CN1591882A - 固态成像装置及其制造方法 - Google Patents

固态成像装置及其制造方法 Download PDF

Info

Publication number
CN1591882A
CN1591882A CNA2004100557100A CN200410055710A CN1591882A CN 1591882 A CN1591882 A CN 1591882A CN A2004100557100 A CNA2004100557100 A CN A2004100557100A CN 200410055710 A CN200410055710 A CN 200410055710A CN 1591882 A CN1591882 A CN 1591882A
Authority
CN
China
Prior art keywords
light
hole
center
image pickup
solid state
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CNA2004100557100A
Other languages
English (en)
Other versions
CN100435344C (zh
Inventor
栗山俊宽
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Craib Innovations Ltd.
Original Assignee
Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Family has litigation
First worldwide family litigation filed litigation Critical https://patents.darts-ip.com/?family=34214144&utm_source=google_patent&utm_medium=platform_link&utm_campaign=public_patent_search&patent=CN1591882(A) "Global patent litigation dataset” by Darts-ip is licensed under a Creative Commons Attribution 4.0 International License.
Application filed by Matsushita Electric Industrial Co Ltd filed Critical Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Publication of CN1591882A publication Critical patent/CN1591882A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN100435344C publication Critical patent/CN100435344C/zh
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144—Devices controlled by radiation
    • H01L27/146—Imager structures
    • H01L27/14601—Structural or functional details thereof
    • H01L27/14625—Optical elements or arrangements associated with the device
    • H01L27/14629—Reflectors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144—Devices controlled by radiation
    • H01L27/146—Imager structures
    • H01L27/14601—Structural or functional details thereof
    • H01L27/14603—Special geometry or disposition of pixel-elements, address-lines or gate-electrodes
    • H01L27/14605—Structural or functional details relating to the position of the pixel elements, e.g. smaller pixel elements in the center of the imager compared to pixel elements at the periphery
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144—Devices controlled by radiation
    • H01L27/146—Imager structures
    • H01L27/14601—Structural or functional details thereof
    • H01L27/1462—Coatings
    • H01L27/14621—Colour filter arrangements
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144—Devices controlled by radiation
    • H01L27/146—Imager structures
    • H01L27/14601—Structural or functional details thereof
    • H01L27/14625—Optical elements or arrangements associated with the device
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144—Devices controlled by radiation
    • H01L27/146—Imager structures
    • H01L27/14601—Structural or functional details thereof
    • H01L27/1463—Pixel isolation structures
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144—Devices controlled by radiation
    • H01L27/146—Imager structures
    • H01L27/14683—Processes or apparatus peculiar to the manufacture or treatment of these devices or parts thereof
    • H01L27/14685—Process for coatings or optical elements
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144—Devices controlled by radiation
    • H01L27/146—Imager structures
    • H01L27/148—Charge coupled imagers
    • H01L27/14806—Structural or functional details thereof
    • H01L27/14812—Special geometry or disposition of pixel-elements, address lines or gate-electrodes
    • H01L27/14818—Optical shielding
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/02—Details
    • H01L31/0232—Optical elements or arrangements associated with the device
    • H01L31/02325—Optical elements or arrangements associated with the device the optical elements not being integrated nor being directly associated with the device
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/02—Details
    • H01L31/0216—Coatings
    • H01L31/02161—Coatings for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
    • H01L31/02162—Coatings for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for filtering or shielding light, e.g. multicolour filters for photodetectors
    • H01L31/02164—Coatings for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for filtering or shielding light, e.g. multicolour filters for photodetectors for shielding light, e.g. light blocking layers, cold shields for infrared detectors

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
  • Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
  • Light Receiving Elements (AREA)

Abstract

一种固态成像装置，包括：以规则间隔在光接收区中设置成矩阵形式的多个光敏元件，其中光接收区设置在半导体衬底上；设置在半导体衬底上并对应多个光敏元件的多个检测电极，用于检测由每个光敏元件产生的电荷；覆盖多个检测电极并具有在每个光敏元件上的孔的光屏蔽膜；和多个反射壁，这些反射壁在光屏蔽膜上形成为格栅图形，以便独立地隔开位于各个光敏元件上的孔，用于将从上部进入半导体衬底的一部分光反射到每个光敏元件上的孔上。多个反射壁的形成使得穿过孔彼此相对的反射壁的中点从孔的中心向光接收区的中心偏移。

