CN1601627A - 激光器驱动装置 - Google Patents

Abstract

提出了一种激光器驱动装置，能够支持更高速度并根据数字信号来驱动半导体激光器(3)按照类脉冲方式发光。所述激光器驱动装置包括：温度传感器(5)、记录脉冲发生器(1)、辅助脉冲发生器(4)和加法器(8)。所述温度传感器(5)产生根据半导体激光器的温度而改变的测量温度。所述记录脉冲发生器(1)、辅助脉冲发生器(4)和加法器(8)产生具有与测量到的温度相对应的形状的类脉冲信号。

Description

激光器驱动装置

技术领域

本发明涉及一种激光器驱动装置，用于在个人计算机的光盘记录器或光盘驱动器中，将数字信息记录到如DVD等相变记录型光盘上。

背景技术

最近，针对计算机的辅助存储设备、消费视频记录器等，已经越来越多地需要可重写光盘驱动器。典型地，使用半导体激光器作为将记录标记记录在光盘上的光源。为了形成适当的记录标记，需要驱动半导体激光器来发射光脉冲。传统上，通过增加提供给半导体激光器的电流脉冲的激光器驱动装置来实现光脉冲的产生。

通常，如图31所述，激光器驱动装置具有作为主要部分的多脉冲发生部分。将输入的数字信息信号(NRZ信号)转换为由多个脉冲组成的写信号，将所述多个脉冲通过电流驱动放大器提供给半导体激光器，从而在相变型光盘上记录或删除信息。由来自半导体激光器的激光束来照射结晶相变型光盘，并且快速地对其进行加热。然后，快速地对其进行冷却，从而形成了非晶标记。可以根据数字信息的内容，顺序地记录信息“1”。在这种情况下，如果将具有恒定功率的激光束用于照射，则标记的中间部分可能会由于热量的积累而过热，这可能会引起所形成的标记的失真。为了避免记录连续信息时的这种现象，通常使用所谓的多脉冲记录方法，其中，驱动半导体激光器间歇地发光。

然而，对快速光盘驱动器的需求逐年增加。如果增加记录脉冲的时钟速率以便对请求作出响应，则构成多脉冲光的每一个光脉冲可能不会得到正确地发射。即，在将来自激光器驱动装置的电流提供给半导体激光器的过程中，电流可能会更多地受到负载的影响，例如，所述负载为以等效的方式包括在半导体激光器中的串联电阻器、电容器、电感器或写电容。结果，例如，可以将最初为矩形的脉冲波形变形为三角形。

因此，传统上，针对每一个脉冲进行一定类型的波形均衡(例如，见日本待审专利公开No.2002-298349)。即，将具有每一个脉冲的头部大于其他部分的波形的电流提供给半导体激光器，从而补偿由于负载而造成的波形失真。

然而，本发明人发现：当尝试支持更高速率的速度(多于双倍的速度)时，在传统结构中可能会发生过量或不充分的补偿。

特别地，当前，通常将具有400nm振荡波长的蓝紫色激光器用作半导体激光器。为此，将正常速度下的数据传送速率设置为36兆比特每秒。如果在未来进一步增加该速度，则需要光脉冲波形的上升时间段为1.5ns或更小，以便使光脉冲波形在针对半导体激光器的脉冲调制中达到峰值电平。

然而，由于其结构，蓝紫色激光器通常具有为红色激光器三倍或更大的串联电阻，这表示因为由驱动电路的电容和串联电阻构成的低通滤波器的较大影响，高速调制变得更为困难。

发明内容

本发明的目的是提出一种能够支持更高速度的激光器驱动装置。

本发明人发现由于温度变化而造成的负载变化引起了过量或不充分的补偿，或换句话说，这就是为什么不能够增大系统的温度余量的原因之一。

因此，本发明提出了一种激光器驱动装置，能够通过以下的装置而总是进行最佳的脉冲光发射，即使由于温度变化而产生了负载变化。

根据本发明的第一方面，提出了一种根据数字信号驱动半导体激光器以使其按照类脉冲方式发光的激光器驱动装置。所述激光器驱动装置包括测量单元和脉冲发生单元。所述测量单元产生根据半导体激光器的温度而改变的测量值。所述脉冲发生单元产生具有与测量值相对应的形状的类脉冲信号。

这里，例如，所述数字信号表示利用半导体激光器记录到光盘等上的记录信号等。此外，根据半导体激光器的温度而改变的测量值表示直接或间接地表示半导体激光器的温度的数值，包括半导体激光器的温度的测量值和半导体激光器的特性值的测量值，更具体地，所述特性值为如电压、电流值或电阻等电特性值。此外，例如，将类脉冲信号作为脉冲电流提供给半导体激光器。

根据本发明的激光器驱动装置，即使负载由于半导体的激光器的温度的变化而改变，仍然能够正确地进行脉冲光发射。

根据本发明的第二方面的激光器驱动装置，所述测量单元是用于测量半导体激光器的温度的装置。

根据本发明的第三方面的激光器驱动装置，所述测量单元是用于测量半导体激光器的电压或电阻的装置。

根据本发明的第四方面的激光器驱动装置，所述脉冲发生单元包括：第一脉冲发生部分，第二脉冲发生部分和加法器。所述第一脉冲发生部分产生具有恒定峰值的第一脉冲信号。第二脉冲发生部分产生具有根据测量值而改变的峰值的第二脉冲信号。所述加法器将第二脉冲信号添加到第一脉冲信号上以产生类脉冲信号。

根据本发明的激光器驱动装置，能够通过利用诸如与测量值相对应的第二脉冲信号等来补偿与数字信号相对应的第一脉冲信号，来产生类脉冲信号。

根据本发明的第五方面的激光器驱动装置，所述第二脉冲发生部分包括：第三脉冲发生部分和第四脉冲发生部分。所述第三脉冲发生部分产生第三脉冲信号，所述第三脉冲信号是相对于第一脉冲信号的前向信号，并且具有根据测量值而改变的峰值。所述第四脉冲发生部分产生第四脉冲信号，所述第四脉冲信号是相对于第一脉冲信号的反向信号，并且具有根据测量值而改变的峰值。

将第三脉冲信号和第四脉冲信号作为要由加法器添加的第二脉冲信号提供。

根据本发明的第六方面的激光器驱动装置，所述测量单元是测量半导体激光器的温度的装置。所述第二脉冲发生部分还包括校正峰值确定单元，用于确定第二脉冲信号的峰值，所述第二脉冲信号的峰值具有根据测量值稳定下降的关系。

