CN1577897A - 半导体组件 - Google Patents

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Abstract

半导体组件包含树脂外壳，在上述树脂外壳上形成的导电性膜，和被上述树脂外壳部分地覆盖的引线。该引线具有被上述树脂外壳覆盖的内侧部分，和从上述树脂外壳突出的外侧部分。半导体元件载置在上述引线的内侧部分上。上述引线的内侧部分包含多个接地用的延伸部分，各个延伸部分的前端与上述导电性膜连接。

Description

半导体组件
技术领域
本发明涉及安装在电气化制品中的半导体组件。特别是，本发明涉及在红外线遥控器系统中使用的接受光的组件。
背景技术
近年来，电视接收机和空调装置等各种电气化制品都可利用无线式遥控器进行操作。在这种遥控器中，利用红外线作为操作信号。从控制器射出的红外线信号由安装在电气化制品中的接受光组件检测。
在特开平7-273356号公报中记载了现有的接受光组件的一个例子。如本申请图13所示，现有的接受光组件包含接地端子110；二个端子120，130；接受光元件(图中省略示出)和密封该接受光元件的树脂外壳400。各个端子110，120，130从外壳400的基端表面440突出出来，同时，在外壳400内部，与上述接受光元件连接。
上述接受光元件以高的灵敏度检测红外线信号，容易受电磁波等噪声影响。在外壳400上形成导电性膜500作为电磁屏蔽。导电性膜500通过设置在外壳400的基端表面440上的连接带条550，与接地端子110连接。
当连接带条550与接地端子110的连接断开时，导电性膜500成为非接地状态，没有电磁屏蔽的功能。现有的接受光的组件的导电性膜500具有这种容易陷于非接地状态的结构。具体地，如图13所示，连接带条550只与接地端子110的上面部分连接。然而，在这种连接形式下，由于外力的作用，接地端子110有时从根部向下方折曲，连接带条550容易与接地端子110分离。
发明内容
本发明是考虑这个问题而提出的，其目的是要提供一种具有稳定的电磁屏蔽效果的半导体组件。
本发明的第一方面提供了一种半导体组件，它具有：
包含第一表面和与该第一表面不同的第二表面的树脂外壳；
包含由上述树脂外壳覆盖的内侧部分和从上述树脂外壳的上述第一表面突出的外侧部分的引线；
载置在上述引线的上述内侧部分上，并且由上述树脂外壳覆盖的半导体元件；和
至少是覆盖上述树脂外壳的上述第二表面的导电性膜。
上述引线的上述内侧部分包含向着上述树脂外壳的上述第二表面延伸的延伸部分，该延伸部分与上述导电性膜接触。
优选为，上述延伸部分从上述树脂外壳的上述第二表面突出出来。
优选为，上述半导体元件为具有受光面的接受光元件，在上述受光面上形成网眼状的导体图形。
优选为，上述树脂外壳包含用于将光集中在上述接受光元件上的透镜面，上述导电性膜具有遮光性。
优选为，基于本发明的第一方面的半导体组件，它还具有设在上述树脂外壳的上述第一表面上，同时与上述导电性膜连接的连接带条，上述连接带条在包围上述引线的周围的状态下，与该引线接触。
本发明的第二方面提供了一种半导体组件，它具有：
树脂外壳；
包含由上述树脂外壳覆盖的内侧部分和从上述树脂外壳突出的外侧部分的导电体；
载置在上述导电体的上述内侧部分上，并且由上述树脂外壳覆盖的半导体元件。
在上述导电体的上述内侧部分上形成容纳上述半导体元件的凹部。该凹部由固定着上述半导体元件的底部和包围上述半导体元件的周围的侧壁规定。上述侧壁向着上述底部作成锥形。
优选为，上述凹部的深度为上述半导体元件的厚度以上。