Description

固态成像装置及其制造方法
技术领域
本发明涉及一种固态成像装置。特别是，本发明涉及一种其中多个光敏元件设置成矩阵形式的固态成像装置。
背景技术
为了提高以CCD为代表的固态成像装置的光收集能力，存在一种固态成像装置，其中两个微透镜如图8所示那样形成。下面将参照图8介绍上述固态成像装置。
图8中所示的固态成像装置包括半导体衬底501、栅极绝缘膜502、栅极503、光电二极管504、电荷转移部件505、层间绝缘膜507、光屏蔽膜508、绝缘膜509层内透镜510、平面化膜511、滤色片513和片上微透镜514。
光电二极管504和电荷转移部件505形成在半导体衬底501上。半导体衬底501的表面用栅极绝缘膜502涂覆，并且栅极503形成在栅极绝缘膜502上。层间绝缘膜507形成在栅极503上。此外，光屏蔽膜508形成得以便涂覆栅极绝缘膜502和层间绝缘膜507。
而且，在光屏蔽膜508上形成绝缘膜509。层内透镜510和平面化膜511形成在绝缘膜509上。此外，滤色片513形成在平面化膜511上。片上微透镜514形成在滤色片513上，用于每个光电二极管504。
如上所述，在图8中所示的固态成像装置中，片上微透镜514形成在该固态成像装置的顶层上，并且层内透镜510形成在平面化膜511中。而且，形成两个微透镜用于每个光电二极管504，由此可以进一步有效地将光收集到光电二极管504。
然而，如图8所示的固态成像装置具有的问题是：进入固态成像装置的光从上部倾斜地进入相邻像素，由此产生颜色混合。
因此，作为能防止由倾斜光产生的颜色混合的固态成像装置，已经研制了如图9所示的固态成像装置。图9是上述固态成像装置的剖面图。
如图9中所示的固态成像装置不同于如图8所示的固态成像装置的地方在于：在层内透镜510的两侧另外提供了反射壁512a和512b。这样，附加地提供了反射壁512a和512b，由此倾斜光被反射壁512a和512b反射，如图9所示。结果是，倾斜光进入光电二极管504。因此，可以解决固态成像装置的颜色混合的问题。此外，最初没有收集的倾斜光进入光电二极管504，由此提高了固态成像装置的每个像素的光灵敏度(参见日本特许公开专利公报No.2001-77339)。
在如图9所示的固态成像装置中，作为整体提高了固态成像装置的光灵敏度。然而，在固态成像装置的像素之间仍然存在光灵敏度的变化。下面将参照附图详细地介绍光灵敏度的这种变化。图10是表示具有光学透镜的照相装置的光灵敏度的分布的曲线图，其中固态成像装置安装在该照相装置中。应该指出，垂直轴表示光灵敏度，水平轴表示固态成像装置中的像素的位置。
首先，在固态成像装置中的像素的位置和入射光的角度之间存在一定的关系。具体而言，在位于固态成像装置的轴心附近的像素中，直接从上部入射的光(图9中表示为α的光)的百分比高于具有其他入射角的光的百分比。另一方面，在位于固态成像装置的右侧区域中的像素中，从左侧入射的倾斜光(图9中表示为β的光)的百分比高于具有其它入射角的光的百分比。而且，在位于固态成像装置的左侧区域中的像素中，从右侧入射的倾斜光(图9中表示为γ的光)的百分比高于具有其它入射角的光的百分比。
直接从上部入射到固态成像装置上的光被片上微透镜514和层内透镜510收集，并以高效率进入光电二极管504。另一方面，即使倾斜光被反射壁512反射，也可以由例如光屏蔽膜508防止一部分倾斜光进入光电二极管504。就是说，倾斜光进入光电二极管504的概率低于从上部直接入射的光进入光电二极管504的概率。结果是，具有较高百分比倾斜光的右侧和左侧区域中的像素具有比具有较低百分比倾斜光的中心区域中的像素低的光灵敏度。具体而言，如图10所示，位于固态成像装置右侧和左侧边缘的像素具有较低的光灵敏度，位于固态成像装置的中心的像素具有较高的光灵敏度。
发明内容
因此，本发明的目的是提供一种固态成像装置，能防止由倾斜光引起的颜色混合，并且减少像素之间的光灵敏度的变化。
本发明具有以下特征以实现上述目的。
本发明旨在提供一种固态成像装置，包括：半导体衬底；以规则间隔在光接收区中设置成矩阵形式的多个光敏元件，其中光接收区设置在半导体衬底上；设置在半导体衬底上并对应多个光敏元件的多个检测电极，用于检测由每个光敏元件产生的电荷；覆盖多个检测电极并具有在每个光敏元件上的孔的光屏蔽膜；和多个反射壁，这些反射壁在光屏蔽膜上形成为格栅图形，以便独立地隔开各个光敏元件上的孔，用于将从上部进入半导体衬底的一部分光反射到每个光敏元件上的孔上。多个反射壁的形成使得穿过孔彼此相对的反射壁的中点从孔的中心向光接收区的中心偏移，并且穿过孔彼此相对的反射壁的中点和孔的中心之间的偏移量取决于从光接收区的中心到孔的中心的距离。
优选地，到光接收区的中心的距离越大，穿过孔彼此相对的反射壁的中点和孔的中心之间的偏移量越大。
优选地，反射壁的垂直横截面是梯形，其上底比下底长。
还可以包括多个层内透镜，每个层内透镜设置在由多个反射壁包围的区域中的相应孔上，用于将光收集到孔中。优选地，多个层内透镜的每个的中心相对于孔的中心向光接收区的中心偏移，偏移量取决于从光接收区的中心到孔的中心。
而且，还可以进一步包括形成在多个反射壁上的滤色片和形成在滤色片上的多个微透镜，所述多个微透镜对应各个光敏元件。优选地，多个微透镜的每个的中心相对于孔的中心向光接收区的中心偏移，偏移量取决于从光接收区的中心到孔中心的距离。
应该指出的是，本发明还提供一种固态成像装置的制造方法。
在根据本发明的固态成像装置中，反射壁被形成以便其向光接收区的中心偏移，由此可以减少光接收区的中心区域和其周边区域之间的光灵敏度的差异。
而且，在根据本发明的固态成像装置中，到光接收区的距离越大，反射壁的偏移量越大。这里，像素接收更多的倾斜光，因为它更靠近光接收区的边缘。因此，通过增加反射壁的偏移量，其中增加的量取决于从光接收区的中心到反射壁的距离，可以有效地减小光接收区的中心区域和其周边区域之间的光灵敏度的差异。
而且，反射壁的横截面是梯形，其上底长于下底，由此可以使倾斜光更有效地向孔反射。结果是，可以有效地将光收集到光敏元件上。
而且，层内透镜允许光有效地被收集到光敏元件上。此外，层内透镜的中心从孔的中心向光接收区的中心偏移，因此可以有效地将倾斜光收集到光敏元件上。