根据本发明的激光器驱动装置，即使负载由于温度而改变，仍然可以与温度相对应地唯一改变第二脉冲信号的峰值。此外，可以控制该峰值，从而当温度越低时，该峰值变得越高。因此，即使脉冲信号的波形失真由于低温而变得显著，也可以向半导体激光器提供具有能够对失真进行补偿的波形的类脉冲信号。

根据本发明的第七方面的激光器驱动装置，所述测量单元是测量半导体激光器的电压或电阻的装置。所述第二脉冲发生部分还包括校正峰值确定单元，用于确定第二脉冲信号的峰值，所述第二脉冲信号具有根据测量值稳定减少的关系。

根据本发明的激光器驱动装置，测量半导体激光器的电压或电阻，从而可以测量由于温度而造成的负载变化。此外，即使脉冲信号的波形失真由于较大负载而变得显著，也可以向半导体激光器提供具有能够对失真进行补偿的波形的类脉冲信号。

根据本发明的第八方面的激光器驱动装置，将所述数字信号转换为多脉冲信号，所述多脉冲信号至少包括与其连续数量相对应的前导脉冲信号和结尾脉冲信号。此外，第二脉冲信号的信号宽度小于前导脉冲信号的宽度。

根据本发明的激光器驱动装置，能够更正确地补偿前导脉冲信号的波形失真。

根据本发明的第九方面的激光器驱动装置，添加到结尾脉冲信号上的第二脉冲信号的信号宽度等于结尾脉冲信号的宽度。

根据本发明的激光器驱动装置，能够更容易地确定第二脉冲信号的信号宽度。结果，可以更容易地制造激光器驱动装置。

根据本发明的第十方面的激光器驱动装置，将所述数字信号转换为具有与连续数量相对应的宽度的脉冲信号。此外，第二脉冲信号的信号宽度小于脉冲信号的宽度。

根据本发明的激光器驱动装置，能够更正确地补偿前导脉冲信号的波形失真。

根据本发明的第十一方面的激光器驱动装置，所述第二脉冲信号的信号宽度在T/8-T/4的范围内，其中T是一个信道时钟的周期。

根据本发明的激光器驱动装置，能够产生具有比与数字信号相对应的脉冲信号的信号宽度短的信号宽度的第二脉冲信号。结果，可以更正确地补偿脉冲信号的波形失真。

根据本发明的第十二方面的激光器驱动装置，在第一脉冲信号的前沿处产生所述第三脉冲信号，并且在第一脉冲信号的后沿处产生第四脉冲信号。

根据本发明的激光器驱动装置，能够更正确地补偿在第一脉冲信号的前沿和后沿处的波形失真。

根据本发明的第十三方面的激光器驱动装置，所述脉冲发生单元包括脉冲电流源、滤波器和滤波器控制部分。所述脉冲电流源根据数字信号来产生脉冲电流。所述滤波器与脉冲电流源并联，并具有可变常数。所述滤波器控制部分根据测量值来控制滤波器的常数。

根据本发明的激光器驱动装置，能够利用具有与温度变化相对应的常数的滤波器来产生适当的光脉冲波形，即使负载根据半导体激光器的温度变化而改变。

根据本发明的第十四方面的激光器驱动装置，所述滤波器控制部分包括用于存储由滤波器控制部分根据测量值控制的滤波器的常数的单元。

根据本发明的激光器驱动装置，所述滤波器控制部分能够从用于存储滤波器常数的单元中获得与测量值相对应的滤波器常数，并且利用具有所获得的滤波器常数的滤波器来产生适当的光脉冲波形。

根据本发明的第十五方面的激光器驱动装置，所述滤波器包括多个组合，每一个所述组合均包括串联的电容器和开关。

根据本发明的第十六方面的激光器驱动装置，所述滤波器包括多个组合，每一个所述组合均包括串联的电容器、开关和电阻器。

根据本发明的第十七方面的激光器驱动装置，所述滤波器还包括连接在地与电容器和开关的节点之间的电阻器。

根据本发明的第十八方面的激光器驱动装置，所述滤波器还包括连接在地与串联的电容器、开关和电阻器的节点之一之间的电阻器。

根据本发明的第十九方面的激光器驱动装置，所述滤波器可以在再现模式和记录模式之间改变常数。

根据本发明的第二十方面的激光器驱动装置，构成滤波器的多个电容器中的至少一个与集成电路的外部相连。

根据本发明的激光器驱动装置，可以减小集成电路的尺寸。

根据本发明的第二十一方面的激光器驱动装置，所述测量单元是测量半导体激光器的电压的装置。所述滤波器控制部分包括电阻计算单元和控制执行单元。所述电阻计算单元根据半导体激光器的操作电压和半导体激光器的操作电流来计算半导体激光器的电阻。所述控制执行单元根据电阻来控制滤波器的常数。

根据本发明的激光器驱动装置，可以利用具有与温度变化相对应的常数的滤波器来产生适当的光脉冲波形，即使半导体激光器的电阻由于温度变化而改变。

根据本发明的第二十二方面的激光器驱动装置，所述滤波器控制部分包括操作用于存储由控制执行单元根据电阻来控制的滤波器的常数的单元。

根据本发明的激光器驱动装置，所述滤波器控制部分能够从用于存储滤波器常数的单元中获得与电阻相对应的滤波器常数，并且利用具有所获得的滤波器常数的滤波器来产生适当的光脉冲波形。

根据本发明的第二十三方面，提出了一种包括光盘拾取器和盘驱动装置的光盘装置。所述光学拾取器包括用于发射激光束的半导体激光器、根据第一到第二十二方面任一个所述的激光器驱动装置、以及用于将激光束引导到光盘上的光学组件。所述盘驱动装置驱动光盘。

根据本发明的光盘装置具有根据第一到第二十二方面任一个所述的激光器驱动装置。因此，该光盘装置能够获得与每一个激光器驱动装置相同的效果。

根据本发明的第二十四方面，提出了一种激光器驱动方法，用于根据数字信号来驱动半导体激光器发射类脉冲光。所述方法包括测量步骤和脉冲发生步骤。测量步骤包括输出根据半导体激光器的温度而改变的测量值。所述脉冲发生步骤包括输出具有与测量值相对应的形状的类脉冲信号。