优选为，上述凹部的上述底部和上述侧壁具有实质上相同的厚度。
优选为，上述半导体元件为接受光元件，上述凹部的上述侧壁具有向着上述接受光元件，反射光的反射面。
基于本发明的第二方面的半导体组件它还具有处理从上述接受光元件输出的信号的集成电路元件，和覆盖该集成电路元件的树脂件。上述树脂件由上述树脂外壳覆盖，同时具有比上述树脂外壳更高的遮光性。
本发明的第三方面提供了一种半导体组件，它具有：
包含第一表面和与该第一表面不同的第二表面的树脂外壳；
包含由上述树脂外壳覆盖的内侧部分和从上述树脂外壳的上述第一表面突出的外侧部分的导电体；
载置在上述引线的上述内侧部分上，并且由上述树脂外壳覆盖的半导体元件；和
至少覆盖上述树脂外壳的上述第二表面的导电性膜。
上述引线的上述内侧部分包含向着上述树脂外壳的上述第二表面延伸的延伸部分，该延伸部分与上述导电性膜接触。在上述引线的上述内侧部分上形成容纳上述半导体元件的凹部。
优选为，上述延伸部分从上述树脂外壳的上述第二表面突出出来。
优选为，本发明的第三方面提供的半导体组件，还具有设在上述树脂外壳的上述第一表面上，同时与上述导电性膜连接的连接带条。上述连接带条在包围上述引线的周围的状态下，与该引线接触。
优选为，上述凹部的深度为上述半导体元件的厚度以上。
优先为，上述凹部由固定着上述半导体元件的底部和包围上述半导体元件的周围的侧壁规定。另外，上述侧壁向着上述底部作成锥形。
优选为，上述凹部的上述侧壁具有向着上述接受光元件反射光的反射面。
优先为，基于本发明的第三方面的半导体组件它还具有处理从上述半导体元件输出的信号的集成电路元件，和覆盖该集成电路元件的树脂件。上述树脂件由上述树脂外壳覆盖，同时具有比上述树脂外壳高的遮光性。
本发明的其他特征和优点，从以下的优选实施例说明中，更加清楚。
附图说明
图1为表示基于本发明的第一实施例的接受光组件的立体图；
图2为表示上述接受光组件的电气连接状况的平面图；
图3为沿着图2的III-III线的截面图；
图4为沿着图2的IV-IV线的截面图；
图5为表示上述接受光组件的改变例子的电气连接状态的平面图；
图6为表示上述接受光组件的另一个改变例子的电气连接状态的平面图；
图7为沿着图6的VII-VII线的截面图；
图8为表示基于本发明的第二实施例的接受光组件的立体图；
图9为表示上述第二实施例的接受光组件的电气连接状况的平面图；
图10为沿着图9的X-X线的截面图；
图11为沿着图9的XI-XI线的截面图；
图12为表示第二实施例的改变例子的主要部分的平面图；
图13为表示现有的接受光组件的立体图。
具体实施方式
以下参照附图，具体地说明本发明的优选实施例。在以下各个实施例及改变例中，相同或类似的部件，用相同的符号表示。
图1～图4为基于本发明的第一实施例的接受光组件的说明图。该接受光组件安装在视听装置(电视接收机，录相机，CD播放机等)和空调装置等中，用于接受从红外线遥控器送出的操作信号。如图1所示，接受光组件具有受光元件2，集成电路元件3和第一～第三引线11～13。在本实施例中，使用光电二极管作为受光元件2，但本发明不是仅限于此。例如，利用光敏晶体管代替光电二极管也可以。
光电二极管2和集成电路元件3全部用树脂外壳4覆盖。另一方面，各个引线11～13部分地用外壳4覆盖。结果，各个引线可分成用外壳4覆盖的内侧部分，和从外壳4的基端表面40突出的外侧部分11A～13A。外侧部分11A～13A起连接端子的功能。在树脂外壳4上形成导电性膜5。