而且，片上微透镜允许将光有效地收集到光敏元件上。此外，片上微透镜的中心从孔的中心向光接收区的中心偏移，由此可以有效地将倾斜光收集到光敏元件上。
本发明不仅提供一种固态成像装置，而且提供该固态成像装置的制造方法。基于固态成像装置的制造方法，可以制造本发明的固态成像装置。
从下面结合附图对本发明的详细说明使本发明的这些和其它目的、特点、方案和优点更显然。
附图简述
图1是表示本发明的固态成像装置的整体结构的示意图；
图2A-2C是本发明的固态成像装置的剖面图；
图3是表示本发明的固态成像装置的孔和反射壁之间的位置关系的示意图；
图4A和4B是用于解释本发明的固态成像装置的效果的示意图；
图5A至图5I是在制造工艺的每个步骤的本发明的固态成像装置的剖面图；
图6是表示本发明的固态成像装置的另一结构的示意图；
图7是表示本发明的固态成像装置的又一结构的示意图；
图8是常规固态成像装置的剖面图；
图9是常规固态成像装置的剖面图；和
图10是表示常规固态成像装置的光灵敏度的分布的示意图。
具体实施方式
下面将参照附图介绍根据本发明一个实施例的固态成像装置。图1是表示根据本实施例的固态成像装置的整体结构的示意图。图2A-2C分别是如图1中所示的固态成像装置的光接收区的在左边缘、在中心、和在右边缘设置的像素的剖面图。
如图1所示，根据本实施例的固态成像装置包括光接收部件1、垂直CCD移位电阻器2和水平CCD移位电阻器3。
光接收部件1包括光敏元件如光电二极管，多个光接收部件1在矩形光接收区上以规则间隔设置成矩阵形式，如图1所示。光接收部件1产生信号电荷，该电荷与从外部入射的光的强度成比例。垂直CCD移位电阻器2在线之间纵向设置，每根线由多个光敏元件1构成。垂直CCD移位电阻器2将每个光接收部件1产生的信号电荷在图1的垂直方向传输。水平CCD移位电阻器3将从垂直CCD移位电阻器2传输而来的信号电荷在图1的水平方向传输，由此将信号电荷传输到固态成像装置的外部。应该指出的是，图1中的圆圈A-C分别是位于光接收区的右边缘、其中心和其左边缘的像素的放大图。
接着，将使用图2介绍图1的各个放大图A-C的剖面图。图2A是图1的放大图A的剖面图。图2B是图1的放大图B的剖面图。图2C是图1的放大图C的剖面图。如图2所示，根据本实施例的固态成像装置的像素包括半导体衬底51、栅极绝缘膜52、栅极53、光电二极管54、电荷转移部件55、层间绝缘膜57、光屏蔽膜58、绝缘膜59、层内透镜60、平面化膜61、反射壁62、滤色片63和片上微透镜64。
在半导体衬底51上以规则间隔形成矩阵形式的多个光电二极管54。应该指出，光电二极管54产生信号电荷，其电荷与从上面(即图2的上部)入射的光的强度成比例。此外，电荷转移部件55形成在光电二极管54的左侧，以便与其远离。电荷转移部件55被包含于如图1所示的水平CCD移位电阻器3中。
作为氧化硅膜的栅极绝缘膜52形成在半导体衬底51上。而且，在栅极绝缘膜52上，多晶硅栅极53直接形成在电荷转移部件55上方。栅极53检测由光电二极管54产生的信号电荷，并向电荷转移部件55输出检测到的信号电荷。而且，形成作为氧化硅膜的层间绝缘膜57，以便覆盖栅极53。此外，形成覆盖层间绝缘膜57的光屏蔽膜58。防止光进入栅极53的光屏蔽膜58例如由W(钨)制成。应该指出，在光屏蔽膜58的一部分中形成孔65，由此允许光通过孔65并到达光电二极管54。孔65以规则间隔成矩阵形式直接形成在各个光电二极管54的上方。
绝缘膜59形成在光屏蔽膜58和孔65上。绝缘膜59是光学透明的，并形成为例如BPSG膜，它是通过CVD法淀积的。在孔65上方的区域中，层内透镜60形成在绝缘膜59上，用于将从上部入射的光收集到光电二极管54中。此外，作为氧化硅膜的平面化膜61形成在层内透镜60和绝缘膜59上。平面化膜61是光学透明的，并具有低于层内透镜60的折射率。
而且，金属(例如钨和钛)反射壁62形成在平面化膜62和绝缘膜59的内部，以便在从上面观察半导体衬底51时产生栅格图形。反射壁62反射从上方入射到孔65上的一部分光(具体而言，是倾斜光)。这里，参照图1和图2，将详细介绍作为本发明的特征之一的反射壁62的设置。
形成根据本实施例的固态成像装置的反射壁62，以便穿过孔65彼此相对的反射壁之间的中间点从孔65的中心向光接收区的中心偏移。具体而言，在位于光接收区的右侧边缘的像素中，反射壁62在右方向位移，如图1的圆圈A和图2A所示。而且，在位于光接收区的左边缘的像素中，反射壁62在左方向位移，如图1的圆圈C和图2B所示。应该指出，在位于光接收区中心的像素中，穿过孔65彼此相对的反射壁62之间的中点与孔65的中心重合，如图1的圆圈B和图2B所示。而且，在位于光接收区的上边缘的像素中，反射壁62在向下方向位移。另一方面，在位于光接收区下边缘的像素中，反射壁62在向上方向位移。
这里，将使用图3介绍反射壁62的位移量。图3是表示孔65和反射壁62之间的位置关系的示意图。应该指出，为了简化说明，假设光接收区具有5×5矩阵排列。
如图3所示，在光屏蔽膜58上以规则间隔成矩阵形式形成开口65。此外，反射壁62以栅格图形形成在光屏蔽膜58上。而且，到光接收区的中心的距离越大，穿过孔65彼此相对的反射壁62之间的中间点的位移量越大。因此，孔65距离光接收区的中心越远，反射壁62相对于孔65向光接收区中心位移得越远，由此可以在远离光接收区中心的位置上有效地将入射光收集到光电二极管54上，这将在下面参照附图详细说明。图4A是位于常规固态成像装置的光接收区的右侧边缘的像素的剖面图。图4B是位于根据本实施例的固态成像装置的光接收区的右侧边缘的像素的剖面图。应该指出，为了简化说明，省略了层内透镜60等。
首先，如在背景技术部分所述的，在位于光接收区右侧边缘的像素中，从左侧入射的倾斜光的百分比高于具有其他入射角的光的百分比。因此，如图4A所示，在常规固态成像装置中，进入该固态成像装置的倾斜光被反射而离开反射壁512并进入孔中。
然而，如图4A所示，反射壁512的高度有限，由此不可能将倾斜光反射到孔的整个区域内。具体而言，如图4A所示，只有被反射离开反射壁512的一部分L2的光进入孔。