根据本发明的激光器驱动方法，即使负载由于半导体激光器的温度变化而改变，仍然可以进行适当的脉冲光发射。

根据本发明的第二十五方面，提出了一种激光器驱动集成电路，用于根据数字信号来驱动半导体激光器发射类脉冲光。所述集成电路包括：第一脉冲发生部分、第二脉冲发生部分和加法器。所述第一脉冲发生部分产生具有恒定峰值的第一脉冲信号。所述第二脉冲发生部分产生具有根据测量值而改变的峰值的脉冲信号，所述测量值根据半导体激光器的温度而改变。所述加法器将第二脉冲信号添加到第一脉冲信号上，从而获得要传送的类脉冲信号。

根据本发明的激光器驱动集成电路，能够通过利用与测量值相对应的第二脉冲信号来补偿与数字信号相对应的第一脉冲信号，来输出类脉冲信号。

根据本发明的第二十六方面，提出了一种激光器驱动集成电路，用于根据数字信号来驱动半导体激光器发射类脉冲光。所述激光器驱动集成电路包括：脉冲电流源、滤波器和滤波器控制部分。所述脉冲电流源根据所述数字信号来产生脉冲电流。所述滤波器与脉冲电流源并联，并具有可变常数。所述滤波器控制部分根据测量值来控制滤波器的常数，所述测量值根据半导体激光器的温度而改变。

根据本发明的激光器驱动集成电路，能够通过利用具有与温度变化相对应的常数的滤波器来产生适当的光脉冲波形，即使负载由于半导体激光器的温度变化而改变。

根据本发明的激光器驱动装置，能够驱动半导体激光器总是以最佳的脉冲波形发光，而与温度无关，从而可以增大温度余量，以便将信息记录在光盘上。

附图说明

图1是示出了红色激光器中的等效串联电阻和温度之间的关系的曲线图。

图2是示出了蓝色激光器中的等效串联电阻和温度之间的关系的曲线图。

图3示出了根据本发明第一和第二实施例的激光器驱动装置的主要结构。

图4是根据本发明第一实施例的激光器驱动装置的操作顺序图。

图5是示出了校正系数K和温度之间的关系的曲线图。

图6示出了在每一个温度处的校正系数K、串联电阻Rs、激光器驱动电流IL和激光发射的波形。

图7是根据本发明第二实施例的激光器驱动装置的操作顺序图。

图8示出了在每一个温度处的校正系数K、串联电阻Rs、激光器驱动电流IL和激光发射的波形。

图9示出了根据本发明第三实施例的激光器驱动装置的主要结构。

图10是根据本发明第三实施例的激光器驱动装置的操作顺序图。

图11示出了校正系数Ka和Kb与温度之间的关系的曲线图。

图12示出了在每一个温度处的校正系数K、串联电阻Rs、激光器驱动电流IL和激光发射的波形。

图13是当驱动半导体激光器以使其以具有与数字信号NRZ的连续数量相对应的宽度的脉冲发光时，根据本发明第三实施例的激光器驱动装置的操作顺序图。

图14示出了当增加校正脉冲的宽度时所产生的波形失真。

图15是当将添加到结尾脉冲上的校正脉冲的宽度设置为与结尾脉冲的宽度相同的值时的操作顺序图。

图16示出了根据本发明另一实施例的激光器驱动装置的主要结构。

图17是根据本发明第四实施例的激光器驱动电路的方框图。

图18示出了根据本发明第四实施例的激光器驱动电路的主要结构。

图19是根据本发明第四实施例的激光器驱动电路的操作顺序图。

图20是示出了温度和要选择的高通滤波器的常数的表。

图21(a)示出了半导体激光器的等效电路。

图21(b)是示出了半导体的串联电阻对温度的依赖性的曲线图。

图22示出了温度和光脉冲波形之间的关系。

图23示出了根据本发明另一实施例的滤波器的结构。

图24示出了根据本发明另一实施例的滤波器的结构。

图25示出了根据本发明另一实施例的滤波器的结构。

图26示出了根据本发明另一实施例的滤波器的结构。

图27示出了根据本发明另一实施例的激光器驱动电路的主要结构。

图28是示出了根据本发明第五实施例的激光器驱动电路的方框图。

图29示出了根据本发明第五实施例的激光器驱动电路的主要结构。

图30是示出了半导体激光器的电阻和要选择的高通滤波器的常数的表。

图31示出了背景技术的激光器驱动装置的主要结构。

具体实施方式

下面将参考附图来描述本发明的优选实施例。

作为本发明的实施例，将主要描述激光器驱动装置，即使负载由于温度的变化而发生改变，所述激光器驱动装置仍然能够进行适当的脉冲发光。

在解释特定的装置之前，将另外描述由本发明人所实现的本发明的背景。本发明人在研究中发现：由于温度变化而造成的负载的改变引起了在传统结构中的过量或不充分补偿。

图1示出了温度变化与红色激光器中的串联电阻的示例。如图1所示，当温度下降到室温(＝25摄氏度)或更小时，等效串联电阻(Rs)快速增加。

图2示出了温度的变化与包含GaN作为主要成分的蓝色激光器中的串联电阻的示例。如图2所示，由于其结构，蓝色激光器具有较高的等效串联电阻值(例如，大约15-25欧姆)，并且该值实质上等于红色激光器的阻值的两倍到四倍。此外，串联电阻随温度的变化也大于红色激光器。

(第一实施例)

图3是根据本发明第一实施例的激光器驱动装置的方框图。如图3所示，记录脉冲发生器1(第一脉冲发生部分)根据数字信号(NRZ)产生了具有恒定峰值的恒定脉冲信号Sw。参考数字5是温度传感器，用于测量温度，并作为电信号输出结果。辅助脉冲发生器4、温度补偿表6和可变增益放大器7构成了第二脉冲发生部分，用于产生具有根据测量到的温度而改变的峰值的校正脉冲信号Sc。参考数字8是加法器，用于将校正脉冲信号Sc添加到恒定脉冲信号Sw上，并将所得到的信号通过电流驱动放大器2提供给半导体激光器3。

注意，记录脉冲发生器1、辅助脉冲发生器4、可变增益放大器7、加法器8和温度补偿表6构成了脉冲发生部分，用于输出具有与所测量到的温度相对应的形状的类脉冲信号。

由记录脉冲发生器1将本实施例中提供给激光器驱动装置的数字信号NRZ转换为至少包括前导脉冲和结尾脉冲的多脉冲信号(Sw)，对应于连续的数字信号“1”的数量(之后被称为连续数量)，如图4所示。按照相同的方式，辅助脉冲发生器4等产生了校正后的脉冲信号(Sc)。其信号宽度小于前导脉冲信号的宽度。图4示出了其中脉冲之间的间隔是时钟窗Tw，且脉冲宽度是Tw/2的示例。所需要的是，辅助脉冲信号的脉冲宽度位于Tw/8-Tw/4的范围内，稍后将对其进行描述。这里，将其设置为Tw/4。此外，在多脉冲信号(Sw)的前沿处产生了校正后的脉冲信号(Sc)。作为该校正的结果，获得了具有如图4所示的波形的激光器驱动电流IL。因此，改善了(如图4中的实线所示)由于激光器负载而使其失真的激光发射波形(如图4中的虚线所示)。

