的第一自由层和形成在所述第一自由层上面的、具有第二厚度的第二自由层，其中通过选择所述第一厚度和第二厚度的比率来提供要求的磁致伸缩；
具有磁矩的自钉扎层结构；
布置在所述自由层结构和所述自钉扎层结构之间的非磁导体隔离层；
以与所述自由层结构邻接关系位于所述自由层结构两侧的硬磁薄膜；及
邻近所述钉扎层结构的种子层结构。
16.如权利要求15所述的自旋阀传感器，其中所述第一自由层由CoFe构成并且所述第二自由层由NiFe构成。
17.一种磁传感器，包括：
提供固定磁取向的装置；
双层装置，布置在所述用于提供固定磁取向的装置上，用于传感一磁场，所述双层装置包括用于提供自由旋转磁化的第一和第二装置，所述第一装置具有用于传感磁场的第一厚度而所述第二装置具有用于传感磁场的第二厚度；
一将提供钉扎场的装置与所述双层装置分隔开的装置；
其中选择所述第一厚度和第二厚度的比率来提供要求的磁致伸缩。
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