第一～第三引线11～13由铁或铜等金属制成。第一引线11为接地用。第二引线12为电源供给电压用，第三引线13为信号输出用。从图1中可看出，第一～第三引线11～13在同一个平面内延伸。各个引线11～13由接受光组件制造用的引线框架得到。该引线框架上包含图中省略了的支承主体部，和与该支承主体部作成一体的多个引线形成部分。在接受光组件的制造工序中，通过从支承主体上切下对应的引线形成部分，得到引线11～13。
如图2所示，在第一引线11的内侧部分上载置着光电二极管2和集成电路元件3。更具体地说，光电二极管2载置在管芯键合部分(diebonding)11B上，集成电路元件3载置在管芯键合部分11C上。另外，第一引线11的内侧部分包含引线键合部分(wire bonding)11D，11E。引线键合部分11D通过电线6与光电二极管2连接。引线键合部分11E通过另一根电线6，与集成电路元件3连接。
第一引线11的内侧部分包含多个接地用延伸部分11F～11H。在图2中，延伸部分11F从管芯键合部分11B向左延伸，从树脂外壳4的侧面41A突出，同时，与导电性膜5接触。延伸部分11G从管芯键合部分11B(或引线键合部分11D)向上延伸，从树脂外壳4的侧面41B突出，同时与导电性膜5接触。延伸部分11H从引线键合部分11D向右延伸，从树脂外壳4的侧面41C突出出来，同时，与导电性膜5接触。延伸部分11G相当于第一引线的外侧部分11A平行延伸，而延伸部分11F和11H相当于外侧部分11A非平行(垂直)延伸。
由于各个延伸部分11F～11H与导电性膜5接触，因此延伸部分没有必要从外壳4的侧面突出出来。例如，延伸部分的前端面与外壳4的侧面成为同一个面状态也可以。
如图2所示，第二和第三引线12，13从两侧夹住第一引线11地配置。第二引线12包含与上述外侧部分12A连续的内侧部分12B，该内侧部分通过电线6与集成电路元件3连接。同样，第三引线13包含与上述外侧部分13A连接的内侧部分13B，该内侧部分通过另一根电线6，与集成电路元件3连接。
光电二极管2当接受从遥控器发出的红外线信号时，输出与其相应的信号电流。为此，光电二极管2具有包含由P型半导体构成的上层和由N型半导体构成的下层PN结的构造。与各层对应的连接垫片设在光电二极管2的上表面上。与N型半导体层对应的垫片，通过电线6与集成电路元件3连接。另一方面，与P型半导体对应的垫片，通过另一根电线6，与引线键合部分11D连接。由于要使N型半导体层(下层)和第一引线11绝缘，因此，在光电二极管2和第一引线11之间设有绝缘材料(图中省略)。
集成电路元件3，在对从光电二极管2输出的信号电流进行规定的处理后，将该处理完的信号输出至外部控制机器。为了进行该处理，集成电路元件3具有电流/电压变换电路，放大电路，限制电路，检波电路等。集成电路元件3通过银膏等连接层(图中省略)焊接在第一引线11上。
树脂外壳4具有以环氧树脂为主要成分，对可视光具有非透过性，另一方面，对红外线有透过性的结构。在外壳4的上表面42上，形成凸状的透镜面42A。从红外线控制器行进而来的红外线，利用透镜面42A将光集中在光电二极管2上。
导电性膜5在环氧树脂中混入碳等其他导电性填充剂的导电性树脂材料制成。为了防止外部扰动光进入外壳4内，导电性膜5优选具有遮光性。导电性膜5在外壳4上形成，不覆盖外壳4的基端面40和透镜面42A。
采用本发明，为了提高电磁屏蔽效果，可以用导电体部分地覆盖透镜面42A。在这种情况下，可在透镜面42A上形成与导电性膜5连接的网眼状导体图形。