本发明的特征在于：校正系数是根据温度可变的。即，温度补偿表6根据图5所示的稳定下降的关系，确定针对由温度传感器5测量到的温度的校正脉冲的系数K。该稳定下降的原因与如图1所示的半导体激光器3的等效电阻器Rs(其随着温度的上升而减小)的温度特性有关。将该系数K乘以辅助脉冲发生器4的输出信号，从而产生校正后的脉冲信号(Sc)，其中峰值根据测量到的温度而改变。例如，如图6所示，假定半导体激光器的等效串联电阻Rs在温度T＝25℃处为5欧姆，而在温度T＝50℃处为2.5欧姆(见图1)。这里，为了补偿由于在温度T＝25℃处的Rs＝5欧姆、等效负载电容C和电感L所定义的时间常数造成的波形失真，确定校正系数K＝0.5，从而使上升时间和上冲量(overshoot)达到容许值或更小。另一方面，在T＝50℃的情况下，半导体激光器的等效串联电阻Rs减小到2.5欧姆，从而减小了从电流驱动放大器2看过去的负载，并且激光发射波形的失真趋向于减小。在该情况下，如果以与T＝25℃时相同的K＝0.5来提供驱动电流IL，则校正变得过量，这样，半导体激光器的恶化可能会由于上冲量的产生而加速。

因此，在本实施例中，如果等效串联电阻Rs在高温下减小，则还根据图5所示的关系来减小校正系数K。结果，校正系数K在温度T＝50℃处变为0.25，从而针对较小的负载可以获得适当的激光发射波形。

(第二实施例)

本发明的第二实施例是记录和再现装置的应用，所述记录和再现装置产生具有与数字信号NRZ的连续数量相对应的宽度的光发射波形。在本实施例中，使用与第一实施例的图3所示相同的激光器驱动装置。

由记录脉冲发生器1将提供给本实施例中的激光器驱动装置的数字信号NRZ转换为具有与数字信号“1”的连续数量相对应的宽度的脉冲信号(Sw)，如图7所示。

按照相同的方式，辅助脉冲发生器4等产生了校正后的脉冲信号(Sc)。其信号宽度小于脉冲信号的宽度。图7示出了其中脉冲之间的间隔为时钟窗Tw，并且脉冲宽度是Tw/2的示例。在该情况下，所需要的是，辅助脉冲信号的脉冲宽度位于Tw/8-Tw/4的范围内，稍后将对其进行描述。这里，将其设置为Tw/4。此外，在脉冲信号(Sw)的前沿处产生了校正后的脉冲信号(Sc)。作为该校正的结果，获得了具有如图7所示的波形的激光器驱动电流IL。因此，改善了(如图7中的实线所示)由于激光器负载而使其失真的激光发射波形(如图7中的虚线所示)。

与第一实施例类似，温度补偿表6根据图5所示的稳定下降的关系，确定针对由温度传感器5测量到的温度的校正脉冲的系数K。该稳定下降的原因与如图1所示的半导体激光器3的等效电阻器Rs(其随着温度的上升而减小)的温度特性有关。将该系数K乘以辅助脉冲发生器4的输出信号，从而产生了校正后的脉冲信号(Sc)，其中峰值根据测量到的温度而改变。例如，如图8所示，假定半导体激光器的等效串联电阻Rs在温度T＝25℃处为5欧姆，而在温度T＝50℃处为2.5欧姆(见图1)。在该情况下，为了补偿由于在温度T＝25℃处的Rs＝5欧姆、等效负载电容C和电感L所定义的时间常数造成的波形失真，确定校正系数K＝0.5，从而使上升时间和上冲量达到容许值或更小。另一方面，当T＝50℃时，半导体激光器的等效串联电阻Rs减小到2.5欧姆，从而减小了从电流驱动放大器2看过去的负载，并且激光发射波形的失真趋向于减小。在该情况下，如果以与当T＝25℃时相同的K＝0.5来提供驱动电流IL，则校正变得过量，这样，半导体激光器的恶化可能会由于上冲量的产生而加速。

因此，在本实施例中，如果等效串联电阻Rs在高温下减小，则还根据图5所示的关系来减小校正系数K。结果，校正系数K在温度T＝50℃处变为了0.25，从而针对较小的负载可以获得适当的激光发射波形。

(第三实施例)

本发明的第三实施例采用了辅助脉冲发生器B9，用于补偿也位于激光发射波形的后沿处的波形失真。

图9是根据第三实施例的激光器驱动装置的方框图。如图9所示，与第一实施例类似，记录脉冲发生器1(第一脉冲发生部分)根据数字信号(NRZ)产生具有恒定峰值的恒定脉冲信号Sw。参考数字5是温度传感器，用于测量温度并作为电信号输出结果。

辅助脉冲发生器4、辅助脉冲发生器B9、温度补偿表6和可变增益放大器7和10构成了第二脉冲发生部分，用于产生具有根据测量到的温度而改变的峰值的校正脉冲信号Sc。特别地，辅助脉冲发生器4、温度补偿表6和可变增益放大器7构成了第三脉冲发生部分，用于产生具有根据测量到的温度而改变的峰值的校正脉冲信号Sa。另外，在本实施例中，辅助脉冲发生器B9、温度补偿表6和可变增益放大器10构成了第四脉冲发生部分，用于产生具有根据测量到的温度而改变的峰值的校正脉冲信号Sb。参考数字8是加法器，用于将校正脉冲信号Sa和Sb添加到恒定脉冲信号Sw上，并且将所得到的信号通过电流驱动放大器2提供给半导体激光器3。

注意，记录脉冲发生器1、辅助脉冲发生器4、辅助脉冲发生器B9、可变增益放大器7和10、加法器8和温度补偿表6构成了脉冲发生部分，用于输出具有与所测量到的温度相对应的形状的类脉冲信号。