另一方面，在根据本实施例的固态成像装置中，位于右侧边缘的像素的反射壁62向左位移。因此，如图4B所示，与常规固态成像装置相比，通过使用反射壁62的下部，可以反射具有与图4A所示的光相同的入射角的倾斜光。因此，被反射离开反射壁62的部分L1的倾斜光进入孔内。图4A和4B之间的比较表明L1＞L2，因此与常规固态成像装置相比，进入孔65的光量增加了。结果是，可以提高在光接收区的中心区以外的其它区域中的固态成像装置的光灵敏度，并且可以减少固态成像装置的光接收区的中心区和其周边区域之间的光灵敏度的差异。而且，在根据本实施例的固态成像装置中，可以使用反射壁62的中心附近区域反射倾斜光，由此有效地将具有各种入射角的倾斜光收集到孔上。
下面将参照附图介绍上述固态成像装置的制造方法。图5A-5I是在制造工艺的每个步骤的固态成像装置的剖面图。
首先，光电二极管54形成在半导体衬底51上，以便多个光电二极管54以规则间隔排列成矩阵形式。此外，与和上述光电二极管54相邻形成电荷转移部件55，以便远离它。然后，通过CVD法在半导体衬底51上形成氧化硅膜的栅极绝缘膜52。结果是，该固态成像装置具有剖面为如图5A所示的结构。
接着，在栅极绝缘膜52上，直接在电荷转移部件55上方的区域中形成多晶硅栅极53。具体而言，在利用CVD法淀积多晶硅膜之后，通过干刻蚀选择性地除去预定区域中的多晶硅膜，由此形成栅极53。形成栅极53之后，形成作为氧化硅膜的层间绝缘膜57，以便覆盖栅极53。应该注意的是，层间绝缘膜57是通过利用CVD法淀积氧化硅膜，并选择性地除去淀积的氧化硅膜而形成的。
形成层间绝缘膜57之后，形成覆盖层间绝缘膜57的光屏蔽膜58。具体而言，通过PVD法或CVD法形成W薄膜，以便覆盖层间绝缘膜57和栅极绝缘膜52。然后，通过干刻蚀选择性地除去覆盖光电二极管54的W薄膜，由此形成光屏蔽膜58和孔65。结果是，该固态成像装置具有其截面如图5B所示的结构。
接下来，利用CVD法在光屏蔽膜58和孔65上淀积BPSG膜。然后，通过加热回流BPSG膜，由此对其表面进行平面化。结果是，形成绝缘膜59，并且该固态成像装置具有其截面如图5C所示的结构。
形成绝缘膜59之后，在孔65上的绝缘膜59上形成氮化硅的层内透镜60。层内透镜60优选形成在从孔65的中心向光接收区的中心偏移的位置上。
此外，利用CVD法在层内透镜60上淀积氧化硅膜。然后，利用CMP法对氧化硅膜的表面进行平面化处理，由此形成平面化膜61。结果是，该固态成像装置具有其截面如图5D所示的结构。
接着，在平面化膜61上形成具有格栅图形的抗蚀剂膜，从而在孔65之间形成沟槽，这将在下面说明。这里，形成具有格栅图形的抗蚀剂膜，使得穿过形成在光屏蔽膜58上的孔65彼此相对的格栅开口的中点从孔65的中心向光接收区的中心偏移。应该指出，到光接收区的中心的距离越大，穿过光屏蔽58的孔65彼此相对的开口的中点和孔65之中心之间的位移量越大。
接着，进行使用CxFy的干刻蚀，由此选择性地除去位于掩模的格栅开口下面的平面化膜61和绝缘膜59。结果是，如图5E所示，形成了沟槽75。应该注意的是，形成沟槽75，使其宽度不大于1μm。
形成沟槽75之后，利用PVD法形成Ti(钛)膜122，如图5F所示。然后，如图5G所示，利用CVD法在Ti膜122上形成W(钨)膜121。完成Ti膜122和W膜121的淀积之后，通过CMP法或回蚀刻工艺除去沟槽75以外的多余的Ti膜122和多余的W膜121。结果是，如图5H所示，形成反射壁62。
形成反射壁62之后，在反射壁62和平面化膜61上形成滤色片63。具体而言，根据通过染色方法的颜色编码或颜色抗蚀剂涂层淀积一个三层或四层膜。最终，在滤色片63上形成片上微透镜64。具体地说，用热熔透明树脂涂覆滤色片63，并对热熔透明树脂上的抗蚀剂进行热回流处理，从而形成片上微透镜65。结果是，完成具有如图5I所示的固态成像装置。应该注意的是，片上微透镜64优选形成在从孔65的中心向光接收区的中心偏移的位置上。
因此，基于根据本实施例的固态成像装置，可以减少在光接收区的中心区和其周边区域之间产生的光灵敏度的变化。在根据本实施例的固态成像装置中，可以使用反射壁的中心附近部分反射倾斜光，由此可以有效地将具有各种入射角的倾斜光收集到孔中。
应该注意的是，在根据本实施例的固态成像装置中，假设孔距离光接收区越远，反射壁62相对于孔65向光接收区的中心位移得越远，但是不限于此。例如，在根据本发明的固态成像装置中，在反射壁位于距离光接收区中心为预定距离内的情况下，位移量可以为零。在反射壁设置成到光接收区中心的距离大于预定距离的情况下，位移量可以取决于从光接收区中心到反射壁的距离。
而且，前面已经在假设它是CCD固态成像装置的基础上介绍了根据本实施例的固态成像装置。然而，上述固态成像装置可以是MOS固态成像装置。
而且，根据本实施例的固态成像装置的反射壁的横截面是矩形的，如图2所示，但是不限于此。例如，如图6所示，反射壁的横截面是梯形的，其上底长于下底。结果是，如图6所示，可以进一步有效地将倾斜光收集到孔上。此外，该反射壁的底部比如图2所示的反射壁的底部窄，因此可以基本上将反射壁从一侧向另一侧移动。结果是，增加了固态成像装置的自由度。
应该注意的是，在本实施例中，假设反射壁的材料是金属，但是其材料不限于金属。例如，反射壁的材料可以具有低于反射壁周围膜的材料的折射率。结果是，在反射壁发生全内反射，由此可以获得与用金属作为反射壁的情况下相同的效果。
而且，在本实施例中，假设栅极具有单层结构，但是不限于此。例如，栅极可以是淀积在栅极绝缘膜上的多晶硅、氧化硅膜、和多晶硅的多层结构。
而且，在本实施例中，形成在层内透镜上的平面化膜可以是作为下列工艺的结果形成的：施加如SOG的树脂，淀积薄膜作为TEOSSiO2/BPSG膜或作为高密度等离子体SiO2 CVD膜，并通过回刻蚀工艺或CMP法进行平面化。而且，平面化膜可以由SiON而不是SiO2构成。
而且，在根据本实施例的固态成像装置中，如图7所示，元件平面化膜70可以设置在反射壁和平面化膜以及滤色片之间。
而且，在根据本实施例的固态成像装置中，如图2所示，光屏蔽膜58与反射壁62接触。然而，光屏蔽膜58不是必须与反射壁62接触。
根据本发明的固态成像装置可以防止由倾斜光引起的颜色混合。而且，根据本发明的固态成像装置可以例如用作包括排列成矩阵形式的多个光敏元件的固态成像装置，这种装置需要减少像素之间的光灵敏度的变化。
前面已经对本发明进行了详细说明，前面的说明都是示意性的而非限制性的。应该理解在不脱离本发明的范围的情况下可以进行各种其它修改和改变。