在树脂外壳4的基端面40上，形成导电性的连接带条50，连接接地端子11A和导电性膜5。连接带条50，在包围接地端子11A的根部的状态下，与端子11A接触。详细地说，带条50与该根部的上表面，下表面和2个侧面接触。带条50延伸，从而横切外壳的基端面40，其上端与导电性膜5的一部分(在外壳的上面42上形成的部分)连接；另一方面，其下端与导电性膜5的另一部分(在外壳的下表面43上形成的部分)连接。
由于上述接受光的组件的制造方法，基本上与现有的接受光组件(图13)的制造方法相同，因此省略其详细说明。
导电性膜5可由上述导电性树脂材料制成，但本发明不是仅限于此。例如，由金属材料形成导电性膜5，代替导电性树脂材料也可以。在这种情况下，利用溅射或无电解电镀法等，制成覆盖全部外壳4的表面的金属层。以后，将不需要的地方用蚀刻等除去，可得到所希望的导电性膜5。或者，在外壳4上规定地方施加了掩蔽的状态下，进行溅射也可以。
在形成导电性膜5之前的阶段，第一引线11的延伸部分11F～11H的前端从外壳4的表面突出。因此，通过在外壳4上形成导电性膜5，容易实现第一引线11和导电性膜5的电连接。
上述接受光组件有下列特征。如参照图1所述，连接带条50与接地端子11A的4个表面(上表面，下表面，两个侧面)接触。因此，与图13所示的现有的接受光组件的情况(连接带条550只与端子110的上表面接触)比较，可以更可靠地防止连接带条50和接地端子11A成为非导通状态。另外，接地端子11A通过延伸部分11F～11H，与导电性膜5连接。因此，即使连接带条50和接地端子11A成为非接触状态，也可维持接地端子11A和导电性膜5电气导通的状态。
图5和图6为说明上述接受光组件的改变例子的图。
图5所示的第一引线11的内侧部分具有从管芯键合部分11B延伸的第一对～第三对延伸部分。第一对延伸部分11F从外壳4的左侧面41A突出，与导电性膜5连接。第二对延伸部分11G从外壳4的上表面41B突出，与导电性膜5连接。第三对延伸部分11H从外壳4的右侧面41C突出，与导电性膜5连接。这样，通过使6个延伸部分与导电性膜5接触，可以比图2所示的情况，更能提高除去噪声的效果。
在图6所示的接受光组件中，光电二极管2的结构与图2所示的光电二极管的结构上下相反。具体地是，图6的光电二极管2具有P型半导体层为下层，N型半导体层为上层的PN结的结构。P型半导体层(下层)通过导电膏层(图中省略)，与第一引线11的管芯键合部分11B连接。N型半导体层(上层)通过电线6与集成电路元件3连接(参照图7)。在光电二极管2的上表面(受光面)上，形成网眼状的导体图形20。导电图形20可以利用以铝为材料的半导体制造过程形成。导体图形20利用钝化(passivation)膜(图中省略)与上层的N型半导体层绝缘，而与下层的P型半导体层连接(接地连接)。采用这种结构，利用导体图形20可以遮蔽从透镜面42A进入的电磁噪声。
图8～图11为基于本发明的第二实施例的接受光组件的说明图。第二实施例的组件，与第一实施例的组件同样，具有光电二极管2，集成电路元件3和第一～第三引线11～13。光电二极管2和集成电路元件3由树脂外壳4全部覆盖。另一方面，引线11～13由外壳4部分地覆盖。各个引线具有从外壳4突出的外侧部分(连接端子)11A～13A。在外壳4的上表面上形成凸透镜面42A。
在上述第一实施例中，在树脂外壳4上设有导电性膜(电磁屏蔽)。但在第二实施例中，不设置这种导电性膜。
第一～第三引线11～13与第一实施例的情况同样，由引线框架得到。如后所述，第一引线11的规定部分成为光反射面。该光反射面，由光反射率高的金属(锡等)进行电镀处理形成。