由记录脉冲发生器1将本实施例中提供给激光器驱动装置的数字信号NRZ转换为至少包括前导脉冲和结尾脉冲的多脉冲信号(Sw)，对应于数字信号“1”的连续数量，如图4所示。按照相同的方式，辅助脉冲发生器4等根据多脉冲信号Sw的前沿产生了校正后的脉冲信号(Sa)，而辅助脉冲发生器B9等根据多脉冲信号Sw的后沿产生校正后的脉冲信号(Sb)。这些校正脉冲信号Sa和Sb的信号宽度小于前导脉冲信号的宽度。图10示出了其中脉冲之间的间隔是时钟窗Tw，而脉冲宽度是Tw/2的示例。所需要的是，辅助脉冲信号的脉冲宽度位于Tw/8-Tw/4的范围内，稍后将对其进行描述。这里，将其设置为Tw/4。作为该校正的结果，获得了具有如图10所示的波形的激光器驱动电流IL。因此，改善了(如图10中的实线所示)由于激光器负载而使其失真的激光发射波形(如图10中的虚线所示)。

本发明的特征在于：校正系数是根据温度可变的。即，温度补偿表6根据图11所示的稳定下降的关系，确定针对由温度传感器5测量到的温度的前沿校正脉冲的系数Ka和后沿校正脉冲的系数Kb。该稳定下降的原因与如图1所示的半导体激光器3的等效电阻器Rs(其随着温度的上升而减小)的温度特性有关。将该系数Ka乘以辅助脉冲发生器4的输出信号，从而产生校正后的脉冲信号(Sa)，其中峰值根据测量到的温度而改变。此外，将该系数Kb乘以辅助脉冲发生器B9的输出信号，从而产生校正后的脉冲信号(Sb)，其中峰值根据测量到的温度而改变。例如，如图12所示，假定半导体激光器的等效串联电阻Rs在温度T＝25℃处为5欧姆，而在温度T＝50℃处为2.5欧姆(见图1)。这里，为了补偿由于在温度T＝25℃处的Rs＝5欧姆、等效负载电容C和电感L所定义的时间常数造成的波形失真，确定校正系数Ka＝0.5，从而使上升时间和上冲量达到容许值或更小，并且，确定校正系数Kb＝0.5，从而使下降时间和下冲量达到容许值或更小。另一方面，当T＝50℃时，半导体激光器的等效串联电阻Rs减小到2.5欧姆，从而减小了从电流驱动放大器2看过去的负载，并且激光发射波形的失真趋向于减小。在该情况下，如果以与T＝25℃时相同的K＝0.5来提供驱动电流IL，则校正变得过量，这样，半导体激光器的恶化可能会由于上冲量的产生而加速。

因此，在本实施例中，如果等效串联电阻Rs在高温下减小，则还根据图11所示的关系来减小校正系数Ka和Kb。结果，校正系数Ka和Kb在温度T＝50℃处变为0.25，从而针对较小的负载可以获得适当的激光发射波形。

注意，尽管为了描述第三实施例，举例说明了驱动半导体激光器以便以包括与数字信号“1”的连续数量相对应的前导脉冲和结尾脉冲的多脉冲信号来发光，但是，本发明也可以应用于驱动半导体激光器以便以具有与数字信号NRZ的连续数量相对应的宽度的脉冲来发光(如图13所示)的情况。

(与第一到第三实施例有关的其他描述)

(1)尽管描述了校正系数K(在第三实施例中的Ka和Kb)的稳定下降关系与第一到第三实施例中的半导体激光器3的等效电阻器Rs的温度特性有关，但是存在多种方法来实现这一点。

例如，能够在驱动激光器发射脉冲光的同时改变环境温度，并且确定校正系数K，从而使上升时间和上冲量达到容许值或更小，以便获得温度和校正系数K之间的关系。可选地，可以针对多个样本进行相同的试验，从而使校正表包括典型温度和校正系数K之间的关系。此外，在等效电阻器Rs的温度特性是温度T的函数Rs(T)的情况下，可以满足以下的等式，从而校正系数K具有与该Rs(T)成正比的分量。

K(T)＝α1×Rs(T)+β1

这里，α1和β1是常数。此外，如果等效电阻器Rs与温度具有反比关系，则可以满足以下的等式。

K(T)＝α2/T+β2

这里，α2和β2是常数。

(2)存在辅助脉冲信号的脉冲宽度小于前导脉冲的宽度，并且在第一和第三实施例中处于Tw/8-Tw/4的范围内的原因。如果辅助脉冲信号的脉冲宽度太小，则不能够对波形失真进行校正。因此，脉冲宽度应该大于或等于Tw/8。此外，如果脉冲宽度太大，则由于如图14所示的波形失真的产生而造成了校正是过量的。为了避免该波形失真，优选地，使脉冲宽度小于或等于前导脉冲宽度，更优选地，小于或等于Tw/4。

注意，这仅仅是示例性的，并且可以任意地选择辅助脉冲信号的脉冲宽度，只要其小于或等于前导脉冲的宽度。

此外，在第二实施例中，出于与上述相同的理由，将辅助脉冲信号的脉冲宽度设置为比恒定脉冲信号Sw更小的值，并且将其设置在Tw/8-Tw/4的范围内。如果辅助脉冲信号的脉冲宽度太小，则不能够对波形失真进行校正。因此，脉冲宽度应该大于或等于Tw/8。此外，如果脉冲宽度太大，则由于波形失真的产生而造成了校正可能是过量的。为了避免该波形失真，优选地，使脉冲宽度小于或等于前导脉冲宽度，更优选地，小于或等于Tw/4。

此外，如图15所示，如果结尾脉冲的宽度与前导脉冲相比较小，则优选地，使添加到结尾脉冲上的校正脉冲的宽度等于结尾脉冲的宽度，从而可以适当地校正波形失真。在这种情况下，不需要采用用于改变辅助脉冲的脉冲宽度的装置，并且可以简化设备的结构。

(3)尽管第一到第三实施例描述了驱动红色激光器，但是本发明并不局限于此。

如图2所示，在包含GaN作为主要成分的蓝色激光器中，等效串联电阻较大，并且电阻值实质上为红色激光器中的电阻值的两倍到四倍。因此，预计在低温度处由于高等效串联电阻而造成的波形失真现象可能会较为显著。当应用于对这样的蓝色激光器进行了修改的情况时，本发明也可以获得该效果。

(4)在第一到第三实施例中描述了根据利用温度传感器所测量到的测量值，从温度补偿表6中确定校正脉冲的系数K。

这里，优选地，由温度传感器所测量到的温度是半导体激光器的温度，但是其可以是其中放置了半导体激光器的环境的温度。

此外，可以根据除了温度之外的其他测量值来确定校正脉冲的系数K。

图16示出了一个示例。如图16所示，存在根据由半导体激光器的操作电压计算出的电阻来确定校正脉冲的系数K的装置，作为参考图3所述的温度传感器5和温度补偿表6的替代。在图16中，将相同的参考数字用于与图3相同的元件。下文中，将主要描述与图3中不同的部分。