Claims (12)

1、一种固态成像装置，包括：
半导体衬底；
以规则间隔在光接收区中设置成矩阵形式的多个光敏元件，其中光接收区设置在半导体衬底上；
设置在半导体衬底上并对应多个光敏元件的多个检测电极，用于检测由每个光敏元件产生的电荷；
光屏蔽膜，覆盖多个检测电极并具有在每个光敏元件上的孔；和
多个反射壁，这些反射壁在光屏蔽膜上形成为格栅图形，以便独立地隔开位于各个光敏元件上的孔，用于将从上部进入半导体衬底的一部分光反射到每个光敏元件上的孔上，其中
多个反射壁的形成使得穿过孔彼此相对的反射壁的中点从孔的中心向光接收区的中心偏移，和
穿过孔彼此相对的反射壁的中点和孔的中心之间的偏移量取决于从光接收区的中心到孔的中心的距离。
2、根据权利要求1的固态成像装置，其中到光接收区的中心的距离越大，穿过孔彼此相对的反射壁的中点和孔的中心之间的位移量越大。
3、根据权利要求1的固态成像装置，其中反射壁的垂直横截面是梯形，其上底长于下底。
4、根据权利要求1的固态成像装置，还包括多个层内透镜，每个层内透镜位于由多个反射壁包围的一区域中的相应孔上，用于将光收集到孔上。
5、根据权利要求4的固态成像装置，其中多个层内透镜的每个的中心从孔的中心向光接收区的中心位移，位移量取决于从光接收区的中心到孔的中心的距离。
6、根据权利要求1的固态成像装置，还包括：
形成在多个反射壁上的滤色片；和
形成在滤色片上以便对应各个光敏元件的多个微透镜。
7、根据权利要求6的固态成像装置，其中多个微透镜的每个的中心从孔的中心向光接收区的中心位移，位移量取决于从光接收区的中心到孔的中心的距离。
8、一种固态成像装置的制造方法，包括以下步骤：
在设置在半导体衬底上的光接收区中以规则间隔按矩阵形式形成多个光敏元件；
形成对应多个光敏元件的多个检测电极，用于检测由每个光敏元件产生的信号电荷；
形成覆盖多个检测电极并将具有在每个光敏元件上的孔的光屏蔽膜；
在光屏蔽膜上和光屏蔽膜的孔上淀积绝缘膜；
在绝缘膜上形成具有格栅图形的掩模；
通过使用具有格栅图形的掩模和通过刻蚀除去格栅开口下面的绝缘膜，在光屏蔽膜上形成格栅形状的沟槽，用于独立地隔开各个光敏元件上的孔；
在形成的格栅形状的沟槽内部淀积光反射材料；和
形成滤色片，以覆盖该沟槽和绝缘膜，在该沟槽内部淀积具有比该绝缘膜的反射率高的材料，其中
形成具有格栅图形的掩模，使得穿过每个光敏元件上的光屏蔽膜的孔彼此相对的格栅开口的中点从光敏元件上的孔的中心向光接收区的中心位移，和
穿过每个光敏元件上的光屏蔽膜的孔彼此相对的格栅开口的中点和光敏元件上的孔的中心之间的位移量取决于从光接收区的中心到孔的中心之间的距离。
9、根据权利要求8的制造方法，其中光反射材料是金属。
10、根据权利要求9的制造方法，其中
在格栅状沟槽内淀积光反射材料的步骤包括以下步骤：
通过溅射在沟槽内淀积第一金属膜；和
通过化学汽相淀积法在其中淀积第一金属膜的沟槽内淀积第二金属膜。
11、根据权利要求10的制造方法，其中在格栅状沟槽内淀积具有比该绝缘膜高的反射率的材料的步骤进一步包括：通过化学机械抛光法除去位于沟槽以外的多余的第一和第二金属膜的步骤。
12、根据权利要求8的制造方法，其中该光反射材料具有比该绝缘膜低的折射率。
CNB2004100557100A 2003-08-29 2004-07-30 固态成像装置 Expired - Fee Related CN100435344C (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2003307696A JP2005079338A (ja) 2003-08-29 2003-08-29 固体撮像装置とその製造方法
JP307696/2003 2003-08-29