第一引线11具有分别安装着光电二极管2和集成电路元件3的管芯键合部分11B和11C。在管芯键合部分11B上形成锥形的凹部14，在该凹部内收存光电二极管2。如图9所示，凹部14平面看为矩形形状。凹部14由4个侧壁部14a和与这些侧壁部连接的一个底板部14b规定。如图10和图11所示，各个侧壁部14a倾斜规定的角度。光电二极管2有4个矩形侧面，相对于各个侧面，在4个侧壁部14a中有一个与其相对。各个侧壁的内表面(直接与光电二极管2相对)为红外线反射率高的反射面。如图10和图11所示，各个反射面相对于与光电二极管2对应的一个侧面是非平行的，随着从其上端向下方行进而倾斜，以便接近光电二极管2。结果，四个反射面(进而是4个侧壁部14a)作为全体构成向下方成为锥度的角锥台。凹部14的深度优选为光电二极管2的厚度以上，以便在凹部14内容纳光电二极管2的整体。
容易理解，在光电二极管2收存在凹部14内以后(以及其他必要的处理结束后)，进行树脂外壳4的形成。具体地是，将流动状态的树脂材料供给至规定的腔内以后，通过使该供给材料固化，形成外壳4。因此，如图10或图11所示，在包围光电二极管2的状态下，将外壳4的一部分投入凹部14的内部。
图示的凹部14平面看是矩形形状，但本发明不是仅限于此。凹部14可以作成平面看为园形或椭圆形也可以。
上述的凹部14可以对第一引线11的规定地方进行压力加工而形成。加工的结果是，凹部14的侧壁部14a的厚度有比底板部14b的厚度小的倾向。但是，侧壁部14a和底板部14b的厚度差，与第一引线11的长度比较，为可忽视的小。在这个意义上来说，侧壁部14a的厚度与底板部14b的厚度实质上相同。
光电二极管2有下层(n形半导体层)和上层(p形半导体层)。光电二极管2的底部通过绝缘材料(图中省略)，固定在凹部14的底板部14b上。如图9所示，在光电二极管2的上表面上，设有与p型半导体层导通的阳极垫片20a。垫片20a通过电线6a与第一引线11连接。而且，在光电二极管2的上表面上，设有与n形半导体层导通的一对阴极垫片20b，20c。与此相对应，在集成电路元件3的上表面上设有一对连接垫片30a，30b。上述阴极垫片20b，通过电线6b与连接垫片30a连接，而上述阴极垫片20c，通过电线6c，与连接垫片30b连接。
图中没有示出，光电二极管2的pn接合部分分成同样的二个区域(即：第一区域和第二区域)。第一区域与上述阴极垫片20b连接，第二区域与上述阴极垫片20c连接。当光电二极管2的pn接合部分(即：第一区域和第二区域)接受红外线信号时，通过阴极垫片20b，20c和电线6b，6c，将电气信号输出至集成电路元件3的连接垫片30a，30b。这时，由于电磁噪声作用在电线6b，6c上，在这些电线中传递的电气信号与噪声重叠。但即使在这种情况下，在这样的二个电气信号的电流/电压变换结束后，集成电路元件3，取这些信号的差分，抵消上述电磁噪声。结果可得到无噪声或噪声少的电气信号。
在对从光电二极管2输出的电气信号进行规定的处理后，集成电路元件3将该处理完的信号输出至外部控制装置。因此，集成电路元件3具有电流/电压变换电路，和进行差分处理的差分电路，放大电路，限制电路和检波电路等。这些电路由在p型半导体层上形成的由多个npn型晶体管和布线图形构成。该布线图形在广大的面积上覆盖集成电路元件3的上层部分。由此，利用该布线图形可以遮蔽从外部向集成电路元件3行进的电磁噪声。
在集成电路元件3的上表面，除了上述连接垫片30a，30b以外还设置有电力供给用的垫片30c和输出用的垫片30d。垫片30c，30d通过电线6d，6e与引线13，12连接。集成电路元件3的p型半导体层，通过银膏与第一引线11接合。