图16所示的激光器驱动装置包括电压检测电路11、电阻计算器12和补偿表13。电压检测电路11与电流驱动放大器2相连，从而测量半导体激光器的操作电压。电阻计算器12根据由电压检测电路11检测到的操作电压和半导体激光器的操作电流来计算半导体激光器的电阻。补偿表13包括针对电阻值的校正脉冲的系数K，以便输出与计算出的电阻相对应的校正脉冲的系数K。这里，包括在补偿表13中的表格包括随电阻稳定地增加的系数K。

注意，并不需要电压检测电路11和电阻计算器12由分离的部分组成，而其可以是能够直接获得半导体激光器的电阻的装置。

此外，补偿表13可以包括针对电压值的校正脉冲的系数K的值，从而针对由电压检测电路11检测到的电压，直接输出系数K。

(5)典型地，将方框图或硬件结构中的每个功能块实现为LSI，即，集成电路。可以在分立的芯片中实现这些功能块，或者可以将这些块的全部或部分包括在单一的芯片中。

例如，可以在单一的芯片中(在图3的点划线内)集成图3所示的记录脉冲发生器1、辅助脉冲发生器4、加法器8、可变增益放大器7和电流驱动放大器2。

另外，可以在单一芯片中(在图9的点划线内)集成图9所示的记录脉冲发生器1、辅助脉冲发生器4、加法器8、可变增益放大器7、辅助脉冲发生器B9、可变增益放大器10和电流驱动放大器2。

尽管使用了术语“LSI”，但是根据其集成度，其可以被称为IC、系统LSI、超级LSI或超超级LSI。

此外，集成的方法并不局限于LSI，而是可以由专用电路或通用处理器来实现。还可以使用在LSI的制造处理之后可以对其进行编程的FPGA(现场可编程门阵列)、或者可以对于LSI中的电路单元的连接或设置进行重新构造的可重新配置处理器。

此外，如果随着半导体技术或另外派生技术的发展，出现了可以替代现有的LSI技术的用于电路集成的新技术，则可以使用该新技术来集成这些功能块。生物技术的应用也具有这样的潜力。

(第四实施例)

图17是根据本发明的第十四实施例的激光器驱动电路的方框图。本发明的激光器驱动电路包括：脉冲电流源100，用于向半导体激光器150提供脉冲电流作为记录信号；高频信号源140，用于向半导体激光器提供高频电流；可变滤波器120，用于进行半导体激光器的波形均衡；温度传感器160，用于测量温度；以及滤波器控制部分170，用于控制可变滤波器的常数。

注意，脉冲电流源100和可变滤波器120构成了脉冲发生部分，用于输出具有与测量到的温度相对应的形状的类脉冲信号。

现在将参考图18来描述更详细的激光器驱动电路的主要结构。在图18中，由虚线所围住的激光器驱动电路110是集成电路。

在图18中，参考数字101-104是电流源，用于驱动半导体激光器150，以使其以所需光强度发光。电流源101向半导体激光器提供电流Ir。

此外，电流源102根据记录信号W2来提供电流Ib。按照相同的方式，电流源103根据记录信号W3来提供电流Ie，同时电流源104根据记录信号W4来提供电流Ip。

高频信号源140提供要添加到DC电流Ir上的高频电流，从而抑制当由光盘所反射的光在信息再现模式下返回到半导体激光器时所产生的所谓的挖掘噪声(scoop noise)。

这里，将参考图19来描述信息再现模式和信息记录模式的操作序列。在再现模式下，仅有电流源101-104中的电流源101向半导体激光器150提供电流，这是由于记录信号W2-W4是L电平。此外，添加来自高频信号源140的高频电流。

在信息记录模式下，进行以下的操作。当在记录轨道上形成了如图19(a)所示的记录标记和记录空间时，需要将光脉冲串照射到记录膜上，如图19(b)所示，以峰值电平、底部电平和偏置电平对所述光脉冲串进行调制。出于这个原因，对电流Ir、Ib、Ie和Ip进行求和，从而根据记录信号W2-W4来产生如图19(c)所示的脉冲电流，并且将该脉冲电流提供给半导体激光器。通过该操作，产生了调制到所需强度的光脉冲，如图19(b)所示。

此外，电容器121-124和MOS晶体管125-128构成了用于对光脉冲波形进行优化的高通滤波器。由于半导体激光器150和激光器驱动电路110之间的线路电感的影响，该光脉冲波形变为具有阻尼振荡阻尼振荡(ringing)的波形。为了抑制该阻尼振荡，并获得适当的光脉冲波形，提供了上述滤波器。

当电容器121、122、123和124的电容为C1、C2、C3和C4时，每一个C2-C4满足以下的等式。

C2＝2×C1

C3＝4×C1

C4＝8×C1

例如，如果这里，C1＝5皮法，则C2＝10皮法，C3＝20皮法，而C4＝40皮法。利用该结构，可以从0-75皮法的范围内以5皮法为分辨率的16个值中选择高通滤波器的常数Cc。通过根据信号S1-S4来控制MOS晶体管125-128的导通和截止来进行该选择。

注意，如果高通滤波器工作在再现模式下，则要添加的高频电流的幅度将会减小，从而返回的光噪声将会增加，导致了光盘设备的再现性能的下降。因此，为了防止电容器121-124在再现模式下作为高通滤波器工作，通过与门129-132使所有MOS开关截止，而与当记录信号W2为L电平(即，在再现模式下)时的选择信号S1-S4的逻辑电平无关。

注意，将最大电容的电容器124设置在集成电路的外部，从而减小该示例中的集成电路的芯片面积。

本发明的特征在于：高通滤波器的常数Cc根据温度而改变。EEPROM 172存储高通滤波器的常数(Cc)的特性表，能够获得针对由温度传感器所测量到的温度的最佳光脉冲波形，如图20所示。定义该表格，从而使高通滤波器的常数Cc随着温度的上升而增加。在该表格中，在图21(a)中所示的半导体激光器150的等效电路的串联电阻Rs与图21(b)所示的温度特性(其随着温度的上升而减小)相关。微处理器171查询存储在EEPROM 172中的表格，以便选择与由温度传感器所测量到的温度相对应的高通滤波器的常数Cc，从而可以确定用于控制MOS晶体管125-128的信号S1-S4的逻辑电平。