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN1591882A true CN1591882A (zh) 2005-03-09
CN100435344C CN100435344C (zh) 2008-11-19

Family

ID=34214144

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CNB2004100557100A Expired - Fee Related CN100435344C (zh) 2003-08-29 2004-07-30 固态成像装置

Country Status (3)

Country Link
US (2) US7023034B2 (zh)
JP (1) JP2005079338A (zh)
CN (1) CN100435344C (zh)

Cited By (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103378113A (zh) * 2012-04-12 2013-10-30 台湾积体电路制造股份有限公司 图像传感器的制造方法
CN103477436A (zh) * 2011-12-19 2013-12-25 松下电器产业株式会社 摄像装置
CN104051474A (zh) * 2013-03-13 2014-09-17 台湾积体电路制造股份有限公司 具有堆叠栅格结构的图像传感器
CN105789230A (zh) * 2011-05-27 2016-07-20 佳能株式会社 固态图像拾取装置和图像拾取系统
CN105990384A (zh) * 2015-03-20 2016-10-05 台湾积体电路制造股份有限公司 减少背照式图像传感器中的串扰的复合栅格结构
CN106997884A (zh) * 2016-01-25 2017-08-01 豪威科技股份有限公司 具有对高强度光的降低的敏感度的高动态范围图像传感器
CN107683526A (zh) * 2015-06-23 2018-02-09 索尼公司 图像传感器和电子装置
CN109786409A (zh) * 2017-11-15 2019-05-21 台湾积体电路制造股份有限公司 影像感测装置及其形成方法
CN109951618A (zh) * 2017-12-21 2019-06-28 佳能株式会社 图像拍摄装置和图像拍摄系统
CN113178457A (zh) * 2021-04-12 2021-07-27 维沃移动通信有限公司 像素结构和图像传感器
US11990489B2 (en) 2018-05-08 2024-05-21 Sony Semiconductor Solutions Corporation Imaging device and method of manufacturing imaging device

