CN1578025A - 具有高阶模式吸收层的半导体激光二极管 - Google Patents

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Abstract

半导体激光二极管能够提高弯折级别并提高严重光学损伤(COD)级别。一种半导体激光二极管包括第一导电类型的半导体衬底；形成在衬底上的第一导电类型的覆盖层；形成在第一导电类型的覆盖层上的有源层；第二导电类型的覆盖层，形成在有源层上并提供有一个脊；光限制层，形成在第二导电类型的覆盖层上，由第一导电类型的半导体材料制成，光限制层包括具有的能量带隙低于有源层产生的光能的高阶模式吸收层、以及具有的折射率低于高阶模式吸收层的折射率的折射率控制层，折射率控制层与高阶模式吸收层以交替的方式层叠。

Description

具有高阶模式吸收层的半导体激光二极管
技术领域
本发明涉及半导体激光二极管，特别涉及其中形成有高阶模式(higher-order mode)吸收层的半导体激光二极管，由此能够提高弯折(kink)级别并提高严重光学损伤(COD)级别。
背景技术
通常，半导体激光器件用做如CD-RW和DVD-RW的光盘系统中的光拾取装置的光源。同样，它们可以广泛地应用于各种技术领域，例如信息和图像处理、测量、通信以及医学处理。在各种技术领域中使用的半导体激光二极管需要具有大功率、高COD级别以及高弯折级别。
图1示出了常规的大功率半导体激光二极管的一个例子。如图1所示，大功率半导体激光二极管包括第一导电类型的半导体衬底12，在它的下表面形成有第一电极11。大功率半导体激光二极管还包括依次形成在第一导电类型的半导体衬底12的上表面上的第一导电类型的覆盖层13、具有多量子阱结构的有源层14、以及形成有脊15a的第二导电类型的覆盖层15。电流限制层16形成在脊15a周围的第二导电类型的覆盖层15上。还形成了接触层以覆盖电流限制层16和脊15a的上表面。第二电极18形成在接触层17上。
在具有上述结构的常规半导体激光二极管中，它的脊15a很窄同时具有陡峭的斜面，以便增加激光功率。为了形成具有这种陡峭斜面的脊15a，进行使用等离子体的干蚀刻工艺。当使用具有陡峭斜面的这种窄脊时，由于有源层14中的激光产生区x很窄，因此可以提高弯折级别并增加激光功率。然而，这种窄激光产生区使单位面积的光密度增加，从而导致COD增加。由此，光功率降低。在严重的情况中，光的振荡会停止。这是由于由有源层振荡产生的光会被半导体激光二极管的发光面(facet)吸收，由此使发光面的温度升高，或者在严重的情况中使发光面熔化，由此使器件断裂。
而且，使用等离子体的干蚀刻工艺时，残留在蚀刻区的等离子体引起损伤。由此，对半导体激光二极管的特性产生负面影响并且降低半导体激光二极管的可靠性。
图2示出了常规的大功率半导体激光二极管的另一个例子。如图2所示，大功率半导体激光二极管包括第一导电类型的半导体衬底22，在它的下表面形成有第一电极21。大功率半导体激光二极管还包括依次形成在第一导电类型的半导体衬底22的上表面上的第一导电类型的覆盖层23、具有多量子阱结构的有源层24、以及形成有脊15a的第二导电类型的覆盖层25。电流限制层26形成在第二导电类型的覆盖层25上。电流限制层26具有脊26a，脊26a的宽度大于形成在第二导电类型的覆盖层25的脊25a，而且具有的折射率低于第二导电类型的覆盖层25。由第一导电类型的半导体材料制成的电流限制层27形成在脊26a周围的电流限制层26上。
在该半导体激光二极管中，通过以下步骤形成需要的脊结构：通过湿蚀刻工艺在第二导电类型的覆盖层25上形成具有高折射率的材料制成的脊25a，通过第二次生长工艺同时不使用任何氧化膜形成具有的折射率低于第二导电类型的覆盖层25的折射率的电流限制层26，以及通过第三次生长工艺形成第一导电类型的半导体材料制成的电流限制层27。在具有这种结构的半导体激光二极管中，形成在第二导电类型的覆盖层25的脊25a形成了光限制区y，而形成在电流限制层26的脊26a形成了电流限制区z。
由此，通过将载流子限制和光限制相互隔开的区域，以上提到的常规半导体激光二极管增加了脊结构的宽度，从而提高了COD级别。然而，在随着脊宽度增加单位面积的光密度降低从而提高了COD级别的该半导体激光二极管中，存在当振荡激光的光功率增加会产生高阶模式从而使弯折级别降低的问题。现在参考图3a和3b介绍弯折的产生。
图3a示出了在半导体激光二极管的水平(宽度)方向中激光功率变化的曲线图。当半导体激光二极管开始工作并随后进行正常操作时，它的激光功率显示为高斯曲线形式。也就是，激光功率在有源区的宽度中心具有峰值，即对应于脊宽度的那部分有源层，如图3a所示。该激光功率称做“基谐模式激光功率”。然而，当激光功率增加时，在有源层的宽度中心分别存在的电子和空穴的数量降低。当电子和空穴的数量的这种减少达到一定的级别时，两个激光功率峰值体现在分别在有源层的宽度中心的相对面与有源层的宽度中心相隔一定距离的那部分有源层(区域A和B)。具有这种峰值的激光功率称做“一阶模式激光功率”。随着激光功率进一步增加，峰值的数量增加。除一阶模式之外的这种模式称做“高阶模式”。在这种高阶模式中，半导体激光二极管的输出功率降低。这种问题称做“弯折”。
图3b示出了注入到半导体激光二极管内的电流和半导体激光二极管的光功率之间的关系。参考图3b，可以看出虽然随着注入电流量的增加振荡激光的光功率线性增加到一定的级别Po，但是光功率达到级别Po之后，不再能得到这种线性增加。这是由于高阶模式中的振荡产生了一个弯折。在图3b中，弯曲的曲线部分对应于发生弯折的点。
由此，当在高阶模式中发生振荡时产生弯折。由于这种弯折，存在与激光的照射位置、激光功率等相关的激光特性变差的问题。因此，重要的是提高发生弯折的级别(也就是，弯折级别)，由此稳定高功率激光的振荡。
因此，在技术领域中，需要提供一种新型半导体激光二极管，能够防止产生COD，同时即使产生了高功率激光也能抑制高阶模式中的振荡，从而提高了弯折的级别，由此稳定了高功率激光的振荡。
发明内容
鉴于以上提到的问题制成本发明，本发明的一个目的是提供一种半导体激光二极管，能够通过高阶模式吸收层吸收有可能由于光功率增加造成的弯折，从而甚至在超高功率输出状态中能够防止产生COD，同时保持高的弯折级别。
根据本发明，通过提供以下半导体激光二极管可以实现该目的，半导体激光二极管包括：第一导电类型的半导体衬底；形成在衬底上的第一导电类型的覆盖层；形成在第一导电类型的覆盖层上的有源层；第二导电类型的覆盖层，形成在有源层上并提供有一个脊；光限制层，形成在至少脊周围的第二导电类型的覆盖层上，同时包括具有低于有源层中产生的光能的能带间隙的一个或多个高阶模式吸收层，光限制层具有的折射率低于第二导电类型的覆盖层的折射率；以及形成在光限制层上的电流限制层，电流限制层由第一导电类型的半导体材料制成。
在本发明的优选实施例中，光限制层进一步包括一个或多个折射率控制层，折射率控制层具有的折射率低于高阶模式吸收层的折射率。将折射率控制层与高阶模式吸收层以交替的方式层叠。光限制层还包括低折射率层，低折射率层具有的折射率等于或低于高阶模式吸收层和折射率控制层的平均指数。
高阶模式吸收层可以由第二导电类型的AlGaAs或AlGaInP基材料制成。折射率控制层可以由第二导电类型的AlGaAs或AlGaInP基材料制成。高阶模式吸收层具有的Al含量使高阶模式吸收层具有能够吸收有源层中产生的光波长的能带间隙。折射率控制层具有的Al含量高于高阶模式吸收层的Al含量，由此光限制层的折射率低于第二导电类型的覆盖层的折射率。
由此，本发明的半导体激光二极管具有以下结构，其中：用于吸收由高阶模式中的振荡产生的光能的高阶模式吸收层提供在形成于第二导电类型的覆盖层上的光限制层处，由此它可以防止当半导体激光二极管的光能增加时由高阶模式振荡产生的弯折。
附图说明
当结合附图阅读下面的详细说明之后，本发明的以上目的、其它特点和优点将变得更显然，其中：
图1和2分别示出了常规的半导体激光二极管的例子的透视图；
图3a示出了半导体激光二极管的水平方向(宽度)中激光能量变化的曲线图；
图3b示出了注入到半导体激光二极管内的电流和半导体激光二极管的光能之间的关系曲线图；
图4a示出了根据本发明的一个实施例的半导体激光二极管的透视图；
图4b示出了用剖面图表示的根据本发明的实施例包含在半导体激光二极管中的各层的剖面结构以及用曲线图表示的这些层的各折射率；
图5示出了根据本发明的实施例的高阶模式吸收层的厚度之间的关系以及在一阶模式中的内部损耗和基谐模式中的内部损耗之间的差异的曲线图；
图6示出了根据本发明实施例的高阶模式吸收层的厚度和远场水平(FFH)角之间的关系曲线图；以及
图7示出了根据本发明实施例的高阶模式吸收层的厚度和脊宽度之间的关系曲线图。
具体实施方式
图4a示出了根据本发明的一个实施例的具有高阶模式吸收层的半导体激光二极管。如图4所示，半导体激光二极管包括第一导电类型的半导体衬底32，在它的下表面形成有某种(certain)合金制成的第一电极32；形成在衬底32上的第一导电类型的覆盖层33；形成在第一导电类型的覆盖层33上的有源层34；第二导电类型的覆盖层35，形成在有源层34上同时具有脊35a，以及光限制层36，形成在第二导电类型覆盖层35上，同时具有的折射率低于第二导电类型覆盖层35的折射率。光限制层36具有包括交替层叠的高阶模式吸收层36a和折射率控制层36b的多层结构。虽然光限制层36包括交替排列的三个高阶模式吸收层36a和三个折射率控制层36b，但是层36a和36b的数量不限于三个。光限制层36还包括低折射率层36c，低折射率层36c具有的折射率基本上等于高阶模式吸收层36a的折射率和折射率控制层36b的折射率的平均值。由第一导电类型的半导体材料制成的光限制层37形成在光限制层36上。
第一导电类型的半导体衬底32可以为n型GaAs衬底。同样，第一导电类型的覆盖层33和第二导电类型的覆盖层34分别由n型和p型GaAs材料制成。有源层33具有预定振荡波长的多量子阱结构。以上介绍的各层以上面介绍的顺序依次和连续地形成。该层的形成称做“初始(primary)生长过程”。虽然衬底32在它的下表面提供有第一电极31，但是不限于这种结构。同时，虽然没有示出，但是n型GaAs材料制成的缓冲层可以插在衬底32和第一导电类型的覆盖层33之间。然而，该缓冲层仅适合于衬底32和第一导电类型的覆盖层33之间的晶体对准。因此，在下面的说明书和权利要求书中，该缓冲层将介绍为包含在衬底32中。
完成初始生长过程之后，掩模形成在第二导电类型的覆盖层35上。设置掩模的区域对应于将形成脊的区域。也就是，由于在随后的蚀刻工艺中没有蚀刻掩模区，因此将形成脊。对于掩模，可以使用介质膜、如SiO2膜的氧化膜或如SiN膜的氮化膜。蚀刻停止层(未示出)可以包含在第二导电类型的覆盖层44中，由此防止了在蚀刻工艺中第二导电类型的覆盖层35被过量蚀刻。此后，脊35a通过蚀刻工艺形成在第二导电类型的覆盖层35上。
随后，光限制层36形成在形成有脊35a的第二导电类型的覆盖层35上。如上所述，光限制层36包括高阶模式吸收层36a、折射率控制层36b以及低折射率层36c。虽然在示出的实施例中光限制层36包括这些层36a，36b和36c，但是不限于此。在示出的实施例中，高阶模式吸收层36a和折射率控制层36b交替叠置在第二导电类型的覆盖层35上。高阶模式吸收层36a用于吸收在高阶模式中振荡产生的光能，而折射率控制层36b用于补偿由高阶模式吸收层36a造成的折射率降低。也就是，通过高阶模式吸收层36a和折射率控制层36b，光限制层36用于吸收在高阶模式中振荡产生的光能，同时抑制了来自脊35a的光穿过。
在示出的实施例中，为了形成光限制层36，一个高阶模式吸收层36a首先形成在第二导电类型的覆盖层35的上表面。高阶模式吸收层36a由Al含量减少的p型AlGaAs层制成，由此它具有的能带间隙设置得低于高阶模式振荡产生的光能。在示出的实施例中，高阶模式吸收层36a具有0.106wt％的Al含量。通过具有的能带间隙低于光能的高阶模式吸收层36a吸收由二阶模式中振荡产生的光能同时在脊宽度的外部区域(图3中的区域A和B)处显示有尖峰。由于通过高阶模式吸收层36a吸收高阶模式的光能，因此可以抑制高阶模式中的振荡并且产生弯折，同时提高了基谐模的光功率。同时，通过高阶模式吸收层36a的厚度影响半导体激光二极管的特性。这在下面详细介绍。
另一方面，高阶模式吸收层36a由于具有很低的Al含量显示出折射率增加。因此，光容易穿过高阶模式吸收层36a。然而，需要将光限制在脊内。为此，一个折射率控制层36b形成在高阶模式吸收层36a的上表面上，以便补偿高阶模式吸收层36a引起的折射率增加。通过折射率控制层36b的折射率控制，需要将高阶模式吸收层36a的折射率和折射率控制层36b的折射率设置得低于第二导电类型的覆盖层35的折射率。这是由于高阶模式吸收层36a和折射率控制层36b同时具有防止来自脊35a的光穿行到外部的光限制层的功能。根据示出的实施例，折射率控制层36b由具有0.7wt％的Al含量的p型AlGaAs基材料制成。
虽然在示出的实施例中通过首先在第二导电类型的覆盖层35上形成一个高阶模式吸收层36a，然后在高阶模式吸收层36b上形成一个折射率控制层36a形成光限制层36，但是光限制层36的形成不限于此。同样，可以改变层36a和36b的形成顺序。
光限制层36包括至少一个高阶模式吸收层36a和至少一个折射率控制层36b(在示出的实施例中有三层36a和三层36b)。高阶模式吸收层36a应该较薄。如果高阶模式吸收层36a具有大的厚度，那么由于低Al含量高阶模式吸收层36a显示出高折射率，光限制层36的光限制作用随高阶模式吸收层36a的厚度降低。换句话说，光沿长度随高阶模式吸收层36a的厚度增加的路径穿行，由此光限制作用降低。因此，高阶模式吸收层36a和折射率控制层36b应当较薄。然而，此时，不可能仅由一个高阶模式吸收层36a有效地吸收高阶模式中振荡产生的光能。因此，优选交替叠置多个高阶模式吸收层36a和多个折射率控制层36b。
低折射率层36c可以形成在交替叠置的高阶模式吸收层36a和折射率控制层36b的结构的上表面上。低折射率层36c的折射率设置得低于第二导电类型的覆盖层35的折射率，以便防止来自脊的光向外穿行。具体地，优选低折射率层36c具有的折射率基本上等于或低于高阶模式吸收层36a的折射率和折射率控制层36b的折射率的平均值。此时，低折射率层36c可以提供与高阶模式吸收层36a和折射率控制层36b基本上相同的光限制作用。在示出的实施例中，低折射率层36c为具有0.48wt％Al含量的p型AlGaAs层。低折射率层36c可以省略，只要仅通过交替叠置的高阶模式吸收层36a和折射率控制层36b就可以得到足够的光限制作用。
此后，适用于限制脊区内电流的电流限制层37形成在光限制层36上的脊周围。电流限制层37由第一导电类型的半导体材料制成。该电流限制层37限制了脊区内的电流，由此防止了电流朝半导体激光二极管的相对水平端面分布。形成电流限制层37之后，由某种合金制成的第一电极31形成在衬底32的下表面。同样形成由某种合金制成的第二电极(未示出)覆盖光限制层36和电流限制层37的上表面。此时，欧姆接触层(未示出)同样形成在电流限制层37和第二电极之间。
图4b示出了用剖面图表示的根据本发明的实施例包含在半导体激光二极管中的各层的剖面结构以及用曲线图表示的这些层的各折射率。如上所述，第二导电类型的覆盖层35具有的折射率高于光限制层36的折射率。高阶模式吸收层36a的折射率高于第二导电类型的覆盖层35的折射率，是由于它具有低Al含量，以便将它的能带间隙设置得低于高阶模式中振荡产生的光能。以便补偿这种高阶模式吸收层36a的高折射率，折射率控制层36b具有高Al含量，由此它们具有很低的折射率。也就是，将高阶模式吸收层36a和折射率控制层36b的折射率的平均值控制得低于第二导电类型的覆盖层35的折射率。由此，通过高阶模式吸收层36a和折射率控制层36b可以获得需要的光限制。优选，执行附加的光限制以使光限制层36提供足够的光限制作用的低折射率层36c具有的折射率基本上等于或低于高阶模式吸收层36a和折射率控制层36b的平均指数。
现在，参考图5到7详细地介绍高阶模式吸收层的厚度和半导体激光二极管的特性之间的关系。在下面说明中介绍的值为用于根据本发明示出的实施例包括具有0.106wt％的Al含量的高阶模式吸收层的半导体激光二极管的试验值。提出这些值仅是为了更好地理解本发明，所以本发明不限于此。
图5示出了根据本发明的实施例的高阶模式吸收层的厚度之间的关系以及在一阶模式中的内部损耗和基谐模式中的内部损耗之间的差异的曲线图。通常，半导体激光二极管中激光的振荡由受激发射光子产生。当光子受激发穿过单位长度的光程时发出的光子的数量称做“光增益”。同样，发射之后被再次吸收的光子数量称做“内部损耗”。在半导体激光二极管中，需要增加高阶模式中激光振荡引起的内部损耗同时降低基谐模式中激光振荡引起的内部损耗，是由于需要消除半导体激光二极管中高阶模式中的激光振荡。换句话说，需要增加高阶模式中的内部损耗和基谐模式中的内部损耗之间的差异。
图5示出了根据高阶模式吸收层的厚度一阶模式中的内部损耗和基谐模式中的内部损耗之间的差异变化。参考图5，可以看出随着高阶模式吸收层的厚度增加高阶模式中的内部损耗增加，由此高阶模式中的内部损耗和基谐模式中的内部损耗之间的差异增加。换句话说，当高阶模式吸收层的厚度增加时，高阶模式中的激光振荡减小，由此基谐模式中的激光振荡增加，从而升高了弯折级别。
图6示出了根据本发明实施例的高阶模式吸收层的厚度和远场水平(FFH)角之间的关系曲线图。参考图6，可以看出随着高阶模式吸收层的厚度增加，发生FFH减小。“FFH”意味着当从半导体激光二极管的发光面向外发射时激光的水平扩张角。随着高阶模式吸收层的厚度增加，水平扩张角降低。这是由于高阶模式吸收层的厚度增加使半导体激光二极管中的光限制功能变得无效，由此脊周围的光分布增加。当从半导体激光二极管向外发射分散的光时，它受到衍射，由此它的发射角减小。根据本发明，可以通过控制高阶模式吸收层和折射率控制层附加地控制FFH。
图7示出了根据本发明实施例的高阶模式吸收层的厚度和脊宽度之间的关系曲线图。在图7中，每个线的下端对应于在基谐模式中激光振荡的区域，而每个线的上端对应于在高阶模式中激光振荡的区域。也就是，两个相邻的线相连的点为基谐模式中激光振荡和高阶模式中激光振荡之间的边界。例如，如果高阶模式吸收层的厚度为70时，当脊的下端具有大于2.5μm的宽度时，发生高阶模式的激光振荡。另一方面，当脊的宽度不大于2.5μm时，发生基谐模式中的激光振荡。换句话说，脊具有大宽度时，由于激光振荡的区域的宽度大，因此容易发生高阶模式中的激光振荡。因此此时，需要增加高阶模式吸收层，以便增加高阶模式中吸收光功率的速率。
由此，半导体激光二极管中高阶模式吸收层的厚度与高阶模式中吸收光功率的效率、由半导体激光二极管发射的激光的FFH以及提供在半导体激光二极管的脊的宽度之间关系密切。因此，通过适当地控制高阶模式吸收层的厚度可以制造需要标准的半导体激光二极管。
如上面结合本发明的实施例介绍的，本发明的特征在于在半导体激光二极管中形成了高阶模式吸收层，该层具有低能量带隙同时用于吸收高阶模式中振荡产生的光能，以便防止当半导体激光二极管的光能增加时高阶模式中振荡引起的弯折。
此外，本发明的特征在于在高阶模式吸收层上设置了折射率控制层，用于补偿高阶模式吸收层的高折射率，同时将高阶模式吸收层和折射率控制层的平均折射率控制到低于形成有脊的第二导电类型的覆盖层的折射率，由此将光限制在脊内。因此，可以吸收高阶模式中振荡产生的光能，同时防止光的扩散，由此提供了具有高弯折级别的高功率半导体激光二极管。
虽然以上介绍的本发明的实施例与AlGaAs基半导体激光器件有关，但是本发明同样可以应用于适合于振荡具有650nm波长激光的AlGaInP基半导体激光器件。此时，n型GaAs衬底用于第一导电类型的衬底。同样，第一导电类型的覆盖层和第二导电类型的覆盖层分别为n和p型AlGaInP材料。高阶模式吸收层为具有很低Al含量的p型AlGaInP层，由此它具有设置得低于高阶模式中振荡产生的光能的能量带隙。另一方面，折射率控制层由具有高Al含量的p型AlGaInP基材料制成。同样，控制高阶模式吸收层和折射率控制层的平均折射率以使它低于第二导电类型的覆盖层的折射率。低折射率层为p型AlGaInP层。低折射率层具有的折射率等于高阶模式吸收层和折射率控制层的平均折射率。
虽然为了为了说明的目的公开了本发明的优选实施例，但是本领域中的技术人员应该理解可以有多种修改、添加和替换，同时不脱离附带的权利要求书公开的本发明的范围和精神。
从以上说明中可以看出，本发明提供一种半导体激光器件，包括具有大宽度的脊以降低COD，同时包括高阶模式吸收层，用于吸收可能由于脊的大宽度造成的高阶模式中振荡产生的光能，由此抑制了高阶模式振荡产生的弯折，并将光限制在脊区内。因此，本发明的半导体激光二极管具有高功率、高COD级别以及高弯折级别的优点。

Claims (9)

1.一种半导体激光二极管，包括：
第一导电类型的半导体衬底；
形成在衬底上的第一导电类型的覆盖层；
形成在第一导电类型的覆盖层上的有源层；
第二导电类型的覆盖层，形成在有源层上并提供有一个脊；
光限制层，形成在至少脊周围的第二导电类型的覆盖层上，同时包括具有低于有源层中产生的光能的能带间隙的一个或多个高阶模式吸收层，光限制层具有的折射率低于第二导电类型的覆盖层的折射率。
2.根据权利要求1的半导体激光二极管，其中光限制层还包括具有低于高阶模式吸收层的折射率的一个或多个折射率控制层，折射率控制层以交替方式与高阶模式吸收层一起层叠。
3.根据权利要求1的半导体激光二极管，其中光限制层还包括低折射率层，该层具有的折射率等于或低于高阶模式吸收层和折射率控制层的平均指数。
4.根据权利要求1的半导体激光二极管，还包括：
形成在光限制层上的电流限制层，电流限制层由第一导电类型的半导体材料制成。
5.根据权利要求1的半导体激光二极管，其中高阶模式吸收层由第二导电类型的AlGaAs或AlGaInP基材料制成。
6.根据权利要求2的半导体激光二极管，其中折射率控制层由第二导电类型的AlGaAs或AlGaInP基材料制成。
7.根据权利要求5的半导体激光二极管，其中高阶模式吸收层中具有的Al含量使高阶模式吸收层具有能够吸收有源层中产生的光波长的能带间隙。
8.根据权利要求6的半导体激光二极管，其中折射率控制层具有的Al含量高于高阶模式吸收层的Al含量，由此光限制层的折射率低于第二导电类型的覆盖层的折射率。
9.一种半导体激光二极管，包括：
第一导电类型的半导体衬底；
形成在衬底上的第一导电类型的覆盖层；
形成在第一导电类型的覆盖层上的有源层；
第二导电类型的覆盖层，形成在有源层上并提供有一个脊；
光限制层，形成在第二导电类型的覆盖层上，由第一导电类型的半导体材料制成，光限制层包括具有的能量带隙低于有源层产生的光能的高阶模式吸收层、以及具有的折射率低于高阶模式吸收层的折射率的折射率控制层，折射率控制层与高阶模式吸收层以交替的方式层叠。
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