在树脂外壳4的内部，集成电路元件3的全体用树脂制的保护构件6密封。保护构件6与树脂外壳4不同，具有对红外线的遮蔽性。另外，保护构件6对可视光具有比树脂外壳4更高的遮蔽性。利用这种结构，可防止由红外线或可视光引起的集成电路元件3的误动作。
如上所述，根据第二实施例，光电二极管2收存在第一引线11上形成的凹部14的内部。以下，说明这种结构的技术优点。
第一优点是，凹部14可起光电二极管2的电磁屏蔽的作用。具体地，如图10和图11所示，凹部14的上述4个侧壁部14a包围光电二极管2的周围。因此，通过将第一引线11接地，这些侧壁部14a可起遮蔽向着光电二极管2的侧面行进的电磁噪声的电磁屏蔽的作用。同样，底板部14b可起对光电二极管2的电磁屏蔽的作用。这些电磁屏蔽(即侧壁部14a和底板部14b)设在树脂外壳4的内部，进而可通过压力加工第一引线11的一部分来形成。
第二优点是，凹部14的倾斜内壁部可起红外线信号的集光器装置的作用。当红外线信号从外部遥控器向着接受光组件送出时，该红外线信号通过树脂外壳4的透镜面42A，通向光电二极管2。优选是，由透镜面42A，集中了光的红外线信号全部入射在光电二级管2的上表面上。然而，存在着红外线从接受光组件的倾斜的正面方向行进的情况等，结果，入射至光电二极管2的上面的红外线信号的量，比理想状况少。在本实施例中，利用凹部14的倾斜内壁反射脱离光电二极管2的上表面行进的红外线信号，使该信号可以入射到光电二极管2的侧面上。例如，如图10或图11所示，红外线的信号n1，由侧壁部14a反射后，入射到光电二极管2的侧面上。包含本实施例的光电二极管2，一般来说光电二极管由从其侧面入射的光产生电动势。由于这样，基于入射的红外线信号n1，在光电二极管2内产生电动势。这点意味着通过设置凹部14，可提高接受光组件的信号检测灵敏度。
图12为表示第二实施例的改变例子的主要部分的平面图。由图12与图9(第二实施例)的比较可知，该改变例的结构与图9所示的结构有以下的不同。也就是说，在该改变例中，设置有从第一引线11的管芯键合部分11B延伸的多个延伸部分11F、11G、11H。另外，在树脂外壳4上，设置导电性膜5。与第一实施例的导电性膜同样地形成导电性膜5(参照图1)以避开树脂外壳4的基端面40和透镜面(参照图1的符号42A)。上述各延伸部11F、11G、11H通过其前端从树脂外壳4的突出少许，与导电性膜5连接。在树脂外壳4的基端面40上，与实施例1同样，形成连接带条50，连接导电性膜5和接地端子11A。
除以上不同点之外，图12的改变例的接受光组件具有与实施例2的接受光组件同样的特征。例如，光电二极管2载置于第一引线11的管芯键合部分11B上形成的凹部14的内部(参照图10)。凹部14由固定光电二极管2的底部14b和包围光电二极管2的周围的多个平坦的侧壁所规定。根据这种结构，利用导电性膜5和凹部14(底部和侧壁)的双方可以得到遮蔽电磁噪声的效果。凹部14的侧壁，作为整体向着凹部14的底部作成锥形。各侧壁具有向着二极管反射光的反射面。也可与这种结构不同，通过固定光电二极管2的底部、和以包围光电二极管2的周围的方式平滑地弯曲的单一侧壁规定凹部14。光电二极管2通过2根导线6b、6c与集成电路元件3连接，该集成电路由树脂制的保护构件15覆盖。保护构件15在为树脂外壳4覆盖的同时，具有比树脂外壳4更高的遮蔽性。
如以上所述，本发明可以改变成其他各种形式。这种改变在不偏离本发明的思想和范围的条件下，对工作者显然可见的全部变更都包含在以下的权利要求范围内。

Claims (17)

1.一种半导体组件，具有：
包含第一表面和与该第一表面不同的第二表面的树脂外壳；
包含由所述树脂外壳覆盖的内侧部分和从所述树脂外壳的所述第一表面突出的外侧部分的引线；
载置在所述引线的所述内侧部分上，并且由所述树脂外壳覆盖的半导体元件；和
至少覆盖所述树脂外壳的所述第二表面的导电性膜，
所述引线的所述内侧部分包含向着所述树脂外壳的所述第二表面延伸的延伸部分，该延伸部分与所述导电性膜接触。
2.如权利要求1所述的组件，其特征为，所述延伸部分从所述树脂外壳的所述第二表面突出出来。
3.如权利要求1所述的组件，其特征为，所述半导体元件为具有受光面的接受光元件，在所述受光面上形成网眼状的导体图形。
4.如权利要求3所述的组件，其特征为，所述树脂外壳包含用于将光集中在所述接受光元件上的透镜面，所述导电性膜具有遮光性。
5.如权利要求1所述的组件，其特征为，它还具有设在所述树脂外壳的所述第一表面上同时与所述导电性膜连接的连接带条，所述连接带条在包围所述引线的周围的状态下，与该引线接触。
6.一种半导体组件，具有：
树脂外壳；
包含由所述树脂外壳覆盖的内侧部分和从所述树脂外壳突出的外侧部分的导电体；
载置在所述导电体的所述内侧部分上，并且由所述树脂外壳覆盖的半导体元件，
在所述导电体的所述内侧部分上形成容纳所述半导体元件的凹部，该凹部由固定着所述半导体元件的底部和包围所述半导体元件的周围的侧壁规定，所述侧壁向着所述底部作成锥形。
7.如权利要求6所述的组件，其特征为，所述凹部的深度作成在所述半导体元件的厚度以上。
8.如权利要求6所述的组件，其特征为，所述凹部的所述底部和所述侧壁具有实质上相同的厚度。
9.如权利要求6所述的组件，其特征为，所述半导体元件为接受光元件，所述凹部的所述侧壁具有向着所述接受光元件，反射光的反射面。
10.如权利要求9所述的组件，其特征为，它还具有处理从所述接受光元件输出的信号的集成电路元件，和覆盖该集成电路元件的树脂件，所述树脂件由所述树脂外壳覆盖，同时具有比所述树脂外壳高的遮光性。
11.一种半导体组件，具有：
包含第一表面和与该第一表面不同的第二表面的树脂外壳；
包含由所述树脂外壳覆盖的内侧部分、和从所述树脂外壳的所述第一表面突出的外侧部分的导电体；
载置在所述引线的所述内侧部分上，并且由所述树脂外壳覆盖的半导体元件；和
至少覆盖所述树脂外壳的所述第二表面的导电性膜，
所述引线的所述内侧部分包含向着所述树脂外壳的所述第二表面延伸的延伸部分，该延伸部分与所述导电性膜接触，
在所述引线的所述内侧部分形成容纳所述半导体元件的凹部。
12.如权利要求11所述的组件，其特征为，
所述延伸部分从所述树脂外壳的所述第二表面突出出来。
13.如权利要求11所述的组件，其特征为，
还具有设在所述树脂外壳的所述第一表面上，同时与所述导电性膜连接的连接带条，所述连接带条在包围所述引线的周围的状态下，与该引线接触。
14.如权利要求11所述的组件，其特征为，
所述凹部的深度为在所述半导体元件的厚度以上。
15.如权利要求11所述的组件，其特征为，
所述凹部由固定着所述半导体元件的底部和包围所述半导体元件的周围的侧壁规定，所述侧壁向着所述底部作成锥形。
16.如权利要求15所述的组件，其特征为，
所述凹部的所述侧壁具有向着所述接受光元件反射光的反射面。
17.如权利要求11所述的组件，其特征为，
还具有处理从所述半导体元件输出的信号的集成电路元件，和覆盖该集成电路元件的树脂件，所述树脂件由所述树脂外壳覆盖，同时具有比所述树脂外壳高的遮光性。
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