Families Citing this family (29)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3709873B2 (ja) * 2003-02-19 2005-10-26 ソニー株式会社 固体撮像装置及び撮像カメラ
JP3717170B2 (ja) * 2003-05-20 2005-11-16 松下電器産業株式会社 固体撮像装置の製造方法
US7935994B2 (en) * 2005-02-24 2011-05-03 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Light shield for CMOS imager
US7719040B2 (en) * 2005-08-03 2010-05-18 Panasonic Corporation Solid-state imaging device
US7265328B2 (en) * 2005-08-22 2007-09-04 Micron Technology, Inc. Method and apparatus providing an optical guide for an imager pixel having a ring of air-filled spaced slots around a photosensor
US7511257B2 (en) * 2005-08-24 2009-03-31 Aptina Imaging Corporation Method and apparatus providing and optical guide in image sensor devices
JP4785485B2 (ja) * 2005-10-03 2011-10-05 セイコーインスツル株式会社 センサｉｃ
JP2008108918A (ja) * 2006-10-25 2008-05-08 Sony Corp 固体撮像素子
KR20080060969A (ko) * 2006-12-27 2008-07-02 동부일렉트로닉스 주식회사 이미지 센서 및 이미지 센서의 제조 방법
JP2009021415A (ja) * 2007-07-12 2009-01-29 Panasonic Corp 固体撮像装置およびその製造方法
JP2009032953A (ja) * 2007-07-27 2009-02-12 Panasonic Corp 固体撮像装置
JP5166925B2 (ja) * 2008-03-12 2013-03-21 キヤノン株式会社 固体撮像装置
JP2009289927A (ja) * 2008-05-28 2009-12-10 Panasonic Corp 固体撮像装置及びその製造方法
JP2010034141A (ja) * 2008-07-25 2010-02-12 Panasonic Corp 固体撮像装置とその製造方法
JP2011040454A (ja) * 2009-08-07 2011-02-24 Sony Corp 固体撮像装置、固体撮像装置の製造方法および電子機器
EP2428820A3 (en) * 2010-09-13 2012-05-09 Siemens Aktiengesellschaft Silicon photomultiplier and radiation detector
US8767108B2 (en) * 2011-03-14 2014-07-01 Sony Corporation Solid-state imaging device, method of manufacturing solid-state imaging device, and electronic apparatus
US9093579B2 (en) * 2011-04-28 2015-07-28 Semiconductor Components Industries, Llc Dielectric barriers for pixel arrays
JP2013165216A (ja) * 2012-02-13 2013-08-22 Fujifilm Corp 撮像素子
TW201405792A (zh) * 2012-07-30 2014-02-01 Sony Corp 固體攝像裝置、固體攝像裝置之製造方法及電子機器
US10367021B2 (en) 2013-12-17 2019-07-30 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Image sensor device and fabricating method thereof
JP6545016B2 (ja) * 2015-06-25 2019-07-17 三重富士通セミコンダクター株式会社 固体撮像装置および遮光方法
US10559616B2 (en) * 2015-07-30 2020-02-11 Sony Semiconductor Solutions Corporation Solid-state imaging apparatus and electronic device
JPWO2018180569A1 (ja) * 2017-03-30 2020-04-23 ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 固体撮像装置、および電子機器
JP7508779B2 (ja) * 2017-12-06 2024-07-02 Ｔｏｐｐａｎホールディングス株式会社 固体撮像素子およびその製造方法
US11348958B2 (en) * 2019-05-16 2022-05-31 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Ltd. Image sensing device with grid structure and fabrication method thereof
US11217613B2 (en) * 2019-11-18 2022-01-04 Omnivision Technologies, Inc. Image sensor with split pixel structure and method of manufacturing thereof
US11271024B2 (en) * 2019-12-09 2022-03-08 Vanguard International Semiconductor Corporation Semiconductor device and method for forming the same
KR20220160564A (ko) * 2020-03-31 2022-12-06 소니 세미컨덕터 솔루션즈 가부시키가이샤 촬상 소자 및 촬상 장치

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4708436A (en) * 1985-07-12 1987-11-24 Rca Corporation Optical imager with diffractive lenticular array
JP2917920B2 (ja) * 1996-06-27 1999-07-12 日本電気株式会社 固体撮像装置およびその製造方法
JPH10229180A (ja) 1997-02-14 1998-08-25 Sony Corp 固体撮像素子
JP3695082B2 (ja) * 1997-07-11 2005-09-14 ソニー株式会社 固体撮像素子、固体撮像素子の製造方法および撮像装置
KR100314517B1 (ko) * 1998-03-30 2001-11-15 가네꼬 히사시 고체 촬상 센서
JP3204216B2 (ja) * 1998-06-24 2001-09-04 日本電気株式会社 固体撮像装置およびその製造方法
JP2001077339A (ja) 1999-09-03 2001-03-23 Sony Corp 固体撮像素子
JP3959734B2 (ja) * 2001-12-28 2007-08-15 ソニー株式会社 固体撮像素子およびその製造方法
JP2003229556A (ja) * 2002-02-04 2003-08-15 Sony Corp 固体撮像素子およびその製造方法
US7250973B2 (en) * 2002-02-21 2007-07-31 Canon Kabushiki Kaisha Image pickup apparatus for reflecting light at an area between successive refractive areas
JP4123060B2 (ja) * 2003-06-11 2008-07-23 ソニー株式会社 固体撮像素子及びその製造方法
KR20050057968A (ko) * 2003-12-11 2005-06-16 매그나칩 반도체 유한회사 무기물의 마이크로렌즈를 갖는 이미지센서 제조 방법
US7235833B2 (en) * 2004-05-04 2007-06-26 United Microelectronics Corp. Image sensor device and manufacturing method thereof