例如，如图22所示，假定当温度T＝25℃时半导体激光器的串联电阻Rs为20欧姆(见图21(b)。在该情况下，为了补偿由于时间常数(由图21(a)所述的半导体激光器的等效电路确定，即，Rs＝20欧姆)、在T＝25℃处的电容C和电感L而造成的光脉冲波形的阻尼振荡，将高通滤波器的常数选择为Cc＝25皮法，从而使上升时间和上冲量达到容许值和更小。另一方面，在T＝0℃的情况下，半导体激光器的串联电阻Rs上升到30欧姆。因此，如果高通滤波器的常数与当T＝25℃时相同，则光脉冲波形发生了显著的失真，如图22(a)所示。此外，当T＝50℃时，半导体激光器的串联电阻Rs下降到15欧姆。因此，如果高通滤波器的常数与当T＝25℃时相同，则光脉冲波形的上冲量增加，如图22(c)所示。光脉冲波形的温度变化可能会引起记录信号的质量恶化。

因此，在该实施例中，如果在低温处，等效信号电阻Rs增加，则高通滤波器的常数减小到Cc＝0皮法。此外，如果在高温处，串联电阻Rs减小，则高通滤波器的常数增加到Cc＝40皮法。结果，可以获得适当的光脉冲波形，其中，或者在低温处或者在高温中，将上冲量控制在容许范围内，如图22(d)和22(f)所示。

注意，尽管电容器121-123包括在集成电路内，并且电容器124设置在该实施例的集成电路的外部，但是，本发明并不局限于此。如果集成电路具有足够的面积，则可以将所有的电容器包括在集成电路内。

另外，尽管在该实施例中，高通滤波器由电容器构成，但是本发明并不局限于此。例如，高通滤波器可以由如图23所示的串联的电容器和电阻器构成，以便获得相同的效果。此外，如图24所示，高通滤波器可以包括与每一个均包括电容器和MOS开关的多个组合相连的电容器，并且滤波器的特性值可以根据MOS开关125-128的操作，与电阻(可变的)一起发生改变。此外，如图25所示，高通滤波器的特性值可能会与其栅极电压受到DA转换器322的输出电压控制的MOS开关322的导通电阻一起发生改变。

此外，在MOS晶体管125-128中的至少一个导通的时刻，可能会流过快速的电流对电容器进行充电。从半导体激光器的阳极电源提供该电流，并且使其流入激光器，由此，存在激光器击穿的可能性。为了避免该击穿，优选地，在电容器和MOS开关的之间的节点处连接下拉电阻器401-404，如图26所示。

此外，尽管由图18中的虚线所围住的激光器驱动电路110在该实施例中是集成电路，但是本发明并不局限于此。例如，如果将温度传感器、微处理器和EEPROM包括在如图27所示的集成电路中，则可以减小拾取器上的组件数量，从而可以实现低成本。另外，可以减少信号的数量，从而可以简化该拾取器。另外，可以针对该实施例重复上述(与第一到第三实施例有关的其他描述)中的描述(5)。

(第五实施例)

第五实施例的结构在于：直接根据半导体激光器的操作电压和驱动电流来计算半导体激光器的串联电阻Rs，并且根据串联电阻Rs来改变高通滤波器的常数Cc，从而按照最佳的方式来控制光波形。

图28是根据本发明的第五实施例的激光器驱动电路的方框图。本发明的激光器驱动电路包括：脉冲电流源100，用于根据记录信号向半导体激光器150提供脉冲电流；高频信号源140，用于向半导体激光器150提供高频电流；可变滤波器120，用于进行激光器的波形均衡；电压检测电路200，用于检测半导体激光器的操作电压；以及滤波器控制部分210，用于控制可变滤波器的常数。

注意，脉冲电流源100和可变滤波器120构成了脉冲发生部分，用于输出具有与操作电压相对应的形状的类脉冲信号。

现在，将参考图29来描述激光器驱动电路的更详细的结构。在图29中，将相同的参考数字用于与图18中相同的元件，从而省略其描述。

如图29所示，A/D转换器203和电阻器201和202构成了针对半导体激光器的操作电压的检测电路。电阻器201和202对激光器驱动电路的输出电压Vout进行分压。如果电阻器201和202的电阻值彼此相等(例如，10千欧姆)，则A/D转换器的检测电压Vdet如下。

Vdet＝Vout/2                     ....(等式1)

另一方面，当在半导体激光器的阳极处的电源电压为E时，根据以下的等式得到半导体激光器的操作电压Vop。

Vop＝E-Vout                      ....(等式2)

因此，根据(等式1)和(等式2)得到以下等式。

Vop＝E-2×Vdet                     ...(等式3)

因此，可以通过检测电压Vdet来获得半导体激光器的操作电压。

另外，操作DSP 211根据检测到的电压和驱动电流来计算半导体激光器的串联电阻Rs。例如，当以底部功率(bottom power)在DC光发射模式下驱动半导体激光器时，检测操作电压Vb，另外，当以偏置功率在DC光发射模式下驱动半导体激光器时，检测操作电压Ve。然后，由以下的等式来计算底部功率和偏置功率之间的操作电压的差值ΔVop。

ΔVop＝Ve-Vb

此外，底部功率和偏置功率之间的驱动电流ΔIop如下。

ΔIop＝Ie

因此，半导体激光器的串联电阻Rs可以作如下计算。

Rs＝ΔVop/ΔIop

EEPROM 212存储高通滤波器的常数的特性表，可以获得针对半导体激光器的变化的串联电阻Rs的最佳光脉冲波形，如图30所示。操作DSP查询EEPROM，从而选择最适合于半导体激光器的串联电阻Rs的高通滤波器的常数Cc。

根据该结构，可以获得适当的光脉冲波形，其中即使半导体激光器的串联电阻Rs由于温度的变化而改变，仍然能将上冲量控制在容许值范围内。即，可以根据半导体激光器的电阻来校正半导体激光器的光发射功率。

(与第四和第五实施例有关的其他描述)

(1)在按照需要对其进行组合之后，可以使用在第一到第五实施例中描述的变化。例如，可以将在第五实施例中所述的用于检测半导体激光器的操作电压的结构应用于参考图16所述的激光器驱动装置。

根据本发明的激光器驱动装置具有较好的脉冲光发射特性，其独立于温度，并且对于DVD的记录和再现设备非常有用。

Claims (26)

1.一种激光器驱动装置，根据数字信号驱动半导体激光器，以使其按照类脉冲方式发光，所述激光器驱动装置包括：

测量单元，操作用于产生根据半导体激光器的温度而改变的测量值；以及

脉冲发生单元，操作用于产生具有与测量值相对应的形状的类脉冲信号。

2.根据权利要求1所述的激光器驱动装置，其特征在于：所述测量单元是用于测量半导体激光器的温度的装置。

3.根据权利要求1所述的激光器驱动装置，其特征在于：所述测量单元是用于测量半导体激光器的电压或电阻的装置。

4.根据权利要求1到3任一个所述的激光器驱动装置，其特征在于：所述脉冲发生单元包括：第一脉冲发生部分，用于产生具有恒定峰值的第一脉冲信号；第二脉冲发生部分，用于产生具有根据测量值而改变的峰值的第二脉冲信号；以及加法器，用于将第二脉冲信号添加到第一脉冲信号上以产生类脉冲信号。

5.根据权利要求4所述的激光器驱动装置，其特征在于：所述第二脉冲发生部分包括：第三脉冲发生部分，用于产生第三脉冲信号，所述第三脉冲信号是相对于第一脉冲信号的前向信号，并且具有根据测量值而改变的峰值；以及第四脉冲发生部分，用于产生第四脉冲信号，所述第四脉冲信号是相对于第一脉冲信号的反向信号，并且具有根据测量值而改变的峰值。

6.根据权利要求4或5所述的激光器驱动装置，其特征在于：所述测量单元是测量半导体激光器的温度的装置，以及

所述第二脉冲发生部分还包括校正峰值确定单元，操作用于确定第二脉冲信号的峰值，所述第二脉冲信号的峰值具有根据测量值稳定下降的关系。

7.根据权利要求4或5所述的激光器驱动装置，其特征在于：所述测量单元是测量半导体激光器的电压或电阻的装置；以及

所述第二脉冲发生部分还包括校正峰值确定单元，操作用于确定第二脉冲信号的峰值，所述第二脉冲信号的峰值具有根据测量值稳定增加的关系。

8.根据权利要求4到7任一个所述的激光器驱动装置，其特征在于：将所述数字信号转换为多脉冲信号，所述多脉冲信号至少包括与其连续数量相对应的前导脉冲信号和结尾脉冲信号，并且第二脉冲信号的信号宽度小于前导脉冲信号的宽度。

9.根据权利要求8所述的激光器驱动装置，其特征在于：添加到结尾脉冲信号上的第二脉冲信号的信号宽度等于结尾脉冲信号的宽度。

10.根据权利要求4到7任一个所述的激光器驱动装置，其特征在于：将所述数字信号转换为具有与连续数量相对应的宽度的脉冲信号，并且第二脉冲信号的信号宽度小于脉冲信号的宽度。

11.根据权利要求4到10任一个所述的激光器驱动装置，其特征在于：所述第二脉冲信号的信号宽度在T/8-T/4的范围内，其中T是一个信道时钟的周期。

12.根据权利要求5所述的激光器驱动装置，其特征在于：在第一脉冲信号的前沿处产生所述第三脉冲信号，并且在第一脉冲信号的后沿处产生第四脉冲信号。

13.根据权利要求1到3任一个所述的激光器驱动装置，其特征在于：所述脉冲发生单元包括脉冲电流源，用于根据数字信号来产生脉冲电流；滤波器，与脉冲电流源并联，并具有可变常数；以及滤波器控制部分，用于根据测量值来控制滤波器的常数。

14.根据权利要求13所述的激光器驱动装置，其特征在于：所述滤波器控制部分包括操作用于存储由滤波器控制部分根据测量值控制的滤波器的常数的单元。

15.根据权利要求13所述的激光器驱动装置，其特征在于：所述滤波器包括多个组合，每一个所述组合均包括串联的电容器和开关。

16.根据权利要求13所述的激光器驱动装置，其特征在于：所述滤波器包括多个组合，每一个所述组合均包括串联的电容器、开关和电阻器。

17.根据权利要求15所述的激光器驱动装置，其特征在于：所述滤波器还包括连接在地与电容器和开关的节点之间的电阻器。

18.根据权利要求16所述的激光器驱动装置，其特征在于：所述滤波器还包括连接在地与串联的电容器、开关和电阻器的节点之一之间的电阻器。

19.根据权利要求13到19任一个所述的激光器驱动装置，其特征在于：所述滤波器可以在再现模式和记录模式之间改变常数。

20.根据权利要求15或16所述的激光器驱动装置，其特征在于：构成滤波器的多个电容器中的至少一个与集成电路的外部相连。

21.根据权利要求13所述的激光器驱动装置，其特征在于：所述测量单元是测量半导体激光器的电压的装置；以及

所述滤波器控制部分包括电阻计算单元，操作用于根据半导体激光器的操作电压和半导体激光器的操作电流来计算半导体激光器的电阻；以及控制执行单元，操作用于根据电阻来控制滤波器的常数。

22.根据权利要求21所述的激光器驱动装置，其特征在于：所述滤波器控制部分包括操作用于存储由控制执行单元根据电阻来控制的滤波器的常数的单元。

23.一种光盘装置，包括：

光学拾取器，包括用于发射激光束的半导体激光器、根据权利要求1-22任一个所述的激光器驱动装置、以及用于将激光束引导到光盘上的光学组件；以及

盘驱动装置，用于驱动光盘。

24.一种激光器驱动方法，用于根据数字信号来驱动半导体激光器发射类脉冲光，所述方法包括以下步骤：

测量步骤，用于输出根据半导体激光器的温度而改变的测量值；

以及

脉冲发生步骤，用于输出具有与测量值相对应的形状的类脉冲信号。

25.一种激光器驱动集成电路，用于根据数字信号来驱动半导体激光器发射类脉冲光，所述集成电路包括：

第一脉冲发生部分，用于产生具有恒定峰值的第一脉冲信号；

第二脉冲发生部分，用于产生具有根据测量值而改变的峰值的脉冲信号，所述测量值根据半导体激光器的温度而改变；以及

加法器，用于将第二脉冲信号添加到第一脉冲信号上，从而获得要传送的类脉冲信号。

26.一种激光器驱动集成电路，用于根据数字信号来驱动半导体激光器发射类脉冲光，所述集成电路包括：

脉冲电流源，用于根据所述数字信号来产生脉冲电流；

滤波器，与脉冲电流源并联，并具有可变常数；以及

滤波器控制部分，用于根据测量值来控制滤波器的常数，所述测量值根据半导体激光器的温度而改变。

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