Cited By (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10418398B2 (en) 2011-05-27 2019-09-17 Canon Kabushiki Kaisha Solid-state image pickup apparatus, and image pickup system using solid-state image pickup apparatus having metal film with first and second portions
CN105789230B (zh) * 2011-05-27 2019-03-29 佳能株式会社 固态图像拾取装置和图像拾取系统
CN105789230A (zh) * 2011-05-27 2016-07-20 佳能株式会社 固态图像拾取装置和图像拾取系统
CN103477436A (zh) * 2011-12-19 2013-12-25 松下电器产业株式会社 摄像装置
CN103378113A (zh) * 2012-04-12 2013-10-30 台湾积体电路制造股份有限公司 图像传感器的制造方法
CN104051474B (zh) * 2013-03-13 2017-11-03 台湾积体电路制造股份有限公司 具有堆叠栅格结构的图像传感器
CN104051474A (zh) * 2013-03-13 2014-09-17 台湾积体电路制造股份有限公司 具有堆叠栅格结构的图像传感器
CN105990384B (zh) * 2015-03-20 2019-06-14 台湾积体电路制造股份有限公司 减少背照式图像传感器中的串扰的复合栅格结构
CN105990384A (zh) * 2015-03-20 2016-10-05 台湾积体电路制造股份有限公司 减少背照式图像传感器中的串扰的复合栅格结构
CN107683526A (zh) * 2015-06-23 2018-02-09 索尼公司 图像传感器和电子装置
CN106997884B (zh) * 2016-01-25 2020-08-11 豪威科技股份有限公司 具有对高强度光的降低的敏感度的高动态范围图像传感器
CN106997884A (zh) * 2016-01-25 2017-08-01 豪威科技股份有限公司 具有对高强度光的降低的敏感度的高动态范围图像传感器
US11222913B2 (en) 2017-11-15 2022-01-11 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Image sensor device having first lens over a light-sensing region and surrounded by a grid layer
US11791356B2 (en) 2017-11-15 2023-10-17 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Image sensor device having a first lens and a second lens over the first lens
CN109786409A (zh) * 2017-11-15 2019-05-21 台湾积体电路制造股份有限公司 影像感测装置及其形成方法
CN109951618A (zh) * 2017-12-21 2019-06-28 佳能株式会社 图像拍摄装置和图像拍摄系统
CN109951618B (zh) * 2017-12-21 2021-05-25 佳能株式会社 图像拍摄装置和图像拍摄系统
US11990489B2 (en) 2018-05-08 2024-05-21 Sony Semiconductor Solutions Corporation Imaging device and method of manufacturing imaging device
CN113178457A (zh) * 2021-04-12 2021-07-27 维沃移动通信有限公司 像素结构和图像传感器

Also Published As

Publication number Publication date
US20050045928A1 (en) 2005-03-03
US20060060896A1 (en) 2006-03-23
JP2005079338A (ja) 2005-03-24
CN100435344C (zh) 2008-11-19
US7023034B2 (en) 2006-04-04

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN1591882A (zh) 固态成像装置及其制造方法
JP6325620B2 (ja) 半導体装置およびその製造方法
US11004887B2 (en) Semiconductor image sensor
KR102278324B1 (ko) 반도체 이미지 센서
TWI548072B (zh) 像素陣列之介電阻障
JP6815448B2 (ja) 固体撮像装置
US20060289723A1 (en) Layered microlens structures and devices
CN1747178A (zh) 互补金属氧化物半导体图像传感器及其制造方法
CN1941396A (zh) Cmos图像传感器及其制造方法
CN1873995A (zh) Cmos图像传感器及其制造方法
CN1694259A (zh) 具有棱镜的cmos图像传感器及其制造方法
US20090109542A1 (en) Lens, a lens array and imaging device and system having a lens, and method of forming the same
CN1816117A (zh) 具有嵌入光学元件的图像传感器
JP5713971B2 (ja) 固体撮像装置
US20160351617A1 (en) Method of forming an infrared filter associated with an image sensor
KR102497910B1 (ko) 솔리드-스테이트 이미지 센서
JP2004079932A (ja) 固体撮像素子及びその製造方法
JP3693162B2 (ja) 固体撮像装置
CN1607675A (zh) 图像传感器及其制造方法
CN1992310A (zh) Cmos图像传感器及其制造方法
US20090090850A1 (en) Deep Recess Color Filter Array and Process of Forming the Same
JPH10163462A (ja) マス型フィルタ構造による固体撮像素子及び製造方法
US20210202561A1 (en) Solid-state imaging device and electronic apparatus
CN103022068A (zh) 一种cmos图像传感器及其制造方法
JP2006060250A (ja) 固体撮像装置とその製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant
ASS Succession or assignment of patent right

Owner name: KELAIBO INNOVATION CO., LTD.

Free format text: FORMER OWNER: MATSUSHITA ELECTRIC INDUSTRIAL CO, LTD.

Effective date: 20141120

C41 Transfer of patent application or patent right or utility model
C56 Change in the name or address of the patentee
CP02 Change in the address of a patent holder

Address after: Osaka

Patentee after: Matsushita Electric Industrial Co.,Ltd.

Address before: Osaka Japan

Patentee before: Matsushita Electric Industrial Co.,Ltd.

TR01 Transfer of patent right

Effective date of registration: 20141120

Address after: California, USA

Patentee after: Craib Innovations Ltd.

Address before: Osaka

Patentee before: Matsushita Electric Industrial Co.,Ltd.

CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee

Granted publication date: 20081119

Termination date: 20170730

CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee